DE69633378T2 - Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE69633378T2
DE69633378T2 DE69633378T DE69633378T DE69633378T2 DE 69633378 T2 DE69633378 T2 DE 69633378T2 DE 69633378 T DE69633378 T DE 69633378T DE 69633378 T DE69633378 T DE 69633378T DE 69633378 T2 DE69633378 T2 DE 69633378T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
film
metal film
electrode
liquid crystal
forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69633378T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69633378D1 (de
Inventor
Young-chan Youngdeungpo-gu Kweon
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=26631545&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=DE69633378(T2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of DE69633378D1 publication Critical patent/DE69633378D1/de
Publication of DE69633378T2 publication Critical patent/DE69633378T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13458—Terminal pads
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
    • H01L29/4908—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
    • H01L29/6675—Amorphous silicon or polysilicon transistors
    • H01L29/66765—Lateral single gate single channel transistors with inverted structure, i.e. the channel layer is formed after the gate

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

  • Hintergrund der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung und insbesondere ein Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit einem Dünnfilmtransistor als aktive Vorrichtung, bei der es möglich ist, die Anzahl der Fotolithografieprozesse zu reduzieren.
  • Die Flüssigkristallanzeigevorrichtung LCD (liquid crystal display) ist derzeit die am meisten verbreitet verwendete Flachbettanzeigevorrichtung. Andere Vorrichtungen, die entwickelt werden und schnell populär werden, beinhalten Plasmaanzeigevorrichtungen (PDP, plasma display panel) und Elektrolumineszenzvorrichtungen (EL), die Feldemissionsanzeige (FED, field emission display) und eine Reflexdeformationsspiegelvorrichtung (DMD, deformable mirror device), die die Bewegung eines Spiegels steuert.
  • Die LCD verwendet eine optische Eigenschaft von Flüssigkristallmolekülen, bei der sich deren Anordnung gemäß einem elektrischen Feld verändert und eine Halbleitertechnologie, die kleine Muster bildet. Ein Dünnfilmtransistor LCD (nachfolgend als TFT-LCD, thin film transistor LCD, bezeichnet), der den Dünnfilmtransistor als aktive Vorrichtung verwendet, besitzt den Vorteil, dass er bei einer niedrigen Spannung betrieben wird, einen geringen Energieverbrauch aufweist, dünn und leichtgewichtig ist.
  • Da der Dünnfilmtransistor (TFT) viel dünner ist als ein allgemeiner Transistor, ist sein Herstellungsprozess viel komplizierter als der eines allgemeinen Transistors, daher ist die Produktion zeitaufwändig und die Kosten sind hoch. Insbesondere da in jedem Herstellungsschritt eine Maske verwendet wird, sind mindestens sieben Masken erforderlich. Deshalb wurden verschiedene Methoden zur Erhöhung der Produktivität von TFT und zum Senken der Herstellungskosten untersucht. Das heißt, es wird viel Forschung zu Verfahren zur Reduzierung der Anzahl der beim Herstellungsprozess von TFT verwendeten Masken durchgeführt.
  • Ein Verfahren zur Herstellung von LCD nach einem herkömmlichen Verfahren ist in US-Patent Nr. 5,054,887 beschrieben. Das Verfahren wird mit Bezug zu den 1 bis 5 beschreiben, die Schnittansichten zeigen, in denen die Abschnitte A und B einen TFT-Bereich bzw. einen Gatepadverbindungsbereich bezeichnen.
  • Mit Bezug zu 1 werden nach Ausbilden eines ersten Metallfilms unter Verwendung von reinem Al auf einem transparenten Substrat 2, Gatemuster 4 und 4a durch Ausführen einer ersten Fotolithografie auf dem ersten Metallfilm ausgebildet. Die Gatemuster werden als Gateelektrode 4 im TFT-Bereich und als Gatepad 4a im Gatepadverbindungsbereich verwendet.
  • Mit Bezug zu 2 wird nach Ausbilden eines Fotoresistmusters (nicht gezeigt), das einen Teil des Gatepadverbindungsbereichs bedeckt, durch Ausführen einer allgemeinen Fotolithografie ein anodisierter Film 6 durch Oxidieren des ersten Metallfilms unter Verwendung des Fotoresistmusters als Antioxidationsfilm ausgebildet. Zu diesem Zeitpunkt wird der anodisierte Film 6 auf der gesamten Fläche der Gateelektrode 4 ausgebildet, die im TFT-Bereich ausgebildet ist und auf einem Teil des Gatepads 4a, das im Gatepadverbindungsbereich gelegen ist.
  • Mit Bezug zu 3 wird ein Isolierfilm 8 zum Beispiel durch Abscheiden eines Nitridfilms auf der gesamten Fläche des Substrats 2 mit dem anodisierten Film ausgebildet. Dann wird ein Siliciumfilm ausgebildet durch nacheinander Abscheiden eines amorphen Siliciumfilms 10 und eines dotierten amorphen Siliciumfilms 12 auf der gesamten Fläche des Substrats 2, auf dem der Isolierfilm 8 ausgebildet ist, ein Halbleiterfilmmuster 10 + 12 zur Verwendung als aktive Region wird im TFT-Bereich durch Ausführen einer dritten Fotolithografie auf dem Halbleiterfilm ausgebildet.
  • Mit Bezug zu 4 wird ein Fotoresistmuster (nicht gezeigt) gebildet, das einen Teil des im Gatepadverbindungsbereich ausgebildeten Gatepads 4a freilegt, durch Ausführen einer vierten Fotolithografie auf der gesamten Fläche des Substrats 2, auf dem das Halbleiterfilmmuster ausgebildet ist. Dann wird ein Kontaktdurchtritt, der einen Teil des Gatepads 4a freilegt, durch Ätzen des Isolierfilms 8 unter Verwendung des Fotoresistmusters als Maske ausgebildet. Dann werden eine Sourceelektrode 14a und eine Drainelektrode 14b im TFT-Bereich durch Abscheiden zum Beispiel von Cr auf der gesamten Fläche des Substrats, auf dem der Kontaktdurchtritt ausgebildet ist, und Durchführen einer fünften Fotolithografie auf dem Cr-Film ausgebildet. Im Gatepadverbindungsbereich wird eine mit dem Gatepad 4a verbundene Padelektrode 14c durch den Kontaktdurchtritt ausgebildet. Zu diesem Zeitpunkt wird ein Teil des dotierten amorphen Siliciumfilms 12 geätzt, so dass ein Teil des amorphen Siliciumfilms 10 auf dem oberen Teil der Gateelektrode freigelegt wird.
  • Mit Bezug zu 5 wird ein Passivierungsfilm 16 ausgebildet durch Abscheiden von zum Beispiel einem Oxidfilm auf der gesamten Fläche des Substrats 2, auf dem die Sourceelektrode 14a, die Drainelektrode 14b und die Padelektrode 14c ausgebildet sind. Dann wird der Kontaktdurchtritt, der einen Teil der Drainelektrode 14b des TFT-Bereichs und einen Teil der Padelektrode 14c des Gatepadverbindungsbereichs freilegt, durch Ausführen einer sechsten Fotolithografie auf dem Passivierungsfilm ausgebildet.
  • Dann werden Pixelelektroden 18 und 18a durch Abscheiden von Indiumzinnoxid ITO (indium tin oxide), das ein transparentes leitfähiges Material ist, auf der gesamten Fläche des Substrats, auf dem der Kontaktdurchtritt ausgebildet ist, und Durchführen einer siebten Fotolithografie auf dem ITO-Film ausgebildet. Als Folge davon sind die Drainelektrode 14b und die Pixelelektrode 18 im TFT-Bereich verbunden und die Padelektrode 14c und die Pixelelektrode 18a sind im Gatepadverbindungsbereich verbunden.
  • Gemäß dem herkömmlichen Verfahren zur Herstellung von LCD wird reines Al als Gateelektrodenmaterial zur Senkung des Widerstands einer Gateleitung verwendet. Deshalb ist ein Anodisierungsprozess erforderlich, um eine durch das Al bedingte Anhäufung zu vermeiden, was den Herstellungsprozess verkompliziert, die Produktivität reduziert und die Herstellungskosten erhöht.
  • EP 544069 beschreibt einen Dünnfilmtransistor und Gatepads. Es werden eine Gateleitung z. B. aus Indiumzinnoxid und Aluminiumschicht gebildet.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein effizienteres Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung zur Verfügung zu stellen, bei dem die Herstellungskosten reduziert sind, indem die Anzahl der Fotolithografieprozesse reduziert ist.
  • Zum Lösen dieser Aufgabe wird ein Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung zur Verfügung gestellt, wobei das Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung die Schritte umfasst: Abscheiden eines ersten Metallfilms auf einem Substrat und eines zweiten Metallfilms auf dem ersten Metallfilm und Ausbilden einer Gateelektrode in einem Dünnfilmtransistorbereich bzw. eines Gatepads in einem Gatepadverbindungsbereich durch einen ersten Fotolithografieprozess; Ausbilden eines Isolierfilms auf der gesamten Fläche des Substrats, auf dem die Gateelektrode und das Gatepad ausgebildet sind; Ausbilden eines Halbleiterfilmmusters auf dem Isolierfilm im Dünnfilmtransistorbereich durch einen zweiten Fotolithografieprozess; Ausbilden einer Sourceelektrode, einer Drainelektrode und einer Padelektrode gebildet aus einem dritten Metallfilm unter Verwendung eines dritten Fotolithografieprozesses in einem Dünnfilmtransistorbereich bzw. Padelektrodenbereich; Ausbilden eines Passivierungsfilmmusters, das einen Teil der Drainelektrode, einen Teil des Gatepads und einen Teil der Padelektrode freilegt, durch einen vierten Fotolithografieprozess; Freilegen des ersten Metallfilms durch Ätzen des zweiten Metallfilms, der das Gatepad bildet unter Verwendung des Passivierungsfilmmusters als Maske; und Ausbilden einer Pixelelektrode mit einem ersten Teil, der mit der Drainelektrode im Dünnfilmtransistorbereich verbunden ist, und einem separaten zweiten Teil, der das Gatepad im Gatepadverbindungsbereich mit der Padelektrode im Padelektrodenbereich verbindet, unter Verwendung eines fünften Fotolithografieprozesses.
  • Der erste Metallfilm kann aus einem hitzebeständigen Metall ausgebildet sein, d. h. einem ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Cr, Ta, Mo und Ti, und der zweite Metallfilm kann aus Al oder einer Al-Legierung gebildet sein.
  • Der dritte Metallfilm kann aus einem ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Cr, Ta, Mo und Ti gebildet sein.
  • Es wird auf dem zweiten Metallfilm ein Schrägätzen durchgeführt und dann wird ein Ätzen des ersten Metallfilms durchgeführt, so dass der erste Metallfilm breiter als der zweite Metallfilm ausgebildet ist.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung ist es möglich, die Anzahl der Fotolithografieprozesse reduzieren, indem die Gateelektrode in einer Doppelstruktur aus einem hitzebeständigen Metallfilm und einem auf dem oberen Teil des hitzebeständigen Metallfilms ausgebildeten Al-Film ausgebildet wird, was auf diese Weise die Herstellungskosten streng reduziert und die Produktionsausbeute verbessert. Es ist auch möglich, die Entwicklung einer Anhäufung des Al-Films aufgrund einer Spannungsrelaxation des hitzebeständigen Metallfilms zu unterdrücken und den Kontaktwiderstand zwischen einer Pixelelektrode, die in einem folgenden Prozess ausgebildet wird, und einem Al-Film durch Ätzen des Al-Films, der die Gateelektrode bildet, vor dem Ausbilden der Pixelelektrode, zu reduzieren.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Die obige Aufgabe und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden besser ersichtlich aus einer ausführlichen Beschreibung einer bevorzugten Ausführungsform mit Bezug zu den begleitenden Zeichnungen, in denen:
  • 1 bis 5 Schnittansichten zur Erläuterung des Verfahrens zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach einem herkömmlichen Verfahren sind;
  • 6 eine schematische Draufsicht zur Erläuterung der bei der Herstellung einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung gemäß dem Verfahren der vorliegenden Erfindung verwendeten Maskenmuster ist;
  • 7 bis 12 Schnittansichten zur Erläuterung eines Verfahrens zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung sind; und
  • 13 bis 16 Schnittansichten zur Erläuterung eines anderen Verfahrens zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung sind.
  • Ausführliche Beschreibung der Erfindung
  • 6 ist eine schematische Draufsicht zur Erläuterung der Maskenmuster, die bei der Herstellung einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung gemäß dem Verfahren der vorliegenden Erfindung verwendet werden, in der das Bezugszeichen 100 ein Maskenmuster zur Ausbildung einer Gateleitung bezeichnet, Bezugszeichen 105 ein Maskenmuster zur Ausbildung eines Gatepads bezeichnet, Bezugszeichen 110 ein Maskenmuster zur Ausbildung einer Datenleitung bezeichnet, Bezugszeichen 120 ein Maskenmuster zur Ausbildung eines Halbleiterfilms bezeichnet, Bezugszeichen 130 ein Maskenmuster zur Ausbildung einer Sourceelektrode/Drainelektrode bezeichnet, Bezugszeichen 140 ein Maskenmuster zur Ausbildung eines Kontaktdurchtritts zum Verbinden einer Pixelelektrode eines TFT-Bereichs mit der Drainelektrode des TFT-Bereichs bezeichnet, Bezugszeichen 145 ein Maskenmuster zur Ausbildung eines Gates und eines Gatepadverbindungsbereichs bezeichnet, Bezugszeichen 150 ein Maskenmuster zur Ausbildung der Pixelelektrode des TFT-Bereichs bezeichnet und Bezugszeichen 155 ein Maskenmuster zur Ausbildung der Pixelelektrode des Gatepadverbindungsbereichs bezeichnet.
  • Mit Bezug zu 6 ist die Gateleitung 100 horizontal angeordnet, die Datenleitung 110 ist vertikal angeordnet, die Datenleitung 110 ist in einem Matrixmuster senkrecht zur Gateleitung 100 angeordnet, das Gatepad 105 ist am Endteil der Gateleitung 100 vorgesehen und das Datenpad 115 ist am Endteil der Datenleitung 110 vorgesehen. Es sind entsprechende Pixelregionen im Matrixmuster in dem Bereich angeordnet, der von den beiden benachbarten Gateleitungen und der Datenleitung begrenzt wird. Die Gateelektroden der entsprechenden TFTs sind so ausgebildet, dass sie sich von den entsprechenden Gateleitungen zu den Pixelregionen erstrecken. Der Halbleiterfilm 120 ist zwischen den Drainelektroden der entsprechenden TFTs und den Gateelektroden der entsprechenden TFTs ausgebildet. Die Sourceelektroden der TFTs sind so ausgebildet, das sie hervorstehen. Die aus transparentem ITO gebildeten Pixelelektroden 150 sind in den entsprechenden Pixelregionen ausgebildet.
  • Die 7 bis 12 sind Schnittansichten zur Erläuterung eines Verfahrens zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeige gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Das Bezugszeichen C bezeichnet den TFT-Bereich in einer Schnittansicht entlang I-I' von 6. Die Bezugszeichen D und E bezeichnen den Gatepadverbindungsbereich und den Padbereich in einer Schnittansicht entlang II-II' von 6.
  • 7 zeigt die Schritte zur Ausbildung einer Gateleektrode. Nach Ausbilden eines ersten Metallfilms 31 durch Abscheiden eines 300 Å bis 4000 Å dicken Films aus hitzebeständigem Material aus der Gruppe bestehend aus Cr, Ta, Mo und Ta (bevorzugt Cr) auf einem transparenten Substrat 30, wird ein zweiter Metallfilm 33 durch Abscheiden eines 1000 Å bis 4000 Å dicken Films aus Al oder einer Al-Legierung auf dem ersten Metallfilm 31 ausgebildet. Hier kann der zweite Metallfilm 33 auch aus Al-Nd oder Al-Ta gebildet sein. Dann werden Gateelektroden auf dem TFT-Bereich und dem Gatepadverbindungsbereich durch Ausführen einer ersten Fotolithografie auf dem ersten und zweiten Metallfilm 31 und 33 ausgebildet. Zu diesem Zeitpunkt wird der erste Fotolithografieprozess durch abtragendes Ätzen des zweiten Metallfilms 33 und dann des ersten Metallfilms 31 durchgeführt. Auf diese Weise wird die Breite des ersten Metallfilms 31 so ausgebildet, dass er breiter ist als der zweite Metallfilm 33.
  • Es ist möglich, die Bildung einer Al-Anhäufung, die durch Unterschiede in der thermischen Expansion zwischen dem Al-Film oder dem Al-Legierungsfilm und dem Substrat bedingt ist, durch Ausbilden eines Films aus hitzebeständigem Metall im unteren Teil des Al-Films oder Al-Legierungsfilms zu verhindern. Es ist auch möglich, das abtragende Ätzen unter Verwendung des Unterschiedes im Ätzgrad zwischen dem Al-Film oder dem Al-Legierungsfilm und dem Substrat durchzuführen, obwohl ein herkömmliches Ätzverfahren angewendet wird. Deshalb wird bevorzugt eine Stufenbedeckung durchgeführt, wenn ein folgendes Material nach Ausbilden der Gateelektrode abgeschieden wird.
  • 8 zeigt die Schritte zum Ausbilden eines Halbleiterfilmmusters. Ein Isolierfilm 35 wird durch Abscheiden eines Nitridfilms oder eines Oxidfilms, zum Beispiel, auf der gesamten Oberfläche des Substrats 30, auf der die Gateelektrode ausgebildet wird, ausgebildet. Dann wird ein Halbleiterfilm durch Abscheiden eines amorphen Siliciumfilms 37 und eines dotierten amorphen Siliciumfilms 39 auf der gesamten Fläche des Substrats 30, auf dem die Isolierschicht ausgebildet ist, ausgebildet. Dann wird ein Halbleiterfilmmuster gebildet aus dem amorphen Siliciumfilm 37 und dem dotierten amorphen Siliciumfilm 39 im TFT-Bereich durch Ausführen einer zweiten Fotolithografie auf dem Halbleiterfilm ausgebildet. Der Isolierfilm 35, der amorphe Siliciumfilm 37 und der dotierte amorphe Siliciumfilm 39 werden jeweils in Dicken von 2000–9000 Å, 1000–4000 Å bzw. 300–1000 Å ausgebildet.
  • 9 zeigt die Schritte zum Ausbilden einer Sourceelektrode und einer Drainelektrode. Nach Ausbilden eines dritten Metallfilms durch Abscheiden eines 300–4000 Å dicken Films aus hitzebeständigem Metall wie Cr auf der gesamten Fläche des Substrats, auf dem das Halbleiterfilmmuster ausgebildet ist, werden eine Sourceelektrode 41a und eine Drainelektrode 41b im TFT-Bereich durch Ausführen einer dritten Fotolithografie auf dem dritten Metallfilm ausgebildet und eine Padelektrode 41c wird im Padbereich ausgebildet. Zu diesem Zeitpunkt wird ein Teil des dotierten amorphen Siliciumfilms 39 weggeätzt, was auf diese Weise einen Teil des amorphen Siliciumfilms 37 freilegt.
  • 10 zeigt die Schritte zum Ausbilden eines Passivierungsfilmmusters. Nach Ausbilden eines Passivierungsfilms unter Verwendung, zum Beispiel, eines Nitridfilms auf der gesamten Fläche des Substrats 30, wird ein Passivierungsfilmmuster 43 durch Ausführen einer vierten Fotolithografie auf dem Passivierungsfilm ausgebildet. Zu diesem Zeitpunkt werden ein Teil der Drainelektrode 41b des TFT-Bereichs und ein Teil der Padelektrode 41c des Padbereichs freigelegt. Die im Gatepadverbindungsteil ausgebildete Gateelektrode, nämlich das Passivierungsfilmmuster 43 und der Isolierfilm 35 ausgebildet auf dem zweiten Metallfilm 33 werden gleichzeitig geätzt, was auf diese Weise den zweiten Metallfilm 33 freilegt.
  • 11 zeigt die Schritte zum Ätzen des freigelegten zweiten Metallfilms auf dem Gatepadverbindungsbereich. Der erste Metallfilm 31 wird durch Ätzen des zweiten Metallfilms 33 im Gatepadverbindungsbereich 45 freigelegt und durch das Passivierungsfilmmuster 43 freigelegt. Der Kontaktwiderstand zwischen der Pixelelektrode, die in einem anschließenden Prozess ausgebildet wird, und dem zweiten Metallfilm kann durch diesen Prozess reduziert werden.
  • 12 zeigt die Schritte zum Ausbilden einer Pixelelektrode. Eine Pixelelektrode 47 wird durch Abscheiden eines ITO-Films, der ein transparenter leitfähiger Film ist, auf der gesamten Fläche des Substrats 30, auf dem das Passivierungsfilmmuster ausgebildet ist, und Durchführen einer fünften Fotolithografie auf dem ITO-Film ausgebildet. Als Folge davon sind die Pixelelektrode 47 und die Drainelektrode 41b im TFT-Bereich verbunden und die Gateelektrode des Gatepadverbindungsbereichs und die Padelektrode 41c des Padbereichs sind durch die Pixelelektrode 47 verbunden.
  • Die 13 bis 16 sind Schnittansichten zur Erläuterung eines weiteren Verfahrens zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeige. Bezugszeichen F bezeichnet einen TFT-Bereich in einer Schnittansicht entlang Linie I-I von 6 und Bezugszeichen G stellt einen Padbereich dar in einer Schnittansicht entlang der Linie II-II von 6.
  • 13 zeigt den Schritt zum Ausbilden der Gateelektrode. Nach Ausbilden eines ersten Metallfilms 51 durch Abscheiden eines 300–4000 Å dicken Films aus hitzebeständigem Metall wie Cr, Ta und Ti auf der gesamten Fläche des transparenten Substrats 50 wird ein zweiter Metallfilm 53 durch Abscheiden eines 1000–4000 Å dicken Films aus Al oder Al-Legierung auf dem ersten Metallfilm ausgebildet. Dann werden die Gateelektrode und das Gatepad im TFT-Bereich und der Padbereich durch Ausführen einer ersten Fotolithografie auf dem zweiten und dem ersten Metallfilm 53 und 51 ausgebildet.
  • Die Gateelektrode und das Gatepad werden gleichzeitig unter Verwendung einer Maske ausgebildet. Bei der ersten Fotolithografie wird abtragendes Ätzen auf dem zweiten Metallfilm 53 durchgeführt und dann auf dem ersten Metallfilm 51. Auf diese Weise wird der erste Metallfilm 51 breiter ausgebildet als der zweite Metallfilm 53.
  • 14 zeigt den Schritt zum Ausbilden eines Halbleiterfilmmusters. Ein Halbleiterfilmmuster 57 zur Verwendung als aktiver Bereich wird im TFT-Bereich durch Ausbilden eines Isolierfilms 55 und des Halbleiterfilms auf der gesamten Fläche des Substrats 50 ausgebildet, in dem die Gateelektrode und das Gatepad ausgebildet sind, und eine zweite Fotolithografie wird auf dem Halbleiterfilm durchgeführt. Zu diesem Zeitpunkt wird der Isolierfilm 55 in einer Dicke von 2000–9000 Å unter Verwendung ei nes einzigen Films eines Nitridfilms SiNx oder eines doppelten Films aus einem Nitridfilm SiNx und einem Oxidfilm SiOx ausgebildet, und das Halbleiterfilmmuster 57 wird durch Abscheiden von amorphem Silicium und dotiertem amorphem Silicium ausgebildet.
  • 15 zeigt die Schritte zum Ausbilden einer Sourceelektrode und einer Drainelektrode. Eine Sourceelektrode 61a und eine Drainelektrode 61b werden im TFT-Bereich durch Ausbilden eines drittem Metallfilms durch Abscheiden eines 300–4000 Å dicken Films aus einem hitzebeständigen Metall wie Cr, Ti und Mo auf der gesamten Fläche des Substrats 50, auf dem das Halbleiterfilmmuster 57 ausgebildet ist, und Durchführen einer dritten Fotolithografie auf dem dritten Metallfilm ausgebildet.
  • 16 zeigt die Schritte zum Ausbilden eines Passivierungsfilmmusters und einer Pixelelektrode. Ein Passivierungsfilmmuster 63 wird durch Ausbilden eines Passivierungsfilms durch Abscheiden, zum Beispiel, des Nitridfilms auf der gesamten Fläche des Substrats, in dem die Sourceelektrode und die Drainelektrode ausgebildet sind, und Ausführen einer vierten Fotolithografie auf dem Passivierungsfilm ausgebildet. Bei der vierten Fotolithografie wird ein Teil der Drainelektrode 61b des TFT-Bereichs freigelegt und der Isolierfilm und der Passivierungsfilm im oberen Teil das Gatepads werden gleichzeitig im Padbereich geätzt, was auf diese Weise einen Teil des Gatepads freilegt.
  • Dann wird der erste Metallfilm 51 durch Ätzen des Teils des zweiten Metallfilms 53 freigelegt, der durch das Passivierungsfilmmuster freigelegt ist. Es ist möglich, den Kontaktwiderstand zwischen einer Pixelelektrode, die in einem anschließenden Prozess ausgebildet wird, und dem zweiten Metallfilm durch Ätzen des zweiten Metallfilms zu reduzieren.
  • Dann wird eine Pixelelektrode 65, die mit der Drainelektrode 61b des TFT-Bereichs und mit dem ersten Metallfilm des Padbereichs verbunden ist, durch Abscheiden des ITO-Films ausgebildet.
  • Wie oben angegeben ist es beim Verfahren zur Herstellung der Flüssigkristallanzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung möglich, durch Verwendung von doppelten Gateelektroden die Herstellungskosten zu senken und die Produktionsausbeute zu steigern, daher werden im Vergleich zum Verfahren der herkömmlichen Technik, bei der mindestens sieben Fotolithografieprozesse angewendet werden, mindestens fünf Fotolithografieprozesse angewendet.
  • Ebenso ist es möglich, das Wachstum von Anhäufungen auf dem Al-Film, das durch Spannungsrelaxation des hitzebeständigen Metallfilms bedingt ist, durch Ausbilden der Gateelektrode aus den Doppelfilmen des hitzebeständigen Metallfilms und des Al-Films oder Al-Legierungsfilms, der auf dem hitzebeständigen Metallfilm ausgebildet ist, zu unterdrücken.
  • Ebenso ist es wie in 16 gezeigt möglich, den Kontaktwiderstand zwischen der Pixelelektrode, die in einem anschließenden Prozess gebildet wird, und dem Al-Film durch Ätzen des Al-Films oder Al-Legierungsfilms vor dem Ausbilden der Pixelelektrode im Padbereich zu reduzieren.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die obigen Ausführungsformen beschränkt und es versteht sich für einen Fachmann, dass viele Variationen im Rahmen der vorliegenden Erfindung, wie sie in den Ansprüchen definiert ist, möglich sein können.

Claims (8)

  1. Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung umfassend die Schritte: Abscheiden eines ersten Metallfilms (31, 51) auf einem Substrat (30, 50) und eines zweiten Metallfilms (33, 53) auf dem ersten Metallfilm (31, 51) und Ausbilden einer Gateelektrode in einem Dünnfilmtransistorbereich bzw. eines Gatepads in einem Gatepadverbindungsbereich durch einen ersten Fotolithografieprozess; Ausbilden eines Isolierfilms (35, 55) auf der gesamten Fläche des Substrats (30, 50), auf dem die Gatelektrode und das Gatepad ausgebildet sind; Ausbilden eines Halbleiterfilmmusters (37, 39, 57) auf dem Isolierfilm im Dünnfilmtransistorbereich durch einen zweiten Fotolithografieprozess; Ausbilden einer Sourceelektrode, einer Drainelektrode (41a, 41b, 61a, 61b) und einer Padelektrode (41c, 61c) gebildet aus einem dritten Metallfilm (41, 61) unter Verwendung eines dritten Fotolithografieprozesses in einem Dünnfilmtransistorbereich bzw. Padelektrodenbereich; Ausbilden eines Passivierungsfilmmusters (43, 63), das einen Teil der Drainelektrode (41b, 61b), einen Teil des Gatepads und einen Teil der Padelektrode (41c, 61c) freilegt, durch einen vierten Fotolithografieprozess; Freilegen des ersten Metallfilms (31, 51) durch Ätzen des zweiten Metallfilms (33, 53), der das Gatepad bildet unter Verwendung des Passivierungsfilmmusters (43, 63) als Maske; und Ausbilden einer Pixelelektrode (47, 65) mit einem ersten Teil, der mit der Drainelektrode im Dünnfilmtransistorbereich verbunden ist, und einem separaten zweiten Teil, der das Gatepad im Gatepadverbindungsbereich mit der Padelektrode (41c) im Padelektrodenbereich verbindet, unter Verwendung eines fünften Fotolithografieprozesses.
  2. Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 1, worin der Schritt zum Freilegen des ersten Metallfilms (31) durch Ätzen eines Teils des zweiten Metallfilms durchgeführt wird.
  3. Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 2, worin der erste Metallfilm ein hitzebeständiges Metall umfasst.
  4. Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 3, worin der erste Metallfilm ein Material ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Cr, Ta, Mo und Ti umfasst.
  5. Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, worin der zweite Metallfilm Al oder eine Al-Legierung umfasst.
  6. Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, worin der dritte Metallfilm ein Material ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Cr, Ta, Mo und Ti umfasst.
  7. Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, worin im ersten Fotolithografieprozess ein Schrägätzen auf dem zweiten Metallfilm durchgeführt wird und dann ein Ätzen des ersten Metallfilms durchgeführt wird.
  8. Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, worin der erste Metallfilm breiter ist als der zweite Metallfilm.
DE69633378T 1995-12-28 1996-12-10 Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung Expired - Lifetime DE69633378T2 (de)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR9562170 1995-12-28
KR19950062170 1995-12-28
KR1019960018516A KR100190041B1 (ko) 1995-12-28 1996-05-29 액정표시장치의 제조방법
KR9618516 1996-05-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69633378D1 DE69633378D1 (de) 2004-10-21
DE69633378T2 true DE69633378T2 (de) 2005-09-22

Family

ID=26631545

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69633378T Expired - Lifetime DE69633378T2 (de) 1995-12-28 1996-12-10 Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung

Country Status (6)

Country Link
US (2) US5811318A (de)
EP (2) EP1380880A1 (de)
JP (3) JP3830593B2 (de)
KR (1) KR100190041B1 (de)
DE (1) DE69633378T2 (de)
TW (1) TW387998B (de)

Families Citing this family (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3009438B2 (ja) * 1989-08-14 2000-02-14 株式会社日立製作所 液晶表示装置
EP0775931B1 (de) 1995-11-21 2005-10-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristall-Anzeige
KR100190041B1 (ko) * 1995-12-28 1999-06-01 윤종용 액정표시장치의 제조방법
TW418432B (en) * 1996-12-18 2001-01-11 Nippon Electric Co Manufacturing method of thin film transistor array
US6949417B1 (en) * 1997-03-05 2005-09-27 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display and method of manufacturing the same
JP3883641B2 (ja) * 1997-03-27 2007-02-21 株式会社半導体エネルギー研究所 コンタクト構造およびアクティブマトリクス型表示装置
KR100244447B1 (ko) * 1997-04-03 2000-02-01 구본준 액정 표시 장치 및 그 액정 표시 장치의 제조 방법
US6011605A (en) * 1997-08-04 2000-01-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Liquid crystal display with a metallic reflecting electrode having a two layer film of Ti and Al alloy
JPH11101986A (ja) * 1997-09-26 1999-04-13 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置及び表示装置用大基板
JPH11233784A (ja) * 1998-02-17 1999-08-27 Matsushita Electron Corp 薄膜トランジスタの製造方法
KR100276442B1 (ko) * 1998-02-20 2000-12-15 구본준 액정표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 의한 액정표시장치
KR100528883B1 (ko) * 1998-06-13 2006-02-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의 제조방법
JP4363684B2 (ja) * 1998-09-02 2009-11-11 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 薄膜トランジスタ基板およびこれを用いた液晶表示装置
JP2000081638A (ja) * 1998-09-04 2000-03-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
KR100595416B1 (ko) * 1998-09-11 2006-09-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 회절노광을 이용한 액정 표시 장치 제조 방법
US6493048B1 (en) 1998-10-21 2002-12-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel for a liquid crystal display and a method for manufacturing the same
KR100556345B1 (ko) * 1998-11-24 2006-04-21 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계방식 액정표시소자의 제조방법
US6395586B1 (en) * 1999-02-03 2002-05-28 Industrial Technology Research Institute Method for fabricating high aperture ratio TFT's and devices formed
US6448579B1 (en) 2000-12-06 2002-09-10 L.G.Philips Lcd Co., Ltd. Thin film transistor array substrate for liquid crystal display and a method for fabricating the same
KR100623982B1 (ko) * 1999-07-16 2006-09-13 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
US6140701A (en) 1999-08-31 2000-10-31 Micron Technology, Inc. Suppression of hillock formation in thin aluminum films
KR100498630B1 (ko) * 1999-09-01 2005-07-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치
KR100342860B1 (ko) * 1999-09-08 2002-07-02 구본준, 론 위라하디락사 액정 표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 따른 액정표시장치
KR100635943B1 (ko) * 1999-11-04 2006-10-18 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그의 제조 방법
KR100601177B1 (ko) * 2000-02-10 2006-07-13 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그의 제조 방법
KR100673331B1 (ko) * 2000-02-19 2007-01-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 따른액정표시장치
JP4118484B2 (ja) 2000-03-06 2008-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2001257350A (ja) 2000-03-08 2001-09-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP4118485B2 (ja) 2000-03-13 2008-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4700160B2 (ja) 2000-03-13 2011-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US6838696B2 (en) * 2000-03-15 2005-01-04 Advanced Display Inc. Liquid crystal display
JP4683688B2 (ja) 2000-03-16 2011-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
JP4393662B2 (ja) 2000-03-17 2010-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
US6900084B1 (en) * 2000-05-09 2005-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a display device
TWI253538B (en) * 2000-09-30 2006-04-21 Au Optronics Corp Thin film transistor flat display and its manufacturing method
KR100806808B1 (ko) * 2000-10-17 2008-02-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 등저항 배선을 위한 액정표시장치
KR100729763B1 (ko) * 2000-12-04 2007-06-20 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
US7071037B2 (en) 2001-03-06 2006-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR100799465B1 (ko) * 2001-03-26 2008-02-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100473225B1 (ko) * 2001-12-31 2005-03-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 알루미늄 금속층과 투명도전성 금속층의 접촉구조와 그를 위한 제조방법
KR100869112B1 (ko) * 2002-01-14 2008-11-17 삼성전자주식회사 반사형 액정표시장치 및 그 제조 방법
TWI241430B (en) * 2002-03-01 2005-10-11 Prime View Int Corp Ltd Method for forming a bonding pad in a TFT array process for a reflective LCD and bonding pad formed by the same
KR100436181B1 (ko) * 2002-04-16 2004-06-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
KR100497297B1 (ko) * 2002-04-18 2005-06-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
TW538541B (en) * 2002-05-15 2003-06-21 Au Optronics Corp Active matrix substrate of liquid crystal display device and the manufacturing method thereof
JP3730958B2 (ja) 2002-12-25 2006-01-05 鹿児島日本電気株式会社 積層膜のパターン形成方法及び積層配線電極
KR20040061195A (ko) * 2002-12-30 2004-07-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시패널 및 그 제조방법
TWI234124B (en) * 2003-06-30 2005-06-11 Ritdisplay Corp Display panel, electrode panel and electrode substrate thereof
KR101006438B1 (ko) 2003-11-12 2011-01-06 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
TWI252587B (en) * 2004-12-14 2006-04-01 Quanta Display Inc Method for manufacturing a pixel electrode contact of a thin-film transistors liquid crystal display
JP2006209089A (ja) * 2004-12-27 2006-08-10 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置
CN1313876C (zh) * 2005-01-19 2007-05-02 广辉电子股份有限公司 薄膜晶体管液晶显示器的像素结构的制造方法
US7049163B1 (en) * 2005-03-16 2006-05-23 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Manufacture method of pixel structure
KR20060125066A (ko) * 2005-06-01 2006-12-06 삼성전자주식회사 개구율이 향상된 어레이 기판 및 이의 제조방법
KR20070001647A (ko) * 2005-06-29 2007-01-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
CN100367488C (zh) * 2006-02-13 2008-02-06 友达光电股份有限公司 薄膜晶体管阵列基板的制造方法
JP5262161B2 (ja) * 2008-02-14 2013-08-14 カシオ計算機株式会社 半導体集積回路装置
EP2172977A1 (de) * 2008-10-03 2010-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anzeigevorrichtung
KR101280827B1 (ko) * 2009-11-20 2013-07-02 엘지디스플레이 주식회사 어레이 기판 및 이의 제조방법
KR101750431B1 (ko) * 2010-11-10 2017-06-26 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판
KR101774484B1 (ko) 2011-02-15 2017-09-05 삼성디스플레이 주식회사 인듐 산화막의 비할로겐성 식각액 및 이를 이용한 표시 기판의 제조 방법
JP2012204548A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Sony Corp 表示装置およびその製造方法
KR20130027188A (ko) * 2011-09-07 2013-03-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102086422B1 (ko) 2013-03-28 2020-03-10 삼성디스플레이 주식회사 표시패널 및 이의 제조방법
CN106165106B (zh) * 2014-03-28 2020-09-15 株式会社半导体能源研究所 晶体管以及半导体装置
CN107369614A (zh) * 2017-08-07 2017-11-21 深圳市华星光电技术有限公司 金属膜镀制方法、薄膜晶体管和阵列基板的制作方法

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4651185A (en) 1983-08-15 1987-03-17 Alphasil, Inc. Method of manufacturing thin film transistors and transistors made thereby
US4545112A (en) 1983-08-15 1985-10-08 Alphasil Incorporated Method of manufacturing thin film transistors and transistors made thereby
JPH0816756B2 (ja) * 1988-08-10 1996-02-21 シャープ株式会社 透過型アクティブマトリクス液晶表示装置
US5187604A (en) * 1989-01-18 1993-02-16 Hitachi, Ltd. Multi-layer external terminals of liquid crystal displays with thin-film transistors
JPH0828517B2 (ja) * 1989-07-04 1996-03-21 シャープ株式会社 薄膜トランジスタアレイ
JP2846351B2 (ja) * 1989-07-27 1999-01-13 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JP3009438B2 (ja) * 1989-08-14 2000-02-14 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JPH0734467B2 (ja) * 1989-11-16 1995-04-12 富士ゼロックス株式会社 イメージセンサ製造方法
JP2940689B2 (ja) 1990-03-23 1999-08-25 三洋電機株式会社 アクティブマトリクス型表示装置の薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法
JPH0465168A (ja) * 1990-07-05 1992-03-02 Hitachi Ltd 薄膜トランジスタ
US5334859A (en) * 1991-09-05 1994-08-02 Casio Computer Co., Ltd. Thin-film transistor having source and drain electrodes insulated by an anodically oxidized film
EP0544069B1 (de) * 1991-11-26 1997-11-12 Casio Computer Company Limited Dünnschicht-Transistor-Panel und dessen Herstellungsmethode
JPH05152573A (ja) * 1991-11-29 1993-06-18 Nec Corp 薄膜トランジスタ及びその製造方法
JPH05267670A (ja) 1992-03-23 1993-10-15 Matsushita Electron Corp 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JPH05292434A (ja) 1992-04-13 1993-11-05 Fujitsu General Ltd 液晶表示装置の交流駆動方法
JPH05341315A (ja) 1992-06-08 1993-12-24 Hitachi Ltd 薄膜トランジスタ基板、液晶表示パネルおよび液晶表示装置
KR950008931B1 (ko) * 1992-07-22 1995-08-09 삼성전자주식회사 표시패널의 제조방법
JPH06138487A (ja) 1992-10-29 1994-05-20 Hitachi Ltd 半導体装置と液晶表示装置
JPH06188419A (ja) * 1992-12-16 1994-07-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタの製造方法
JP3098345B2 (ja) * 1992-12-28 2000-10-16 富士通株式会社 薄膜トランジスタマトリクス装置及びその製造方法
JP3116149B2 (ja) * 1993-01-18 2000-12-11 株式会社日立製作所 配線材料および液晶表示装置
JPH06230428A (ja) 1993-02-08 1994-08-19 Hitachi Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
JPH06250211A (ja) * 1993-02-23 1994-09-09 Hitachi Ltd 液晶表示基板とその製造方法
US5821622A (en) 1993-03-12 1998-10-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Liquid crystal display device
JPH06337437A (ja) 1993-05-28 1994-12-06 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置
JP3281167B2 (ja) * 1994-03-17 2002-05-13 富士通株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
TW321731B (de) * 1994-07-27 1997-12-01 Hitachi Ltd
US5550066A (en) 1994-12-14 1996-08-27 Eastman Kodak Company Method of fabricating a TFT-EL pixel
US5693567A (en) 1995-06-07 1997-12-02 Xerox Corporation Separately etching insulating layer for contacts within array and for peripheral pads
JP3409542B2 (ja) 1995-11-21 2003-05-26 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
EP0775931B1 (de) * 1995-11-21 2005-10-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristall-Anzeige
KR0161462B1 (ko) 1995-11-23 1999-01-15 김광호 액정 디스플레이에서의 게이트 패드 형성방법
KR100190041B1 (ko) * 1995-12-28 1999-06-01 윤종용 액정표시장치의 제조방법
JP3625598B2 (ja) * 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
US6081308A (en) * 1996-11-21 2000-06-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for manufacturing liquid crystal display
KR100244449B1 (ko) * 1997-02-11 2000-02-01 구본준 박막 트랜지스터 검사용 단락 배선을 갖는 액정 표시 장치와 그 제조 방법(liquid crystal display having shorting bar for testing tft and method for manufacturing the same)
US5990986A (en) 1997-05-30 1999-11-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor substrate for a liquid crystal display having buffer layers and a manufacturing method thereof
KR100276442B1 (ko) * 1998-02-20 2000-12-15 구본준 액정표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 의한 액정표시장치
KR100333273B1 (ko) * 1999-08-02 2002-04-24 구본준, 론 위라하디락사 박막트랜지스터형 액정표시장치의 어레이기판과 그 제조방법
KR100673331B1 (ko) * 2000-02-19 2007-01-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 따른액정표시장치
KR100372579B1 (ko) * 2000-06-21 2003-02-17 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
US6620655B2 (en) * 2000-11-01 2003-09-16 Lg.Phillips Lcd Co., Ltd. Array substrate for transflective LCD device and method of fabricating the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004157555A (ja) 2004-06-03
KR100190041B1 (ko) 1999-06-01
EP0782040A3 (de) 1998-07-15
TW387998B (en) 2000-04-21
EP0782040B1 (de) 2004-09-15
JP3891988B2 (ja) 2007-03-14
JP3830593B2 (ja) 2006-10-04
JP3976770B2 (ja) 2007-09-19
USRE39211E1 (en) 2006-08-01
US5811318A (en) 1998-09-22
EP0782040A2 (de) 1997-07-02
JP2006091918A (ja) 2006-04-06
JPH09189924A (ja) 1997-07-22
EP1380880A1 (de) 2004-01-14
DE69633378D1 (de) 2004-10-21
KR970048855A (ko) 1997-07-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69633378T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung
DE69635239T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristall-Anzeige
DE68923727T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines aktiven Matrixsubstrats.
DE19811624B4 (de) Aktives Paneel für eine LCD und Herstellungsverfahren für ein aktives Paneel einer LCD
DE19809084C2 (de) Flüssigkristallanzeigevorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
DE3752301T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichttransistors
DE69121616T2 (de) Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung
DE69120329T2 (de) Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix
DE19839063B4 (de) Flüssigkristallanzeigevorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
DE69205333T2 (de) Substrat mit aktiver Matrix.
DE68921567T2 (de) Flüssigkristallanzeigetafel mit verminderten Pixeldefekten.
DE69124009T2 (de) Dünnfilmtransistor und Verfahren zur Herstellung
DE69833717T2 (de) Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix mit querelektrischem Feld und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE69021513T2 (de) Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix.
DE3782683T2 (de) Verfahren zur herstellung eines duennfilmtransistors.
DE10150432B4 (de) Arraysubstrat für eine Flüssigkristallanzeige und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102006061869B4 (de) Arraysubstrat für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung und Herstellungsverfahren desselben
DE69534667T2 (de) Farbanzeigevorrichtung
DE69419472T2 (de) Dünnschichttransistor und diesen transistor gebrauchende anzeige.
DE19758065C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines aktiven Paneels für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung
DE3884891T2 (de) Aktive Matrixzelle und deren Herstellungsverfahren.
DE4107318C2 (de) Flüssigkristallanzeigenvorrichtung mit TFT-Matrixsubstrat
DE3486325T2 (de) Verfahren zur Herstellung von Rückwänden für Flachbildschirme.
DE19727212C2 (de) Herstellungsverfahren für einen Dünnschichttransistor, Dünnschichttransistor und daraus aufgebautes Flüssigkristallanzeigepaneel
DE102006028320B4 (de) Flüssigkristallanzeigevorrichtung, bei der ein Leckstrom reduziert ist

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition