JPS6269238A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPS6269238A JPS6269238A JP60209598A JP20959885A JPS6269238A JP S6269238 A JPS6269238 A JP S6269238A JP 60209598 A JP60209598 A JP 60209598A JP 20959885 A JP20959885 A JP 20959885A JP S6269238 A JPS6269238 A JP S6269238A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- liquid crystal
- electrode
- semiconductor layer
- crystal display
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は例えば液晶型カラーテレビジョン受像機等に使
用して好適な液晶表示装置に関する。
用して好適な液晶表示装置に関する。
本発明は例えば液晶型カラーテレビジョン受像機等に使
用して好適な薄膜トランジスタのスイッチング素子の駆
動によシ表示電極に表示を行わせる液晶表示装置におい
て、表、示電極をスイッチング素子を構成する半導体層
と透明電極とから形成したことによシ、半導体層の表示
電極部の面積を小さくし光の透過率を上げることができ
るようにして良好な画像再生ができるようにしたもので
ある。
用して好適な薄膜トランジスタのスイッチング素子の駆
動によシ表示電極に表示を行わせる液晶表示装置におい
て、表、示電極をスイッチング素子を構成する半導体層
と透明電極とから形成したことによシ、半導体層の表示
電極部の面積を小さくし光の透過率を上げることができ
るようにして良好な画像再生ができるようにしたもので
ある。
従来、超薄膜トランジスタのスイッチング素子の駆動に
よシ表示電極に表示を行なわせる液晶表示装置として第
３図Ａ〜第３図Ｉに示す如き方法で製造されるものが提
案されている。
よシ表示電極に表示を行なわせる液晶表示装置として第
３図Ａ〜第３図Ｉに示す如き方法で製造されるものが提
案されている。
この第３図Ａにおいて（１）は石英基板を示し、この石
英基板（１）上に所定形状の多結晶シリコン膜（２）を
形成し１次いで熱酸化を行うことにより、第３図Ｂに示
すように、この多結晶シリコン膜（２）の表面に５ＩＯ
２膜（３）を形成すると共にこの多結晶シリコン膜（２
）を所定膜厚に薄膜化した後、全面に多結晶シリコン膜
（４）を形成する。
英基板（１）上に所定形状の多結晶シリコン膜（２）を
形成し１次いで熱酸化を行うことにより、第３図Ｂに示
すように、この多結晶シリコン膜（２）の表面に５ＩＯ
２膜（３）を形成すると共にこの多結晶シリコン膜（２
）を所定膜厚に薄膜化した後、全面に多結晶シリコン膜
（４）を形成する。
次にこの多結晶シリコン膜（４）及びｓｔｏ２Ｍ（３）
の所定部分を順次エツチング除去して、第３図Ｃに示す
ように所定形状の５ＩＯ２膜から成るｆ−）絶縁膜（６
）及び所定形状の多結晶シリコン膜から成るグート電極
（７）をそれぞれ形成する。
の所定部分を順次エツチング除去して、第３図Ｃに示す
ように所定形状の５ＩＯ２膜から成るｆ−）絶縁膜（６
）及び所定形状の多結晶シリコン膜から成るグート電極
（７）をそれぞれ形成する。
次に第３図りに示すように、全面にリンシリゲートグラ
ス（ＰＳＧ）膜（８）を形成し、次いで１０００℃程度
で熱処理を行うことによりこのＰＳＣＩＡ （ｓ）中に
言まれでいるリン（Ｐ）を多結晶シリコン膜（２）中に
拡散させて、？形のソース領域（１０及びドレイン領域
０１）を形成する。
ス（ＰＳＧ）膜（８）を形成し、次いで１０００℃程度
で熱処理を行うことによりこのＰＳＣＩＡ （ｓ）中に
言まれでいるリン（Ｐ）を多結晶シリコン膜（２）中に
拡散させて、？形のソース領域（１０及びドレイン領域
０１）を形成する。
次に第３図Ｅに示すように、ＰＳＣ膜（８）の所定部分
をエツチング除去して開口（８ａ ） 、 （ｓｂ ）
を形成した後、これらの開口（８ｍ）、（８ｂ）を通じ
てｌｔから成る電極（６）、（ハ）を形成する。
をエツチング除去して開口（８ａ ） 、 （ｓｂ ）
を形成した後、これらの開口（８ｍ）、（８ｂ）を通じ
てｌｔから成る電極（６）、（ハ）を形成する。
次に第３図Ｆに示すように、プラズマＣＶＤ法により全
面に層間絶縁膜としてのプラズマナイトライド（Ｐ−８
ＩＮ）膜へ４を形成した後、このＰ−８ｉＮ膜０→の所
定部分をエツチング除去して開口（１４ａ）を形成する
。
面に層間絶縁膜としてのプラズマナイトライド（Ｐ−８
ＩＮ）膜へ４を形成した後、このＰ−８ｉＮ膜０→の所
定部分をエツチング除去して開口（１４ａ）を形成する
。
次に第３図Ｇに示すように、スパッタ法により３００℃
程度で全面にＩＴＯ膜を被着形成し、次いでこのＩＴＯ
ＩＩＱの所定部分をエツチング除去して所定形状のＩＴ
Ｏ膜（ＩＱ（透明電極）全形成した後、第３図Ｉ（に示
すように全面に）ｅツシベーション膜としてのＰ−８ｉ
Ｎ ａ （ｒ乃を形成する。この後、第３図■に示すよ
うに、ＩＴＯ膜から成る対向電極α躯がその一面に予め
形成でれているガラス板α１とこのＰ−３ｉＮ膜αカと
の間に表示部を構成する鉛：晶翰を封入１〜で液晶表示
素子を完成させる。
程度で全面にＩＴＯ膜を被着形成し、次いでこのＩＴＯ
ＩＩＱの所定部分をエツチング除去して所定形状のＩＴ
Ｏ膜（ＩＱ（透明電極）全形成した後、第３図Ｉ（に示
すように全面に）ｅツシベーション膜としてのＰ−８ｉ
Ｎ ａ （ｒ乃を形成する。この後、第３図■に示すよ
うに、ＩＴＯ膜から成る対向電極α躯がその一面に予め
形成でれているガラス板α１とこのＰ−３ｉＮ膜αカと
の間に表示部を構成する鉛：晶翰を封入１〜で液晶表示
素子を完成させる。
なおこのようにして１°ｊ４造される液晶表示素子にお
いては、ケ°−ト絶縁膜（６）、ケ°−＋−ｔＬ極（７
）、ソース領域α１及びドレイン領域へη等から成る薄
Ｕ）ラン・ゾスタ（ＴＦＴ）が駆動用トランジスタを構
成していて、この駆動用トランジスタのスイッチング動
作により、透明電極としてのＩＴＯ膜α神と対向電極ｑ
枠との間に印加する′に圧、即ち液晶ａ）に印加する′
４圧を制御するようになっている。
いては、ケ°−ト絶縁膜（６）、ケ°−＋−ｔＬ極（７
）、ソース領域α１及びドレイン領域へη等から成る薄
Ｕ）ラン・ゾスタ（ＴＦＴ）が駆動用トランジスタを構
成していて、この駆動用トランジスタのスイッチング動
作により、透明電極としてのＩＴＯ膜α神と対向電極ｑ
枠との間に印加する′に圧、即ち液晶ａ）に印加する′
４圧を制御するようになっている。
しかしながら、断る従来の液晶表示装置においては、薄
膜トランジスタのドレ・イン電極（′Ｉ３にＩＴＯａ（
１＊を被着接続する場合にドレイン電極咋を形成してい
るＡｔの表面が酸化し易いため、良好なオーミック接続
がイ１１られない場合があるという不都合があった。特
に、・、ｑ膜トランジスタ７つ；小さくなり、ドレイン
電極（１３とＩＴＯ膜α０との接続面積が小さくなるほ
ど斯る不都合が生じていた。この場合、ＩＴＯ膜０Ｑを
ドレイン領域αのを形成している多結晶シリコン膜と直
接接続することが提案されているが、接続面積が小さく
良好な密着度が得られず、接触抵抗が大きくなってしま
うという不都合があった。
膜トランジスタのドレ・イン電極（′Ｉ３にＩＴＯａ（
１＊を被着接続する場合にドレイン電極咋を形成してい
るＡｔの表面が酸化し易いため、良好なオーミック接続
がイ１１られない場合があるという不都合があった。特
に、・、ｑ膜トランジスタ７つ；小さくなり、ドレイン
電極（１３とＩＴＯ膜α０との接続面積が小さくなるほ
ど斯る不都合が生じていた。この場合、ＩＴＯ膜０Ｑを
ドレイン領域αのを形成している多結晶シリコン膜と直
接接続することが提案されているが、接続面積が小さく
良好な密着度が得られず、接触抵抗が大きくなってしま
うという不都合があった。
そこで、斯る従来の液晶表示装置が有する不都合を解消
した液晶表示装置として第４図Ａ〜第４図Ｇに示す如き
ものが提案されている。
した液晶表示装置として第４図Ａ〜第４図Ｇに示す如き
ものが提案されている。
これはまず第４図Ａに示すように、石英基板（１）上に
１画素（または１絵素）に対応する大きさを有しかつ膜
厚が例えば７００人の−ｎ＝−形の多結晶シリコン膜（
２）を形成し、次いで熱酸化を行うことにより、第４図
Ｂに示すように、この多結晶シリコン膜（２）の表面に
例えば膜厚１０００Ｘの５ＩＯ２膜（３）を形成すると
共に、この多結晶シリコン膜（２）を例えば膜厚２００
Ｘに薄膜化する。この後、第３図Ｂ〜第３図りと同様に
第４図Ｂ〜第４図りに示すように工程を進めて、ｒ−ト
絶縁膜（６）、ダート電極（７）、ＰＳＣ膜（８）、ｉ
形のソース領域αＱ及びドレイン領域α壇を形成する。
１画素（または１絵素）に対応する大きさを有しかつ膜
厚が例えば７００人の−ｎ＝−形の多結晶シリコン膜（
２）を形成し、次いで熱酸化を行うことにより、第４図
Ｂに示すように、この多結晶シリコン膜（２）の表面に
例えば膜厚１０００Ｘの５ＩＯ２膜（３）を形成すると
共に、この多結晶シリコン膜（２）を例えば膜厚２００
Ｘに薄膜化する。この後、第３図Ｂ〜第３図りと同様に
第４図Ｂ〜第４図りに示すように工程を進めて、ｒ−ト
絶縁膜（６）、ダート電極（７）、ＰＳＣ膜（８）、ｉ
形のソース領域αＱ及びドレイン領域α壇を形成する。
次に第４図Ｅに示すように、ＰＳＧ ｆｇ （ｓ）に開
口（８ａ）を形成した後、この開口（８＆）を通じてＡ
ｔから成る電極（６）を形成する。
口（８ａ）を形成した後、この開口（８＆）を通じてＡ
ｔから成る電極（６）を形成する。
次に第４図Ｆに示すように、パッシベーション膜として
のＰ−８ＩＮ膜へ力を形成した後、第３図１に示すと同
様に、ガラス板（１！１に形成された対向電極α樽とこ
のＰ−８ＩＮ膜（１ｆ）との間に液晶−を封入し−Ｃ１
第４図Ｇに示すように目的とする液晶表示素子を完成さ
せる。この状態における液晶表示素子の平面図を第５図
に示す。なおこの第５図においては、Ｐ−８ＩＮ膜αη
、対向車（メα樽、ガラス根回、液晶−等の図示を省略
した。
のＰ−８ＩＮ膜へ力を形成した後、第３図１に示すと同
様に、ガラス板（１！１に形成された対向電極α樽とこ
のＰ−８ＩＮ膜（１ｆ）との間に液晶−を封入し−Ｃ１
第４図Ｇに示すように目的とする液晶表示素子を完成さ
せる。この状態における液晶表示素子の平面図を第５図
に示す。なおこの第５図においては、Ｐ−８ＩＮ膜αη
、対向車（メα樽、ガラス根回、液晶−等の図示を省略
した。
斯る第４図例の液晶表示装置に依れば、ドレイン領域α
βを構成する多結晶シリコン膜（２）が透明電極を兼用
しているので、製作工場ｖが少ないと共にＩＴＯ膜０Ｑ
とドレイン電極←ｊとの接続を考慮する必要がないとい
う利益がある。
βを構成する多結晶シリコン膜（２）が透明電極を兼用
しているので、製作工場ｖが少ないと共にＩＴＯ膜０Ｑ
とドレイン電極←ｊとの接続を考慮する必要がないとい
う利益がある。
しかしながら、多結晶シリコン膜（２）による１匝は、
ＩＴＯｉ＜ＩＧに比し、光の透過率が悪いという不都合
があった。
ＩＴＯｉ＜ＩＧに比し、光の透過率が悪いという不都合
があった。
そこで、従来からこの多結晶シリコン膜（２）による電
極を第６図及び第７図に示す如き穴開電極にして光の透
過率を上げようとすることが提案式れでいる。尚、之等
第６図及び第７図においてはＰ−８ｊＮｇ（１カ、対向
電極０椴、ガラス板（ｌ燵、液晶（ホ）等の図示を省略
した。
極を第６図及び第７図に示す如き穴開電極にして光の透
過率を上げようとすることが提案式れでいる。尚、之等
第６図及び第７図においてはＰ−８ｊＮｇ（１カ、対向
電極０椴、ガラス板（ｌ燵、液晶（ホ）等の図示を省略
した。
しかしながら、多結晶シリコン膜（２）による電極を穴
開電極とした場合に、大の幅ｔを小さくすると液晶の配
向処理が困難となる一方、穴の幅ｔを大きくし電極面積
を小さくして光の透過率を上げようとすると、液晶全体
に良好な電界が加わらず、却って不良な画像となってし
まうという不都合があった。
開電極とした場合に、大の幅ｔを小さくすると液晶の配
向処理が困難となる一方、穴の幅ｔを大きくし電極面積
を小さくして光の透過率を上げようとすると、液晶全体
に良好な電界が加わらず、却って不良な画像となってし
まうという不都合があった。
本発明は、斯る点に鑑み、半導体層の表示電極部の面積
を小さくし光の透過率を上げ、良好な画像再生をし祷る
ようにした液晶表示装置を提供することを目的とする。
を小さくし光の透過率を上げ、良好な画像再生をし祷る
ようにした液晶表示装置を提供することを目的とする。
本発明は、第１図に示す如く、スイッチング素子の駆動
により表示電極に表示を行なわせる液晶表示装置におい
て１表示電極をスイッチング素子を構成する半導体層（
２）と透明電極←Ｏとから形成したものである。
により表示電極に表示を行なわせる液晶表示装置におい
て１表示電極をスイッチング素子を構成する半導体層（
２）と透明電極←Ｏとから形成したものである。
斯る本発明に依れば、表示電極をスイッチング素子を構
成する半導体層（２）と透明電極ａＱとから形成したの
で、半導体層（２）の表示電極部分の面積を小さくして
も、液晶全体に良好な電界が掛かる。
成する半導体層（２）と透明電極ａＱとから形成したの
で、半導体層（２）の表示電極部分の面積を小さくして
も、液晶全体に良好な電界が掛かる。
従って、半導体層（２ンの表示電極部分の面積を小さく
して光の透過率を上げることができる。
して光の透過率を上げることができる。
以下、第１図を参照して本発明の液晶表示装置の一実施
例について説明しよう。この第１図において第３図〜第
７図に対応する部分には同一符号を付し、その詳細説明
は省略する。
例について説明しよう。この第１図において第３図〜第
７図に対応する部分には同一符号を付し、その詳細説明
は省略する。
先ず本例の液晶表示Ｈｒｘｌを製造するμｊ合につき説
明する。
明する。
この第１図人において（１）は石英基板を示し、この石
英基板（１）上に１画素に対応する太き嘔を有しかつ膜
厚が例えは７００又の−ｎ−形の多結晶シリコ／層（２
）を形成し、次いで熱酸化を行うことによシ、第１図Ｂ
に示すように、この多結晶シリコン膜（２）の表面に例
えば１０００ Ｘの８１０□ｆｌｆａ （３）を形成す
ると共に、この多結晶シリコン膜（２）を例えば膜厚２
００Ｘに薄膜化した後、全面に多結晶シリコン膜（４）
を形成する。
英基板（１）上に１画素に対応する太き嘔を有しかつ膜
厚が例えは７００又の−ｎ−形の多結晶シリコ／層（２
）を形成し、次いで熱酸化を行うことによシ、第１図Ｂ
に示すように、この多結晶シリコン膜（２）の表面に例
えば１０００ Ｘの８１０□ｆｌｆａ （３）を形成す
ると共に、この多結晶シリコン膜（２）を例えば膜厚２
００Ｘに薄膜化した後、全面に多結晶シリコン膜（４）
を形成する。
次にこの多結晶シリコ７ Ｍ （４）及び５ｓｏ２Ｎ（
３）の所定部分を順次エツチング除去して、第１図Ｃに
示す如く所定形状のＳｔＯ□膜からなるダート絶縁膜（
６）及び所定形状の多結晶シリコン膜からなるゲート′
、ル極（７）をそれぞれ形成し、次いで多結晶シリコン
膜（２）を部分的にエツチングして第１図り及び第１図
Ｅに示す如く所要の穴部（２ａ）を形成する。
３）の所定部分を順次エツチング除去して、第１図Ｃに
示す如く所定形状のＳｔＯ□膜からなるダート絶縁膜（
６）及び所定形状の多結晶シリコン膜からなるゲート′
、ル極（７）をそれぞれ形成し、次いで多結晶シリコン
膜（２）を部分的にエツチングして第１図り及び第１図
Ｅに示す如く所要の穴部（２ａ）を形成する。
次に第１図Ｆに示す如く全面にｐｓｃ ｋ （８）を形
成し、次いで１０００℃程度で熱処理を行うことによシ
このＰＳＧ 朕（８）中に含まれているリン（Ｐ）を多
結晶シリコン族（２）中に拡散させてｎ形のソース領域
ａｑ及びドレイン領域（１１）を形成する。
成し、次いで１０００℃程度で熱処理を行うことによシ
このＰＳＧ 朕（８）中に含まれているリン（Ｐ）を多
結晶シリコン族（２）中に拡散させてｎ形のソース領域
ａｑ及びドレイン領域（１１）を形成する。
次に第１図Ｇに示す如＜ ＰＳＧル１５ （８）の所定
部分をエツチング除去して開口（８ａ）を形成する。
部分をエツチング除去して開口（８ａ）を形成する。
次にス／９ツタ法によ、９３００℃程度で全面にＩＴＯ
膜を被着形成し、次いで第１図Ｈに示す如くこの■Ｔａ
ｍの所定部分をエツチング除去して所定形状のＩＴＯ膜
ａＱを形成し次後、第１図Ｉに示す如く開口（８ｍ ）
、 （８ｂ ）を通じてＡｔからなる電極ｕ、（１１
を形成する。この場合、電極ａ３は多結晶シリコン膜（
２）によるドレイン領域α◇とＩＴＯ膜の？「気的接続
を良好にするためのものである。
膜を被着形成し、次いで第１図Ｈに示す如くこの■Ｔａ
ｍの所定部分をエツチング除去して所定形状のＩＴＯ膜
ａＱを形成し次後、第１図Ｉに示す如く開口（８ｍ ）
、 （８ｂ ）を通じてＡｔからなる電極ｕ、（１１
を形成する。この場合、電極ａ３は多結晶シリコン膜（
２）によるドレイン領域α◇とＩＴＯ膜の？「気的接続
を良好にするためのものである。
次に第１図Ｊに示す如く全面にノセツシベーション膜と
してＰ−８ｉＮ膜（１７）を形成し、次いで紀１図Ｋに
示す如く、ＩＴＯ膜からなる対向電極Ｑ１がその一面に
予め形成されているガラス板（至）とこのＰ−８ｉＮｏ
カとの間に表示部を構成する液晶四を封入して液晶表示
装置を完成させる。
してＰ−８ｉＮ膜（１７）を形成し、次いで紀１図Ｋに
示す如く、ＩＴＯ膜からなる対向電極Ｑ１がその一面に
予め形成されているガラス板（至）とこのＰ−８ｉＮｏ
カとの間に表示部を構成する液晶四を封入して液晶表示
装置を完成させる。
この様に製造された本例の液晶表示装置においては、ケ
゛−ト絶縁膜（６）、ゲート電極（７）、ソース領域如
及びドレイン領域（１）等で＋ａ動用薄股トランジスタ
が構成され、また多結晶シリコン膜（２）とＩＴＯ膜α
Ｏとで表示布、極が構成でれている。従って、本例にお
いてはこの小価用薄膜トランジスタのスイッチング動作
により多結晶シリコン膜（２）とＩＴＯＩＩ’＜００と
からなる表示電極と対向電極０→との間に印加する′電
圧すなわち液晶い）に印加する電圧を制御し偕晶表示を
行うことができる。この場合、本例では表示電極を上述
の如く多結晶シリコン膜（２）とＩＴＯ膜０４とから構
成しているので、この多結晶シリコン膜（２）の面積を
小テ＜シて、例えば第１図りに示す如き穴開電極として
も、ＩＴＯｐＩＡＣ１＊と対向電極Ｑ→とで液晶−全体
に良好な電界を掛は液晶表示を行うことができる。
゛−ト絶縁膜（６）、ゲート電極（７）、ソース領域如
及びドレイン領域（１）等で＋ａ動用薄股トランジスタ
が構成され、また多結晶シリコン膜（２）とＩＴＯ膜α
Ｏとで表示布、極が構成でれている。従って、本例にお
いてはこの小価用薄膜トランジスタのスイッチング動作
により多結晶シリコン膜（２）とＩＴＯＩＩ’＜００と
からなる表示電極と対向電極０→との間に印加する′電
圧すなわち液晶い）に印加する電圧を制御し偕晶表示を
行うことができる。この場合、本例では表示電極を上述
の如く多結晶シリコン膜（２）とＩＴＯ膜０４とから構
成しているので、この多結晶シリコン膜（２）の面積を
小テ＜シて、例えば第１図りに示す如き穴開電極として
も、ＩＴＯｐＩＡＣ１＊と対向電極Ｑ→とで液晶−全体
に良好な電界を掛は液晶表示を行うことができる。
従って、本実施例に依れば、多結晶シリコン膜（２）の
面積を小で＜シて光の透過率を上げ、良好な再生画イ；
りを得ることができるという利益がある。
面積を小で＜シて光の透過率を上げ、良好な再生画イ；
りを得ることができるという利益がある。
尚、上述実施例においては、多結晶シリコン膜（２）を
第１図りに示す如き穴開′電極としたが、この代りに、
第２図に示す如きくし状電極その他種々の形状が取り？
！）ることは勿論である。
第１図りに示す如き穴開′電極としたが、この代りに、
第２図に示す如きくし状電極その他種々の形状が取り？
！）ることは勿論である。
また上述実施例においてはＡｔ’６［（Ｌｉを使用して
多結晶シリコン膜（２）とｘｒｏｉ（ｉ→との電気的接
続を良好なものとしているが、特にこの′−極（至）を
使用しなくとも、上述同様の作用効果を得ることができ
ることは勿論である。
多結晶シリコン膜（２）とｘｒｏｉ（ｉ→との電気的接
続を良好なものとしているが、特にこの′−極（至）を
使用しなくとも、上述同様の作用効果を得ることができ
ることは勿論である。
更に本発明は上述実施例に限らず本発明の要旨を逸脱す
ることなくその他種々の構成が取り得ることは勿論であ
る。
ることなくその他種々の構成が取り得ることは勿論であ
る。
本発明に依れば、半導体層の表示電極部分の面積を小さ
くしても、液晶全体に良好な′１界が掛かるので、半導
体層の表示′４電極分の面積を小さくして光の透過率を
上げ良好な再生画像を得ることができるという利益があ
る。
くしても、液晶全体に良好な′１界が掛かるので、半導
体層の表示′４電極分の面積を小さくして光の透過率を
上げ良好な再生画像を得ることができるという利益があ
る。
第１図は本発明液晶表示装置の一実施例の製造工程の一
例を示す線図、第２図は本発明の他の実施例の説明に供
する線図、第３図及び第４図は夫夫従来の液晶表示装ｆ
ｉｆの製造工程を示す線図、第５図、第６図及び第７図
は夫々従来の液晶表示装置の説明に供する線図である。 （１）は石英基板、（２）は多結晶シリコン膜、（６）
はケ゛−ト絶縁膜、（７）はｒ−ト′屯極、αＱはソー
ス領域、α（ト）はドレイン領域、ａ・はＩＴＯ膜、α
峠は対向電極、（１鴫はガラス板、四は液晶である。 代坤人 伊藤 貞 同 松 隈 秀 盛第２図 のり１１ｒＩシリコン増 石矢を仮 第１図Ａ 第１図Ｂ 第１図り 第１図Ｊ 第１図に 第３１に、１ 第３図Ｂ 第３図り 第３図Ｅ 第３図Ｇ 第３図Ｉ（ 第３図■ 第４図Ｆ 第４図Ｇ 〃糸凱九シソコン庁菅 ６更を抜 第４図Ａ 第４図Ｂ 第４図Ｃ 第４図Ｅ 第５図 第７図
例を示す線図、第２図は本発明の他の実施例の説明に供
する線図、第３図及び第４図は夫夫従来の液晶表示装ｆ
ｉｆの製造工程を示す線図、第５図、第６図及び第７図
は夫々従来の液晶表示装置の説明に供する線図である。 （１）は石英基板、（２）は多結晶シリコン膜、（６）
はケ゛−ト絶縁膜、（７）はｒ−ト′屯極、αＱはソー
ス領域、α（ト）はドレイン領域、ａ・はＩＴＯ膜、α
峠は対向電極、（１鴫はガラス板、四は液晶である。 代坤人 伊藤 貞 同 松 隈 秀 盛第２図 のり１１ｒＩシリコン増 石矢を仮 第１図Ａ 第１図Ｂ 第１図り 第１図Ｊ 第１図に 第３１に、１ 第３図Ｂ 第３図り 第３図Ｅ 第３図Ｇ 第３図Ｉ（ 第３図■ 第４図Ｆ 第４図Ｇ 〃糸凱九シソコン庁菅 ６更を抜 第４図Ａ 第４図Ｂ 第４図Ｃ 第４図Ｅ 第５図 第７図
Claims (1)
- スイツチング素子の駆動により表示電極に表示を行な
わせる液晶表示装置において、上記表示電極を上記スイ
ツチング素子を構成する半導体層と透明電極とから形成
したことを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60209598A JPS6269238A (ja) | 1985-09-21 | 1985-09-21 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60209598A JPS6269238A (ja) | 1985-09-21 | 1985-09-21 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6269238A true JPS6269238A (ja) | 1987-03-30 |
Family
ID=16575473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60209598A Pending JPS6269238A (ja) | 1985-09-21 | 1985-09-21 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6269238A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0380226A (ja) * | 1989-08-23 | 1991-04-05 | Nec Corp | 液晶表示素子用アクティブマトリクス基板とその製造方法 |
| JPH03280014A (ja) * | 1990-03-29 | 1991-12-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
| JPH03293639A (ja) * | 1990-04-12 | 1991-12-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
| US5146301A (en) * | 1987-10-15 | 1992-09-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Terminal electrode structure of a liquid crystal panel display |
| US5208690A (en) * | 1990-03-24 | 1993-05-04 | Sony Corporation | Liquid crystal display having a plurality of pixels with switching transistors |
| US5646705A (en) * | 1991-09-26 | 1997-07-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electrode structure of liquid crystal display device and method of manufacturing the liquid crystal display device |
-
1985
- 1985-09-21 JP JP60209598A patent/JPS6269238A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5146301A (en) * | 1987-10-15 | 1992-09-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Terminal electrode structure of a liquid crystal panel display |
| JPH0380226A (ja) * | 1989-08-23 | 1991-04-05 | Nec Corp | 液晶表示素子用アクティブマトリクス基板とその製造方法 |
| US5208690A (en) * | 1990-03-24 | 1993-05-04 | Sony Corporation | Liquid crystal display having a plurality of pixels with switching transistors |
| JPH03280014A (ja) * | 1990-03-29 | 1991-12-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
| JPH03293639A (ja) * | 1990-04-12 | 1991-12-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
| US5646705A (en) * | 1991-09-26 | 1997-07-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electrode structure of liquid crystal display device and method of manufacturing the liquid crystal display device |
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