JPH0537126A - 金属酸化物を用いた配線基板および情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 光もしくは熱の局所的な作用を利用した電子
部品であって、小型軽量化された装置によって配線パタ
ーンが簡便に形成可能な配線基板、および記録層の成分
組成制御が容易で安定な特性を有する情報記録媒体を提
供する。 【構成】 支持基体と、この支持基体面上に設けられた
金属酸化物を主成分とする層とからなり、前記金属酸化
物を主成分とする層の表面には、光もしくは熱の局所的
な作用により選択的に還元されて析出した還元金属領域
が形成されていることを特徴とする。金属酸化物層を、
この金属酸化物の酸素原子と反応して酸化物を生成する
還元性物質に接触させるとともに、前記金属酸化物層の
所望の箇所に光もしくは熱を局所的に作用させることに
より、前記金属酸化物層と前記還元性物質との界面にお
いて金属酸化物を還元し金属を析出させる。析出した還
元金属領域を配線パターンとして利用することにより配
線基板が、情報記録パターンとして利用することにより
情報記録媒体が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、金属酸化物に対する光
もしくは熱の局所的な作用を利用して形成される配線基
板および情報記録媒体のような電子部品に関する。

【０００２】

【従来の技術】レーザ光などのエネルギービームを用い
て光もしくは熱を局所的に作用させる方法により形成さ
れる電子部品としては、たとえば半導体素子やチップ部
品などの搭載、実装に適した集積回路用配線基板があげ
られる。これは、金属薄膜で被覆した絶縁基板表面にエ
ネルギービームを用いて光もしくは熱を局所的に作用さ
せ、金属薄膜の不要部分を融解、蒸発させて取り除くこ
とにより、パターンを直接形成する（描画ともいう）し
て製造される。

【０００３】このようなエネルギービームを用いて金属
薄膜のパターンを形成する方法は、ビームのスポット径
を波長レベルにまで小さくすることが可能であるため、
エッチングレジストを用いて金属薄膜を蝕刻除去して金
属薄膜のパターンを形成するなどの他の方法に比べて、
微細な配線パターン形成に適している。しかしながら通
常の金属は赤外領域に吸収がないため、この方法におい
ては、エキシマレーザのような紫外線領域のレーザ光、
あるいは電子ビームなど、いずれも高いパワーのエネル
ギービームを使用して金属を融解、蒸発させている。

【０００４】一方、光もしくは熱の局所的な作用に係わ
る電子部品の他の例として、基体上に金属酸化物を主成
分とする薄膜を設けて情報記録層とし、この薄膜に光も
しくは熱を局所的に作用させてパターンを形成して情報
を記録するようにした情報記録媒体が知られている。具
体的には、たとえば酸化テルルTeＯ_x （０＜x ＜２）を
主成分とし添加物としてSnを使用した記録膜（特開昭６
１−２８３０４４）などである。この記録膜は、酸化テ
ルルTeＯ_x のような金属酸化物に光もしくは熱を局所的
に作用させることにより引き起こされる相変化を、その
記録原理としている。そして、添加物としてのSnは単体
として薄膜中に含まれることにより、主として記録膜の
光吸収および熱的性質の制御を行う役割を果たしてい
る。

【０００５】このような記録膜を形成する方法として
は、たとえばTeの蒸発源とTeＯ₂ の蒸発源、およびSnの
蒸発源を用いてこれらを基板に同時に蒸着させることが
行われている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た光もしくは熱の局所的な作用を利用して形成される電
子部品は、次のような難点を有していた。

【０００７】前者のエネルギービームを用いて金属薄膜
を取り除きパターンを直接描画する従来の印刷配線板の
製造においては、高パワーのエネルギービームを用いる
ため装置の小型軽量化が困難であり、とくに電子ビーム
を用いた場合では真空槽が必要なため装置が一層大型化
されていた。

【０００８】さらに、融解、蒸発された金属の一部が基
板表面へ再付着するという難点があった。このような再
付着を防止するため、これまでにもたとえば特公平２−
３７６９６などのように種々の措置が提案されており、
一部で良好な結果が得られている。

【０００９】また、高いパワーのエネルギービームを使
用するため、耐熱性に劣る樹脂基板は用いることができ
ないという欠点もあった。

【００１０】一方、後者の情報記録膜の製造において
は、成膜の際にSnが単体で導入されると同時に、SnがTe
Ｏ₂ を還元してTeを発生させ、かつ、Sn自身は酸化され
てSnＯ、あるいはSnＯ₂ になるという反応がおこってい
る。その結果得られる記録膜は、Te、TeＯ₂ 、SnＯ、あ
るいはSnＯ₂、および微量のSnとから構成されることに
なる。このような多成分からなる構成中、所望の酸化テ
ルルが得られるように成分制御することは難しく、安定
した特性を有する記録膜を再現性よく製造することは困
難であった。

【００１１】本発明はこのような従来の光もしくは熱の
局所的な作用に係わる電子部品の難点を解消すべく成さ
れたものであり、配線基板にあっては、比較的低いパワ
ーの光もしくは熱の局所的な作用を利用し小型軽量化さ
れた装置により、充分配線抵抗の低い所望の配線パター
ンが簡単に得られる配線基板を提供することをその目的
とする。また、記録媒体にあっては、膜形成時に副反応
を生じるおそれのない、製造が容易で安定な特性を有す
る記録媒体を提供することをその目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の配線基板および
情報記録媒体は、支持基体と、この支持基体面上に設け
られた金属酸化物を主成分とする層とからなり、前記金
属酸化物を主成分とする層の表面には、光もしくは熱の
局所的な作用により選択的に還元されて析出した還元金
属領域からなる配線パターンあるいは情報記録パターン
が形成されていることを特徴とする。

【００１３】本発明の電子部品を製造するにあたって
は、基体上に設けた金属酸化物を主成分とする層（以下
金属酸化物層という）を、この金属酸化物の酸素原子と
反応して酸化物を生成する還元性物質に接触させるとと
もに、前記金属酸化物層の所望の箇所に光もしくは熱を
局所的に作用させることにより、前記金属酸化物層と前
記還元性物質との界面において金属酸化物を還元し金属
を析出させて還元金属領域を形成させる。

【００１４】本発明の構成では、金属酸化物や還元性物
質の粒径を適宜選択することにより、還元反応の起きる
臨界温度を制御することが可能である。たとえば、大気
中で還元反応が起きる臨界温度を500 ℃以下に下げるこ
とも容易である。したがって、比較的低いパワーの光も
しくは熱の作用により金属を析出させることが可能であ
る。

【００１５】本発明の配線基板においては、金属酸化物
層に還元性物質を添加した構成としてもよく、あるいは
金属酸化物層と還元性物質を主成分とした層（以下、還
元性物質層という）とを積層させた構成でもよい。この
とき、金属酸化物層と還元性物質層とを同一基体上に形
成する必要はなく、金属酸化物層を形成した基体と、還
元性物質層を形成した基体とを別個に用意しておき、描
画を行う時にのみこれらの層が積層するようにした構成
であってもよい。後者の場合には、高温使用時における
配線基板の信頼性が一層向上される。また、還元性物質
層を基体に形成することをせずに、金属酸化物層のみを
形成した基体を用意し、描画を行う時にたとえば水素ガ
スのような還元雰囲気のガスを金属酸化物層の表面に接
触させて還元反応を起こさせるようにした構成であって
もよい。

【００１６】同様に、本発明に係わる情報記録媒体にお
いては、たとえばカーボンなどの還元性物質からなる層
を、たとえば酸化銅のような金属酸化物を主成分とした
情報記録層とともに同一基体上に積層させた構成として
もよく、あるいは情報記録層と還元性物質からなる層を
それぞれ別個に形成した２枚の基体を記録時のみ積層す
るようにした構成であってもよい。後者の場合には情報
記録層の一層の安定が図られる。また、還元性物質層を
基体に形成することをせず、情報記録層のみを形成した
基体を用意し、記録時にたとえば水素ガスのような還元
雰囲気のガスを情報記録層の表面に接触させて還元反応
を起こさせるようにした構成であってもよい。

【００１７】本発明において、金属酸化物層の主成分と
なる金属酸化物としては、たとえば酸化銅、酸化ニッケ
ル、酸化鉄、酸化コバルト、酸化モリブデン、酸化イン
ジウム、酸化スズ、酸化鉛、あるいは酸化アンチモンな
どが使用可能である。

【００１８】なお、金属酸化物層および還元性物質層を
その上に形成する基体として、たとえばポリカーボネー
ト樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテルエーテルケト
ン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、あ
るいはポリフェニレンサルファイド樹脂などの樹脂基
板、さらにはガラス基板、シリコンウェハー、セラミッ
ク基板などが使用可能である。

【００１９】さらに、本発明の電子部品を製造する場合
には、比較的低いパワーの光もしくは熱の作用により金
属を析出させることが可能なため、下地基板としてロー
ル状に巻き取った樹脂フィルムを用いることもできる。
したがって、配線基板の場合には、金属酸化物や還元性
物質の成膜、および描画の工程を連続で行うことも可能
である。この場合には、任意の配線パターンを微細に形
成した配線基板を高速かつ簡便に製造しうるため、製品
を廉価で供給することが可能となる。

【００２０】また、形成した配線パターン面上に、必要
に応じて無電解メッキ法などの方法で選択的に金属を堆
積させてより低い配線抵抗をもった配線基板を製造する
ことも可能である。この場合には、無電解銅メッキ法以
外の無電解メッキ法であってもよく、さらには配線パタ
ーンに対するリードの取り付け方法などを適宜工夫する
ことにより、電気メッキ法なども適用可能である。

【００２１】また、本発明に係わる情報記録媒体におい
ては、光もしくは熱の局所的な作用により形成した情報
パターン面上に、無電解メッキ等の方法で選択的に金属
を体積させ凹凸をつけることにより、これを情報記録媒
体のスタンパとして利用することも可能である。

【００２２】なお、本発明においては、局所的な作用を
有する光源として、たとえば集光したレーザ光などを用
いることが好ましい。なかでも、特に記録装置の小型軽
量化が達成できる半導体レーザがより好ましい。また、
局所的な作用を有する熱源として、たとえば電気信号の
入力により発熱する発熱抵抗体を有した転写ヘッドなど
も使用可能である。

【００２３】

【作用】本発明においては、金属酸化物と、この金属酸
化物を還元する還元性物質とを組み合わせ、光もしくは
熱を局所的に作用させて金属を析出させている。一般に
金属酸化物の金属への還元反応においては、還元されて
析出した金属部分と未還元部分との間に、たとえば電気
抵抗や光学定数の明確で大幅な変化が生じる。析出金属
部分は未還元の金属酸化物部分よりも、配線パターンと
して使用可能な程度に十分電気抵抗が低い。また、析出
金属部分は未還元金属酸化物部分よりも光学定数、特に
反射率が高くなっており、その差は情報記録再生の原理
として使用可能な程度に十分大きく、副反応のおそれも
なく成分制御も容易である。

【００２４】金属酸化物や還元性物質の粒径の選択によ
って還元反応の起きる臨界温度が制御されるので、比較
的低いパワーの光もしくは熱の局所的な作用により所望
の配線パターン形成あるいは情報パターン形成（情報記
録）が可能になる。

【００２５】さらに、従来技術の情報記録膜におけるSn
などの金属は、記録膜の光吸収および熱的性質の制御の
目的で金属酸化物に添加されるため記録膜中に分散され
ている必要があるのに対して、本発明における還元性物
質は金属酸化物を還元する目的で使用されるため、情報
記録時に金属酸化物表面と接触した状態にあれば充分有
効である。したがって還元性物質が記録膜中に分散され
ている必要はない。

【００２６】

【実施例】以下本発明の詳細を実施例に基づいて説明す
る。

【００２７】実施例１ 本発明の一実施例である配線基板の製造にあたって、ま
ず平均粒径20 nm以下の酸化銅の超微粒子と、平均粒径2
0 nm 以下のカーボンの超微粒子とを重量比で100対８で
混合し、これにアクリルメラミン樹脂とポリビニールア
ルコール（ＰＶＡ）10％水溶液を加えて練り、ペースト
状にした。このペースト１を、予めテープロール状に巻
きとっておいた厚さ50μm のポリエステル樹脂フィルム
２にコーティングしたのち、赤外線乾燥炉を通過させて
約120 ℃で乾燥させた。乾燥後の薄膜層の厚みは３μm
であった。この試料は、波長 830 nm の光の吸収率が78
％であった。

【００２８】この試料を巻き取りながら、図１に示すよ
うに波長 830 nm のGaAlAsレーザ光を走査照射した。こ
のとき半導体レーザ３の出力は15 mＷであり、薄膜上で
のビーム径は５μm であった。薄膜上のレーザ光被照射
部は局部加熱されたことにより酸化銅が還元され、還元
金属領域であるほぼ５μm 幅の還元銅パターンが析出し
た。この還元銅パターンの配線抵抗は２Ω／mmであっ
た。

【００２９】実施例２ 予めテープロール状に巻きとられた厚さ50μm のポリエ
ステル樹脂フィルム２を、図２に示すように銅金属ター
ゲット４を装着したスパッタの真空槽５内に装着し、ポ
リエステル樹脂フィルム２を巻き戻しながら、アルゴン
と酸素との混合ガス雰囲気で反応性スパッタを行い、フ
ィルム上に黒色の酸化銅薄膜を成膜した。真空槽５に
は、バルブ６を介して排気系７が接続されている。この
とき、ガス圧は５ mTorr、混合ガス流量は28 sccm 、ア
ルゴンと酸素の分圧比は３対１、印加した電子ビームの
パワーは500 Ｗであった。このスパッタ条件下における
酸化銅の堆積速度は20 nm ／分であり、成膜した酸化銅
薄膜の膜厚は 80 nmであった。 さらにこの酸化銅薄膜
上に、カーボンターゲット９を用いて、アルゴンガスに
よりスパッタを行い、黒色のカーボン層を成膜した。こ
のとき、ガス圧は５ mTorr、アルゴンガス流量は28 scc
m 、印加した電子ビームのパワーは500 Ｗであった。こ
のスパッタ条件下におけるカーボンの堆積速度は15 nm
／分であり、成膜したカーボンの膜厚は 10 nmであっ
た。このようにしてポリエステル樹脂フィルム上に酸化
銅薄膜およびカーボン層を積層した試料の、波長830 nm
の光の反射率は３％、吸収率は72％であった。

【００３０】そしてこの試料を巻き取りながら、波長 8
30 nm のGaAlAsレーザ光を照射して描画を行った。この
とき半導体レーザの出力は７ mＷであり、薄膜上でのビ
ーム径は５μm であった。酸化銅薄膜のレーザ光被照射
部は局部加熱されたことにより酸化銅が還元され、ほぼ
５μm 幅の還元銅からなる還元金属領域が形成された。
その後、常法にしたがって不要部分のカーボンを除去し
て実施例２の配線基板を得た。還元銅析出部分の配線抵
抗は50Ω／mmであった。

【００３１】実施例３ 実施例２の製造に用いた図２の装置と同様なスパッタ装
置を用いて、予めテープロール状に巻きとられた厚さ50
μm のポリエステル樹脂フィルム２上に、銅金属ターゲ
ット４を用いて黒色の酸化銅薄膜（膜厚80 nm ）を成膜
し、図３に符号８で示す酸化銅薄膜形成フィルムを得
た。

【００３２】一方、厚さ50μm のポリエステル樹脂フィ
ルム２上に、図２に示すカーボンターゲット９を使用し
たスパッタにより、もしくはスプレー塗布により、カー
ボン層を成膜し、図３に符号１０で示すカーボン層形成
フィルム（膜厚10 nm ）を用意した。

【００３３】そして、図３に示すように酸化銅薄膜とカ
ーボン層を互いに接触させた状態にして、両フィルム
８、１０を重ね合わせた。このとき、波長830nmの光の
反射率は５％、吸収率は75％であった。そして、両フィ
ルム８、１０を重ね合わせた状態で、半導体レーザ３に
より波長 830 nm のGaAlAsレーザ光を照射して描画を行
った。酸化銅薄膜のレーザ光被照射部は局部加熱された
ことにより酸化銅が還元され、ほぼ５μm 幅の還元銅が
析出した。この還元銅が析出して形成された還元金属領
域の配線抵抗は50Ω／mmであった。

【００３４】このようにして得られたポリエステル樹脂
フィルム配線基板１１を、図４に示すように無電解銅メ
ッキ浴１２に浸漬して厚さ３μm の銅を析出させた後、
赤外線炉にて乾燥させ本発明の実施例３の配線基板を得
た。配線抵抗は２Ω／mmとなった。

【００３５】実施例４ 図５において符号８で示すフィルムは、図３の実施例３
の製造工程に示したものと同様の、膜厚 50 μm のポリ
エステルフィルム上に黒色の酸化銅薄膜を成膜したもの
である。成膜した酸化銅薄膜の膜厚は 80 nmであり、波
長830 nmの光の反射率は５％、吸収率は75％であった。

【００３６】そして、酸化銅薄膜の表面にノズル１３よ
り水素ガス１４を流しながら、半導体レーザ３により波
長 830 nm のGaAlAsレーザ光を照射して描画を行った。
酸化銅薄膜のレーザ光被照射部は局部加熱されたことに
より酸化銅が還元され、ほぼ５μm 幅の還元銅が析出し
た。形成されたこの還元銅領域の配線抵抗は50Ω／mmで
あった。

【００３７】このようにして得られたポリエステル樹脂
フィルム配線基板１１を、実施例３と同様に図４に示す
無電解の銅メッキ浴１２に浸漬して厚さ３μmの銅を析
出させた。その後、赤外線炉にて乾燥させ本発明の実施
例４の配線基板を得た。配線抵抗は２Ω／mmとなった。

【００３８】実施例５ 図６は、本発明の実施例５の配線基板の製造工程の概略
を示した図である。

【００３９】予めテープロール状に巻きとられた厚さ50
μm のポリエステル樹脂フィルム上に、実施例１で用い
たものと同様の酸化銅微粒子とカーボン微粒子との混合
ペーストを塗布、乾燥させて乾燥後の膜厚３μm の薄膜
を形成した。

【００４０】この混合ペーストからなる薄膜形成フィル
ム１５に熱転写ヘッド１６を用いて描画を行い、薄膜上
の所望の領域の酸化銅を還元した。熱転写ヘッド１６が
作用した部分は局部加熱されたことにより酸化銅が還元
され、ほぼ20μm 幅の還元銅が析出した。この析出した
還元銅領域の配線抵抗は 300 mΩ／mmであった。

【００４１】以上本発明の実施例である配線基板につい
て説明したが、次に本発明の他の実施例である情報記録
媒体について説明する。なお、説明に際して上記実施例
１〜５と共通する部分に関しては、同一符号あるいは同
一図を用いた。

【００４２】実施例６ 図７は、本発明の実施例６の記録媒体の断面を模式的に
示す図である。

【００４３】透明なポリカーボネート樹脂に常法に従っ
て前処理を施し、1.2 mm幅のグルーブ付き基板１７を作
製した。そして、銅をターゲットとしたスパッタ装置を
使用しアルゴンガスと酸素ガスとの混合ガス雰囲気下で
反応性スパッタを行い、この透明基板１７上に、情報記
録層となる黒色の酸化銅薄膜１８を成膜した。このと
き、ガス圧は５ mTorr、混合ガス流量は28sccm 、アル
ゴンと酸素の分圧比は３対１、印加した電子ビームのパ
ワーは500 Ｗであった。このスパッタ条件下における酸
化銅の堆積速度は20 nm ／分であり、成膜した酸化銅薄
膜１８の膜厚は 80 nmであった。

【００４４】次いで、この酸化銅薄膜１８上にカーボン
ターゲットを用いてアルゴンガス雰囲気下でスパッタを
行い、黒色のカーボン層１９を成膜した。このとき、ガ
ス圧は５ mTorr、アルゴンガス流量は28 sccm 、印加し
た電子ビームのパワーは500Ｗであった。このスパッタ
条件下におけるカーボンの堆積速度は15 nm ／分であ
り、成膜したカーボン層１９の膜厚は 10 nmであった。
このようにして、透明基板１７上に酸化銅薄膜１８とカ
ーボン層１９とを順に形成して本発明の実施例６の記録
媒体を得た。実施例６の記録媒体において、波長 830 n
m の光の反射率は３％であった。

【００４５】得られた記録媒体実施例６に情報記録を行
うにあたり、透明基板１７越しに焦点を合わせた波長 8
30 nm のGaAlAsレーザ光３を照射した。出力は５ mＷで
あり、酸化銅薄膜１８上でのビーム径は１μm であっ
た。酸化銅薄膜１８のレーザ光被照射部は局部加熱され
たことにより酸化銅が還元され、ほぼ１μm 径の大きさ
の還元銅領域が形成された。この還元銅領域において、
波長 830 nm の光の反射率は65％であった。

【００４６】実施例７ 図２に示すように、予めテープロール状に巻きとられた
厚さ50μm のポリエステル樹脂フィルム２を、金属銅タ
ーゲット４を備えたスパッタの真空槽５内に装着した。
真空槽５には、バルブ６を介して排気系７が接続されて
いる。真空槽５内に装着したポリエステル樹脂フィルム
２を巻き戻しながら、アルゴンガスと酸素ガスとの混合
ガス雰囲気で反応性スパッタを行い、このポリエステル
樹脂フィルム２基体上に、情報記録層となる黒色の酸化
銅薄膜を成膜した。このとき、ガス圧は５ mTorr、混合
ガス流量は28 sccm 、アルゴンと酸素の分圧比は３対
１、印加した電子ビームのパワーは500 Ｗであった。こ
のスパッタ条件下における酸化銅の堆積速度は20 nm ／
分であり、成膜した酸化銅薄膜の膜厚は 80 nmであっ
た。

【００４７】酸化銅薄膜を形成したポリエステル樹脂フ
ィルムを真空槽５から取りだした後、この酸化銅薄膜形
成フィルム８の表面に、図８に示すようにスプレー２０
を用いてコーティングを行い、層厚約20 nm のカーボン
層１９を形成した。このようにして得られた酸化銅薄膜
とカーボン層１９とを積層した実施例７の記録媒体にお
いて、波長 830 nm の光の反射率は２％であった。

【００４８】この記録媒体に情報記録を行うにあたり、
図９に示すように、半導体レーザ３から波長 830 nm の
GaAlAsレーザ光を照射した。レーザ光の出力は５ mＷで
あり、酸化銅薄膜上でのビーム径は５μm であった。酸
化銅薄膜のレーザ光被照射部は局部加熱されたことによ
り酸化銅が還元され、ほぼ５μm 径の大きさの還元銅領
域が形成された。この還元銅領域において、波長 830 n
m の光の反射率は65％であった。

【００４９】実施例８ 図３において符号８で示すフィルムは、厚さ50μm のポ
リエステル樹脂フィルム上に実施例７と同様な手順で予
め情報記録層である黒色の酸化銅薄膜を成膜したのちテ
ープロール状に巻きとったものである。この酸化銅薄膜
形成フィルム８において、波長 830 nm の光の反射率は
５％であった。一方、厚さ50μm のポリエステル樹脂フ
ィルム上に実施例７と同様な手順で予めカーボン層を成
膜したのちテープロール状に巻きとったフィルム１０を
用意した。

【００５０】情報記録を行うにあたり、酸化銅薄膜とカ
ーボン層が互いに接触するように両フィルム８、１０を
重ね合わせ、その状態で図３に示すように波長830 nm
のGaAlAsレーザ光３を照射した。酸化銅薄膜のレーザ光
被照射部は局部加熱されたことにより酸化銅が還元さ
れ、ほぼ５μm径の大きさの還元銅領域が形成された。
析出した還元銅領域において、波長830 nm の光の反射
率は65％であった。

【００５１】実施例９ 図５において符号８で示すフィルムは、図３の実施例８
の製造工程に示したものと同様の情報記録層形成フィル
ムである。

【００５２】情報記録を行うにあたり、図５に示すよう
にノズル１３から噴出させた水素ガス１４を酸化銅薄膜
の表面に流しながら、実施例６〜８と同様に波長 830 n
m のGaAlAsレーザ光３を照射した。酸化銅薄膜のレーザ
光被照射部は局部加熱されたことにより酸化銅が還元さ
れ、ほぼ５μm径の大きさの還元銅領域が形成された。
析出したこの還元銅領域において、波長 830 nm の光の
反射率は65％であった。

【００５３】実施例１０ 図６において符号１５で示される本発明の実施例１０の
記録媒体は、実施例７と同様な工程を経て黒色の酸化銅
薄膜とカーボン層とを積層して成膜された薄膜形成フィ
ルムであり、予めテープロール状に巻きとられている。
このフィルム１５の波長 630 nm の光の反射率は 3％で
あった。

【００５４】情報記録を行うにあたっては、図６に示す
ように熱転写ヘッド１６を用いて所望の領域の酸化銅薄
膜を局部的に加熱して酸化銅を還元した。析出したこの
還元銅領域における波長 630 nm の光の反射率は68％で
あった。情報記録後、図１０に示すようにこの情報を波
長 630 nm の赤色ＬＥＤ２１で読取ったところ、良好な
記録再生信号が得られた。

【００５５】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、従
来の光もしくは熱の局所的な作用に係わる電子部品の難
点が解消されるので、たとえば配線基板にあっては、比
較的低いパワーの光もしくは熱の局所的な作用を利用し
小型軽量化された装置により、充分配線抵抗の低い所望
の配線パターンが簡単に得られる。比較的低いパワーの
光もしくは熱の局所的な作用を利用しているため、高熱
には耐え得ない樹脂フィルムなどをも下地基板として使
用可能なため、任意の配線パターンを微細に形成した配
線基板を高速かつ簡便に製造しうる。したがって、製品
を廉価で供給することが可能となる。

【００５６】また、本発明の記録媒体にあっては、膜形
成時に副反応を生じるおそれがないため、製造が容易で
安定な特性を有する記録媒体が得られる。さらに本発明
は、記録原理として金属酸化物の金属への還元による光
学定数、特に反射率の大幅な変化を利用するものである
ため、Ｓ／Ｎ比が極めて良好で、記録感度の向上した安
定した記録が達成できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１の配線基板の製造工程を説明するため
の概略図である。

【図２】実施例２、３の配線基板および実施例７の情報
記録媒体の製造に使用されるスパッタ装置を示す概略図
である。

【図３】実施例３の配線基板および実施例８の情報記録
媒体の製造工程を説明するための概略図である。

【図４】実施例３および４の配線基板の製造工程を説明
するための概略図である。

【図５】実施例４の配線基板および実施例９の情報記録
媒体の製造工程を説明するための概略図である。

【図６】実施例５の配線基板および実施例１０の情報記
録媒体の製造工程を説明するための概略図である。

【図７】実施例６の情報記録媒体の製造工程を説明する
ための概略図である。

【図８】実施例７の情報記録媒体の製造工程を説明する
ための概略図である。

【図９】実施例７の情報記録媒体の製造工程を説明する
ための概略図である。

【図１０】実施例１０の情報記録媒体における情報再生
の方法を説明するための概略図である。

【符号の説明】

１………ペースト ２………ポリエステル樹脂フィルム ３………半導体レーザ ４………金属銅ターゲット ５………真空槽 ６………バルブ ７………排気系 ８………酸化銅薄膜形成フィルム ９………カーボンターゲット １０………カーボン層形成フィルム １１………ポリエステル樹脂フィルム配線基板 １２………無電解銅メッキ浴 １３………ノズル １４………水素ガス １５………薄膜形成フィルム １６………熱転写ヘッド １７………透明ポリカーボネート樹脂基板 １８………酸化銅薄膜 １９………カーボン層 ２０………スプレー ２１………赤色ＬＥＤ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 支持基体と、この支持基体面上に設けら
   れた金属酸化物を主成分とする層とからなり、前記金属
   酸化物を主成分とする層の表面には、光もしくは熱の局
   所的な作用により選択的に還元されて析出した還元金属
   領域からなる配線パターンが形成されていることを特徴
   とする金属酸化物を用いた配線基板。
2. 【請求項２】 支持基体と、この支持基体面上に設けら
   れた金属酸化物を主成分とする層とからなり、前記金属
   酸化物を主成分とする層の表面には、光もしくは熱の局
   所的な作用により選択的に還元されて析出した還元金属
   領域からなる情報記録パターンが形成されていることを
   特徴とする金属酸化物を用いた情報記録媒体。