KR100473225B1 - 알루미늄 금속층과 투명도전성 금속층의 접촉구조와 그를 위한 제조방법 - Google Patents

알루미늄 금속층과 투명도전성 금속층의 접촉구조와 그를 위한 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로 특히, 액정표시장치용 어레이기판의 게이트패드부상의 게이트배선과 게이트 단자전극 사이의 접촉저항에 에 관한 것이다.
종래의 액정표시장치용 어레이기판의 게이트패드구조에서는 게이트 금속으로 알루미늄(Al)이나 알루미늄(Al)합금을 사용할 경우, 알루미늄(Al)과 화소전극 사이에 산화막이 형성됨에 따라 접촉이 잘 되지 않아 완충층으로 몰리브덴(Mo)과 같은 금속을 이용한다. 따라서, 게이트패드를 패턴할 때 몰리브덴(Mo)과 알루미늄합금(AlNd) 사이에 갈바닉 현상으로 습식에칭을 하지 못하고 건식에칭을 하여야 하며, 게이트배선을 이중금속으로 증착함으로써 공정수가 증가한다.
본 발명에 있어서는 게이트배선으로 알루미늄(Al)이나 알루미늄합금(AlNd)을 재료로 사용하는 경우 스퍼터링시 알루미늄(Al)금속을 증착한 후 연속해서 질소가스를 사용하여 알루미늄 질화막(AlN )을 형성함으로써 게이트배선과 화소전극 사이에 접촉을 좋게 하여 저항을 개선하며 게이트배선을 단일금속으로 증착함으로써 공정수가 단축된다.

Description

알루미늄 금속층과 투명도전성 금속층의 접촉구조와 그를 위한 제조방법 {Contact structure between Al metal layer and transparent metal layer and method of manufacturing the same}
본 발명은 알루미늄 금속층과 투명도전성 금속층의 접촉구조의 개선에 관한 것으로 반사형과, 투과형과, 반사투과형 모두에 적용되는 액정표시장치에 관한 것이다.
최근 정보화 사회로 시대가 급발전함에 따라 박형화, 경량화, 저 소비전력화 등의 우수한 특성을 가지는 평판 표시장치의 필요성이 대두되었는데, 그 중 색 재현성 등이 우수한 액정표시장치(liquid crystal display device)가 활발하게 개발되고 있다.
일반적으로 액정표시장치는 전극이 각각 형성되어 있는 두 기판을 두 전극이 형성되어 있는 면이 마주 대하도록 배치하고 두 기판 사이에 액정 물질을 주입한 다음, 두 전극에 전압을 인가하여 생성되는 전기장에 의해 액정 분자를 움직이게 함으로써, 이에 따라 달라지는 빛의 투과율을 조절하여 화상을 표현하는 장치이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 일반적인 액정표시장치의 구조에 대해서 설명한다.
도 1은 일반적인 액정표시장치의 하부기판인 어레이기판의 일부를 도시한 확대평면도이다.
상기 하부기판(10)은 어레이기판이라고도 하며, 스위칭 소자인 박막트랜지스터(T)가 매트릭스 형태(matrix type)로 위치하고, 이러한 다수의 박막트랜지스터를 교차하여 지나가는 게이트배선(25)과 데이터배선(27)이 형성된다.
이때, 상기 화소영역(P)은 상기 게이트배선(25)과 데이터배선(27)이 교차하여 정의되는 영역이다.
상기 게이트배선(25)과 데이터배선(27)의 일 측 끝단에는 외부로부터 신호를 입력받는 게이트패드(29)와 데이터패드(31)가 구성된다.
상기 박막트랜지스터(T)는 게이트전극(21)과 소스전극(60)및 드레인 전극(62)과 상기 게이트전극 상부에 구성된 액티브층(41)을 포함한다.
이때, 상기 화소영역(P)에는 화소전극(81)이 형성되어 있다.
도 2는 도 1을 절단선Ⅱ-Ⅱ,Ⅲ-Ⅲ,Ⅳ-Ⅳ을 따라 자른 단면도로서 화소영역 뿐만 아니라, 게이트패드와 데이터패드영역의 단면을 나타내고 있다.
도 2에 도시한 바와 같이, 투명한 제 1 기판(10) 위에 금속과 같은 도전 물질로 이루어진 게이트전극(21)이 형성되어 있고, 그 위에 실리콘 질화막이나 실리콘 산화막으로 이루어진 게이트 절연막(30)이 게이트 전극(21)을 덮고 있다. 게이트 전극(21) 상부의 게이트 절연막(30) 위에는 비정질 실리콘으로 이루어진 액티브층(41)이 형성되어 있으며, 그 위에 불순물이 도핑된 비정질 실리콘으로 이루어진 오믹 콘택층(51,52)이 형성되어 있다.
오믹 코택층(51,52) 상부에는 금속과 같은 도전물질로 이루어진 소스 및 드레인 전극(60,62)이 형성되어 있는데, 소스 및 드레인 전극(60,62)은 게이트 전극(21)과 함께 박막 트랜지스터(T)를 이룬다.
이어, 소스 및 드레인 전극(60,62) 위에는 실리콘 질화막이나 실리콘 산화막 또는 유기 절연막으로 이루어진 보호층(70)이 형성되어 있으며, 보호층(70)은 드레인 전극(62)을 드러내는 콘택홀(71)을 가진다.
보호층(70) 상부에는 투명도전물질로 이루어진 화소 전극(81)이 형성되어 있고, 화소 전극(81)은 콘택홀(71)을 통해 드레인 전극(62)과 연결되어 있다.
한편 상기 기판(10) 상에 게이트배선(25)과 게이트배선(25)의 일 끝단에 소정면적으로 게이트패드(29)가 형성되어 있으며, 상기 게이트패드(29)가 형성된 기판(10)의 상부에 게이트 절연막(30)이 형성되어 있다. 그리고 상기 게이트패드(29)를 노출하는 게이트패드 콘택홀(59)이 형성되어 있으며, 상기 게이트패드(29)와 연결된 게이트패드 단자전극(65)이 형성되어 있다.
또한 상기 게이트 절연막(30) 상에 상기 소스전극(60)과 수직하게 연장된 데이터배선(27)과 상기 데이터배선의 일 끝단에 소정면적의 데이터패드(31)가 형성되어 있다. 그리고, 상기 데이터패드(31)를 노출하는 데이터패드 콘택홀(61)이 형성되어 있으며, 상기 데이터패드(31)와 연결된 데이터패드 단자전극(67)이 형성되어 있다.
한편, 상기 게이트/데이터배선(25,27)의 일 끝단에 소정면적으로 형성되어 있는 게이트/데이터 패드(29,31)부 상에는 게이트패드 단자전극(ITO 또는 IZO:65,67)이 패턴되어 있는 바, 게이트/데이터 배선(25,27)의 재료로 알루미늄이나 알루미늄합금(AlNd)을 사용할 경우 게이트/데이터 배선(25,27)과 게이트/데이터패드 단자전극(65,67)과의 접촉시 산화막이 형성된다. 따라서, 산화막은 알루미늄 금속과 게이트/데이터패드 단자전극(65,67)과의 직접적인 접촉을 방해하고 있으므로 알루미늄 금속과 단자전극(65,67) 사이에 몰리브덴(Mo)을 완충층으로 형성하고 있다. 이하, 게이트/데이터 배선을 알루미늄(Al)/몰리브덴(Mo)의 이중층으로 형성하는 공정을 자세히 설명한다.
도 3a 내지 3f는 게이트/데이터 배선을 이중금속으로 형성하는 공정순서를 나타내는 단면도이다.
먼저, 도 3a에 도시한 바와 같이 게이트 패드(도 1의 29)부영역의 기판(도 2의 10)위와 데이터 패드(도 1의 31)부영역의 게이트절연막(도 2의 30)상에 알루미늄(Al)이나 저저항의 알루미늄합금(AlNd)(81)을 증착한다. 증착된 알루미늄금속(81) 상에 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr) 내지는 텅스텐과 같은 금속(82)을 다시 한번 증착한다.
다음, 도 3b에 도시한 바와 같이 이중금속으로 이루어진 게이트/데이터 배선(81,82)을 패턴하기 위하여 그 위에 포토 레지스(84)트를 덮는다. 상기 포토 레지스터(84) 상에 포토 마스크를 사용하여 노광한 후 현상한다.
이어서, 도 3c에 도시한 바와 같이 패턴하고자 하는 모양을 구현하기 위하여 식각 공정을 실시하는데, 습식 에칭을 먼저 실시한다. 습식 에칭을 하게 되면 상기 몰리브덴(Mo:82)을 에칭하는 에칭용액에 의하여 상기 몰리브덴(Mo:82)과 알루미늄금속(AlNd:81) 사이에 발생하는 전이현상에 의한 전극의 부식이 발생한다. 이러한 부식현상을 일반적으로 갈바닉부식이라 하며, 좀더 상세히 설명하면, 이중금속이 용액 속에 담가지게 되면 전위 차가 존재하게 되고 따라서 이들 사이에 전자의 이동이 일어나는 현상을 말한다. 따라서, 습식에칭에 의한 갈바닉부식의 결과 알루미늄금속(AlNd:81)층이 도 3c에서 보는 바와 같이 함몰되어 있는 형상을 하게 되어 이후 게이트 절연막(도 2의 30)이나 보호층(도 2의 70)을 증착할 경우 함몰공간이 발생하여 증착불량의 원인이 된다.
도 3d에서 도시한 바와 같이 이러한 원인을 해결하기 위하여 습식에칭 후에 다시 플러드 건식에칭(flood dry etching)을 하여 패턴경계 영역에 몰리브덴(Mo;82)의 일부를 제거하여 차후 게이트 절연막이나 보호층이 원만하게 증착되도록 한다.
도 3f에서 도시한 바와 같이 상기 거식에칭 후에 스트립용액을 사용하여 포토 레지스터를 제거하는 스트립공정이 있다. 스트립공정 후에는 ITO 또는 IZO를 증착하고 패턴하여 게이트패드 단자전극과 데이터패드 단자전극(85)을 형성한다.
따라서, 게이트 배선과 데이터 배선으로 알루미늄(Al)이나 알루미늄합금(AlNd)을 사용하게 되면 알루미늄 금속의 표면에 산화막이 형성되어 알루미늄 금속과 단자전극 사이에 저항이 증가하게 되는 결과, 저항을 개선하기 위하여 알루미늄 금속과 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 이중금속을 사용한다. 이렇게 이중금속을 사용하게 되면 몰리브덴(Mo)을 증착하기 위하여 별도의 스퍼터링 공정이 추가되어 공정 시간이 증가하게 된다.
따라서, 본 발명은 위에서 설명한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 게이트금속을 단일금속으로 증착하여 완충층으로 몰리브덴(Mo)을 증착하는 공정을 생략하며 게이트금속과 화소전극 사이에 접촉저항을 개선하는 액정표시장치용 어레이기판과 그의 제조방법을 제공하는 데 목적이 있다.
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로 어레이기판의 게이트/데이터패드 상에 게이트/데이터배선과 게이트/데이터단자전극과의 접촉을 개선하는 문제에 관한 것이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일측면에 따르면, 알루미늄을 가진 금속층과 ; 상기 금속층의 상부에 형성된 알루미늄질화막과 ; 상기 알루미늄질화막 상부에 형성된 투명도전성 금속층을 포함하는 알루미늄금속층과 투명도전성 금속층의 접촉구조를 제공하는 것이다.
상기 알루미늄질화막은 두께가 10Å내지 2000Å이며, 상기 알루미늄을 가진 금속층은 알루미늄 또는 알루미늄합금으로 이루어지며, 상기 알루미늄을 가진 금속층은 액정표시장치용 게이트배선 또는 데이터배선이고, 상기 투명도전성 금속은 ITO 내지는 IZO인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 알루미늄을 가진 금속층을 형성하는 단계와 ; 상기 알루미늄을 가진 금속층 위에 알루미늄질화막을 형성하는 단계와 ; 상기 알루미늄질화막 상부에 투명도전성 금속층을 형성하는 단계를 포함하는 알루미늄금속층과 투명도전성 금속층의 접촉구조를 위한 제조방법을 제공한다.
상기 알루미늄을 가진 금속층은 스퍼터링장비에 의해 형성되며, 상기 알루미늄을 가진 금속층은 아르곤 가스를 사용하여 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 알루미늄질화막은 상기 알루미늄을 가진 층을 형성할 때 사용하는 스퍼터링장비를 사용하여 형성되며, 상기 알루미늄질화막은 질소 가스를 사용하여 형성되는 것을 특징으로 한다.
이하, 게이트/데이터 배선의 제작 공정을 설명한다. 도 4a 내지 4e는 본 발명의 실시예에 따라 게이트/데이터배선을 단일금속으로 형성하는 제조공정을 도시한 단면도이다.
먼저, 도 4a에 도시한 바와 같이 알루미늄 금속층(91)과 그 상부에 아루미늄질화막(92)이 형성되어 있다. 한편, 도 1과 도 2를 참조하여 설명하면, 기판(도 2의 10) 상에 게이트 전극(도 2의 21)과 게이트 배선(도 2의 25) 그리고 게이트 배선의 일 끝단에 소정면적으로 게이트패드(도 2의 29)를 형성하는 공정에 있어서 먼저 기판위에 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금을 증착한다. 데이터배선(도 1의 27)과 데이터배선의 일 끝단에 소정면적으로 데이터패드(도 1의 31)를 형성하는 경우에도 마찬가지이다. 보통은 게이트/데이터배선의 금속으로 알루미늄(Al) 단일금속이 아닌 알루미늄(Al)/크롬(Cr)이나 알루미늄(Al)/몰리브덴(Mo)과 같은 이중금속으로 사용하는 것이 일반적이다. 왜냐하면, 상기 게이트/데이터배선의 금속물질은 액정표시장치의 동작에 중요하기 때문에 RC 딜레이(delay)를 작게 하기 위하여 저항이 작은 알루미늄(Al)이 주류를 이루고 있으나 순수 알루미늄은 화학적으로 내식성이 약하고 후속의 고온 공정에서 힐록(hillock)형성에 의한 배선 결함문제를 야기하므로 알루미늄 배선의 경우는 합금의 형태로 쓰이거나 적층구조가 적용된다. 그러나, 본 발명의 실시예에서는 알루미늄 합금을 증착한 후 몰리브덴(Mo)을 증착하지 아니하고 알루미늄 질화막(AlN )을 증착한다.
한편, 액정표시장치용 TFT 어레이기판의 제조공정에서 금속 박막을 증착하는 방법으로 스퍼터링 방법을 주로 사용한다. 스퍼터링의 원리는 고전압이 인가된 증착할 금속으로 만든 타겟(target)과 아노드(anode) 전극 사이에 아르곤 가스를 주입하고, 플라즈마 방전을 이용하여 Ar+을 여기시키면 고전압에 의해 가속된 Ar+은 높은 운동 에너지를 가지고 금속 타겟(target)에 충돌하게 된다. 이때, 가해지는 충격에너지가 금속 원자간의 결합 에너지 보다 클 경우, 금속 표면에 있는 원자를 떼어낼 수 있게 된다. 스퍼터링된 원자들은 상호 충돌과 간섭을 통하여 가진 에너지를 소모하여 유리 기판 표면에서 상호 결합하여 박막 형태로 성장하게 된다.
일반적으로 금속막 증착시에 쓰이는 마그네트론 스퍼터링(magnetron sputtering)은 DC플라즈마를 이용하며, 소스 타겟(source target)의 둘레와 뒤쪽에 자석을 설치한 다이오드(diode)구조에서 발생하는 자기장이 Ar을 여기 시키는데 방해가 되는 세컨더리 일랙트론(secondary electron)을 격리시키며, 플라즈마 조정을 용이하게 하여 증착 효율을 높일 수 있다. 리액티브 스퍼터링(reactive sputtering)은 증착 중에 챔버(chamber) 내에 리액티브 가스를 주입시켜서 타겟으로부터 스퍼터링되는 원자들과 주입된 가스들이 반응하여 층별로 화합물이나 산화물막을 증착할 수 있다. 본 발명의 실시예서는 DC 플라즈마를 이용한 마그네트론 스퍼터링 장비를 가지고 Ar 가스를 사용하여 알루미늄(Al) 내지 알루미늄합금(AlNd)(91)을 증착한 후, 연속해서 N₂가스를 사용하여 알루미늄 질화막(AlN )(92)을 10 Å 내지 2000 Å 의 두께로 증착한다. 알루미늄 질화막(AlN )은 산화막이 형성되는 것을 방지하여 알루미늄합금(AlNd)과 단자전극 사이에 접촉을 원활하게 이루어질 수 있게 한다.
다음으로 도 4b에서 도시한 바와 같이 알루미늄합금(AlNd)(91)과 알루미늄 질화막(AlN )(92)을 증착한 후에 원하는 모양을 패턴하기 위하여 포토 레지스트(94)를 알루미늄 질화막(AlN )(92) 위에 도포한다.
계속하여 도 4c에서 도시한 바와 같이 포토 마스크를 사용하여 노광, 현상한 후 식각 공정을 실시한다. 이때, 습식에칭을 하게 되는 바, 상기 에칭용액에 의하여 종래의 몰리브덴(Mo)과 알루미늄(Al) 금속 사이에 발생하는 전이현상에 의한 전극의 부식이 발생하지 않는다. 따라서 종래와 같이 몰리브덴(Mo)과 알루미늄(Al)금속 사이에 발생하는 갈바니현상에 의하여 몰리브덴(Mo)의 패턴경계영역의 아래에 형성되는 함몰형상을 제거하여 도 5d와 같이 단차를 형성하기 위한 별도의 플러드 건식 에칭(flood dry etching) 공정이 필요하지 않게 된다.
이어서, 도 4d에서 도시한 바와 같이 패턴을 형성하기 위하여 알루미늄 질화막(AlN )(92) 상부에 잔류한 포토 레지스트(94)를 스트립용액을 사용하여 제거하여 알루미늄(Al)금속(91)과 알루미늄 질화막(AlN )(92) 패턴을 형성한다.
마지막으로 도 4e에서 도시한 바와 같이 상기 알루미늄금속(91)과 알루미늄 질화막(AlN ) (92)패턴위에 상기 알루미늄 질화막(AlN )과 접촉하는 게이트/데이터 단자전극(95)을 형성한다. 여기서 단자전극(95)으로 사용되는 금속은 인듐-틴-옥사이드(ITO)나 인듐-징크-옥사이드(IZO)등의 투명 도전성물질이다.
따라서, 게이트/데이터 배선으로 알루미늄이나 알루미늄합금(AlNd)을 사용하여 증착하는 경우 종래에는 스퍼터링작업시 Ar 가스를 사용하여 플라즈마를 형성함으로써 알루미늄금속막을 증착하였으나 본 발명에서는 Ar 가스를 사용하여 알루미늄금속막을 증착한 후 연속하여 N₂가스를 사용하여 알루미늄 질화막(AlN )을 증착한다. 이러한 알루미늄 질화막(AlN )은 화소전극인 ITO 또는 IZO막과의 접촉을 형성하는데, 상기 알루미늄 질화막(AlN )은 산화막이 형성되는 것을 방지하여 알루미늄금속와 ITO/IZO막 사이의 접촉을 좋게 한다.
도 5a와 5b는 게이트/데이터 배선의 스퍼터링 공정을 도시한 순서도를 나타내고 있다.
먼저 도 5a는 종래의 공정에 따른 택타임(Tact time)을 나타낸 것으로 상기 기판을 로딩(L1)하여 히팅챔버(H2)에서 일정온도로 가열한 후, 알루미늄 금속을 증착하기 위하여 알루미늄 스퍼터링챔버(S3 내지 S4)를 거쳐 몰리브덴(Mo)을 증착하기 위하여 몰리브덴(Mo) 스퍼터링챔버(S5 내지 S6)를 지나 언로딩(L7)하게 되면 88초 정도의 공정시간이 소요된다.
다음 도 5b는 본 발명의 공정에 따른 택타임을 나타낸 것으로 상기 기판을 로딩(L1)하여 상기 기판을 일정온도로 가열하기 위하여 히팅챔버(H2)를 거쳐 알루미늄금속을 증착하기 위하여 알루민늄 스퍼터링챔버(S3 내지 S4)를 지나는 공정까지는 종래의 알루미늄(Al)/몰리브덴(Mo)의 이중금속을 형성하기 위한 공정과 일치하나 다만, 본 발명에서는 알루미늄금속의 단일금속을 형성하기 때문에 몰리브덴(Mo)을 증착하기 위한 몰리브덴(Mo) 스퍼터링챔버(S5 내지 S6)를 생략하므로 마지막 언로딩(L7)까지는 66초 정도의 공정시간만이 소요된다.
따라서, 본 발명에서는 알루미늄(Al)금속 상부에 몰리브덴(Mo)을 증착하지 아니하고 알루미늄 스퍼터링작업시 N₂가스를 사용하여 동일한 스퍼터링챔버(S5 내지 S6) 내부에서 알루미늄 질화막(AlN )을 증착함으로 몰리브덴(Mo)을 증착하기 위한 몰리브덴(Mo) 스퍼터링챔버(S5 내지 S6)를 거칠 필요가 없어서 공정시간이 88초에서 66초로 단축된다.
따라서, 알루미늄(Al)이나 알루미늄합금(AlNd)을 증착하기 위한 스퍼터링 공정시 Ar 가스를 사용하여 알루미늄 금속을 증착한 후 연속하여 N₂가스를 사용하여 알루미늄 질화막(AlN )을 증착하여 화소전극과의 접촉(contact)을 형성하게 되면 알루미늄 질화막(AlN )은 알루미늄 산화막이 형성되는 것을 방지함으로써 알루미늄금속과 게이트/데이터패드 단자전극과의 저항이 감소하는 효과가 있다.
또한 몰리브덴(Mo)의 증착을 위한 몰리브덴(Mo) 스퍼터링챔버를 거치지 아니하고 알루미늄 스퍼터링챔버에서 N₂가스를 사용한 스퍼터링으로 알루미늄 질화막(AlN )을 형성하므로 공정시간이 88초에서 66초로 단축되는 효과가 있다.
도 1은 일반적인 액정표시장치의 하부기판인 어레이기판의 일부를 도시한 확대평면도이다.
도 2는 도 1을 절단선Ⅱ-Ⅱ,Ⅲ-Ⅲ,Ⅳ-Ⅳ을 따라 자른 단면도로서 화소영역 뿐만 아니라, 게이트패드와 데이터패드영역의 단면을 나타내고 있다.
도 3a 내지 3f는 게이트/데이터 배선을 이중금속으로 형성하는 공정순서를 나타내는 단면도이다.
도 4a 내지 4e는 본 발명의 실시예에 따라 게이트/데이터배선을 단일금속으로 형성하는 제조공정을 도시한 단면도이다.
도 5a와 5b는 게이트/데이터 배선의 스퍼터링 공정을 도시한 순서도를 나타내고 있다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
25 : 게이트 배선 27 : 데이터 배선
29 : 게이트 패드 31 : 데이터 패드
65 : 게이트패드 단자전극 67 : 데이터패드 단자전극
91 : 알루미늄합금금속 92 : 알루미늄 질화막
94 : 포토 레지스트

Claims (11)

  1. 알루미늄을 가진 금속층과 ;
    상기 금속층의 상부에 형성되고, 10Å 내지 50Å과 1000Å 내지 2000Å 범위의 두께를 갖는 알루미늄질화막과 ;
    상기 알루미늄질화막 상부에 형성된 투명도전성 금속층
    을 포함하는 알루미늄금속층과 투명도전성 금속층의 접촉구조.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 알루미늄을 가진 금속층은 알루미늄 또는 알루미늄합금인 알루미늄금속층과 투명도전성 금속층의 접촉구조.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 알루미늄을 가진 금속층은 액정표시장치용 게이트배선 또는 데이터배선이고, 상기 투명도전성 금속은 ITO 내지는 IZO인 알루미늄금속층과 투명도전성 금속층의 접촉구조.
  5. 알루미늄을 가진 금속층을 형성하는 단계와 ;
    상기 알루미늄을 가진 금속층 위에, 10Å 내지 50Å과 1000Å 내지 2000Å 범위의 두께를 갖는 알루미늄질화막을 형성하는 단계와 ;
    상기 알루미늄질화막 상부에 투명도전성 금속층을 형성하는 단계
    를 포함하는 알루미늄금속층과 투명도전성 금속층의 접촉구조를 위한 제조방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 알루미늄을 가진 금속층은 스퍼터링장비에 의해 형성하는 알루미늄금속층과 투명도전성 금속층의 접촉구조를 위한 제조방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 알루미늄을 가진 금속층은 아르곤 가스를 사용하여 형성하는 알루미늄금속층과 투명도전성 금속층의 접촉구조를 위한 제조방법.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 알루미늄질화막은 상기 알루미늄을 가진 층을 형성할 때 사용하는 스퍼터링장비를 사용하여 형성하는 알루미늄금속층과 투명도전성 금속층의 접촉구조를 위한 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 알루미늄질화막은 질소 가스를 사용하여 형성하는 알루미늄금속층과 투명도전성 금속층의 접촉구조를 위한 제조방법.
  10. 삭제
  11. 제 5 항에 있어서,
    상기 알루미늄을 가진 층은 액정표시장치용 게이트배선 또는 데이터배선이고, 상기 투명도전성 금속은 ITO 내지는 IZO인 알루미늄금속층과 투명도전성 금속층의 접촉구조를 위한 제조방법.
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