JP5532944B2 - 電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器 Download PDF

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Description

本発明は、例えば液晶表示装置等の電気光学装置に用いられる電気光学装置用基板、該電気光学装置用基板を備える電気光学装置、及び該電気光学装置を備える、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
この種の電気光学装置では、電極の電蝕を防止することが図られる。例えば特許文献1には、第1の基板と第2の基板との間にシール材によって液晶層を封入した、本発明に係る電気光学装置の一例としての、液晶パネルであって、画素部を形成する電極に電気信号を印加するための引出電極のうちシール部材の外側に配設された引出電極を覆う薄膜絶縁層を設けた液晶パネルが記載されている。
特開2008−134670号公報
しかしながら、特許文献1によれば、製造された液晶パネルが実際に使用されている際に、水分によって生じる引出電極の電蝕を防止することに主眼を置いている。このため、特許文献1に記載の技術では、電気光学装置の製造工程において生じる電極の電蝕を抑制することが極めて困難であるという技術的問題点がある。
本発明は、例えば上記問題点に鑑みてなされたものであり、電気光学装置の製造工程における電極の電蝕の発生を抑制することができる電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器を提供することを課題とする。
本発明の電気光学装置用基板は、上記課題を解決するために、基板上に、複数の画素部と、前記複数の画素部が配列された画素領域の周辺に位置する周辺領域に設けられ、第1導電性材料を含んでなる複数の第1電極と、前記周辺領域に設けられ、前記第1導電性材料とは異なる第2導電性材料を含んでなる複数の第2電極と、前記周辺領域に形成され、前記第1導電性材料を含んでなり、前記複数の第1電極のうち相隣接する第1電極同士を電気的に接続する複数の第1配線と、前記周辺領域に形成され、前記複数の第1電極のうち少なくとも一つの第1電極及び前記複数の第2電極のうち少なくとも一つの第2電極間を電気的に接続する第2配線とを備え、前記第2配線の電気抵抗は、前記複数の第1配線の電気抵抗よりも高い。
本発明の電気光学装置用基板によれば、例えば石英基板等の基板上に、複数の画素部が、例えばマトリックス状に配列されている。基板上の複数の画素部が配列された画素領域の周辺に位置する周辺領域には、複数の第1電極、複数の第2電極、複数の第1配線及び第2配線が設けられている。
複数の第1電極は、例えばアルミニウム等の第1導電性材料を含んでなる。他方、複数の第2電極は、例えばITO(Indium Tin Oxide)等の、第1導電性材料とは異なる第2導電性材料を含んでなる。
複数の第1配線の各々は、第1導電性材料を含んでなり、複数の第1電極のうち相隣接する第1電極同士を電気的に接続する。第2配線は、複数の第1電極のうち少なくとも一つの第1電極と、複数の第2電極のうち少なくとも一つの第2電極との間を電気的に接続する。
本発明では特に、第2配線は、その電気抵抗が、複数の第1配線の電気抵抗よりも高くなるように構成されている。ここで、第2配線の電気抵抗を第1配線の電気抵抗より高くする方法としては、例えば、(i)第2配線の幅を第1配線の幅よりも狭くする、(ii)第2配線の長さを第1配線の長さよりも長くする、(iii)第2配線を、第1配線を構成する第1金属の電気抵抗率よりも高い電気抵抗率を有する導電性材料で構成する、等が挙げられる。
本発明の発明者の研究によれば以下の事項が判明している。即ち、製造工程において、互いに異なる導電性材料で構成された二種類の電極が相互に電気的に接続されており、且つ該二種類の電極が基板表面に露出されている状態で、例えば基板洗浄のために洗浄液が基板上に供給されると、二種類の電極の各々を構成する導電性材料相互間のイオン化傾向の違いに起因して、電蝕現象が生じるおそれがある。この結果、電気光学装置用基板の歩留まりが低下したり、該電気光学装置用基板を備える電気光学装置の信頼性が低下したりするおそれがある。
しかるに本発明では、上述の如く、第2配線が、その電気抵抗が、複数の第1配線の電気抵抗よりも高くなるように構成されている。このため、仮に、製造工程において、第1電極及び第2電極が相互に電気的に接続され、且つ第1電極及び第2電極が基板表面に露出されている状態で、洗浄液が基板上に供給されたとしても、第1電極及び第2電極間における電荷の移動が抑制されるため、電蝕現象の発生が抑制される。
この結果、本発明の電気光学装置用基板によれば、製造工程における電極の電蝕の発生を抑制することができる。加えて、電気光学装置用基板の歩留まりの低下を抑制したり、該電気光学装置用基板を備える電気光学装置の信頼性の低下を抑制したりすることができる。
本発明の電気光学装置用基板の一態様では、前記基板は、複数の導電層を含んでなる積層構造を有しており、前記複数の第1電極、前記複数の第2電極及び前記複数の第1配線は、前記複数の導電層のうち一の導電層の少なくとも一部を構成しており、前記第2配線は、前記複数の導電層のうち他の導電層の少なくとも一部を構成している。
この態様によれば、基板が複数の導電層を含んでなる積層構造を有しているので、当該電気光学装置用基板の高性能化及び小型化を図ることができ、実用上非常に有利である。
本発明の電気光学装置用基板の他の態様では、前記基板上で平面的に見て、前記第2配線の幅は、前記複数の第1配線の幅よりも狭い。
この態様によれば、比較的容易にして、第2配線の電気抵抗を第1配線の電気抵抗より高くすることができ、実用上非常に有利である。
本発明の電気光学装置用基板の他の態様では、前記第2配線の長さは、前記複数の第2電極のうち相隣接する第2電極間の距離よりも長い。
この態様によれば、比較的容易にして、第2配線の電気抵抗を第1配線の電気抵抗より高くすることができ、実用上非常に有利である。
本発明の電気光学装置用基板の他の態様では、前記第2配線は、前記第1導電性材料の電気抵抗率よりも高い電気抵抗率を有する導電性材料を含んでなる。
この態様によれば、比較的容易にして、第2配線の電気抵抗を第1配線の電気抵抗より高くすることができ、実用上非常に有利である。
本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置用基板(但し、その各種態様を含む)を備える。
本発明の電気光学装置によれば、上述した本発明の電気光学装置用基板を備えてなるので、製造工程における電極の電蝕の発生を抑制することができる。この結果、信頼性の高い電気光学装置を提供することができる。
本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を備える。
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を備えてなるので、製造工程における電極の電蝕の発生を抑制することができる。この結果、高品位の画像を表示可能な投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサー、ビューファインダー型又はモニター直視型のビデオテープレコーダー、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための形態から明らかにされる。
本発明の実施形態に係る液晶装置を、TFTアレイ基板上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。 図1のH−H´線断面図である。 本発明の実施形態に係るTFTアレイ基板を平面的に見た平面図である。 図3のA−A´線断面図である。 本発明の実施形態に係るTFTアレイ基板の一部を拡大して示す拡大平面図である。 本発明の実施形態の第1変形例に係るTFTアレイ基板の一部を拡大して示す拡大平面図である。 本発明の実施形態の第2変形例に係るTFTアレイ基板の一部を拡大して示す拡大断面図である。 電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。
以下、本発明に係る電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器の各実施形態を、図面に基づいて説明する。尚、以下の図では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材毎に縮尺を異ならしめている。
<電気光学装置>
本発明に係る電気光学装置の実施形態を、図1乃至図5を参照して説明する。また、本実施形態では、電気光学装置の一例として、駆動回路内蔵型のアクティブマトリックス駆動方式の液晶装置を例に挙げる。
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図1及び図2を参照して説明する。図1は、本発明の実施形態に係る液晶装置を、TFT(Thin Film Transistor)アレイ基板上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図であり、図2は、図1のH−H´線断面図である。
図1及び図2において、本実施形態に係る液晶装置100では、TFTアレイ基板10及び対向基板20が対向配置されている。TFTアレイ基板10は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の基板からなり、対向基板20は、例えば、石英基板、ガラス基板等の基板からなる。TFTアレイ基板10と対向基板20との間に液晶層50が封入されており、TFTアレイ基板10と対向基板20とは画像表示領域10aの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材52により相互に接着されている。
シール材52は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂、又は紫外線・熱併用型硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてTFTアレイ基板10上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材52中には、TFTアレイ基板10と対向基板20との間隔(即ち、ギャップ)を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。尚、ギャップ材を、シール材52に混入されるものに加えて若しくは代えて、画像表示領域10a又は画像表示領域10aの周辺に位置する周辺領域に、配置するようにしてもよい。
図1において、シール材52が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域10aを規定する遮光性の額縁遮光膜53が、対向基板20側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜53の一部又は全部は、TFTアレイ基板10側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
周辺領域のうち、シール材52が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路101及び外部回路接続端子102がTFTアレイ基板10の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側にサンプリング回路7が額縁遮光膜53に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路104は、この一辺に隣接する2辺に沿ったシール領域の内側の額縁領域に、額縁遮光膜53に覆われるようにして設けられている。
TFTアレイ基板10上には、対向基板20の4つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材107で接続するための上下導通端子106が配置されている。これらにより、TFTアレイ基板10と対向基板20との間で電気的な導通をとることができる。更に、外部回路接続端子102と、データ線駆動回路101、走査線駆動回路104、上下導通端子106等とを電気的に接続するための引回配線90が形成されている。
図2において、TFTアレイ基板10上には、駆動素子である画素スイッチング用のトランジスタや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。この積層構造の詳細な構成については図2では図示を省略してあるが、この積層構造の上に、ITO等の透明材料からなる画素電極9aが、画素毎に所定のパターンで島状に形成されている。
画素電極9aは、後述する対向電極21に対向するように、TFTアレイ基板10上の画像表示領域10aに形成されている。TFTアレイ基板10における液晶層50の面する側の表面、即ち画素電極9a上には、配向膜16が画素電極9aを覆うように形成されている。
対向基板20におけるTFTアレイ基板10との対向面上に、遮光膜23が形成されている。遮光膜23は、例えば対向基板20における対向面上に平面的に見て、格子状に形成されている。対向基板20において、遮光膜23によって非開口領域が規定され、遮光膜23によって区切られた領域が、例えばプロジェクタ用のランプや直視用のバックライトから出射された光を透過させる開口領域となる。尚、遮光膜23をストライプ状に形成し、該遮光膜23と、TFTアレイ基板10側に設けられたデータ線等の各種構成要素とによって、非開口領域を規定するようにしてもよい。
遮光膜23上に、ITO等の透明材料からなる対向電極21が複数の画素電極9aと対向して形成されている。遮光膜23上に、画像表示領域10aにおいてカラー表示を行うために、開口領域及び非開口領域の一部を含む領域に、図2には図示しないカラーフィルタが形成されるようにしてもよい。対向基板20の対向面上における、対向電極21上には、配向膜22が形成されている。
尚、図1及び図2に示したTFTアレイ基板10上には、これらのデータ線駆動回路101、走査線駆動回路104、サンプリング回路7等に加えて、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
次に、本実施形態に係るTFTアレイ基板について、図3及び図4を参照して説明を加える。図3は、本実施形態に係るTFTアレイ基板を平面的に見た平面図であり、図4は、図3のA−A´線断面図である。尚、図3及び図4では、説明の便宜上、直接関係のある部材のみ図示しており、他の部材については図示を省略している。
図3において、TFTアレイ基板10上の画像表示領域10aの周辺に位置する周辺領域には、例えばアルミニウム及び銅の合金(以降、適宜“Al/Cu”と称する)等を含んでなる複数の上下導通端子106と、該複数の上下導通端子106のうち相隣接する上下導通端子106同士を電気的に接続する電位線220と、例えばITO等を含んでなる複数の抑制パターン210と、が形成されている。複数の抑制パターン210は、複数の上下導通パターン106及び電位線220の内側であり、画素領域10aの外側の領域に形成される。
尚、電位線220は、外部回路接続端子102のうち、例えば共通電極電位(例えば7V)を供給する端子に電気的に接続されている。
図4に示すように、層間絶縁膜43を介して、上下導通端子106等の下層には、電位線230が形成されている。該電位線230により、上下導通端子106と抑制パターン210の少なくとも一部とが電気的に接続されている。尚、図4に示すように、電位線230の一部を構成し、上下導通端子106と抑制パターン210との間を電気的に接続する電位線接続部231は、その長さが、抑制パターン210のうち相隣接する抑制パターン210同士間の距離よりも長くなるように構成されている。
層間絶縁膜42を介して、電位線230の下層には、電位線240が形成されている。該電位線240は、外部回路接続端子102のうち、例えば高電位(例えば15V)を供給する端子に電気的に接続されている。
尚、層間絶縁膜41を介して、電位線240の下層には、例えば走査線(図示せず)等が形成されている。各層間絶縁膜41、42及び43は、各要素間が短絡することを防止している。
本実施形態では特に、電位線230の一部を構成する電位線接続部231の電気抵抗が、電位線220の電気抵抗よりも高くなるように構成されている。具体的には、図5に示すように、TFTアレイ基板10上で平面的に見て、電位線接続部231の幅が、電位線220の幅よりも狭くなるように構成されることによって、電位線接続部231の電気抵抗が、電位線220の電気抵抗よりも高くなるように構成されている。
尚、図5は、本実施形態に係るTFTアレイ基板の一部を拡大して示す拡大平面図である。
本発明の発明者の研究によれば、以下の事項が判明している。即ち、液晶装置100の駆動時において、電位線240の電位は、例えば15Vであり、対向電極21(図2参照)の電位は、例えば7Vであるため、仮に抑制パターン210が形成されていないとすると、電位線240と対向電極21との間に生じる電界に起因して、液晶分子の配列の固定(所謂、焼き付き)が発生する可能性がある。電位線240の上層側に、抑制パターン210を形成すると共に、該抑制パターン210の電位を対向電極21の電位と同じにすることにより、焼き付きの発生を抑制することができる。
抑制パターン210の電位を、対向電極21の電位と同じにするために、液晶装置100の製造工程において、抑制パターン210と上下導通端子106とが互いに電気的に接続される。ここで、例えばITOを含んでなる抑制パターン210と、例えばAl/Cuを含んでなる上下導通端子106とが互いに電気的に接続されており、且つ抑制パターン210及び上下導通端子106が基板表面に露出されている状態で、例えば基板洗浄のために洗浄液が基板上に供給されると、抑制パターン210及び上下導通端子106の各々を構成する導電性材料相互間のイオン化傾向の違いに起因して、本実施形態の場合には、主にイオン化傾向の高いITOで形成された抑制パターン210側に電蝕現象が生じる可能性がある。
しかるに本実施形態では、上述の如く、電位線接続部231の電気抵抗が、電位線220の電気抵抗よりも高くなるように構成されている。このため、仮に、液晶装置100の製造工程において、抑制パターン210及び上下導通端子106が互いに電気的に接続されており、且つ抑制パターン210及び上下導通端子106が基板表面に露出されている状態で、洗浄液が基板上に供給されたとしても、抑制パターン210及び上下導通端子106間における電荷の移動が抑制されるため、電蝕現象の発生を抑制することができる。
尚、図5に示したように、電位線接続部231の幅を電位線220の幅よりも狭くすることによって、電位線接続部231の電気抵抗を電位線220の電気抵抗よりも高くすることに代えて又は加えて、電位線接続部231を、電位線220を構成する、例えばAl/Cuの電気抵抗率よりも高い電気抵抗率を有する導電性材料で構成することによって、電位線接続部231の電気抵抗を電位線220の電気抵抗よりも高くしてもよい。さらに、電位線接続部231の幅は電位線230と同等として、電位線230の幅方向の中ほどに開口を設けることによって電位線接続部231の電気抵抗を高くしてもよい。また、電位線接続部231以外の電位線230、即ち抑制パターン210同士を電気的に接続する部分は、電気抵抗を高くする必要は無い。このことにより、抑制パターン210同士における電位を均一に近づけることができ、画素領域10aの外側の周辺領域であっても液晶の配向状態のムラを抑制することができる。
また、本実施形態では、全ての抑制パターン210を電位線230で電気的に接続する必要はなく、図4に示したように、例えば、上下導通端子106と近い位置に配置される抑制パターン210は電気的に接続されていない。このようにすることによっても、上下導通端子106と電気的に接続される抑制パターン210との距離を確保して、電気抵抗を高くすることが可能となる。導電接続されない抑制パターン210であっても、画素領域10aと周辺領域との段差を無くすことができ、上層に形成される絶縁膜などの平坦化が容易になる。
尚、本実施形態に係る「TFTアレイ基板10」、「画像表示領域10a」、「上下導通端子106」、「抑制パターン210」、「電位線220」、「電位線接続部231」、「AL/Cu」及び「ITO」は、夫々、本発明に係る「基板」、「画素領域」、「第1電極」、「第2電極」、「第1配線」、「第2配線」、「第1導電性材料」及び「第2導電性材料」の一例である。また、図4において、TFTアレイ基板10から、上下導通端子106及び抑制パターン210等までの部分が、本発明に係る「電気光学装置用基板」の一例を構成している。
<第1変形例>
次に、本実施形態に係る液晶装置の第1変形例について、図6を参照して説明する。図6は、本実施形態の第1変形例に係るTFTアレイ基板の一部を拡大して示す拡大平面図である。
本変形例では、図6に示すように、TFTアレイ基板10上で平面的に見て、電位線接続部231が蛇行するように形成されている。このため、電位線接続部231の電気抵抗を電位線220の電気抵抗よりも高くすることができる。この結果、液晶装置100の製造工程における電蝕現象の発生を抑制することができる。
<第2変形例>
次に、本実施形態に係る液晶装置の第2変形例について、図7を参照して説明する。図7は、本実施形態の第2変形例に係るTFTアレイ基板の一部を拡大して示す拡大断面図である。
本変形例では、図7に示すように、複数の導電層の各々に形成された複数の導電パターンがコンタクトホールを介して互いに電気的に接続されることによって、電位線接続部231が構成されている。このため、電位線接続部231の電気抵抗を電位線220の電気抵抗よりも高くすることができる。この結果、液晶装置100の製造工程における電蝕現象の発生を抑制することができる。
<電子機器>
次に、図8を参照しながら、上述した液晶装置を電子機器の一例であるプロジェクタに適用した場合を説明する。上述した液晶装置100は、プロジェクタのライトバルブとして用いられている。図8は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。
図8に示すように、プロジェクタ1100内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット1102が設けられている。このランプユニット1102から射出された投射光は、ライトガイド1104内に配置された4枚のミラー1106および2枚のダイクロイックミラー1108によってRGBの3原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル1110R、1110Bおよび1110Gに入射される。
液晶パネル1110R、1110Bおよび1110Gの構成は、上述した液晶装置100と同等の構成を有しており、画像信号処理回路から供給されるR、G、Bの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム1112に3方向から入射される。このダイクロイックプリズム1112においては、RおよびBの光が90度に屈折する一方、Gの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ1114を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
ここで、各液晶パネル1110R、1110Bおよび1110Gによる表示像について着目すると、液晶パネル1110R、1110Bによる表示像は、液晶パネル1110Gによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
尚、液晶パネル1110R、1110Bおよび1110Gには、ダイクロイックミラー1108によって、R、G、Bの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
尚、図8を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピューターや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダー型又はモニター直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
9a…画素電極、10…TFTアレイ基板、10a…画像表示領域、20…対向基板、21…対向電極、41、42、43…層間絶縁膜、50…液晶層、52…シール材、53…額縁遮光膜、100…液晶装置、101…データ線駆動回路、102…外部回路接続端子、104…走査線駆動回路、106…上下導通端子、210…抑制パターン、220、230、240…電位線、231…電位線接続部

Claims (7)

  1. 画像を表示する画像表示領域を備えた基板と、
    前記基板の一辺と前記画像表示領域との間の部分に設けられた、第1導電性材料を含む第1電極と、
    前記基板の一辺と前記画像表示領域との間の部分に設けられ、前記第1導電性材料とは異なる材料である第2導電性材料を含む第2電極と、
    前記基板の一辺と前記画像表示領域との間の部分、かつ、前記第1電極と同一の層に設けられ、前記第1電極と同一の材料を含む第3電極と、
    前記第1電極と前記第3電極とを電気的に接続する第1配線と、
    前記第1電極と前記第2電極とを電気的に接続する第2配線と、を有し、
    前記第2配線の電気抵抗は、前記第1配線の電気抵抗よりも高いことを特徴とする電気光学装置用基板。
  2. 請求項1に記載の電気光学装置用基板において、
    前記第1配線は、前記第2配線とは異なる層に設けられていることを特徴とする電気光学装置用基板。
  3. 請求項1または2に記載の電気光学装置用基板において、
    前記第1配線は、前記基板に垂直な方向から見た平面視において、前記第1配線の最も狭い幅である第1幅を有し、
    前記第2配線は、前記基板に垂直な方向から見た平面視において、前記第2配線の最も狭い幅である第2幅を有し、
    前記第2幅は、前記第1幅よりも小さいことを特徴とする電気光学装置用基板。
  4. 請求項1乃至3のいずれかに記載の電気光学装置用基板において、
    前記基板の一辺と前記画像表示領域との間の部分、かつ、前記第2電極と同一の層に設けられ、前記第2電極に最も近接した位置にある第4電極を有し、
    前記第4電極は、前記第2電極と同一の材料を含み
    前記第2配線の長さは、前記第2電極と前記第4電極との間の距離よりも長いことを特徴とする電気光学装置用基板。
  5. 請求項1乃至4のいずれかに記載の電気光学装置用基板において、
    前記第1配線は、第3導電性材料を含み、
    前記第2配線は、第4導電性材料を含み、
    前記第4導電性材料の電気抵抗率は、前記第3導電性材料の電気抵抗率よりも高いことを特徴とする電気光学装置用基板。
  6. 請求項1乃至5のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板を備えることを特徴とする電気光学装置。
  7. 請求項6に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
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