JP2669102B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JP2669102B2 JP2669102B2 JP9716790A JP9716790A JP2669102B2 JP 2669102 B2 JP2669102 B2 JP 2669102B2 JP 9716790 A JP9716790 A JP 9716790A JP 9716790 A JP9716790 A JP 9716790A JP 2669102 B2 JP2669102 B2 JP 2669102B2
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- crystal display
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、プロジェクションテレビ受像機，テレビカ
メラ用ビューファインダ,OA機器等のディスプレイに用
いることができる液晶表示装置に関する。
メラ用ビューファインダ,OA機器等のディスプレイに用
いることができる液晶表示装置に関する。
従来の技術 近年、液晶表示装置はポケットサイズのテレビ受像
機，プロジェクションテレビ受像機，テレビカメラ用ビ
ューファインダ,OA機器等のディスプレイに用いられて
いるなどすでに実用段階にある。特に画質の点から考え
ると、画素の一つ一つに薄膜トランジスタ（TFT）スイ
ッチを設けたアクティブマトリックス型が液晶の駆動技
術として優れており、その画素構造の研究が盛んに行わ
れている。
機，プロジェクションテレビ受像機，テレビカメラ用ビ
ューファインダ,OA機器等のディスプレイに用いられて
いるなどすでに実用段階にある。特に画質の点から考え
ると、画素の一つ一つに薄膜トランジスタ（TFT）スイ
ッチを設けたアクティブマトリックス型が液晶の駆動技
術として優れており、その画素構造の研究が盛んに行わ
れている。
以下、第３図および第４図を用いて従来の液晶表示装
置について説明する。第３図は液晶表示装置の画素部の
平面図、第４図は同図Ｂ−Ｂ′線における断面図であ
る。図において、21は石英基板、22は能動領域形成ポリ
シリコン部、23はゲート酸化膜、24はゲート信号線、2
4′はその一部に設けられた凸部、25は層間絶縁膜、26
はコンタクトホール、27はAl信号線、28はコンタクト形
成用Al材、29はコンタクト形成用Cr材、30はITOよりな
る画素電極、31はパッシベージョン膜である。
置について説明する。第３図は液晶表示装置の画素部の
平面図、第４図は同図Ｂ−Ｂ′線における断面図であ
る。図において、21は石英基板、22は能動領域形成ポリ
シリコン部、23はゲート酸化膜、24はゲート信号線、2
4′はその一部に設けられた凸部、25は層間絶縁膜、26
はコンタクトホール、27はAl信号線、28はコンタクト形
成用Al材、29はコンタクト形成用Cr材、30はITOよりな
る画素電極、31はパッシベージョン膜である。
つぎにその動作について説明する。ゲート信号線24の
一部に設けられている凸部24′はITOからなる画素電極3
0の一部に形成されているスイッチング用薄膜トランジ
スタ32のゲート電極を構成している。ゲート信号線24に
電圧が印加され、薄膜トランジスタ32がONとなった時、
Al信号線27からビデオ信号が薄膜トランジスタ32を通過
し、ITO画素電極30に書き込まれる。ビデオ信号が書き
込まれると、薄膜トランジスタ32はOFFとなり信号が保
存される。さらに、凸部24′以外のゲート信号線24と能
動領域形成ポリシリコン部22との重なり部分は容量形成
部33となり、薄膜トランジスタ32がOFFの時の信号保持
に役立っている。このような構成において各画素の光の
透過率は、ITO画素電極30に書き込まれた信号による液
晶の変位量によって調整される。このように、各画素の
光の透過率をビデオ信号によって調整することにより、
液晶表示装置全体として画像を作り出すようになってい
る。
一部に設けられている凸部24′はITOからなる画素電極3
0の一部に形成されているスイッチング用薄膜トランジ
スタ32のゲート電極を構成している。ゲート信号線24に
電圧が印加され、薄膜トランジスタ32がONとなった時、
Al信号線27からビデオ信号が薄膜トランジスタ32を通過
し、ITO画素電極30に書き込まれる。ビデオ信号が書き
込まれると、薄膜トランジスタ32はOFFとなり信号が保
存される。さらに、凸部24′以外のゲート信号線24と能
動領域形成ポリシリコン部22との重なり部分は容量形成
部33となり、薄膜トランジスタ32がOFFの時の信号保持
に役立っている。このような構成において各画素の光の
透過率は、ITO画素電極30に書き込まれた信号による液
晶の変位量によって調整される。このように、各画素の
光の透過率をビデオ信号によって調整することにより、
液晶表示装置全体として画像を作り出すようになってい
る。
発明が解決しようとする課題 しかしながらこのような従来の液晶表示装置では、画
素電極30としてITOを用いているため、ITO画素電極30と
能動領域形成ポリシリコン部22との間に安定なコンタク
トを形成しようとすれば、両者の間にAlとCrを形成しな
ければならない。そのため液晶表示装置の製造工程が多
くなり、歩留りが悪く、また製造コストが高くなるとい
う課題がある。
素電極30としてITOを用いているため、ITO画素電極30と
能動領域形成ポリシリコン部22との間に安定なコンタク
トを形成しようとすれば、両者の間にAlとCrを形成しな
ければならない。そのため液晶表示装置の製造工程が多
くなり、歩留りが悪く、また製造コストが高くなるとい
う課題がある。
本発明はこのような従来の課題を解決するものであ
り、画素部の構造が簡単で、かつ少ない工程で製造可能
な液晶表示装置を提供することを目的とするものであ
る。
り、画素部の構造が簡単で、かつ少ない工程で製造可能
な液晶表示装置を提供することを目的とするものであ
る。
課題を解決するための手段 本発明は上記目的を達成するために、石英基板上に能
動領域形成ポリシリコン部により薄膜トランジスタが形
成され、前記能動領域形成ポリシリコン部の上面にコン
タクトホールが形成された層間絶縁膜が形成され、前記
コンタクトホールに接続してバックライトの光が透過す
る透孔を設けた不透明な金属電材からなる画素電極が信
号線と同時に形成されたものである。
動領域形成ポリシリコン部により薄膜トランジスタが形
成され、前記能動領域形成ポリシリコン部の上面にコン
タクトホールが形成された層間絶縁膜が形成され、前記
コンタクトホールに接続してバックライトの光が透過す
る透孔を設けた不透明な金属電材からなる画素電極が信
号線と同時に形成されたものである。
作用 本発明は上記の構成により、A1等からなる導電材によ
って信号線を形成する時に画素電極も形成でき、しかも
画素電極は透孔を有しているためバックライトの透過率
が向上し極めて鮮明な画像を得ることができる。また信
号線と画素電極の同時形成により、製造工程が著しく簡
略化でき、歩留りの向上、かつ製造コストの低減が実現
できる。
って信号線を形成する時に画素電極も形成でき、しかも
画素電極は透孔を有しているためバックライトの透過率
が向上し極めて鮮明な画像を得ることができる。また信
号線と画素電極の同時形成により、製造工程が著しく簡
略化でき、歩留りの向上、かつ製造コストの低減が実現
できる。
実施例 以下、本発明の一実施例について第１図，第２図を用
いて説明する。第１図は液晶表示装置の画素部の平面構
造を示すものであり、第２図は同図Ａ−Ａ′線における
拡大断面構造を示すものである。図において、１は石英
基板、２は能動領域形成ポリシリコン部、３はゲート酸
化膜、４はゲート信号線、４′はゲート信号線４の一部
に設けられた凸部、５は層間絶縁膜、６はコンタクトホ
ール、７はAl等の導電材よりなる信号線、８はAl等の導
電材よりなる画素電極、９はパッシベーション膜、10は
薄膜トランジスタ、11は容量形成部、12は透孔である。
いて説明する。第１図は液晶表示装置の画素部の平面構
造を示すものであり、第２図は同図Ａ−Ａ′線における
拡大断面構造を示すものである。図において、１は石英
基板、２は能動領域形成ポリシリコン部、３はゲート酸
化膜、４はゲート信号線、４′はゲート信号線４の一部
に設けられた凸部、５は層間絶縁膜、６はコンタクトホ
ール、７はAl等の導電材よりなる信号線、８はAl等の導
電材よりなる画素電極、９はパッシベーション膜、10は
薄膜トランジスタ、11は容量形成部、12は透孔である。
上記構成においてその動作を説明する。ゲート信号線
４の凸部４′はAl画素電極８のスイッチング用の薄膜ト
ランジスタ10のゲート電極となる。ゲート信号線４に電
圧が印加され、薄膜トランジスタ10がONとなった時、Al
信号線７からビデオ信号が薄膜トランジスタ10に通過
し、Al画素電極８に書き込まれる。ビデオ信号が書き込
まれると、薄膜トランジスタ10はOFFとなり、信号が保
存される。さらに、凸部４′以外のゲート信号線４と能
動領域形成ポリシリコン部２との重なり部分は容量形成
部11となり、薄膜トランジスタ10がOFF時の信号保持に
役立っている。Alは不透明体であるためAl画素電極８に
は第１図に示すように細長い複数の透孔12が形成されて
いる。透孔12が形成されたAl画素電極８によっても液晶
を十分に駆動させることができる。
４の凸部４′はAl画素電極８のスイッチング用の薄膜ト
ランジスタ10のゲート電極となる。ゲート信号線４に電
圧が印加され、薄膜トランジスタ10がONとなった時、Al
信号線７からビデオ信号が薄膜トランジスタ10に通過
し、Al画素電極８に書き込まれる。ビデオ信号が書き込
まれると、薄膜トランジスタ10はOFFとなり、信号が保
存される。さらに、凸部４′以外のゲート信号線４と能
動領域形成ポリシリコン部２との重なり部分は容量形成
部11となり、薄膜トランジスタ10がOFF時の信号保持に
役立っている。Alは不透明体であるためAl画素電極８に
は第１図に示すように細長い複数の透孔12が形成されて
いる。透孔12が形成されたAl画素電極８によっても液晶
を十分に駆動させることができる。
以上の構成により、Al信号線７の形成時に同時にAl画
素電虚８も形成でき、従来のようにコンタクト形成用Cr
やITOによる画素電極を形成する工程が不要となり、製
造工程が著しく簡略化できる。
素電虚８も形成でき、従来のようにコンタクト形成用Cr
やITOによる画素電極を形成する工程が不要となり、製
造工程が著しく簡略化できる。
なお、本実施例では信号線７または画素電極８として
Alを用いたが、他の導電材を使用することも可能であ
り、同じ効果が得られるものである。
Alを用いたが、他の導電材を使用することも可能であ
り、同じ効果が得られるものである。
発明の効果 上記実施例より明らかなように本発明によれば、画素
電極を透孔を有する導電材より形成することにより、信
号線の形成時に画素電極も形成でき、したがってコンタ
クト形成用Crやコンタクト形成用Alの工程などITOを用
いて画素電極を形成する時のような工程が不要になり製
造工程が著しく簡略化でき、歩留りの向上や製造コスト
の低減が実現できるなど、また明るく鮮明な画像が得ら
れるなどの効果が得られるものである。
電極を透孔を有する導電材より形成することにより、信
号線の形成時に画素電極も形成でき、したがってコンタ
クト形成用Crやコンタクト形成用Alの工程などITOを用
いて画素電極を形成する時のような工程が不要になり製
造工程が著しく簡略化でき、歩留りの向上や製造コスト
の低減が実現できるなど、また明るく鮮明な画像が得ら
れるなどの効果が得られるものである。
第１図は本発明の一実施例における液晶表示装置の画素
部の構造の一部を示す平面図、第２図は同液晶表示装置
の画素部の要部断面図、第３図は従来の液晶表示装置の
画素部の一部を示す平面図、第４図は同液晶表示装置の
画素部の要部断面図である。 １……石英基板、２……能動領域形成ポリシリコン部、
５……層間絶縁膜、６……コンタクトホール、７……信
号線、８……画素電極、12……透孔。
部の構造の一部を示す平面図、第２図は同液晶表示装置
の画素部の要部断面図、第３図は従来の液晶表示装置の
画素部の一部を示す平面図、第４図は同液晶表示装置の
画素部の要部断面図である。 １……石英基板、２……能動領域形成ポリシリコン部、
５……層間絶縁膜、６……コンタクトホール、７……信
号線、８……画素電極、12……透孔。
フロントページの続き (72)発明者 江本 文昭 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 山本 敦也 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 小林 和憲 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−101714（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−69238（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−156725（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】石英基板上に能動領域形成ポリシリコン部
により薄膜トランジスタが形成され、前記能動領域形成
ポリシリコン部の上面にコンタクトホールが形成された
層間絶縁膜が形成され、前記コンタクトホールに接続し
てバックライトの光が透過する透孔を設けた不透明な金
属導電材からなる画素電極が信号線と同時に形成された
液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9716790A JP2669102B2 (ja) | 1990-04-12 | 1990-04-12 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9716790A JP2669102B2 (ja) | 1990-04-12 | 1990-04-12 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03293639A JPH03293639A (ja) | 1991-12-25 |
| JP2669102B2 true JP2669102B2 (ja) | 1997-10-27 |
Family
ID=14185021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9716790A Expired - Fee Related JP2669102B2 (ja) | 1990-04-12 | 1990-04-12 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2669102B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970000359B1 (ko) * | 1991-09-26 | 1997-01-08 | 가부시기가이샤 도오시바 | 액정표시장치 |
| US6979882B1 (en) | 1996-07-16 | 2005-12-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device and method for manufacturing the same |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6269238A (ja) * | 1985-09-21 | 1987-03-30 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
-
1990
- 1990-04-12 JP JP9716790A patent/JP2669102B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03293639A (ja) | 1991-12-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |