CN101713883A - 液晶装置、电子设备以及液晶装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及液晶装置及其制造方法、电子设备，提供抑制因来自外部的静电引起的显示品质的下降且薄型化的液晶装置。其是横向电场方式的液晶装置(1)，在第1基板(10)与第2基板(20)之间夹持液晶层(50)，在第1基板(10)的液晶层(50)侧的面上形成像素电极(9)和共用电极(19)，利用在像素电极(9)与共用电极(19)之间产生的电场驱动液晶层(50)，其中在第2基板(20)的液晶层(50)侧，按顺序形成：在包括像素电极(9)间的区域形成的吸收可见光的遮光层(22b)、与像素电极(9)重叠地形成的使特定的波长范围的光透射的着色层(22a)、保护着色层(22a)的涂层(24)、取向膜(25)；在涂层(24)的第2基板(20)侧且遮光层(22b)的液晶层(50)侧形成有包括透明导电材料的静电屏蔽层(40)。

Description

液晶装置、电子设备以及液晶装置的制造方法
技术领域
本发明涉及液晶装置、电子设备以及液晶装置的制造方法。
背景技术
作为扩大液晶装置的视场角的方法，如下所谓的横向电场方式的IPS(In-Plane Switching，平面内开关)方式已实用化：对于基板使面内方向(横向方向)的电场产生，通过用该横向方向的电场使液晶层中所包含的液晶分子在平行于基板的面内旋转来控制透射光。进而，对该IPS方式进行了改进的FFS(Fringe-Field Switching，边缘场开关)方式被提出。
这样的横向电场方式的液晶装置，具有如下结构：在形成有TFT(薄膜晶体管)等驱动元件的元件基板上配置共用电极、像素电极这样的电极或布线这样的导电性的部件，并且在作为显示面侧的对置基板上不设置导电部件。因此，存在如下显示品质上的问题：容易受到以静电等为代表的、来自对置基板侧的外部的电场(外部电场)的影响，容易在液晶显示中产生紊乱。为了解决这样的问题，提出有如下方法：在对置基板侧形成包括透明导电膜的静电屏蔽层，并通过用该静电屏蔽层俘获静电，来防止显示紊乱(例如参照专利文献1)。
在专利文献1中，举出了以下两种结构：在对置基板所具备的玻璃基板的外侧(与液晶层相反的一侧)具备静电屏蔽层的结构，和在玻璃基板的内侧(液晶层侧)具备静电屏蔽层的结构。若对这2种结构进行比较，则在内侧具备静电屏蔽层的对置基板，通过与相同地设置于内侧的取向膜等部件相叠层地形成，因为无需玻璃基板的上下反转操作等，所以具有制造容易这样的优点。
并且，近年来，尤其是对于液晶装置的薄型化的要求变高，与这样的要求相应地，有时对夹持液晶层的一对基板(后述的元件基板及对置基板)进行研磨而使之薄型化。这样的研磨工序，在将上述一对基板通过密封材料以相互相对的方式贴合之后进行。在如上所述在外侧的面上配置静电屏蔽层的情况下，因为不能在研磨工序之前配置静电屏蔽层，所以该研磨工序之前的工序中的静电对策并不充分。
并且，上述的静电屏蔽层，通过使ITO(氧化铟锡合金)等静电屏蔽层在高温、真空下成膜而形成。当在研磨工序后、即将上述一对基板贴合之后配置静电屏蔽层的情况下，元件基板及对置基板暴露于高温、真空下，有可能引起密封材料、滤色器层等形成材料(通常为树脂)的劣化、或者该树脂的界面或树脂内的剥离的产生。因此，在对置基板所具备的玻璃基板的外侧具备静电屏蔽层的结构中，静电对策的实行(即，显示品质的提高)与液晶装置的薄型化难以并存。从而，在对置基板的内侧具备静电屏蔽层的结构是有利的。即，通过在将上述一对基板贴合之后进行研磨工序，可以实现液晶装置的薄型化，能够使显示品质的提高与薄型化并存。
【专利文献1】特开2001-51263号公报
可是，在上述专利文献中，作为在玻璃基板的内侧具备静电屏蔽层的对置基板的结构，示出了静电屏蔽层形成于对置基板侧的取向膜的内面的结构。在将静电屏蔽层设置于这样的位置的情况下，因为在静电屏蔽层与液晶层之间仅存在取向膜，所以两者的距离近。因此，有可能会在俘获静电的静电屏蔽层与设置于元件基板上的像素电极或共用电极之间产生纵向电场，从而扰乱横向电场方式的驱动。因而，液晶装置的防静电保护并不充分。
为了应对这样的状况，如下所述地，提出有作为比较例的液晶装置。图5是作为比较例而示出的液晶装置3的示意剖面图。液晶装置3，具有类似于后述的各实施方式的液晶装置的结构，构成要件的大部分相同。因此，各构成要件的说明将会在后面描述，而关于静电屏蔽层的配置的方式进行描述。
如图所示，在液晶装置3中，静电屏蔽层40作为对置基板主体21的第1层形成，即在层间什么也不介入地形成。因为不存在基底，所以不可能预先形成对准标记，从而使掩模与对置基板主体21位置对准并覆盖而局部地进行成膜的掩模成膜法难以应用。从而，静电屏蔽层40以所谓整面形成于对置基板主体21的整个面上。若以整面形成静电屏蔽层40，则如图所示，在对置基板20的端部B，对置基板主体21的端面与静电屏蔽层40的端面成为一个面。即，对置基板主体21的端面与静电屏蔽层40的端面俯视相一致。在这样的形状、即端面成为一个面的情况下，存在着容易允许静电的进入、并且容易产生静电屏蔽层40的电腐蚀的问题。
发明内容
本发明是鉴于这样的各种状况而提出的，其目的在于提供一种具备良好的静电防护功能、能够抑制因来自外部的静电引起的显示品质的下降、且薄型化的液晶装置。并且，目的在于提供一种具备这样的液晶装置的电子设备。
本发明是为了解决上述的问题的至少一部分而提出的，其可以作为以下的方式或应用例而实现。
[应用例1]本应用例的液晶装置，是横向电场方式的液晶装置，该横向电场方式的液晶装置在第1基板与第2基板之间夹持液晶层，在上述第1基板的上述液晶层侧的面上形成像素电极与共用电极，并且利用在上述像素电极与上述共用电极之间产生的电场对上述液晶层进行驱动，其中，在上述第2基板的上述液晶层侧，按下述顺序形成：俯视在包括上述像素电极间的区域形成的至少吸收可见光的遮光层、以俯视与上述像素电极重叠的方式形成的使特定的波长范围的光透射的着色层、保护上述着色层的涂层、取向膜；在上述涂层的上述第2基板侧且上述遮光层的上述液晶层侧形成有包括透明导电材料的静电屏蔽层。
如果采用该结构，则因为上述静电屏蔽层与上述液晶层至少间隔上述涂层的膜厚的量，所以电压下降，由上述静电屏蔽层俘获的静电作用于液晶层的力(库仑力)减弱。因此，若与将上述静电屏蔽层直接形成于对置基板侧的取向膜的内面上的结构相比，则可降低因静电引起的显示紊乱，从而提高显示品质。
另一方面，能够在上述遮光层的形成时同时(一并)地形成对准标记，利用该对准标记用掩模成膜法形成上述静电屏蔽层。其结果，能够在对置基板所具备的玻璃基板的端面与静电屏蔽层的端面之间形成台阶差，从而能够使可靠性提高。
[应用例2]在上述的液晶装置中，上述着色层形成于上述静电屏蔽层的上述液晶层侧。
如果采用该结构，则能够更大地形成上述静电屏蔽层与上述液晶层的间隔。从而，可进一步降低因静电引起的显示紊乱，使显示品质进一步提高。
[应用例3]在上述的液晶装置中，上述着色层形成于上述静电屏蔽层的上述第2基板侧。
如果采用该结构，则能够抑制上述着色层的膜厚对静电屏蔽层的功能、即静电的屏蔽功能的影响。从而，能够得到设计容易的液晶装置。
[应用例4]在上述的液晶装置中，上述第2基板的外缘部的至少一部分是未形成有上述静电屏蔽层的区域。
如果采用该结构，则能够在上述的区域中抑制上述静电屏蔽层的电腐蚀，能够使液晶装置的可靠性提高。还有，上述的所谓“外缘部”是指俯视、即从垂直于基板面的方向看的情况下的外缘的区域、即环状(框状)的区域。
[应用例5]在上述的液晶装置中，在上述遮光层与上述着色层的边界部分形成有高低差；在上述静电屏蔽层的表面，形成有反映了上述高低差的凹凸形状。
如果采用该结构，则在静电屏蔽层的表面，形成因高低差的形状导致的凹凸形状。所形成的凹凸部分，对于外部静电起到避雷针的作用，与静电屏蔽层呈现平坦面的情况相比，容易俘获外部静电。因此，成为屏蔽效果高的静电屏蔽层，能够形成为抑制了由静电的影响导致的图像紊乱的液晶装置。
[应用例6]在上述的液晶装置中，在上述第1基板的上述液晶层侧的面上，设置有驱动电路、与上述驱动电路电连接的引绕布线；上述引绕布线与上述静电屏蔽层，经由在上述第1基板与上述第2基板之间夹持的导通材料，互相在俯视重叠的位置电连接；上述静电屏蔽层的电位由上述驱动电路控制为预定电位。
如果采用该结构，则因为由静电屏蔽层所俘获的静电的电荷被保持为预定电位，所以即使长时间使用，静电也不会蓄积、增加，从而能够形成为抑制了由静电的影响导致的图像紊乱的液晶装置。此外，静电屏蔽层，因为与引绕布线连接，该引绕布线与驱动电路连接，所以无需新形成导电性的构成部件，就能够释放蓄积于静电屏蔽层中的电荷，从而能够形成为抑制了由静电的影响导致的图像紊乱的液晶装置。
[应用例7]在上述的液晶装置中，上述静电屏蔽层的电位，被控制为与上述共用电极的电位相同的电位。
如果采用该结构，则因为在静电屏蔽层与共用电极之间没有电位差，所以在第1基板与第2基板之间难以产生纵向方向的电场，从而能够形成为抑制了图像紊乱的液晶装置。
[应用例8]在上述的液晶装置中，上述第1基板，具有覆盖上述引绕布线的绝缘膜；在上述绝缘膜上，设置有上述引绕布线的一部分露出于底部的接触孔；在上述接触孔的内部，形成有覆盖露出于底部的上述引绕布线的导电膜；上述静电屏蔽层，经由上述导通材料和上述导电膜与上述引绕布线导通。
如果采用该结构，则因为能够防止引绕布线的氧化、且可得到良好的导通，所以能够形成为可以有效地释放蓄积于静电屏蔽层中的电荷、从而实现良好的显示的液晶装置。尤其是，在引绕布线的形成材料为铝等卑金属的情况下，因为能够良好地防止表面氧化、确保导通，所以是优选的。
[应用例9]在上述的液晶装置中，上述导电膜，以导电性金属氧化物为形成材料。
如果采用该结构，则能够良好地防止露出于接触孔的底部的引绕布线的氧化。
[应用例10]在上述的液晶装置中，在上述第1基板的上述液晶层侧，上述像素电极与上述共用电极隔着上述绝缘膜进行叠层；上述共用电极与上述像素电极相比，设置于靠上述液晶层侧。
如果采用该结构，则俘获静电的静电屏蔽层与像素电极之间进一步间隔开。因此，能够将在像素电极与静电屏蔽层之间产生的纵向方向的电场抑制得微弱，从而能够形成为抑制了图像紊乱的液晶装置。
[应用例11]在上述的液晶装置中，在上述液晶层的周围，设置有密封液晶分子的密封材料；在由上述密封材料包围的区域的内侧，设置由多个上述像素电极形成的显示区域，并且在由上述密封材料包围的区域的内侧、上述显示区域与上述密封材料之间设置非显示区域；在上述第1基板的上述非显示区域，配置有使向上述显示区域侵入的静电放电的静电保护部件；上述静电屏蔽层设置为，与上述静电保护部件俯视重叠。
如果采用该结构，则因为静电屏蔽层与设置于非显示区域的静电保护部件相配合来进行保护，所以能够良好地保护显示区域，能够形成为良好地实现了图像紊乱的抑制与静电击穿的防止的液晶装置。
[应用例12]本应用例的电子设备，具备上述的液晶装置。
如果采用该结构，则能够提供具备没有由来自外部环境的静电导致的显示紊乱的液晶装置、可以实现高品质的图像显示的电子设备。
[应用例13]本应用例的液晶装置的制造方法，是横向电场方式的液晶装置的制造方法，该横向电场方式的液晶装置具备相对配置的第1基板及第2基板、夹持于上述第1基板与上述第2基板之间的液晶层、形成于上述第1基板的上述液晶层侧的面上的像素电极及共用电极、在上述第2基板的上述液晶层侧的面上俯视在包括上述像素电极间的区域形成的至少吸收可见光的遮光层、在上述遮光层的上述液晶层侧包括透明导电材料的静电屏蔽层，并且利用在上述像素电极与上述共用电极之间产生的电场对上述液晶层进行驱动，该液晶装置的制造方法包括：在上述第2基板的一方的面上形成遮光材料层的第1工序；对上述遮光材料层进行图案形成，从而形成俯视与包括上述像素电极的区域对应的开口部和对准标记的第2工序；与上述一方的面相对配置成膜掩模，并利用上述对准标记使上述第2基板与上述成膜掩模位置对准的第3工序；以及经由上述成膜掩模在上述一方的面上使透明导电材料层成膜而形成上述静电屏蔽层的第4工序。
如果采用该制造方法，则能够在上述一方的面上形成任意的平面形状(俯视的形状)的静电屏蔽层。而且，利用这样的静电屏蔽层，能够不使可靠性降低地提高液晶装置的显示品质。
附图说明
图1是第1实施方式的液晶装置的等效电路图；
图2是从对置基板侧看第1实施方式的液晶装置的俯视图；
图3是将图2的一部分放大了的图；
图4是将图3的一部分放大了的图；
图5是作为比较例的液晶装置的概要剖面图；
图6是第1实施方式的液晶装置的概要剖面图；
图7是第2实施方式的液晶装置的概要剖面图；
图8是表示本发明的电子设备的一例的立体图；以及
图9是表示第3实施方式的液晶装置的制造方法的工序剖面图。
符号的说明
1...第1实施方式的液晶装置，2...第2实施方式的液晶装置，3...作为比较例的液晶装置，3a...扫描线，3b...共用线，6a...数据线，9...像素电极，10a...基板伸出部，10...作为第1基板的元件基板，11...元件基板主体，12...栅绝缘膜，13...层间绝缘膜，14...电极间绝缘膜，15...第1取向膜，16...接触孔，17...接触孔，18...引绕布线，19...共用电极，19a...连接部，20...作为第2基板的对置基板，21...对置基板主体，22...滤色器层，22a...着色层，22b...遮光层，24...涂层，25...第2取向膜，30...TFT，32...半导体层，33...源电极，34...漏电极，40...静电屏蔽层，40a...连接部，41...接触孔，42...接触孔，43...导通材料，44...导电膜，46...凹凸部，50...液晶层，52...密封材料，54...封闭材料，55...液晶注入口，66...间隔体，60...对准标记，62...遮光材料层(遮光层的前期阶段)，64...作为成膜掩模的蒸镀掩模，66...坩埚，68...作为透明导电材料微粒的ITO微粒，201...数据线驱动电路，202...输入用端子，203...各向异性导电膜，204...扫描线驱动电路，207...驱动用IC，211...短路环(静电保护部件)，212...电阻元件(静电保护部件)，213...伸出部，214...接触孔，215...接触孔，1300...作为电子设备的移动电话机，1301...显示部，1302...操作按钮，1303...受话口，1304...送话口，A...显示区域，B...对置基板的端部，DA...虚设区域，DP...虚设像素(静电保护部件)，M...非显示区域，P...子像素，SA...静电保护区域。
具体实施方式
(第1实施方式)
以下，参照图1～图4及图6，关于本发明的第1实施方式的液晶装置1进行说明。还有，在以下的全部的附图中，为了使附图容易辨识，各构成要件的膜厚、尺寸的比例等适宜不同。
本实施方式的液晶装置，利用与光的行进方向正交的横向电场控制液晶分子的方位角从而进行图像显示。作为这样的方式，已知有FFS方式、IPS方式等。以下，虽然基于采用了FFS方式的驱动方式的液晶装置之中可以进行全彩色显示的液晶装置进行说明，但是本发明也可以应用于IPS方式的液晶装置。
图1是本实施方式的液晶装置1的等效电路图。在液晶装置1的构成图像显示区域的、形成为矩阵状的多个子像素区域，形成有像素电极9和用于对像素电极9进行开关控制的TFT(薄膜晶体管)30。液晶层50介于像素电极9与共用电极19之间。共用电极19与从扫描线驱动电路204延伸的共用线3b电连接，在多个子像素中保持为共用的电位。
从数据线驱动电路201延伸的数据线6a与TFT30的源电连接。数据线驱动电路201，将图像信号S1、S2、...、Sn，经由数据线6a提供给各子像素。图像信号S1～Sn既可以按该顺序线依次地进行供给，也可以对于相邻的多条数据线6a，按每一组进行供给。
在TFT30的栅上，电连接着从扫描线驱动电路204延伸的扫描线3a。从扫描线驱动电路204以预定的定时脉冲性地供给于扫描线3a的扫描信号G1、G2、...、Gm，按该顺序线依次地被施加于TFT30的栅上。
像素电极9，与TFT30的漏电连接。通过作为开关元件的TFT30根据扫描信号G1、G2、...、Gm的输入仅一定期间成为导通状态，从数据线6a提供的图像信号S1、S2、...、Sn以预定的定时被写入到像素电极9上。经由像素电极9写入到液晶层50的预定电平的图像信号S1、S2、...、Sn，在像素电极9与隔着液晶层50相对的共用电极19之间保持一定期间。
图2～图4是关于本实施方式的液晶装置1，从对置基板(第2基板)侧看的俯视图，图3是将图2的一部分放大了的图，图4是将图3的一部分放大了的图。
如图2所示，本实施方式的液晶装置1，其元件基板(第1基板)10与对置基板(第2基板)20在俯视重叠的部分的周边部分，通过密封材料52相贴合，在由该密封材料52所划分的区域(显示区域A)内封入、保持有液晶分子。在密封材料52上，形成有液晶注入口55，该液晶注入口55用于在制造时、在将元件基板10与对置基板20贴合之后注入液晶分子，液晶注入口55在液晶注入后利用封闭材料54所封闭。在元件基板10的内面侧、与显示区域A俯视重叠的区域，形成有图示省略的像素电极及共用电极；在元件基板10的内面侧、与密封材料52俯视重叠的区域，设置有引绕布线18。
在元件基板10的一端侧的、从元件基板10与对置基板20的重叠部分伸出的部分(基板伸出部10a)，安装有用于处理并适当供给对液晶装置1进行驱动的驱动信号的驱动用IC207，在端部设置有输入用端子202。在输入用端子202上，例如经由各向异性导电膜203，安装形成有布线的FPC(Flexible Printed Circuit，柔性印刷电路)基板等，从而与外部电源、各种外部设备等连接。
并且，在对置基板20的内面侧，设置有后述的静电屏蔽层40，并且经由配设在对置基板20的角部的至少1处的导通材料43，与元件基板10的引绕布线18电导通。在本实施方式的液晶装置1中，在元件基板10的另一端侧(与驱动用IC207侧的边相对的一侧)的边的两端部，在2处设置有导通材料43。在液晶装置1中，根据其他需要，相位差板、偏振板等被配置为预定的朝向，但是在此省略了图示。
图3是图2中由二点划线包围的区域AR1的放大图。在此，主要示出的是元件基板10侧的结构。如图所示，在显示区域A，俯视大致矩形的多个子像素P纵横配置成矩阵状。并且，处于密封材料52的内侧的显示区域A的周边，成为非显示区域M。在非显示区域M，设置有静电保护区域SA和虚设区域DA，其中，静电保护区域SA，用于使从引绕布线18侵入的静电放电，从而保护配置于显示区域A的子像素P；虚设区域DA，配置有虚设像素(静电保护部件)DP，虚设像素DP通过自身击穿来代替因在静电保护区域SA未放尽的静电引起的子像素P的击穿。
在元件基板10的显示区域A的周围，与密封材料52重叠地，形成向共用电极19供给共用电位的引绕布线18，在引绕布线18弯曲的角处，形成有向外侧(与液晶层50相反的一侧)突出的连接部18a。
另一方面，在未图示的对置基板所具备的静电屏蔽层40的角部处，也形成有向外侧突出的连接部40a。连接部40a与连接部18a形成为，俯视重叠，并且都延伸至密封材料52的外侧，并且在各自的端部经由导通材料43电连接。从而，静电屏蔽层40的电位，保持为与共用电位相同的电位。
图4是图3中由二点划线包围的区域AR2的放大图。如图所示，在非显示区域M(参照图3)，设置有虚设区域DA和静电保护区域SA，其中虚设区域DA具有配置在子像素P的周边的多个虚设像素DP，静电保护区域SA具有配置在虚设区域DA与密封材料52之间的区域的短路环(静电保护部件)211、电阻元件(静电保护部件)212等。静电保护区域SA的短路环211及电阻元件212，主要为了对配置于每一子像素P中的TFT30进行保护以防在制造工序中产生的静电而设置。
在制造工序中产生的静电，从显示区域A的周边侵入到子像素P。因此，通过用静电保护区域SA的功能使所产生的静电放电，并使未放尽的静电击穿配置于虚设区域DA的虚设像素DP，来防止子像素P被击穿。
电阻元件212，与子像素P及虚设像素DP所排列的行列对应地，设置于各行列的端部。在图中，电阻元件212，相对于子像素P及虚设像素DP的行，每隔1行(从上端的行开始数为偶数行)地设置，并且电阻元件212与各自的行的扫描线3a连接。并且，虽然图示省略，但是在与图中所示的右边相对的一侧的左边，设置有与剩余的行(奇数行)对应的电阻元件212。并且，在子像素P及虚设像素DP的列的上端部，也在每一列设置有电阻元件212。
并且，共用电极19，覆盖子像素P及虚设像素DP而形成，在设置有电阻元件212的一侧的端部，设置有用于与短路环211连接的伸出部213。伸出部213，设置于不与电阻元件212重叠的位置，共用电极19与短路环211经由伸出部213相连接。
并且，在设置于共用电极19的上端的角部分处的伸出部213上，为了与引绕布线18相连接而设置有俯视大致矩形的连接部19a，连接部19a经由多个接触孔214与引绕布线18互相连接。并且，连接部19a，经由多个接触孔215，与短路环211也相连接。利用这些设置于静电保护区域SA的部件，防止设置于子像素P中的TFT30的静电击穿。
并且，静电屏蔽层40设置为，与这些虚设区域DA、静电保护区域SA等各结构俯视重叠。静电屏蔽层40，具有如后所述俘获来自外部的静电的功能，防止由于静电而使虚设区域DA、静电保护区域SA等各结构被击穿。因此，在虚设区域DA、静电保护区域SA等中，能够良好地防止子像素P被击穿。并且，因为静电屏蔽层40与虚设区域DA、静电保护区域SA等各结构电连接，所以能够互相协作地使静电扩散。
图6是本实施方式的液晶装置1的密封材料52及导通材料43周边的概要剖面图。在此，为了使附图易辨识，省略非显示区域中的结构而图示。
如图所示，液晶装置1，具备元件基板10、与元件基板10相对配置的对置基板20和夹持于元件基板10与对置基板20之间的液晶层50而构成。并且，在液晶装置1中，沿元件基板10与对置基板20相对的区域的边缘端设置密封材料52，从而密封构成液晶层50的液晶分子。该液晶装置1成为这样的结构：从元件基板10侧照射照明光，从对置基板20侧观看所显示的图像。
还有，在以下的记载中，将元件基板10(或元件基板主体11)的液晶层50侧表示为“上”或“上面”。同样地，将对置基板20(或对置基板主体21)的液晶层50侧表示为“上”或“上面”。
元件基板10，具备具有透光性的元件基板主体11。对于形成元件基板主体11的材料，例如能够采用玻璃、石英玻璃、氮化硅等无机物、丙烯酸树脂、聚碳酸酯树脂等有机高分子化合物(树脂)等。并且，只要具备透光性，也能够采用将这些材料进行叠层或混合而形成的复合材料。
在元件基板主体11上，形成有由铝、铜等导电性材料构成的扫描线3a和未图示的数据线。并且，在与密封材料52俯视重叠的区域，形成有由同样的导电性材料构成的引绕布线18。它们既可以采用相同的材料，也可以采用不同的材料而形成。它们可通过在使例如导电性材料的薄膜成膜之后、进行图案形成而得到。在本实施方式中，作为形成材料采用铝。
并且在元件基板主体11上，以覆盖扫描线3a、数据线、引绕布线18的方式，形成有栅绝缘膜12。栅绝缘膜12，由氮化硅、氧化硅等这样具有绝缘性的透光性材料构成。
在栅绝缘膜12上，形成有半导体层32、与半导体层32的一端连接的源电极33、与半导体层32的另一端连接的漏电极34，由这些半导体层32、源电极33、漏电极34及扫描线3a，构成底栅型的TFT30。并且，以覆盖TFT30的方式，形成有层间绝缘膜13。层间绝缘膜13，与栅绝缘膜12同样，以氮化硅、氧化硅等具有绝缘性的透光性材料构成。
在层间绝缘膜13上，形成有像素电极9，像素电极9经由接触孔16与TFT30的漏电极34电连接。像素电极9，由ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)、氧化锡(SnO2)等具备透光性的导电性材料形成。在本实施方式中，采用ITO。
并且，在层间绝缘膜13上，覆盖像素电极9而形成有电极间绝缘膜14。电极间绝缘膜14，与栅绝缘膜12、层间绝缘膜13同样，由氮化硅、氧化硅等具有绝缘性的透光性材料构成，覆盖形成于层间绝缘膜13上的像素电极9。
在电极间绝缘膜14上，形成有梯子状的共用电极19。像素电极9与共用电极19，隔着电极间绝缘膜14而配置，构成FFS方式的电极结构。并且，共用电极19，经由连通栅绝缘膜12、层间绝缘膜13、电极间绝缘膜14的接触孔17与引绕布线18连接。共用电极19，由ITO等透光性的导电性材料形成，在本实施方式中，将ITO用作共用电极19的材料。
并且，在电极间绝缘膜14上，覆盖共用电极19地形成有第1取向膜15。第1取向膜15，例如由聚酰亚胺等有机材料、氧化硅等无机材料构成。本实施方式的第1取向膜15，通过在涂敷聚酰亚胺的形成材料并使之干燥、固化之后，对其上表面实施研磨处理而得到。
另一方面，对置基板20具备具有透光性的对置基板主体21。对于形成对置基板主体21的材料，能够使用与元件基板主体11同样的材料。
在对置基板主体21上，按顺序形成有遮光层22b、静电屏蔽层40、着色层22a、涂层24和第2取向膜25。由遮光层22b与着色层22a形成滤色器层22。遮光层22b，通过对形成于对置基板主体21的整个面上的、混合了黑色颜料的丙烯酸树脂层，用光刻法等进行图案形成而形成。这样的图案形成，以在显示区域A(参照图2)，上述树脂层成为包围开口部22c的栅格状的方式进行。这样的开口部22c的俯视区域，是子像素P(参照图3)的俯视区域。并且，在静电屏蔽层40的表面上，形成反映了成为基底的遮光层22b的形状的凹凸。这样的凹凸，为凹凸部46。
静电屏蔽层40，以覆盖图3中所示的显示区域A、虚设区域DA与静电保护区域SA的方式形成。从而，显示区域A的开口部22c，遗留为与静电屏蔽层40的上表面大致相同的俯视形状的凹部(洼陷)。着色层22a，在这样的凹部，隔着静电屏蔽层40，采用液滴喷出法等湿式涂敷法配置着色层22a的形成材料而形成。
在本实施方式的液晶装置1的滤色器层22中，着色层22a的膜厚为2μm，遮光层22b的膜厚为1.5μm。用滤色器层22，通过将从元件基板10侧入射而向对置基板20侧出射的光调制为红色、绿色、蓝色，并使各色的光混色而可以实现全彩色显示。
静电屏蔽层40，设置为用于通过俘获来自外部的静电，并使俘获的静电通过后述的导通材料43逃逸，来防止在对置基板20与元件基板10之间产生不测的纵向电场。静电屏蔽层40，采用ITO、SnO2等具有透光性的导电材料而形成，在本实施方式中，以ITO为形成材料。
而且，本实施方式的液晶装置1的静电屏蔽层40，用作为掩模成膜法之一的掩模蒸镀法形成。即，在成膜时不采用光刻法而进行图案形成。从而，与比较例的液晶装置3不同，静电屏蔽层40并不形成于对置基板主体21的整个面上。具体地，在对置基板20的端部B，静电屏蔽层40的端面位于对置基板主体21的端面的稍靠内侧。即，在对置基板20的端部B，静电屏蔽层40的端面与对置基板主体21的端面并未成为一个面。而且，利用这样的形状，可抑制上述的现象，即静电的进入及静电屏蔽层40的电腐蚀。
在此，为了进行上述的掩模蒸镀法，需要用于进行蒸镀掩模的位置对准的对准标记。从而，如图5的比较例所示，在对置基板主体21上直接形成静电屏蔽层40的情况下，无法进行掩模蒸镀。在本实施方式的液晶装置1中，在对置基板主体21与静电屏蔽层40之间形成有遮光层22b。即，在对置基板主体21上首先进行了遮光层22b的成膜与图案形成之后，形成静电屏蔽层40。从而，能够在上述的遮光层22b的图案形成时形成对准标记，利用该对准标记对静电屏蔽层40进行掩模蒸镀。即，本实施方式的液晶装置1，因为在对置基板主体21上隔着遮光层22b形成静电屏蔽层40，所以能够用掩模蒸镀法形成静电屏蔽层40，从而使可靠性提高。以下，继续说明。
在着色层22a和静电屏蔽层40的上面，形成有涂层24。涂层24，具备对着色层22a和静电屏蔽层40在物理上或化学上进行保护的功能。并且，可防止从所形成的着色层22a，向液晶层50析出各自的形成材料中所包括的固化剂的反应残渣等低分子量物质、离子性的杂质等，从而引起显示紊乱的情况。涂层24，例如采用丙烯酸树脂、环氧树脂等具备透光性的固化性树脂形成。在本实施方式的液晶装置1中，采用丙烯酸树脂，形成为膜厚2μm。
在涂层24上，采用与第1取向膜15同样的材料，形成有第2取向膜25。本实施方式的第2取向膜25，通过在涂敷聚酰亚胺的形成材料并使之干燥、固化之后，对其上表面在一定方向上实施研磨处理而得到。通过研磨形成的第2取向膜25的取向方向被设定为，成为与第1取向膜15的取向方向相同方向。
并且，在与液晶层50重叠的区域的涂层24上，在与遮光层22b重叠的区域，形成有间隔体56。间隔体56，用于将元件基板10与对置基板20的间隔距离保持为不变成小于等于一定值。例如，在从对置基板20侧施加应力的情况下，因为液晶层50的厚度不会变成不足间隔体56的高度，所以能够防止显示紊乱。
设置于元件基板10上的引绕布线18与设置于对置基板20上的静电屏蔽层40，在包围液晶层50的周围的密封材料52的外侧(与液晶层50相反的一侧)的区域中，经由导通材料43导通。导通材料43，能够采用混合了具有导电性的微粒的固化性树脂、银膏等。对于具有导电性的微粒，例如可举出用Au、Ag等金属微粒、金属等具有导电性的材料涂敷不具有导电性的微粒的表面而成的物质等。
在元件基板10侧的、配置导通材料43的区域，形成有贯通栅绝缘膜12、层间绝缘膜13、电极间绝缘膜14并互相连通的接触孔41，在底部引绕布线18露出一部分。
本实施方式的引绕布线18，因为作为形成材料采用了作为卑金属的铝，所以若形成接触孔41使之露出，则有可能表面氧化而形成氧化膜，从而无法取得导通。并且，只是仅引绕布线18的一部分露出于接触孔41的底部，与导通材料43的导通面积小。因此，为了防止引绕布线18的表面氧化、并使与导通材料43的导通变得可靠，优选：覆盖接触孔41而形成有以ITO、SnO2等为形成材料的导电膜44。
并且，在对置基板20侧的配置导通材料43的区域，形成有贯通涂层24并互相连通的接触孔42。
本实施方式的液晶装置1，成为以上那样的结构。
在以上那样的结构的液晶装置1中，在静电屏蔽层40与第2取向膜25之间，设置有着色层22a及涂层24，从而使静电屏蔽层40与液晶层50间隔这些层的厚度的量。因此，若与同第2取向膜25接触而形成静电屏蔽层40的情况相比，则由用静电屏蔽层40俘获的静电产生的库仑力减弱，从而难以对液晶层50造成影响。并且，在可以进行彩色显示的液晶装置中，因为是利用着色层22a及涂层24获得间隔距离的结构，所以不需要为了获得间隔距离而新设置绝缘层。从而，相比于在涂层24与第2取向膜之间形成静电屏蔽层40的液晶装置，可进一步抑制因静电引起的显示紊乱，可以实现高品质的图像显示。
并且，形成于静电屏蔽层40的表面的凹凸部46，对于外部静电起到避雷针的作用。从而，与静电屏蔽层40直接形成于对置基板主体21上从而呈现平坦面的情况相比，容易俘获外部静电。因此，成为屏蔽效果高的静电屏蔽层40，从而可进一步抑制由静电的影响导致的图像紊乱，可以实现高品质的图像显示。
并且，本实施方式的液晶装置1，引绕布线18与静电屏蔽层40，经由导通材料43在俯视重叠的位置电连接，静电屏蔽层40的电位被控制为与共用电极19的电位相同的电位，该共用电极19的电位是由驱动电路控制的。因此，因为由静电屏蔽层40所俘获的静电的电荷保持与共用电位相等，所以即使长时间使用，静电也不会蓄积、增加。并且，静电屏蔽层40，因为与引绕布线18连接，所以无需新形成导电性的构成部件，就能够释放蓄积于静电屏蔽层40中的电荷。进而，因为在静电屏蔽层40与共用电极19之间没有电位差，所以难以在基板间产生纵向方向的电场，由此，能够形成为抑制了图像紊乱的液晶装置1。
并且，本实施方式的液晶装置1，在导通材料43与对置基板主体21之间，除了静电屏蔽层40以外还形成有遮光层22b这一点，也与图5所示的比较例的液晶装置不同。利用这样的结构，导通材料43的高度(垂直于基板面方向的尺寸)缩短了遮光层22b的膜厚的量。从而，导通材料43中所包含的具有导电性的微粒(例如Au、Ag等金属微粒)的粒径，也缩小了该量。其结果，即使在假设该微粒的位置偏离而触及到涂层24上的情况下，也可降低对基板间隔(对置基板20与元件基板10的间隔)造成的影响。从而，相比于比较例所示的液晶装置，显示品质及可靠性得到了提高。
并且，本实施方式的液晶装置1的像素电极9，隔着共用电极19而设置于与液晶层50相反的一侧。因此，俘获静电的静电屏蔽层40与像素电极9之间进一步间隔开，从而能够将在像素电极9与静电屏蔽层40之间产生的电场抑制得更加微弱，能够形成为抑制了图像紊乱的液晶装置1。
还有，在本实施方式中，虽然静电屏蔽层40与引绕布线18电连接，但是静电屏蔽层40也可以是电隔离的浮置状态。所为浮置状态，表示以不与周围的布线、电极等导电部件连接的状态形成的情况。
并且，在本实施方式中，静电屏蔽层40并不限于与引绕布线18电连接。例如，也可以延伸至密封材料52的外侧地形成共用电极19，使静电屏蔽层40与共用电极19之间导通。并且，也可以另行设置用于使静电屏蔽层40所带的静电放电的导通部件。
并且，在本实施方式中，虽然将静电屏蔽层40与共用电极19连接，并控制为共用电位，但是并不限于此。例如，也可以通过另行形成保持为GND电位的布线、并使该布线与静电屏蔽层40连接，来将静电屏蔽层40保持为GND电位。
并且，像素电极9，也能够与共用电极19相比配置于靠液晶层50侧。在该情况下，将靠近液晶层50侧配置的像素电极9形成为梯子状电极。
(第2实施方式)
接下来，关于本发明的第2实施方式的液晶装置2进行说明。图7是本发明的第2实施方式的液晶装置2的概要剖面图，是相当于上述的第1实施方式中的图6的图。从而，省略非显示区域中的结构而进行图示。
本实施方式的液晶装置2具有与第1实施方式的液晶装置1相类似的结构，仅对置基板20中的遮光层22b、着色层22a及静电屏蔽层40的配置的方式不同。因此，在本实施方式的说明中，省略了相当于上述的图1～图4的图。并且，对于与液晶装置1的构成要件相同的构成要件，赋予同一符号，并省略说明的记载的一部分。
如图所示，液晶装置2的静电屏蔽层40，形成于着色层22a上，即着色层22a与涂层24之间。而且，与第1实施方式的液晶装置1的静电屏蔽层40同样，液晶装置2的静电屏蔽层40形成为：其端面，在对置基板的端部B与对置基板主体21的端面并非一个面而位于稍靠内侧。从而，本实施方式的液晶装置2，具有与上述的液晶装置1的(相对于比较例的液晶装置)的效果同样的效果。
即，液晶装置2，可抑制静电的进入及静电屏蔽层40的电腐蚀，使可靠性得到提高。并且，利用形成于静电屏蔽层40的表面的凹凸部46，可进一步抑制由静电的影响导致的图像紊乱。并且，因为导通材料43中所包含的具有导电性的微粒的粒径缩小，所以显示品质及可靠性得到提高。
进而，液晶装置2，与液晶装置1不同，因为静电屏蔽层40形成于着色层22a与涂层24之间，所以具有以下的效果。
第1效果，关于液晶装置的设计。液晶装置2，因为其着色层22a并不处于静电屏蔽层40的液晶层50侧、而是形成于对置基板主体21侧，所以该静电屏蔽层与液晶层50的间隔并不受着色层的膜厚影响。从而，在制造仅着色层22a的膜厚不同、但其他结构相同的一系列(即系列化的)液晶装置的情况下，能够降低设计所需的成本(及时间)。
第2效果，是降低来自着色层22a的杂质的析出的效果。如上所述，在第1实施方式的液晶装置1中，利用涂层24，也可抑制这样的析出。本实施方式的液晶装置2，通过进一步在着色层22a与涂层24之间配置静电屏蔽层40，进一步降低上述的析出。从而，可靠性进一步得到提高。
(第3实施方式)
接下来，关于作为本发明的第3实施方式的、液晶装置的制造方法进行说明。图9是表示本发明的第3实施方式的液晶装置的制造方法的工序剖面图。本实施方式的制造方法，是与静电屏蔽层的形成有关的工序。因此，仅图示对置基板主体21等本实施方式中必需的构成要件，其他构成要件的图示则省略。以下，对每一工序进行说明。
还有，本实施方式的制造方法，所表示的是采用大型(大面积)的基板同时形成多个液晶装置的情况。
首先，如图9(a)所示，在对置基板主体21上的整个面上形成遮光材料层62。所谓遮光性材料，如上所述，是混合了黑色颜料的丙烯酸树脂等。
接着，如图9(b)所示，对遮光材料层62进行图案形成而形成遮光层22b。优选：图案形成，用光刻法进行。如上所述，对置基板主体21为大型基板，采用该基板同时形成多个液晶装置。从而，在本图中，各个遮光层22b，对应于1个液晶装置的量的遮光层22b。即，本图中所示的各个遮光层22b，具有未图示的栅格状的图案。被该栅格状的图案所包围的区域成为开口部(未图示)。而且，当进行这样的图案形成时，在显示区域A(参照图2)的外侧形成对准标记60。如果采用光刻法，则可以形成这样精细的图案。
接着，如图9(c)所示，在对置基板主体21上配置作为成膜掩模的蒸镀掩模64，采用上述的对准标记60进行对准(位置对准)。在图中，虽然对置基板主体21与蒸镀掩模64具有稍许间隔，但是也可以贴紧。
接着，如图9(d)所示，使对置基板主体21与具备有未图示的热源等的坩埚66相对。然后，使作为透明导电材料微粒的ITO微粒68飞越过蒸镀掩模，以覆盖遮光层22b的方式形成静电屏蔽层40。
如图所示，在对置基板主体21上互相具有间隔地形成多个静电屏蔽层40。上述的间隔，是分割对置基板主体21而形成为各个液晶装置时的分割位置(成为分割线的位置)。而且，因为这样的间隔，所以可避免在分割后的液晶装置中对置基板主体21的端面与静电屏蔽层40的端面成为一个面的情况。而且，利用这样的方式，可抑制静电屏蔽层的电俯视或者静电的侵入。从而，如果采用本实施方式的制造方法，则能够得到不仅显示品质而且可靠性也提高了的液晶装置。
(电子设备)
接下来，关于本发明的电子设备的实施方式进行说明。图8是表示本发明的电子设备的一例的立体图。图8所示的移动电话机(电子设备)1300，具备本发明的液晶装置作为小尺寸的显示部1301，具备多个操作按钮1302、受话口1303及送话口1304而构成。由此，能够提供具备有由本发明的液晶装置构成的、抑制了由静电导致的显示紊乱的显示部的移动电话机1300。
上述各实施方式的液晶装置，并不限于上述移动电话机，而能够适宜地用作电子书、投影机、个人计算机、数字照相机、电视接收机、取景器型或者监视器直视型的录像机、汽车导航装置、寻呼机、电子笔记本、计算器、文字处理机、工作站、可视电话机、POS终端、具备有触摸面板的设备等的图像显示单元，通过形成为这样的结构，能够提供具备有由静电导致的图像紊乱少、显示品质高的显示部的电子设备。
以上，虽然参照附图关于本发明的优选的实施方式例进行了说明，但是本发明当然不限定于这样的例子。在上述的例子中示出的各构成部件的诸形状、组合等是一例，在不脱离本发明的主旨的范围内可以基于设计要求等进行各种变形。

Claims (13)

1.一种液晶装置，其是横向电场方式的液晶装置，该横向电场方式的液晶装置在第1基板与第2基板之间夹持液晶层，在前述第1基板的前述液晶层侧的面上形成像素电极与共用电极，并且利用在前述像素电极与前述共用电极之间产生的电场对前述液晶层进行驱动，其特征在于：
在前述第2基板的前述液晶层侧，按下述顺序形成：俯视在包括前述像素电极间的区域形成的至少吸收可见光的遮光层、以俯视与前述像素电极重叠的方式形成的使特定的波长范围的光透射的着色层、保护前述着色层的涂层、取向膜；
在前述涂层的前述第2基板侧且前述遮光层的前述液晶层侧形成有包括透明导电材料的静电屏蔽层。
2.按照权利要求1所述的液晶装置，其特征在于：
前述着色层形成于前述静电屏蔽层的前述液晶层侧。
3.按照权利要求1所述的液晶装置，其特征在于：
前述着色层形成于前述静电屏蔽层的前述第2基板侧。
4.按照权利要求2或3所述的液晶装置，其特征在于：
前述第2基板的外缘部的至少一部分是未形成有前述静电屏蔽层的区域。
5.按照权利要求4所述的液晶装置，其特征在于：
在前述遮光层与前述着色层的边界部分形成有高低差；在前述静电屏蔽层的表面，形成有反映了前述高低差的凹凸形状。
6.按照权利要求1～5中的任意一项所述的液晶装置，其特征在于：
在前述第1基板的前述液晶层侧的面上，设置有驱动电路、与前述驱动电路电连接的引绕布线；
前述引绕布线与前述静电屏蔽层，经由在前述第1基板与前述第2基板之间夹持的导通材料，互相在俯视重叠的位置电连接；
前述静电屏蔽层的电位由前述驱动电路控制为预定电位。
7.按照权利要求6所述的液晶装置，其特征在于：
前述静电屏蔽层的电位，被控制为与前述共用电极的电位相同的电位。
8.按照权利要求6或7所述的液晶装置，其特征在于：
前述第1基板，具有覆盖前述引绕布线的绝缘膜；
在前述绝缘膜上，设置有前述引绕布线的一部分露出于底部的接触孔；
在前述接触孔的内部，形成有覆盖露出于底部的前述引绕布线的导电膜；
前述静电屏蔽层，经由前述导通材料和前述导电膜与前述引绕布线导通。
9.按照权利要求8所述的液晶装置，其特征在于：
前述导电膜，以导电性金属氧化物为形成材料。
10.按照权利要求1～9中的任意一项所述的液晶装置，其特征在于：
在前述第1基板的前述液晶层侧，前述像素电极与前述共用电极隔着前述绝缘膜进行叠层；
前述共用电极与前述像素电极相比，设置于靠前述液晶层侧。
11.按照权利要求1～10中的任意一项所述的液晶装置，其特征在于：
在前述液晶层的周围，设置有密封液晶分子的密封材料；
在由前述密封材料包围的区域的内侧，设置由多个前述像素电极形成的显示区域，并且在由前述密封材料包围的区域的内侧、前述显示区域与前述密封材料之间设置非显示区域；
在前述第1基板的前述非显示区域，配置有使向前述显示区域侵入的静电放电的静电保护部件；
前述静电屏蔽层设置为，与前述静电保护部件俯视重叠。
12.一种电子设备，其特征在于：
具备权利要求1～11中的任意一项所述的液晶装置。
13.一种液晶装置的制造方法，其是横向电场方式的液晶装置的制造方法，该横向电场方式的液晶装置具备相对配置的第1基板及第2基板、夹持于前述第1基板与前述第2基板之间的液晶层、形成于前述第1基板的前述液晶层侧的面上的像素电极及共用电极、在前述第2基板的前述液晶层侧的面上俯视在包括前述像素电极间的区域形成的至少吸收可见光的遮光层、在前述遮光层的前述液晶层侧包括透明导电材料的静电屏蔽层，并且利用在前述像素电极与前述共用电极之间产生的电场对前述液晶层进行驱动，其特征在于，该液晶装置的制造方法包括：
第1工序，其在前述第2基板的一方的面上形成遮光材料层；
第2工序，其对前述遮光材料层进行图案形成，从而形成俯视与包括前述像素电极的区域对应的开口部和对准标记；
第3工序，其与前述一方的面相对配置成膜掩模，并利用前述对准标记使前述第2基板与前述成膜掩模位置对准；以及
第4工序，其经由前述成膜掩模在前述一方的面上使透明导电材料层成膜而形成前述静电屏蔽层。
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CN200910179117XA Active CN101713883B (zh) 2008-09-30 2009-09-28 液晶装置、电子设备以及液晶装置的制造方法

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US (1) US8310609B2 (zh)
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KR (1) KR101104491B1 (zh)
CN (1) CN101713883B (zh)
TW (1) TWI407193B (zh)

Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102253529A (zh) * 2011-08-02 2011-11-23 华映视讯（吴江）有限公司 液晶显示装置及滤光基板
CN102270645A (zh) * 2011-06-13 2011-12-07 友达光电股份有限公司 显示装置及其制造方法
CN102314013A (zh) * 2010-06-30 2012-01-11 上海天马微电子有限公司 液晶显示面板及其制造方法
CN102629008A (zh) * 2011-03-30 2012-08-08 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管液晶显示面板及其制作方法
CN102866530A (zh) * 2011-08-02 2013-01-09 华映视讯（吴江）有限公司 液晶显示装置及滤光基板
CN102929033A (zh) * 2012-11-09 2013-02-13 京东方科技集团股份有限公司 一种彩膜基板、阵列基板、显示面板及显示装置
CN103217821A (zh) * 2012-01-19 2013-07-24 瀚宇彩晶股份有限公司 显示装置及其制造方法
CN103217817A (zh) * 2012-01-20 2013-07-24 群康科技(深圳)有限公司 内嵌式触控显示器
CN103293751A (zh) * 2012-12-26 2013-09-11 上海中航光电子有限公司 一种液晶显示器的彩膜基板及其制造方法
CN103926749A (zh) * 2013-06-28 2014-07-16 上海天马微电子有限公司 一种液晶盒及其制造方法
CN103984164A (zh) * 2014-05-06 2014-08-13 昆山龙腾光电有限公司 液晶显示装置
CN104166282A (zh) * 2014-08-18 2014-11-26 昆山龙腾光电有限公司 液晶显示装置
CN104360532A (zh) * 2014-12-02 2015-02-18 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板及其制作方法、液晶面板及显示装置
WO2015067022A1 (zh) * 2013-11-11 2015-05-14 京东方科技集团股份有限公司 Tft液晶显示面板及其制备方法、以及tft显示器件
CN105204208A (zh) * 2015-10-13 2015-12-30 武汉华星光电技术有限公司 触控面板及其制造方法
CN105549258A (zh) * 2016-02-18 2016-05-04 武汉华星光电技术有限公司 彩膜基板及其制造方法
CN105607332A (zh) * 2016-01-04 2016-05-25 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板、显示面板和显示装置
CN105974617A (zh) * 2016-05-05 2016-09-28 京东方科技集团股份有限公司 一种基板及其制作方法
TWI567446B (zh) * 2012-01-20 2017-01-21 群康科技(深圳)有限公司 內嵌式觸控顯示器
CN106896596A (zh) * 2017-03-22 2017-06-27 惠州市德赛西威汽车电子股份有限公司 一种低反射率的ips面板
CN106932971A (zh) * 2015-12-18 2017-07-07 株式会社日本显示器 显示装置
CN107272252A (zh) * 2017-08-11 2017-10-20 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN107490904A (zh) * 2017-08-25 2017-12-19 惠科股份有限公司 液晶显示面板和液晶显示装置
CN107526221A (zh) * 2016-06-22 2017-12-29 三星显示有限公司 防止静电流动的显示装置
CN108710242A (zh) * 2018-05-21 2018-10-26 惠科股份有限公司 一种显示面板和显示装置
CN108874237A (zh) * 2015-06-30 2018-11-23 上海天马微电子有限公司 触控显示面板
CN109031810A (zh) * 2018-07-13 2018-12-18 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种液晶显示面板
CN110275333A (zh) * 2018-03-14 2019-09-24 群创光电股份有限公司 显示设备以及其制造方法
CN111722441A (zh) * 2019-03-21 2020-09-29 三星显示有限公司 显示面板
CN113841194A (zh) * 2019-05-23 2021-12-24 株式会社日本显示器 显示装置以及显示面板

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8416370B2 (en) * 2009-04-22 2013-04-09 Japan Display Central Inc. Liquid crystal display device having patterned alignment fiducial mark and method for manufacturing the same
JP5853419B2 (ja) * 2010-10-25 2016-02-09 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器、及び電気光学装置用基板
JP5573686B2 (ja) * 2011-01-06 2014-08-20 ソニー株式会社 有機ｅｌ表示装置及び電子機器
JP5530987B2 (ja) * 2011-08-09 2014-06-25 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
TWI446077B (zh) * 2011-08-17 2014-07-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd 邊緣場切換式液晶顯示器之像素結構
US20130083279A1 (en) * 2011-09-30 2013-04-04 Sony Corporation Liquid crystal display device and method for manufacturing liquid crystal display device
KR101661043B1 (ko) * 2011-11-17 2016-09-28 군제 가부시키가이샤 터치 패널 및 그 제조 방법
KR101945866B1 (ko) * 2012-03-19 2019-02-11 삼성디스플레이 주식회사 차폐 도전체를 가지는 액정 표시 장치
KR20130115899A (ko) 2012-04-13 2013-10-22 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
CN102707471B (zh) * 2012-05-03 2013-11-27 北京京东方光电科技有限公司 液晶光栅、其制作方法、3d显示器件及3d显示装置
KR20140017767A (ko) 2012-07-31 2014-02-12 삼성디스플레이 주식회사 증착용 마스크 및 이의 정렬 방법
JP6315892B2 (ja) * 2013-05-15 2018-04-25 三菱電機株式会社 液晶表示パネル
KR102081288B1 (ko) * 2013-08-08 2020-02-26 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN103474436B (zh) * 2013-09-18 2016-03-09 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
JP6401923B2 (ja) * 2014-03-20 2018-10-10 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
US9817276B2 (en) * 2014-05-07 2017-11-14 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
KR20150134465A (ko) * 2014-05-21 2015-12-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR101577667B1 (ko) * 2014-05-27 2015-12-16 엘지디스플레이 주식회사 액정표시패널 및 그 장치
JP6436666B2 (ja) * 2014-07-18 2018-12-12 三菱電機株式会社 液晶表示装置
CN104460070B (zh) * 2014-12-31 2018-09-07 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN104793362B (zh) * 2015-03-30 2017-12-26 深超光电（深圳）有限公司 液晶显示面板
CN105159495B (zh) * 2015-08-31 2018-03-20 业成光电（深圳）有限公司 触控面板
KR102594084B1 (ko) 2016-06-16 2023-10-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조방법
CN106773430B (zh) * 2017-03-30 2022-01-18 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及显示装置
WO2019047151A1 (zh) * 2017-09-08 2019-03-14 华为技术有限公司 一种显示模组、显示面板、显示装置及电子设备
CN107561758B (zh) * 2017-09-19 2020-03-06 惠科股份有限公司 触控显示装置
CN108873413B (zh) * 2018-07-26 2020-05-05 武汉华星光电技术有限公司 液晶显示面板
KR20200117093A (ko) * 2019-04-02 2020-10-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11409170B2 (en) * 2020-05-28 2022-08-09 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Array substrate and display panel
CN114063357B (zh) * 2020-08-03 2023-09-12 深超光电（深圳）有限公司 薄膜晶体管基板与液晶显示面板
CN114911089A (zh) * 2022-04-12 2022-08-16 信利半导体有限公司 一种显示模组、车载终端及电子设备

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08171082A (ja) * 1994-12-20 1996-07-02 Hitachi Ltd アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP3598948B2 (ja) 1996-03-14 2004-12-08 セイコーエプソン株式会社 液晶装置及びそれを用いた電子機器
WO1997034188A1 (fr) * 1996-03-14 1997-09-18 Seiko Epson Corporation Dispositif a cristaux liquides et equipment electronique
JP3567183B2 (ja) * 1996-08-19 2004-09-22 大林精工株式会社 液晶表示装置
KR100375732B1 (ko) * 1997-11-25 2004-10-14 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정표시장치
NO308019B1 (no) * 1998-11-27 2000-07-03 Ericsson Telefon Ab L M FremgangsmÕte for Õ utvide bruken av SIP (Session Initiation Protocol)
JP3816270B2 (ja) * 1999-07-07 2006-08-30 株式会社日立製作所 液晶表示装置
TW460731B (en) * 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
US6681252B1 (en) * 1999-09-27 2004-01-20 3Com Corporation System and method for interconnecting portable information devices through a network based telecommunication system
US6434143B1 (en) * 1999-11-08 2002-08-13 Mci Worldcom, Inc. Internet protocol telephony voice/video message deposit and retrieval
KR100671509B1 (ko) * 2000-06-01 2007-01-19 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 프린지 필드 구동 액정표시장치
JP4831716B2 (ja) * 2001-03-15 2011-12-07 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示装置
US7289522B2 (en) * 2001-03-20 2007-10-30 Verizon Business Global Llc Shared dedicated access line (DAL) gateway routing discrimination
US20030112804A1 (en) * 2001-12-19 2003-06-19 Jouni Kamarainen Method, system and architecture for service broadcasting over orthogonal frequency division multiplexing using an internet protocol cellular network & session initiated protocol
US6704396B2 (en) * 2002-02-27 2004-03-09 Sbc Technology Resources, Inc. Multi-modal communications method
US7792973B2 (en) * 2002-03-12 2010-09-07 Verizon Business Global Llc Systems and methods for initiating announcements in a SIP telecommunications network
JP2003295207A (ja) * 2002-03-29 2003-10-15 Nec Lcd Technologies Ltd 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置
US7324443B2 (en) * 2002-06-17 2008-01-29 Lucent Technologies Inc. Binary protocol for session initiation in a wireless communications system
US20040037406A1 (en) * 2002-08-26 2004-02-26 Christophe Gourraud Method and system for exchanging instant messages in a multi-party conference call
US6785374B2 (en) * 2002-09-30 2004-08-31 Guanglu Wang Method and apparatus for providing transaction capabilities application part information in a session initiation protocol system
KR100475186B1 (ko) * 2002-12-02 2005-03-10 삼성전자주식회사 접속 설정 프로토콜을 이용한 단말 장치의 등록 방법
US7533160B2 (en) * 2003-02-18 2009-05-12 Qualcomm Incorporated Provisioning server information in a mobile station
GB2400273A (en) * 2003-04-05 2004-10-06 Hewlett Packard Development Co Managing use of services in wireless networks
TW584908B (en) * 2003-04-15 2004-04-21 Hannstar Display Corp Method of manufacturing IPS-LCD by using 4-mask process
JP4142019B2 (ja) * 2004-01-20 2008-08-27 シャープ株式会社 表示素子および表示装置
JP2007086205A (ja) * 2005-09-20 2007-04-05 Sharp Corp 表示パネルおよび表示装置
JP2007219370A (ja) * 2006-02-20 2007-08-30 Epson Imaging Devices Corp 液晶表示装置
JP2008129324A (ja) * 2006-11-21 2008-06-05 Toppan Printing Co Ltd カラーフィルタ及び液晶表示装置
JP2008129405A (ja) * 2006-11-22 2008-06-05 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 液晶表示装置
JP5008026B2 (ja) * 2007-01-30 2012-08-22 ソニーモバイルディスプレイ株式会社 入力機能付表示装置
JP5051690B2 (ja) * 2007-01-30 2012-10-17 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 入力機能付表示装置
JP2009053414A (ja) * 2007-08-27 2009-03-12 Mitsubishi Electric Corp 液晶表示パネルおよび液晶表示装置
JP5301251B2 (ja) * 2008-11-27 2013-09-25 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 液晶表示装置
JP2011099880A (ja) * 2009-11-03 2011-05-19 Sony Corp 液晶表示装置の製造方法

Cited By (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102314013A (zh) * 2010-06-30 2012-01-11 上海天马微电子有限公司 液晶显示面板及其制造方法
CN102314013B (zh) * 2010-06-30 2015-08-12 上海天马微电子有限公司 液晶显示面板及其制造方法
US9348183B2 (en) 2011-03-30 2016-05-24 Boe Technology Group Co., Ltd. Thin film transistor liquid crystal display panel and color filter substrate
CN102629008A (zh) * 2011-03-30 2012-08-08 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管液晶显示面板及其制作方法
CN102629008B (zh) * 2011-03-30 2014-08-27 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管液晶显示面板及其制作方法
CN102270645A (zh) * 2011-06-13 2011-12-07 友达光电股份有限公司 显示装置及其制造方法
CN102270645B (zh) * 2011-06-13 2013-01-30 友达光电股份有限公司 显示装置及其制造方法
CN102866530A (zh) * 2011-08-02 2013-01-09 华映视讯（吴江）有限公司 液晶显示装置及滤光基板
CN102253529A (zh) * 2011-08-02 2011-11-23 华映视讯（吴江）有限公司 液晶显示装置及滤光基板
CN102866530B (zh) * 2011-08-02 2014-12-31 华映视讯（吴江）有限公司 液晶显示装置及滤光基板
CN103217821A (zh) * 2012-01-19 2013-07-24 瀚宇彩晶股份有限公司 显示装置及其制造方法
CN103217821B (zh) * 2012-01-19 2016-08-31 瀚宇彩晶股份有限公司 显示装置及其制造方法
US9170448B2 (en) 2012-01-19 2015-10-27 Hannstar Display Corp. Display apparatus
CN103217817A (zh) * 2012-01-20 2013-07-24 群康科技(深圳)有限公司 内嵌式触控显示器
TWI567446B (zh) * 2012-01-20 2017-01-21 群康科技(深圳)有限公司 內嵌式觸控顯示器
CN102929033A (zh) * 2012-11-09 2013-02-13 京东方科技集团股份有限公司 一种彩膜基板、阵列基板、显示面板及显示装置
US9977291B2 (en) 2012-11-09 2018-05-22 Boe Technology Group Co., Ltd. Color filter substrate, array substrate, display panel including color filter substrate and array substrate and display device including display panel
CN103293751A (zh) * 2012-12-26 2013-09-11 上海中航光电子有限公司 一种液晶显示器的彩膜基板及其制造方法
CN103293751B (zh) * 2012-12-26 2015-12-09 上海中航光电子有限公司 一种液晶显示器的彩膜基板及其制造方法
CN103926749A (zh) * 2013-06-28 2014-07-16 上海天马微电子有限公司 一种液晶盒及其制造方法
WO2015067022A1 (zh) * 2013-11-11 2015-05-14 京东方科技集团股份有限公司 Tft液晶显示面板及其制备方法、以及tft显示器件
US9753328B2 (en) 2013-11-11 2017-09-05 Boe Technology Group Co., Ltd. TFT-LCD panel, method for preparing the same and TFT display device
CN103984164A (zh) * 2014-05-06 2014-08-13 昆山龙腾光电有限公司 液晶显示装置
CN103984164B (zh) * 2014-05-06 2017-06-16 昆山龙腾光电有限公司 液晶显示装置
CN104166282A (zh) * 2014-08-18 2014-11-26 昆山龙腾光电有限公司 液晶显示装置
CN104360532A (zh) * 2014-12-02 2015-02-18 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板及其制作方法、液晶面板及显示装置
CN108874237A (zh) * 2015-06-30 2018-11-23 上海天马微电子有限公司 触控显示面板
CN105204208A (zh) * 2015-10-13 2015-12-30 武汉华星光电技术有限公司 触控面板及其制造方法
CN106932971A (zh) * 2015-12-18 2017-07-07 株式会社日本显示器 显示装置
CN106932971B (zh) * 2015-12-18 2020-10-09 株式会社日本显示器 显示装置
US10330973B2 (en) 2016-01-04 2019-06-25 Boe Technology Group Co., Ltd. Color filter substrate, display panel and display device
CN105607332A (zh) * 2016-01-04 2016-05-25 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板、显示面板和显示装置
US10359548B2 (en) 2016-02-18 2019-07-23 Wuhan China Star Optoelectronics Technolog Co., Ltd Color filter substrate and method for manufacturing the same
CN105549258A (zh) * 2016-02-18 2016-05-04 武汉华星光电技术有限公司 彩膜基板及其制造方法
CN105549258B (zh) * 2016-02-18 2019-02-01 武汉华星光电技术有限公司 彩膜基板及其制造方法
CN105974617A (zh) * 2016-05-05 2016-09-28 京东方科技集团股份有限公司 一种基板及其制作方法
CN107526221A (zh) * 2016-06-22 2017-12-29 三星显示有限公司 防止静电流动的显示装置
US11410596B2 (en) 2016-06-22 2022-08-09 Samsung Display Co., Ltd. Display device preventing a flow of static electricity
CN106896596A (zh) * 2017-03-22 2017-06-27 惠州市德赛西威汽车电子股份有限公司 一种低反射率的ips面板
CN107272252A (zh) * 2017-08-11 2017-10-20 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN107490904A (zh) * 2017-08-25 2017-12-19 惠科股份有限公司 液晶显示面板和液晶显示装置
CN110275333A (zh) * 2018-03-14 2019-09-24 群创光电股份有限公司 显示设备以及其制造方法
CN108710242A (zh) * 2018-05-21 2018-10-26 惠科股份有限公司 一种显示面板和显示装置
CN109031810A (zh) * 2018-07-13 2018-12-18 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种液晶显示面板
CN111722441A (zh) * 2019-03-21 2020-09-29 三星显示有限公司 显示面板
CN113841194A (zh) * 2019-05-23 2021-12-24 株式会社日本显示器 显示装置以及显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011013655A (ja) 2011-01-20
KR101104491B1 (ko) 2012-01-12
KR20100036946A (ko) 2010-04-08
US8310609B2 (en) 2012-11-13
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