TW387998B - Method for manufacturing liquid crystal display - Google Patents

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TW387998B
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Young-Chan Kweon
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Samsung Electronics Co Ltd
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Description

經濟部中央標準局員工消费合作社印裝 A7 B7__ 五、發明説明（1 ) 發明莆景 本發明鼸於一種製迪液晶顯示器的方法，而更特別地 鼷於具有K一種薄膜電矗讎鳥主動装置的製透掖晶顧示器 的方法，藉由逋種方法可能減少照相石版術的«理。 液晶示罌（LCD)是時下被最竇泛採用的平面顯示器 裝置。其他被發展且快速變鳥普遍化的装置包括電漿顯示 平面（PDP)，電子發光（EL>裝置，壜放射顯示器（FED) *和 一種控黼一儀鏞面的蓮動的反射式可變形映射裝置（DMD> Ο LCD蓮用液晶分子中分子排列依照霣場而改變的光學 特性及形成微小嫌的半導讎技術。一镰蓮用薄膜霣晶讎 爲主動裝置的薄膜電晶讎LCD(以下稱為TFT-LCD)具有低霣 S驅動、飫功率消耗、薄且軽的優 由於薄膜霣暴體（TFT>逮薄於一般的霣晶體，故裂程 亦較一般電晶讎更禊雜，如此生產耗畤且價位离。特別地 •因爲光睪被用於每一製迪步驟中，因此至少需要光 單。於是，TFT產能提昇輿製迪成本降低的各種不闻的方 法正被硏究中。也就是說，許多硏究正被導向於TFT的製 程中，«少所使用光軍數量的方法。 依鐮美國專利第5,054,887猜所述之一傅统製迪LCD的 一種方法。逭種方法将被敘述於參考資料，第1至5·中 顯示斷面_，'其中A和B各別代表一镇TFTB域和一俪闥 憝速接B域。 參考第1·，採用純鎔於一籲透明的基讎2上形成第 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐）
i^i- ^^1 JH I —4— n • c (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局貝工消費合作衽印製 A7 B7 五、發明説明（2 ) 一金颶薄膜後，M_樣4和U藉由執行一镰第一照相石版 術於第一金羼薄膜上而被形成。闥樣被用於TFT區域内 作爲一镰蘭電極4，且在蘭連接匾域内作為一籲4a Ο 參考第2，藉由執行一般照相石販術使一籲覆躉鼸 fi達接β域的一部份的光阻鼸樣（未顯示> 形成後，一«矚 極化薄膜6藉由《化一層採用光粗樣作《抗氧化薄膜的 第一金羼薄臢而形成。此時，曝極化_膜6被形成於TFT 6域中所形成之鬭霣極4之轚價表面上和位於蘭螫達接6 域中之Wtt4a的一部份。 參考第3_ * —鵪嫌鐮薄膜8藉由沈積而形成*例如 ，在基讎2的整僑表面上之具有颺極化薄膜的一僑《化物 薄膜。然後，一籲矽薄膜被形成乃藉由達鳙沈稹於基鼸2 的轚籲表面上之一個非结晶矽薄膜10和一鴒被撺雑的非结 晶矽薄膜12»在其上銷鏞薄膜8亦被形成* 一籲被邐用如 一鵪主動6域的半導鼸薄膜_樣10+12藉由執行第三照相 石版術於半導體薄膜之上而被形成於TFTB域内。 參考第4· * ―菌光阻樣（未顯示）被形成而曝靄出 形成於_tt達接1B中之鬭愁4a的一部份，此乃藉由執行第 四照相石贜術於基讎2的整镰表面上而形成，於基讎上有 半導黼薄頭·樣形成。然後，一籲使闞鱸4a的某些部份_ 露的接鵾孔ϋ由使用光阻樣作為光單触刻絕嫌薄膜8而 形成。然後，一儀鳔霣極14a和汲極146藉由沈積法被形成 於TFTB域中，例如，於基讎轚籲表面上的路<Cr)，於基 ------------裝------訂------ - C. V (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度遥用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印笨 A7 __B7_'_ 五、發明説明（3 ) 讎上有接鷗孔形成且執行第五照相石販術於路薄膜之上〇 在連接6域中，一儀被達接到Mfi4a的熱電極14c經 _接鼸孔被形成。此時，一部份被摻雜的非结晶矽薄膜12 被蝕刻•如此於闞電極上層部份曝露出一部份的非结晶矽 薄胰10。 參考第5·(•—«純化薄膜16藉由沈積法被形成，例 如，一錮於基讎2的整鴒表面上的氣化薄膜，基體上有琢 霣檷14a、汲極14b和熟電極14c形成。然後，藉由執行第 六厢相石版術於麴化薄膜之上，使TFT6中的一部份汲極 14b和MM建接B中的一部份懿鬣極14c曝露的接觴孔被形 成0 然後，鼷素電極18和18a藉由沈稹緬錫氧化ΙΤ0之一種 透明導電材料於有接觸孔形成之基黼的整镰表面上*並執 行第t照相石版術於ΙΤ0薄膜上而形成。结果，汲極14b和 _索電極18在TFT區域中被連接，且ft霣極14c和_索電極 18a在鼸遽接區域中被連接》 依雒傳統裂遑LCD的方法，純鋁係做爲闞電極的材料 Μ降低Μ嫌的阻抗。於是，需要Μ極化處理Μ防止由輅引 起的小丘形狀《如此複嫌了製造遇程、降低了產能、也升 离了製迪成本。 發明概要. 本發明之一目的在於提供一健用Μ败遒液晶顯示器的 較有效率的方法*其中藉由減少照相石販術處理的次數使 製迪成本降低。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐）
(请先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部中央棣準局貝工消費合作社印製 A7 ___B7_^_ 1、發明説明（4 ) 爲了達成上述目的，依》本發明提供了一《製造液晶 顏示器的方法，其包含之步骤為形成闕«極和闕鶉*其係 藉由分別地沈積第一金屬薄膜和第二金羼薄膜於TFT6域 和蘭螯建接礓域的基讎上，按敘述顒序，由第一照相石販 術ft理而成；形成絕鐮薄膜於基讎整镰表面，其中基讎上 有Μ電極和Mtt形成；藉由第二照相石版術處理形成半導 讎薄膜櫬於TFTB域的鍚嫌薄膜上；蓮用第三照相石販 術«理，而分別於TFT部份和螫部份中形成由第三金羼薄 誤组成之猓電極/汲樋和蟄霣極；藉由第四照相石販術處 理形成純化薄膜圓樣•其曝露了一部份及汲棰，一部份的 Μ霣檷，和一部份的電極；曝露第一金鼷薄膜，其係藉 由败細组成Mfi的第二金屬薄膜，蓮用鈍化薄膜_樣當作 光單；Μ及蓮用第五照相石販術形成連接至TPTB域的汲 極之_索霣極，用以建接Μ戆建接Β域的矚鶬至螯匾域的 塾電極。 第一金羼薄膜由耐离m金鼷形成，亦邸由絡、蜓、姐 、和钛所組成的金颶族中邐出，且第二金靄薄膜由路或銀 合金形成。 第三金羼薄膜由絡、担、姐、和钛组成之金鼷族中灌 出。 遞變麯_於第一照相石販術處理畤邐用於第二金軀薄 膜上，然後才/執行《餾第一金羼薄膜，如此第一金羼薄蹼 較寬於第二金羼薄膜而形成。 爲了建成上述目檷，提供了另外一糰製造液蠡顯示器 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐〉
^^1 —4— tie ^ϋ ,Λ»/ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印装 A7 ^__._B7_五、發明説明（5 ) 的方法，其包含之步鼸爲籲別地形成闢電ft和鬭热，其俤 鞴由沈稹第一金属_膜和第二金颺薄價於TFTB域和螫霣 域的基讎上*按敘述順序由第一照相石販術處理而成；形 成一鎘縑薄膜於基翟的轚_表面上*於其上有Μ霣極和囑 螯形成；藉由第二照相石販術處理形成半導讎薄膜_樣於 TFT腰域的絕鐮薄膜上；藉由第三照相石販術《理形成由 第三金鼷薄膜組成之鑷電極和汲極於TFTB域中；形成一 «麴化薄膜樣，而它曝露出TFT6域的一部份汲極和熟 6域的部份鬭戆•其係藉由形成一籲鈍化薄R於颥電極和 汲極形成的整値表面上》而且執行第四照柑石販術處理於 純化薄膜和鍤嫌_膜上；曝靄出憝厪域的第一金屬薄膜， 其係藉由以麴化薄膜_樣裊光睪來»麵第二金屬薄膜；Μ 及形成索電極，其被達接至TFT6域的汲極並接鼸到憝 6域的第一金颺薄膜，藉由第五照相石販術處理。 第一金羼薄膜由耐离瀛金颺形成*亦邸由鉻、担、姐 和鈦所组成的金屬族中慝出*且第二金羼薄膜由鑲或緬合 金形成。 第三金羼薄膜由鉻、組、姐、和呔所组成的金羼族中 遘出*而鍚鐮薄膜由驁化物_膜（《化矽SiNx>或氦化物薄 膜<«化矽SiNx〉和《化物薄膜（氣化矽Si〇x>的雙重薄膜形 成0 ' 遞變鰊謝於第一照相石販術處理時蓮用於第二金膈_ 膜上，然後才執行tt刻第一金羼薄膜。 依照本發明，藉由形成Μ霣極於耐髙熱金羼薄膜的雙 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. *?τ • ^1. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > Α4規格（210X297公嫠） 經濟部t央橾準局員工消费合作社印製 A7 B7五、發明説明（6 ) 重结構中和形成於耐离熱金鵰薄膜上層部份的鎢薄膜中， 減少照相石販術處理的次數是可能的，如此大钃地減少製 邊成本並增遒窳量，冊時，亦可能抑_由於耐离熱金羼薄 膜的«力鬆弛所造成鋁_膜之小丘狀的成長，且藉由在形 成素電極之前胜刻錨薄膜，減少在下製程將形成的_索 電極和鎔薄躓m的接觸阻抗，其中路薄膜组成μ霣極。 例簡述 本發明的優貼與上述目檷藉由样鮰敘述參考附的一 最佳實施例将變得更明顏，其中： 第1至5謂係爲用以解稼依照一傅统方法用Μ裂迪液 晶顯示器的方法的拥面·; 第6_爲概略平面_，舉例說明依照本發明的方法在 製造液晶顯示罌中所用之光睪画樣，· 第7至12_係，用Μ解譚依照本發明第一實旅例用Μ 製迪液晶顯示器的方法的拥面Μ及 第13至16·係患用Μ解釋依照本發明第二實施例用以 製遣掖《顯示罌的方法的锎面鼷。 發明詳述 第6_裊概略平面儸，舉例說明依照本發明的方法在 製迪掖矗顧示罌中所用之光單樣，其中參考數字1〇〇代 表一籲光睪_樣用以形成一儀蘭線，參考數宇105代表一 籲光單樣甩Κ形成一籲蘭鶬，參考數字110代表一鏑光 罩_櫬用Μ形成一《資料線，參考數字120代表一個光軍 _樣用以形成一鴒半導鑛薄覼，參考數宇130代表一僱光 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Γ 裝. 訂 本紙張尺度逋用中國國家橾準（CNS > A4规格（210X 297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7___ 五、發明説明（7 ) 單鼷樣用以形成一镛鏢電極/汲電極，參考數宇140代表 一鵪光軍_樣用Μ形成一鶴接觸孔用以連接TFTS域的Η 索霣檣至TFT區域的汲極，參考數字145代表一籣光單樣 用以形成一《Μ和一籲蘭螫連接部份，參考數宇150代表 一籲光睪_樣用Μ形成TFT匾域的素霣極*參考數字155 代表一顧光睪_樣用Μ形成Μ鵷連接區域的索電極》 參考第6_，闊線100被水平地置放，資料嫌110被水 平地置放，資料線110被置放在垂直於Μ線110的一籲矩_ 樣中，鬮塾105被提供於颸嫌100的靖部，資料螯115被 提供於資料雄110的纗部。素區被分別地置於矩陣鼷樣 中，其中該矩陣樣係位於由二鲕彼此相鄰的颺練和資料 鎳所醒起之ffi域中。镰別ΤΡΤ的颺霣極被形成以便從嶺別 的Μ鎳砥伸到_索6。半導讎薄膜120被形成於籲別TFT的 汲極輿侧別TFT的_電極之閜。TFT的源鬣極被形成爲凸出 。由透明的ΙΤ0组成之索«極150被形成於«別的_索區 中。 第7至12·係醑面_，用以解釋依厢本發明之第一實 施例之期迪液矗顯示幕的方法。參考宇元C代表TFTB域 ，其悉沿著第6_的鐮I-I ’所取得之斷面。參考宇元 D和E代表_想連接0域和塾β域，其爲沿著第6_的線 1-1’所取得之鱖面_。 第7_奢示用Μ形成闕霄極的步朦。藉由沈稹由絡、 粗、姐、和呔（絡金羼較佳 >所组成之金颺族之附熱金羼的 300 Α〜4000 Α薄膜於透明的基質30上而形成第一金羼薄 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） λ -j i - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本1) •裝i 訂 五、發明説明（S ) A7 B7 膜31之後，藉由沈積1000八〜4000AJ¥薄之鋁或结合金薄 _於第一金羼薄膜31上而第二金屬薄謨33被形成。此處， 接鬌，藉由 1和33上，闕 時，藉由慧 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 第二金屬薄膜亦可K由舾-鈸或鑲-艇所形成 執行第一照相石賑術於第一和第二金羼薄膜3] 電極被形成於TFT6域和闕螫達接軀域中。此 變败錮第二金羼_鼷33以及接著第一金羼薄431，第一照 相石販術遘程被執行。如此，第一金屬薄膜Μ的寬度被形 成較第二金羼薄膜33的寬度爲寬。 藉由形成跗熱金譌薄膜於舾或鰌合金_膜的下部，因 銀_膜或括合金薄膜和基讎閜熱膨鼷的差異所引起之錨丘 狀的衋生是可防止的。執行利用銀或鋁合金薄膜和基鱅間 的败刻比例的差異之ft變触蒱是可能的》甚至於採用傅統 触期遍程。因此，當在形成Μ霣棰之後沈積接下來的材料 ，最好執行隈榫级的覆綦。 第8_»示用Μ形成半導讎薄膜樣的步驟》藉由沈 稹《化物薄膜或《化物薄膜，例如，於蘭霣極形成於其上 的基讎30的整籲表面上，絕癱薄膜因而被形成；然後，藉 由沈積非结晶矽薄膜37和嫌雜非结晶矽薄鼷39於絕鐮層形 成於其上的基鼸30的整镳表面上，半導讎薄膜因而被形成 。然後，由非结晶的薄膜37和摻雜非结裊矽薄膜39所组成 之半導讎薄膜鼸樣，藉由執行第二照相石販術於半導讎薄 臢上而被形成於TFT區域中。鍚嫌薄膜35,非结晶矽薄膜 37，和擔雜非雄晶矽薄膜39各別地被形成為2,000〜9,000 A，1,000〜4.000A，和 300〜Ι,ΟΟΟΑ 的厚度。 ^^1.1^ 4— m HI In \ity ϋ r (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 木紙張尺度逍用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐）
經濟部中央標準局負工消費合作社印袈 A7 B7 五、發明説明（9 ) 第9·(表示形成潭電極和汲極的步驟。藉由沈積300 〜4,000A厚度之讅如路的耐熱金颶薄膜於其上有半導鳢 _膜_樣形成的基讎的整餹表面上，而形成第三金羼薄膜 之後，蹶電極4U和汲極41b被形成於TFT區域中，此傈藉 由供行第三照相石販術於第三金羼薄膜上，且tt電極41c 被形成於戆B域之中。此時•一部份摻轅非结晶矽薄膜39 被触刻，如此曝露出一部份非结晶矽薄膜37。 第10_表示形成鋪化薄膜樣的步鼸》在形成一運用 *例如氦化物»膜的鏽化薄膜於基讎30的整儀表面上之後 *麴化薄膜樣43藉由執行第四照相石賑術於麴化薄膜上 而肜成。此時，TFTB域的汲極41b的一部份和I&S域的憝 霣極41c的一部份被曝霣出來。被形成於Mtt建接部份中 的跚電極，亦邸鋪化薄膜樣43和被形成於第二金颺薄膜 33上的絕癱薄膜35,两畤地被賊刻*如此曝露出第二金羼 薄膜33。 第11·表示蝕刻Mtt建接區域的被曝露之第二金屬薄 膜的步驟》第一金鼷薄臢Μ被曝露*此係藉由鍊翔在_螫 達接部份45中的第二金羼薄膜，Μ及藉由麴化簿膜樣43 被曝霉。將於接下來處理而形成的_索電極和第二金觴薄 膜之間的接觸阻抗能麴藉此處理而減少。 第12·表示形成素電極的步朦。_索霣極47被形成 *此係藉由沈積透明導電薄膜狀的ΙΤ0薄膜於鈍化薄膜圏 樣形成其上的基讎30的整«表面上*和藉由執行第五照相 石販術於ΙΤ0薄膜上而來》结果，_索霣極47和汲極41b在 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· 、π
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（10 ) TFT6域中被遽接*且Μ憝建接Μ域的矚電極和塾m域的 tt霣極41c經由_素霣極47被達接。 第13至16·爲用以解釋依照本發明第二實施例Μ败进 液矗顯示幕的方法之剖面。參考字元F代表TFTB域， 而它是沿著第6_的I-Ι鎳取得之拥面，參考字元G 代表Ι&β域，而它是沿著第6_的1-1嫌取得之剖面· Ο 第13_表示形成醐霣極的步_。藉由沈積300〜4000 Α之讅如络、》、和钛的跗熱金羼薄膜於整健透明基質50 的表面上形成第一金靨薄膜51之後，第二金羼薄_ 53被形 成，此係藉由沈積1000〜4000A的鎬或錨合金_膜於第一 金屬薄膜上。然後，藉由執行第一照相石販術於第二和第 一金颶薄膜53和51之上，矚電極和_憝均被形成於TFT區 域和ttB域中》 Μ電極和飜螫由遲用光章而同時被形成。於第一照相 石販術中，鷺變銭刻被執行於第二金羼薄膜53上，然後於 第一金属薄膜51上。如此》第一金羼薄誤51被形成較寬於 第二金羼薄膜53。 第14·表示形成半導讎薄蹼樣的步驟。將被用來作 爲主動區域的半導讎薄膜_樣57被形成於TFT6域中，此 係藉由形成絕鐮薄膜55和半導鱺薄膜於整儀基讎50的整傾 表面上，其中闞電極和Μ塾均被形成，且第二照相石版術 被執行於半導鼸薄膜之上。此時，絕雄薄膜55被形成爲 2000〜9000Α的厚度，其係籩用氮化物薄膜SiNx的單薄膜 n ^£i _^/ΙΛ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) J— . 訂
本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 ___B7_ 五、發明説明（11 ) 或是《化物薄膜SiN«和氧化物薄膜SiOx的雙薄鼷，且半導 鼸薄膜_樣57藉由沈積非结矗矽和播雑非结晶矽而被形成 〇 第15·表示形成鏢電極和汲極的步朦。源霄極6U和 汲極61b藉由形成第三金腸薄膜被形成於TFT6域中，而其 係藉由沈稹諸如絡、鈦、和组的耐熱金钃成300〜4000A 厚度的薄膜於整_基讎50的表面上，其上半導鼸轉膜鼸樣 57被形成，且執行第三照相石販術於第三金羼薄膜上》 第16·表示形成麴化薄禊和索電極的步驟。鈍化薄 膜樣63藉由形成純化薄臢且執行第四照相石販術於鈍化 薄臢上而被形成*麴化薄膜係藉由沈積*例如，氦化物薄 膜於整鎮基讎的表面上而形成，其中基讎中有源霣極和汲 極被形成。於第四照相石販術中，TFT區域的汲檣61b的一 部份被曝露，且在鬮憝上層部份的銷鏵薄膜和鈍化薄膜於 fiB域之中同時被触刻，如此曝霉出一部份的_螫。 然後*第一金JK薄膜51藉由拽刻第二金靥薄膜53部份 被曝露，第二金屬薄膜係藉由鋪化薄膜_櫬而嘬露。藉由 麯刻第二金鼷薄膜，滅少將於接下來形成之鼸素霣極和第 二金鼷薄膜閜的粗抗將是可能的。 然後*藉由沈^ΙΤ〇薄臢，被連接至TFT6域的汲極和 tt Β域的第一金鵰薄膜的面索電極65被形成。 如上所述，本發明用以II迪液晶《示器的方法，藉由 運用雙闥霣極可減少製造成本並堆加製谄量，如此至少醮 用五次照相石販術處理，相較於傅鴕的方法至少應用t次 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A 、 νι ^^1 n J1 - - nil i— m an Λ!/ Γ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 A7 ____B7___ 五、發明説明（12 ) 照相石販術處理。 同時*抑制因耐熱金羼'薄膜的醮力供嫌而进成鎔薄膜 丘狀成長，藉由形成雙薄膜的闊霣極是可能的，其中雙薄 膜係爲耐熱金属薄膜和被形成於耐熱金羼薄膜上之鋁或鋁 合金薄膜》 闻時•如第16·所示，藉由在形成紫《極於戆β域 之前触刻鎔或銀合金_膜，將在下鶴製程形成的_素電極 和鑲薄膜之間的接觸電阻，可能滅少。 本發明未被限刺於上述實施例中，可清楚知道對於熟 於此技者在本發明精神和範園内所做的各種變化型式是可 能的0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •JI. 裝· 、?τ
;-/r^ I V 經濟部中央揉準局負工消费合作社印策 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 χ 297公釐） :¾ * 16 ：- 五、發明説明（13 A7 B7 元件檑轚對照表 2、30..·.基HI 50....(通明）基《1 4....Μ霄槿 57....半導鼸薄膜樣 4a....RRtt 100....Μ鎳 6 陽榷化薄膜 105....鬮懿 8、35、55....«鋒薄隳 110....資料線 10、37·..·非站蠡矽薄臢 115·..·資料憝 12、39····嬢贛非结晶矽薄膜 120.·.·半導讎薄膜 14a、41a、61a....嫌電極 130·...瀝電極/汲極 14b、41b、61b····汲極 140.·..接觸孔 14c、41c·.·.想電極 145·.·.Μ和黼螯連接部份 化薄膜 150....ΤΡΤΒ域之·素電極 18、18a、47、65··.._素電極 155....Μ1Ι建接Q域的_索霄極 31、51.·..第一金羼薄膜 A、C、F ....TFTB域 33、53....第二金颺薄膜 B、螫達接Q域 43、63·...Μ化薄膜(嫌 E、G.·..憝匾域 建接部份 ----f--Tin--!裝^------訂------，:Γ. Γ ' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局員工消費合作杜印製
本A &張从適用巾®1 ®家標準（CNS ) A4^#· ( 21GX 297公釐 %

Claims (1)

  1. ,/Λ. 告本丨 Α8 Βδ C8 D8 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 六、申請專利範圍 第85114772號申請案申請專利範圍修正本 1. 一種液晶顯示器製法，其包含之步驟爲： 形成閘電極和閘墊，其係藉由分別地沈積第一金 屬薄膜和第二金靥薄膜於TFT區域和閘墊連接區域的 基體上，按敘述的順序，係藉由第一微影處理來進行； 形成一絕緣薄膜於該基體的整個表面，於其上閘 電極和閘墊均被形成； 形成一半導體薄膜圖案於該TFT區域之該絕緣薄 膜上，其係藉由第二微影處理； 在TFT部份和墊部份中運用第三微影處理而個別 地形成由第三金屬薄膜所組成之源電極/汲電極和墊 電極； 藉由第四微影處理形成保護薄膜圖案，其係暴露 一部份的該汲電極、一部份的該閘墊、及一部份的該 墊電極； 藉由將該保護薄膜圖案當作光罩曝蝕刻組成該閘 墊的該第二金屬薄膜而暴露該第一金屬薄膜；以及 運用一第五微影處理來形成一被連接至該TFT區 域的該汲墊極之第一圖素電極與一連接該閘墊連接區 域之該閘墊至該墊區域之該墊電極的第二圖素電極。 2. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示器製法，其中該第 一金靥薄膜由耐熱金饜所製成，且該第二金屬薄膜由 鋁或鋁合金所形成。
    請先閲讀背面之注f項\^寫本頁) :裝· 訂 轉- 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -18 - ,/Λ. 告本丨 Α8 Βδ C8 D8 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 六、申請專利範圍 第85114772號申請案申請專利範圍修正本 1. 一種液晶顯示器製法，其包含之步驟爲： 形成閘電極和閘墊，其係藉由分別地沈積第一金 屬薄膜和第二金靥薄膜於TFT區域和閘墊連接區域的 基體上，按敘述的順序，係藉由第一微影處理來進行； 形成一絕緣薄膜於該基體的整個表面，於其上閘 電極和閘墊均被形成； 形成一半導體薄膜圖案於該TFT區域之該絕緣薄 膜上，其係藉由第二微影處理； 在TFT部份和墊部份中運用第三微影處理而個別 地形成由第三金屬薄膜所組成之源電極/汲電極和墊 電極； 藉由第四微影處理形成保護薄膜圖案，其係暴露 一部份的該汲電極、一部份的該閘墊、及一部份的該 墊電極； 藉由將該保護薄膜圖案當作光罩曝蝕刻組成該閘 墊的該第二金屬薄膜而暴露該第一金屬薄膜；以及 運用一第五微影處理來形成一被連接至該TFT區 域的該汲墊極之第一圖素電極與一連接該閘墊連接區 域之該閘墊至該墊區域之該墊電極的第二圖素電極。 2. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示器製法，其中該第 一金靥薄膜由耐熱金饜所製成，且該第二金屬薄膜由 鋁或鋁合金所形成。
    請先閲讀背面之注f項\^寫本頁) :裝· 訂 轉- 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -18 - 經濟部中央揲率局員工消费合作社印簟 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 3. 如申請專利範圍第2項之液晶顯示器製法，其中該第 一金靥薄膜由一自鉻、钽、鉬、和鈦所組成之群組中 所選出者而製成。 4. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示器製法，其中該第 三金靥薄膜由一自鉻、钽、鉬、和鈦所組成之群組中 所選出者而製成。 5. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示器製法，其中遞變 飩刻在該第一微影處理中在該第二金屬薄膜上進行， 並且接著蝕刻該第一金屬薄膜。 6. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示器製法，其中該第 一金靥膜被形成較該第二金屬膜寬。 7. 一種液晶顯示器製法，包含之步驟爲： 形成一閘電極和一閘墊，其係藉由個別地沈積一 第一金屬薄膜和一第二金屬薄膜於TFT區域和墊區域 的基體上，按敘述順序，係藉由第一微影處理進行； 形成絕緣薄膜於該基體的整個表面，於其上有閘 電極和閘墊形成； 藉由一第二微影處理而在該TFT區域之該絕緣薄 膜上形成一半導體薄膜圖案； 藉由一第三微影處理，形成由第三金屬薄膜所組 成之一源電極和一汲電極於TFT區域中； 形成保護薄膜圖案，其係藉由形成一保護薄膜於 該源電極與該汲電極被形成於其上之整個表面上’並 藉由於該保護薄膜和該絕緣薄膜上執行一第四微影處 本紙張尺度適用中國《家揲率（CNS ) A4规格（2!0X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項本頁) %? 19 經濟部中央標率局員工消費合作社印裝 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 理而暴露該TFT區域之該汲電極的一部份與該墊區域 之該閘墊的一部份； ^藉由將該保護薄膜作爲一光罩蝕刻該第二金屬膜 而暴露該墊區域的該第一金靥薄膜；以及 藉由一第五微影處理而形成一被連接至該TFT區 域之該汲墊極的第一圖素電極與一被連接至該墊區域 之該第一金屬薄膜的第二圖素電極。 8. 如申請專利範圍第7項之液晶顯示器製法，其中該第 一金屬薄膜由耐熱金屬所製成，且該第二金靥薄膜由 鋁或鋁合金所製成。 9. 如申請專利範圍第8項之液晶顯示器製法，其中該第 一金屬薄膜由一自鉻、钽、鉬、和鈦所組成之群組中 所選出者而製成。 10. 如申請專利範圍第7項之液晶顯示器製法，其中該第 三金屬薄膜由自鉻、钽、鉬、和鈦所組成之群組中所 選出者而製成。 11. 如申請專利範圍第7項之液晶顯示器製法，其中遞變 蝕刻於該第一微影處理中在該第二金屬薄膜上進行， 並且接著蝕刻該第一金屬薄膜。 12. 如申請專利範圍第7項之液晶顯示器製法，其中該絕 緣薄膜由氮化物薄膜SiNx或氮化物薄膜SiNx和氧化物 薄膜SiOx的雙重薄膜所製成。 13. —種薄膜電晶體液晶顯示器，包含： (a)—以於TFT區域之基體上的一第一金屬薄膜與 本紙張尺度逋用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公羞） *|--------^裝------^------鍊 - (請先Μ讀背面之注$項再本頁) ' 20 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 一第二金屬薄膜所形成的閘電極； (b) —移除至少一部份的該第二金屬薄膜來暴露一 墊區域之該第一金屬膜之一部份的閘墊； (c) —覆蓋該閘電極並在該閘墊上具有一第一窗戶 之閘絕緣薄膜； (d) —被形成在該閘絕緣薄膜上之半導體薄膜圖 案； (e) 被連接至一部份的該半導體薄膜圖案之源電極 與汲電極； (f) 一被形成在該源電極與汲電極上之保護薄膜圖 案，其並具有一擁有與該第一窗戶與一形成在該汲電 極上的第三窗戶相同圖案之第二窗戶； (g) —被形成在該TFT區域之該汲電極上並透過該 第三窗戶而被電氣連接至該汲電極之圖素電極；及 (h) —由與該圖素電極相同的材料所製成並透過該 墊區域之該第二窗戶而被連接至該第一金屬薄膜之圖 案。 經濟部中央樑率局属工消費合作社印製 14. 如申請專利範圍第13項之薄膜電晶體液晶顯示器，其 中該第二金屬薄膜由鋁或鋁合金所製成，並且該圖素 電極係由銦錫氧化物（ITO)所製成。 15. 如申請專利範圍第13項之薄膜電晶體液晶顯示器，其 中該第一金屬薄膜由一自鉻、鉬、鉬、和鈦所組成之 群組中所選出者而製成。 本紙承尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 21
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Families Citing this family (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3009438B2 (ja) * 1989-08-14 2000-02-14 株式会社日立製作所 液晶表示装置
EP0775931B1 (en) 1995-11-21 2005-10-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing a liquid crystal display
KR100190041B1 (ko) * 1995-12-28 1999-06-01 윤종용 액정표시장치의 제조방법
TW418432B (en) * 1996-12-18 2001-01-11 Nippon Electric Co Manufacturing method of thin film transistor array
US6949417B1 (en) * 1997-03-05 2005-09-27 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display and method of manufacturing the same
JP3883641B2 (ja) * 1997-03-27 2007-02-21 株式会社半導体エネルギー研究所 コンタクト構造およびアクティブマトリクス型表示装置
KR100244447B1 (ko) * 1997-04-03 2000-02-01 구본준 액정 표시 장치 및 그 액정 표시 장치의 제조 방법
US6011605A (en) * 1997-08-04 2000-01-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Liquid crystal display with a metallic reflecting electrode having a two layer film of Ti and Al alloy
JPH11101986A (ja) * 1997-09-26 1999-04-13 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置及び表示装置用大基板
JPH11233784A (ja) * 1998-02-17 1999-08-27 Matsushita Electron Corp 薄膜トランジスタの製造方法
KR100276442B1 (ko) * 1998-02-20 2000-12-15 구본준 액정표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 의한 액정표시장치
KR100528883B1 (ko) * 1998-06-13 2006-02-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의 제조방법
JP4363684B2 (ja) * 1998-09-02 2009-11-11 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 薄膜トランジスタ基板およびこれを用いた液晶表示装置
JP2000081638A (ja) * 1998-09-04 2000-03-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
KR100595416B1 (ko) * 1998-09-11 2006-09-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 회절노광을 이용한 액정 표시 장치 제조 방법
US6493048B1 (en) 1998-10-21 2002-12-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel for a liquid crystal display and a method for manufacturing the same
KR100556345B1 (ko) * 1998-11-24 2006-04-21 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계방식 액정표시소자의 제조방법
US6395586B1 (en) * 1999-02-03 2002-05-28 Industrial Technology Research Institute Method for fabricating high aperture ratio TFT's and devices formed
US6448579B1 (en) 2000-12-06 2002-09-10 L.G.Philips Lcd Co., Ltd. Thin film transistor array substrate for liquid crystal display and a method for fabricating the same
KR100623982B1 (ko) * 1999-07-16 2006-09-13 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
US6140701A (en) 1999-08-31 2000-10-31 Micron Technology, Inc. Suppression of hillock formation in thin aluminum films
KR100498630B1 (ko) * 1999-09-01 2005-07-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치
KR100342860B1 (ko) * 1999-09-08 2002-07-02 구본준, 론 위라하디락사 액정 표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 따른 액정표시장치
KR100635943B1 (ko) * 1999-11-04 2006-10-18 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그의 제조 방법
KR100601177B1 (ko) * 2000-02-10 2006-07-13 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그의 제조 방법
KR100673331B1 (ko) * 2000-02-19 2007-01-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 따른액정표시장치
JP4118484B2 (ja) 2000-03-06 2008-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2001257350A (ja) 2000-03-08 2001-09-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP4118485B2 (ja) 2000-03-13 2008-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4700160B2 (ja) 2000-03-13 2011-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US6838696B2 (en) * 2000-03-15 2005-01-04 Advanced Display Inc. Liquid crystal display
JP4683688B2 (ja) 2000-03-16 2011-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
JP4393662B2 (ja) 2000-03-17 2010-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
US6900084B1 (en) * 2000-05-09 2005-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a display device
TWI253538B (en) * 2000-09-30 2006-04-21 Au Optronics Corp Thin film transistor flat display and its manufacturing method
KR100806808B1 (ko) * 2000-10-17 2008-02-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 등저항 배선을 위한 액정표시장치
KR100729763B1 (ko) * 2000-12-04 2007-06-20 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
US7071037B2 (en) 2001-03-06 2006-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR100799465B1 (ko) * 2001-03-26 2008-02-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100473225B1 (ko) * 2001-12-31 2005-03-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 알루미늄 금속층과 투명도전성 금속층의 접촉구조와 그를 위한 제조방법
KR100869112B1 (ko) * 2002-01-14 2008-11-17 삼성전자주식회사 반사형 액정표시장치 및 그 제조 방법
TWI241430B (en) * 2002-03-01 2005-10-11 Prime View Int Corp Ltd Method for forming a bonding pad in a TFT array process for a reflective LCD and bonding pad formed by the same
KR100436181B1 (ko) * 2002-04-16 2004-06-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
KR100497297B1 (ko) * 2002-04-18 2005-06-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
TW538541B (en) * 2002-05-15 2003-06-21 Au Optronics Corp Active matrix substrate of liquid crystal display device and the manufacturing method thereof
JP3730958B2 (ja) 2002-12-25 2006-01-05 鹿児島日本電気株式会社 積層膜のパターン形成方法及び積層配線電極
KR20040061195A (ko) * 2002-12-30 2004-07-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시패널 및 그 제조방법
TWI234124B (en) * 2003-06-30 2005-06-11 Ritdisplay Corp Display panel, electrode panel and electrode substrate thereof
KR101006438B1 (ko) 2003-11-12 2011-01-06 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
TWI252587B (en) * 2004-12-14 2006-04-01 Quanta Display Inc Method for manufacturing a pixel electrode contact of a thin-film transistors liquid crystal display
JP2006209089A (ja) * 2004-12-27 2006-08-10 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置
CN1313876C (zh) * 2005-01-19 2007-05-02 广辉电子股份有限公司 薄膜晶体管液晶显示器的像素结构的制造方法
US7049163B1 (en) * 2005-03-16 2006-05-23 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Manufacture method of pixel structure
KR20060125066A (ko) * 2005-06-01 2006-12-06 삼성전자주식회사 개구율이 향상된 어레이 기판 및 이의 제조방법
KR20070001647A (ko) * 2005-06-29 2007-01-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
CN100367488C (zh) * 2006-02-13 2008-02-06 友达光电股份有限公司 薄膜晶体管阵列基板的制造方法
JP5262161B2 (ja) * 2008-02-14 2013-08-14 カシオ計算機株式会社 半導体集積回路装置
EP2172977A1 (en) * 2008-10-03 2010-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR101280827B1 (ko) * 2009-11-20 2013-07-02 엘지디스플레이 주식회사 어레이 기판 및 이의 제조방법
KR101750431B1 (ko) * 2010-11-10 2017-06-26 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판
KR101774484B1 (ko) 2011-02-15 2017-09-05 삼성디스플레이 주식회사 인듐 산화막의 비할로겐성 식각액 및 이를 이용한 표시 기판의 제조 방법
JP2012204548A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Sony Corp 表示装置およびその製造方法
KR20130027188A (ko) * 2011-09-07 2013-03-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102086422B1 (ko) 2013-03-28 2020-03-10 삼성디스플레이 주식회사 표시패널 및 이의 제조방법
CN106165106B (zh) * 2014-03-28 2020-09-15 株式会社半导体能源研究所 晶体管以及半导体装置
CN107369614A (zh) * 2017-08-07 2017-11-21 深圳市华星光电技术有限公司 金属膜镀制方法、薄膜晶体管和阵列基板的制作方法

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4651185A (en) 1983-08-15 1987-03-17 Alphasil, Inc. Method of manufacturing thin film transistors and transistors made thereby
US4545112A (en) 1983-08-15 1985-10-08 Alphasil Incorporated Method of manufacturing thin film transistors and transistors made thereby
JPH0816756B2 (ja) * 1988-08-10 1996-02-21 シャープ株式会社 透過型アクティブマトリクス液晶表示装置
US5187604A (en) * 1989-01-18 1993-02-16 Hitachi, Ltd. Multi-layer external terminals of liquid crystal displays with thin-film transistors
JPH0828517B2 (ja) * 1989-07-04 1996-03-21 シャープ株式会社 薄膜トランジスタアレイ
JP2846351B2 (ja) * 1989-07-27 1999-01-13 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JP3009438B2 (ja) * 1989-08-14 2000-02-14 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JPH0734467B2 (ja) * 1989-11-16 1995-04-12 富士ゼロックス株式会社 イメージセンサ製造方法
JP2940689B2 (ja) 1990-03-23 1999-08-25 三洋電機株式会社 アクティブマトリクス型表示装置の薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法
JPH0465168A (ja) * 1990-07-05 1992-03-02 Hitachi Ltd 薄膜トランジスタ
US5334859A (en) * 1991-09-05 1994-08-02 Casio Computer Co., Ltd. Thin-film transistor having source and drain electrodes insulated by an anodically oxidized film
EP0544069B1 (en) * 1991-11-26 1997-11-12 Casio Computer Company Limited Thin-film transistor panel and method of manufacturing the same
JPH05152573A (ja) * 1991-11-29 1993-06-18 Nec Corp 薄膜トランジスタ及びその製造方法
JPH05267670A (ja) 1992-03-23 1993-10-15 Matsushita Electron Corp 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JPH05292434A (ja) 1992-04-13 1993-11-05 Fujitsu General Ltd 液晶表示装置の交流駆動方法
JPH05341315A (ja) 1992-06-08 1993-12-24 Hitachi Ltd 薄膜トランジスタ基板、液晶表示パネルおよび液晶表示装置
KR950008931B1 (ko) * 1992-07-22 1995-08-09 삼성전자주식회사 표시패널의 제조방법
JPH06138487A (ja) 1992-10-29 1994-05-20 Hitachi Ltd 半導体装置と液晶表示装置
JPH06188419A (ja) * 1992-12-16 1994-07-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタの製造方法
JP3098345B2 (ja) * 1992-12-28 2000-10-16 富士通株式会社 薄膜トランジスタマトリクス装置及びその製造方法
JP3116149B2 (ja) * 1993-01-18 2000-12-11 株式会社日立製作所 配線材料および液晶表示装置
JPH06230428A (ja) 1993-02-08 1994-08-19 Hitachi Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
JPH06250211A (ja) * 1993-02-23 1994-09-09 Hitachi Ltd 液晶表示基板とその製造方法
US5821622A (en) 1993-03-12 1998-10-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Liquid crystal display device
JPH06337437A (ja) 1993-05-28 1994-12-06 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置
JP3281167B2 (ja) * 1994-03-17 2002-05-13 富士通株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
TW321731B (zh) * 1994-07-27 1997-12-01 Hitachi Ltd
US5550066A (en) 1994-12-14 1996-08-27 Eastman Kodak Company Method of fabricating a TFT-EL pixel
US5693567A (en) 1995-06-07 1997-12-02 Xerox Corporation Separately etching insulating layer for contacts within array and for peripheral pads
JP3409542B2 (ja) 1995-11-21 2003-05-26 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
EP0775931B1 (en) * 1995-11-21 2005-10-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing a liquid crystal display
KR0161462B1 (ko) 1995-11-23 1999-01-15 김광호 액정 디스플레이에서의 게이트 패드 형성방법
KR100190041B1 (ko) * 1995-12-28 1999-06-01 윤종용 액정표시장치의 제조방법
JP3625598B2 (ja) * 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
US6081308A (en) * 1996-11-21 2000-06-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for manufacturing liquid crystal display
KR100244449B1 (ko) * 1997-02-11 2000-02-01 구본준 박막 트랜지스터 검사용 단락 배선을 갖는 액정 표시 장치와 그 제조 방법(liquid crystal display having shorting bar for testing tft and method for manufacturing the same)
US5990986A (en) 1997-05-30 1999-11-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor substrate for a liquid crystal display having buffer layers and a manufacturing method thereof
KR100276442B1 (ko) * 1998-02-20 2000-12-15 구본준 액정표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 의한 액정표시장치
KR100333273B1 (ko) * 1999-08-02 2002-04-24 구본준, 론 위라하디락사 박막트랜지스터형 액정표시장치의 어레이기판과 그 제조방법
KR100673331B1 (ko) * 2000-02-19 2007-01-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 따른액정표시장치
KR100372579B1 (ko) * 2000-06-21 2003-02-17 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
US6620655B2 (en) * 2000-11-01 2003-09-16 Lg.Phillips Lcd Co., Ltd. Array substrate for transflective LCD device and method of fabricating the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004157555A (ja) 2004-06-03
DE69633378T2 (de) 2005-09-22
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EP1380880A1 (en) 2004-01-14
DE69633378D1 (de) 2004-10-21
KR970048855A (ko) 1997-07-29

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