TWI356959B - - Google Patents

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第 096119917 號 , 一 1〇〇年10月11日修正替換頁 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於顯示裝置。 【先前技術】 ^液aa顯不裝置，通常將分別形成透明電極之上下一對的 電本基板藉由形成於基板之像素顯示部外緣之密封材黏 貼’於其内部封入液晶而構成。又，關於液晶顯示裝置，有 主動矩陣（active matrix)型與被動式矩陣（passive贴计⑴ 1者主動矩陣型之液晶顯不裝置，是具有開關元件之薄膜 電晶體以矩陣狀形成之TFT陣列基板。然後，冑TFT陣列基 板與對向基板經由密封材黏貼。然後，於tft陣列基板與對 向基板之間封入液晶。 μ …於TFT陣列基板之顯示區域，形成有掃描信號線、顯示 信號線、像素電極。藉由傳播於掃描㈣線之掃描信號，控 制開關元件之m㈣。傳播顯㈣號線之顯示錢 經由TFT供給像素電極。然後，當顯示信號供給於像素電極， 則於對向電極與像素電極之間施加對應顯示信號之顯示電 壓’驅動液晶。 傳播掃描信號線之掃描信號、及傳播顯示信號之顯示信 號，係由驅動（driver) 1C供給。因此，於顯示區域之外側之 邊緣區域，形成由驅動1C繞引至掃描信號線及顯示信號線 之間之配線。再者，於邊框區域，形成密封材及共通配線。 藉由該共通配線’傳播供給賦予共通電位之共通信號。 在此，於邊框區域，繞引配線與對向電極是夾著密封材 2185-8897-PF1;Ahddub 5 1356959 第096119917號 1〇〇年10月11日修正替換頁 或液晶相對時，會因兩者之寄生電容，使顯示信號與共通信 號干涉。因此’會有因該雜訊（no i se)而使顯示品質惡化之 情形》 為將此改善，揭示有於與顯示信號線連接之繞引配線之 上層形成導電層之文獻（參照專利文獻1)。然後，藉由賦予 導電層接地（ground)電位，將顯示信號線由對向電極遮蔽 (shield)，減輕信號干涉。藉此，可改善基於顯示信號與共 通信號之干涉之顯示品質之惡化。 又’在顯示區域之左右兩外側形成繞引配線之顯示裝 置，藉由使用之驅動電路或邊框區域之面積之限制，有使繞 引配線之長度有局部相異之情形。此時所產生之配線負載 (電阻）之差’將成為掃描信號之延遲量。又’於該顯示裝置、 於邊框區域，存在掃描信號線之繞引配線與顯示信號線之繞 引配線交叉之交叉部。該交叉部之數目，或面積有在局部有 所相異之情形。而此將成該掃描信號線之繞引配線之配線負 載之差，會在掃描信號線之延遲量產生差異。起因於如此之 延遲量差之像素電極電位之離散’會作為顯示暈 (chrominance non-uniformity)被視認，而降低顯示品質。 有為了改善此之文獻之揭示（參照專利文獻2)。於該文 獻，形成與配置於邊框區域之掃描信號線之繞引配線之一部 分重疊之導電膜。然後，在該導電膜與掃描信號線間形成電 今。再者，於該導電膜以外之處關於配線負載小的繞引配 線，使與導電膜重疊之面積增大。藉此，減低與繞引配線間 之配線負載’可改善顯示品質之惡化。 [專利文獻1]日本特開200 1_1 83696號公報 6 2185-8897-PFl;Ahddub 1356959 100年10月11日修正替換頁 曰本特開2005-266394號公報 【發明内容】 [發明所欲解決的課題]

4 於設有對向電極之對向基板與TFT陣列基板之間，多數 情形只有5 // m程度之空間（space)。又，於對向電極之上多 數沒有形成成為保護膜之絕緣膜，於TFT陣列基板上之姨引 配線所產生的腐蝕反應，以與對向電極之間產生者為多。再 者，上述不適，是於緊接著製造後不久並無法確認其=生， 而多在使用-定時間之後發生。特別是，在屋外使用之行動 電話或搭載於汽車之顯示裝f，多於高溫、或者多濕下使 用’會促進起因於水分之浸人之腐紅應。因此，於上述顯 示裝置’發生不適之頻率會增高。

第 096119917 號 [專利文獻2 ]

又，於掃描信號線，將傳播使TFT陣列基板中的tft開 (〇n)/關(off)之掃描信號。因此，大部分的時間，於掃描： 號線供給使m為「關」之電位。因此，與供給於對向^極 1之共通電位之間，會產生10V以上的電位差。另一方面， 是在顯示信號線傳播對應圖像資料（data)之顯示信號。因 此’顯示信號線之平均電位’係與共通電位大致相同：數V ;=2此’比較掃描信號線與顯示信號線時，掃描信 就線與對向電極之電位差會較大。因此，起因 :適置多二生於掃描信號線之繞引配b 、置a有因繞引配線之腐蝕，而降低顯示品質之問題點。 可靠ΐ!明::有鑑於如此之問題而完成者，其目的在:提供 罪度问，顯不品質優良之顯示裝置。 7 2l85-8897-PFl；Ahddub 100年10月11日修正替換頁 第 096119917號 [用以解決課題的手段] 其呈明之第1態樣之顯示裝置，係包括:陣列基板， 二象素電極；對向基板，其係對向配置於上述陣列基 ，具有對向電極；密封材’其係包圍顯示區域地形成，黏 貼上述陣列基板與上㈣向基板者；顯示材料，其係、設於上 ,車列基上34對向基板及上述密封材所形成之空間；於 上述陣列基板之上’包括：複數掃描信號線，其係形成於上 述顯示區域，複數顯示信號線，其係形成於上述顯示區域·， 與上述複數掃描信號線交又；開關元件，纟係矩陣狀配置於 上述顯示區域内，與上述掃描信號線與上述顯示信號線連 接，複數掃描繞引配線，其係設在配置於上述顯示區域之外 側之邊框區域，對應上述複數掃描信號線而設；絕緣膜，其 係設於上述複數掃描繞引配線之上；及導電層，其係於上述 密封材之外側以覆蓋上述複數掃描繞引配線的形態，形成於 上述絕緣膜上’供給既定的電位。 [發明效果] 根據本發明’可提供可靠度高，顯示品質高的顯示裝置。 【實施方式】 以下，說明可使用本發明之實施形態。以下之說明，係 說明本發明之實施形態者，本發明並非限定於以下之實施形 態者。為使說明之明確化，以下之記載，有適宜省略及簡化。 又，只要是該當業者，可將以下之實施形態之各要素’於本 發明之範圍容易地變更、追加、變換。再者，於各圖賦予相 同符號者顯示同樣的要素，適宜省略說明。 2185-8897-PFl;Ahddub 8 1356959 第 096119917 號 實施形態1. 100年10月11日修正替換頁 關於本實施形態之液晶顯示裝置，包括夹持於TFT陣列 基板與對向基板之間之液晶。然後，將TFT陣列基板與對向 基板’以框圍顯示區域之框狀形成之密封材黏貼。於TFT陣 列基板’設有掃描信號線與顯示信號線。然後，於與掃描作 ，號線連接之掃描繞引配線之上層形成第1導電層。該第丨導 電層’至少於密封材之外側如覆蓋掃描繞引配線地形成，賦 予既疋的電位。再者’於本貫施形態，於以下，說明顯示求 置之一例之主動矩陣型液晶顯示裝置’惟本發明並非限定於 主動矩陣型液晶顯示裝置者。即’只要是在陣列基板與對向 ' 基板之間，設有液晶、粒子或液體等顯示材料之顯示裝置， 均可使用。因此，於一對基板夾持顯示材料之胞（ceU)構成 之電子紙（paper)等亦可應用。 使用圖1及圖2說明關於本實施形態之液晶顯示裝置。 圖1係示意表示用於關於本實施形態之液晶顯示裝置之液晶 顯示面板（panel)之端部之構成之平面圖。再者，於圖i表 φ 示液晶顯示面板1之右下角附近之端部。圖2係圖1之a-A 剖面圖。又，於本實施形態，於TFT陣列基板1 〇 1，以形成 有底閘極（bottom-gate)型之TFT31說明。再者，於圖2,於 * 右側表不δ又有抑描繞引配線4之處之剖面，於左側表 繞引配線6之處之剖面。 於矩形狀之TFT陣列基板101上，平行形成複數之掃描 信號線3。圖1中’複數掃描信號線3係以一定間隔，沿著 才頁方向配置。以經由第1絕緣膜之閘極（ga t e )絕緣膜1 〇與 掃描信號線3交叉的形態，形成複數顯示信號線5。即，在 2185-8897-PFl;Ahddub 9 1356959 第096119917號 100年10月11日修正替換頁 覆蓋掃描信號線3而設置之閘極絕緣膜1 〇上，沿著與掃描 信號線3正交之方向形成複數顯示信號線5。圖1中，複數 顯示信號線5以一定間隔’沿著縱方向形成。TFT陣列基板 1〇1 ’可使用例如：玻璃（glass)·基板等透明的絕緣性基板。 掃描信號線3與顯示信號線5，大多以相同程度之膜厚形 成。閘極絕緣膜10，可例如以氧化矽（sil ic〇n)膜或氮化矽 膜形成。於掃描信號線3供給掃描信號，於顯示信號線5供 給依照圖像資料之顯示信號。掃描信號線3及顯示信號線 5 ’係藉由例如a 1或Cr等金屬薄膜形成。 於掃描信號線3與顯示信號線5之交又點附近，形成開 關元件之TFT31，TFT31係於顯示區域2内陣列狀排列。 Τί?Τ31，包括以與顯示信號線5同一層形成之汲極電極及源 極（S〇urce)電極。源極電極與汲極電極，係經由半導體層連 接。經由該TFT31 ’連接顯示信號線5與像素電極32。因此， 藉由以掃描信號使TFT31成接通狀態，由顯示信號線5對像 素電極32供給顯示信號。藉此，在設於對向基板丨3之對向 電極33之間，施加驅動液晶3〇之驅動電壓。對向電極 係例如形成於對向基板13之大致全面，與像素電極32對向 配置。再者’ S向電極33與像素電極32，係例如以π 透明導電膜形成。 於像素電極32與顯示信號線5之間，形成有第2絕續 、之層間絕緣膜11。然後，經由設於層間絕緣膜η之接觸 hQle)，連接m线極電極與像素電極^。 素電極32係以陣列狀配設，設有像素電極3 素’複數像素排列成陣列狀之區域成為顯示區域2。顯:區 2185-8897-PFl；Ahddub 10 1356959 第 096119917 號 域2报忐拓晡处 1〇〇年10月11日修正替換頁 _ P ，掃描信號線3、及顯示信號5係形成於顯 不區域2內。妙仏 , /叹仏翔 域2内然後’該顯示區域2之外側成為邊框區域5〇。 即’較顯示區域2之迪邊h内也丨η 巴拭9㈣ 之知邊2a内側（左上側）的區域成為顯示 ^域2,較顯示區域？ # 这9 框區域50。再/ 1 (右下側）的區域成為邊 化石夕m ㈣膜u’可例如以氧化㈣或氮 夕膜，或者有機絕緣膜形成。 B於顯不區域2之外側配置邊框區域5〇。邊框區域5〇， 疋以框圍矩形狀之顧+ p β ^ ,n , 顯不£域2的形態而配置。即，邊框區域 50’係形成為大致D生“ 1·,、 (frame-1 ike)型。於 TFT 陣列基板 1 〇1

之邊框區域50，形忐右*山工1C A 以動.㈣ 端子15之上，例如構 、動IC _IC’係配設於m陣列基板1〇1之下邊附 …卩1如可使用可兼用掃描信號用驅動1C與顯示 k號用1C之驅動1〇即，由驅叙τ α 田驅動Ic輸出拎描信號與顯示訊 就。驅動IC係連接掃描繞引蝻 _ 凡W配線4與顯不繞引配線6，其中 掃描繞引配線4是經由她；，c : Λ 八 疋二由缒子15而連接於掃描信號線3,顯示 繞引配線6則連接顯示信號線5。 於邊框區域50，形成古料_ 一 成有對應複數顯示信號線5之複數顯 示繞引配線6。複數顯示繞引 θ 境？丨配線6，疋隔者既定間隔而設 而不與相鄰之配線導通。 _ ”肩不繞引配線6是由端子15設j_ 顯示區域2之下邊。然後，s _ 、 ，·肩不、矣引配線6 ’是在顯示區域 2之下侧之端邊2a ’連接gg — 咕& c

逆接顯不#唬線5。然後，由驅動lC 輸入端子1 5之顯示信號敏由猫-A a 士由顯不繞引配線6，供給顯示信號 線5。顯示繞引配線6與顯示信號線5,是以同一導電層形 成。即，顯示繞引配線6與顯示信號線5,係以—體圖；化 (patterning)而成。再者，於圖1，關於端子15之附近部分 2185-8897-PF.l；Ahddub 11 1356959 第096119917號 100年10月11曰修正替換頁 之各顯示繞引配線6是予以省略而圖示。 再者’於邊框區域50’形成對應複數掃描信號線3之複 數掃描繞引配線4。掃描繞引配線4 ’係通過顯示區域2之 右下角之外側’由端子15設至顯示區域2之右側之端邊2a。 然後，分別連接設於顯示區域2之複數掃描信號線3與複數 掃描繞引配線4。即，由驅動IC之掃描信號經由掃描繞引配 線4 ’輸入掃描信號線3。複數掃描繞引配線4是隔著既定 的間隔而設，而不與相鄰的配線導通。掃描信號線3與掃描 繞引配線4，例如以同一導電層形成。即掃描信號線3與掃 把繞引配線4 ’係以一體圖案化而成。設於邊框區域5 〇之複 數掃描繞引配線4，是由顯示區域2之下邊側之掃描信號線 3依序連接。換言之，配置於顯示區域2之最下邊側之掃描 k號線3，與配置於最左側之掃描繞引配線4連接。然後， 隨著向邊框區域50之上部側進行，掃描繞引配線4之條數 變少。 於掃描繞引配線4之外側，形成有共通配線7。共通配 線7係形成於邊框區域5〇。換言之，掃描繞引配線4係設於 共通配線7與顯示區域2之間。又，共通配線7 ,係形成於 也封材12之外側。於共通配線7之露出部分’設有轉移 (transfer)電極16。轉移電極16係例如銀糊料（paste)之導 電材、或是將間隔器（spacer)等以導電性物質塗層（c〇ating) 之構件，而連接對向電極33〇即，由驅動IC經由端子15 對共通配線7輸入賦予共通電位之共通信號。然後，該共通 k號係經由與共通配線7連接之轉移電極丨6,輸入對向電極 33。如此地，藉由轉移電極16，使共通配線7與設於對向基 2185-8897-PFl;Ahddub 12 第 096119917 號 板13之對6 100年1Μ 11日修正替換頁 12之圖安 導通。轉移電極16，例如可於密封材 ic之端冲：以外形成。亦可將共通配線7延設至設有驅動 ° 反對側之端部，於此設轉移電極16。 於掃描信號線3及掃描繞引配線4上，形成有閘極絕緣 ' Ρ閘極絕緣膜10 ’係以覆蓋掃描信號線3、及掃描 '·' 線4的形態而形成。然後，於閘極絕緣膜1 〇上，形 成顯不仏號線5 '顯示繞引配線6、及共通配線7。然後，於 曰^、吧緣膜11 ’係以覆蓋顯示信號線5、顯示繞引配線6、 及“通配線7的形態而形成。然後，於層間絕緣膜（丄上， 形成像素電極3 2。 作為對向基板13者，是使用玻璃基板等之透明絕緣性 基板。於彩色（color)液晶顯示裝置、於對向基板13，將未 π於圖之形色濾光片（c〇1〇r f ilter)或黑矩陣 matrix)形成為矩陣狀。再者，於採色濾光片及⑽上，像素 電極32與對向電極33是設於對向基板13之大致全面，該 對向電極33是連接於上述轉移電極16。TFT陣列基板ιοί 與對向基板13對向配置，並藉由密封材12而黏貼。密封材 12，係以框圍顯示區域2的形態而形成為框狀。即密封材 12係配置於顯示區域2之端邊2a之外側。然後，密封材 係配置於掃描繞引配線4及顯示繞引配線6之一部分上。 於如此之對向基板13與TFT陣列基板1〇1之間，夾持 液晶30。即，於TFT陣列基板1〇1與對向基板13與密封材 12所圍之空間封入液晶30。藉此，構成液晶顯示面板丨。又， 亦可配設使TFT陣列基板101與對向基板13之間隔保持一 定之間隔器（無圖示）。於該液晶顯示面板之背面側，配設背 2185-8897-PFl;Ahddub 13 1356959 第096119917號 100年10月11日修正替換頁 光單元（backl ight uni t) ’背光單元係於面全體射出均勻光 之面狀光源裝置。背光單元包括：LED或螢光管等光源；將 來自光源之光引導至面全體之導光板；及擴散片（sheet)或 稜鏡（prism)片等光學片。再者外部之控制電路與tft陣列 基板101 ’是經由例如軟性（f lexible)配線基板而連接。基 於來自外部之控制電路之電源電壓、控制信號及圖像資料， 驅動1C輸出顯示信號、掃描信號及共通信號。然後，於對 向電極33與像素電極32之間’藉由施加之電壓驅動液晶。 藉此’控制液晶顯示面板1之穿透光量。再者，亦可於Τρτ 陣列基板101或對向基板13’設置使液晶30配向之配向膜。 又’於液晶面板，亦可黏貼偏光膜（fi lm)等。 在此，於邊框區域50,於掃描繞引配線4之上形成第i 導電層8、於顯示繞引配線6上形成第2導電層9，第1導 電層8係形成於閘極絕緣膜1 〇上。作為第1導電層8者， 可使用與顯示信號線5同一層之金屬薄膜。藉此，可防止製 造步驟之增加。第1導電層8係與端子15a連接。然後，第 1導電層8係沿著掃描繞引配線4，延設於圖1中的上方向。 第1導電層8 ’係以覆蓋複數掃描繞引配線4的形態而寬廣 地形成。又，第1導電層8係沿著密封材12形成，將其圖 案化為寬度比密封材1.2還寬。即，第1導電層8，係由密封 材12之外側配置。因此，第i導電層8之一部分，係配置 於密封材12之外側。然後，第1導電層8係由密封材12之 外側設至内側。藉此，複數掃描繞引配線4之中，配置於密 封材12之外側之大部分的地方，是以第丨導電層8覆蓋。 即，複數掃描繞引配線4之中’第1導電層8之圖案配置在 2185-8897-PFl；Ahddub 14 100年〗o月11日修正替換頁 第 096119917 號 較取外側之掃描繞5丨配線4之外側。 中、二L:!電層8,係於設有掃描繞引配線4之區域之 形離而::ΓΓ極33之區域’以覆蓋掃描繞引配線4的 办〜'而形成。即，於掃描繞引配線4 之區域，在槁> & 上部存在對向電極33 … 線4與對向電極33之間配置第1導 電層8疋形成於掃描繞引配線4與對 向電極33對向之大致所有的 :、 於第=電層8,由驅動【經由端？ 15a供給既定的電位。 9道Φ思’於顯不繞引配線6之上’形成第2導電層9,第 2導電層9係形成於層間絕緣膜u之上。第2導電層9，二 J之"、像：電極32同一層來形成。藉此’可防止製造步 驟之增加。第2導電層9，與掃描繞心線 8同樣，是以覆蓋密MMl9々ALyi 守电層 在封材12之外側之顯示繞引配線6的形離 而形成。 θ第2導電層9是與端子脱連接。然後，第2導電層9 是在圖1中，向左方向延設以覆蓋複數之顯示繞引配線6。 又，第2導電層9之圖案，係沿著密封材12形成。第2導 電層係形成為超出密封材12。即’第2導電層9之一部 二疋配置於密封材！ 2之外側。然後，將第2導電層9從 密封材12之外側設置到内側。藉此，複數顯示繞引配線6 之中’配置密封材12之外側大部分的地方，是以第電 層9覆蓋。 第2導電層9 ’是於設有顯示繞引配線6之區域之 中、於設有對向電極_ 33之Q域’以覆蓋顯示繞引配線6的 形態而形成。即，於顧千e 賴不'堯引配線6之上部存在對向電極33 2185-8897-PFl；Ahddub 15 1356959 第 096119917 號 100年10月11日修正替換頁 之區域，於顯示繞引配後 丨深b與對向電極33之間配置第2導 電層9。然後’第2導電層9是形成於顯示繞引配㈣盘對 向電極33對向之大致所有的區域，以保護顯示繞引配線6。 於第2導電層9’ &驅動1(：經由端子既供給既定的電位。 再者’因液晶顯示面板！之對向基板13之裁切步驟之 裁切離散’對向基板13之端邊13a有由原本的設計位置偏 離數百μ πι程度之情形。於如此情形，例如如圖丄所示，於 端子15側，第1導電層8或第2導電層9之導電層是形成 為從對向基板13之端it 13a超出。結果，帛（導電層8與 第2導電層9是超出至沒有形成對向電極33之區域。 如此地，可藉由第1導電層8及第2導電層9來保護繞 引配線。關於這一點，以圖3及圖4來說明。圖3、及圖4 係不意表不TFT陣列基板ιοί之缺陷處附近之構成之剖面 圖。例如，假設於掃描繞引配線4之上配置有第1導電層8 之處，於閘極絕緣膜1〇存在膜缺陷17或覆蓋（c〇verage)缺 陷18。在此，在膜缺陷17之處，係於閘極絕緣膜1〇存在針 孔（pinhole)等，而無法將第i導電層8與掃描繞引配線4 絕緣。又，在覆蓋缺陷18之處，係掃描繞引配線4之圖案 之細未以閘極絕緣膜1〇完全覆蓋。因此，在有膜缺陷17或 覆蓋缺陷18之掃描繞引配線4之處’與第1導電層8短路。 藉由於製造步驟中設置檢查第1導電層8與掃描繞引配 線4之導通之步驟，可將有缺陷之液晶顯示面板丨作為初期 不良品驗出。例如，在將TFT陣列基板1〇1與對向基板13 黏貼而製造液晶面板1之後，檢查第1導電層8與掃描繞引 配線4之導通。然後，第丨導電層8與掃描繞引配線4導通 2185-8897-PFl;Ahddub 16 yjy 第 096Π9917 號 時，作為不良品驗出。另/:1°月11日修正替換頁 配線4為絕緣時，你 〇 帛1導電層8與掃描繞引 、 作為良品，4 一# g ^ ( 防止不良品進行下订下t〜驟。错此，可 ί導通之步，帮’故可提升生產性。再者，檢 步騾之後進行。 ·液甜注入、密封注入口之密封 為微：昧方面’當閘極絕緣膜10之膜缺陷17或覆蓋缺陷18 马微小時，第1遙堂爲 妇丄δ 如圖4所- 會與掃描繞引配線4導通。即， 如圖4所不’膜缺陷17或 8與掃描繞引配線4不會短路之JV :微小到第1導電層 電層8彌補掃描繞引配線“知度。在如此情形，第1導 m 18〇 s 上之微小的膜缺陷17或覆蓋缺 严曰18因此’即使於TFT陣列 # 土板1〇1之表面附者水分等時， 了防止水为等侵入膜缺陷17 護掃描繞引配線4不^_彳^^18—可保 4之腐飩只庙 不又尺刀锬入，故可防止對掃描繞引配線 4之腐蝕反應。因此， 止屮眢你七s 々止顯不口口貝之惡化。再者，可防 出Μ之顯示品質之惡化，可提升可靠度。 護掃二ία在上述之說明中，是表示藉由第1導電層8來保 ^ ^ 〗准如圖3、圖4之括弧（parentheses) :所不’亦可藉由第2導電層9來保護顯示繞引配線6。即， =® 4所不’以覆蓋顯示繞引配線6上部的形態而設 第2導電層9。藉此’可保護顯示繞引配線6而不 陷17或覆蓋缺陷18影響。因此，可防止顯示品質之惡化： 可提升可靠度。 在此，供給第1導電層8及第2導電層9之電位，是以 接近供給對向電極33之共通f位為佳。即，將信號輸入第1 導電層8及第2導電層9’成為與對向電極33之電位的電位 2l85-8897-PFl；Ahddub 17

丄《J 第 096119917 號 差為在第1導電層8及第2導電層二年：:：替換頁 幻反應之電位差以下。例〜之間不會發生腐姓(電 至第1導電層8及第2導 料15將共通信號輸入 2導電層9是成為等㈣广/糟此’第1導電層8及第 於第之共通電位。因此，即使 川電層8發生起心 ==陷時，止對 共通電位時二2層導8電：第2導電層9由端子15供給 中的共通配線7而作用 8、或第2導電層9作為圖1 度變寬到共通配線二：如’可使第1導電層8之圖案寬 寬度’可減低配線電阻：因此可：：共通配線7之實效配線 提升顯示品質。亦可由驅動可改。共通信號之延遲，可 再者，電路限制或因第對端子15輸入共通信號。 他的配線交又等理由而/1導電層8或第2導電層9與其 設供給電位之端二難以對第1導…或"導電層9 具體而言，於第i導電層’二由：向電極33輸入共通信號。 極16。藉此，經由轉移電标' 導電層9上’亦設轉移電 層9與對向電極33連接雷第1導電層8或第2導電 共通配線7之其他轉移電極二向電極33，例如經由連接於 因此，由驅㈣經由對向=:從驅動IC輸入共通信號。 電層9供給共通電位化電極33對第1導電層8或第2導 限定給第1導電層8或第2導電層9之電位，並非 限疋於共通電位者。例 t非 相同之電位。或者 ’’、可供給與共通電位之平均電位 信號電位之中心電位;同:予電:在顯示信號線5傳播之顯示 J又電位。將較掃描信號更接近對向 2185-8897-PFl；Ahddub 18 1356959 ^ 096119917 ^ 100年1〇月11日修正替換頁 電極33之共通電位之電位供給至第1導電層8或第2導電 層9。藉此，可使第1導電層8或第2導電層9,與對向電 極33之間的電位差小’可防止在缺陷處發生電蝕反應。即， 藉由在與共通電位電位差大的掃描繞引配線4上設置第1導 電層8，即使於TFT陣列基板1〇1表面附著水分等時，可防 止對掃描繞引配線4發生腐蝕反應。 再者，於上述說明，係說明第丨導電層8是以與顯示信 號線5及顯示繞引配線6的同一層形成之例，惟並非限定於 此者。例如，亦可以與像素電極32的同一層來形成第丄導 s 8此4，藉由與像素電極32的同一層來形成第1導電 層8及第2導電層9。〖’亦可以與TFT31之半導體層的同 -層來形成第1導電層8。此時，第丄導電層8係形成於閘 極絕緣膜10之上，而以層間絕緣膜11覆蓋。即，和藉由與 顯示信號線5的同一層來形成時同樣地，於閘極絕緣膜；〇 ,層間絕緣膜11之間設置第1導電層8。再者，於上述說明， 疋說明第2導電層9是以與像素電極32的同一層形成之例， 惟亦可藉由與顯示信號線5的同—層來形成。此時，以與掃 描配線3的同-層來形成顯示繞引配線6。然後，為了連接 顯示繞引配線6與顯示信號線5，而形成層（iayer)之變換 部。藉此’可以以同-導電層來形成第i導電層8與第2導 電層9。又，如此地使用向下層側作層變換之顯示繞引配線 6時’可藉由與TFT31之半導體層的同一層來形成第〗導電 層9°再者，關於本發明之 曰日，‘，'員示裝置，並非限定於底間 極型TFT31者。如此地，可萚Λ 約 了稭由Τί?Τ陣列基板101之配線構 成’將第1導電層8及第2導電層9作適宜變更。 19 2185-8897〜PFl;Ahddub 1356959 第096〗19917號 100年〗0月11日修正替換頁 ，上在配置於邊框區域50之掃描繞引配線4上， 經由開極絕緣膜10配置第i導電層8'然後，至少於密封材 12之外側’以第1導電層8覆蓋掃描繞引配線4。藉此，於 閉極絕緣膜10有膜缺陷17時，可作為短路缺陷而驗出。因 此，可防止顯示品質於出貨後因腐姓反應之惡化。又，閉極 ’邑緣膜10之膜缺陷17微小時，由於以第i導電層8覆蓋微 J的缺fe 17，故可防止腐蝕反應。即，可防止附著於TFT 陣列基板1G1之水分等，侵人m陣列基板1()1之内部。因 此’可防止因掃描繞引配線4與對向電極33之電位差而產 生腐蝕反應及發生斷線，可提升可靠度。再者，由於可對第 1導電層8賦予接近共通電位之電位，故可防止於第j導電 層8與對向電極33之間產生之腐蝕反應。 實施形態2. 於本實施形態，與實施例！同樣地，說明關於顯示裝置 之一例之液晶顯示裝置。使用圖5、圖6說明關於本實施形 態之液晶顯示裝置。圖5係表示液晶顯示面板丨之端部之構 成之平面圖，圖6係表示圖5之B-B剖面圖。再者，關於本 實施形態相關液晶顯示裝置之基本構成，由於與實施形態工 相同，故省略說明。例如，第j導電層8,是在於密封材 之外側，以覆蓋掃描繞引配線4之大致全部的形態而形成。 再者，關於本實施形態之液晶顯示裝置之Tft陣列美板 101，係如圖5所示，具有修復圖案19。藉由該修復圖案19 可修復掃描繞引配線4之短路。修復圖案19，係形成在第j 導電層8至顯示區域2側。即，修復圖案19，係配置於顯示 區域2之端邊2a與第1導電層8之間。然後，在修復之前， 2185-8897-PFl;Ahddub 20 1356959 第_9議 叫則11日修正替換頁 修復圖案19與掃描繞引配線4絕緣。 如圖5所示，修復圖# 19係由第工導電層8之圖案八 歧。即，在第1導電層8與修復圖案19之間的區域於： 描繞引配線4上並沒有形成導電膜。又，修復圖案19係如 圖6所述’配置於層間絕緣膜u與閘極膜絕緣膜ι〇之間。 於本實施形態，如圖6所示，第i導電層8是形成於 曰間絕緣膜11之上。即，修復圖案19係以與顯示信號線5 的同-層所形成，第i導電層8係以與像素電極32的同一 層所形成。修復圖案19係經由設於層間絕緣膜接觸孔 導電層8重疊，而於該重複之區域形成2個接觸孔m。 在此’接觸孔36係配置於密封材12之内側。又，接觸 孔％係形成於m陣列基板101之沒有設對向基板13之區 域。另一方面，接觸孔37係配置於密封材12之内側。在此， 修復圖案19係與各個複數掃描繞引配線4，以在2處交叉的 形態而形成。即’在於沒有設置對向基板13之區域，修復 圖案19與各個掃描繞⑽線4交又。再者，在顯示區域2 與第1導電層8之間，修復圖案19是與各個掃描繞引配線4 交又。如此地，修復圖案19是以橫跨2次各個掃描繞引配 線4的形態而形成。換言之，於密封材12外側之接觸孔％， 由第1導電層8分歧之修復圖案19是在密封材12之外側橫 .跨各個掃描繞引配線4之上後’延設至密封材12内側。再 者延設至密封材12内側之修錢案19,會再度橫跨各個掃 描繞引配線4之上後，於接觸孔37與第i導電層8連接。 在此’修復圖案1 9是延設到設有接觸孔36之側及相反側之 2185-8897-PFl；Ahddub 21 1356959 第〇96119917冑 ⑽年10月11曰修正替換頁 端部，以使修復圖案19橫跨所有的掃描繞引配線4之上、。 因此，例如，接觸孔3 7係配置於與驅動丨c側之端部相反側 之端部附近。 藉由形成如此之修復圖案19，可修復掃描繞引配線4 之紐路。例如’如圖7所示，假設於層間絕緣膜丨丨存在膜 缺陷17’而使掃描繞引配線4a與第！導電層8短路。此時， 若掃描繞引配線4a維持短路之情形，則無法對連接於掃描 繞引配線4之掃描信號線3輸人掃描信號1此，會在顯= 區域2產生線缺陷。可將如此之短路，藉由修復圖案 修復。 a 具體而言’於膜缺陷17之兩側形成導通部2卜23。即， 於密封材12之外側’在掃描繞引配線“與修復圖幸“之 ^又^形成導通部2卜又，於密封材12之内側，在掃描繞 線43與修復圖案19之交又處形成導通部23。導通部 1由係例如藉由在交又處照射雷射（laser)光而形成。即， 雷射光，將短路之掃指繞引配線4a與修 斷然後’將修復圖案19與第1導電層8於切 =2㈣。切斷部22’係形成於導通部2ι、2^修復圖 案19之知部側之£側。呈#而+ ”體而5，於導通部21與接觸孔36 之間开v成1個切斷部22,於導 另-個切斷部22。在此M 接觸孔37之間形成 藉由對切斷部22照射雷射光，可 將G復圖案19由第]。 陷17造成之短路處㈣/ 8 M H 1 ^由膜缺 ?η，兹 八^、，形成2個切斷部於切斷部 配“之2個切斷部20之間，配置因膜缺陷== 2185-8897-PFl；Ahddub 22 丄獨959 第096119917號 議年10月11日修正替換頁 路處°藉此’使掃描繞引配線4a之兩端部分與短路處切離。 切斷部20’係形成於不與第1導電層8重疊之處。

如此地，於短路之掃描繞引配線4a與修復圖案19之交 叉處形成2個導通部21、23。然後，於修復圖案19形成2 個切斷部22 ’且於掃描繞引配線4a形成2個切斷部20。藉 由該等’可繞過（bypass)短路之掃描繞引配線4a之信號路 從。即’於與短路之掃描繞引配線4a連接之掃描信號線3， 以由端子15、掃描繞引配線4a、導通部21、修復圖案丄9、 導通部23、掃描繞引配線4a的順序供給掃描信號。因此， 可對於對應掃描繞引配線4a之掃描信號線3，經由該繞過路 徑輸入掃描信號。藉此，可藉由掃描繞引配線4a與修復圖 案19修復因短路而產生之線缺陷。因此，可提供沒有線缺 陷、而顯示品質高的顯示裝置。 再者，層間絕緣膜11有因形成導通部21、23或切斷部 22時之雷射照射而受損（damage)之情形。於該受損處附著水 分等，且於該受損處附近存在具有不同電位之配線等，則會 在掃描繞引配線4與其配線等間引起腐蝕反應之情形。為防 止如此之腐蝕反應，將導通部個切斷部22形成於不 與對向電極33對向之區域為佳。即，於設有對向電極”之 區域之外側照射雷射光，形成導通部21、及1個切斷部22。 另一方面，將導通部23及另一切斷部22形成在幾乎不會有 水分的浸人之密封材12之_為佳。因此’在較對向基板 13之端邊13a為外側處照射雷射光，形成一個切斷部“及 導通部21。藉此，在沒有設對向電極33之區域，形成丄個 切斷部與導通部21。再者，於密封材12之内侧之顯示區域 2185-8897-PFl;Ahddub 23 1356959 第 096119917 號 2附近照射雷射光，形成另 100年10月11日修正替換頁 一個切斷部22及導通部23。藉 此，形成充填液晶30 ’於幾乎不會有由外部之水分等之浸入 之處形成1個切斷部22及導通部23。因此，可防止於雷射 照射處之電蝕反應’而可提升顯示品質。 藉由於製造步驟組入上述修復步驟，可修復線缺陷。例 如，於檢查第1導電層8與掃描繞引配線4之導通之檢查步 驟，特定與第i導電層8導通之掃描繞引配線4a。檢查^驟 例如可於TFT陣列基板1〇1與對向基板13之黏貼步驟之後 進行。對於與第i導電層8導通之掃描繞引配線4a，形成導 通部2卜23。進-步，形成2個切斷部22，切斷修復圖案 19與第1導電層8。藉此，修復產生短路之不良品，而可使 之進行到下一製造步驟。因此，可提升生產性。再者，檢查 導通之步驟，可例如在將液晶注入、密封注入口之步驟之後 進行。 如此地，藉由設置由第i導電層8分歧之修復圖案19, 可修復第1導電層8與掃描繞引配線4之短路。即，由於可 將修復圖案19’利用作為迴避短路處之冗長配線，可圖謀良 率之改。再者，於上述說明，以關於掃描繞引配線4之構 成為主做了說明，惟對於顯示繞引配線6亦可設置修復圖案 19而修復之。再者，亦可不形成上述接觸孔36、37而修復 短路處。此時，修復圖案19呈不與第丨導電層8電性連接 之漂浮（floating)狀態。於該構成，可不形成切斷部22，而 形成繞過路徑。因此，可簡便地將短路修復。 實施形態3. 於本實施形‘態’與實施例i同樣地，說明關於顯示裝置 2185-8897-PFi;Ahddub 24 1356959 第096119917號 100年10月11日修正替換頁 之一例之液晶顯示裝置。使用圖8 '及圖9說明關於本實施 形態之液晶顯示裝置。圖8係表示液晶顯示面板1之端部之 構成之平面圖’圖9係表不圖8之C_C剖面圖。再者，關於 本實施形態相關液晶顯示裝置之基本構成，’由於與實施形態 1相同，故省略說明。例如，第1導電層8，是在密封材12 之外側’以覆蓋掃描繞引配線4之大致全部的形態而形成。 於本實施形態’掃描繞引配線4，是以第3導電層28

加上第1導電層8來覆蓋。在此’第3導電層28,係於密封 材12之圖案之直下，覆蓋掃描繞引配線4。因此’第1導電 層8，係於密封材1 2之外形端之外側、及内形端之内側離間 配置。換言之，第1導電層8，係沿著密封材12，形成於密 封材12之兩側。然後，於離間之第i導電層8之間的區域， 於層間絕緣膜11上，形成第3導電層28。第3導電層28， 可例如以與像素電極32的同一層來形成。 在此，第1導電層8，雖與實施形態1同樣地，與顯 信號線5以同一層來形成，‘准第3導電層28係形成於層 絕緣膜11之上。料，由於第1導電層8是沿著密封材 形成於密封材12的兩側的區域，故在密封材12直下之 域’比起密封材12之外側之區域及較密封材12之内側之 域’存在於掃域㈣線4與導電層n賴之厚度 厚。即’位於密封材12之直下之區域的第3導電層28盥 描：引配線4之間存在的間極膜絕緣膜!〇及層間絕緣膜 =導二側」 的膜厚為厚*，於密:、=己線4之間的閉極絕緣膜】 在封材12之形成步驟，由於最大巧 2185-8897-PF1;Ahddub 25 1356959 第096119917號 ⑽年1〇月η日修正替換頁 2〇〇/ΖΠ1程度之位移（shifting)，故使導電層與掃描繞引配線 4之絕緣膜較厚的區域，將考慮該位移之離散而設定。 如此地，對於密封材12直下之區域，藉由將絕緣膜較 厚地形成，可減輕在於黏貼步驟之絕緣膜之受損。即，於黏 貼步驟，於TFT陣列基板101與對向基板13之間設密封材 12’ 一邊將兩基板壓接、一邊使密封材12硬化。於該壓接 於密封材12直下，有對絕緣膜產生損傷之情形。特別 是，會有在密封材12為了維持既定的胞隙（ceU gap)(基板 間隔)而含有間隔器之情形。如此之間隔器，例如係以數微 米徑（miCr〇n-slze)之珠（bead)狀，或者棒狀，以玻璃或硬 質樹脂等之硬的材料所構成。此時，於壓接時，在密封材12 直下之層間絕緣膜11，產生傷痕或凹陷等缺陷的可能性高。 有因密封材12直下之層間隔器使第1導電層8與掃描繞引 線系丑路之清形。但疋，於本實施形態，由於形成在掃描 繞引配線4之上層之絕緣膜變厚，故可緩和損傷。 此地於本貫施形態，將覆蓋掃描繞引配線4之導電 層，在讀材直下及其以外，以相異層形成。然後，於密封 材12直下之區域，使絕緣膜之合計膜厚較厚。此時，可僅 增加密封材12直下之絕緣膜之層數，亦可们層以上之絕 緣棋之膜厚變厚。藉此，於密封材12直下之區域可使絕 :膜，合計厚度變厚。因此，可減輕密封材12直下於壓接 k之知傷，而可提升顯示 开』不°。貝。再者，於上述說明，說明了 關於知描繞引配線4,惟關於顯示繞引配線6亦相同。即， 於密封材12直下，將覆蓋顯示繞引配線6之第4導電層29, 以異於第2導電層9之層來形成。藉此使密封材12直下之 2185-8897-PFl;Ahddub 26 !356959 第 096119917 號 絕緣膜之合計膜厚變厚，可读 刚年1〇月11日修正替換頁 ^ 『減fe於密封材12直 損傷。因此，可提升顯示品質。 產生之 . 舟者’於本實施形離，鹿- 繞引配線6與掃描繞引配線4 不頁〜顯不 連接顯示繞引配線6與顯示作號續 …' 為了 第1導電層8與第2導電層9 e j 顯干鸩引配螅fi Η如 疋以相同導電層形成。因此， 顯不繞引配線6,疋以與顯示信號線5同_層之第 9及與像素電極32同-層之第4導電層29來覆蓋。 =地’於形成㈣材12之區域，使存在於 掃描繞引配線4之間之絕缝蹬y甘 ，、 ]之、.邑緣膜較其他區域為厚。藉此 ^因間隔ϋ之缺陷產生。再者’於上述說明，以關於對朴 U配線4之構成為主做了說明，惟對於顯示繞引 广 !:可將密封材f下及其以外，改變上層之絕緣膜之厚L 貫施形態4. 於本實施形態’與實施例丨同樣地，說明關於顯示 之一例之液錢示裝置。使關…圖11說明關於本實施 形態之液晶顯不襄置。圖10係表示液晶顯示面板i 之構成之平面圖’圖11係表示圖10之D-D剖面圖。再者 關於本實施形態相關液晶顯示裝置之基本構成，由於與實施 形態1相同，故省略說明。即，第i導電層8，是在密封: 12之外側’以覆蓋掃描繞引配線4之大致全部的形態而形 成。 於本實施形態，使第i導電層8之圖案端與密封材Μ 之圖案端12a大致-致。即，密封材12之外形端與第^導 電層8内側之圖案端是在大致相同位置。因此，第1導電層 8並未延設至密封材12之内側。再者，於密封材12之直^ 2185-8897-PFl;Ahddub 27 比6959 第 0961199Π 號 100年10月11日修正替換頁 之大部分的區域，並未設置第J導電層8。 尹摩再者’由於在密封材12之形成步驟，最大會有2叫m :又之位移’因此考慮該位移之離散’密封材π與第1導 丄層8 ’如圖U所示，是某種程度重叠（。雷⑽）地形成。 亦可不使第i導電層8與密封材12重疊地形成，而 ’ 6 1導電層8僅配置於密封材12之外側。於如此之情形， 於，封材12之外側與對向電極33對向之區域，第i導電層 腐描繞引配線4之大致所有部分覆蓋。因此，可防止 再者’藉由使之為上述之播&，结，# & β λ ~丄坆之構成，第1導電層8之圖案會 。13此，第1導電層8與掃描繞引配線4之重疊之區域 =積變小°藉此’可減少第1導電層8與掃描繞引配線4 之機率。因此，可提升初期檢查之良率，可提升生產性。 :如’藉由在將液晶注入、密封注入口之步驟之後檢 通，可改善良率。 一 =，於本實施形態，於密封材12使用具有阻障（b町 為佳。即’於密封材12本身使用不容易使水分通 :、。此時’可防止在液晶顯示面板1之外部之水分或 者液體，浸入來封好19 & 材内。如此地，使用可減輕水分浸入 斗材12之材質於掃描繞引配線4與對向電極33間， 2腐钱反應之區域，以密封材12之外側為多。因此，即 止續於！：材12之外側形成第1導電層8之情形，亦可防 止顯不品質之惡化。 在與對向電極33對向且較密封材12之圖案端 -貝之&域’容易發生腐肢應。因此，藉由以該區 2185-8897-PFl；Ahddub 28 1356959 第〇96119_ 叫1Μ Π日修正替換頁 域為中心形成第1導電層8,以可於實用上充分的水準防 止腐蝕反應之發生。再者，由於可減少第丨導電層8與掃描 繞引配線4之重疊面積，故可減低短路之機率。加， 工，防 止因電容之增加之配線負載之增加，可防止信號延遲。藉 此，可提升顯示品質。 實施形態5. 於本實施形態，與實施例！同樣地，說明關於顯示襄置 之-例之液日日日顯示裝置。使㈣12說明關於本實施形態之 液晶顯示裝置。圖12係表示液晶顯示面板i之端部之構成 之平面。再| ’關於本實施形態所關液晶顯示裳置之基本 構成’由於與實施形·態！相同’故省略說明。即，第丄^電 層8,是在密封材12之外側，以覆蓋掃描繞引配線4之大致 全部的形態而形成。 再者，於本實施形態’第1導電層8之圖案形狀與實施 形態4不同。具體而言’掃描繞引配線4與第i導電層8重 疊的面積’是漸漸地變化第i導電層8之圖案，來依照掃描 繞引配線4之配置順序成梯度變化。在此，關於大部分配置 於密封材12之外側之掃描繞引配線4，是使其與第丨導電層 8之重疊面積變寬。另-方面’關於大部分配置於密封材12 之内側之掃描繞引配線4,則使其與第i導電層8之重疊面 積變小。藉由該重疊面積之不同，於掃描繞引配線4之間， 電容會變化。即’藉由重疊面積，使掃描繞引配線4之電容 餐]^(匕，而使心该^的延晋鐵j卜 <进里受化例如，關於大部分配置於密 封材12之外側之掃描繞引配線4，其電容將大大地增加。另 方面Μ於大部分配置於密封材【2之内側之掃描繞引配 2185-88 97-PFl;Ahclciub 29 1356959 第 096119917 號 ^ t 100年10月11日修正替換頁 線4 ’則幾乎沒有電容的增加。 在此’若使重疊面積不同、電容增加量大大地不同之掃 描繞引配、線4鄰接’則會有信號延遲之差出現在顯示之情 形。即，若鄰接之掃描繞引配線4的信號延遲之差大，則在 顯不成為可辨識之程度之像素電位差而產生顯示暈。如此之 清，如上所返，使第i導電層8之圖案形狀漸漸地變化， 使每個掃描繞引@&線4之重疊面積漸漸地變化。藉此，可減 低與連接之掃描繞5丨配線4之間之信號延遲之差。如此地， 根據本實施形態，由於可使掃描繞引配線4之電容增加成梯 度變化，故k號延遲亦會梯度變化。然後，可將該變化減低 至無法於顯不上辨識之水準（level)，可提升顯示品質。 具體而言，關於配線長度長的掃描繞引配線4，僅在密 封材12之外側與第i導電層8重疊。另一方面，關於配線 長較短的掃描繞引配線4,於密封材12之内側亦與第丨導電 層8重疊。然後’關於其間的掃描繞引配線4，於密封材i 2 直下之一部分及外側，與第1導電層8重疊。因此，如圖12 所示第1導電層8之圖案寬度，是因上下方向之位置而異。 於密封材12之直下或内側之區域，使形成第i導電層8之 區域隨著每個掃描繞引配線4而漸漸地減少。 如此地，使掃描繞引配線4與第1導電層8之重複面積 隨著每個掃描繞引配線4而漸漸地減少。例如，以掃描繞引 配線4之設置順序，減少在密封材12之直下及内側之重疊 面積°即’於密封材12之直下及内側，掃描繞引配線4與 第1導電層8之重疊面積’依照掃描繞引配線4之配置順序 變化。藉此’掃描繞引配線4之負載是漸漸地變化。因此， 2l85-8897-PFl；Ahddub 30 丄356959 第 096119917 號 可抑制伴隨負載之變 極之電位差在可辨識 實施形態6. ⑽年心曰修正替 化之信號延遲量之差所產±之像素带 之水準以下。 电 於本實施形態’與實施例i同樣地，說明關於顯 例之液晶顯示裝置。使用圖13說明關於本實施形態之 液日日顯不裝置。圖13将矣+ ¾ a as - 口 w係表不液日日顯不面板丨之端部之構成 之剖面圖，表示圖kA_A剖面。再者，關於本實施形態所 關液晶顯不裝置之基本構成’由於與實施形態1相同，故省 略：明。例如，第i導電層8是在於密封材12之外側，以 覆蓋掃描繞引配線4之大致全部的形態而形成。 如圖13所示，於本實施形態，掃描繞引配線4,是以第 5導電層25加上第1導電層8來覆蓋。帛5導電層25具有 ,致與第1導電層8相同形狀。然後，不是第）導電層8而 是在掃描繞引配線4側，配置第5導電層25而與第i導電 層8重疊。 在此，第5導電層25係藉由與TFT31之半導體層的同 • 一層而形成。因此，第5導電層25形成於覆蓋掃描繞引配 線4之閘極絕緣膜10之上，進一步在其上積層第丨導電層 8。即，於第1導電層8與閘極絕緣膜1 〇之間，設置以與τρτ31 之半導體層同一層形成之半導體圖案（第5導電層25)。因 此，於第1導電層8之下侧，掃描繞引配線4是以半導體圖 案（第5導電層25)來覆蓋。 又，於圖13 ’顯示繞引配線6，是以第6導電層26加 上第2導電層9來覆蓋。第6導電層26具有與第2導電層9 大致相同形狀。然後，不是第2導電層9而是在顯示繞引配 2185-8897-PF1;Ahddub 1356959 第096119917號 100年10月11日修正替換頁 線6側，配置第6導電層26而與第2導電層9重疊。 在此，第6導電層26係藉由與TFT31之半導體層的同 一層而形成。因此，將顯示繞引配線6以與掃描配線3同一 層形成，為了連接顯示繞引配線6與顯示信號線5，而形成 層變換部。藉此，第1導電層8與第2導電層9是以同一層 形成。因此’第6導電層26形成於覆蓋顯示繞引配線6之 閘極絕緣膜10之上。進一步在覆蓋第6導電層26之層間絕 緣膜11上積層第2導電層9。即’於第2導電層9與閘極絕 緣膜10之間’設置以與TFT31之半導體層同一層形成之半 導體圖案（第6導電層26)。因此，於第2導電層9之下側， 掃描繞引配線6是以半導體圖案（第6導電層26)來覆蓋。 再者’於上述說明’說明了關於第2導電層 電極32同一層形成之例，惟亦可如圖14所示以與顯示信號 線5同一層來形成。圖14係表示液晶顯示面板丨之端部之 別的構成之剖面圖，表示圖1之A — A剖面。此時，第2導電 層9係以與顯示信號線5及第丨導電層8同一層來形成。因 此，第6導電層26形成於覆蓋顯示繞引配線6之閘極絕緣 膜10之上’進-步在其上積層帛2導電層9。作為第5、第 6導電層25、26，可使用例如非晶石夕（___ s i i i c〇n)。 如此地，於本實施形態，以與半導體層同一層形成之第 5導電層25,設於第i導電層8與閘極膜絕緣膜1〇之間。 即，在較第1導電層8為下側處，掃描繞引配線4以較第【 :電層8導電度低的第5導電層25來覆蓋。藉此，可減低 第1導電層8與掃描繞引配線4短路之機率，可提升良率。 例如，可藉由在將液晶注入、穿 續，主入口之步驟之後檢查導 2185-8897-PFl;Ahddub 32 1356959 "096119917 ^ ⑽㈣月n日修正替換頁 通，防止不良品進人下-製造步驟，可提升生產性。又，關 於顯示繞引配線6，亦可有同樣的效果。 再者，於實施形態6，例示說明了關於第j導電層8之 圖案形狀與實施形態i同樣之情形，惟並非限定於此者。例 如’亦可具有與實施形態2〜5同樣的圖案形狀，可適宜將該 等組合°又’於實施形態卜6 ’說明了在掃描繞引配線4與 對向電極33對向之大致所有區域形成第i導電層8之情形， 准並非限定於此者。亦可於掃描繞引配線4與對向電極犯 對向之—部分的區域形成第！導電層8,剩下的大致所有區 域以樹脂塗層冑防止掃描繞引配線之腐钱。在邊框區域Μ 之中、構裝驅動1C之TFT陣列基板1〇1之端邊，相對較容 易做樹月日塗層。此時’於難以樹脂塗層之區域^ c構裝區域 以外之邊’形成第i導電層8為佳。上述說明，關於顯示繞 引配線6亦相同。 【圖式簡單說明】 圖1係表不關於實施形態丨之液晶顯示裝置之液晶顯示 面板之端部之構成之平面圖。 圖2係圖1之a-a剖面圖。 圖3係表示TFT陣列基板之缺陷附近之構成之剖面圖。 圖4係表示TFT陣列基板之輕微的缺陷附近之構成 面圖。 圖5係表示關於實施形態2之液晶顯示裝置之液晶顯示 面板之端部之構成之平面圖。 圖6係圖5之B-B剖面圖。 2185-8897-pF1 / Ahddub 33 1356959 第096119917號 100年10月11曰修正替換頁 圖7係表示在關於實施形態2之液晶顯示裝置，修復斷 線後之液晶顯示面板之構成之圖。 圖8A表示關於實施形態3之液晶顯示裝置之液晶顯示 面板之端部之構成之平面圖。 圖9係圖8之C-C剖面圖。 圖1 〇係表示關於實施形態4之液晶顯示裝置之液晶顯 不面板之端部之構成之平面圖。 圖Π係圖1 〇之d-d剖面圖。 圖12係表示關於實施形態5之液晶顯示裝置之液晶顯 示面板之端部之構成之平面圖。 “ 圖13係表示關於實施形態6之液晶顯示裝置之液晶顯 示面板之端部之構成之剖面圖。 圖14係表示關於實施形態6之液晶顯示裝置 -〜瓜日日顯 /、板之端部之別的構成之剖面圖。 主要元件符號說明】 1~液晶顯示面板； 2a〜顯示區域之端邊； 掃描繞引配線； 6〜顯示繞引配線； 8〜第1導電層； 1〇〜閘極絕緣膜； 12〜密封材； 丄3〜對向基板； 15〜端子； 2〜顯不區域； 3 ~掃描信號線； 5〜顯示信號線； 7 ~共通配線； 9 ~第2導電層； 11〜層間絕緣膜； 12a〜密封材之圖案端 13a〜對向基板之端邊 16〜轉移電極； 34 2l85-8897-PFl；Ahddub 1356959 第096119917號 100年10月11日修正替換頁 17〜膜缺陷； 18〜覆盖缺陷； 19〜修復圖案； 20〜切斷部； 21~導通部； 22〜切斷部； 23〜導通部； 25〜第5導電層； 26~第6導電層； 28~第3導電層； 29〜第4導電層； 3 0〜液晶， 31-TFT ； 32〜像素電極； 3 3〜對向電極； 3 6〜接觸孔； 37〜接觸孔； 5 0〜邊框區域， 101〜TFT陣列基板。

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Claims (1)

1356959 第 096119917 號 100年10月11日修正替換頁 十、申請專利範圍： 1. 一種顯示裝置，包括： 陣列基板’其具有像素電極； 對向基板，其係對向配置於上述陣列基板，具有對向電 極； 毯、封材，其係包圍顯示區域地形成，黏貼上述陣列基板 與上述對向基板者；及 顯示材料，其係設於上述陣列基板與上述對向基板及上 述密封材所形成之空間者， 於上述陣列基板之上，包括： 複數掃描信號線，其係形成於上述顯示區域； 複數顯不信號線，其係形成於上述顯示區域，與上述複 數掃描信號線交又； 開關（switching)元件，其係矩陣（matrix)狀配置於上 述顯示區域内，與上述掃描信號線與上述顯示信號線連接； 複數掃描繞引配線，其係設在配置於上述顯示區域之外 側之邊框區域，對應上述複數掃描信號線而設； 絕緣膜，其係設於上述複數掃描繞引配線之上；及 導電層，形成於上述絕緣膜上，供給既定的電位；其中 上述導電層是於上述密封材之外側，覆蓋與上述對向電 極對向配置的區域之上述複數掃描繞引配線而形成。 2. 如申請專利範圍第丨項所述的顯示裝置，其中包括配 置於上述導電層之顯示區域側之修復圖案; 上述修復圖案，與各個上述複數繞引配線交又。 3. 如申請專利範圍第1或2項所述的顯示裝置，其中上 2185-8897-PFl；Ahddub 36

第 096119917 號 述導電層還配置於密封材之直下； 100年10月11日修正替換頁 形成有上述導電層之區域之中，在上述密封材之下層區 德’比起上述密封材之外形端鄰近的下層區域，存在於上述 *描繞引配線與上述導電層間之絕緣膜之厚度較厚。 ….4·如申請專利範㈣1或2項所述的顯示裝置，其中上 述導電層延設至上述密封材之内側； 於上述密封材之直 述導電層重疊之面積， 化。 下' 及内側，上述掃描繞引配線與上 依上述掃描繞引配線之配置順序變 5.如申請專利範圍第丨或2項 上述密封材之圖案之外形端，與上 6·如申請專利範圍第1或2項 述導電層是透明導電膜。 所述的顯示裝置，其中使 述導電層之圖案端一致。 所述的顯示裝置，其中上 如申請專利範圍第丨項所述的顯示裝置 |匁，卜衣罝，吳中< 述¥電層之既定電位係供給上述對向電極之共通電位。 8.如申請專利範圍第i項所述的顯示裝置，其中 電位係與供給上述對向電極之共通電：之 平均電位相等之電位。 τ伢給上 述導雪Γ請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中供給上 …定電位係與顯示信號線之顯 心電位相等之電位。 之中 導電 成0 10.如申請專利範圍第丨項所述的顯示裝置， 層係以與上述顯示信號線、或上述像素電極 其中上述 同一層形 11.如申請專利範圍第 1項所述的顯示裝置，其中上述 2185-8897-PFl；Ahddub 37 1356959 第096119917號 100年10月11日修正替換頁 開關元件係薄膜電晶體（trails i stor)，上述導電膜係以與上 述薄膜電晶體之半導體層同一層形成。 12.如申請專利範圍第1或10項所述的顯示裝置，其中 上述開關元件係薄膜電晶體，以與上述薄膜電晶體之半導體 層同一層形成之圖案，設於上述導電層與上述絕緣膜層之 間。 2185-8897-PFl;Ahddub 38 1356959 第096119917號 100年10月I1日修正替換頁 七、指定代表圖： (一） 本案指定代表圖為：第（1)圖。 (二） 本代表圖之元件符號簡單說明： 1~液晶顯示面板； 2〜顯示區域； 2a〜顯示區域之端邊； 3〜掃描信號線； 4〜掃描繞引配線； 5~顯示信號線； 6〜顯示繞引配線； 7〜共通配線； 8〜第1導電層； 9〜第2導電層； 12〜密封材； 12a'•役封材之圖案端； 13〜對向基板； 13a〜對向基板之端邊； 15〜端子； 1 6〜轉移電極； 31-TFT ； 3 2〜像素電極； 3 3〜對向電極； 101-TFT陣列基板。 5 0〜邊框區域； 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： 無。 2185-8897-PFl；Ahddub 4