CN106932971A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种显示装置，即使在使边框区域的宽度缩窄的情况下，也能防止或抑制杂质离子向显示区域内部扩散移动及密封体剥落。基板(BS)具有位于显示区域(DPA)外侧的边框区域(FA1)、与边框区域(FA1)相比位于外侧的边框区域(FA2)和与边框区域(FA2)相比位于外侧的边框区域(FA3)。另外，基板(BS)具有形成在边框区域(FA1)内的电极(EC1)、形成在边框区域(FA2)内的电极(EC2)和形成在边框区域(FA3)内的电极(EC3)。对电极(EC1)施加第一电位，对电极(EC2)施加绝对值比第一电位大的第二电位，对电极(EC3)施加与第二电位不同的第三电位。

Description

显示装置

技术领域

本发明涉及一种显示装置，例如涉及一种适用于具备设有多个像素的显示区域的显示装置的有效技术。

背景技术

有一种显示装置经由多条信号线向在显示区域内设有的多个像素供给信号，从而使图像显示。在这种显示装置中，为了使显示装置小型化且增大显示区域，要求缩小显示区域外侧的边框区域的宽度。

显示装置具有显示面侧的基板、显示面侧的相反侧的基板、和配置在显示面侧的基板与显示面侧的相反侧的基板之间的液晶层。另外，这种显示装置在俯视时具有形成在边框区域内且封固液晶层的密封体。

在日本特开2008-26869号公报(专利文献1)中记载了一种技术是，在显示装置中具备：具有像素电极的阵列基板、与阵列基板相对配置且具有对置电极的对置基板、和以包围显示区域的方式形成且使阵列基板及对置基板粘结的密封材料。

日本特开2009-265484号公报(专利文献2)中记载了一种技术是，在液晶显示装置中，在形成有TFT(Thin-Film Transistor、薄膜晶体管)的TFT基板和与TFT基板相对且形成有彩色滤光片的对置基板之间夹持有液晶层，液晶层通过形成在TFT基板和对置基板的周边的密封材料而被封固。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2008-26869号公报

专利文献2：日本特开2009-265484号公报

在这种显示装置中，因从显示装置的外部浸入的水分、或者显示装置的各部分中含有的杂质而产生杂质离子。所产生的杂质离子通过由各布线形成的电场而移动并逐渐聚集。因此，在产生的杂质离子的量很多的情况下、或者边框区域的宽度很窄的情况下，担心产生的杂质离子还会向显示区域内部扩散移动，从而在显示区域内显示的图像会产生不良的情况。

另外，为了防止水分从显示装置的外部浸入，防止密封体从显示面的相反侧的基板剥落是很重要的，但为了防止密封体剥落，就需要增大密封体的宽度，因此，无法容易地将边框区域的宽度缩窄。

发明内容

本发明是为了解决如上所述的现有技术的问题而提出的，其目的在于，提供一种即使在使边框区域缩窄的宽度的情况下，也能防止或抑制杂质离子向显示区域内部扩散移动以及密封体剥落。

在本申请公开的发明中，若对代表性方案的概要进行简单说明的话，则如下所述。

作为本发明的一个方面的显示装置具备：具有包含多个第一像素区域的显示区域的基板、在俯视时形成于显示区域外侧的遮光膜、和与显示区域相对的液晶层。基板具有：第一周边区域，其在俯视时与遮光膜重叠，且在俯视时位于显示区域外侧；第二周边区域，其在俯视时与第一周边区域相比位于外侧；和第三周边区域，其在俯视时与第二周边区域相比位于外侧。另外，基板具有形成在第一周边区域内的第一电极、形成在第二周边区域内的第二电极、和形成在第三周边区域内的第三电极。对第一电极施加第一电位，对第二电极施加绝对值比第一电位大的第二电位，对第三电极施加与第二电位不同的第三电位。

另外，作为另一个方面，可以是，第一周边区域包含多个第二像素区域，第一电极形成在第二像素区域内。

另外，作为另一个方面，可以是，基板具有绝缘性基材、形成在绝缘性基材上的绝缘膜、和形成在第一像素区域内的像素电极，第三电极与像素电极形成在同一层上。

另外，作为另一个方面，可以是，基板具有绝缘性基材、和形成在绝缘性基材上的绝缘膜，第三电极形成在绝缘膜上，绝缘膜在第二周边区域内具有槽部，且第二电极形成在槽部的底部。

另外，作为另一个方面，可以是，基板具有多条扫描线、和与多条扫描线交叉的多条影像线，多个第一像素区域是通过多条扫描线与多条影像线互相交叉而形成的，第二电极是与扫描线连接的扫描引出线、或与影像线连接的影像引出线。

另外，作为另一个方面，可以是，对第三电极施加与第二电位为极性相反的第三电位。

另外，作为另一个方面，可以是，该显示装置具备封固液晶层的密封体，第二电极在俯视时不与密封体重叠，第三电极在俯视时与密封体重叠。

另外，作为另一个方面，可以是，对第三电极施加与第二电位相比绝对值更大的第三电位。

另外，作为另一个方面，可以是，基板具有绝缘性基材、形成在绝缘性基材上的绝缘膜、使液晶层取向的取向膜、和形成在第三周边区域内且封固液晶层的密封体，在第三周边区域内密封体与取向膜相接触，在第三周边区域内，第三电极形成在绝缘膜与取向膜之间。

另外，作为另一个方面，可以是，槽部在与第一电极、第二电极和第三电极的排列方向交叉的方向上延伸。

另外，作为另一个方面，可以是，基板具有多条扫描线、和与多条扫描线交叉的多条影像线，多个第一像素区域是通过多条扫描线与多条影像线互相交叉而形成的，第二电极由与影像线相同的材料构成。

附图说明

图1是表示实施方式的显示装置的一例的俯视图。

图2是表示实施方式的显示装置的一例的剖视图。

图3是表示实施方式的显示装置的一例的剖视图。

图4是表示实施方式的显示装置的等效电路的图。

图5是比较例的显示装置中的边框区域及边框区域附近的剖视图。

图6是实施方式的显示装置的一例中的边框区域及边框区域附近的剖视图。

图7是实施方式的显示装置的另一例中的边框区域及边框区域附近的剖视图。

图8是实施方式的显示装置的变形例的一例中的边框区域及边框区域附近的剖视图。

图9是实施方式的显示装置的变形例的另一例中的边框区域及边框区域附近的剖视图。

图10是实施方式的显示装置的变形例的另一例中的边框区域及边框区域附近的俯视图。

其中，附图标记说明如下：

ADH密封体，AF1、AF2取向膜，BS基板，BSb背面，BSf前面，BSg基材，BSs1～BSs4边，CC电路部，CE公共电极，CF彩色滤光片，CFb、CFg、CFr彩色滤光片像素，CG扫描线驱动电路，CHP半导体芯片，Clc电容，CM公共电极驱动电路，CS信号线驱动电路，CTL控制电路，DE虚拟像素电极，DP显示部，DPA显示区域，EC1、EC11、EC12、EC2、EC3电极，EP1、EP2端部，FA1～FA3、FLA、FLA1边框区域，FL边框部，FS基板，FSb背面，FSf前面，FSg基材，GL扫描线，GL1扫描引出线，IF1、IF2绝缘膜，IL1层间树脂膜，LC1、LC2部分，LCD显示装置，LCL液晶层，LS光源，OC1树脂层，PA1、PA2像素区域，PE像素电极，PL1、PL2偏振片，Px像素，SF1、SF2遮光膜，SL信号线(影像线)，SL1信号引出线(影像引出线)，SLT狭缝，Sx副像素，TP1槽部，Tr、Trd晶体管，VW观看者，WG、WS布线。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。

此外，本发明公开的只不过是一个例子，本领域技术人员容易想到的保持发明的主旨不变而做的适当变更当然包含在本发明的范围内。另外，为了更明确地说明附图，有时，相较于实施的形态而示意地示出各部分的宽度、厚度、形状等，但只不过是一个例子，并不限定对本发明的解释。

另外，在本说明书和各附图中，针对给出的附图，对于与上述的同样的要素标付相同的附图标记，有时会适当省略详细的说明。另外，在本说明书的显示装置的构造说明中，“上”表示相对于基板BS形成晶体管Tr或控制电路的一侧。另外，“下”表示“上”的相反侧。

而且，在实施方式使用的附图中，即使是剖视图也有为了便于观察附图而省略影线的情况。另外，即使是俯视图也有为了便于观察附图而附加影线的情况。

用以下实施方式说明的技术能够广泛适用于具备如下的机构的显示装置，即，从设有显示功能层的显示区域的周围向设置于显示区域的多个元件供给信号的机构。对于上述那样的显示装置，例如能够例示液晶显示装置或者有机EL(Electro-Luminescence、电致发光)显示装置等各种显示装置。在以下实施方式中，作为显示装置的代表例而采取液晶显示装置进行说明。

另外，液晶显示装置根据用于使作为显示功能层的液晶层的液晶分子的取向变化的电场的施加方向而大致分为以下两种类型。即，作为第一分类，有在显示装置的厚度方向(或者面外方向)上施加电场的、所谓纵向电场模式。在纵向电场模式中，例如有TN(TwistedNematic、扭曲向列)模式、VA(Vertical Alignment、垂直取向)模式等。另外，作为第二分类，有在显示装置的平面方向(或者面内方向)上施加电场的、所谓横向电场模式。在横向电场模式中，例如有IPS(In-Plane Switching、面内开关)模式、IPS模式之一的FFS(FringeField Switching、边缘场开关)模式等。此外，在上述纵向电场模式中，也包括在显示装置的厚度方向与平面方向之间即倾斜方向上产生电场的情况。以下要说明的技术能够适用于纵向电场模式及横向电场模式中的任一模式，但在以下要说明的实施方式中，作为一例而采取横向电场模式的显示装置进行说明。

(实施方式)

<显示装置的结构>

首先，对显示装置的结构进行说明。图1是表示实施方式的显示装置的一例的俯视图。图2及图3是表示实施方式的显示装置的一例的剖视图。图2是沿着图1的A-A线的剖视图。另外，图3是图2的B部放大剖视图。

此外，在图1中，为了便于观察俯视时的显示区域DPA与边框区域(周边区域)FLA的边界，而用双点划线示出显示区域DPA的轮廓。另外，图1所示的多条信号线SL从边框区域FLA延伸至显示区域DPA。但是，为了在图1中便于观察，在显示区域DPA内省略了信号线SL的图示。另外，图2虽然是剖面，但为了便于观察而省略了影线。

如图1所示，本实施方式的显示装置LCD具有显示图像的显示部DP。基板BS的显示面侧即前面BSf(参照图2)侧的区域且设有显示部DP的区域为显示区域DPA。另外，显示装置LCD具有在俯视时位于显示部DP周围的框状部分且不显示图像的边框部(周边部)FL。设有边框部FL的区域为边框区域FLA。即，边框区域FLA虽然是显示区域DPA周围的框状区域，但并不限定于框状。

此外，在本申请说明书中，“在俯视时”是指从垂直于基板BS的前面BSf的方向来看的情况。

另外，显示装置LCD具备在相对配置的一对基板之间形成有作为显示功能层的液晶层的构造。即，如图2所示，显示装置LCD具有显示面侧的基板FS、显示面侧的相反侧的基板BS、和配置在基板FS与基板BS之间的液晶层LCL(参照图3)。液晶层LCL与显示区域DPA相对。

在基板BS的前面BSf(参照图2)内，将互相交叉、优选为正交的两个方向设为Y轴方向及X轴方向。这时，图1所示的基板BS在俯视时具有沿着X轴方向延伸的边BSs1、平行于边BSs1且沿着X轴方向延伸的边BSs2、沿着与X轴方向交叉、优选为正交的Y轴方向延伸的边BSs3、以及平行于边BSs3且沿着Y轴方向延伸的边BSs4。从图1所示的基板BS所具有的边BSs2、边BSs3、及边BSs4各自到显示部DP的距离为相同程度，均比从边BSs1到显示部DP的距离更短。

以下，在本申请说明书中，在记载为基板BS的周缘部的情况下，是指构成基板BS外缘的边BSs1、边BSs2、边BSs3、及边BSs4中的某一个。另外，在仅记载为周缘部的情况下，是指基板BS的周缘部。另外，有时将基板BS的周缘部称为基板BS的端部。

显示部DP具有多个作为显示元件的像素Px(参照后述的图4)。即，多个像素Px设置在显示区域DPA内。多个像素Px在X轴方向及Y轴方向上呈矩阵状排列。在本实施方式中，多个像素Px分别具有形成在基板BS的前面BSf侧的显示区域DPA内的薄膜晶体管(TFT)。

显示装置LCD的基板BS如用后述的图4说明的那样具有多条扫描线GL和多条信号线(影像线)SL。如用后述的图4说明的那样，多条扫描线GL分别与在X轴方向上排列的多个像素Px电连接，多条信号线SL分别与在Y轴方向上排列的多个像素Px电连接。

另外，显示装置LCD具有电路部CC。电路部CC包含扫描线驱动电路CG和信号线驱动电路CS。扫描线驱动电路CG经由多条扫描线GL与多个像素Px电连接，信号线驱动电路CS经由多条信号线SL与多个像素Px电连接。

另外，在图1所示的例子中，在边框区域FLA中的位于基板BS的边BSs1与显示部DP之间的部分即边框区域FLA1内，设有半导体芯片CHP。在半导体芯片CHP内设有信号线驱动电路CS。因此，信号线驱动电路CS设置在基板BS的前面BSf侧的区域中、相对于显示区域DPA而配置在Y轴方向上的负侧的区域即边框区域FLA1内。

此外，本申请说明书中的“Y轴方向上的负侧”是指图中表示Y轴方向的箭头延伸的一侧的相反侧。

另外，半导体芯片CHP可以利用所谓的COG(Chip On Glass、玻璃上芯片)技术设置在边框区域FLA1内，或者也可以设置在基板BS的外部，并经由FPC(Flexible PrintedCircuits、柔性印刷电路板)与显示装置LCD连接。另外，关于信号线SL的具体配置，用后述的图4进行说明。

显示装置LCD在俯视时具有形成于边框区域FLA内的密封部。密封部以将显示部DP的周围连续包围的方式形成，图2所示的基板FS与基板BS通过设置在密封部的密封体而粘接固定。像这样，通过在显示部DP的周围设置密封部，能够将作为显示功能层的液晶层LCL(参照图3)封固。

另外，如图2所示，在显示装置LCD的基板BS的显示面侧的相反侧即背面BSb侧，设有使从光源LS产生并朝向观看者VW(参照图3)的光发生偏振的偏振片PL2。偏振片PL2固定在基板BS上。另一方面，在基板FS的显示面侧即前面FSf侧设有偏振片PL1。偏振片PL1固定在基板FS上。

另外，如图3所示，显示装置LCD具有配置在基板FS与基板BS之间的多个像素电极PE、和公共电极CE。本实施方式的显示装置LCD如上所述是横向电场模式的显示装置，因此，多个像素电极PE及公共电极CE分别形成在基板BS上。

如图3所示，基板BS包括由玻璃基板等构成的绝缘性基材BSg，并且主要是图像显示用电路形成在基材BSg上。基板BS具有位于基板FS侧的前面BSf及位于其相反侧的背面BSb(参照图2)。另外，在基板BS的前面BSf侧，呈矩阵状形成有TFT等显示元件和多个像素电极PE。

图3所示的例子示出了横向电场模式(具体为FFS模式)的显示装置LCD，因此，公共电极CE形成在基板BS具备的基材BSg的前面侧，且由绝缘膜IF2覆盖。另外，多个像素电极PE以隔着绝缘膜IF2与公共电极CE相对的方式形成在绝缘膜IF2的基板FS侧。

另外，图3所示的基板FS是在由玻璃基板等构成的基材FSg上形成有用于形成彩色显示图像的彩色滤光片CF的基板，具有显示面侧即前面FSf(参照图2)及位于前面FSf的相反侧的背面FSb。如基板FS那样形成有彩色滤光片CF的基板在与作为上述形成有TFT的TFT基板的基板BS进行区分时被称为彩色滤光片基板，或者由于隔着液晶层与TFT基板相对而被称为对置基板。此外，作为相对于图3的变形例，也可以采用将彩色滤光片CF设置在作为TFT基板的基板BS上的结构。

基板FS在例如玻璃基板等基材FSg的一侧的面上形成有将R(红)、G(绿)及B(蓝)三色的彩色滤光片像素CFr、CFg及CFb周期性地排列而构成的彩色滤光片CF。在彩色显示装置中，例如将该R(红)、G(绿)及B(蓝)三色的副像素作为一组来构成1个像素(1pixel)。基板FS的多个彩色滤光片像素CFr、CFg及CFb配置在与具有形成于基板BS上的像素电极PE的各个副像素彼此相对的位置上。

另外，在各色的彩色滤光片像素CFr、CFg及CFb的各个边界上形成有遮光膜SF1。遮光膜SF1例如由黑色的树脂或低反射性的金属构成。遮光膜SF1在俯视时呈格子状形成。换言之，基板FS具有在呈格子状形成的遮光膜SF1的开口部形成的各色的彩色滤光片像素CFr、CFg及CFb。此外，构成1个像素的并不限定于R(红)、G(绿)、B(蓝)三色，还可以具有形成有透明滤光片的W(白)等。另外，也可以不形成W(白)的彩色滤光片，而可以是白色或透明的彩色滤光片。或者，遮光膜SF1并不限定于格子状，还可以是条带状。

在显示区域DPA内，在遮光膜SF1上形成有多个开口部，并在多个开口部的内部嵌入有彩色滤光片。此外，也可以在边框区域FLA内设置虚拟的彩色滤光片。另外，基板FS也可以具有覆盖彩色滤光片CF的树脂层OC1及取向膜AF1，基板BS也可以具有取向膜AF2。

另外，在基板FS与基板BS之间，设有通过对像素电极PE与公共电极CE之间施加显示用电压来形成显示图像的液晶层LCL。液晶层LCL根据所施加的电场的状态来调制从其中通过的光。

此外，液晶层LCL的厚度与基板FS或基板BS的厚度相比极薄。例如，液晶层LCL的厚度与基板FS或基板BS的厚度相比，为0.1％～10％左右的厚度。

<显示装置的等效电路>

接着，参照图4对显示装置的等效电路进行说明。图4是表示实施方式的显示装置的等效电路的图。

如图4所示，显示装置LCD的显示部DP具有多个像素Px。多个像素Px在俯视时在显示区域DPA内设置在基板BS上，并在X轴方向及Y轴方向上呈矩阵状排列。

另外，显示装置LCD的基板BS具有多条扫描线GL和多条信号线(影像线)SL。多条扫描线GL在显示区域DPA内设置在基板BS(例如参照图2)上，并分别在X轴方向上延伸且在Y轴方向上排列。多条信号线SL在显示区域DPA内设置在基板BS上，并分别在Y轴方向上延伸且在X轴方向上排列。多条信号线SL与多条扫描线GL互相交叉。

多个像素Px分别包括显示R(红)、G(绿)及B(蓝)各个颜色的副像素Sx。各副像素Sx设置在由相邻的两条扫描线GL与相邻的两条信号线SL包围而成的区域内，但也可以是其他结构。

各副像素Sx具有由薄膜晶体管构成的晶体管Trd、与晶体管Trd的漏电极连接的像素电极PE、和与像素电极PE隔着液晶层相对的公共电极CE。在图4中，将等价示出液晶层的液晶电容和形成在公共电极CE与像素电极PE之间的保持电容表示为电容Clc。此外，薄膜晶体管的漏电极与源电极根据电位的极性而适当互换。

若将形成有副像素Sx的区域设为像素区域PA1，则显示区域DPA包含多个像素区域PA1。像素区域PA1是作为第一像素区域的像素区域。像素区域PA1通过多条扫描线GL与多条信号线SL互相交叉而形成。

显示装置LCD的电路部CC(参照图1)具有信号线驱动电路CS、扫描线驱动电路CG、控制电路CTL、和公共电极驱动电路CM。

在Y轴方向上排列的多个副像素Sx的晶体管Trd各自的源电极与信号线SL连接。另外，多条信号线SL分别与信号线驱动电路CS连接。

另外，在X轴方向上排列的多个副像素Sx的晶体管Trd各自的栅电极与扫描线GL连接。另外，各扫描线GL与扫描线驱动电路CG连接。

控制电路CTL基于从显示装置外部发送来的显示数据、时钟信号及显示定时信号等显示控制信号来控制信号线驱动电路CS、扫描线驱动电路CG及公共电极驱动电路CM。

控制电路CTL根据显示装置的副像素的排列、显示方法、RGB开关(省略图示)的有无、或者触摸面板(省略图示)的有无等，将从外部供给来的显示数据或显示控制信号恰当转换并向信号线驱动电路CS、扫描线驱动电路CG及公共电极驱动电路CM输出。

<边框区域及边框区域附近的结构>

接着，一边对比实施方式与比较例一边说明边框区域及边框区域附近的结构。图5是比较例的显示装置中的边框区域及边框区域附近的剖视图。图6是实施方式的显示装置的一例中的边框区域及边框区域附近的剖视图。图7是实施方式的显示装置的另一例中的边框区域及边框区域附近的剖视图。

首先，对比较例的显示装置中的与实施方式的显示装置相同的部分进行说明。换言之，对实施方式的显示装置中的与比较例的显示装置相同的部分进行说明。

如图5及图6所示，在比较例及实施方式的任一项中，均在边框区域FLA内，在基板BS的前面BSf上设有布线WG、绝缘膜IF1、布线WS、层间树脂膜IL1、绝缘膜IF2、和取向膜AF2。另外，如图5及图6所示，在比较例及实施方式的任一项中，均在显示区域DPA内，在基板BS的前面BSf上设有绝缘膜IF1、信号线SL、层间树脂膜IL1、公共电极CE、绝缘膜IF2、像素电极PE、和取向膜AF2。

在边框区域FLA内，在基材BSg上形成有布线WG。布线WG例如与扫描线GL(参照图4)形成在同层上，例如由铬(Cr)或钼(Mo)等金属或者它们的合金构成。即，优选地，布线WG由金属膜或合金膜等具有遮光性的导电膜构成。

在边框区域FLA内，在基材BSg上以覆盖布线WG的方式形成有绝缘膜IF1。绝缘膜IF1是例如由氮化硅或氧化硅等构成的透明绝缘膜。此外，在显示区域DPA内，在基材BSg上形成有绝缘膜IF1。

在边框区域FLA内，在绝缘膜IF1上形成有布线WS。布线WS例如与信号线SL形成在同层上，且例如由用钼(Mo)等夹着铝(Al)而成的多层构造的金属膜构成。即，优选地，布线WS由金属膜等具有遮光性的导电膜构成。此外，在显示区域DPA内，在绝缘膜IF1上形成有信号线SL。

在边框区域FLA内，在绝缘膜IF1上以覆盖布线WS的方式形成有作为保护膜或平坦化膜的层间树脂膜IL1。层间树脂膜IL1例如由丙烯类的感光性树脂构成。此外，在显示区域DPA内，在绝缘膜IF1上以覆盖信号线SL的方式形成有层间树脂膜IL1。

在边框区域FLA内，在层间树脂膜IL1上形成有绝缘膜IF2。绝缘膜IF2是例如由氮化硅或氧化硅等构成的透明绝缘膜。

此外，在显示区域DPA内，在层间树脂膜IL1上形成有公共电极CE。公共电极CE例如由ITO(Indium Tin Oxide、氧化铟锡)或IZO(Indium Zinc Oxide、氧化铟锌)等透明导电性材料构成。另外，在显示区域DPA内，在层间树脂膜IL1上以覆盖公共电极CE的方式形成有绝缘膜IF2。

在边框区域FLA内，在绝缘膜IF2上形成有取向膜AF2。取向膜AF2使液晶层LCL取向。取向膜AF2例如由聚酰亚胺树脂构成。

此外，在显示区域DPA内，在绝缘膜IF2上形成有像素电极PE。像素电极PE例如由ITO或IZO等透明导电性材料构成。同时如图4所示，像素电极PE形成在多个像素区域PA1各自的内部。另外，在显示区域DPA内，在绝缘膜IF2上以覆盖像素电极PE的方式形成有取向膜AF2。

如图5及图6所示，在比较例及实施方式的任一项中，均在边框区域FLA内，在基板FS的背面FSb上设有遮光膜SF2、树脂层OC1和取向膜AF1。

在边框区域FLA内，在基板FS的背面FSb上形成有遮光膜SF2。即，边框区域FLA由遮光膜SF2覆盖。遮光膜SF2在俯视时形成于显示区域DPA外侧，显示区域DPA的各像素区域在俯视时不与遮光膜SF2重叠。遮光膜SF2与遮光膜SF1(参照图3)同样地例如由黑色的树脂或低反射性的金属构成。如前所述，与在俯视时呈格子状形成的遮光膜SF1不同，遮光膜SF2在俯视时在边框区域FLA内形成在整个面上。

此外，在显示区域DPA内，在基板FS的背面FSb上形成有彩色滤光片CF。作为彩色滤光片CF，例如形成有R(红)的彩色滤光片像素CFr、G(绿)的彩色滤光片像素CFg、以及B(蓝)的彩色滤光片像素CFb。

在边框区域FLA内以覆盖遮光膜SF2的方式形成有树脂层OC1。树脂层OC1含有热固性树脂或光固化性树脂。此外，在显示区域DPA内，树脂层OC1以覆盖彩色滤光片CF的方式形成。

此外，彩色滤光片CF还可以形成在遮光膜SF1(参照图3)与基板FS之间。另外，在树脂层OC1与基板BS之间还可以形成有间隔体。

在边框区域FLA内，在树脂层OC1与基板BS之间，以覆盖树脂层OC1的方式形成有取向膜AF1。取向膜AF1使液晶层LCL取向。取向膜AF1例如由聚酰亚胺树脂构成。

另外，如图5及图6所示，在比较例及实施方式的任一项中，均在边框区域FLA中的、基板BS的外周侧即基板FS的外周侧且绝缘膜IF2与树脂层OC1之间设有密封体ADH。即，密封体ADH设置在基板BS与基板FS之间，是粘接基板BS与基板FS的粘接部，是封固液晶层LCL的封固部。

接着，对比较例的显示装置中的与实施方式的显示装置不同的部分、以及比较例的显示装置中的问题点进行说明。

如图5所示，在比较例中，在边框区域FLA内，绝缘膜IF2设置在层间树脂膜IL1的整个面上。另外，在边框区域FLA内，取向膜AF2在俯视时不与密封体ADH重叠。

在比较例的显示装置中，若水分从显示装置外部越过密封体ADH而浸入边框区域FLA内，则会因所浸入的水分而产生杂质离子。或者，若液晶层LCL、取向膜AF1或AF2、密封体ADH、或者基板BS或FS等中包含有杂质，则会因该杂质而产生杂质离子。由于会产生杂质离子，所以担心对液晶层LCL施加的电压降低、或者在由各像素显示的图像中产生斑点。

另外，所产生的杂质离子被在显示区域DPA内由扫描线GL(参照图4)及信号线SL形成的电场、以及在边框区域FLA内由周边电路包含的布线WG及WS形成的电场吸引而逐渐聚集。因此，在产生的杂质离子的量很多的情况下、或者边框区域FLA的宽度很窄的情况下，担心产生的杂质离子不仅存在于边框区域FLA内部，还向显示区域DPA内部扩散移动，导致在显示区域DPA内显示的图像会产生不良情况。

图5中示出了在将液晶层LCL中的杂质离子少的部分设为部分LC1、将杂质离子多的部分设为部分LC2时，部分LC2的显示区域DPA侧的端部EP1配置在显示区域DPA内部的情况。

另一方面，如图5所示，通过将覆盖布线WG及WS的由有机绝缘膜构成的层间树脂膜IL1进一步用由无机绝缘膜构成的绝缘膜IF2来覆盖，能够防止或抑制来自显示装置外部的水分浸入，能保护布线WG及WS以使布线WG及WS不会因所浸入的水分而腐食。

但是，因为由无机绝缘膜构成的绝缘膜IF2与密封体ADH之间的紧贴力很小，所以在密封体ADH与绝缘膜IF2相接的情况下，密封体ADH变得容易从基板BS上剥离。这可以考虑到是以下情况导致的：在例如通过利用含氟气体的干式蚀刻将绝缘膜IF2图案化时，会在绝缘膜IF2的表面上残留氟，从而使密封体ADH的紧贴力变弱。

另外，若在绝缘膜IF2与密封体ADH之间设有取向膜AF2，则由于绝缘膜IF2与密封体ADH之间的紧贴力会进一步变弱，所以密封体ADH变得更容易从基板BS上剥离。这考虑到有如下的原因：例如密封体ADH的表面粗糙度与取向膜AF2的表面粗糙度不同、绝缘膜IF2或取向膜AF2的官能团间的化学结合或分子间作用力很弱等。

为了防止这种密封体ADH剥离，在比较例的显示装置中，需要增大密封体ADH的宽度、或使密封体ADH在俯视时不与取向膜AF2重叠，无法很容易地缩窄边框区域FLA的宽度。

为了将由包含于周边电路的布线WG及WS形成的电场屏蔽以使杂质离子不聚集，并且为了提高绝缘膜IF2或取向膜AF2与密封体ADH的紧贴力，还能考虑在边框区域FLA内，在绝缘膜IF2上形成与像素电极PE同层的导电膜。这种导电膜被用作在边框区域FLA内将包含于周边电路的布线WG及WS屏蔽的电场屏蔽体。

然而，在边框区域FLA内在绝缘膜IF2上形成与像素电极PE同层的导电膜并且进一步缩窄边框区域FLA的宽度的情况下，由于导电膜被用作电场屏蔽体，所以无法确保形成作为虚拟像素电极的像素电极的区域。在未形成有虚拟像素电极的状态下，在由显示装置显示的图像的高精细化被推进的情况下，在对导电膜制作布线图案来形成像素电极PE时的图案的面积比例在显示区域DPA与边框区域FLA之间不同，因此，担心尤其在边框区域FLA和显示区域DPA的边界附近像素电极PE的线宽等尺寸精度的均匀性会降低。

本实施方式的显示装置中的技术思想是为了解决这种比较例的显示装置的问题，用于即使在使边框区域FLA的宽度缩窄的情况下，也能防止或抑制杂质离子向显示区域DPA内部扩散移动、以及密封体ADH剥落。接着，对本实施方式的显示装置中的边框区域及边框区域附近的结构进行说明。由于对实施方式的显示装置中的与比较例的显示装置相同的部分已经进行了说明，所以以下对实施方式的显示装置中的与比较例的显示装置不同的部分进行说明。

如图6所示，在本实施方式的显示装置中，基板BS与比较例的显示装置相同地具有边框区域FLA，但边框区域FLA与比较例的显示装置不同，包括作为第一周边区域的边框区域FA1、作为第二周边区域的边框区域FA2、和作为第三周边区域的边框区域FA3。边框区域FA1在俯视时与遮光膜SF2重叠，且在俯视时位于显示区域DPA外侧。边框区域FA2与边框区域FA1相比在俯视时位于基板BS或FS的外周侧。边框区域FA3与边框区域FA2相比在俯视时位于基板BS或FS的外周侧。

另外，在本实施方式的显示装置中，基板BS具有作为第一电极的电极EC1、作为第二电极的电极EC2、和作为第三电极的电极EC3。电极EC1形成在边框区域FA1内，电极EC2形成在边框区域FA2内，电极EC3形成在边框区域FA3内。

在边框区域FA1内，在基材BSg上形成有布线WG。另外，在边框区域FA1内，在基材BSg上以覆盖布线WG的方式形成有绝缘膜IF1，并在绝缘膜IF1上形成有布线WS。另外，在边框区域FA1内，在绝缘膜IF1上以覆盖布线WS的方式形成有层间树脂膜IL1。

在边框区域FA1内，在层间树脂膜IL1上形成有作为电极EC1的一部分的电极EC11。电极EC11与公共电极CE形成在同层上，并由与公共电极CE相同的材料、即例如ITO或IZO等透明导电性材料构成。因此，在边框区域FA1内，绝缘膜IF2以覆盖电极EC11的方式形成在层间树脂膜IL1上。

另外，在边框区域FA1内，在层间树脂膜IL1上形成有作为电极EC1的其他部分的多个电极EC12。电极EC12与像素电极PE形成在同层上，并由与像素电极PE相同的材料构成。此外，在边框区域FA1内，在绝缘膜IF2上以覆盖电极EC12的方式形成有取向膜AF2。

电极EC11被用作将由布线WG及WS形成的电场屏蔽的电场屏蔽体。另一方面，电极EC12虽然与像素电极PE形成在同层上，但由于配置在显示区域DPA外部，对显示在显示区域DPA内的图像的显示没有帮助，所以被用作虚拟像素电极。即，通过在边框区域FA1内形成电极EC12，能够在边框区域FLA中的位于显示区域DPA附近的部分上配置虚拟像素电极。另外，作为虚拟像素电极的电极EC12形成在包含于边框区域FA1的多个像素区域PA2各自的内部。像素区域PA2是作为第二像素区域的虚拟像素区域。

在与像素电极PE的同层上形成作为虚拟像素电极的电极EC12的情况下，当对导电膜制作布线图案来形成像素电极PE时，能够使图案的面积比例在显示区域DPA与边框区域FLA之间接近，并能使像素电极PE的线宽等尺寸精度的均匀性提高。

对包含于电极EC1的作为虚拟像素电极的电极EC12施加电位(第一电位)。在显示区域DPA内，通过按一定的方向依次驱动对多个像素电极PE分别施加的电位，即一边扫描一边驱动，使显示区域DPA内产生的杂质离子容易向显示区域DPA的一个端部移动。在本实施方式中，例如通过一边扫描一边驱动对多个像素电极PE及多个电极EC12分别施加的电位，能够使移动到显示区域DPA的一个端部的杂质离子进一步向显示区域DPA外侧移动。即，通过与对像素电极PE施加的电位同样地一边扫描一边驱动对作为虚拟像素电极的电极EC12施加的电位，能够使杂质离子向显示区域DPA外侧移动并集聚在显示区域DPA外侧，从而能防止或抑制杂质离子留存在显示区域DPA内。

另一方面，能够使对包含于电极EC1的电极EC11施加的电位与例如显示区域DPA中的电极的平均电位相等，能使其与例如对公共电极CE施加的电位相等。或者，由于在像素区域PA2内不需要显示图像，所以还可以使对电极EC11施加的电位与对作为虚拟像素电极的电极EC12施加的电位(第一电位)相等。

或者，也可以不设置作为虚拟像素电极的电极EC12。在这种情况下，电极EC1所包含的就只有电极EC11，但对电极EC11施加电位(第一电位)，还能将电极EC11用作捕获电极(trap electrode)。另外，即使设有电极EC12，也可以不对电极EC12施加电位，而是对电极EC11施加电位。也就是说，电极EC1也可以是电极EC11。

在边框区域FA2内，在基材BSg上形成有布线WG。另外，在边框区域FA2内，在基材BSg上以覆盖布线WG的方式形成有绝缘膜IF1，并在绝缘膜IF1上形成有布线WS。另外，在边框区域FA2内，在绝缘膜IF1上以覆盖布线WS的方式形成有层间树脂膜IL1。

在边框区域FA2内，在层间树脂膜IL1上形成有绝缘膜IF2。而且，在边框区域FA2内，在绝缘膜IF2上形成有电极EC2。电极EC2与像素电极PE形成在同层上，并由与像素电极PE相同的材料、即例如ITO或IZO等透明导电性材料构成。此外，在边框区域FA2内，在绝缘膜IF2上以覆盖电极EC2的方式形成有取向膜AF2。

对电极EC2施加正或负极性的电位(第二电位)。在对电极EC2施加正极性的电位的情况下，能够捕捉具有负极性的杂质离子，并使其集聚且进行保持。另一方面，在对电极EC2施加负极性的电位的情况下，能够捕捉具有正极性的杂质离子，并使其集聚且进行保持。

优选地，对电极EC2施加的电位(第二电位)的绝对值与对电极EC1施加的电位(第一电位)相比更大。由此，就液晶层LCL内的杂质离子而言，与电极EC1相比更被电极EC2吸引。

或者，在本实施方式中，与后述的实施方式的变形例不同，电极EC2并不形成于在层间树脂膜IL1上形成的槽部的底部，因此，在电极EC2下形成有布线WS。在这种情况下，对电极EC2施加的电位(第二电位)优选为与对电极EC2下的布线WS施加的电位相等。由此，能够使电极EC2捕捉杂质离子的作为捕获电极的功能提高。

在边框区域FA3内，在基材BSg上形成有布线WG。另外，在边框区域FA3内，在基材BSg上以覆盖布线WG的方式形成有绝缘膜IF1，并在绝缘膜IF1上形成有布线WS。另外，在边框区域FA3内，在绝缘膜IF1上以覆盖布线WS的方式形成有层间树脂膜IL1。

在边框区域FA3内，在层间树脂膜IL1上形成有绝缘膜IF2。而且，在边框区域FA3内，在绝缘膜IF2上形成有电极EC3。电极EC3与像素电极PE形成在同层上，并由与像素电极PE相同的材料、即例如ITO或IZO等透明导电性材料构成。此外，在边框区域FA3内，在绝缘膜IF2中的边框区域FA2侧的部分上，以覆盖电极EC3的方式形成有取向膜AF2。另外，在边框区域FA3内，密封体ADH在俯视时与取向膜AF2重叠，并与取向膜AF2相接触。

在边框区域FA3内，在密封体ADH与绝缘膜IF2之间形成有电极EC3。由此，能够使密封体ADH与绝缘膜IF2之间的紧贴力提高。因此，由于不需要扩大密封体ADH的宽度，所以能够很容易地缩窄边框区域FLA的宽度。另外，在边框区域FA3内，即使是密封体ADH的一部分在俯视时与取向膜AF2重叠的情况下，由于密封体ADH的其他部分与电极EC3相连接，所以能够使密封体ADH与绝缘膜IF2之间的紧贴力提高。

电极EC2在俯视时不与密封体ADH重叠，而电极EC3在俯视时与密封体ADH重叠。而且，密封体ADH的显示区域DPA侧的端部相对于电极EC2的显示区域DPA侧的相反侧的端部配置在显示区域DPA侧的相反侧。在这种情况下，密封体ADH虽然形成在边框区域FA3内，但并不形成在边框区域FA2内。而且，能够缩窄密封体ADH的宽度。

另外，与在绝缘膜IF2与层间树脂膜IL1之间电极EC3和公共电极CE形成在同层上的情况相比，在绝缘膜IF2上形成电极EC3的情况下能够使电极EC3与布线WG及WS之间的绝缘性提高。另外，还能减少电极EC3与布线WG之间以及电极EC3与布线WS之间的寄生电容，并能减少给予显示装置的电路的负荷。

对电极EC3施加与对电极EC1施加的电位(第一电位)相等的、或与对电极EC2施加的电位(第二电位)为极性相反的电位。由此，能够捕捉与电极EC2所捕捉的杂质离子极性不同的杂质离子，并使其集聚且进行保持。

例如在从密封体ADH中产生作为杂质离子的阴离子，并从液晶层LCL中产生作为杂质离子的阳离子的情况下，将对电极EC3施加的电位(第三电位)设为正极性，将对电极EC2施加的电位(第二电位)设为负极性。由此，能够通过电极EC3捕捉来自密封体ADH的阴离子，并通过电极EC2捕捉来自液晶层LCL的阳离子。

此外，还可以对电极EC3仅施加与对电极EC2施加的电位(第二电位)不同的电位(第三电位)。但是，将与对电极EC2施加的电位(第二电位)为极性相反的电位施加给电极EC3，能够捕捉与电极EC2所捕捉的杂质离子极性不同的杂质离子，因此，能够提高电极EC3的捕捉杂质离子的作为捕获电极的功能。

这样，在本实施方式的显示装置中，通过电极EC2及EC3能够捕捉互相具有极性相反的杂质离子，并能防止或抑制在显示区域DPA内显示的图像产生不良情况。

即，在本实施方式的显示装置中，对电极EC2施加与对电极EC1施加的电位(第一电位)相比绝对值更大的电位(第二电位)，并对电极EC3施加与对电极EC2施加的电位(第二电位)不同的电位(第三电位)。由此，即使在使边框区域FLA的宽度缩窄的情况下，也能防止或抑制杂质离子向显示区域DPA内部扩散移动、以及密封体ADH剥落。

图6中示出了如下的情况：在将液晶层LCL中的杂质离子少的部分设为部分LC1、将杂质离子多的部分设为部分LC2时，部分LC2的显示区域DPA侧的端部EP1配置在显示区域DPA外部。

另外，优选地，对电极EC3施加的电位(第三电位)的绝对值与对电极EC2施加的电位(第二电位)相比更大。由此，电位的绝对值以电极EC1、电极EC2、电极EC3的顺序变大，并且通过电极EC1、EC2及EC3中的位于基板BS的最外周侧的电极EC3能够确实地捕捉杂质离子。

或者，例如在从密封体ADH产生作为杂质离子的阴离子，并从液晶层LCL产生作为杂质离子的阳离子的情况下，优选使对电极EC2施加的电位(第二电位)以及对电极EC3施加的电位(第三电位)均为负的电位。由此，从密封体ADH作为杂质离子产生的阴离子被电极EC3阻碍而无法向液晶层LCL侧移动，从液晶层LCL作为杂质离子产生的阳离子被电极EC3吸引并被捕捉而向密封体ADH侧移动。

或者，如图7中本实施方式的另一例所示，也可以在边框区域FA2内在层间树脂膜IL1上形成电极EC2，并在电极EC2上形成绝缘膜IF2。这时，电极EC2与公共电极CE形成在同层上，并由与公共电极CE相同的材料、即例如ITO或IZO等透明导电性材料构成。

但是，与如图7所示在绝缘膜IF2与层间树脂膜IL1之间电极EC2与公共电极CE形成在同层上的情况相比，如图6所示在绝缘膜IF2上形成电极EC2的情况能够使电极EC2与布线WG及WS之间的绝缘性提高。另外，还能减少电极EC2与布线WG之间以及电极EC2与布线WS之间的寄生电容，从而能减少给予显示装置的电路的负荷。

此外，在本实施方式中，对将本实施方式的显示装置适用于作为横向电场模式的显示装置的FFS模式的显示装置的例子进行了说明。但是，就本实施方式的显示装置而言，能够代替横向电场模式的显示装置而应用于例如VA模式等纵向电场模式的显示装置。在这种情况下，能够将公共电极CE及电极EC11设置在作为对置基板的基板FS的背面FSb上。

<实施方式的显示装置的变形例>

接着，对本实施方式的变形例进行说明。图8是实施方式的显示装置的变形例的一例中的边框区域及边框区域附近的剖视图。图9是实施方式的显示装置的变形例的另一例中的边框区域及边框区域附近的剖视图。图10是实施方式的显示装置的变形例的另一例中的边框区域及边框区域附近的俯视图。此外，图9是沿着图10的C-C线的剖视图。另外，图10中示出了将与绝缘膜IF2相比为上侧(基板FS侧)的部分且是与像素电极PE、电极EC12及电极EC3相比为上侧(基板FS侧)的部分除去并进行了透视的状态。

在本变形例中，在边框区域FA2内，电极EC2形成于在绝缘膜IF2及层间树脂膜IL1上形成的槽部TP1的底部。

如图8所示，在本变形例的显示装置中，边框区域FLA也与实施方式的显示装置同样地包括作为第一周边区域的边框区域FA1、作为第二周边区域的边框区域FA2、和作为第三周边区域的边框区域FA3。在本变形例的显示装置中，形成于边框区域FA1及FA3内的各部分与在实施方式的显示装置中形成于边框区域FA1及FA3内的各部分相同，并省略它们的说明。

在本变形例中，与实施方式同样地，在边框区域FA2内，在基材BSg上形成有布线WG。另外，在边框区域FA2内，在基材BSg上以覆盖布线WG的方式形成有绝缘膜IF1。

另一方面，在本变形例中，与实施方式不同地，在边框区域FA2内，在绝缘膜IF1上形成有电极EC2。电极EC2与布线WS及信号线SL形成在同层上，并由与布线WS及信号线SL相同的材料例如用钼(Mo)等夹着铝(Al)而成的多层构造的金属膜构成。另外，在边框区域FA2内，在绝缘膜IF1上以覆盖电极EC2的方式形成有层间树脂膜IL1，并在层间树脂膜IL1上形成有绝缘膜IF2。

另外，在本变形例中，与实施方式不同地，在边框区域FA2内形成有从绝缘膜IF2及层间树脂膜IL1贯穿而到达电极EC2的槽部TP1，并在槽部TP1的底部露出电极EC2。即，绝缘膜IF2及层间树脂膜IL1在边框区域FA2内具有槽部TP1，并在槽部TP1的底部形成有电极EC2。而且，在槽部TP1的底部露出的电极EC2上、槽部TP1的侧面以及槽部TP1外部的绝缘膜IF2上形成有取向膜AF2。

在本变形例中，也与实施方式相同地对电极EC2施加正或负极性的电位(第二电位)。在对电极EC2施加正极性的电位的情况下，能够捕捉具有负极性的杂质离子，并使其集聚且进行保持。另一方面，在对电极EC2施加负极性的电位的情况下，能够捕捉具有正极性的杂质离子，并使其集聚且进行保持。因此，优选地，对电极EC2施加的电位(第二电位)与对电极EC1施加的电位(第一电位)相比绝对值更大。

另外，在本变形例中，与实施方式不同地，在边框区域FA1与边框区域FA3之间的边框区域FA2内，在绝缘膜IF2及层间树脂膜IL1上形成有槽部TP1。因此，边框区域FA3内产生的杂质离子一旦被形成在槽部TP1的底部的电极EC2捕捉到，就会变得难以越过槽部TP1向边框区域FA1及显示区域DPA移动，会更有效地被捕捉。另外，边框区域FA1内产生的杂质离子一旦被形成在槽部TP1的底部的电极EC2捕捉到，就会变得难以向槽部TP1外部移动，会更有效地被捕捉。即，提高了电极EC2的作为捕获电极的功能。

另外，从密封体ADH的外部浸入并从边框区域FA3向边框区域FA1侧移动过来的水分变得难以超出槽部TP1向边框区域FA1及显示区域DPA移动。即，能够更可靠地防止或抑制水分浸入显示区域DPA内。

另外，在本变形例中，电极EC2例如由用钼等夹着铝而成的多层构造的金属膜构成。因此，与电极EC2例如由透明导电材料构成的实施方式相比，能够降低电极EC2的电阻，并能使对电极EC2施加电位时的电极EC2内的电位的均匀性提高，降低对电极EC2施加电位的电路的耗电量。

电极EC2也可以是与信号线(影像线)SL连接的信号引出线(影像引出线)SL1。这种情况下，也可以不新设置对电极EC2施加电位的电路，而是通过向信号线SL输入信号的信号线驱动电路CS(参照图4)就能对电极EC2施加电位。

或者，如图9中本变形例的另一例所示，也可以在边框区域FA2内，在基材BSg上形成电极EC2。另外，也可以在边框区域FA2内，在基材BSg上以覆盖电极EC2的方式依次形成绝缘膜IF1、层间树脂膜IL1及绝缘膜IF2，并形成从绝缘膜IF2、层间树脂膜IL1及绝缘膜IF1贯穿而到达电极EC2的槽部TP1。这时，电极EC2与布线WG形成在同层上，并由与布线WG相同的材料即例如铬(Cr)或钼(Mo)等金属或者它们的合金构成。

如图10所示，在图9所示例子的平面配置中，优选地，槽部TP1在与电极EC1、电极EC2和电极EC3的排列方向交叉的方向上延伸。由此，能够防止或抑制水分从电极EC3侧通过层间树脂膜IL1向电极EC2侧浸入。

另外，进一步优选地，槽部TP1在基板BS的端部EP2的延伸方向上延伸。由此，能够防止或抑制水分从显示装置外部通过层间树脂膜IL1浸入。

如图10所示，像素电极PE在与电极EC1、电极EC2和电极EC3的排列方向交叉的方向上延伸。另外，如图10中放大示出那样，像素电极PE具有分别在像素电极PE的延伸方向上延伸且在电极EC1、电极EC2和电极EC3的排列方向上排列的多个狭缝SLT。另外，如图10所示，电极EC12在与电极EC1、电极EC2和电极EC3的排列方向交叉的方向上延伸。另外，如图10中放大示出那样，电极EC12具有分别在电极EC12的延伸方向上延伸且在电极EC1、电极EC2和电极EC3的排列方向上排列的多个狭缝。

如图10所示，在俯视时，相对于槽部TP1的延伸方向或基板BS的端部EP2的延伸方向而向顺时针方向倾斜的像素电极PE、和相对于槽部TP1的延伸方向或基板BS的端部EP2的延伸方向而向逆时针方向倾斜的像素电极PE也可以在槽部TP1的延伸方向或基板BS的端部EP2的延伸方向上交替排列。由此，能够降低因观看液晶分子的方向不同而产生的色相差(相位延迟：retardation)。或者，在俯视时，相对于槽部TP1的延伸方向或基板BS的端部EP2的延伸方向向顺时针方向倾斜的电极EC12、和相对于槽部TP1的延伸方向或基板BS的端部EP2的延伸方向向逆时针方向倾斜的电极EC12也可以在槽部TP1的延伸方向或基板BS的端部EP2的延伸方向上交替排列。

此外，除了电极EC2不与布线WG形成在同层上而是与布线WS及信号线SL形成在同层上这点外，图8所示例子中的平面配置也能与图10的俯视图同样地进行设计。因此，在图8所示的例子中，也优选为槽部TP1在与电极EC1、电极EC2和电极EC3的排列方向交叉的方向上延伸，并进一步优选为槽部TP1在基板BS的端部EP2的延伸方向上延伸。

电极EC2也可以是与扫描线GL(参照图4)连接的扫描引出线GL1。在这种情况下，也可以不新设置对电极EC2施加电位的电路，而是通过向扫描线GL输入信号的扫描线驱动电路CG(参照图4)就能对电极EC2施加电位。

但是，与如图9所示在绝缘膜IF1和基材BSg之间电极EC2与布线WG形成在同层上的情况相比，如图8所示在绝缘膜IF1上电极EC2与布线WS及信号线SL形成在同层上的情况能够降低电极EC2的电阻。因此，能够使对电极EC2施加电位时的电极EC2内的电位的均匀性进一步提高，并使对电极EC2施加电位的电路的耗电量进一步降低。

此外，在电极EC2形成于层间树脂膜IL1的上方的情况下，即在实施方式中，也能将电极EC2设为信号引出线或扫描引出线。

以上，将由本发明人提出的发明基于其实施方式进行了具体说明，但本发明当然并不限定于所述实施方式，在不脱离其要旨的范围内能够进行各种变更。

另外，在所述实施方式中，作为公开例而例示了液晶显示装置的情况，但作为其他适用例，能举出有机EL显示装置、其他自发光型显示装置、或者具有电泳元件等的电子纸显示装置等所有平板型的显示装置。另外，从中小型到大型，没有特别限定都能够适用。

在本发明的思想范畴内，只要是本领域技术人员就能想到各种变更例及修改例，能够理解这些变更例及修改例也属于本发明的范围。

例如，本领域技术人员对上述各实施方式适当地进行构成要素的追加、删除或设计变更，或者进行工序的追加、省略或条件变更，只要具备本发明的要旨就都包含在本发明的范围内。

产业上的可利用性

本发明有效适用于显示装置。

Claims (20)

1.一种显示装置，其具备：具有包含多个第一像素区域的显示区域的基板、在俯视时形成于所述显示区域外侧的遮光膜、和与所述显示区域相对的液晶层，所述显示装置的特征在于，

所述基板具有：

第一周边区域，其在俯视时与所述遮光膜重叠，且在俯视时位于所述显示区域外侧；

第二周边区域，其在俯视时与所述第一周边区域相比位于外侧；

第三周边区域，其在俯视时与所述第二周边区域相比位于外侧；

第一电极，其形成在所述第一周边区域内；

第二电极，其形成在所述第二周边区域内；以及

第三电极，其形成在所述第三周边区域内，

对所述第一电极施加第一电位，

对所述第二电极施加绝对值比所述第一电位大的第二电位，

对所述第三电极施加与所述第二电位不同的第三电位。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述第一周边区域包含多个第二像素区域，所述第一电极形成在所述第二像素区域内。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述基板具有绝缘性基材、形成在所述绝缘性基材上的绝缘膜、和形成在所述第一像素区域内的像素电极，

所述第三电极与所述像素电极形成在同一层上。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述基板具有绝缘性基材、和形成在所述绝缘性基材上的绝缘膜，

所述第三电极形成在所述绝缘膜上，

所述绝缘膜在所述第二周边区域内具有槽部，

所述第二电极形成在所述槽部的底部。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述基板具有多条扫描线、和与所述多条扫描线交叉的多条影像线，

所述多个第一像素区域是通过所述多条扫描线与所述多条影像线互相交叉而形成的，

所述第二电极是与所述扫描线连接的扫描引出线、或与所述影像线连接的影像引出线。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

对所述第三电极施加与所述第二电位极性相反的所述第三电位。

7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

具备封固所述液晶层的密封体，

所述第二电极在俯视时不与所述密封体重叠，

所述第三电极在俯视时与所述密封体重叠。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

对所述第三电极施加与所述第二电位相比绝对值更大的所述第三电位。

9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述基板具有绝缘性基材、形成在所述绝缘性基材上的绝缘膜、使所述液晶层取向的取向膜、和形成在所述第三周边区域内且封固所述液晶层的密封体，

在所述第三周边区域内所述密封体与所述取向膜相接触，

在所述第三周边区域内，所述第三电极形成在所述绝缘膜与所述取向膜之间。

10.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，

所述槽部在与所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极的排列方向交叉的方向上延伸。

11.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述基板具有多条扫描线、和与所述多条扫描线交叉的多条影像线，

所述多个第一像素区域是通过所述多条扫描线与所述多条影像线互相交叉而形成的，

所述第二电极由与所述影像线相同的材料构成。

12.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，

所述基板具有绝缘性基材、形成在所述绝缘性基材上的绝缘膜、和形成在所述第一像素区域内的像素电极，

所述第三电极与所述像素电极形成在同一层。

13.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，

所述基板具有绝缘性基材、和形成在所述绝缘性基材上的绝缘膜，

所述第三电极形成在所述绝缘膜上，

所述绝缘膜在所述第二周边区域内具有槽部，

所述第二电极形成在所述槽部的底部。

14.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，

所述基板具有多条扫描线、和与所述多条扫描线交叉的多条影像线，

所述多个第一像素区域是通过所述多条扫描线与所述多条影像线互相交叉而形成的，

所述第二电极是与所述扫描线连接的扫描引出线、或与所述影像线连接的影像引出线。

15.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，

所述基板具有多条扫描线、和与所述多条扫描线交叉的多条影像线，

所述多个第一像素区域是通过所述多条扫描线与所述多条影像线互相交叉而形成的，

所述第二电极是与所述扫描线连接的扫描引出线、或与所述影像线连接的影像引出线。

16.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，

所述基板具有多条扫描线、和与所述多条扫描线交叉的多条影像线，

所述多个第一像素区域是通过所述多条扫描线与所述多条影像线互相交叉而形成的，

所述第二电极是与所述扫描线连接的扫描引出线、或与所述影像线连接的影像引出线。

17.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，

对所述第三电极施加与所述第二电位极性相反的所述第三电位。

18.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，

对所述第三电极施加与所述第二电位极性相反的所述第三电位。

19.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，

对所述第三电极施加与所述第二电位极性相反的所述第三电位。

20.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，

对所述第三电极施加与所述第二电位极性相反的所述第三电位。