JP2005352456A - アクティブマトリクス基板およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】引き出し配線2A,2BがTFT30の走査線(ゲート配線17)および信号線(ドレイン配線15)に接続され,透明絶縁基板上の一辺部上に導出される。これらの引き出し配線の先端部に引き出し配線と一体化した導電性の端子(20A,20B)が形成され、これらの端子上に該導電性端子に接続された複数のコンタクトホール(10C,10D)が形成される。該コンタクトホール近傍の引き出し配線上に第1の層間絶縁膜を介して異方導電性樹脂中の残存水分の引き出し配線表面への進行を遮断する半導体膜のパターン12が形成される。
【選択図】 図8
Description
2 引き出し配線
2A 信号線引き出し配線
2B 走査線引き出し配線
3 第1の層間絶縁膜
4 第2の層間絶縁膜
5 ITO膜
6 導電性樹脂
7 ドライバーIC
8 シール材
9 CF基板
10,10A,10B,10C,10D コンタクトホール
11 TFT基板
12,121,122 半導体膜
12A a−Si膜
12B n型a−Si膜
13 走査線用ドライバーIC
14 信号線用ドライバーIC
15 ドレイン配線
16 ボイド
17 ゲート配線
18 ゲート電圧
19 ドレイン電圧
20A,20B 端子
30 TFT
31 ソース電極
40 液晶層
100,200 液晶表示パネル
151 ドレイン電極
171 ゲート電極
Claims (14)
- 透明絶縁基板と、前記透明基板上に形成されたスイッチング素子と、前記透明絶縁基板の同じ一辺端部上まで引き出され、先端に端子部を備える、前記スイッチング素子の走査線引き出し配線および信号線引き出し配線と、前記走査線引き出し配線および前記信号線引き出し配線を含む前記透明基板上を覆う第1の層間絶縁膜と、前記第1の層間絶縁膜を貫通して前記端子部上に設けられた、前記スイッチング素子の信号線および走査線駆動用デバイス接続用のコンタクトホールと、前記端子部の近傍の前記走査線引き出し配線および前記信号線引き出し配線を覆う前記第1の層間絶縁膜上に設けられた半導体膜パターンと、を備えることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
- 前記透明絶縁基板が、ガラス基板、プラスチック基板およびこれらの基板を貼り合わせた基板の中から選択された一つであることを特徴とする請求項1に記載のアクティブマトリクス基板。
- 前記半導体膜パターンは、前記各引き出し配線を覆う独立パターンであることを特徴とする請求項1または2に記載のアクティブマトリクス基板。
- 前記半導体膜パターンは、前記各引き出し配線全体と交差する線状パターンであることを特徴とする請求項1または2に記載のアクティブマトリクス基板。
- 前記半導体膜パターンは、前記スイッチング素子の半導体層形成と同時にパターニングされたものであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板。
- 前記半導体膜パターンは、アモルファスシリコンであることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板。
- 前スイッチング素子はチャネルエッチ型プロセスで形成されたものであることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板。
- 前記コンタクトホールは透明導電性酸化膜を備えることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板。
- 前記第1の層間絶縁膜および前記半導体膜パターンを覆う第2の層間絶縁膜をさらに備え、前記コンタクトホールは、前記第1の層間絶縁膜および前記第2の層間絶縁膜を貫通することを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板。
- 透明絶縁基板上に第1の導電膜を形成する工程と、前記第1の導電膜をパターニングしてスイッチング素子のゲート配線と、前記透明絶縁基板の一辺部まで延出され、その先端に端子部を有する、前記スイッチング素子の走査線引き出し配線および信号線引き出し配線と、を同時に形成する工程と、前記透明絶縁基板上に第1の層間絶縁膜を形成する工程と、前記第1の層間絶縁膜上に半導体膜を形成する工程と、前記半導体膜をパターニングし、前記スイッチング素子の半導体層と前記端子部近傍の前記走査線引き出し配線と前記信号線引き出し配線を覆う半導体膜パターンを同時に形成する工程と、前記透明絶縁基板上の全面に第2の導電膜を形成する工程と、前記第2の導電膜をパターニングして前記スイッチング素子のドレイン配線、ソース電極およびドレイン電極を同時に形成する工程と、を含んで構成されることを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
- 前記ドレイン配線、前記ソース電極および前記ドレイン電極を同時に形成する工程の後に、さらに第2の層間絶縁膜を前記透明絶縁基板上の全面に形成した後、前記端子部上の第2の層間絶縁膜表面から前記端子部に達する開口を形成する工程と、前記開口に透明導電性酸化膜を被覆しコンタクトホールを形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項10に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
- 記第1の層間絶縁膜上に前記半導体膜を形成する工程が、アモルファスシリコン膜とn型アモルファスシリコン膜を連続して成膜する工程を含むことを特徴とする請求項10または11に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
- 前記ドレイン配線、前記ソース電極および前記ドレイン電極を同時に形成する工程の後に、前記スイッチング素子の前記半導体膜層の前記n型アモルファスシリコン膜をエッチング除去する工程を含むことを特徴とする請求項10〜12のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
- 前記透明基板が、ガラス基板、プラスチック基板およびこれらの基板を貼り合わせた基板の中から選択された一つであることを特徴とする請求項10〜13のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
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