JP4439004B2 - アクティブマトリクス基板およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、アクティブマトリクス基板およびその製造方法に関し、特に液晶表示（ＬＣＤ）パネルのようなフラット表示パネルに使用されるアクティブマトリクス基板およびその製造方法に関するものである。

液晶表示（ＬＣＤ）パネルのようなフラット表示パネル用のアクティブマトリクス基板は、マトリクス状に配置された画素電極と共に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のようなスイッチング素子を備えている。なお、薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリクス基板を以降ではＴＦＴ基板と称す。

従来、携帯電話にはＳＴＮ型液晶表示パネルが用いられていたが、ＴＦＴ液晶表示パネルを用いた比率が増加している。携帯電話に用いられている表示パネルのサイズは２インチ前後が一般的で小型軽量を実現している。

当然のことながら携帯電話の市場においてもコストダウンや小型化の要求が強く、これらの要求に対応するための技術開発が行われている。例えば、特許文献１等には、ＴＦＴ液晶表示パネルでは信号線（ドレイン配線）用の引き出し配線と走査線（ゲート配線）用の引き出し配線をＴＦＴ基板の同じ一辺上に導出し、小型化を図る技術が開示されている。

ＦＩＧ．４を参照すると、ＴＦＴ基板１１の一つの辺部に信号線引き出し配線２Ａと走査線引き出し配線２Ｂが導出されている。これらの引き出し配線は、コンタクトホール１０を介してＴＦＴ基板１１の層間絶縁膜上のＩＴＯ膜（表示していない）と電気的に接続している。そして、それぞれの引き出し配線の端子と接続された、ＩＴＯ膜が形成されたコンタクトホール１０には導電性樹脂６を介して走査線用ドライバーＩＣ１３および信号線用ドライバーＩＣ１４が実装されている。ＴＦＴ基板１１の上には該基板に対向してカラーフィルタ（以下、ＣＦと称す）基板９が配置されている。そして、これらの基板間には液晶層（表示していない）が挿入されて液晶表示パネル２００が構成されている。

特開２００３−０６６４７４号公報

図４のような液晶表示パネル２００では、図１の引き出し配線部の断面図に示すように、引き出し配線２上には第１の層間絶縁膜３および第２の層間絶縁膜４が形成されている。そして、引き出し配線２の端部近傍には、第１の層間絶縁膜３中に微小ではあるがボイド１６が生じやすく、このボイドは第２の層間絶縁膜４の表面まで達することがあった。ボイド１６は、第１の層間絶縁膜３の引き出し配線部エッジのステップカバレッジが悪いために発生しやすい。第１の層間絶縁膜３にボイドが発生するとこれが第２の層間絶縁膜４中に成長し、第２の層間絶縁膜４の表面まで達する。

そして、図４のような液晶表示パネル２００では、ドライバーＩＣの搭載面積を減らし、コストダウンを図るために走査線用ドライバーＩＣ１３と信号線用ドライバーＩＣ１４を一体化したものも登場しつつある。図４のような、従来の液晶表示パネル２００では、走査線用ドライバーＩＣ１３と信号線用ドライバーＩＣ１４が別々に用いられていた。このときの駆動は、図２に示す通り、走査線用ドライバーＩＣ１３を介してゲート電圧１８としてＴＦＴ書き込み電圧約１０〜２０Ｖを２０μｓｅｃ程度印加し、保持電圧約−２０Ｖ〜−１０Ｖを１５０００〜２００００μｓｅｃ印加する。そして、走査線用ドライバーＩＣ１３のベース電位は常に保持電圧に維持していた。また、信号線用ドライバーＩＣ１４にはドレイン電圧１９として約−３Ｖ〜＋３Ｖ程度を交互に印加していた。これは液晶の焼き付け防止のためである。

２つのドライバーＩＣ１３，１４を一つのドライバーＩＣに一体化すればドラーバーＩＣの搭載面積が減少し、コストダウンを図ることができる。ところが上述のドライバーＩＣを一体化するにあたりひとつのドライバーＩＣで信号線と走査線に電圧を印加することになり、ドライバーＩＣのベース電位は、信号線用の電圧で維持されることになった。また、ＴＦＴ基板にドライバーＩＣを実装する際は、図３に示すように異方導電性フィルム（ＡＣＦ）等の導電性樹脂６が使用される。導電性樹脂６は、直接加熱することはせずドライバーＩＣのみを加熱していた。導電性樹脂６は、その材質から内部に水分を吸収している。導電性樹脂６が、十分加熱されない場合、内部に水分が残存することになる。ドライバーＩＣ７はＩＴＯ膜５が形成されたコンタクトホール１０を介して端子電極に電気的に接続される。ＴＦＴ基板上にドライバーＩＣ７を重ね接合するために導電性樹脂６はドライバーＩＣ７よりもはみ出した位置関係となりドライバーＩＣ７より遠ざかるほど導電性樹脂６内部の残存水分量が多くなる。

上述の条件のため図３に示す通り走査線となるゲート配線側はベース電位であるマイナス電位となる。また導電性樹脂６中には水分が存在する。この水分が第１の層間絶縁膜３および第２の層間絶縁膜４中のボイドを通じて引き出し配線２表面に達する。そして、引き出し配線２は水分の解離によって生成した水酸イオンによって水和して消失し、電気的接続不良を引き起こす問題があった。

従って、本発明の目的は、上記の従来の信号線用のドライバーＩＣと走査線用のドライバーＩＣを一体化した液晶表示パネルの引き出し配線の水和による消失の問題点（電気的接続不良）が解消できるアクティブマトリクス基板およびその製造方法を提供することにある。

本発明のアクティブマトリクス基板は、透明絶縁基板上に液晶表示パネル用スイッチング素子を備え、透明絶縁基板上の一辺部にスイッチング素子の信号線および走査線に接続された引き出し配線が導出される。そして、該引き出し配線の先端部に該引き出し配線と一体化した導電端子と、該導電端子上に該導電端子に接続された複数のコンタクトホールを備える。コンタクトホールは、導電性樹脂を介して上記信号線および走査線を駆動する一つの駆動デバイスに接続される。該複数のコンタクトホール近傍の各引き出し配線上には、第１の絶縁膜を介して半導体膜パターンが形成されている。

上記の本発明のアクティブマトリクス基板の透明基板としては、ガラス基板、プラスチック基板およびこれらの基板を貼り合わせた基板の中から選択された一つを用いることができる。また、上記の半導体膜パターンは、各引き出し配線を覆う孤立パターンまたは各引き出し配線の全体と交差する線状パターンとすることができる。

上記の本発明のアクティブマトリクス基板の半導体膜パターンは、スイッチング素子の半導体層と同じ材料が使用でき、スイッチング素子の半導体層形成と同時にパターニングすることができる。この半導体膜パターンの材料として、アモルファスシリコンを使用できる。

上記の本発明のアクティブマトリクス基板において、上記のスイッチング素子はチャネルエッチ型プロセスで形成することができる。

本発明のアクティブマトリクス基板の製造方法は、透明絶縁基板上に第１の導電膜を形成する工程と、該第１の導電膜をパターニングしてスイッチング素子のゲート配線および上記の透明絶縁基板の一辺部まで延出し、その先端に端子部を有する、スイッチング素子の走査線引き出し配線と信号線引き出し配線を同時に形成する工程と、上記の透明絶縁基板上に第１の層間絶縁膜を形成する工程と、該第１の層間絶縁膜上に半導体膜を形成する工程と、該半導体膜をパターニングし、スイッチング素子の半導体層と上記端子部近傍の走査線引き出し配線と信号線引き出し配線を覆う半導体膜パターンを同時に形成する工程と、上記の透明絶縁基板上の全面に第２の導電膜を形成する工程と、該第２の導電膜をパターニングしてスイッチング素子のドレイン配線、ソース電極およびドレイン電極を同時に形成する工程と、を含んで構成される。

上記の本発明のアクティブマトリクス基板の製造方法において、上記のドレイン配線、ソース電極およびドレイン電極を同時に形成する工程の後に、さらに第２の層間絶縁膜を透明絶縁基板上の全面に形成した後、上記の端子部上の第２の層間絶縁膜表面から該端子部に達する開口を形成する工程と、該開口に透明導電性酸化膜を被覆しコンタクトホールを形成する工程と、を含むことができる。

上記の本発明のアクティブマトリクス基板の製造方法において、第１の層間絶縁膜上に半導体膜を形成する工程は、アモルファスシリコン膜とｎ型アモルファスシリコン膜を連続して成膜する工程を含み、スイッチング素子のｎ型アモルファスシリコン膜は、ドレイン配線、ソース電極およびドレイン電極を同時に形成する工程の後に、エッチング除去される。

本発明のアクティブマトリクス基板は、アクティブマトリクス基板の一辺部に導出された信号線引き出し配線および走査線用引き出し配線の端子部近傍に層間絶縁膜を介してこれらの配線を覆う半導体膜パターンをスイッチング素子の半導体層材料と同じ材料で該半導体層と同時に形成した。このパターンによって、引き出し配線の端子部上に異方導電性樹脂を使用して信号線および走査線の両方を駆動する駆動デバイスを実装した液晶表示パネルの耐湿信頼性を向上させることができる。これは、端子部近傍の引き出し配線上の半導体膜パターンによって引き出し配線直上の層間絶縁膜（第１の層間絶縁膜）のボイドの影響を抑制できるためである。即ち、異方導電性樹脂に含有されている水分の第１の層間絶縁膜のボイド中への侵入が、該半導体膜パターンによって遮断され、引き出し配線の水和反応が抑制できるからである。

次に本発明を実施するための最良の形態について図面を参照して説明する。

図５は、本発明の実施の形態のＴＦＴ基板にＣＦ基板が接合された液晶表示パネルの例を示す平面図である。図５を参照すると、ＴＦＴ基板１１の一つの辺部に信号線引き出し配線２Ａと走査線引き出し配線２Ｂが導出されている。これらの引き出し配線は、それぞれコンタクトホール１０Ｃ，１０Ｄを介してＴＦＴ基板１１の層間絶縁膜上のＩＴＯ膜（表示していない）と電気的に接続している。そして、それぞれの引き出し配線のコンタクトホール１０Ｃ，１０ＤのＩＴＯ膜上には導電性樹脂６を介して走査線および信号線を駆動するドライバーＩＣ７が実装されている。即ち、本発明の実施の形態のＴＦＴ基板１１では、一つのドライバーＩＣ７で走査線および信号線を駆動するようになっている。そして、ＴＦＴ基板１１の上には該基板に対向してＣＦ基板９が配置されている。そして、これらの基板間には液晶層（表示していない）が挿入されて液晶表示パネル１００が構成されている。なお、図５の信号線引き出し配線２Ａと走査線引き出し配線２Ｂの位置関係は、逆であってもよい。

図６および図７に、それぞれ図５のＩ−Ｉ線およびＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図を示す。図６を参照すると、透明絶縁基板１上には、走査線引き出し配線２Ｂが形成されている。走査線引き出し配線２Ｂ上には第１層間絶縁膜３および第２層間絶縁膜４が順次形成されている。これらの層間絶縁膜の開口壁にはＩＴＯ膜５（インジウム錫酸化膜）が成膜されてコンタクトホール１０Ｄが形成されている。コンタクトホール１０Ｄは、走査線引き出し配線２Ｂに電気的に接続する。そして、コンタクトホール１０ＤのＩＴＯ膜５には導電性樹脂６を介して信号線および走査線を駆動するドライバーＩＣ７が実装されている。そして、コンタクトホール１０Ｄの近傍の走査線引き出し配線２Ｂ上には、半導体膜（ａ−Ｓｉ膜１２Ａ）のパターンが形成されている。半導体膜（ａ−Ｓｉ膜１２Ａ）のパターンは、ドライバーＩＣ７を実装する他のコンタクトホールの近傍の走査線および信号線の引き出し配線上にも同様に形成されている。なお、本実施の形態のＴＦＴ基板のベース基板である透明絶縁基板１の材料には、ガラス基板、アクリル樹脂等の透明のプラスチック基板やガラス基板とプラスチック基板を貼り合わせた基板等を使用することができる。

導電性樹脂６には、異方導電性樹脂（ＡＣＦ）が使用される。引き出し配線の材料としては、Ｃｒ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔｉおよびそれら合金膜等が使用できる。第１の層間絶縁膜３および第２の層間絶縁膜４の材料としては、ＳｉＮ_ｘ膜が使用できる。また、半導体膜１２の材料としては、ａ−Ｓｉ膜１２Ａとｎ型ａ−Ｓｉ膜１２Ｂの積層膜が使用される。この半導体膜１２は、ＴＦＴの半導体膜パターン成膜時に、この半導体膜をエッチングせずに、引き出し配線上に残すようにすることによってＴＦＴの半導体膜パターン形成と同時に形成できる。

半導体膜（ａ−Ｓｉ膜１２Ａ）は、図７−Ａのように、それぞれの走査線引き出し配線２Ｂ上に独立した上に独立パターンとして設けることや、図７−Ｂのように、走査線引き出し配線２Ｂの全体を横切るように線状パターンとして設けることができる。線状パターンとして設ける場合には、走査線引き出し配線２Ｂと信号線引き出し配線２Ａをそれぞれ横切るように分離して設けてもよいし、走査線引き出し配線２Ｂと信号線引き出し配線２Ａの全体を横切る線状パターンとして設けてもよい。図７−Ａの場合には、半導体膜１２のパターンの走査線引き出し配線２Ｂの側端部よりの突出長さＬ１としては、２μｍ以上が必要である。この理由は、引き出し配線に対する上層膜の重ね合わせ精度は使用する露光装置の精度によるが、一般的には重ね精度は１．５μｍである。また、引き出し配線から伸びる層間絶縁膜中のボイド（図１５の符号１６参照）の長さは、層間絶縁膜の厚さによるが、（第１の層間絶縁膜３の膜厚）×１／（ｃｏｓ４５°）と推定される。一般的には全体の層間絶縁膜の厚さとしては、第１の層間絶縁膜３の膜厚０．３〜０．５μｍと合わせて、２μｍ以上が必要である。

図７−Ｂは、引き出し配線を全面に層間膜として半導体層を残す場合の事例であるが、この場合においても最外部の引き出し配線においては片側２．０μｍ以上半導体膜がはみ出す必要がある。

ＣＦ基板９は、シール材８を介してＴＦＴ基板１１に固定されている。これらの基板間には液晶層４０が挿入されて液晶表示パネルが構成される。

図８は、本発明の実施の形態のＴＦＴ基板の引き出し配線とドライバーＩＣの位置関係の例を示す平面図である。図８を参照すると、ＴＦＴ３０のゲート配線１７（走査線）はＴＦＴ基板の周辺に延出されて走査線引き出し配線２Ｂとなる。走査線引き出し配線２Ｂの先端には、端子２０Ｂが形成されている。端子２０Ｂは、ドライバーＩＣ７が接続されるコンタクトホール１０ＤのＩＴＯ膜５と接続されている。また、ＴＦＴ３０のドレイン配線１５（信号線）は、コンタクトホール１０ＡのＩＴＯ膜５を介して信号線引き出し配線２Ａと電気的に接続されている。信号線引き出し配線２Ａの先端には端子２０Ａが形成され、この端子は、ドライバーＩＣ７が接続されるコンタクトホール１０ＣのＩＴＯ膜５と接続されている。

そして、コンタクホール１０Ｄおよびコンタクホール１０Ｃの近傍の信号線引き出し配線２Ａおよび走査線引き出し配線２Ｂ上は、第１の層間絶縁膜３（図８には表示していない）を介して半導体膜（ａ−Ｓｉ膜１２Ａ）のパターンによって覆われている。信号線引き出し配線２Ａおよび走査線引き出し配線２Ｂを半導体膜（ａ−Ｓｉ膜１２Ａ）のパターンによって覆う幅は、各配線側端部から２μｍ以上突出する（上記のＬ１の幅）ようにする。また、各配線の長さ方向は、ドライバーＩＣ７外形から内側の長さをＬ２、導電性樹脂１２の塗布外形から外側の長さをＬ３とすると、Ｌ２≧３０μｍ、Ｌ３≧１５００μｍである。Ｌ１、Ｌ２およびＬ３の長さを上記の範囲に制御することによって、導電性樹脂６の水分と電圧印加による引き出し配線の消失は防止されることがわかった。なお、また、図８において、導電性樹脂６は、位置決め（アライメント）精度からドライバーＩＣ７よりも約２〜２．５ｍｍ程度幅広く設置される。

次に、上記の本発明の実施の形態のＴＦＴ基板の製造方法について、図９〜図１３を参照しながら説明する。図９−Ａ〜図１３−Ａの各図は、ドライバーＩＣを実装するコンタクトホール形成領域のＴＦＴ基板の断面図であり、図９−Ｂ〜図１３−Ｂの各図は、ＴＦＴより導出するドレイン配線およびゲート配線と引き出し配線の形成状態を示す平面図である。

まず、ガラス基板等の透明絶縁基板１上にゲート配線となるＣｒ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔｉおよびそれら合金膜等から選択された金属の薄膜を成膜する。次に、半導体で用いられるフォトリソグラフィー技術を用いて、図９−Ａ，Ｂのようにゲート配線１７およびゲート電極１７１を形成する。ゲート配線１７およびゲート電極１７１と同時に、信号線引き出し配線２Ａおよび走査線引き出し配線２Ｂもパターニングされる。各引き出し配線の先端には、端子２０Ａ、２０Ｂが各引き出し配線と同時にパターニングされる。

次に、透明絶縁基板１上に第１の層間絶縁膜３として、例えばＳｉＮ_ｘ膜を成膜し、さらに、第１の層間絶縁膜３上にａ−Ｓｉ膜１２Ａとｎ型ａ−Ｓｉ膜１２Ｂを連続して成膜する。ｎ型ａ−Ｓｉ膜１２Ｂで、オーミック層を形成する。

次に、ａ−Ｓｉ膜１２Ａとｎ型ａ−Ｓｉ膜１２Ｂの半導体膜を図１０−Ａ，Ｂのようにパターンニングする。符号１２は、ａ−Ｓｉ膜１２Ａとｎ型ａ−Ｓｉ膜１２Ｂの積層膜からなる半導体膜を示す。半導体膜１２は、端子２０Ａ，２０Ｂの近傍の引き出し配線上に設けられている。また、ゲート電極上、および、後でドレイン配線を形成した場合、ドレイン配線が交差するゲート配線１７上にも半導体膜１２と同じ材料の半導体膜が形成されており、それぞれ符号１２１，１２２で示す。この時、端子２０Ａ，２０Ｂの近傍の引き出し配線上の半導体膜１２のパターンの寸法は、図７および図８の説明で述べたＬ１〜Ｌ３の値が満足されるように決定される。

次いで、全面にＣｒ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔｉおよびそれら合金膜等から選択された金属の薄膜を成膜する。この膜を図１１−Ａ，Ｂに示すように、パターンニングし、ドレイン配線１５を形成する。ドレイン配線１５のパターニング時にソース電極３１とドレイン電極１５１も分離される。この時点では、信号線引き出し配線２Ａとドレイン配線１５は、切り離された状態となっている。

次に、ドライエッチング等を用い、ＴＦＴ形成部分の半導体膜１２のｎ型ａ−Ｓｉ膜１２Ｂを除去し、ＴＦＴ３０部が完成する。ＴＦＴ形成部分の半導体膜１２のｎ型ａ−Ｓｉ膜１２Ｂを除去する際に、端子２０Ａ，２０Ｂ近傍の半導体膜１２のｎ型ａ−Ｓｉ膜１２Ｂも除去される。なお、本発明のＴＦＴはチャネルエッチ型のＴＦＴであり、ＴＦＴ部は５回のフォトプロセス（ＰＲ）で形成される。

次に、透明絶縁基板１上に第２層間絶縁膜４として、例えばＳｉＮ_ｘ膜を成膜し、図１２−Ａ，Ｂに示すように、第１層間絶縁膜３および第２層間絶縁膜４にドライバーＩＣ７を端子と接続するためのコンタクトホール１０Ｃ，１０Ｄと後で形成するＩＴＯ膜とＴＦＴのソース電極を接続するためのコンタクトホール１０Ｂ並びにＴＦＴ基板の表示領域内のドレイン配線１５と表示領域外の信号線引き出し配線２Ａとを接続するためのコンタクトホール１０Ａをパターニングする。

次に、図１３−Ａ，Ｂに示すように、ガラス基板１上の全面に透明電極であるＩＴＯ膜（インジウム錫酸化膜）５を成膜する。この膜を各コンタクトホール部分にパターニングして残す。

以上がＴＦＴ基板の作製方法である。

次に、ＴＦＴ基板１１とＣＦ基板９にポリイミド樹脂等の配向膜を塗り、ラビング処理を行った後、両基板をシール材８と呼ばれる樹脂で熱硬化することで接合する。そして、両基板間に液晶層４０を挿入し封止する。その後、ＴＦＴ基板１１およびＣＦ基板９に偏光板（表示していない）を張ることで図１４のような液晶表示パネルが完成する。

作成された液晶表示パネルの引き出し配線部分のコンタクトホールを十分覆うように導電性樹脂６を重ね張り合わせる。次いで、ドライバーＩＣ７を約２５０℃前後まで加熱した後、導電性樹脂６上にドライバーＩＣ７を載せ固着させると図６のような、液晶表示モジュールが完成する。

本発明のＴＦＴ基板では、図１５に示すとおりボイドが第１の層間絶縁膜３のところで止まるために第２の層間絶縁膜４まで拡大し外部にさらされることがなくなる。その結果、信号線引き出し配線２Ａおよび走査線引き出し配線２Ｂの水和が起きず配線が消失することがなくなり高い信頼性のＴＦＴ基板を得ることができる。従来のＴＦＴ基板では、湿度８０％温度６０℃で駆動させる試験を行うと２００時間程度で配線の消失が発生していたが、本発明のＴＦＴ基板では、１０００時間以上経過しても配線の消失が発生しないことが確認された。

従来の液晶表示パネルの引き出し配線部の構造例を示す断面図である。 従来のＴＦＴ基板を用いた液晶表示パネルにおける信号線用のドライバーＩＣおよび駆動用ドライバーＩＣの電圧印加条件を示す図である。 従来のＴＦＴ基板で引き出し配線が水和化する機構を説明するための模式図である。 従来の液晶表示パネルの例を示す平面図である。 本発明の実施の形態のＴＦＴ基板にＣＦ基板が接合された液晶表示パネルの例を示す平面図である。 図５のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。 図５のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。 図５のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。 本発明の実施の形態のＴＦＴ基板の引き出し配線とドライバーＩＣの位置関係の例を示す平面図である。 本発明の実施の形態のＴＦＴ基板の製造工程を説明するためのドライバーＩＣを実装するコンタクトホール形成領域の断面図である。 本発明の実施の形態のＴＦＴ基板の製造工程を説明するためのＴＦＴより導出するドレイン配線およびゲート配線と引き出し配線の形成状態を示す平面図である。 図９−Ａに続く工程を説明するためのドライバーＩＣを実装するコンタクトホール形成領域の断面図である。 図９−Ｂに続く工程を説明するためのＴＦＴより導出するドレイン配線およびゲート配線と引き出し配線の形成状態を示す平面図である。 図１０−Ａに続く工程を説明するためのドライバーＩＣを実装するコンタクトホール形成領域の断面図である。 図１０−Ｂに続く工程を説明するためのＴＦＴより導出するドレイン配線およびゲート配線と引き出し配線の形成状態を示す平面図である。 図１１−Ａに続く工程を説明するためのドライバーＩＣを実装するコンタクトホール形成領域の断面図である。 図１１−Ｂに続く工程を説明するためのＴＦＴより導出するドレイン配線およびゲート配線と引き出し配線の形成状態を示す平面図である。 図１２−Ａに続く工程を説明するためのドライバーＩＣを実装するコンタクトホール形成領域の断面図である。 図１２−Ｂに続く工程を説明するためのＴＦＴより導出するドレイン配線およびゲート配線と引き出し配線の形成状態を示す平面図である。 本発明の実施の形態のＴＦＴ基板を使用した液晶表示パネルの例を示す断面図である。 本発明のＴＦＴ基板の効果を説明するための断面図である。

符号の説明

１ 透明絶縁基板
２ 引き出し配線
２Ａ 信号線引き出し配線
２Ｂ 走査線引き出し配線
３ 第１の層間絶縁膜
４ 第２の層間絶縁膜
５ ＩＴＯ膜
６ 導電性樹脂
７ ドライバーＩＣ
８ シール材
９ ＣＦ基板
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ コンタクトホール
１１ ＴＦＴ基板
１２，１２１，１２２ 半導体膜
１２Ａ ａ−Ｓｉ膜
１２Ｂ ｎ型ａ−Ｓｉ膜
１３ 走査線用ドライバーＩＣ
１４ 信号線用ドライバーＩＣ
１５ ドレイン配線
１６ ボイド
１７ ゲート配線
１８ ゲート電圧
１９ ドレイン電圧
２０Ａ，２０Ｂ 端子
３０ ＴＦＴ
３１ ソース電極
４０ 液晶層
１００，２００ 液晶表示パネル
１５１ ドレイン電極
１７１ ゲート電極

Claims (11)

1. 透明絶縁基板と、
   前記透明基板上に形成されたスイッチング素子と、
   前記スイッチング素子の走査線引き出し配線または信号線引き出し配線であって、その先端に端子部を備える引き出し配線と、
   前記引き出し配線を含む前記透明基板上を覆う第１の層間絶縁膜と、
   前記第１の層間絶縁膜を貫通して前記端子部上に設けられたコンタクトホールと、
   前記コンタクトホールを覆って配置された導電性樹脂膜と、
   前記第１の絶縁膜上に、前記引き出し配線に対向し前記引き出し配線側端部から２μｍ以上突出して前記引き出し配線を覆う領域であって、かつ、少なくとも前記導電性樹脂膜の端部を含む領域に配置された半導体膜パターンと、を備えることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
2. 前記引き出し配線が少なくとも２以上存在し、
   前記半導体膜パターンが少なくとも２以上存在し、
   前記半導体膜パターンは前記引き出し配線ごとにそれぞれ対向し、互いに離間して配置していることを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス基板。
3. 前記引き出し配線が少なくとも２以上存在し、
   前記半導体膜パターンは、２以上の前記引き出し配線と交差する線状パターンであることを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス基板。
4. 前記半導体膜パターンは、前記スイッチング素子の半導体層を構成する材料からなることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板。
5. 前記半導体膜パターンは、アモルファスシリコンであることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板。
6. 前記スイッチング素子はチャネルエッチ型プロセスで形成されたものであることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板。
7. 前記コンタクトホールは透明導電性酸化膜を備えることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板。
8. 前記第１の層間絶縁膜および前記半導体膜パターンを覆う第２の層間絶縁膜をさらに備え、前記コンタクトホールは、前記第１の層間絶縁膜および前記第２の層間絶縁膜を貫通することを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板。
9. 透明絶縁基板上に第１の導電膜を形成する工程と、
   前記第１の導電膜をパターニングして、スイッチング素子のゲート配線と、前記スイッチング素子の走査線引き出し配線または信号線引き出し配線であって、その先端に端子部を有する引き出し配線と、を形成する工程と、
   前記透明絶縁基板上に第１の層間絶縁膜を形成する工程と、
   前記第１の層間絶縁膜上に半導体膜を形成する工程と、
   前記半導体膜をパターニングして、前記スイッチング素子の半導体層と、前記引き出し配線に対向した半導体膜パターンとを形成する工程と、
   前記第１の層間絶縁膜上と、前記透明絶縁基板上の全面に第２の導電膜を形成する工程と、
   前記第２の導電膜をパターニングして前記スイッチング素子のドレイン配線、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程と、
   第２の層間絶縁膜を前記透明絶縁基板上の全面に形成した後、前記端子部上の前記第２の層間絶縁膜表面に前記端子部に達する開口を形成し、前記開口に透明導電性酸化膜を被覆しコンタクトホールを形成する工程と、
   前記コンタクトホールを覆う導電性樹脂膜を設ける工程と、を有し、
   前記半導体膜パターンは、前記引き出し配線に対向し前記引き出し配線側端部から２μｍ以上突出して前記引き出し配線を覆う領域であって、かつ、少なくとも前記導電性樹脂膜の端部を含む領域に形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
10. 前記半導体膜を形成する工程が、アモルファスシリコン膜とｎ型アモルファスシリコン膜を連続して成膜する工程を含むことを特徴とする請求項９に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
11. 前記ドレイン配線、前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成する工程の後に、前記ｎ型アモルファスシリコン膜をエッチング除去する工程を含むことを特徴とする請求項１０に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。

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