CN108445682A - 一种阵列基板、阵列基板的制作方法及液晶显示装置 - Google Patents
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Abstract
为缩小像素电极间距，提升显示效果，本发明提供一种阵列基板，包括：绝缘基板；多个薄膜晶体管，位于绝缘基板上；多个像素电极，与多个薄膜晶体管分别电连接；以及公共电极，围绕多个像素电极，并且与多个像素电极彼此隔开，像素电极与公共电极位于同一层，公共电极与公共电极层相连。本发明还提供了该阵列基板的制作方法及具有该阵列基板的显示装置。阵列基板中的公共电极与像素电极位于同一层，且公共电极围绕于像素电极周围，使得电场有所加强，响应时间提升且有利于节省功耗，同时围绕于像素电极周围的公共电极还可起到屏蔽作用，这使得相邻像素电极之间的间距可以适度缩小，提高显示效果。公共电极具有两层走线，降低了相应阻抗。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板、阵列基板的制造方法及液晶显示装置。
背景技术
目前，液晶显示装置的显示屏幕越来越大，在大尺寸的显示屏幕中，其公共电极线随其尺寸变长，阻抗变大，影响显示效果；每英寸所拥有的像素数目数值越高，即代表显示屏幕能够以越高的密度显示图像，图像的细节就会越丰富。然而，现有的高像素的液晶显示装置的相邻像素电极的间距有最小值规定，否则会影响相邻像素单元的正常工作。
现将参考图1与图2描述具有该现有技术的液晶显示装置。
图1示出了一种现有技术的液晶显示装置的平面图。
图2是沿图1的线Ⅱa-Ⅱa与Ⅱb-Ⅱb切割的、示意性地示出现有技术的液晶显示装置的阵列基板的截面图。
如图1与图2所示，根据现有技术的液晶显示装置的阵列基板10可包括：在透明绝缘基板11上沿一个方向延伸且互相平行地隔开的多条栅极线14；与栅极线14交叉以便用交叉点界定像素区域的多条数据线23；和在栅极线14与数据线23之间的每个交叉点上设置的薄膜晶体管T，且该薄膜晶体管包括栅极13、有源层17、源极23a和漏极23b。
在绝缘基板11的每一个像素区域的整个表面上可设置大透明像素电极29，并与栅极线14和数据线23隔开一定空间。在像素电极29上可设置呈条状的多个透明公共电极35，在像素电极29和公共电极35之间夹有平整膜31。
像素电极29可电连接至漏极23b。
此外，栅极焊盘13a与数据焊盘13b可分别从栅极线14与数据线23的末端伸出。栅极焊盘13a与数据焊盘13b可分别连接至栅极焊盘连接图案35a与数据焊盘连接图案35b。
通过这种配置，当经由薄膜晶体管T向像素电极29施加数据信号时，在像素电极29与被施加公共电压的公共电极35之间会形成边缘场。因此，水平排列在绝缘基板11与结合至绝缘基板11的滤色器基板之间的液晶分子可由于介电各向异性而旋转。液晶分子的旋转角可改变透过像素区域的光透射率。这样就可实现渐变。
该现有技术的液晶显示装置中存在公共电极线随其尺寸变长，阻抗变大，像素电极间距大，浪费功耗，最终影响显示效果问题，急需解决。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供一种阵列基板及其制造方法以及液晶显示装置，以降低公共极阻抗，节省功耗，缩小像素电极间距，提升显示效果。
根据本发明的一方面，提供一种阵列基板，包括：
绝缘基板；多个薄膜晶体管，位于绝缘基板上；
多条栅极线，分别连接至多个薄膜晶体管中的相应薄膜晶体管的栅极；以及
多条数据线，分别连接至多个薄膜晶体管中的相应薄膜晶体管的源极；
多个像素电极，与多个薄膜晶体管的漏极分别电连接，从而在多个薄膜晶体管导通时获得灰阶电压；以及
公共电极，围绕多个像素电极，并且与多个像素电极彼此隔开；
其中，公共电极和多个像素电极由同一导电层形成。
优选地，公共电极为包括多个网孔的网格形状，多个像素电极分别位于多个网孔中。
优选地，阵列基板还包括公共电极层，公共电极层位于公共电极下方，与公共电极电连接。
优选地，公共电极层与公共电极通过基板显示区域内过孔、基板显示区域边缘过孔、基板边缘银胶连接中的任一方式电连接。
优选地，薄膜晶体管还包括：
位于绝缘基板上的栅极导体；
位于栅极导体上的栅极介质层；
位于栅极介质层上的非晶硅层；
在非晶硅层中形成的源区和漏区；以及
分别与源区和漏区接触的源极电极和漏极电极，
其中，栅极线与栅极导体连接，数据线与源极电极相连接，像素电极与漏极相连接。
优选地，阵列基板还包括：第一绝缘层、第二绝缘层、平整层和第三绝缘层，其中，公共电极层位于平整层和第三绝缘层之间，公共电极位于第三绝缘层上方，公共电极形成网络形状，并且公共电极层和公共电极经由第三绝缘层彼此连接。
优选地，多个像素电极位于第三绝缘层上方，并且经由导电通道连接至薄膜晶体管的漏极，导电通道穿过第三绝缘层、公共电极层、平整层以及第二绝缘层到达薄膜晶体管的漏极。
根据本发明的另一方面，提供一种阵列基板的制作方法，包括：
提供绝缘基板，在絶縁基板上形成第一金属层；
形成第一绝缘保护层，并覆盖第一金属层，在第一绝缘保护层形成半导体层，该半导体层位于第一金属层上方；
在第一绝缘保护层形成第二金属层，该第二金属层包括第一源漏极和第二源漏极以及数据线，第一源漏极和第二源漏极彼此分隔并分别与该半导体层接触，使部分半导体层从第一源漏极和第二源漏极间露出；
形成第二绝缘保护层，覆盖第二金属层，包括第一源漏极、第二源漏极、数据线以及第一源漏极与第二源漏极间露出的部分半导体层；
在第二绝缘保护层上形成平整层；
在平整层上形成公共电极层；
在公共电极层上形成第三绝缘保护层；
在第三保护层上形成第一通孔，第一通孔穿过第三绝缘保护层、公共电极层、平整层以及第二绝缘保护层，以露出部分第一源漏极；
在第三保护层上形成第二通孔以露出部分公共电极层；
在第三保护层上形成电极层；电极层包括彼此分隔的像素电极和公共电极，其中，像素电极通过第一通孔与第一漏极连接，公共电极通过第二通孔与公共电极层连接。
优选地，第二通孔位于阵列基板的显示区域外围。
再一方面，本发明还提供了信号更稳定，像素电极间距更小，显示效果更好的液晶显示装置。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
一种液晶显示装置，包括彩色滤光基板以及液晶层，该液晶显示装置还包括如上所述的阵列基板，液晶层夹置在阵列基板和彩色滤光基板之间。
本发明的有益效果是：
本发明提供的阵列基板中，解决了大尺寸液晶显示装置中公共电极线随其尺寸变长，阻抗变大，影响显示效果的问题；像素电极与公共电极位于同一层，公共电极与公共电极层相连，一方面使公共电极具有两层走线，降低了相应阻抗，另一方面公共电极与像素电极位于同一层，且公共电极环绕于像素电极周围，使得电场有所加强，响应时间提升且有利于节省功耗，同时环绕于像素电极周围的公共电极还可起到屏蔽作用，这使得相邻像素电极之间的间距可以适度缩小，提高显示效果。
本发明提供的阵列基板的制作方法制成的阵列基板具有功耗低、响应时间快，信号稳定的优点。
本发明提供的液晶显示装置由于采用了如上的阵列基板达到功耗低、响应时间快，信号稳定的，提高了液晶显示装置的性能和显示效果。
附图说明
通过以下参照附图对本发明实施例的描述，本发明的上述以及其它目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：
图1所示为根据现有技术的用于液晶显示装置的阵列基板的平面图。
图2是沿图1的剖面线IIa-IIa与IIb-IIb切割的现有技术所制作的液晶显示装置的阵列基板的截面图。
图3是本发明实施例的阵列基板的单个像素区域的局部结构示意图。
图4是本发明实施例的阵列基板单个像素区域的局部俯视图。
图5是本发明实施例的阵列基板局部俯视图。
图6是本发明实施例的阵列基板沿图5中的A-A线的剖面示意图。
图7是本发明实施例的阵列基板沿图5中的B-B线的剖面示意图。
图8本发明具体实施例提供的阵列基板的制作流程图。
图9是本发明实施例的阵列基板工作时，一个像素电极区域产生的电场情况。
图10是本发明实施例的阵列基板与原技术阵列基板的响应时间对比。
具体实施方式
以下基于实施例对本发明进行描述，但是本发明并不仅仅限于这些实施例。在下文对本发明的细节描述中，详尽描述了一些特定的细节部分。对本领域技术人员来说没有这些细节部分的描述也可以完全理解本发明。为了避免混淆本发明的实质，公知的方法、过程、流程、元件和电路并没有详细叙述。
图3是本发明实施例的阵列基板的一个像素区域的局部结构示意图，其阵列基板包括：绝缘基板100，在绝缘基板上沿一个方向形成的栅极线200，位于栅极线200中栅极201上方的栅极介质202，以及位于栅极介质上方的有源层300，有源层300包括数据线301和接收极303，数据线301与接收极303相分离，数据线301包括位于栅极介质202上方的源极302，接收极303包括位于栅极介质202上方的漏极304，以及平整层400位于有源层300与公共电极层500之间，以及位于公共电极层500上方的电极层600包括像素电极601和公共电极602，像素电极601与公共电极602位于同一平面，且像素电极601与公共电极602相分离，像素电极601通过公共电极层500与平整层400上的过孔501与接收极303相连接，公共电极602与公共电极层500连接方式可以但不局限于是：通过过孔603与公共电极层500相连接，公共电极602通过阵列基板边缘过孔与公共电极层500相连接，公共电极602在阵列基板边缘通过银胶的方式与公共电极层500相连接。
通过驱动栅极线200及数据线300，确定显示位置，为相应的像素电极601施加电压，通过为公共电极层500施加公共电压，使公共电极602与像素电极601产生所需电磁场，从而驱动位于电极层600上方的液晶层。
图4为本发明实施例的阵列基板单个像素区域的局部俯视图，在公共电极a80位于黑矩阵a92投影下方，黑矩阵a92中有对应色偏a91，色偏a91位于相应的像素电极a81上方，从而有效防止像素间的漏光，改善对比度，增强抗外界光线干扰能力，从而提高显示质量。
本发明还提供了一种阵列基板的制作方法，其中，图5是本发明实施例的阵列基板局部俯视图，图6为阵列基板沿图5中的A-A线的剖面图，图7为阵列基板沿图5中的B-B线的剖面图，图8为本发明具体实施例提供的阵列基板的制作流程图。下面参照图5至图8进行说明。
本发明提供了一种阵列基板的制作方法，包括：
步骤S1，在绝缘基板a10上形成第一金属层a11；
步骤S2，形成第一绝缘层a20，在第一绝缘层a20形成半导体层a30；
步骤S3，在第一绝缘层a20表面形成第二金属层，第二金属层包括数据线、源极a31、漏极a32；
步骤S4，形成第二绝缘层a40，覆盖第二金属层；
步骤S5，在第二绝缘层a40上形成平整层a50；
步骤S6，在平整层a50上形成公共电极层a60；
步骤S7，形成第三绝缘层a70，并形成第一通孔a51和第二通孔a71；
步骤S8，形成电极层，电极层包括像素电极a81和公共电极a80。
制作过程中共使用六道光罩制程。
执行步骤S1，提供绝缘基板a10，在绝缘基板a10上形成第一金属层a11，第一金属层包括栅极线、栅极。具体的，利用第一道光罩制程，在绝缘基板a10形成第一金属层a11，包括栅极线、栅极。绝缘基板a10例如采用玻璃基板。
执行步骤S2，形成第一绝缘层a20，利用第二道光罩制程，在第一绝缘层a20形成半导体层a30；第一绝缘层a20覆盖第一金属层a11，半导体层a30位于第一金属层a11上方。
执行步骤S3，利用第三道光罩制程，在第一绝缘保护层a20形成第二金属层，该第二金属层包括源极a31和漏极a32以及数据线，源极a31和漏极a32彼此分隔并分别与该半导体层a30接触，使部分半导体层a30从源极a31和漏极a32间露出。
执行步骤S4，形成第二绝缘保护层a40，覆盖第二金属层，包括源极、漏极、数据线以及第一源漏极与第二源漏极间露出的部分半导体层。
执行步骤S5，在第二绝缘保护层a40上形成平整层a50。
执行步骤S6，利用第四道光罩制程，在平整层a50上形成公共电极层a60。
执行步骤S7，在公共电极层a60上形成第三绝缘保护层a70；利用第五道光罩制程，在第三保护层a70上形成第一通孔a51，第一通孔a51穿过第三绝缘保护层a70、公共电极层a60、平整层a50以及第二绝缘保护层a40，以露出部分漏极a32，在第三保护层a70上形成第二通孔a71以露出部分公共电极层a60，第二通孔例如还可位于阵列基板的显示区域外围。
执行步骤S8，利用第六道光罩制程，在第三保护层上形成电极层；电极层包括彼此分隔的像素电极a81和公共电极a80，其中，像素电极a81通过第一通孔a51与漏极a32连接，公共电极a80通过第二通孔a71与公共电极层a60连接。其中，像素电极a81例如采用氧化铟锡，由于氧化铟锡为透明材料，能够增加液晶显示装置的透过率。
进一步地，本发明还提供了一种液晶显示装置，包括彩色滤光基板以及液晶层a90。彩色滤光基板包括：黑矩阵a91和滤色片a92，其中，该液晶显示装置还包括如上所述的阵列基板，液晶层夹置在阵列基板和彩色滤光基板之间。
图9是本发明实施例的阵列基板工作时，一个像素电极区域产生的电场情况，图10是本发明实施例的阵列基板与原技术阵列基板的响应时间对比。
如图9中示出，本实施例中，阵列基板的像素电极与公共电极之间形成边缘场效应及电场强度，驱动液晶层内的液晶分子转向。
图10示出了现有技术与本发明实施例的响应时间对比情况，从图中可看出，采用了本发明技术的实施例，其响应时间得到提升。
本发明提供的阵列基板解决了公共电极阻抗大，影响显示效果的问题，像素电极与公共电极位于同一层，公共电极与公共电极层相连，一方面使公共电极具有两层走线，降低了相应阻抗，另一方面公共电极与像素电极位于同一层，且公共电极环绕于像素电极周围，使得电场有所加强，响应时间提升且有利于节省功耗，同时环绕于像素电极周围的公共电极还可起到屏蔽作用，这使得相邻像素电极之间的间距可以适度缩小，提高显示效果，本发明提供的阵列基板具有功耗低、响应时间快，信号稳定的优点。
本发明提供的阵列基板的制造方法，工序简单，可靠性高的优点。
本发明提供的液晶显示装置由于采用了如上所述的阵列基板达到功耗低、响应时间快，信号稳定的，提高了液晶显示装置的性能和显示效果。
此外，本领域普通技术人员应当理解，在此提供的附图都是为了说明的目的，并且附图不一定是按比例绘制的。
同时，应当理解，示例实施例被提供，以使本公开是全面的，并将其范围充分传达给本领域技术人员。很多特定细节(例如特定部件、设备和方法的示例)被给出以提供对本公开的全面理解。本领域技术人员将明白，不需要采用特定细节，示例实施例可以以很多不同的形式被实施，并且示例实施例不应被理解为限制本公开的范围。在一些示例实施例中，众所周知的设备结构以及众所周知的技术没有详细描述。
当一元件或层被提及为在另一元件或层“上”、“被接合到”、“被连接到”或“被联接到”另一元件或层时，其可直接在另一元件或层上、被直接接合、连接或联接到另一元件或层，或者可存在中间元件或层。相比之下，当一元件被提及为“直接”在另一元件或层“上”、“直接被接合到”、“直接被连接到”或“直接被联接到”另一元件或层时，可不存在中间元件或层。用于描述元件之间关系的其它词语应该以相似方式被解释(例如，“之间”与“直接在之间”，“邻近”与“直接邻近”等)。如在此使用的，术语“和/或”包括一个或更多关联的所列项目中的任一或全部组合。
虽然术语第一、第二、第三等在此可被用于描述各个元件、部件、区域、层和/或区段，但是这些元件、部件、区域、层和/或区段不应该被这些术语限制。这些术语可仅用于将一个元件、部件、区域、层或区段与另一元件、区域、层或区段区分开。诸如“第一”、“第二”的术语和其它数值术语当在此使用时不意味着次序或顺序，除非上下文明确指出。因而，下面讨论的第一元件、部件、区域、层或区段可被称为第二元件、部件、区域、层或区段，而不背离示例实施例的教导。此外，在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
以上所述仅为本发明的优选实施例，并不用于限制本发明，对于本领域技术人员而言，本发明可以有各种改动和变化。凡在本发明的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种阵列基板，包括绝缘基板、薄膜晶体管、像素电极和公共电极、栅极线、数据线，其特征在于，
多个所述薄膜晶体管，位于所述绝缘基板上；
多条所述栅极线，分别连接至所述多个所述薄膜晶体管中的相应薄膜晶体管的栅极；以及
多条所述数据线，分别连接至所述多个所述薄膜晶体管中的相应薄膜晶体管的源极；
多个所述像素电极，与所述多个所述薄膜晶体管的漏极分别电连接，从而在所述多个所述薄膜晶体管导通时获得灰阶电压；以及
所述公共电极，围绕多个所述像素电极，并且与所述多个像素电极彼此隔开；
其中，所述公共电极和多个所述像素电极由同一导电层形成。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极为包括多个网孔的网格形状，所述多个像素电极分别位于所述多个网孔中。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括公共电极层，所述公共电极层位于所述公共电极下方，与所述公共电极电连接。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极层与所述公共电极通过基板显示区域内过孔、基板显示区域边缘过孔、基板边缘银胶连接中的任一方式电连接。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：
位于所述绝缘基板上的栅极导体；
位于所述栅极导体上的栅极介质层；
位于所述栅极介质层上的非晶硅层；
在非晶硅层中形成的源区和漏区；以及
分别与所述源区和漏极接触的源极电极和漏极电极，
所述栅极线与所述栅极导体连接，所述数据线与所述源极电极相连接，所述像素电极与所述漏极相连接。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，还包括：堆叠在所述薄膜晶体管上的第一绝缘层、第二绝缘层、平整层和第三绝缘层，其中，所述公共电极层位于所述平整层和所述第三绝缘层之间，所述公共电极位于所述第三绝缘层上方，所述公共电极形成所述网络形状，并且所述公共电极层和所述公共电极经由所述第三绝缘层彼此连接。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，多个所述像素电极位于所述第三绝缘层上方，并且经由导电通道连接至所述薄膜晶体管的漏极，所述导电通道穿过所述第三绝缘层、所述公共电极层、所述平整层以及所述第二绝缘层到达所述薄膜晶体管的漏极。
8.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
提供绝缘基板，在所述絶縁基板上形成第一金属层；
形成第一绝缘保护层，并覆盖所述第一金属层，在所述第一绝缘保护层形成半导体层，该半导体层位于所述第一金属层上方；
在所述第一绝缘保护层形成第二金属层，该第二金属层包括第一源漏极和第二源漏极以及数据线，所述第一源漏极和所述第二源漏极彼此分隔并分别与该半导体层接触，使部分所述半导体层从所述第一源漏极和所述第二源漏极间露出；
形成第二绝缘保护层，覆盖所述第二金属层，包括第一源漏极、第二源漏极、数据线以及第一源漏极与第二源漏极间露出的部分半导体层；
在所述第二绝缘保护层上形成平整层；
在所述平整层上形成公共电极层；
在所述公共电极层上形成第三绝缘保护层；
在所述第三保护层上形成第一通孔，所述第一通孔穿过所述第三绝缘保护层、所述公共电极层、所述平整层以及所述第二绝缘保护层，以露出部分所述第一源漏极；
在所述第三保护层上形成第二通孔以露出部分所述公共电极层；
在所述第三保护层上形成电极层；所述电极层包括彼此分隔的像素电极和公共电极，其中，所述像素电极通过所述第一通孔与所述第一漏极连接，所述公共电极通过所述第二通孔与所述公共电极层连接。
9.如权利要求8所述的制作方法，所述第二通孔位于所述阵列基板的显示区域外围。
10.一种液晶显示装置，包括彩色滤光基板以及液晶层，其特征在于，该液晶显示装置还包括如权利要求1至7任一项所述的阵列基板，所述液晶层夹置在所述阵列基板和所述彩色滤光基板之间，所述阵列基板中的公共电极位于所述彩色滤光基板中的黑矩阵投影下方。
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN114137766A (zh) * | 2021-12-03 | 2022-03-04 | Tcl华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板及其制备方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101059633A (zh) * | 2006-04-18 | 2007-10-24 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 用于液晶显示器件的阵列基板及其制造方法 |
| JP2012242796A (ja) * | 2011-05-24 | 2012-12-10 | Japan Display Central Co Ltd | 液晶表示装置 |
| CN103605241A (zh) * | 2013-11-21 | 2014-02-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种液晶显示面板 |
| CN103941488A (zh) * | 2013-11-01 | 2014-07-23 | 上海中航光电子有限公司 | 一种边缘场型液晶显示装置、阵列基板及其制造方法 |
| CN105116582A (zh) * | 2015-09-07 | 2015-12-02 | 昆山龙腾光电有限公司 | 液晶显示装置及其制作方法 |
| CN105161495A (zh) * | 2015-07-23 | 2015-12-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、显示面板 |
| CN105185791A (zh) * | 2015-09-28 | 2015-12-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
| US20160026045A1 (en) * | 2014-07-22 | 2016-01-28 | Japan Display Inc. | Display device and electronic apparatus |
-
2018
- 2018-02-06 CN CN201810117161.7A patent/CN108445682A/zh active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101059633A (zh) * | 2006-04-18 | 2007-10-24 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 用于液晶显示器件的阵列基板及其制造方法 |
| JP2012242796A (ja) * | 2011-05-24 | 2012-12-10 | Japan Display Central Co Ltd | 液晶表示装置 |
| CN103941488A (zh) * | 2013-11-01 | 2014-07-23 | 上海中航光电子有限公司 | 一种边缘场型液晶显示装置、阵列基板及其制造方法 |
| CN103605241A (zh) * | 2013-11-21 | 2014-02-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种液晶显示面板 |
| US20160026045A1 (en) * | 2014-07-22 | 2016-01-28 | Japan Display Inc. | Display device and electronic apparatus |
| CN105161495A (zh) * | 2015-07-23 | 2015-12-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、显示面板 |
| CN105116582A (zh) * | 2015-09-07 | 2015-12-02 | 昆山龙腾光电有限公司 | 液晶显示装置及其制作方法 |
| CN105185791A (zh) * | 2015-09-28 | 2015-12-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114137766A (zh) * | 2021-12-03 | 2022-03-04 | Tcl华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板及其制备方法 |
| CN114137766B (zh) * | 2021-12-03 | 2023-06-27 | Tcl华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板的制备方法 |
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