JPS6290625A - 電極基板 - Google Patents
電極基板Info
- Publication number
- JPS6290625A JPS6290625A JP23209085A JP23209085A JPS6290625A JP S6290625 A JPS6290625 A JP S6290625A JP 23209085 A JP23209085 A JP 23209085A JP 23209085 A JP23209085 A JP 23209085A JP S6290625 A JPS6290625 A JP S6290625A
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- JP
- Japan
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- electrode
- contact hole
- substrate
- transparent
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Liquid Crystal (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は画１象表示装置に用いられろ電極基板に関する
。
。
（従来の技術）
液晶表示装置、エンクトロルミネセンスディスプレー、
エレクトロクロミックティスプレー等、平面壁の両１家
表示装僅の多くは物質に成田を印加した時の光学的性質
が変化することを利用したものであり、光学的性″ｄの
変化を表示装置として用いるために、透明導電・奥を用
いた電極基板が用いられる。
エレクトロクロミックティスプレー等、平面壁の両１家
表示装僅の多くは物質に成田を印加した時の光学的性質
が変化することを利用したものであり、光学的性″ｄの
変化を表示装置として用いるために、透明導電・奥を用
いた電極基板が用いられる。
このような這４基板は表示の目的によって多種多様な透
明１櫂パターンを有することになるが、仲 近年、画１象表示の扁密度化に懐なって、＝１−配線方
式の成１仮基板が提案されている。第３図はこのような
二１−配線方式の電車基板の例を示したものであり、い
わゆる二重Ｘ ） ＩＪクス構成となっている。
明１櫂パターンを有することになるが、仲 近年、画１象表示の扁密度化に懐なって、＝１−配線方
式の成１仮基板が提案されている。第３図はこのような
二１−配線方式の電車基板の例を示したものであり、い
わゆる二重Ｘ ） ＩＪクス構成となっている。
すなわち、第３図においてガラス基板（１）上に形成さ
れた透明導電膜からなるリード電ｉｆ ＋２１は透明な
絶縁層１３）に設けられたコンタクトホール（４）にお
いて透明導電膜からなる画素電極（５）と１画素おきに
接続されている。 ◆ このような構造をとることによってリード電ボ（２）と
画素電極（５）を同一平面上に形成する場合に比べて電
極基板面における有効画素面積（いわゆる開口率）を大
幅に増重ことができる。
れた透明導電膜からなるリード電ｉｆ ＋２１は透明な
絶縁層１３）に設けられたコンタクトホール（４）にお
いて透明導電膜からなる画素電極（５）と１画素おきに
接続されている。 ◆ このような構造をとることによってリード電ボ（２）と
画素電極（５）を同一平面上に形成する場合に比べて電
極基板面における有効画素面積（いわゆる開口率）を大
幅に増重ことができる。
（発明が解決しようとする問題点）
このようなニー配線方式の−ｖ１価基板は通常、透明基
板上にリード電極のパターンを形成し、その上にコンタ
クトホールを有する絶縁１−を形成したのち絶縁１１！
上に画素電極のパターンを形成することによって製造さ
れる。すなわち、第４図に示すようにリード′電極（２
）と画素電極（５）の接続は絶縁層１３１のコンタクト
ホール部（４）の側壁を画素’Ｉｔ 極ｆ５１の材質で
おおうことによって達成される。
板上にリード電極のパターンを形成し、その上にコンタ
クトホールを有する絶縁１−を形成したのち絶縁１１！
上に画素電極のパターンを形成することによって製造さ
れる。すなわち、第４図に示すようにリード′電極（２
）と画素電極（５）の接続は絶縁層１３１のコンタクト
ホール部（４）の側壁を画素’Ｉｔ 極ｆ５１の材質で
おおうことによって達成される。
ところでこのようにして娯遺された電極基板はコンタク
トホール部におけるリードｔｆと画素電極の接続抵抗が
大きく、時にはコンタクト不良、つまり断線の発生する
こともあった。
トホール部におけるリードｔｆと画素電極の接続抵抗が
大きく、時にはコンタクト不良、つまり断線の発生する
こともあった。
これは次のような理由による。
Ｉａｌ このような−ｆＩｔ愼基板基板像表示を行な
うためには少くとも画素電極にはＳｎＯ２，工ｎ２０３
あイ、るいはＩ Ｔ Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ ０ｘ
ｉｄｅ ）等の透明導電膜を用いる必要があるが、これ
らの物質の比抵抗は５Ｘ１０−’Ωαであり、金属等の
良導゛成体に比べて２ケタ程度高い。
うためには少くとも画素電極にはＳｎＯ２，工ｎ２０３
あイ、るいはＩ Ｔ Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ ０ｘ
ｉｄｅ ）等の透明導電膜を用いる必要があるが、これ
らの物質の比抵抗は５Ｘ１０−’Ωαであり、金属等の
良導゛成体に比べて２ケタ程度高い。
ｆｂｌ これらの透明導電膜は通常スパッタや゛成子
ビーム加熱方式の真空蒸着で製膜されるが、このような
方法は蒸着の正面方向では製・関され易いが、コンタク
トホール側壁部等の蒸着方向を向いてない面に対するい
わゆるつき回りが良くない。
ビーム加熱方式の真空蒸着で製膜されるが、このような
方法は蒸着の正面方向では製・関され易いが、コンタク
トホール側壁部等の蒸着方向を向いてない面に対するい
わゆるつき回りが良くない。
Ｉｃ） 絶縁１−にコンタクトホールを形成する際、
コンタクトホール部のリード電極上にレジスト等が付着
して画素電娠との接触を阻害する。
コンタクトホール部のリード電極上にレジスト等が付着
して画素電娠との接触を阻害する。
ｌｄｌ ＩＪ−ド電極と画素電極の接触抵抗自体が高
−１゜ 以上のような理由により透明導゛亀喚を画素電極として
用いた＝１−配線方式の電極基板はリード電極と画素電
極との接続の確実性に欠けるという欠点を有している。
−１゜ 以上のような理由により透明導゛亀喚を画素電極として
用いた＝１−配線方式の電極基板はリード電極と画素電
極との接続の確実性に欠けるという欠点を有している。
透明導電膜を低抵抗化するためにはｇ厚を厚くすれば良
いが、透明性と加工性が悪化することから、画素′電極
の膜厚は２，０００λ程度が限度であり、本質的な解決
にはなり得なかった。
いが、透明性と加工性が悪化することから、画素′電極
の膜厚は２，０００λ程度が限度であり、本質的な解決
にはなり得なかった。
（発明の構成およ、び作用）
本発明は以上述べたようなリード′、を極と画素電極の
接続の不安定さをコンタクトホール部に良導電体の１を
設けることによって改善した電ＦｔＬＪ！ｉ板に関する
ものである。
接続の不安定さをコンタクトホール部に良導電体の１を
設けることによって改善した電ＦｔＬＪ！ｉ板に関する
ものである。
以下、本発明を図面を用いて説明する。
第１図は本発明の一実施態様を示したものであるが、第
４図との比較から明らかなように、画素ｔ 娠＋５１を
設ける前Ｋ、あらかじめコンタクトホール部（４）に良
導゛成体の例えば金属＋４１６１を設けたため、リード
ｔ 電極 ＋２１と画素ｓｌ ！ｆｉ ＋５１の接続を
低抵抗かつ確実なものとしている。
４図との比較から明らかなように、画素ｔ 娠＋５１を
設ける前Ｋ、あらかじめコンタクトホール部（４）に良
導゛成体の例えば金属＋４１６１を設けたため、リード
ｔ 電極 ＋２１と画素ｓｌ ！ｆｉ ＋５１の接続を
低抵抗かつ確実なものとしている。
第２図は本発明の別な実施一様を示したものであり、画
素電極１５）のパターンを形成した後、コンタクトホー
ル部１４）に良導゛成体の例えば金属４１Ｂ）を設ける
ことによりリード慮ｌ １２）とＵＭ素電極（５）の接
続を低抵抗かつ確実なものとしている。コンタクトホー
ル部に設ける良導電体層は透明導電膜より低抵抗であれ
ば何でも良く、一般的には金、銀。
素電極１５）のパターンを形成した後、コンタクトホー
ル部１４）に良導゛成体の例えば金属４１Ｂ）を設ける
ことによりリード慮ｌ １２）とＵＭ素電極（５）の接
続を低抵抗かつ確実なものとしている。コンタクトホー
ル部に設ける良導電体層は透明導電膜より低抵抗であれ
ば何でも良く、一般的には金、銀。
ニッケル、クロム、アルミ等の金属やこれらの合金を用
いることができる。また、画素電極とちがって、喫厚に
対する制約は全くない。
いることができる。また、画素電極とちがって、喫厚に
対する制約は全くない。
このような金属層は、例えば絶＠層のコンタクトホール
部分以外をフォトレジストの層で覆っておき、全面に金
属の層を設けた後、フォトレジストと７オトレジスト上
の金属を同時に除去する一種のりフトオフ法によりコン
タクトホール部のみに付着させることができる。
部分以外をフォトレジストの層で覆っておき、全面に金
属の層を設けた後、フォトレジストと７オトレジスト上
の金属を同時に除去する一種のりフトオフ法によりコン
タクトホール部のみに付着させることができる。
本発明の電極基板のリード電極としては通盾、ＩＴＯ等
の透明溝ｔ＠を用いられるが、抵抗を下げたり、画素間
の遮光の目的でニッケル、クロム、銀、アルミ等の金属
を用いても良く、透明溝ｔＩ＋と金属を組み合わせて使
用することもできる。絶縁１−は透明なものであれば何
でも良いが、コンタクトホールの形成が容易であり、高
信頼性のポリイミド樹脂が最も好ましく使用できる。
の透明溝ｔ＠を用いられるが、抵抗を下げたり、画素間
の遮光の目的でニッケル、クロム、銀、アルミ等の金属
を用いても良く、透明溝ｔＩ＋と金属を組み合わせて使
用することもできる。絶縁１−は透明なものであれば何
でも良いが、コンタクトホールの形成が容易であり、高
信頼性のポリイミド樹脂が最も好ましく使用できる。
（発明の実施例）
〈実施例１〉
ガラス基板に電気ビーム加熱方式の真空蒸着法で形成し
て・焼成した厚さ１． Ｇ ＯＧ ＡのＩＴＯ嘆を常法
でパターニングして幅２００μｍスペース１００μｍの
ストライプ状のリードコ卓を形成した。
て・焼成した厚さ１． Ｇ ＯＧ ＡのＩＴＯ嘆を常法
でパターニングして幅２００μｍスペース１００μｍの
ストライプ状のリードコ卓を形成した。
この基板上に感光性のポリイミド樹脂であるフォトニー
スＪＲ−ｓ１ｏｏ（東ン■商品名）をコートし、３０μ
ｙＨＸ３０μｍのコンタクトホールを形成したのち３０
０°Ｃで硬化した。この時、膜厚は１゜８μｍだった。
スＪＲ−ｓ１ｏｏ（東ン■商品名）をコートし、３０μ
ｙＨＸ３０μｍのコンタクトホールを形成したのち３０
０°Ｃで硬化した。この時、膜厚は１゜８μｍだった。
この基板に低温スパッタ法で厚さ６ｏｏ ＡのＩＴＯ模
を形成したのち常法でパターニングして５００μｍＸ５
００μｍの画素電極を形成した。
を形成したのち常法でパターニングして５００μｍＸ５
００μｍの画素電極を形成した。
このようにして作製した電極基板１０枚について１枚に
つきｓ、ｏｏｏ組のリード′電極−画素電極間の抵抗を
測定し、導通不良（抵抗が１００にΩ以上のもの）の発
生率を表１の従来品の項に示した。
つきｓ、ｏｏｏ組のリード′電極−画素電極間の抵抗を
測定し、導通不良（抵抗が１００にΩ以上のもの）の発
生率を表１の従来品の項に示した。
次にこのようにして作架したシ囁基板上にポジ梨の７オ
トレジス）ＭＰ１４００−２７（シプレー社商品名）コ
ーティングし、コンタクトホール部分に４０μｍ×４０
μｍのウィンドウを形成した。さらにこの基板にイオン
プＶ−ティング法によりアルミニウム模を５ｏａｏＬ製
［したのちレジスト除去Ｑ１４０（シプレー社商品名）
でレジストとレジスト上のアルミニウムを除去すること
によってコンタクトホール部分に金属層を形成した基板
を得た。
トレジス）ＭＰ１４００−２７（シプレー社商品名）コ
ーティングし、コンタクトホール部分に４０μｍ×４０
μｍのウィンドウを形成した。さらにこの基板にイオン
プＶ−ティング法によりアルミニウム模を５ｏａｏＬ製
［したのちレジスト除去Ｑ１４０（シプレー社商品名）
でレジストとレジスト上のアルミニウムを除去すること
によってコンタクトホール部分に金属層を形成した基板
を得た。
このようにして作製した基板１０枚について従来例と同
様に導通不良の発生率を測定した結果を表１の実施例１
１１の項に示した。
様に導通不良の発生率を測定した結果を表１の実施例１
１１の項に示した。
〈実施例２〉
実施例１と同様にガラス基板上にＩＴＯのり一ド１櫂パ
ターンを形成したのち、ポリイミド樹脂廖液ＰＩＸ−１
２００（日立化成株商品名）をスピンコードし、３００
°Ｃで硬化して厚さ２．０μｍの透明絶縁１漠を得た。
ターンを形成したのち、ポリイミド樹脂廖液ＰＩＸ−１
２００（日立化成株商品名）をスピンコードし、３００
°Ｃで硬化して厚さ２．０μｍの透明絶縁１漠を得た。
次にネガ梨のフォトレジストであるＯＭＲ−８３（東京
応化■商品名）を用いてポリイミド膜上に３０μｍ×３
０μｍのウィンドウを形成し、とドラジン水相吻でポリ
イミド嗅をエツチングしてコンタクトホールを形成した
。
応化■商品名）を用いてポリイミド膜上に３０μｍ×３
０μｍのウィンドウを形成し、とドラジン水相吻でポリ
イミド嗅をエツチングしてコンタクトホールを形成した
。
次にこの基板上に無成解メッキ法でニッケル漠な１５０
０λ裂模したのちレジスト除去１Ｍ５ｏ２（東京応化■
商品名）でレジストとレジスト上のニラ様にＩ Ｔ Ｏ
の画素電極を形成してシボ基板を完成した。
０λ裂模したのちレジスト除去１Ｍ５ｏ２（東京応化■
商品名）でレジストとレジスト上のニラ様にＩ Ｔ Ｏ
の画素電極を形成してシボ基板を完成した。
この電卓基板の導通不良発生率を表１の実施例（２）の
項に示した。
項に示した。
表１ コンタクト不良発生ａ（５０００画素中）（発明
の効果） 以上述べたように、本発明の電極基板はコンタクトホー
ル部に良導に体の層を設けたのでリードｔ 、ｆと画素
電極との接続抵抗が下がって液晶等の表示物質に成田を
有効に印加できるばかりでなく、リード電極と画素電極
とのコンタクト不良も大幅に減らすことができた。
の効果） 以上述べたように、本発明の電極基板はコンタクトホー
ル部に良導に体の層を設けたのでリードｔ 、ｆと画素
電極との接続抵抗が下がって液晶等の表示物質に成田を
有効に印加できるばかりでなく、リード電極と画素電極
とのコンタクト不良も大幅に減らすことができた。
第１図は本発明による成体基板の一実施西様を示す断面
図、第２図は本発明による１極基板の別な実施幅様を示
す断面図である。第６図は＝１響配線方式の電、一基板
の従来例の一部を示す一部破析斜視図、第４図は＝１響
配線方式のｔｆ７Ｌ基板のＩＪ −ド電極と画素電極と
の接続を示す断面図である。 １・・・基板 ２・・・リード電極 ３・・・透明絶縁層 ４・・・コンタクトホール ５・・・画素電極 ６・・・金属層
図、第２図は本発明による１極基板の別な実施幅様を示
す断面図である。第６図は＝１響配線方式の電、一基板
の従来例の一部を示す一部破析斜視図、第４図は＝１響
配線方式のｔｆ７Ｌ基板のＩＪ −ド電極と画素電極と
の接続を示す断面図である。 １・・・基板 ２・・・リード電極 ３・・・透明絶縁層 ４・・・コンタクトホール ５・・・画素電極 ６・・・金属層
Claims (2)
- （１）透明基板上に形成されたリード電極が透明な絶縁
層に形成されたコンタクトホールを介して透明な画素電
極と接続する構造を有する電極基板において、該コンタ
クトホール部分に良導電体の層が設けられていることを
特徴とする電極基板。 - （２）良導電体が金属であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の電極基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23209085A JPS6290625A (ja) | 1985-10-17 | 1985-10-17 | 電極基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23209085A JPS6290625A (ja) | 1985-10-17 | 1985-10-17 | 電極基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6290625A true JPS6290625A (ja) | 1987-04-25 |
Family
ID=16933841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23209085A Pending JPS6290625A (ja) | 1985-10-17 | 1985-10-17 | 電極基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6290625A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0312637A (ja) * | 1989-06-12 | 1991-01-21 | Matsushita Electron Corp | 画像表示装置及びその製造方法 |
| EP0447621A2 (de) * | 1990-03-21 | 1991-09-25 | Licentia Patent-Verwaltungs-GmbH | Flüssigkristallanzeigevorrichtung |
| EP0449123A2 (en) * | 1990-03-24 | 1991-10-02 | Sony Corporation | Liquid crystal display device |
| US5212575A (en) * | 1988-08-30 | 1993-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Functional substrate for controlling pixels |
-
1985
- 1985-10-17 JP JP23209085A patent/JPS6290625A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5212575A (en) * | 1988-08-30 | 1993-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Functional substrate for controlling pixels |
| US5650867A (en) * | 1988-08-30 | 1997-07-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Functional substrate for controlling pixels |
| JPH0312637A (ja) * | 1989-06-12 | 1991-01-21 | Matsushita Electron Corp | 画像表示装置及びその製造方法 |
| EP0447621A2 (de) * | 1990-03-21 | 1991-09-25 | Licentia Patent-Verwaltungs-GmbH | Flüssigkristallanzeigevorrichtung |
| EP0449123A2 (en) * | 1990-03-24 | 1991-10-02 | Sony Corporation | Liquid crystal display device |
| EP0723179A1 (en) * | 1990-03-24 | 1996-07-24 | Sony Corporation | Liquid crystal display device |
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