JPH03293639A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH03293639A JPH03293639A JP2097167A JP9716790A JPH03293639A JP H03293639 A JPH03293639 A JP H03293639A JP 2097167 A JP2097167 A JP 2097167A JP 9716790 A JP9716790 A JP 9716790A JP H03293639 A JPH03293639 A JP H03293639A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、プロシェクションテレヒ受像機、テレビカメ
ラ用ビューファインダ、ＯＡ機器等のデイスプレィに用
いることができる液晶表示・装置に関する。
ラ用ビューファインダ、ＯＡ機器等のデイスプレィに用
いることができる液晶表示・装置に関する。
従来の技鵞
近年、液晶表示装置はポケットサイズのテレビ受像機、
プロジェクションテレビ受像機、テレビカメラ用ビュー
ファインダ、ＯＡ機器等のデイスプレィに用いられてい
るなどすでに実用段階にある。特に画質の点から考える
と、画素の一つ一つに薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）スイ
ッチを設けたアクティブマトリックス型が液晶の駆動技
術として優れており、その画素構造の研究が盛んに行わ
れている。
プロジェクションテレビ受像機、テレビカメラ用ビュー
ファインダ、ＯＡ機器等のデイスプレィに用いられてい
るなどすでに実用段階にある。特に画質の点から考える
と、画素の一つ一つに薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）スイ
ッチを設けたアクティブマトリックス型が液晶の駆動技
術として優れており、その画素構造の研究が盛んに行わ
れている。
以下、第３図および第４図を用いて従来の液晶表示装置
について説明する。第３図は液晶表示装置の画素部の平
面図、第４図は同図Ｂ−Ｂ’線における断面図である。
について説明する。第３図は液晶表示装置の画素部の平
面図、第４図は同図Ｂ−Ｂ’線における断面図である。
図において、２１は石英基板、２２は能動領域形成ポリ
シリコン部、２３はゲート酸化膜、２４はゲート信号線
、２４′はその一部に設けられた凸部、２５は層間絶縁
膜、２６はコンタクトホール、２７はＡｅ信号線、２８
はコンタクト形成用Ａｅ材、２９はコンタクト形成用Ｃ
ｒ材、３０はＩＴＯよりなる画素電極、３１はパッシベ
ーション膜である。
シリコン部、２３はゲート酸化膜、２４はゲート信号線
、２４′はその一部に設けられた凸部、２５は層間絶縁
膜、２６はコンタクトホール、２７はＡｅ信号線、２８
はコンタクト形成用Ａｅ材、２９はコンタクト形成用Ｃ
ｒ材、３０はＩＴＯよりなる画素電極、３１はパッシベ
ーション膜である。
つぎにその動作について説明する。ゲート信号線２４の
一部に設けられている凸部２４′はＩＴＯからなる画素
電極３０の一部に形成されているスイッチング用薄膜ト
ランジスタ３２のゲート電極を構成している。ゲート信
号線２４に電圧が印加され、薄膜トランジスタ３２がＯ
Ｎとなった時、Ａｅ信号線２７からビデオ信号が薄膜ト
ランジスタ３２を通過し、１７０画素電極３０に書き込
まれる。ビデオ信号が書き込まれると、薄膜トランジス
タ３２はＯＦＦとなり信号が保存される。さらに、凸部
２４′以外のゲート信号線２４と能動領域形成ポリシリ
コン部２２との重なり部分は容量形成部３３となり、薄
膜トランジスタ３２がＯＦＦの時の信号保持に役立って
いる。このような構成において各画素の光の透過率は、
１７０画素電極３０に書き込まれた信号による液晶の変
位量によって調整される。このように、各画素の光の透
過率をビデオ信号によって調整することにより、液晶表
示装置全体として画像を作り出すようになっている。
一部に設けられている凸部２４′はＩＴＯからなる画素
電極３０の一部に形成されているスイッチング用薄膜ト
ランジスタ３２のゲート電極を構成している。ゲート信
号線２４に電圧が印加され、薄膜トランジスタ３２がＯ
Ｎとなった時、Ａｅ信号線２７からビデオ信号が薄膜ト
ランジスタ３２を通過し、１７０画素電極３０に書き込
まれる。ビデオ信号が書き込まれると、薄膜トランジス
タ３２はＯＦＦとなり信号が保存される。さらに、凸部
２４′以外のゲート信号線２４と能動領域形成ポリシリ
コン部２２との重なり部分は容量形成部３３となり、薄
膜トランジスタ３２がＯＦＦの時の信号保持に役立って
いる。このような構成において各画素の光の透過率は、
１７０画素電極３０に書き込まれた信号による液晶の変
位量によって調整される。このように、各画素の光の透
過率をビデオ信号によって調整することにより、液晶表
示装置全体として画像を作り出すようになっている。
発明が解決しようとする課題
しかしながらこのような従来の液晶表示装置では、画素
電極３０としてＩＴＯを用いているため、１７０画素電
極３０と能動領域形成ポリシリコン部２２との間に安定
なコンタクトを形成しようとすれば、両者の間にＡｅと
Ｃｒを形成しなければならない。そのため液晶表示装置
の製造工程が多くなり、歩留りが悪く、また製造コスト
が高くなるという課題がある。
電極３０としてＩＴＯを用いているため、１７０画素電
極３０と能動領域形成ポリシリコン部２２との間に安定
なコンタクトを形成しようとすれば、両者の間にＡｅと
Ｃｒを形成しなければならない。そのため液晶表示装置
の製造工程が多くなり、歩留りが悪く、また製造コスト
が高くなるという課題がある。
本発明はこのような従来の課題を解決するものであり、
画素部の構造が簡単で、かつ少ない工程で製造可能な液
晶表示装置を提供することを目的とするものである。
画素部の構造が簡単で、かつ少ない工程で製造可能な液
晶表示装置を提供することを目的とするものである。
課題を解決するための手段
本発明は上記目的を達成するために、石英基板上に能動
領域形成ポリシリコン部と、その能動領域形成ポリシリ
コン部の上面にコンタクトホールをのぞいて眉間絶縁膜
を形成し、コンタクトホールを介して眉間絶縁膜上にバ
ックライトの光が透過するように透孔を設けた導電材か
らなる画素電極を信号線の形成時に形成したものである
。
領域形成ポリシリコン部と、その能動領域形成ポリシリ
コン部の上面にコンタクトホールをのぞいて眉間絶縁膜
を形成し、コンタクトホールを介して眉間絶縁膜上にバ
ックライトの光が透過するように透孔を設けた導電材か
らなる画素電極を信号線の形成時に形成したものである
。
作用
本発明は上記の構成により、Ａｅ等からなる導電材によ
って信号線を形成する時に画素電極も形成でき、しかも
画素電極は透孔を有しているためバックライトの透過率
が向上し極めて鮮明な画像を得ることができる。また信
号線と画素電極の同時形成により、製造工程が著しく簡
略化でき、歩留りの向上、かつ製造コストの低減が実現
できる。
って信号線を形成する時に画素電極も形成でき、しかも
画素電極は透孔を有しているためバックライトの透過率
が向上し極めて鮮明な画像を得ることができる。また信
号線と画素電極の同時形成により、製造工程が著しく簡
略化でき、歩留りの向上、かつ製造コストの低減が実現
できる。
実施例
以下、本発明の一実施例について第１図、第２図を聞い
て説明する。第１図は液晶表示装置の画素部の平面構造
を示すものであり、第２図は同図Ａ−Ａ’線における拡
大断面構造を示すものである。図において、１は石英基
板、２は能動領域形成ポリシリコン部、３はゲート酸化
膜、４はゲート信号線、４′はゲート信号線４の一部に
設けられた凸部、５は眉間絶縁膜、６はコンタクトホー
ル、７はＡｅ等の導電材よりなる信号線、８はＡｅ等の
導電材よりなる画素電極、９はパッシベーション膜、１
０は薄膜トランジスタ、１１は容量形成部、１２は透孔
である。
て説明する。第１図は液晶表示装置の画素部の平面構造
を示すものであり、第２図は同図Ａ−Ａ’線における拡
大断面構造を示すものである。図において、１は石英基
板、２は能動領域形成ポリシリコン部、３はゲート酸化
膜、４はゲート信号線、４′はゲート信号線４の一部に
設けられた凸部、５は眉間絶縁膜、６はコンタクトホー
ル、７はＡｅ等の導電材よりなる信号線、８はＡｅ等の
導電材よりなる画素電極、９はパッシベーション膜、１
０は薄膜トランジスタ、１１は容量形成部、１２は透孔
である。
上記構成においてその動作を説明する。ゲート信号線４
の凸部４′はＡ２画素電極８のスイッチング用の薄膜ト
ランジスタ１０のゲート電極となる。ゲート信号線４に
電圧が印加され、薄膜トランジスタ１０がＯＮとなった
時、Ａｅ信号線７からビデオ信号が薄膜トランジスタ１
０に通過し、Ａ２画素電極８に書き込まれる。ビデオ信
号が書き込まれると、薄膜トランジスタ１０はＯＦＦと
なり、信号が保存される。さらに、凸部４′以外のゲー
ト信号線４と能動領域形成ポリシリコン部２との重なり
部分は容量形成部１１となり、薄膜トランジスタ１０が
ＯＦＦ時の信号保持に役立っている。Ａｅは不透明体で
あるためＡ２画素電極８には第１図に示すように細長い
複数の透孔１２が形成されている。透孔１２が形成され
たＡ２画素電極８によっても液晶を十分に駆動させるこ
とができる。
の凸部４′はＡ２画素電極８のスイッチング用の薄膜ト
ランジスタ１０のゲート電極となる。ゲート信号線４に
電圧が印加され、薄膜トランジスタ１０がＯＮとなった
時、Ａｅ信号線７からビデオ信号が薄膜トランジスタ１
０に通過し、Ａ２画素電極８に書き込まれる。ビデオ信
号が書き込まれると、薄膜トランジスタ１０はＯＦＦと
なり、信号が保存される。さらに、凸部４′以外のゲー
ト信号線４と能動領域形成ポリシリコン部２との重なり
部分は容量形成部１１となり、薄膜トランジスタ１０が
ＯＦＦ時の信号保持に役立っている。Ａｅは不透明体で
あるためＡ２画素電極８には第１図に示すように細長い
複数の透孔１２が形成されている。透孔１２が形成され
たＡ２画素電極８によっても液晶を十分に駆動させるこ
とができる。
以上の構成により、Ａｅ信号線７の形成時に同時にＡ２
画素電極８も形成でき、従来のようにコンタクト形成用
ＣｒやＩＴＯによる画素電極を形成する工程が不要とな
り、製造工程が著しく簡略化できる。
画素電極８も形成でき、従来のようにコンタクト形成用
ＣｒやＩＴＯによる画素電極を形成する工程が不要とな
り、製造工程が著しく簡略化できる。
なお、本実施例では信号線７または画素電極８としてＡ
ｅを用いたが、他の導電材を使用することも可能であり
、同じ効果が得られるものである。
ｅを用いたが、他の導電材を使用することも可能であり
、同じ効果が得られるものである。
発明の効果
上記実施例より明らかなように本発明によれば、画素電
極を透孔を有する導電材より形成することにより、信号
線の形成時に画素電極も形成でき、したがってコンタク
ト形成用Ｃｒやコンタクト形成用Ａｅの工程などＩＴＯ
を用いて画素電極を形成する時のような工程が不要にな
り製造工程が著しく簡略化でき、歩留りの向上や製造コ
ストの低減が実現できるなど、また明るく鮮明な画像が
得られるなどの効果が得られるものである。
極を透孔を有する導電材より形成することにより、信号
線の形成時に画素電極も形成でき、したがってコンタク
ト形成用Ｃｒやコンタクト形成用Ａｅの工程などＩＴＯ
を用いて画素電極を形成する時のような工程が不要にな
り製造工程が著しく簡略化でき、歩留りの向上や製造コ
ストの低減が実現できるなど、また明るく鮮明な画像が
得られるなどの効果が得られるものである。
第１図は本発明の一実施例における液晶表示装置の画素
部の構造の一部を示す平面図、第２図は同液晶表示装置
の画素部の要部断面図、第３図は従来の液晶表示装置の
画素部の一部を示す平面図、第４図は同液晶表示装置の
画素部の要部断面図である。 １・・・・・・石英基板、２・・・・・・能動領域形成
ポリシリコン部、５・・・・・・層間絶縁膜、６・・・
・・・コンタクトホール、７・・・・・・信号線、８・
・・・・・画素電極、１２・・・・・・透孔。
部の構造の一部を示す平面図、第２図は同液晶表示装置
の画素部の要部断面図、第３図は従来の液晶表示装置の
画素部の一部を示す平面図、第４図は同液晶表示装置の
画素部の要部断面図である。 １・・・・・・石英基板、２・・・・・・能動領域形成
ポリシリコン部、５・・・・・・層間絶縁膜、６・・・
・・・コンタクトホール、７・・・・・・信号線、８・
・・・・・画素電極、１２・・・・・・透孔。
Claims (1)
- 石英基板上に能動領域形成ポリシリコン部とその能動領
域形成ポリシリコン部の上面にコンタクトホールをのぞ
いて層間絶縁膜を形成し、前記コンタクトホールを介し
て前記層間絶縁膜上にバックライトの光が透過するよう
に透孔を設けた導電材からなる画素電極を信号線の形成
時に形成した液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9716790A JP2669102B2 (ja) | 1990-04-12 | 1990-04-12 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9716790A JP2669102B2 (ja) | 1990-04-12 | 1990-04-12 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03293639A true JPH03293639A (ja) | 1991-12-25 |
| JP2669102B2 JP2669102B2 (ja) | 1997-10-27 |
Family
ID=14185021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9716790A Expired - Fee Related JP2669102B2 (ja) | 1990-04-12 | 1990-04-12 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2669102B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5646705A (en) * | 1991-09-26 | 1997-07-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electrode structure of liquid crystal display device and method of manufacturing the liquid crystal display device |
| US7298021B2 (en) | 1996-07-16 | 2007-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device and method for manufacturing the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6269238A (ja) * | 1985-09-21 | 1987-03-30 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
-
1990
- 1990-04-12 JP JP9716790A patent/JP2669102B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6269238A (ja) * | 1985-09-21 | 1987-03-30 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5646705A (en) * | 1991-09-26 | 1997-07-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electrode structure of liquid crystal display device and method of manufacturing the liquid crystal display device |
| US7298021B2 (en) | 1996-07-16 | 2007-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device and method for manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2669102B2 (ja) | 1997-10-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |