HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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Die Erfindung betrifft eine
Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung gemäß dem Oberbegriff von Anspruch 1. Eine derartige
Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung ist aus "Liquid crystal
TV-displays", E. Kaneko, KTK Scientific Publishers, 1987,
bekannt.
Beschreibung des Stands der Technik
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In den Fig. 1 und 2 ist die Struktur eines Pixeis einer
herkömmlichen Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung vom
Aktivmatrixtyp dargestellt. In Fig. 1 bezeichnet die Bezugszahl 1
eine transparente, ein Pixel (eine Flüssigkristallzelle
(LC)) bildende Pixelelektrode, und 2 bezeichnet einen
schaltenden Dünnfilmtransistor, der das Pixel ansteuert. Zwischen
jeweiligen Zeilen der Pixelelektroden 1 ist eine
Auswählleitung 3 zum Auswählen einer Zeile jeweiliger Pixel (LC)
angeordnet, während eine Signalleitung zum Zuführen eines
Videosignals zwischen jeweiligen Spalten der Pixelelektroden 1
angeordnet ist. Ein Drain 5D des Dünnfilmtransistors 2 ist
mit der Pixelelektrode 1 verbunden, seine Source 5S ist mit
der Signalleitung 4 verbunden und sein Gate ist mit der
Auswähleitung 3 verbunden (in Fig. 1 werden das Gate 5G und die
Auswähleitung 3 gemeinsam verwendet).
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Die spezielle Struktur hiervon ist die in Fig. 2
dargestellte, bei der eine Schicht 8 aus polykristallinem Silizium,
die den Dünnfilmtransistor 2 bildet, an einer erforderlichen
Stelle auf einem aus Glas oder dergleichen bestehenden
isolierenden Substrat 7 abgeschieden wird, und auf dieser
polykristallinen
Siliziumschicht 8 wird die Gateelektrode 5G
(oder die Auswählleitung 3) ausgebildet, die z.B. aus mit
einem Fremstoff dotiertem polykristallinem Silizium besteht
und über einer Gateisolierschicht 9 liegt. Auf der gesamten
Oberfläche der Gateelektrode 5G wird, um diese abzudecken,
eine erste Isolierschicht 10 hergestellt, die z.B. aus einer
PSG(Phosphorsilikatglas)-Schicht besteht, und über ein durch
die erste Isolierschicht 10 hindurch ausgebildetes
Kontaktloch 12 wird die z.B. aus Al bestehende Signalleitung 4 mit
der Source 5S verbunden. Ferner wird eine zweite, z.B. aus
einer PSG-Schicht bestehende Isolierschicht 11 auf der
gesamten Oberfläche abgeschieden. Durch die erste und zweite
Isolierschicht 10 und 11 hindurch wird an einer dem Drain 5D
entsprechenden Position ein gemeinsames Kontaktloch 13
hergestellt, und dann wird eine aus z.B. einer
ITO(Indiumzinnoxid)-Schicht bestehende transparente, leitende Schicht auf
der gesamten Fläche einschließlich des Kontaktlochs 13
hergestellt. Daher wird ein Musterungsvorgang ausgeführt, um
die transparente Pixelelektrode 1 herzustellen, die über das
Kontaktloch 13 mit dem Drain 5D verbunden ist. Dann wird ein
anderes, aus Glas oder dergleichen bestehendes isolierendes
Substrat 14, auf dessen Innenfläche eine
Lichtabschirmungsschicht 15 an Positionen ausgebildet ist, die einem
Verdrahtungsabschnitt entsprechen (einem Abschnitt, in dem die
Auswählleitung 3, die Signalleitung 4 usw. vorliegen), und bei
dem der Dünnfilmtransistor 2 und eine auf ihrer gesamten
Fläche ausgebildete Gegenelektrode 16, einschließlich der
Lichtabschirmungsschicht 15, ausgebildet sind, so
angeordnet, daß es dem isolierenden Substrat 7 gegenübersteht. Dann
wird eine Flüssigkristallschicht 17 zwischen den beiden
Substraten 7 und 14 eingeschlossen, um dadurch eine
Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung 18 zu bilden.
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Fig. 3 zeigt ein anderes Beispiel einer herkömmlichen
Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung. Bei diesem Beispiel wird der
aus der polykristallinen Siliziumschicht 8, der
Gateisolierschicht 9 und der Gateelektrode 5G (d.h. der Auswählleitung
3) bestehende Dünnfilmtransistor 2 auf dem isolierenden
Substrat 7 hergestellt, auf dem die Isolierschicht 10
ausgebildet ist. Im nächsten Prozeß wird die transparente
Pixelelektrode 1 durch die ITO-Schicht so hergestellt, daß sie mit
dem Drain 5D des Dünnfilmtransistors 2 über das Kontaktloch
13 in der Isolierschicht 10 verbunden ist, und die aus z.B.
Al bestehende Signalleitung 4 wird über das Kontaktloch 12
der Isolierschicht 10 mit der Source 55 des
Dünnfilmtransistors 2 verbunden.
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Ferner muß bei der Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung zum
Verbessern der Pixel eine Zusatzkapazität, d.h. eine
Speicherkapazität CS zu jedem Pixel LC hinzugefügt werden, und
es ist bevorzugt, daß der Wert der Speicherkapazität CS so
groß wie möglich ist, um das Auftreten von Flackern zu
verhindern. Zu diesem Zweck wurde z.B., wie in Fig. 4
dargestellt, vorgeschlagen, daß eine polykristalline
Siliziumschicht 8 von der Source 5D aus verlängert wird und die
Speicherkapazität CS zwischen einem langgestreckten
Abschnitt 8A dieser polykristallinen Siliziumschicht 8 und
einer Elektrodenleitung 19 für ausschließliche Verwendung bei
der Speicherkapazität CS, verbunden über eine Isolierschicht
(nicht dargestellt) aufgebaut wird.
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Eine der Schwierigkeiten, die bei der oben angegebenen,
bekannten Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung bestehen, ist die
Verbindung zwischen dem Drain 5D des Dünnfilmtransistors 2
und der transparenten Pixelelektrode 1. Für einen
zweckdienlichen Herstellungsprozeß wird die polykristalline
Siliziumschicht 8 des Dünnfilmtransistors 2 in einem unteren Teil
ausgebildet, und die aus einer LTG-Schicht bestehende
transparente Pixelelektrode 1 wird als oberste Schicht
hergestellt, wobei beide über das Kontaktloch 13 verbunden sind.
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Jedoch beträgt die Höhe h dieses Kontaktlochs 13 beinahe 1
µm, was es erschwert, die ITO-Schicht 1, die eine Dicke von
ungefähr 0,1 µm bis 0,15 µm (Filmdicke aufgrund der
transparenten Pixelelektrode) aufweist und die aus einer ITO-
Schicht mit günstigem Bedeckungsgrad besteht, anzuschließen.
Daher wird das Kontaktloch 13 mit sich verjüngender Form
hergestellt, um für eine leichtere Bedeckung zu sorgen.
Jedoch kann nicht gesagt werden, daß die Situation 100 %
zufriedenstellend wäre.
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Ferner wird es schwierig, wenn das Kontaktloch kleiner
gemacht wird (z.B. 0,5 µm bis 1,0 µm), um das
Öffnungsverhältnis des Pixels zu erhöhen, die ITO-Schicht 1 mit
hervorragendem Bedeckungsgrad anzuschließen, und der
Kontaktwiderstand zwischen dem Drain 5D und der ITO-Schicht 1 wird in
unvermeidlicher Weise um ein Ausmaß erhöht, das der
verringerten Fläche des Kontaktlochs entspricht. Insbesondere ist,
da die ITO-Schicht 1 Sauerstoff enthält, die
Siliziumoberfläche im Kontaktabschnitt zum Dünnfilmtransistor auf
natürliche Weise oxidiert, wodurch der Ohmsche Kontakt
verschlechtert ist. Wenn das Kontaktloch klein gemacht wird,
streut die Kontaktzuverlässigkeit erheblich, was zu einer
Streuung der Konzentration der Anzeigepixel führt.
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Andererseits wird in einer
Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung, in der eine Speicherkapazität CS vorhanden ist, dann,
wenn die ausschließlich für die Speicherkapazität CS
verwendete Elektrodenleitung 19 aus demselben leitenden Material
wie dem der Gateelektrode 5G, d.h. der Auswählleitung 3,
besteht, das Öffnungsverhältnis des Pixels dem Anbringen der
Elektrodenleitung 19 geopfert. Demgemäß muß das Kontaktloch
so klein wie möglich sein, jedoch verringert sich die
Zuverlässigkeit des Kontakts zwischen der transparenten
Pixelelektrode und der ITO-Schicht, wenn das Kontaktloch
kleingemacht wird. Dann treten ähnliche Schwierigkeiten auf, wie
sie oben angegeben sind. Ein fehlerhafter Kontakt zwischen
der transparenten Pixelelektrode 1 und dem
Dünnfilmtransistor 2 erscheint auf der Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung
als Punktdefekt, was zu einer Verschlechterung der
Bildqualität führt.
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Fig. 7.57 und der Text auf Seite 270 des oben angegebenen
Buchs "Liquid crystal TV-displays" offenbaren eine
Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit einer Anzahl von Pixeln, von
denen jedes mit einem jeweiligen Schalttransistor versehen
ist und die in Matrixform ausgerichtet sind, wobei jedes
Pixel eine durchscheinende Pixelelektrode (ITO) und eine
Isolierschicht zwischen der transparenten Pixelelektrode und
einer Elektrode des jeweiligen Schalttransistors aufweist,
mit einem Kontaktloch in der Isolierschicht, durch das die
transparente Pixelelektrode und die Transistorelektrode
verbunden sind. Diese bekannte
Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung entspricht der in Fig. 2 der vorliegenden Anmeldung
dargestellten und oben beschriebenen bekannten Vorrichtung.
AUFGABEN UND ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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Es ist eine Aufgabe der Erfindung, eine
Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung hoher Qualität zu schaffen, bei der die
transparente Pixelelektrode so mit dem Dünnfilmtransistor
verbunden ist, daß fehlerhafte Kontakte, insbesondere
Punktdef ekte, ausgeschlossen werden können.
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Die obige Aufgabe wird gemäß der Erfindung durch folgendes
gelöst: eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit einer
Anzahl von Pixeln, die jeweils zusammen mit einem
zugehörigen Schalttransistor angeordnet und in Matrixform
ausgerichtet sind, wobei jedes Pixel eine transparente Pixelelektrode
und eine Isolierschicht zwischen der transparenten
Pixelelektrode und einer Elektrode des zugehörigen
Schalttransistors
aufweist;
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gekennzeichnet durch
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eine Anzahl von Kontaktlöchern in der Isolierschicht, durch
die hindurch die transparente Pixelelektrode und die
Transistorelektrode verbunden werden (Anspruch 1).
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Abhängige Ansprüche 2 bis 4 spezifizieren jeweils zugehörige
vorteilhafte Entwicklungen.
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Die obigen sowie andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der
Erfindung werden aus der folgenden detaillierten
Beschreibung veranschaulichender Ausführungsbeispiele derselben
ersichtlich, die in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen
zu lesen ist, in denen gleiche Bezugszahlen dazu verwendet
sind, dieselben oder ähnliche Teile in den verschiedenen
Ansichten zu kennzeichnen.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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Fig. 1 ist eine Draufsicht auf ein Pixel einer herkömmlichen
Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung vom Aktivmatrixtyp;
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Fig. 2 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XIII - XIII
in Fig. 1;
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Fig.3 ist eine Schnittansicht eines anderen Beispiels einer
herkömmlichen Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung vom
Aktivmatrixtyp;
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Fig. 4 ist eine Draufsicht auf ein Pixel, wobei ein anderes
Beispiel einer herkömmlichen
Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung vom Aktivmatrixtyp gezeigt ist;
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Fig. 5 ist eine Schnittansicht, die ein erstes
Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen
Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung
veranschaulicht;
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Fig. 6 ist eine Schnittansicht, die ein Verfahren zum
Herstellen von Kontaktlöchern zeigt;
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Fig. 7 ist eine Schnittansicht, die den Hauptteil des
zweiten Ausführungsbeispiels einer erfindungsgemäßen
Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung zeigt;
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Fig. 8 ist eine Schnittansicht, die den Hauptteil eines
dritten Ausführungsbeispiels der Erfindung zeigt, das die
Lichtdurchlässigkeit in einem Kontaktabschnitt der
transparenten Pixelelektrode in der
Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung verbessert;
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Fig. 9A bis 9D sind Prozeßdiagramme, die jeweils ein
Beispiel für das Herstellverfahren von Fig. 8 zeigen;
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Fig. 10 ist ein die Lichtdurchlässigkeit zeigendes
Kurvenbild.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN
AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
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Die Erfindung wird nun unter Bezugnahme auf die beigefügten
Zeichnungen beschrieben.
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Fig. 5 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel einer
erfindungsgemäßen Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung vom
Aktivmatrixtyp. Fig. 5 veranschaulicht den Aufbau eines Pixeis,
wobei solche Teile, die solchen in der vorstehenden Fig. 2
entsprechen, mit denselben Bezugszahlen gekennzeichnet sind.
Genauer gesagt, bezeichnet die Bezugszahl 1 eine
transparente Pixelelektrode, die aus z.B. einer ITO-Schicht besteht,
und 2 bezeichnet einen schaltenden Dünnfilmtransistor. Der
Dünnfilmtransistor 2 wird so aufgebaut, daß eine
polykristalline Siliziumschicht 8 an einem erforderlichen Ort auf
einem aus Glas bestehenden Isoliersubstrat 7 hergestellt
wird und eine Gateelektrode 5G oder eine Auswählleitung 3
aus z.B. einer mit einem Fremstoff dotierten
polykristallinen Siliziumschicht über einer Gateisolierschicht 9 auf der
polykristallinen Siliziumschicht 8 hergestellt wird. Die
Source 5S des Dünnfilmtransistors 2 wird mit einer
Signalleitung 4 aus z.B. Al durch ein Kontaktloch 12 verbunden,
das durch die erste Isolierschicht 10 hindurch ausgebildet
wurde. Die transparente Pixelelektrode 1 wird mit einem
vorgegebenem Muster auf einer zweiten Isolierschicht 11
hergestellt, wobei ein Ende derselben mit dem Drain 5D des
Dünnfilmtransistors 2 verbunden ist. Diesem isolierenden
Substrat 7 gegenüberstehend wird ein isolierendes Substrat 14
aus Glas mit einer Lichtabschirmungsschicht 15 und einer auf
seiner Innenseite ausgebildeten Gegenelektrode 16
angeordnet, und zwischen den beiden Substraten 7 und 14 wird eine
Flüssigkristallschicht 17 eingeschlossen.
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So werden beim ersten Ausführungsbeispiel hinsichtlich der
Verbindung zwischen dem Drain 5D des Dünnfilmtransistors 2
und der transparenten Pixelelektrode 1 mehrere, bei diesem
Ausführungsbeispiel 2, Kontaktlöcher 21 und 22 an einer dem
Drain 5D entsprechenden Position durch die zwei
Isolierschichten 10 und 11 ausgebildet. Die zwei Kontaktlöcher 21
und 22 sind in der Draufsicht jeweils rechtwinklig und sie
liegen benachbart zueinander. Ein Wandabschnitt oder eine
Isolierschicht 26a zwischen den beiden Kontaktlöchern 21 und
22 ist mit einer Höhe t&sub1; ausgebildet, die niedriger als die
Höhe t&sub2; der umgebenden Isolierschicht 26 ist, die aus der
ersten und zweiten Isolierschicht 10 und 11 besteht. Wenn
z.B. die Höhe t&sub2; der umgebenden, aus der ersten und zweiten
Isolierschicht 10 und 11 bestehenden Isolierschicht 26 zu 1
µm gewählt ist (die Dicke der ersten Isolierschicht 10
beträgt 0,6 µm und die Dicke der zweiten Isolierschicht 11
beträgt 0,4 µm), wird die Höhe t&sub1; der Isolierschicht 26a
zwischen den Kontaktlöcher 21 und 22 zu ungefähr 0,6 µm
gewählt. Auch liegt die Länge 11 zwischen den Kontaktlöchern
21 und 22 unter 10 µm, oder sie beträgt 2 µm bei diesem
Ausführungsbeispiel, und die Breite jedes der Kontaktlöcher 21
und 22 ist bei diesem Ausführungsbeispiel jeweils zu 5 µm
gewählt. Dann wird die transparente Pixelelektrode 1 so
hergestellt, daß sie über diese zwei Kontaktlöcher 21 und 22
mit dem Drain SD des Dünnfilmtransistors 2 verbunden ist.
Derartige Kontaktlöcher 21 und 22 können unter Verwendung
eines Seitenätzvorgangs hergestellt werden.
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Genauer gesagt, wird, wie es in Fig. 6 dargestellt ist, die
obere, zweite Isolierschicht 11 aus einer Schicht
hergestellt, die mit höherer Geschwindigkeit geätzt wird als die
untere, erste Isolierschicht 10. Wenn ein Ätzvorgang für die
Isolierschichten 11 und 10 durch eine Resistmaske 25 mit
zwei zueinander benachbarten Öffnungen 23 und 24 ausgeführt
wird, wird die Isolierschicht zwischen den beiden Öffnungen
23 und 24 durch Seitenätzen entfernt, mit dem Ergebnis, daß
die beiden Kontaktlöcher 21 und 22 durch einen einzelnen
Ätzprozeß hergestellt sind und die Höhe t&sub1; der
Isolierschicht 26a zwischen den beiden Kontaktlöchern 21 und 22
kleiner ausgebildet ist als die Höhe t&sub2; der umgebenden, aus
den zwei Isolierschichten 10 und 11 bestehenden
Isolierschicht 26. Ferner werden die Kontaktlöcher 21 und 22 durch
den Seitenätzprozeß auf solche Weise verjüngt ausgebildet,
daß ihre Weiten um so schmaler werden, je mehr man sich den
Kontaktabschnitten zum Dünnfilmtransistor 2 nähert.
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Genauer gesagt, sei angenommen, daß die erste Isolierschicht
10 eine bei einer Temperatur über 800 ºC wärmebehandelte
PSG-Schicht sei, während die zweite Isolierschicht 11 eine
PSG-Schicht ohne Wärmebehandlung sei. Wenn dann diese
Schichten mittels einer aufschäumenden Lösung durch diese
Resistmaske 25 hindurch geätzt werden, wird die bei
Temperaturen über 800 ºC wärmebehandelte PSG-Schicht schneller als
die PSG-Schicht ohne Wärmebehandlung geätzt, was dazu führt,
daß die Kontaktlöcher 21 und 22 so ausgebildet werden, wie
es in Fig. 6 dargestellt ist. Alternativ schreitet, wenn
angenommen wird, daß die erste Isolierschicht 10 aus einer
PSG-Schicht besteht und die zweite Isolierschicht 11 eine
Plasma-SiN-Schicht ist und sie durch die Resistmaske 25
hindurch durch ein Plasmaätzverfahren geätzt werden, der
Seitenätzvorgang in der Plasma-SiN-Schicht mit einer
Geschwindigkeit vorwärts, die ungefähr zehnmal höher als die für die
PSG-Schicht ist, was dazu führt, daß Kontaktlöcher 21 und 22
hergestellt werden, wie sie in Fig. 6 dargestellt sind.
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Bei der wie oben beschrieben aufgebauten
Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung 27 ist die transparente Pixelelektrode 1
durch die zwei Kontaktlöcher 21 und 22 hindurch mit dem
Drain 5D des Dünnfilmtransistors 2 verbunden, wodurch die
Wahrscheinlichkeit des Auftretens eines fehlerhaften
Kontakts im Vergleich mit dem herkömmlichen Fall verringert
werden kann, bei dem die Verbindung über ein einzelnes
Kontaktloch besteht. Ferner erstreckt sich, da die Höhe t&sub1; der
Isolierschicht 26a zwischen den zwei Kontaktlöchern 21 und
22 niedriger als die Höhe t&sub2; der umgebenden, aus der ersten
und zweiten Isolierschicht 10 und 11 bestehenden
Isolierschicht 26 ist, die transparente Pixelelektrode 1 bis zur
höheren Isolierschicht 26 über der niedrigeren
Isolierschicht 26a. Anders gesagt, ist die durch die Kontaktlöcher
21 und 22 hervorgerufene Stufe sichtlich geglättet, wodurch
der Bedeckungsgrad der transparenten Pixelelektrode 1
zufriedenstellend wird und fehlerhafter Kontakt beseitigt ist.
Demgemäß ist das Auftreten von Punktdefekten auf der
Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung beseitigt, wodurch eine
Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung hoher Qualität geschaffen
ist.
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Obwohl die Kontaktabmessungen zum Ausbilden der zwei
Kontaktlöcher 21 und 22 mehr oder weniger groß sind, hat die
den Dünnfilmtransistor 2 bildende polykristalline
Siliziumschicht 8 ungefähr 0,04 µm, was zum Durchlassen von Licht
ausreichend dünn ist, so daß die Lichtverluste klein sind.
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Andererseits verursacht, wie es in den Fig. 1 und 2
dargestellt ist, die im Kontaktabschnitt der transparenten
Pixelelektrode 1 vorhandene polykristalline Siliziumschicht 8
eine schlechtere Lichtdurchlässigkeit durch sie hindurch im
Vergleich mit anderen Abschnitten der transparenten
Pixelelektrode 1, was die Befürchtung hervorrufen kann, daß sich
das Nennöffnungsverhältnis der Flüssigkristallzelle
verringert. Da eine kleinere Abmessung des Kontaktabschnitts zu
Unannehmlichkeiten wie einer Zunahme des Kontaktwiderstands,
einer verschlechterten Bedeckung der transparenten Elektrode
1 im Kontaktloch 13 usw. führen kann, können die Abmessungen
des Kontaktabschnitts nicht leicht verringert werden.
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Ein drittes Ausführungsbeispiel zum Verbessern dieses Punkts
ist in Fig. 8 dargestellt. Bei diesem Ausführungsbeispiel
ist zwischen einer polykristallinen Siliziumschicht 8, die
eine Dünnfilmschicht 2 bildet, und einem isolierenden
Substrat 7 aus Glas eine Schicht mit einem mittleren
Brechungsindex n&sub3; zwischen dem Brechungsindex n&sub1; (= 3,8) des
polykristallinen Siliziums und dem Brechungsindex n&sub2; (=
1,45) des Glassubstrats (SiO&sub2;) ausgebildet, z.B. eine Si&sub3;N&sub4;-
Schicht 30 (Brechungsindex n&sub3; = 1,9), wobei die transparente
Pixelelektrode 1 durch ein Kontaktloch 13 mit dem Drain 5D
der polykristallinen Siliziumschicht 8 verbunden ist. Diese
Si&sub3;N&sub4;-Schicht 30 wird eine sogenannte
Reflexionsverhinderungsschicht. Der Rest des Aufbaus ist ähnlich dem von Fig.
2.
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In den Fig. 9A bis 9D ist ein Beispiel für ein zugehöriges
Herstellverfahren dargestellt. Auf dem aus Glas bestehenden
isolierenden Substrat 7 wird eine Si&sub3;N&sub4;-Schicht 30 mit einer
Dicke von ungefähr 0,07 µm (Fig. 9A) abgeschieden und die
Oberfläche der Si&sub3;N&sub4;-Schicht 30 wird leicht oxidiert, um
eine SiO&sub2;-Schicht 31 herzustellen (Fig. 9B). Zum Ausbilden der
SiO&sub2;-Schicht 31 mit ungefähr 0,001 bis 0,002 µm wird eine
Wärmebehandlung ausgeführt, z.B. in einer oxidierenden
Atmosphäre bei einer Temperatur von 1.000 ºC für 20 Minuten.
Diese Oberflächenoxidierung ermöglicht es, die nächste
polykristalline Siliziumschicht 8 gleichmäßig abzuscheiden.
Anschließend werden, nach dem Herstellen der polykristallinen
Siliziumschicht 8 mit einer Dicke von z.B. ungefähr 0,04 µm
auf der SiO&sub2;-Schicht 31 (Fig. 9C) die polykristalline
Siliziumschicht 8, die SiO&sub2;-Schicht 31 und die Si&sub3;N&sub4;-Schicht 30
durch eine Resistmaske 32 durch z.B. einen
CF&sub4;-Plasmaätzvorgang gemustert (Fig. 9D). Danach werden der
Dünnfilmtransistor 2, die transparente Pixelelektrode 1 usw. mittels eines
gewöhnlichen Prozesses, identisch mit Fig. 2, hergestellt.
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Die optimale Dicke der Si&sub3;N&sub4;-Schicht 30 variiert abhängig
von der Dicke der polykristallinen Siliziumschicht 8. Eine
Kurve I in Fig. 10 zeigt das Lichtreflexionsvermögen, wenn
Licht von der Seite des Substrats 7 her einfällt, wobei die
Dicke der Si&sub3;N&sub4;-Schicht 30 zu 0,07 µm angenommen ist und die
Dicke der polykristallinen Schicht 8 zu 0,04 µm angenommen
ist. Jedoch zeigt die Kurve II das Reflexionsvermögen, wenn
die Si&sub3;N&sub4;-Schicht 30 nicht vorhanden ist. Wie es aus Fig. 10
erkennbar ist, ist, wenn die Si&sub3;N&sub4;-Schicht 30 unter der
polykristallinen Siliziumschicht 8 ausgebildet ist, das
Reflexionsvermögen durch die polykristalline Siliziumschicht 8 um
ungefähr 30 % verringert. Demgemäß führt bei einer
Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung vorn Aktivmatrixtyp die
Herstellung der Si&sub3;N&sub4;-Schicht 30 unter der den Dünnfilmtransistor 2
bildenden polykristallinen Siliziumschicht 8 zu einer
Verbesserung des Transmissionsvermögens im Kontaktabschnitt zur
transparenten Pixelelektrode 1, und das
Nennöffnungsverhältnis der Flüssigkristallzelle wird erhöht. Selbstverständlich
kann die vorliegende Technik auf eine erfindungsgemäße
Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung angewandt werden, bei der die
transparente Pixelelektrode 1 über die oben angegebene
Mehrzahl von Kontaktlöchern 21 und 22 angeschlossen ist, wie in
Fig. 7 dargestellt.
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Bei der erfindungsgemäßen Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung
ist es möglich, die Wahrscheinlichkeit des Auftretens
fehlerhafter Kontakte dadurch zu verringern, daß transparente
Pixelelektrode über eine Anzahl von Kontaktlöchern mit einem
Dünnfilmtransistor verbunden wird. Ferner wird, wenn die
Höhe einer Isolierschicht zwischen der Anzahl von
Kontaktlöchern kleiner gemacht wird als die Höhe einer umgebenden
Isolierschicht, der Bedeckungsgrad der transparenten
Pixelelektrode in einem Kontaktabschnitt zufriedenstellend und es
werden fehlerhafte Kontakte beseitigt. Daher ist es möglich,
eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung hoher Qualität ohne
Punktdefekte in derselben zu schaffen.
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Demgemäß können Punktdefekte, wie sie
Flüssigkristall-Anzeigevorrichtungen eigen sind, entfernt werden, und es kann
eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung hoher Anzeigequalität
erzielt werden.
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Nachdem bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung unter-
Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben
wurden, ist zu beachten, daß vom Fachmann verschiedene
Änderungen und Modifizierungen derselben ausgeführt werden
können.