TWI377237B - - Google Patents

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TWI377237B
TWI377237B TW94146506A TW94146506A TWI377237B TW I377237 B TWI377237 B TW I377237B TW 94146506 A TW94146506 A TW 94146506A TW 94146506 A TW94146506 A TW 94146506A TW I377237 B TWI377237 B TW I377237B
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conductive
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Kamikoriyama Yoichi
Ogata Sumikazu
Kei Anai
Hiroki Sawamoto
Mikimasa Horiuchi
Mukuno Takashi
Original Assignee
Mitsui Mining & Smelting Co
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    • C09D11/52Electrically conductive inks
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
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Description

1377237 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於導電性墨水及其製造方法,詳言之係 有關於可藉例如喷墨等描繪出電路狀等,使之固化以於美 板上形成電路的導電性墨水。 【先前技術】 • 向來,於各種基板上形成電路圖案之方法有,如日本 •專利申請(特開平9_246688號公報)、曰本專利申請(特開 平8-18190號公報)所揭示的,利用光微影、蝕刻之方法\ 及網印法。作為該習知方法的,銅面層壓板之銅落經㈣ ·.加工形成電路圖案的方法,或將金屬粉與溶劑、樹脂混練 .·糊化,藉網印直接形成配線、電極圖案於基板表面之方法 已愈見普及。 並且,將金屬粉加工成糊(以下簡稱「導電性糊」)或 墨水(以下簡稱「導電性墨水」),轉用網印法等之技術, 於基板表面直接形成電路的方法,較之銅面層壓板之銅落 予以蝕刻加工形成電路的蝕刻法,因 顯著削減而曰益普及。 生產成本了 . 而近年來之電路為符合電子機器的小型化、輕量化之 要求,電路必須更加微細。使用導電性糊於基板直接形成 .電路時’最大的問題在於使用網印等難以形成微細電路。 =且近年來有使用,如日本專利申請(特開2002_324966號 公報)所揭示的,導電性墨水形成微細電路之技術,以用在
2213-7665-PF 5 1377237 列印機的喷墨技術形成電路之嘗試。 近年來攜帶型資訊機器、τν為首之薄型顯示器内部的 導電性電路圖案逐年高密度化,不尸、已有酉己線寬度4Mm 以下範圍之探討,亦有於軟性樹脂基板以低溫煅燒形成電 路圖案的技術之探討。以一般習用的網印形成電路圖案, •則不斷線,配線形狀優良之線寬需在100# m左右,更加微 -細的範圍,尤以線寬40 Am以下者實質上難以形成電路。 又,於各種基板以低溫煅燒形成電路圖案的技術有,如日 ^本專利申請(特開2002-334618號公報)所揭示的,含銀奈 米粒子之銀墨的探討。 而關於金屬粉以大量有機溶劑及樹脂類混合之導電性 墨水,有作為點勝機塗敷法或如日本專利申請(特開 -20 02-324966號公報)所揭示的,利用喷墨印刷技術的極微 細電路圖案的形成原料之提議,但因對各種基板的密著強 度取決於有機樹脂類,一般用於低電阻配線、電極之形成 的利用氫、氮之還原煅燒步驟中,有機樹脂成分因分解產 —纟氣體而容易造成微小被裂,並因而致使配線、電極之體 岔度低’結果難以形成低電阻電路。 另外,提示導電性墨水之組成者,於曰本專利申請(特 開2002-3172〇1號公報)揭示,含水,個個微粒鎳粉之粉體 表面固著有不溶性無機氧化物之鎳微粉,聚丙烯酸、其酯 或其鹽及有機基取代氫氧化銨的水性鎳漿,以及含該鎳漿 及黏結劑之導電性糊《該水性鎳漿係,高濃度鎳微粉不再 凝集而安定分散之水性鎳漿。因欲利用噴墨印刷技術形成
2213-7665-PF 6 1377237 極微細電路圖案時,不具適於 印刷形成電路,則因墨水堵塞喷嘴之=力/要以連續 標印刷位置之現象,實質上難二水不落在目 改=…不含賦予對基板之密著強度的黏結劑,即使 質::ττ刷於基板,與基板之密著強度實 以主要用於層壓陶究電容器的内部電極之製作 :::锻燒將金屬粉燒結之用途以外,實質上仍難為電路
然而,如上述,利用點膠機塗敷法、喷墨印刷法,將 極微細配線、電極印刷於基板,形成高密度電路圖案所用 之導電性墨水已予探討,但尚非嘴墨法本身所使用者,有 與各種基板的密著強度極低之問題。 另外,即使可確保與各種基板的密著強度,使用該導 電性墨水形成之導體電路膜密度低,導體電⑯高,通電時 發熱大,基板壽命短。又,導體密度低乃係導體内空隙多, 不得實現多層配線所不可或缺之導體表面平滑性。此乃由 於導體表面存在之空隙,從導體表面看來顯得凹陷。又, 於高溫環境使用時,因導體膜密度低’存在於大氣中之水、 氧易於擴散至導體令,形成導體之金屬粉遭氧化,因遷移 現象,起金屬離子擴散、顆粒成長,可能引起電路短路。
因此想到,使用於點膠機塗敷法、喷墨法之導電性墨 水,因有防止吐出墨水之喷嘴的阻塞之必要,含於導電性 墨水之金屬粉粒子必須係微細。同時,為提高導體膜密度, 構成導電性墨水之分散媒體的性質亦屬重要,綜合這些品 2213-7665-PF 7 1377237
種基材之高密著強度,電極膜之電阻亦上升。 主溶劑為水時,係用離子交換水、蒸館水等之純 水’不含自來水之純度的水。 又的 主溶劑用醇類時,以選自卜丙醇、卜丁 卜己醇、環己醇、卜庚醇、卜辛醇、卜、^醇、 醇、苯甲醇、甲基環己醇、…丁醇、”二糖 4-甲-2-戊醇、異丙醇、2 一乙丁醇、2_乙己醇、 、 品醇、二氫莊品醇、2-甲氧乙醇、2-乙氧乙醇、2_、f 乙醇、2-苯氧乙醇、卡必醇、乙卡必醇、正丁卡必:了乳 丙酮醇的1種或2種以上組合使用為佳。其- 咖以上且室溫常壓下不易氣化者為宜,卩卜點 醇、箱品醇、二氫搭品醇、2_甲氧乙醇、乙氧乙醇一辛 正丁氧乙醇、二丙酮醇為更佳。 、2- 主溶劑使用二醇類時,以選自乙二 _ ^ ^ 叮—甘醇、: 醇、四甘醇、丙二醇、三亞甲二醇、二丙二醇 -甘 1,2-丁 二醇、1,3-丁-醇、t , —丙一醇、 畔,d 丁一醇、i,4一丁二醇、五亞 己二醇之群的1種或2種以上組合使用為佳。其中二/ 黏度lOOcP以下者為宜’以乙二醇、二甘醇、 至溫 ^ -醇、】 / 丁二醇、二丙二醇為佳。黏度過高時難以調製為適於喷, 之黏度。 〜%貨墨 主溶劑使用飽和烴類時,以選自庚烷、 --控、丄-认 I — ^ ^ ' 癸烷、十一烷、十二烷、十三烷 四烷 五燒 烷的1種或2種以上組合使用為佳。其中以癸烷、十 十二烷、十三烷、十四烷為更佳。其係由於烷、 φ饜沸點300
2213-7665-PF 11 1377237 c以下且蒸氣壓低,室溫不易氣化,取用容易之故。 膜密度提升劑:本發明之導電性墨水中,上述膜密度 提升劑係以含選自Ti、v、Ni、Cu、Zn、y、Zr、肋、、 ^、^、311、1&、\?之金屬鹽群或金屬氧化物群之1種或2 種以上者為佳。 更具體言之,Ti者以氣化鈦、硫酸鈦肆(二乙胺基) 鈦八氟鈦酸銨、氫氧化鈦、甲酚鈦、二氧化鈦等為佳eV 者以乙醯丙酮根釩、乙醢丙酮根氧化釩等為佳。Ni者係以 氧化鎳、氫氧化鎳、乙酸鎳、硝酸鎳、擰檬酸鎳、油酸鎳、 2一乙己酸鎳、環烷酸鎳為佳。Cu者以檸檬酸銅、油酸銅、 乙酸銅、硝酸銅、葡糖酸銅、環烷酸銅、乙基乙醯乙酸銅、 乙醯丙酮根銅、氧化銅、氧化亞銅、氫氧化銅等為佳。a 者以用擰檬酸鋅、乙醯丙酮根鋅、氧化辞等為佳。γ者以 用乙酸纪、草賴等為佳。Zr相W㈣、乙酿丙酮根 錯、氧化锆等為佳。Nb者以用氧化銳為佳。M。者以用硫钥 酸銨、鉬酸、12翻矽酸、麵酸銨等為佳。Ag者以用碳酸銀、 乙酸銀、确*酸銀、氣酸銀、過氣酸銀、氧化銀等為佳。『η 者以用硝酸銦、氣化銦、氫氧化銦、2_乙己酸銦、參(乙醯 丙酮根)銦(III)等為佳。Sn者以用氯化錫、卜丙氧化錫等 為佳。Ta者以用氧化纽為佳。w者以用鶴酸鶴酸敍、鶴 矽酸、12鎢矽酸26水、氧化鎢、鎢酸銅、鎢酸鈽等為佳。 尤以使用與導電性墨水中之金屬粉同的金屬鹽或其氧化物 之1種以上,因導體密度高而更佳。
這些金屬鹽或金屬氧化物,經還原烺燒步驟形成導體 2213-7665-PF 12 1377237 二其自身係可成為金屬之物質,具有將導電性墨水 ^ *分粒或t化物粉粒互相牢固結合之黏結劑的功 Γ撬:使用廷些金屬鹽或氧化物之導電性墨水,大量使用 。黏〜劑物質,於還原锻燒步财機物分解氣化不 ^無法作目標之導電性墨水中粉體的相互結合所產生之 •乳體於導體中造成大量微小皸裂’不只導體之電阻上升, 導體中空隙多’故密度低,不得表面平滑性。 分散助劑:構成本發明之導電性墨水的上述分散媒 體X含刀散助劑為佳。該分散助劑係用以防止分散媒體 中金屬粉之再凝集,長期保持導電性墨水之品質。 該分散助劑係以添加選自(a)聚丙烯酸、其酯或其鹽, • 有機基取代氫氧化銨及(C)含羥基之胺化合物的(a)〜(c) ' 任一群的1種或2種以上之組合物為佳。 尤以本發明有關之導電性墨水係鎳墨水時,必要時以 添加分散助劑為佳。該分散助劑係以添加選自(a)聚丙烯 酸、其酯或其鹽,(b)有機基取代氫氧化銨及含羥基之 •⑯化合物的(a)〜(c)任一群的1種或2種以上之組合物為 佳。 用於本發明之(a)聚丙烯酸、其酯或其鹽有例如,聚丙 烯酸、聚丙烯酸甲酯、聚丙烯酸鈉、聚丙烯酸銨等,其中 聚丙稀酸錄因容易配位於金屬粒子表面,同時,配位之聚 _ 丙烯酸銨藉電互斥及立體阻障效果可抑制溶劑中金屬粒子 之凝集故較佳。本發明中(a)者可將上述以1種或2種以上 組合使用。 2213-7665-PF 13 1377237 用於本發明之(b)有機基取代氫氧化銨有例如,氫氧化 四甲銨、氫氧化四乙銨、氫氧化四丁銨等烷基取代氫氧化 銨’氫氧化二甲基苯基銨、氫氧化苯甲基三甲基銨等烷基 取代芳基取代氫氧化銨等,其中烷基取代氫氧化銨因容易 配位於金屬粒子,且電互斥力高故較佳。本發明中(b)者可 將上述以1種或2種以上組合使用。 用於本發明之(c)含羥基之胺化合物有例如脂醇胺。其 中一甲醇胺、一乙醇胺、二丙醇胺等二脂醇胺因於金屬粒 子之潤濕性優故較佳,二乙醇胺因最能抑制金屬粒子之歷 時凝集而更佳。本發明中(〇者可將上述以1種或2種以上 組合使用。 本發月係以於導電性鎳墨中添加上述分散助劑,抑制 墨内鎳粉粉粒之歷時凝集。用於本發明之分散助劑,若係 上述(a)〜(c)之至少!種即可,併用其中之⑷及⑷則可更 安定分散鎳粉故較佳。 本發明有關之導電性墨水於有「聚丙烯酸、其醋或其 鹽」存在時,「聚丙烯酸、装 其s日或其鹽」之量相對於金屬粉 之100重量份通常係0.05〜5 —# ^ ΰ 5重量份’無礙於墨水對基板之 在、者性’墨水壽命最县,而,、,Λ 乂 〇· 1重量份〜2重量份為更佳。 本發明之導電性累士 i A ^ ..「 墨尺於有「有機基取代氫氧化銨」存 在時,「有機基取代氫氧化餘 ^ ^ 旦八、 孔化銨」之量相對於金屬粉之100重 里伤通常係〇.〇1〜5重量份,也 $抝’無礙於墨水對基板之密著性, 墨水辱命最長,而以 .Ub重量份〜1重量份為更佳^ 本發明之導電性墨水於 入於有「含羥基之胺化合物」存在
2213-7665-PF 14 1377237 時’「含拽基之胺化合物」之量相對於金屬粉之100重量份 通常係0.5〜30重量份,無礙於墨水對基板之密著性墨水 壽命最長’而以5〜20重量份為更佳。 將分散劑組合用於本發明有關之導電性墨水時,於有 「聚丙稀酸、其醋或其鹽」及「有機基取代氫氧化敍」存 .在時,「有機基取代氫氧化銨」之量相對於「聚丙烯酸、其 酯或其鹽」1〇0重量份通常係1重量份〜3〇重量份,無礙於 墨水對基板之密著性,墨水壽命最長,而以5重量份~20 •重量份為更佳。
導電性墨水之表面張力:以下所述的本發明之導電 f生墨水,表面張力為〜50mN/m,易於以喷墨法 '點 膠機法作電路形成等。因此,上述表面張力調整劑之添加, 係以各種藥劑添加至導電性墨水之表面張力通常達15 mN/m~50mN/in ’ 20mN/m〜40mN/m更佳。導電性墨水之表面張 力超出上述範圍,則尤以導電性墨水不能自喷墨喷嘴吐 出’即使能自喷嘴吐出,仍有自目標印刷位置偏移,無法 連續印刷等現象之發生。因此,本發明中因使導電性墨水 之表面張力調整為適於使用喷墨法之上述範圍,而可使用 喷墨裝置形成微細電路配線等。 表面張力調整劑:上述表面張力調整劑係使用表面 張力在40mN/m以下之添加劑。具如此表面張力之表面張力 調整劑的使用,最易於調整表面張力至適用於喷墨裝置, 可以簡易調整黏度至符合於喷墨裝置之設計,微細配線電 路之形成即有可能。此所謂表面張力調整劑,係以選自可 2213-7665-PF 15 1377237 用作溶劑之醇類、二醇類,且表面張力在40mN/m以下,25 c黏度lG〇cp以下之群的i種或2種以上組合使用為佳。 該表面張力調整劑之中,表面張力在4〇mN/m以下託 C黏度l〇〇cP以下之醇等有例如,卜丁醇卜戊醇、4甲 -2-戊醇、2-乙氧乙醇、2-正丁氧乙醇、正丁卡必醇等。從 保持導電性墨水之長期品質安定性的觀點,本發明係以使 用,上述表面張力調整劑中之2_正丁氧乙醇、卜丁醇為較 佳0
本發明之導電性墨水中,所配合的表面張力調整劑之 量若能適當調整導電性墨水之表面張力即可,無特殊限 制。但一般在導電性墨水中通常係i重量%〜5〇重量%,3重 量%〜30重量%更佳。表面張力調整劑之量未達i重量%時, 無法調整表面張力。表面張力調整劑之量添加至5〇重量% 以上則添加表面張力調整劑前後,導電性墨水中含之微粒 金屬粉的分散形態大有變化,結果微粒金屬粉凝集以至 於導電性墨水最重要之微粒金屬粉的均勻分散受阻,無法 作為導電性墨水使用。 上述表面張力調整劑係以選自常壓沸點1 〇 〇它~ 3 〇 〇它 的醇、二醇之群的丨種或2種以上之組合物為佳。 密著性提升劑I構成本發明之導電性墨水的上述分 散媒體’係以含選自石夕院耦合劑、鈇耗合劑、錯耦合劑、 鋁耦合劑之群的1種或2種以上為佳。 在此所謂密著性提升劑,不只使用選自上述群之1種 成分者,亦可組合2種以上使用。亦即,使之含複數種成 2213-7665-PF 16 1377237 为,即可控制密著性至符合進行電路等之形成的基板性質。 在此所謂石夕燒輕合劑係以使用乙稀三氯石夕烧、乙稀三 甲氧矽烷、乙烯三乙氧矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三 甲氧矽烷、3-環氧丙氧丙基三甲氧矽烷、3_環氧丙氧丙基 甲基二乙氧矽烧、3-環氧丙氧丙基三乙氧矽烷 '對笨乙烯 . 二甲氧矽烧、3-甲基丙烯醯氧丙基甲基二甲氧矽烷、3_甲 基丙烯醯氧丙基三曱氧矽烷、3-甲基丙烯醯氧丙基甲基二 赢乙氧矽烷、曱基丙烯醯氧丙基三乙氧矽烷、3-丙烯醯氧 丙基三甲氧矽烷、N-2(胺乙基)3-胺丙甲基二甲氧矽烷' N_2(胺乙基)3-胺丙基三曱氧矽烷、n-2(胺乙基)3-胺丙 基三乙氧矽烷、3-胺丙基三甲氧矽烷、3-胺基三乙氧矽烷、 - 3_三乙氧矽烷基-N-(l,3-二甲丁二基)丙胺、N-苯基-3- ·· 胺丙基三甲氧矽烷、N-(乙烯苯甲基)-2-胺乙基-3-胺丙基 三甲氧矽烷鹽酸鹽、3-脲丙基三乙氧矽烷、3-氣丙基三曱 氧矽烷、3-毓丙曱基二甲氧矽烷、3-酼丙基三甲氧矽烷、 雙(二乙氧梦院丙基)四硫化物、3 -異氣酸醋丙基三乙氧石夕 烷、四甲氧矽烷、四乙氧矽烷、甲基三甲氧矽烷、甲基三 乙氧矽烷、二曱基三乙氧矽烷、苯基三乙氧矽烷、六甲基 二矽烷基胺、己基三甲氧矽烷、癸基三甲氧矽烷之任一為 佳。其中從與基板之密著性的安定化之觀點,以使用可發 揮安定性能之曱基三甲氧矽烷、曱基三乙氧矽烷、二甲基 三乙氧矽烧等為佳。 在此所謂鈦耦合劑係以使用鈦酸四異丙酯、鈦酸四正 丁酯、鈦酸丁酯二聚物、鈦酸四(2-乙己基)酯、鈦酸四甲 2213-7665-PF 17 !377237 <· 酯、乙醯丙酮根鈦、四乙醯丙酮根鈦、乙基乙醯乙酸鈦、 辛燒二油酸欽、乳酸鈦、三乙醇胺鈦、多㈣硬脂酸鉢之 任-為佳。其中從與基板之密著性的安定化之觀點,以使 用可發揮安定性能之鈦酸四異丙酯、鈦酸四正丁酯、乳酸 鈦等為佳。 在此所謂錯耦合劑係以使用正丙醇锆、正丁醇錯、四 乙醯丙酮根锆、乙醢丙酮根錯、雙乙醯丙酮根鍅、乙醯丙 鲷根雙乙基丙酮根錯、乙酸錯、硬脂酸锆之任—為佳。其 中從與基板之密著性的安定化之觀點,以使用發揮安定性 能之正丙醇錯、正丁醇錯、四乙酿丙酮根錯、乙酿丙嗣根 锆、雙乙醯丙酮根鍅、乙基丙酮根鍅、乙醯丙酮根雙乙基 丙酮根鍅、乙酸锆為佳。 土 在此所謂鋁耦合劑係以使用異丙醇鋁、二級丁氧二異 丙醇鋁、二級丁醇紹、乙醇紹、乙基乙醯乙酸紹二異丙:: 參(乙基乙醯乙酸)鋁、烷基乙醯乙酸鋁二異丙醇、乙醯丙 酮根雙(乙基乙酿乙酸)紹、參(乙酿丙綱根)紹、異丙氧基 油氧基乙基乙醯丙酮根鋁、環狀氧化鋁合異丙醇、環狀^ 化鋁合辛醇、環狀氧化鋁硬脂酸酯之任一為佳。其中從與 基板之密著性的安定化之觀點,以使用可發揮安定性能2 乙基乙醯乙酸鋁二異丙醇、參(乙基乙醯乙酸)鋁烷基乙 醯乙酸鋁二異丙醇、乙醯丙酮根雙(乙基乙醯乙酸)鋁、參 (乙酿丙酿I根)紹為佳。
金屬粉或金屬氧化物粉:在此所謂金屬粉或金屬氧 化物粉係選自鎳粉、銀粉、金粉 '鉑粉、鋼粉、鈀粉、銦-2213-7665-PF 18 1377237 錫氧化物之一種或二種以上之混合粉。該金屬粉或金屬氧 化物粉之一次粒徑、粒度分佈等無特殊限制。此乃由於, 只要粉體特性相同,使用上述分散媒體組成物,即較之習 知導電性墨水呈示高基板密著性,及形成之導體膜的優良 膜密度,而導體電阻低。
•二而考慮其用於喷墨方式’則平均一次粒徑以5 〇 〇 以下為佳。平均一次粒徑超過5〇〇nm則導電性墨水極易堵 塞喷墨喷嘴,難以連續印刷。即使能印刷,仍因形成之配 線、電極膜過厚’不得所欲之微細配線。 又,隨形成之電路的精細化程度,適當選用恰當之一 -人粒径的微粒金屬粉或金屬氧化物粉即可。然而,從微粉 之概念,通常係選用自3nm~5〇〇nm之範圍,5nm 2〇〇nm較 佳,lOnm〜15Gnra更佳。微粉粉粒之平均一次粒徑未達3nm 時,目前其製法尚未破立,無法實驗印證。而平均一次粒 徑超過500邮則難以形成目標之寬度4〇“m以下之配線、 電極’且形成之配線、電極膜過厚而不合適。微粉粉粒之 平均-次粒#愈微細’引起喷墨喷嘴堵塞之可能性愈低, 適於微細電路之形成。本發明中,平均—次粒徑意指,以 掃描式電子顯微鏡觀察時,觀窣一葙 町规祭視野中之最低200個粉 粒的粒徑,經累計、平均求得之粒徑。 微粉之平均一次粒徑小即传料給 丨你儆粉,而雖係微粒,導電 性墨水中粉粒之相互凝集仍在進杆,占达 . 隹進仃成為二次構造體而粒 徑變大’仍易於引起喷墨喷嘴 ® Έ %者基因此,導電性墨水中 微粒金屬粉之二次構造體:凝隼 妖果杻需係不引起喷墨喷嘴堵
2213-7665-PF 19 1377237 塞以下之大小,以實驗確認,則凝集粒之最大粒徑若在〇· 8以m以下,即可大致切實防止喷墨喷嘴堵塞。又,該凝集 粒之確認係用雷射式粒度分佈測定裝置。 至於微粒之形態亦無特殊限制,粉粒形狀係球形片 粒狀、具有表面被覆層之粉粒全部包含在内。然而,本發 月有關之導電f生墨水,主要以用於電子材料之電路形成為 前提。因此,限於選自多用在電子材料用途之鎳粉銀粉、 金粉、翻粉、銅粉、㈣、銦-錫氧化物,其金屬粉之-次 粒控在50〇nm以下者。亦可考慮導電性墨水之歷時變化, 燒結特性等’❹以油酸、硬脂酸等作表面處理之金屬粉, 粉粒表面以特定氧化物附著之氧化物被覆粉等,可考慮導 電性墨水之要求特性選擇使用。 其中’本發明有關之導電性墨水想用鎳粉時,採用如 下之微粒鎳粉,可形成敏密且低電阻之膜,可得品質良好 :::。具體言之,極小之微粒鎳粉不以粉體而以漿體狀 〜保存即可確保粉體品質之長期保存。 以下=發明有關之導電性糊,使用平均-次粒徑1。-微粒鎳粉時,以鎳漿形態使用為佳。亦即使用,「含 一鎳漿其特徵在於··該錦漿僅由有機溶劑及一 -人粒在10 0nm以下之錄如接 用榭炉望士 鎳粒構成」。該鎳漿之特徵在於全不使 樹知專有機劑,僅由經加埶 構成。兮趙將了门 ”,、T^發之有機溶劑,及鎳粒 〜鎳漿不同於鎳膠體,具有靜 性質。因此,徒用錄仅六土+ τ合易沈降之 側不含不必要的樹脂成分等有機劑,錄粒表面無該有 保存者時,必㈣拌,因㈣之溶液 機劑
2213-7665-PF 20 1377237 之污染,用作鎳墨之原料時樹脂成分也易於調整。 而於此僅作鎳粒平均-次粒徑在1〇〇ηπι以下之記載, 向來該程度之微粒鎳粒難以製出欠缺量產性無法由市場供 給,即係含不可能由市場供給之微粒鎳粒。 ’、 平均一次粒徑超過100⑽之程度的錄纟,以習知製造 方法仍可某程度製造。相對於此,用在本發明之錄槳中的 鎳粒之平均-次粒徑,考慮製造上無法避免之一定變異 仍係1〇〇nm以下之值。採用最適製造條件,可得1QH 範圍之微細錦粒,可提供高品質之錄浆。如上,並非全無 未達l〇nm之鎳粒存在,而會在某程度的卫程變異範圍内產 生。然而,未達l〇nm之鎳粒只是用電場放射型掃描式電子 顯微鏡(FE-SEM)亦難以辨識,嚴密測定平均一次粒徑仍 難得可見變異之統計資料而予除夕卜因此,為觀察含於本 發明有關之鏤漿令的錄粒,以用能作數十萬倍以上之觀察 =穿透型電子顯微鏡程度之倍率的裝置觀察為佳。在此所 謂錦漿若網後將用於導電性墨水之製造,錄粒之平均一次 粒徑愈小’愈容易形成微細電路、電極等。因此,錄^ 以微細又有良好粒度分佈為佳。 金屬粉粒之一般性質係,愈丨微細化,有時粒子間傾 向易起疑似連結而凝集。因此,本發明有關之錦漿中鎳 粒之平均-次粒徑不論多細’若粒子間牢固凝集構成二次 粒子’即無法用作形成如上之微細電路等〜錦墨。因而係
使用’作為推量粒子粒度分佈良好與否之指標的 標準差。 2213-7665-PF 21 2月上述鎳粒之—次粒徑標準L含於本發明有關 2錦漿中的軸,因平均—次粒徑在奈米層級而極細其 製造階段難作嚴格的粒徑控制,肖目標之平均—次粒徑而 有粒徑變異不同之特性,,本發明人等想到上述鎳粒 之-次粒徑標準糾,並非單係數值之標準差而係以平 均一次粒徑為基準,以[平均—次粒徑(nm)]/25以下用作 粒子分散性良好之指#。標準差超過[平肖一次粒徑 (nm)]/2. 5則以穿透電子顯微鏡觀察時之一次粒子的變異 目視感覺大,終難謂之係'粒度分佈尖銳之錦粒。而這些锦 粒之平均-次粒徑係由穿透式電子顯微鏡相片觀察,得粒 以佈更算出標準差,比對[平均_次粒徑(⑽)]/2· 5判斷 粒子分伟之精度。 而粒徑在ηηι層級之鎳粒,欲以通常之雷射繞射粒度分 析法測定,不能用一般裝置,必須使用能測定超微粒之動 態光散射式(都卜勒散射光分析)裝置。因而本發明人等試 用了能測定0. 0032 // m〜6. 5406 a m之粒度分佈的日機裝 (股)製UPA150。而以該裝置設定之資料,因偵測器之特性 大多呈示2個尖峰,其原因不明。因此,雖不特別考慮該 現象仍可求出粒度分佈之標準差,但不可謂佳。 因而本發明人等想到,以標準差掌握平均一次粒徑在 nm層級之鎳粒粒徑變異時,自穿透式電子顯微鏡之觀察相 片(含鎳粒25個〜60個之觀察相片),直接測定一次粒徑, 據以計算導出標準差,可得高度可靠之數值。以該方法, 本發明有關之鎳漿中的鎳粒粒度分佈標準差之值約在[平 2213-7665-PF 22 1377237 均一次粒徑㈤⑽(κ平均—次粒徑(nm)]/2 5之範圍。 右係該程度之變異,則可謂能充分供用於形成微細電 之導電性墨水。 亦可採用變動係數作為粒子分散性指標。變動係數cy 值二平均一次粒徑D與粒度分佈標準差sd之關係式 ^刚表示,該cv值愈小,粉粒粒徑愈整冑意味著 二=。在此平均一次粒徑係由穿透式電子顯微鏡之觀 察相片(含錄粒25個〜60個之觀察相片)直接測定之-次粒 太發::鎳漿中鎳粒含量以15重量"2重量%為佳。使用 ^月 職製造鎳㈣,於其中添加種種有機劑等 ::黏結劑、黏度調整劑等。因此,從錄墨所必須的鎳粒 3量之觀點,上述範圍之含量即較佳。 用於該錦漿之有機溶劑只要不引起鎳粉粒子表面之氧 化等化學變質即無特殊限制。 0赌 斤_ J用之有機溶劑有例如,萜 :二:醇等"稀類,辛醇、癸醇等醇類等。上述 有機浴劑可以1種或2種以上混合使用。 兹說明上述鎳聚的製造方法。錄漿之較佳製造方法传 將含鎳鹽、多元醇及貴 我圪万沄係 声,mb , 媒之反應液加熱至反應溫 :機度使該反應液中之鎳離子還原,其次以 有機-劑取代的録漿之製造方法,其特徵在 應液添加胺基酸。 、id , …、特殊限制,有例如氫氧化^、Μ 錄、氣化錄、漠化錄、乙酸錦等。其中氫氧化錦因不含在
2213-7665-PF 23 製成鎳墨時造成不良影響之硫、鹵紊等元素而尤佳。 這些鎳鹽在該反應液中鎳濃度係以lg/P1〇〇g/l為 佳。濃度未it u/1 m不得工業上所需之生產效率超過 100g/l則還原析出之鎳粒凝集,粒徑傾向變大不得平均 一次粒徑5 0 nm以下之鎳粒。 用於該鎳漿之製造的多元醇指具有烴類及複數之羥基 的物質。該多元醇有選自例如,乙二醇(沸點i97它)、二 甘醇(沸點245°C )、三甘醇(沸點278°C )、四甘醇(沸點327 C)、1,2-丙二醇(沸點188。〇、二丙二醇(沸點232它)、 1,2-丁二醇(沸點 193。〇、1,3-丁二醇(沸點 2〇8。〇、u 4-丁二醇(沸點 235t: )、2, 3-丁二醇(沸點 177t )、丨,5_ 戊二醇(沸點239。〇及聚乙二醇之群的至少j種。其中乙 二醇因沸點低’常溫下為液態,取用性優良而較佳。在此 多元醇具有鎳鹽之還原劑的作用,及作為溶劑之功能。 這些多元醇於該反應液中之濃度取決於鎳濃度。因 此,上述鎳濃度範圍之前提下,反應液中多_濃度係以 相對於錄11當量〜11GG當量為佳。未達11當量之濃度, 則鎳濃度同,析出之粒子易起凝集。考慮上述鎳濃度之上 限考慮還原析出之錄粒表面的有機化合物層之形成若 超過110 0 w量濃S,則反應時間稍長有機化合物層即過 厚,成為加工鎳墨形成電路等時電阻上升之原因。 用於該錦製之製造的貴金屬觸媒係為於上述反應液中 促進多it醇所致之錄鹽的還原反應,有例如氣化把、硝酸 鈀乙馱鈀、氣化銨鈀等鈀化合物,硝酸銀、乳酸銀、氧
2213-7665-PF 1377237 化銀、硫酸銀、環己酸銀、乙酸銀等銀化合物,氣鉑酸、 氣鉑酸鉀 '氯鉑酸鈉等鉑化合物及氣金酸、氯金酸鈉等金 化合物等。其中硝酸鈀、乙酸鈀、硝酸銀或乙酸銀因易得 高純度鎳粉,且製造成本低而較佳。上述觸媒只要上述化 合物安定,可直接以其形態或該化合物之溶液形態使用。
這些貴金屬觸媒在該反應液中之濃度,決定鎳粒之還 原析出速度。因此必須能得’製造如上之平均一次粒徑 lOOnm以下的鎳粒時之最適還原速度。因此,反應液中貴 金屬觸媒濃度以〇. 01 mg/1〜0 5mg/1為佳。貴金屬觸媒濃度 未達0. 01 mg/1則還原速度慢’鎳粒粗大,不適於工業上 之操作條件。貴金屬觸媒濃度超過〇· 5 mg/1則還原速度 快,所得鎳粒粒徑變異大’且多有超過1〇〇 nm之粗粒產生。 上述含鎳鹽、多元醇及貴金屬觸媒之反應液可例如於 水投入鎳鹽、多元醇及貴金屬觸媒,攪拌混合而調製,又, 貴金屬觸媒係如硝酸鈀以水溶液存在時,僅以鎳鹽、多元 醇及貝金屬觸媒不加水混合即可調製。混合鎳鹽、多元醇 及貴金屬觸媒調製反應液之際,添加順序、混合方法無特 殊限制。例如,將鎳鹽、多元醇及貴金屬觸媒,以至於必 要時的後敘之分散劑預先混合調製漿體,混合該漿體及其 餘多元醇,亦可製作反應液。 該鎳漿之製造係於上述反應液添加胺基酸。如此之於 反應液添加胺基酸,可使鎳粒之一次粒徑小,且分散性良 好。上述胺基酸係用沸點或分解點在反應溫度以上,且鎳 及貴金屬觸媒於多元醇中形成錯合物者,具體言之以用
2213-7665-PF 25 1377237 精胺酸及/或L-胱胺酸為佳。胺基酸之添加量係以相對於 反應液中之鎳〇.〇1重量%〜20重量%為佳。胺基酸之添加量 未達0.01重量%則不得上述效果’㈣20 4量%則添加亦 不得進一步之效果,於經濟上不利。 上述反應液必要時含一定量之分散劑,所得鎳粒即更 微細,防止還原析出之粒子的互相凝集,可使粒度分佈更 尖銳》因此,該分散劑僅於反應過程必要,製品鎳漿中不 必要,以使之不含於鎳漿中為佳。用於本發明之分散劑有 例如,聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯亞胺、聚丙烯醯胺、聚(2_ 甲-2-聘唑啉)等含氮有機化合物,及聚乙烯醇等。其中, 聚乙烯吡咯烷酮因易使所得鎳粒之粒度分佈尖銳而較佳。 上述分散劑可以1種或2種以上組合使用。含分散劑時, 添加量隨分散劑種類而異,以反應液中之鎳量為準,一般 係鎳量的1重量%〜20重量%,!重量%~12重量%更佳。分散 劑未達1重量%時,無法發揮分散劑之添加效果,即鎳漿中 鎳粒粒度分佈之改善。而添加分散劑至超過2〇重量%,則 含分散劑之效果無進一步變化,反而鎳粒受到分散劑有機 劑之污染更加嚴重》 該鎳漿之製造係將上述反應液加熱至上述還原溫度, 保持該還原溫度,一面使該反應液中之鎳鹽還原,製造鎳 粒。 茲說明進行還原反應之溫度。反應溫度係以15〇〇c〜21〇 c為佳,150°c〜200°C更佳。雖稱作反應溫度,本發明中係 指反應液之液溫。上述反應液組成之範圍内,反應溫度未
2213-7665-PF 26 1377237 達15(TC時,還原反應速度慢,操作條件無法為工業採用。 反應溫度超過21(TC則還原反應得之產物含碳容易成為 碳化鎳粒而不佳。 保持反應液於上述還原溫度之恰當時間,隨反應液之 組成、還原溫度而異’通常係!小時~2〇小時,2小時〜15 小時更佳β保持反應液於上述還原溫度之時間在該範圍 内,則鎳粒核之成長受抑,並成為鎳粒核易於多數產生之 裱境,系内鎳粒之粒子成長約略均勻,可抑制所得鎳粒之 粗大化、凝集。因此,本發明中於上述還原溫度僅保持上 比時間嗣後可使反應液之溫度在上述還原溫度範圍外。 例如為提升還原反應速度,亦可使反應液之溫度超過上 述還原溫度。 其次,已得鎳粒之反應液,以有機溶劑取代成鎳漿。 用於此之有機溶劑如上述有例如萜品醇、二氫萜品醇等萜 烯類,辛醇、癸醇等醇等。上述有機溶劑可以丨種或2種 以上混合使用。 、導電性墨水之黏度:本發明為使藉喷墨法、點膠機 法之電路形成等更加容易,導電性墨水於25<>c之黏度係使 之在60cP以下。本發明中之黏度調整係經上述溶劑分散 劑、氧化物被覆金屬粉之最適配合而達成。黏度之下限值 不特加記載,因各金屬之導電性墨水用於形成電路之處所 及目的不同,所欲之配線、電極大小及形狀不同。251之 黏度超過60cP時,要利用喷墨法、點膠機法形成微細配 線電極時,因導電性墨水之黏度高於自喷嘴吐出導電性
2213-7665-PF 27 ^/7237 墨水之能量’難以安定地自喷嘴吐出導電性墨水之液滴。 25X:之黏度在60cP以下時,實驗知以喷墨法、點膠機法可 形成微細之配線、電極。 〈本發明之導電性墨水的製造方法〉 上述導電性墨水之製造方法無特殊限制,不論採用任 何方法’只要最终能成為至少含金屬#、主溶劑膜密度 提升劑’並適當含分散助劑、表面張力提升劑密著性提 升劑即可。然而,至於分散助劑之使用,係以將金屬粉分 散於主溶劑成母漿,於該階段添加分散助劑,以下依任意 順序適當添加表面張力提升劑及/或密著性提升劑即可。 實施例1 本實施例係依以下順序調製導電性墨水,使用該導電 性墨水形成電極膜,觀察導體電阻、密著性及電極膜剖面 狀態。 〈鎳粒之製造〉
於注入反應容器之乙二醇445. 28g中,攪拌氫氧化鎳 31.31g、聚乙烯„比咯烷酮(pvp) 2 15g、1〇〇g/1之硝酸鈀 溶液0. 69ml及L-精胺酸1· 〇g 一面於i9〇°c加熱1〇小時, 得平均一次粒徑37· 86nm的鎳粒。該反應液以乙二醇傾 析’洗淨去除反應液中之pvp,將之以萜品醇傾析2次, 製造鎳粉含量80重量% ’其餘為萜品醇之鎳漿。 上述鎳漿中50個鎳粒之一次粒徑(平均、標準差、最 大值、最小值)以穿透式電子顯微鏡觀察,結果如表以 FE-SEM觀察之相片如第1圖(χ1〇〇〇〇〇)。但知FE 一 SEM層級
2213-7665-PF 28 1377237 之解析度仍無法充分觀察粒子。因而帛2圖示穿透式 顯微鏡之觀察相片。由㈣2圖可清晰觀察鎳粒的樣子。 以下之實施例亦以所得之同鎳漿用作原料。 〈導電性墨水之製造〉 分散助劑之調製:於容量1L之燒杯加二乙醇胺(和 光純藥工業(股)製)_、44%聚丙稀酸録溶液(和光純藥 工業(股)製)45. 6g、15%氫氧化四甲銨溶液(和光純藥工業 (股)製)13. 4g ’以磁攪拌子攪拌調製分散助劑。 金屬粉漿之調製:上述鎳粒之製造得之鎳漿3L以離 心分離機作液分離去除上澄液。其次為去除所得固體成 分含之用於反應的有機物等,加入與去除所得固體成分後 之上澄液等量的純水,仔細混合後以離心分離機回收固體 成分,如此操作3次》於所得固體成分加純水至鎳濃度為 21wt%,仔細混合成水性鎳漿。於該水性鎳漿262仏添加 上述分散助劑14. 8g。其次,該漿體以高速乳化分散機τ K· FILMIX (待殊機化工業(股)製)作分散化處理,得鎳粒 經分散之鎳漿。 / 導電性墨水之調製:其次,上述鎳漿以氧化鉛珠 (NIKKATO(股)製,0 )為解碎媒體,以搖漆機(淺田鐵 鋼(股)製)作30分鐘之解碎處理。繼之添加表面張力調整 劑2-正丁氧乙醇(關東化學(股)製,表面張力28.2mN/m) 19.7g及密著性提升劑乳酸鈦(松本純藥(股)製tC_315) 13. 8g’以搖漆機(淺田鐵鋼(股)製)作3〇分鐘之混合處理。 然後更添加膜密度提升劑鎢酸(和光純藥工業(股)製)
2213-7665-PF 29 1377237 1. 89g’以搖漆機(淺田鐵鋼(股)製)作3〇分鐘之粉碎處 理。其次,將該漿體所含以上之粒子以於筒式 (ADVANTEC東洋(股)製MCP-3)通液去除,更將1ym以上之 粒子以筒式濾器(ADVANTEC東洋(股)製Mcp_HX)過濾,得濾 液(下稱「導電性墨水A」)。 〈作為導電性墨水之評估> 膜電阻之測定:將上述導電性墨水A用旋塗機 (MIKASA公司製)以2500rpm,1〇秒之條件成膜於無鹼玻璃 基板〇A-1〇(曰本電氣硝子(股)製)上。其次於氫含量2 容量%之氫-氮混合氛圍下以300t加熱處理2小時得臈 厚約50〇ηπι之銻電極膜。該電極膜以四探針電阻測定機 RORESTEIT GP(三菱化學(股)製)測定之電 3. 2xl〇-4Q . CIn β 卞砀
與玻璃基板之密著性依JIS 56〇ι 畨者性之評估
章節5-6以又割法評估為分類〇,密著性良好。如上製十 之電極膜於水中超音波洗淨1G分鐘,繼之於丙財超音克 洗淨1〇分鐘後,以顯微鏡觀察’此時無電極膜制離之觀y 電極膜剖面狀態之觀察:如上調製之電極膜剖面、 掃描式電子顯微鏡(FEIC0MPANY製fe_sem)觀察 @ 3圖之緻密膜。 # [實施例2] 〈導電性墨水之製造> 本實施例除添加之膜密度提升劑為檸檬酸錄以外 如同實施们之方法製作導電性墨水B。為免重複記載,
2213-7665-PF 30 1377237 製程說明於此省略β 〈作為導電性墨水之評估〉 膜電阻之測定··脾μ、+•後雨 膜犀 .述導電性墨水B如同實施例1得 膜厚約500 nm之舞雷搞时 _ RORESTER m 該電極膜以四探針電阻測定機 2.5Χ10-Ω .cm〇 )製)測-之電阻率為
一密著性之㈣:與玻璃基板之密著性依m K 5600 早郎5-6以叉割法評估為分類0,密著性良好。如上製作 之電極膜於水中超音波洗淨1〇分鐘,繼之於丙綱中超音波 洗淨10分鐘後,以顯微鏡觀察,此時無電極膜剝離之觀察。 電極膜剖面狀態之觀察:如上調製之電極膜剖面以 掃描式電子顯微鏡(FEI C0MPANYt FE_SEM)觀察,係如 第4圖之緻密膜。 [實施例3] 〈導電性墨水之製造〉 本實施例除添加之膜密度提升劑為乙酸鋼以外,依如 同實施例1之方法製作導電性墨水c❶為免重複記載,製 程說明於此省略。 〈作為導電性墨水之評估〉 膜電阻之測定:將上述導電性墨水c如同實施例1得 膜厚約500nm之鎳電極膜。該電極膜以四探針電阻測定機 RORESTER GP(三菱化學(股)製)測定之電阻率為5 g2x 10-4Ω · cm 〇 密著性之評估:與玻璃基板之密著性依JIS κ 56〇〇 2213-7665-PF 31 ^/7237 章節5-6以又割法評估為分類〇,密著性良好。如上製作 之電極膜於水中超音波洗淨10分鐘,繼之於丙酮中超音波 洗淨10分鐘後,以顯微鏡觀察,此時無電極膜剥離之觀察。 電極膜剖面狀態之觀察:如上調製之電極膜剖面以 掃描式(FEI COMPANY製FE-SEM)觀察,係如第5圖之緻 [實施例4]
〈導電性墨水之製造〉 本實施例除添加之膜密度提升劑為鉬酸以外,依如同 實施例1之方法製作導電性墨水D。為免重複記載製程 說明於此省略。 〈作為導電性墨水之評估〉 膜電阻之測定:將上述導電性墨水D如同實施例丨得 膜厚約500⑽之鎳電極膜。該電極臈以四探針電阻測定機 RORESTER GP(三菱化學(股)製)測定之電阻率為5 28χΐ〇_4 Ω · cm ° 密著性之評估:與玻璃基板之密著性依JIS K 5600 章節5-6以叉割法評估為分類〇,密著性良好。如上製作 之電極膜於水中超音波洗淨1〇分鐘,繼之於丙酮中超音波 洗淨10分鐘後,以顯微鏡觀察,此時無電極膜剝離之觀察。 電極膜剖面狀態之觀察:如上調製之電極膜剖面以 掃描式電子顯微鏡(FEI COMPANY製FE-SEM)觀察,係如 第6圖之緻密膜。 [比較例]
2213-7665-PF 32 1377237 〈導電性墨水之製造〉 本比較例除添加之膜密度提升劑予以省略之外,依如 同實施例!之方法製作用以與上述實施例比對之導電性墨 水G。為免重複記載,製程說明於此省略。 〈作為導電性墨水之評估〉 膜電阻之測定:將上^£專雷,祕$ r, 肘上述導電性墨水G如同實施例}得
膜厚約5GGnm之錦電極膜。該電極膜以四探針電阻測定機 R〇RESTER GP(三菱化學(股)製)測定之電阻率4 4.10X10-3 Ω · cm 〇 立—密著性之評估:與玻璃基板之密著性依Jis κ 56〇〇 早節5 6以又割法評估為分類〇,密著性良好。如上製作 之電極膜於水中超音波洗淨1〇分鐘,繼之於丙酮中超音波 洗淨10分鐘後,以顯微鏡觀察,此時無電極膜剝離之觀察。
電極膜剖面狀態之觀察:如上調製之電極膜狀態以 掃描式電子顯微鏡(FEI COMPANY製FE-SEM)觀察,由第 7圖之平面觀察相片(用以與第卜3圖比對)、第8圖之刳 面觀察相片(用以與第4圖比對)知不得充填性良好之膜。 〈實施例與比較例之比對> 比對比較例與上述各實施例,則各實施例之膜電阻測 定值為1〇-4層級,而比較例為1〇-3層級。因此知,含金屬 鹽作為膜密度提升劑者,與不含膜密度提升劑之比較例相 比’使用其導電性墨水形成之電極膜的導體電阻低。 又’電極膜表面或剖面之狀態觀察,如電極膜之導體 電阻差異所佐證,由掃描式電子顯微鏡可知,比較例之電
2213-7665-PF 33 1377237 極臈與各實施例之電極膜相比,膜内確認有皸裂,欠缺充 填性,可知並非緻密膜’導電性墨水中膜密度提升劑之功 能視覺可見。 產業上可利性 本發明之導電性墨水,因使用該導電性墨水形成之導 •體膜密度提升,可形成低電阻導體,能形成低耗電之電路。 又,其導體與各種基板之密著性優良。因此,若使含於本 發明之導電性墨水的金屬粉之粉體特性,為微粒且分散性 _ I良者,即適於使用噴墨方式、點膠機方式,在基板上形 成配線、電極之用途等。 又,本發明之導電性墨水藉密著性提升劑等添加劑之 .適當使用,可調整與各種基板之密著性,且係可形成微細 配線、電極之導電性金屬墨水。例如,可於玻璃基板上形 成電路,可於用銀或銅形成之電路,或使用IT〇之透明電 極等之上形成配線、電極、保護電路、保護被膜等。因此, 於液晶顯示器等之製程有用。 【圖式簡單說】 第1圖係用於本發明之導電性墨水(錦墨)的錄浆所含 之微粒鎳粉的電場放射型掃描式電子顯微鏡相片。 第2圖係用於本發明之導電性墨水(鎳墨)的鎳漿所含 之微粒鎳粉的穿透式電子顯微鏡相片。
第3圖係實施例!之電極膜剖面的掃描式電子顯微鏡 相片。 2213-7665-PF 34 1377237 j 第4圖係實施例2之電極犋剖 相片。 ' ° 第5圖係實施例3之電極膜剖 相片。 第6圖係實施例4之電極膜剖 相片。 第7圖係比較例1之電極膜剖 相片。
的掃描式電子 的掃指式電子顯微鏡 的掃插式電子顯微鏡 掃描式電子顯微鏡 的掃描式電子顯微鏡 第8圖係比較例2之電極膜剖 相片。 【主要元件符號說明】 * ««\
2213-7665-PF 35

Claims (1)

137723,7 r 第 094146506 號 十、申請專利範圍: 一—」 1. 一種導電性墨水,為於分散媒體分散有鎳粉的導電 性墨水, I 其特徵在於: 上述分散媒體中,作為用以提升使用該導電性墨水所 形成之導體的膜密度之膜密度提升劑,包含選自含有Ti、 金屬鹽或金屬氧化物之1種或2種以上。 2. 如申請專利範圍第丨項所述的導電性墨水,其中上 迷膜密度提升劑包含選自鶴酸、檸檬酸鎮'乙酸銅及翻酸 之1種或2種以上。 3. 如申請專利範圍第i項所述的導電性墨水,其中構 成上述分散媒體之主溶劑係選自常壓滞點30(rc以下之 水、醇類、二醇類、飽和烴類之群的丄種或2種 合物。 4·如申印專利圍第i項所述的導電性墨水,其中上 述分散媒體含分散助劑。 5.如申請專利範圍第4項所述料電性墨水, 散助劑係選自⑷聚丙稀酸、其醋或其鹽,⑻有機基: 虱氧化心及⑷―基之胺化合物的(a)*)之群的戈 或2種以上之混合物。 種 、6.如巾請專利範圍第丨項所述的導電性墨水, 述分散媒體係用表面張力調整 ,r ⑷將表面張力調致於 15mN/m〜50mN/m之範圍。 於 2213-7665-PF1 36 I3712i7 第094146506號 101年8月7日修正替換頁 7.如申請專利範㈣6項所述的導電性墨水,复 述表面張力調整劑係選自常㈣點為_。㈠帆 一醇之群的1種或2種以上之組合物。 、 .8.如申請專利範圍第】項所述的導電性墨水 述分散媒體含作為密著性提升劑的選自 "上 ^展*輕合劑、A 合劑、鍅耦合劑、鋁耦合劑之群的丨 軚耦 卞至故Z種以上。 9.如申請專利範圍第1項所述的導電性 述鎳粉使用平均—次粒徑在1 OOnm以下者。 其中上 10·如中請專利範圍第9項所述的導 述鎳粉為平均-次粒徑在l〇,7〇nm的鎳粒:'”其中上 U.如申請專利範圍第i項所述的 25它之黏度在60cP以下。 〖生墨水,其中
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第2匱 1377237
第4匱 1377237
1377237
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