JP2007011351A - 漏洩電流を減少させる液晶表示素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係る液晶表示素子においては、第1及び第2基板と、前記第1基板上に第1方向に配列された複数のゲートライン104と、前記ゲートラインと連結されたゲート電極と、前記ゲートラインと垂直に交差して複数の画素を定義する複数のデータライン106と、前記ゲート電極上に形成され、前記データラインと所定間隔離隔されたソース電極105a及びドレイン電極105bと、前記画素領域に形成され、前記ドレイン電極と電気的に連結された画素電極110と、前記データラインとソース電極を電気的に連結する連結パターン110aと、前記ゲート電極とソース/ドレイン電極の間に介在する半導体層108と、前記第1及び第2基板の間に形成された液晶層と、を含むことを特徴とする。
【選択図】図1A
Description
図面に示されたように、本発明の第1実施形態に係る液晶表示素子100は、透明な基板120上に第1方向に配列された複数のゲートライン104と、これらゲートライン104と垂直に配列されて複数の画素(P)を定義する複数のデータライン106と、前記ゲートライン104とデータライン106の交差領域に形成された薄膜トランジスタ(TFT)と、を含む。この時、前記薄膜トランジスタ(TFT)は、ゲートラインから引出されたゲート電極103と、該ゲート電極103上に形成された前記データライン106の下部に形成された半導体パターン108aと離隔されて形成された半導体層108と、前記ゲート電極103と対応する半導体層108上に形成されたソース電極及びドレイン電極105a、105bと、を含む。
105b、205b、305b:ドレイン電極
106、206、306:データライン
108、208、308:半導体層
108a、208a、308a:半導体パターン
110a、210a、310a:連結パターン
Claims (19)
- 第1及び第2基板と、
前記第1基板上に第1方向に配列された複数のゲートラインと、
前記ゲートラインと連結されたゲート電極と、
前記ゲートラインと垂直に交差して複数の画素を定義する複数のデータラインと、
前記ゲート電極上に形成され、前記データラインと所定間隔離隔されたソース電極及びドレイン電極と、
前記画素領域に形成され、前記ドレイン電極と電気的に連結された画素電極と、
前記データラインとソース電極を電気的に連結する連結パターンと、
前記ゲート電極とソース/ドレイン電極の間に介在する半導体層と、
前記第1及び第2基板の間に形成された液晶層と、を含むことを特徴とする液晶表示素子。 - 前記データラインと対応する領域に半導体パターンが形成されることを特徴とする請求項1記載の液晶表示素子。
- 前記ゲート電極と半導体層の間に形成されたゲート絶縁膜を更に含むことを特徴とする請求項1記載の液晶表示素子。
- 前記ソース電極は、U字状であることを特徴とする請求項1記載の液晶表示素子。
- 前記連結パターンは、コンタクトホールによりデータライン及びソース電極を電気的に連結することを特徴とする請求項1記載の液晶表示素子。
- 前記ドレイン電極は、ドレインコンタクトホールを通して画素電極と電気的に接続されることを特徴とする請求項5記載の液晶表示素子。
- 前記データライン及びソース/ドレイン電極を含む基板の全面に保護膜が形成されることを特徴とする請求項5記載の液晶表示素子。
- 前記連結パターンの一方側が前記データラインの側部と接触し、その他方側が前記ソース電極の側部と接触することを特徴とする請求項1記載の液晶表示素子。
- 前記画素電極の一方側が前記ドレイン電極の側部と接触することを特徴とする請求項8記載の液晶表示素子。
- 前記ソース電極とドレイン電極の離隔領域に保護膜が形成されることを特徴とする請求項8記載の液晶表示素子。
- 前記保護膜は、SiOxで形成されることを特徴とする請求項8記載の液晶表示素子。
- 前記データライン、連結パターン及びソース/ドレイン電極を含む基板の全面に保護膜が形成されることを特徴とする請求項8記載の液晶表示素子。
- 第1基板及び第2基板を準備する段階と、
前記第1基板上に第1方向に配列される複数のゲートライン及びゲート電極を形成する段階と、
前記ゲートラインと垂直に交差して複数の画素領域を定義する複数のデータラインと、
これらデータラインと所定間隔離隔されたソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、
前記画素領域に前記ドレイン電極と電気的に連結された画素電極と前記データラインとソース電極を電気的に連結する連結パターンを形成する段階と、
前記第1基板と第2基板の間に液晶層を形成する段階と、を含むことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。 - 前記ゲート電極とソース/ドレイン電極の間に半導体層を形成する段階と、
前記ゲート電極と半導体層の間にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ソース/ドレイン電極を含む基板の全面に保護膜を形成する段階と、を更に含むことを特徴とする請求項13記載の液晶表示素子の製造方法。 - 前記保護膜上に前記データラインとソース電極を電気的に連結するコンタクトホールを形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項14記載の液晶表示素子の製造方法。
- 第1基板及び第2基板を準備する段階と、
前記第1基板上に第1方向に配列される複数のゲートライン及びゲート電極を形成する段階と、
前記第1基板上に画素電極及び連結パターンを形成する段階と、
前記第1基板上に前記ゲートラインと垂直に交差して複数の画素領域を定義する複数のデータラインと、これらデータラインと所定間隔離隔され、前記連結パターンを通じて前記データラインと接触するソース電極及び前記画素電極と接触するドレイン電極を形成する段階と、
前記第1基板と第2基板の間に液晶層を形成する段階と、を含むことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。 - 前記ゲート電極とソース/ドレイン電極の間に半導体層を形成する段階と、
前記ゲート電極と半導体層上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ソース電極とドレイン電極の間の離隔領域に露出された半導体層上に保護膜を形成する段階と、を更に含むことを特徴とする請求項16記載の液晶表示素子の製造方法。 - 前記保護膜は、O2プラズマ処理を通じて形成されることを特徴とする請求項17記載の液晶表示素子の製造方法。
- 前記ゲート電極とソース/ドレイン電極の間に半導体層を形成する段階と、
前記ゲート電極と半導体層上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ソース電極とドレイン電極上に保護膜を形成する段階と、を更に含むことを特徴とする請求項16記載の液晶表示素子の製造方法。
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