JP2015025197A - 金属細線及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
1辺が50mmのガラス平板を基材として、その上にスパッタリング法を用いて、下記の条件にてSiを添加した酸化銅の膜を成膜した。
ターゲット:Si添加した酸化銅(II)
(3インチφ、酸化銅:Siの割合=90原子%:10原子%)
電力(W):RF100
ガス種類:アルゴン(Ar)と酸素(O)の混合ガス(比率 Ar:O=90:10)
圧力(Pa):0.5
膜厚(nm):20
露光用半導体レーザー波長:405nm
レンズ開口数:0.85
露光レーザーパワー:7.0mW
送りピッチ:250nm
グリシン 1.2g
シュウ酸アンモニウム 1.2g
水 400g
1辺が50mmのガラス平板を基材として、その上にスパッタリング法を用いて、下記の条件にてSiを添加した酸化銅の膜を成膜した。
ターゲット:Si添加した酸化銅(II)
(3インチφ、 酸化銅とSiの割合=90原子%:10原子%)
電力(W):RF100
ガス種類:アルゴンと酸素の混合ガス(比率 Ar:O=90:10)
圧力(Pa):0.5
膜厚(nm):20
露光用半導体レーザー波長:405nm
レンズ開口数:0.85
露光レーザーパワー:7.0mW
送りピッチ:500nm
グリシン 1.2g
シュウ酸アンモニウム 1.2g
水 400g
1辺が50mmのガラス平板を基材として、その上にスパッタリング法を用いて、下記の条件にて酸化銀の膜を成膜した。なお、ターゲットの銀はスパッタリングの過程で酸化されて、酸化銀となる。
ターゲット:銀(3インチφ)
電力(W):RF100
ガス種類:アルゴンと酸素の混合ガス(比率 Ar:O=50:50)
圧力(Pa):0.1
膜厚(nm):20
露光用半導体レーザー波長:405nm
レンズ開口数:0.85
露光レーザーパワー:4.4mW
送りピッチ:500nm
35%塩酸 1.0g
アデカトールSO−135 0.05g
水 400g
1辺が50mmのガラス平板を基材として、その上にスパッタリング法を用いて、下記の条件にて酸化タングステンの膜を成膜した。
ターゲット:酸化タングステン(3インチφ)
電力(W):RF100
ガス種類:アルゴンと酸素の混合ガス(比率 Ar:O=90:10)
圧力(Pa):0.5
膜厚(nm):10
露光用半導体レーザー波長:405nm
レンズ開口数:0.85
露光レーザーパワー:4.0mW
送りピッチ:300nm
2.5%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液 400g
1辺が50mmのガラス平板を基材として、その上にスパッタリング法を用いて、下記の条件にて酸化モリブデンの膜を成膜した。
ターゲット:酸化モリブデン(3インチφ)
電力(W):RF100
ガス種類:アルゴンと酸素の混合ガス(比率 Ar:O=90:10)
圧力(Pa):0.5
膜厚(nm):10
露光用半導体レーザー波長:405nm
レンズ開口数:0.85
露光レーザーパワー:4.4mW
送りピッチ:300nm
2.5%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液 400g
実施例1と同じ条件で線状の酸化銅(II)を形成した。次に、線状の酸化銅(II)を基材から分離し、分離した酸化銅(II)上に以下の条件でスパッタリングを行い、表面を銅で覆った。
ターゲット:銅(3インチφ)
電力(W):RF100
ガス種類:アルゴン(Ar)
圧力(Pa):0.5
膜厚(nm):5
2 芯部
3 表層
4、9、10 基材
5 膜
5a 非変質層
6 変質層
7 金属酸化物
8 透明導電材料
Claims (13)
- 芯部と、前記芯部の表面の少なくとも一部を覆う表層と、を有し、金属をM、前記金属と同一の金属の酸化物をM−Oとしたとき、M/M−Oの比率は、前記表層のほうが前記芯部よりも大きいことを特徴とする金属細線。
- 前記金属が、タングステン、モリブデン、チタン、クロム、マンガン、コバルト、銅、ニオブ、銀、タンタル、金、スズ、鉛、及びビスマスのうち少なくともいずれか一種を含むことを特徴とする請求項1記載の金属細線。
- 前記金属が、銅、銀、クロムあるいはタングステンであることを特徴とする請求項2記載の金属細線。
- 前記金属細線の線径が、1nm以上1000nm以下であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の金属細線。
- 前記金属細線の線径のばらつきが、平均線径に対して20%以下であることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の金属細線。
- 前記金属細線の長さが、5μm以上であることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載の金属細線。
- 請求項1から請求項6のいずれかに記載された金属細線の製造方法であって、
金属の酸化物を線状に形成する工程と、
前記金属の酸化物の少なくとも一部の表面に前記金属と同一の金属を析出させる工程と、を有することを特徴とする金属細線の製造方法。 - 前記金属の酸化物を線状に形成する工程が、前記金属の酸化物の膜を基材上に形成する工程と、前記金属の酸化物の膜の一部を変質させる工程と、変質した前記金属の領域の酸化物と変質しなかった前記金属の酸化物の領域とのいずれか一方を除去する工程と、を有することを特徴とする請求項7記載の金属細線の製造方法。
- 前記金属の酸化物の膜にレーザーを照射して前記膜の一部を変質させる請求項8記載の金属細線の製造方法。
- 前記金属の酸化物の膜を熱反応型レジストとして用いて、前記金属の酸化物を線状に形成する請求項8又は請求項9に記載の金属細線の製造方法。
- 前記金属の酸化物の少なくとも一部の表面に前記金属を析出させる方法が、前記金属の酸化物を還元する方法であることを特徴とする請求項7から請求項10のいずれかに記載の金属細線の製造方法。
- 前記線状に形成された前記金属の酸化物を還元する方法が、前記金属の酸化物を加熱する方法であることを特徴とする請求項11記載の金属細線の製造方法。
- 前記金属の酸化物の少なくとも一部の表面に前記金属を析出させる方法が、前記金属の酸化物上にスパッタリング法により、前記金属と同一の前記金属を供給する方法であることを特徴とする請求項7から請求項10のいずれかに記載の金属細線の製造方法。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4949013B1 (ja) * | 1970-03-11 | 1974-12-25 | ||
JPH0537126A (ja) * | 1991-07-30 | 1993-02-12 | Toshiba Corp | 金属酸化物を用いた配線基板および情報記録媒体 |
WO2007055422A1 (ja) * | 2005-11-10 | 2007-05-18 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | インジウム系ナノワイヤ、酸化物ナノワイヤ及び導電性酸化物ナノワイヤ並びにそれらの製造方法 |
WO2010082429A1 (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-22 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | パターン電極の製造方法及びパターン電極 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4949013B1 (ja) * | 1970-03-11 | 1974-12-25 | ||
JPH0537126A (ja) * | 1991-07-30 | 1993-02-12 | Toshiba Corp | 金属酸化物を用いた配線基板および情報記録媒体 |
WO2007055422A1 (ja) * | 2005-11-10 | 2007-05-18 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | インジウム系ナノワイヤ、酸化物ナノワイヤ及び導電性酸化物ナノワイヤ並びにそれらの製造方法 |
WO2010082429A1 (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-22 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | パターン電極の製造方法及びパターン電極 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11520451B2 (en) | 2018-07-30 | 2022-12-06 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Conductive film and conductive film roll, electronic paper, touch panel and flat-panel display comprising the same |
US11620028B2 (en) | 2018-07-30 | 2023-04-04 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Conductive film and conductive film roll, electronic paper, touch panel and flat-panel display comprising the same |
US11635863B2 (en) | 2018-07-30 | 2023-04-25 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Conductive film and conductive film roll, electronic paper, touch panel and flat-panel display comprising the same |
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