TWI330645B - Polymeric charge transport compositions and electronic devices made with such compositions - Google Patents

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TWI330645B
TWI330645B TW092118922A TW92118922A TWI330645B TW I330645 B TWI330645 B TW I330645B TW 092118922 A TW092118922 A TW 092118922A TW 92118922 A TW92118922 A TW 92118922A TW I330645 B TWI330645 B TW I330645B
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alkyl
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Maurice Smith Eric
Herron Norman
Sabina Radu Nora
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Description

玖、發明說明： 挺ji申請案之前彳 本案係自美國臨時申請案序號60/394767號，2002年7月 10曰申5月，及美國臨時申請案序號6〇/458277號，2〇〇3年3 月2 8曰申請提出優先權申請。 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種聚合電荷傳送組合物。本發明進一步 係關於-種感光電子裳置中至少有―種包含該電荷傳 送組合物之声性層。 【先前技術】 在有機感光電子裝置如構成OLED顯示裝置之發光二極 體（OLED")中’有機活性層夾在〇LED顯示裝置内之二電接 觸層之間。在OLED中，在施加電壓越過電接觸層時，有機 感光層透過光傳輸電接觸層發光。 已知使用有機電發冷光化合物作為發光二極體之活性組 份。曾經使用簡單有機分子、共軛聚合物及有機金屬錯合 物。 使用感光物質之裝置時常包括一或多層電荷傳送層，其 定位於感光（例如，發光）層與接觸層之一之間。孔傳送声 可定位於感1光層與孔發射接觸層之間，亦稱為陽極。電:
傳送層可定位於感光層與電子發射接觸層之間，亦稱為阶 極。 K 對於電荷傳送物質有持續需要。 86574 1330645 【發明内容】 本發明係關於-種電荷傳送組合物，其為低聚合物或聚 合物。本文所用之術語"聚合物"之範圍意指包括具有—個 或多個不同類型單體單元之聚合物極低聚合物並意指具有 至少二個重複單體單元之化合物。術語"聚合性"意指具有 如聚合物之相同範圍。 在〃租例中，本發明係關於一種具有至少一個具有圖 1A之式1(a)之第一單體單元之聚合電荷傳送組合物，其中：
Ar在每^次出現可為相同或不同並選自芳基及雜芳基；
Ar2在每次出現可為相同或不同並選自伸芳基及雜伸芳 基； 雜烧基 、CnHaFb -員環； R在每次出現可為相同或不同並選自Η、烧基、 、芳基、雜芳基、芳基伸烷基、雜芳基伸烷基 、及C6HeFd ;或鄰接R1基可接合以形成5_或6 η為一弩數；及 a、b、c、及d為 〇或整數，使a+b = 2n+i，及c + d=5。 在一具體例中，本發明係關於一種具有至少一個具有式 1(b)之第一單體單元之聚合電荷傳送組合物其
Ar在每次出現可為相同或不同並選自芳基及雜芳美 86574 1330645
Ar2在每次出現可為相同或不同並選自伸芳基及雜伸芳 基； R3在每次出現可為相同或不同並選自Η、ρ、α、Br、經 基、羧基、羰基、甲矽烷基、矽氧基、烷基、雜烷基 、烯基、炔基'芳基、雜芳基、伸烷基芳基、烯基芳 基 '炔基芳基、伸烷基雜芳基、烯基雜芳基、炔基雜 芳基、CnHaFb、〇CnHaFb、C6HeFd及 〇C6HcFd，或 V二 者一起可構成伸芳基或雜伸芳基； a、b、2、：及 d為 〇 或整數，使 a+b = 2n+l，及 c + d=5 ; η為一整數（如上所述）； y為0或1至3之整數；及 z為0或1至4之整數。 在一具體例中，本發明係關於一 1C之式1(c)之第一單體單元之聚合# 不I明係關於一種具有至少一個具有圖 單體單元之聚合電荷傳送組合物，其中：
Ar在母-欠出現可為相同或不同並選自
Ar2在每次出現可為相同或不同並選 基， ' 3芳基及雜芳基；--自伸芳基及雜伸芳 适自H、烷基、雜烷基 雜芳基伸烷基、CnHaFb R1在母次出現可為相同或不同並選自 、芳基、雜芳基、芳基伸烷基、雜 86574 W45 、及C^HeFd ;或鄰接R1基可接合以形成5_或6_員環； 汉在母次出現可為相同或不同並選自H、F、Cl、Br、經 基、羧基、羰基、甲矽烷基、矽氧基、烷基、雜烷基 、烯基、炔基、芳基、雜芳基、伸烷基芳基、烯基芳 基、炔基芳基、伸烷基雜芳基、烯基雜芳基、炔基雜 芳基、CnHaFb、〇CnHaFb、C6HcFd及 〇C6HcFd，或 R5二 者一起可構成伸芳基或雜伸芳基； a b、c、及d為 〇 或整數，使a + b = 2n+l，及c + d = 5 ; η為—整數（如上所述）； y為0或i至3之整數；及 z為〇或1至4之整數。 在具體例中’本發明係關於一種具有至少一個具有圖 2A、2B及2C之式II(a)、11(13)及11((：)之第一單體單元之聚合 電何傳送組合物，其_ : R2及R3在每次出現可為相同或不同並選自H、F、a、Br 、烷基、雜烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、CnHaFb 、〇CnHaFb、QHcFdoc^HcFd ; R4在每次出現可為相同或不同並選自伸烷基、雜伸烷基 、伸烯基、伸芳基、雜伸芳基、伸炔基、或伸芳基伸 炔基；· a b、c、及d為 0 或整數，使a+b = 2n+l，及 c + d = 5， η為一整數； Ρ為0或1 ; X為0、1或2;及 86574 哪45 y為〇或1至3之整數。 在一具體例中，本發明係關於一種具有至少一個具有圖 2Β及2C之式II(a)、11(13)及η⑷之第一單體單元之聚合 電荷傳送組合物，如上所述，且其中至少有一個取代 A p 义曰 t、CnHaFb、〇CnHaFb、之芳香族基上。 在一具體例中，本發明係關於一種具有至少—個具有附 圖所不之圖3A、3B、3C及4D之式III(a)、in(b)、Ιπ⑷及ΠΙ⑷ 之第單體單元之聚合電荷傳送組合物，其中： R在每二欠#現可為相同或不同並選自伸烷基、雜伸烷基 '伸烯基、伸芳基、雜伸芳基、或伸芳基伸炔基； R3在每次出現可為相同或不同並選自Η、f、cn' Br '經 基羧基、斂基、曱矽烧基、矽氧基、烧基、雜烧基 、烯基、炔基、芳基、雜芳基、伸烷基芳基、烯基芳 基、炔基芳基、伸烷基雜芳基、烯基雜芳基、炔基雜 芳基、CnHaFb、〇CnHaFb、C6HcFd& OC6HcFd，或 R5二 者一起可構成伸芳基或雜伸芳基； a ' b、c、及d為 〇 或整數，使 a + b = 2n+1，及 c + d = 5， η為一整數； X為0、1或2 ; y為0或1至3之整數；及 z為0或1至4之整數。 —· 在一具體例中，本發明係關於一種具有至少一個具有圖 ΙΑ、1B及1C之式i(a)、I(b)及I(c)之第一單體單元之聚合電 4傳达組合物及至少一個選自圖2八至2C之式11(3)至n(c)及 86574 10 1330645 上述圖3A至3D之式111(a)、111(b)、III(c)及111(d)之第二單體 單元之聚合電荷傳送組合物。 在一具體例中，本發明係關於一種電子裝置，具有至少 一活性層’其包含一個具有至少一個選自圖1A至1C、圖2A 至 2C及圖 3A至 3D之式 I(a)、1(b)、1(c)、11(a)、11(b)、11(c) 、111(a)、111(b)、ni(c)及111(d)之第一單體單元之聚合物， 其中Ar1、Ar2、R1至R3、a至d、η、ρ、及X至z定義如上。 在一具體例中，本發明係關於一種電子裝置，具有至少 一活性層J亭包含一個具有至少一個選自具有圖1Α至1C之 式1(a)、1(b)及1(c)之第一單體單元及至少一個選自圖2 a至 2C 之式 11(a)至 11(c)及上述圖 3A 至 3D 之式 III(a)、Hi(b)、ni(c) 及III(cl)之第二單體單元之聚合物。 本文所用之術語”電荷傳送組合物，，意指可接收來自電極 之電何亚可透過具有相當高效率及小電荷損失之物質厚度 促進移動之物質。孔傳送組合物可自陽極接收正電荷並傳 运之。電子傳送組合物可自陰極接收負電荷並傳送之。術 Γ抗猝減組合物"意指一種物質，其可防止阻滞或消除能 里轉移及電子轉移自感光層之激發狀態至鄰接層。術語 "感先性”意指任何顯示電發冷光性、光致發冷光性及/或光 敏性之物[術語”難〇|，意指化合物之最高佔據的分子軌 道美二Μ意指化合物之最低佔據的分子軌道。㈣ 二"思日化合物之—部分’如有機化合物内之取代基。 子首雜"意指一或多個碳原子 意指 … 反原千用不同原子更換。術語"烷基" 自具有-接附點之脂肪族煙衍生之基團，該基團可 86574 1330645 未經取代或經取代。術語，.雜 雜届工b曰‘ 自具有至少一個 雜原子及具有一接附點之脂肪 + ^ , L 團’該基團可 =代：經取代。術…基"意指—自脂肪族烴衍生 且二:或多個接附點之基團。術語"雜伸烧基"意指一自 ’、 ^個雜原子之脂肪族烴衍生並且;^ 4 & 點之基團。術語”烯基，，音指—自 有一或多個接附 埽丞心扣自具有一或多個碳-碳雙鍵之 亚具有—接附點之基團，該基團可未經取 代。術語，，块基"意指一自具有一或多個碳-碳三鍵之煙衍生 並具有^附點之基團’該基團可未經取代或經取代。術 浩伸烯基'’意指一自具有一.多 ， ^ ^夕惘奴~石反雙鍵之烴衍生並 具有二或多個接附點之基團’該基團可未經取代或經取代 m申炔基”意指-自具有一或多個碳_碳三鍵之烴衍生 亚具有二或多個接附點之基團’該基團可未經取代或經取 代。術語”雜烯基"、"雜伸烯基"、"雜炔基"及"雜伸炔基" 意指具有Γ或多個雜原子之類似基團。術語"芳基"意指一 自具有-接附點之芳香族烴衍生之基團’該基團可未經取 代或經取代。術語”雜芳基"意指一自具有至少一個雜原子 並具有一接附點之芳香族基衍生之基團，該基團可未經取 代或經取代。術語"芳基伸録”意指—自具有芳基取代基 之烷基衍生L之基團，該基團可進一步未經取代或經取代。 術語’'雜彡基伸院基"意才旨—自具冑雜芳基取代基之烧基衍 生之基團，該基團可進—步未經取代或經取代。術語"伸芳 基"意指一自具有二接附點之芳香族烴衍生之基團，該基團 可未經取代或經取代。術語"雜伸芳基，，意指一自具有至少 86574 丄别645 原子並具有一接附點之芳香族基衍生之基團，該基團 可未經取代或經取代。術語"伸芳基伸烷基n意指一具有芳 土/、烷基且在芳基上具有一接附點而在烷基上具有一接附 點之^團。術語"雜伸芳基伸烷基，'意指一具有芳基與烷基 且在方基上具有一接附點而在烷基上具有一接附點之基團 丄且其中具有至少—個雜原子。除非另予指明，所有基團 白可未、丄取代或經取代。詞句"鄰接至"，當用以指明為裝 置中之層蛉，亚非意指一層直接鄰接至另一層。另一方面 。司句接基”’意指在化學式中互相鄰接之r基（即，由 鍵連接之原子上之叫。術語”化合物，，意指未充電物質， 由進/由原子所組合之分子所構成，其中原子無法用物 理手&刀離。術語，，配位體，，意指接附至金屬離子之配位區 =分子、離子或原子。術語"錯合物"，當用作名詞時， 具有至少一個金屬離子與至少一個配位體之化合物。 此外，完全使用IUPAC編號系統，其中自週期表之族自左 至右編號為！至18(化學與物理之CRc手冊第_，編 除非另予定義，本文所用之所有技術與科學術語具有如 熟習^發明所屬技術之-般者共同了解之相同意義。除非 :予疋義，圖式中所有字母符號代表原子及該原子縮 雖然類似0於本文所述之方法及物質可用 = 本發明，但適當方法及物f 飞。式驗 物、專利申請案、專利及=:下。本文所述之所有刊 及八他參考物皆以引例整個倂入。 在子論情況下，本說明書包括定義將受控制。此外 、方法及實例僅為例示性而非限制性。 物質 86574 -13- X下之、田節έ兒明及申請專利範圍當可明白本發明之其 他特性及優點。 【實施方式】 本發明之聚合組合物可用作電子傳送物質。其可單獨使 用或與其他物質一起使用。其可用作感光物質之宿主。 具有式1(a)至i(c)之三芳基曱烷_衍生物單體單元之聚合 物特別可用作孔傳送物質。 通常’ η為一整數。在一具體例中’ η為1至2〇之整數。在 具體例中η為1至1 2之整數。 在一具體例中，Λι·1選自苯基及聯苯基，其可具有一個或 夕個用雜原子替代之碳原子。所有此等基皆可進一步被取 代°取代基之例包括但不限於’烷基、雜烷基、芳基、雜 芳基 '芳基伸烷基、雜芳基伸烷基、CnHaFb、及C6HcFd， 其中a至d及η定義如上。 在一具體例中’ Ar2選自伸苯基及伸苯基伸烷基，其可進 一步被取代》 在一具體例中，N(R1 h為熔合雜芳香族環基。該基之例 包括但不限於’卡巴β坐、苯并二唾、及苯并三σ坐。 在—具體例中，R1選自具有1至12個碳原子之烷基、苯基 及苄基。二 具有式11(a)至11(c)之二氮雜菲-衍生物單體單元之聚合 物特別可用作電子傳送物質及抗猝減物質。 在一具體例中，R2選自苯基、聯苯基、吡啶基及二吡啶 基’其可進一步被取代。取代基之例包括但不限於，烷基 86574 -14- 1330645 、雜炫基 '芳基、雜芳基、芳基伸院基、雜芳基伸烧基、F 、（:nHaFb、〇CnHaFb、C6HcFd、及 0C6HcFd，其中 及 n定 義如上。 在一具體例中，至少一個R2選自苯基及聯苯基，且進一 步用選自 F、CnHaFb、〇CnHaFb、c6HcFd、及 〇C6HcFd之基團 取代其中a至d及η定義如上。 在一具體例中，R3選自具有1至1 2個碳原子之烧基。 在一具體例中，R4選自伸苯基、伸苯基伸烷基、伸烷基 及伸烯基。. 在一具體例中，至少有一個取代基在選自F、CnHaFb、 OCnHaFb、（：6HcFd、及OC6HcFd之芳香族環上，其中&至d及n 定義如上。 通常’ η為一整數。在一具體例中，^為1至2〇之整數。在 一具體例中，η為1至1 2之整數。 具有式Hl(a)、111(b)、111(c)、及111(d)之喹呤啉-衍生物單 體單元之聚合物且其中該等聚合物並非為均聚合物者，特 別可用作電子傳送物質及抗猝減物質。 通¥ ’η為一整數《在一具體例中，η為1至2〇之整數。在 一具體例中，η為1至1 2之整數。 在一具體i列中’ R4選自伸苯基、伸笨基伸烷基、伸烷基 及伸稀基。 在一具體例中，R5選自苯基烯基及笨基炔基，其可被進 一步取代。 在—具體例中，R5選自醋酸烷酯及芳基羰基，其可被進 86574 -15- 1330645 一步取代。 在一具體例中，R5選自具有1至12個碳原子之烷基。 在一具體例中，R5選自苯基、經取代苯基、吡啶基、及 經取代说咬基。取代基可選自F、C1、B r、經基、叛基、缓 基、甲矽烷基、矽氧基、烷基、雜烷基'烯基、炔基、芳 基、雜芳基、伸烷基芳基、烯基芳基、炔基芳基、伸烷基 雜芳基、烯基雜芳基、炔基雜芳基' CnHaFb' OCnHaFb、C6HeFd 及 OC6HcFd。 在一具體％中，二個鄰接R5 —起為雙伸芳基，其可進一 步被取代。在一具體例中’雙伸芳基係選自雙伸苯基及雙 伸吡啶基。取代基可選自F、C卜B r、羥基、缓基、幾基、 曱矽烷基、矽氧基、烷基、雜烷基、烯基、炔基、芳基、 雜芳基、伸烧基芳基 '烯基芳基 '块基芳基、伸院基雜芳 基、烯基雜芳基、炔基雜芳基、CnHaFb、、CeHUFd 及 OC6HeFd。 亦可在聚合結構中使用孔與電子傳送單體單元。在一冥 體例中，混合電荷傳送物f包含—種具有至少―個圖^至 1C之式I⑷至1(c)之第一 |體單元及至少—個選自圖2A至 2C之式Π⑷至π⑷及圖33D之式m⑷、m⑻、m⑷及 111(d)之第二^單體單元之聚合物。 取孔與電子傳送單體單元可與相同單體單元聚合以形成均 :::。纟亦可與一個或多個不同單體單元聚合以形成共 木&物。孔與電子傳送單體 — 早肢早70可互相或與其他單體單元 如一务基胺、芴、伸贫、从料，丄 勿伸本、伸笨伸乙烯、气二唾、。塞二唾、 86574 -16- 1330645 -唑、卡巴唑等共聚合。低聚合或聚合孔與電子傳 =例包括但不限於’圖从至4卜式IV⑷至IV(f)所示者，其 中· S與t可相同或不同且為以上之整數。 “ 應製備 進一步如實例所述 聚合物可使用已知合成技術如Suzuki或Yamamoto偶合反 1¾ ， t隹—/-1 本發明之化合物可藉蒸發技術或傳統溶液加工法作為薄 膜應用。本文所用之術語,,溶液加r意指自液態介質形成 薄膜。液態介質可呈現溶液、分散液、乳液之形式或其他 形式。典2容液加工技術包括，例如，溶液鑄製、滴液缚 製、簾鎊製、方走塗、網目印刷、噴墨印刷、凹版印刷等。 電子裝詈 本發明亦關於一種電子裝置’包含至少一種定位於感光 層與一電極間之本發明之電荷傳送組合物。典型裝置結構 示於圖6 ^裝置1〇〇具有陽極層11〇及陰極層16〇。包含孔傳 送物質之層1 20鄰接陽極。包含電子傳送及/或抗猝減物質 之層140鄰接陰極。感光層13〇在孔傳送層與電子傳送/抗猝 減層之間。作為選擇，裝置時常使用鄰接陰極之另一電子 傳送層150。層120、130、140、及150個別及集合稱為活性 層。 端視裝置i 00之應用而定，感光層130可為發光層，其係 藉施加之電壓作動（如在發光二極體或發光電化學電池内） ’物質層，其回應輕射能量並使用或不使用施加之偏壓產 生信號（如在光檢測器内）。光檢測器之例包括光傳導電池 、光阻器、光控開關、光電晶體管 '光電管及光生伏打電 86574 17 1330645 池’該等術語敘述於 Markus, John，Electronics and
Nucleonics Dictionary, 470 and 476 (McGraw-Hill, Inc 1966)。 裝置之層可由任何已知用於該層之物質製得。陽極n 〇 為特別有效於注射正電荷載體之電極。其可由例如含有金 屬、混合金屬、合金、金屬氧化物或混合金屬氧化物之物 質製成’或其可為傳導聚合物及其混合物。適當金屬包括 族11金屬、族4 ’ 5及6金屬以及族8-10過渡金屬。若陽極將 光傳輸時」通常使用族12 ’ 13及14金屬之混合金屬氧化物 如銦-錫氧化物◊陽極丨丨〇亦可包含有機物質如聚苯胺，如 敘述於”由可溶性傳導聚合物製成之撓性發光二極體"，
Nature ν〇1· 357’ PP 477-479 (1992年6月 11 日）。陽極與陰極 令至少一個應至少局部透明以容許看到一般光線。 本發明之三芳基甲烷衍生物聚合物，式I(a)至I(c)，特別 可用作層1 20之孔傳送組合物。 可用於層120之其他孔傳送物質之例概述於，例如，
Kirk-Othmer Encyclopedia of Chemical Technology，第四版 ，Vol. 18, p. 837_86〇, 1996, γ Wang。可使用孔傳送分子 及聚合物。共用的孔傳送分子為：N，N，-二苯基-N，n，_雙（3_ 甲基苯基）-ΐ_1，Γ-二笨基]-4,4，-二胺（TPD)、1，1_雙[(二-4_甲 笨胺基）苯基環己烷（TAPC)、Ν，Ν，-雙（4-甲基笨基）_Ν,Ν,_雙 (4-乙基笨二曱基）二苯基]_44ι二胺（ETpD) 、肆-(3-甲基苯基）·Ν，Ν，ΝΙ，Νι_2,5_伸苯二胺（pc>A) ' a·苯基 -4-N，N-二苯基胺基笨乙烯（TPS)、對_(二乙基胺基）苄醛二 86574 •18· 1330645 苯基腙（DEH)、三苯胺（ΤΡΑ)、雙[4_(_n，n-二乙基胺基）_2_ 曱基笨基](4-甲基苯基）甲烷（MPMP)、；!-苯基_3_[對乙基 胺基）苯乙烯基]-5-[對-(二乙基胺基）苯基]吡唑啉（ppR = deasp)、1>2-反式-雙（9H_卡巴D坐冬基）環丁烧⑴czb)、 Ν，Ν，Ν'，Ν·-肆（4-曱基苯基Η1，1·_二苯基）_4,4，_二胺（ΤΤΒ)、 及哺啉化合物如銅酞腈。共用的孔傳送聚合物為聚乙烯卡 巴唑、（苯基曱基）聚矽烷及聚笨胺及其混合物。亦可藉摻 雜上述孔傳送分子進入聚合物如聚苯乙烯及聚碳酸酯内而 得孔傳送聚合物。 感光層130之例包括所有已知電發冷光物質。以有機金屬 電發冷光化合物較佳。最佳化合物包括環狀金屬化銥及鉑 電發冷光化合物及其混合物。銥與苯基吡啶、苯基喳啉、 或苯基嘧啶配位體之錯合物作為電發冷光化合物揭示於 Petrov等人，公告PCT申請案w〇 〇2/〇2714號。其他有機金 屬錯合物敘述於，例如，公告申請案美國專利2〇〇1/〇〇19782 唬、歐洲專利1191612號、W0 02/15645號及歐洲專利 1191614號。具有摻雜有銥之金屬錯合物之聚乙烯卡巴唑 (PVK)之电發冷光裝置敘述於Burr〇ws and Thompson於公 告PCT申請案WO 00/70655號及WO 01/41 5 12號。包含電荷 負載宿主物j及發填光鉑錯合物之電發冷光發射層敘述於 ’ Thompson等人，美國專利6,3〇3,238號’ Bradley等人，於 Synth· Met. (2001) ’ 116 (1-3)，379-383，及 Campbell 等人 ’於Phys. Rev. B，Vol. 65 08 52 10。一些適當銥錯合物之例 提供於圖6 ’如式V(a)至V(f)。亦可使用類似配位基鉑錯合 86574 -19- 1330645 物。此等電發冷光錯合物可單獨使用， 荷負載宿主内。本發明之聚合電从 Υ κ ，雜入電 a之+ σ電何傳送物質可 屬及其他發射物之宿主。 马有機金 本發明之二氮雜菲衍生物及心号啦衍生物聚合物 至11(C)、式III⑷至ΙΠ⑷，特別可用作層14〇内之電子^ ^ 抗猝減組合物，或用作層15。内之電子傳送組合物。本發： 之二氮雜菲衍生物及喹》号啉衍生物聚合物最好用作發‘二 極體内之電子傳送/抗猝減層。 可用於,150内之附加電子傳送物質之例包括金屬螯人· c—d化合物’如參（8_經基ρ奎諾基）铭（Ay;及唾化合： 如2_(4_二苯块基）-5-(4-第三了基苯基）-1，3,4-。号二。坐（PBD) 及3_(4_二苯炔基苯基-5-(4-第三丁基苯基）]，2,4-三唑 (TAZ)，及其混合物。 陰極1 60為種對注射電子或負電荷載體特別有效之電 極陰極_可為任何具有較陽極更低功函數之金屬戍非金屬 。陰極用之物質可選自族匕驗金屬（如Li，Cs)、族2(=) 金屬、族12金屬，包括稀土元素及鑭系元素及釣系元素。鲁 可使用物質如紹、钢、舞、鋇、彭及錯及其組合。含^有 機金屬化δ物，LiF及Li 2〇亦可沉積在有機層與陰極層之間 以降低操作壓。 已知在有機電子裝置内具有其他層。例如，在陽極110 與孔傳迗層120之間可具有一層（圊未示）以利正電荷傳送 及/或層之帶隙匹配或作為保護層功能。可使用此技藝已知 之層。此外，任何上述層可由二或多層製成。或者，某些 86574 -20· 1330645 二所有陽極層110、孔傳送層12〇、電子傳送 陰極層⑽可被表面處理以增加電荷載體傳送效^對各成 伤層物$之最好由平衡提供裝置具有 標決定。 且双手之曰 須知各官能層可由超過一層所構成。 裝置可藉各種技術，包括接库苄* 序？”、八，儿積個別層在適當基 衣備。可使用基材如玻璃及聚合膜。可使用傳統汽相 沉積技術如熱蒸發、化學汽相沉積等。或I，.有機層可使 用任何傳，塗佈或印刷技術，包括但不限於旋塗、浸塗、 輥-輥技術、喷墨印刷、凹版印刷、及網目印刷自溶=或分 散，於適當溶劑内塗佈。通常，$同層具有下面厚度範圍 •陽極110 ’ 500-5000埃’較佳為1〇〇〇2〇〇〇埃；孔傳送層 120’ 50-2000埃’較佳為2隊屬埃；感光層13〇,心2_ 埃，較佳為1〇〇-1〇〇〇埃；電子傳送層140及15〇，50_2〇〇〇埃 ’較佳為1G(M_埃；陰極⑽，2()(M⑽⑽埃，較佳為 3 00-5000&。電子·孔再組合區域於裝置内之位f 置之發射光譜可被各層之相對厚度影響。因此，應選擇電 子-傳送層之厚度，使得電子·孔再組合區域在發光層内。 層厚度之所欲比率端視所用物質之實際性質而定。 本發明之—三芳基曱烧、二氣雜菲衍生物及口奎十林衍生物 聚合物可用於OLEDs以外之應用。例如，&等組合物可用 於太陽能轉化之光生伏打裝置。其亦可用於場效電晶體供 精靈卡及薄膜電晶體（TFT)顯示驅動器應用。 、 86574 -2]- 1330645 實例 下列實例例示本發明之某種特性及優點。預定其為本發 明之例系性而非限制性。除非另予指明，所有百分比皆依 重量計。 實例1 此實例例示圖4所示之聚合物IV(c)之製備。
在氮氣下DMF (100毫升）加入la (3.96克，9毫莫耳）、 lb (3.63 克’ 9¾ 莫耳）、辞（4.0 克 ’ 61.2 宅旲耳）、NiCl2(0.23,4 克，1.80毫莫耳）、PPh3 (1.87克，7·2毫莫耳）及二吡啶（〇 29 克’ 1 · 8愛莫耳）之混合物内。所得混合物加熱至9 〇 歷4 8 小時。然後’將其冷卻至室溫並用稀釋。在過渡後 ’固體用CHKh洗滌，組合的有機層用in HC1及鹽水洗蘇 86574 -22- 1330645 。將溶液濃縮並自MeOH沉澱以得聚合物IV(c)。 實例2 此實例例示圖4A所示之聚合物IV(a)之製備。 以類似於對聚合物IV(c)所述之聚合程序製造聚合物IV(a)。
丨 V(a) 實例3 此實例例示圖4D所示之聚合物IV(d)之製備。 以類似於對聚合物IV(c)所述之聚合程序製造聚合物IV(d)。 86574 -23 - 1330645
IV(d) 貫例4 此實例例示圖4F所示之聚合物IV(f)之製備。
放在氮氣·下並設置狄恩-史塔克（Dean-Stark)截流器之圓 底燒瓶裝入4a (5毫莫耳，其係根據J. P. Chen等人’ Synthetic Metals 2003, 132, 1 73所述之程序合成）、苄醛4b (5毫莫耳） 、對甲苯磺酸（9.5毫莫耳）及氣苯（20毫升）。使所得混合物 回流3日，然後，聚合物自MeOH藉沉澱單離。 86574 -24- 1330645 實例5_ 此實例例示圖4E所示之聚合物IV(e)之製備。
在惰性氮氣環境下’圓底燒瓶裝入5a (0.5莫耳）、5b (0.5 莫耳）、Pd(OAC)2 (0.05 莫耳）、Ρ(〇τ〇ι)3 (〇 15 莫耳）、以川及 DMF。將所-得混合物回流3日，產物係藉CH2C12稀釋並自 MeOH沉澱單離。 【圖式簡單說明】 單元之式1(a)、1(b)及1(c) » 體單元之式11(a)、11(b)及 圖ΙΑ、1B及1C顯不電荷傳送單體 圖2A、2B及2C顯示電荷傳送單 11(c)。 86574 -25 - 1330645 圖3A、3B、3C及3D顯示電荷傳送單體單元之式111(a)、 111(b) 、 III(c)、及 111(d)。 圖4A、4B、4C、4D、4E及4F顯示本發明之聚合電荷傳 送組合物之式IV(a)至IV(f)。 圖5A及5B顯示電荷傳送單體單元之式5A及5B。 圖6為發光二極體（LED)之概略圖表。 圖7A、7B、7C、7D及7E顯示電發冷光銥錯合物之式V(a) 至 V(e)。 86574 26-

Claims (1)

  1. 拾、申請專利範圍： 一種組合物，其包含具有至少一個具有式1(a)之第 體單元之聚合物 —Α「2 — I Arl Ar1 1 (。） NR12 NR12 其中： Ar在每次出現可為相同或不同並選自芳基及雜芳基； Ar2在每次出現可為相同或不同並選自伸芳基及雜伸 芳基； R在每次出現可為相同或不同並選自Η、烷基、雜烷 基 '芳基、雜芳基、芳基伸烷基、雜芳基伸烷基 、CnHaFb、及c6HcFd ;或鄰接R1基可接合以形成5-或6-員環； η為整數；及 a、b、c、及d為 〇 或整數，使 a+b = 2n+l，及c + d = 5。 2，如申請專利範圍第1項之組合物，其中Ar1係選自苯基、 經取代苯基、聯笨基、經取代聯苯基、吡啶基、經取代 p比啶基^二吡啶基、及經取代二吡啶基。 - 3，如申請專利範圍第1項之組合物，其中^^尺^選自卡巴 唑、苯并二唑、及苯并三唑。 4.如申請專利範圍第1項之組合物，其中R1選自具有1至12 個碳原子之烷基、苯基及芊基。 86574 1330645 單 5. —種組合物，其包含具有至少一個具有式II(a)之第 體單元之聚合物 一 r4 — •(R?
    N^「(R3)x I I (α N 其中： R2及R3在每次出現可為相同或不同並選自H、F、 > Hr、烷基、雜烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳 基、CnHaFb、〇CnHaFb、C6HcFd及 〇C6HcFd ; R4在每次出現可為相同或不同並選自伸烧基、雜伸烧 基、伸烯基、伸芳基、或雜伸芳基； a、b、c、及d為 0 或整數’使 a+b = 2n+l，及 c + d = 5， n為整數； ❻0或丨至3之整數； 、二其限制條件為至少有-個取代基在選自F、CnHaFt 6. 〜種、C及0C6HcFd之芳香族基上。 卜⑯’其包含具有至少—個具有式Η⑻之第一單 元之聚合物 86574
    11(b) 在每次出現可為相同或不同並選自H、F、 Br、院基、雜烧基、稀基、炔基、芳基、雜芳 4 基、CnHaFb、OCnHaFb、c6HcFd及 〇C6HcFd ; 在每次出現可為相同或不同並選自伸烷基、雜伸烷 基、伸烯基、伸芳基、或雜伸芳基； b、c、及d為0或整數，使a + b = 2n+1，及c Ώ為整數； Χ為0、- 1或2 ;及 -¾ 一 乂為0或1至3之整數； 但其限制條件為至少有一個取代基在選自F、 ' 〇C u t： n a b —nHaFb ' C6HcFdA 0C6HcFd2 芳香族基上。 一 j組合物，其包含具有至少一個具有式11(〇之第一單 體單元之聚合物
    其中： 及芒在母次出現可為相同或不同並選自Η' ρ、cl 、Br、烷基、雜烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳 基、CnHaFb、〇CnHaFb、C6HcFd及 〇c6HcFd ; R在每次出現可為相同或不同並選自伸烷基、雜伸烷 基、伸稀基、伸芳基、或雜伸芳基； b、C、及d為 0 或整數，使 a + b = 2n+1，及 c + d = 5， n為整數； p為〇或1 ;及 y為〇或1至3之整數； L其限制條件為至少有一個取代基在選自F、CnHaFb 〇CnHaFb、C6HcFd及 OC6HcFd之芳香族基上。 申叫專利範圍第5，6或7項任—項之組合物，其中r2 係選自苯基、經取代苯基、聯苯基、經取代聯苯基、吡 疋土：，取代比咬基、二p比咬基、及經取代二峨咬基。 9.如申叫專利範圍第5，6或7項之組合物，其中r4選自伸 苯基、伸苯基伸烷基、伸烷基及伸烯基。 ίο. —種組合物，其包含具有至少一個具有之第一 單體單元之聚合物
    其中： 111(0) R4在每次出現可為相同或不同並選自伸烷基、雜伸烷 基、伸烯基、伸芳基、雜伸芳基、或伸芳基伸炔 基，； R5在每次出現可為相同或不同並選自Η、ρ、C1、Β·Γ 、羥基、羧基、羰基、甲矽烷基、矽氧基、烷基 、雜烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、伸烷基 芳基、烯基芳基、炔基芳基、伸烷基雜芳基、稀 86574 1330645 基雜芳基、炔基雜芳基、CnHaFb、〇CnHaFb、C6HcFd 及〇C6HeFd，或R5二者一起可構成伸芳基或雜伸芳 基； a 卜及d為0或整數，使a+b = 2n+i，及c + d = 5， η為整數；及 ζ為0或1至4之整數，且其中該聚合物並非為均聚合物。 11· 一種組合物，其包含具有至少一個具有式^(勾之第一 單體單元之聚合物
    其中： R4在每次出現可為相同或不同並選自伸烷基、雜伸烷 基、伸烯基、伸芳基、雜伸芳基、或伸芳基伸炔 基； R在母··人出現可為相同或不同並選自Η、F、Cl、Br 、羥基、羧基、羰基、曱矽烷基、矽氧基、烷基 、雜烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、伸烷基 芳基、烯基芳基、炔基芳基、伸烧基雜芳基 '烯 基@芳基、炔基雜芳基、CnHaFb、◦CnHaFb、 及OC6HeFd，或R5二者一起可構成伸芳基或雜伸芳 基； a、b、c、及d為 0 或整數，使a + b=2n+1，及c + d=5， η為整數；及 86574 1330645 x為0、1或2。 12.如申請專利範圍第10或11項之組合物，其中R4選自伸苯 基、伸苯基伸烷基、伸烷基及伸烯基。 1 3 ·如申請專利範圍第1 0或11項之組合物，其中R5係選自苯 基烯基、苯基炔基、醋酸烷酯基、芳基羰基、具有1至 1 2個碳原子之烷基、苯基、經取代苯基、吡啶基及經取 代峨σ定基。 1 4.如申請專利範圍第1 0或11項之組合物，其中二個鄰接R5 一起為一伸芳基。 •— 一 15_ —種物質，其包含具有至少一個具有式1(a)至1(c)之第 一單體單元之聚合物 —— I
    /c\ , Ar1 Ar1 NR12 NR12
    86574 -6 - 1330645
    1(c) 及至少一個選自式11(a)至11(c)之第二單體單元 86574 — ra —
    I I (0)
    (R
    11(b) II (Ο |y III(α)
    1330645
    III (b)
    (R5)x III (〇) III (d) 其中： 在式 中： Ar在母_人出現可為相同或不同並選自芳基及雜芳義. 在母-人出現可為相同或不同並選自伸芳基及雜伸 芳基； R在母-人出現可為相同或不同並選自Η、烧基、雜烧 基二芳基、雜芳基、芳基伸烷基、雜芳基伸烷基 、CnHaFb、及C6HeFd ;或鄰接R1基可接合以形成5-或6-員環； n為整數；及 a、b、c、及d為 0 或整數，使 a+b = 2n+l，及 c + d = 5 ; 86574 1330645 在至 life)中： R2及R3在每次出現可為相同或不同並選自H、F、Cl 、Br、烷基、雜烷基、烯基 '炔基、芳基、雜芳 基 ' CnHaFb、OCnHaFb、C6HcFd及 〇C6HcFd ; R4在每次出現可為相同或不同並選自伸烷基、雜伸烷 基' 伸烯基、伸芳基、或雜伸芳基； a b、c、及d為 0 或整數’使a + b = 2n+l ’ 及c + d = 5， n為整數； Ρ為0或1 ; • - X為0、1或2 ;及 y為〇或1至3之整數； 八限制條件為至少有一個取代基在選自F、CnHaFb 〇CnHaFb ' c6hcF(^ 〇C6HcFd之芳香族基上； 在至 mm 中： R在每次出現可為相同或不同並選自伸烷基、雜伸烷 伸稀基、伸芳基、雜伸芳基、或伸芳基伸快 基； R在每次出現可為相同或不同並選自H、F、CM、Br 、經基基、甲錢基、錢基、烧基 二，燒基、稀基、炔基、芳基、雜芳基、伸烧基 方基、烯基芳基、炔基芳基、伸烷基雜芳基、^ 基雜芳基、快基雜芳基、CnHaFb、0CnHaFb、 :〇C6HcFd’或r5二者一起可構成伸芳基或雜伸芳 86574 1330645 a、b、c、及d為 0 或整數，使 a + b = 2n+l，及 c + d = 5， η為整數； χ為0、1或2 ; y為0、1或3 ;及 z為0或1至4之整數。 16. —種組合物，其包含具有至少一個選自式IV(a)至IV(e) 之第一單體單元之聚合物
    IV( α) IV(b-) 86574 • 10- 1330645
    IV( c)
    IV(d ) IV(e). 86574 -11 - 1330645 17. —種組合物，其包含具有至少一個具有式IV(f)之第一 單體單元之聚合物
    IV(f ). 18. —種電子裝置，其包含具有至少一個具有式1(a) ' 1(b) 或I(c：L之-·第一單體單元之聚合物之組合物
    86574 -12- 其中： 在每次出現可為相同或不同並選自芳基及雜芳基； Ar2在每次出現可為相同或不同並選自伸芳基及雜伸 芳基； Rl在每次出現可為相同或不同並選自Η、烷基、雜烧 基、芳基、雜芳基、芳基伸烷基、雜芳基伸烷基 、CnHaFb、及C6HcFd ;或鄰接R1基可接合以形成5_ 或6-員環； n為整歎； • ^ 一 y為 0、1、2或 3 ; 2為〇、1、2、3或4 ;及 a、b、c、及d為 0 或整數，使 a+b = 2n+l，及 c + d = 5。 19·如申請專利範圍第18項之裝置，其中Ari係選自笨基、 經取代笨基、聯苯基、經取代聯苯基、吡啶基、經取代 p比。定基、二吡啶基、及經取代二吡啶基。 2〇·如申請專利範圍第18項之裝置，其中n(ri)2選自卡巴唑 、笨并二唑、及苯并三唑。 21·如申請專利範圍第18項之裝置，其中Ri選自具有1至12 個碳原子之烷基、苯基及芊基。 22 ·—種電f裝置，其包含具有至少一個具有式II(a)之第〆 單體單元之聚合物之組合物 86574 丄：UIK)4!)
    R及R在每次出現可為相同或不同並選自H、f、c 、Br、烷基、雜烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳 * 土 CnHaFb、〇cnHaFb、c6HcFd及 〇C6HcFd ; R在母次出現可為相同或不同並選自伸烷基、雜伸烷 基、伸缔基、伸芳基、或雜伸芳基； ^卜及d為〇或整數，使a + b = 2n+1，及c + d = 5， n為整數； X為0、1或2 ;及 0或1至3之整數； 、二其限制條件為至少有一個取代基在選自f 23. -種：叫之芳香族基上。& b 單體；H其包含具有至少—個具有式n(b)之第〜 疋之水合物之組合物 •R
    X 1(b) 其中： 86574 及R在每次出現可為相同或不同並選自H' p、d Br、烷基、雜烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳 基、CnHaFb、〇CnHaFb、C6HcFd及 〇c6HcFd ; 在每次出現可為相同或不同並選自伸烷基、雜伸烷 基、伸稀基、伸芳基、或雜伸芳基； _ b c、及d為〇或整數，使a+b = 2n+l ,及c + d=s n為整數； X為0、1或2 ;及 1至3之整數； 〜其限制條件為至少有一個取代基在選自F、c η P 〇C U V n a b 24. nWaFb、C6HcFd及OC6HcFd之芳香族基上。 種電子裝置’其包含具有至少一個具有式II(C)之第一 單元之聚合物之組合物
    11(c)
    其中： R2及R3在每次出現可為相同或不同並選自H、F、C1 、三r、烷基、雜烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳 基、CnHaFb、OCnHaFb、C^HcFc^OC^HcFd ; R4在每次出現可為相同或不同並選自伸烷基、雜伸烷 基、伸烯基、伸芳基、或雜伸芳基； a、b、c、及d 為 〇 或整數’使 a+b = 2n+l ’ 及 c + d=5， 86574 -15- η為―整數； Μ 0或1 ;及 % 0或1至3之整數； L其限制條件為至少有一個取代基在選自F、CnHaFb nHaFb、c6HeFd及 〇C6HcFd之芳香族基上。 •如申請專利範圍第22，23或24項中任一項之裝置，其中 仏選自笨基、經取代苯基、聯笨基、經取代聯苯基、 吡啶基、經取代吡啶基、二吡啶基、及經取代二吡啶 基。 6.如申請專利範圍第22，23或24項之裝置，其中R4選自伸 苯基、伸笨基伸烷基、伸烷基及伸烯基。 2 7. —種電子裝置，其包含具有至少—個具有式111(幻之第 一單體單元之聚合物之組合物
    111(a) 其中： R在每次出現可為相同或不同並選自伸烷基、雜伸烷 基 '伸烯基、伸芳基、雜伸芳基、或伸芳基伸炔 基，； R3在每次出現可為相同或不同並選自Η、F、ci、 、經基、缓基、羰基、曱矽烷基、矽氧基、烷基 、雜烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、伸烷基 芳基、烯基芳基、炔基芳基、伸烷基雜芳基、烯 86574 -16· 1330645 基雜芳基、块基雜芳基、 及 OC6HcFd，或 R5 二者一 基； CnHaFb、〇CnHaFb、C6HcFd 起可構成伸芳基或雜伸芳 、' c '及ύ為〇或整數，使a+b=2n+1，及c+d=5， η為整數；及 ζ為0或1至4之整數。 28·種包子裝置，其包含具有至少-個具有式111(b)至 111(d)之第_ f體單元之聚合物之組合物 二4^X^~(r5)x ιπ (b) (R5)x
    HI (C)
    (r5)x
    III (d)
    其中 R在每次出現可為相同或不同並選自伸烷基、雜伸烷 基、伸烯基、伸芳基、雜伸芳基、或伸芳基伸炔 基； R在每次出現可為相同戒不同並選自H、F、Cl、Br 86574 •17- 1330645 、羥基、羧基、羰基、甲矽烷基、矽氧基、烷基 、雜烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、伸烷基 芳基、烯基芳基、炔基芳基、伸烷基雜芳基、烯 基雜芳基、炔基雜芳基、（:nHaFb、OUPb、e6HePd 及OC6HeFd，或R 一者一起可構成伸芳基或雜伸芳 基； a、b、c、及d為 0 或整數’使 a + b = 2n+l，及 c + d = 5， η為整數； X 為 0、_ 1 或 2 ; y為〇、1、2或3 ;及 z為 0、1、2、3 或 4。 29.如申請專利範圍第27或28項之裝置，其中R4選自伸苯基 、伸苯基伸烷基、伸烷基及伸烯基。 3 0.如申請專利範圍第27或28項之裝置，其中R5係選自苯基 烯基、苯基炔基、醋酸烧醋基、芳基幾基、具有1至12 個碳原子之烷基、苯基、經取代苯基、吡啶基及經取代 吡啶基。 3 1 ·如申請專利範圍第27或28項之裝置，其中二個鄰接R5 起為二伸芳基。 種電f裝置，其包含具有至少一個具有式1(a)至1(c) •^第一單體單元之聚合物之物質 86574 1330645 Ar2
    Α广2 I (c 及至少一個選自式11(a)至11(c)之第二單體單元 R4·
    II (α 86574 19 1330645
    II(b 11(c)
    及式 IIIU)至 111(d)
    III(a) III(b)
    / III (O
    III (d)
    86574 20· 1330645 其中： 在式1(a)至ΙΟΛ中·_ Αγ1在每次出現可為相同或不同並選自芳基及雜芳基； Ar2在每次出現可為相同或不同並選自伸芳基及雜伸 芳基； R1在每次出現可為相同或不同並選自Η、烷基、雜烷 基、芳基、雜芳基、芳基伸烷基 '雜芳基伸烷基 、CnHaFb、及C6HeFd ;或鄰接R1基可接合以形成5_ 或6.-員環； η為整數； y為0、1、2或3; z為〇、1、2、3或 4;及 a、b、c、及d為 0 或整數，使 a+b = 2n+1，及 c + d = 5 ; 曼 IKc、中： R及R3在每次出現可為相同或不同並選自H、f、d Br、院基、雜烧基、稀基、炔基、芳基、雜芳 基、CnHaFb、OCnHaFb、C6HeFd及 OC6HcFd ; R4在每次出現可為相同或不同並選自伸烷基、雜伸燒 基、伸烯基、伸芳基、或雜伸芳基； a' b^c、及d為 〇 或整數，使a + b = 2n+l，及 c + d = 5 , n為整數； P為0或1 ; x為0、1或2 ;及 y為0或1至3之整數； 86574 但其限制條件為至少有一個取代基在選自F、CnHaFb 、〇CnHaFb、C6HcFd及 0C6HcFd之芳香族基上； 支又 111(a)至_ TTTM、中—_ R在每次出現可為相同或不同並選自伸烷基、雜伸烷 基、伸烯基、伸芳基、雜伸芳基、或伸芳基伸炔 基； 在每次出現可為相同或不同並選自H、F、C卜Br 、羥基、羧基'羰基、曱矽烷基、矽氧基、烷基 二，烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、伸烷基 芳基、烯基芳基、炔基芳基、伸烷基雜芳基、烯 基雜芳基、炔基雜芳基、CnHaFb、OHFb、GHJd 及〇C6HcFd，或R3二者一起可構成伸芳基或雜伸芳 基； a b、c、及 d為 0 或整數，使 a + b = 2n+1，及 c + d=5， n為整數； χ為0、1或2 ; y為〇、1、2或3 ;及 z為〇或1至4之整數。 33. 一種電子裝置，其包含具有至少一個選自式1¥(3)至IV(e) 之第一号體單元之聚合物之組合物 86574 -22- 1330645
    IV(b-)
    86574 -23- 1330645
    IV(e). 34. —種電子裝置，其包含具有至少一個具有式IV(f)之第 一單體單元之聚合物之組合物
    IV(干）. 3 5. —種組合物，其包含具有至少一個具有式1(b)或1(c)之 第一單體單元之聚合物 86574 •24 -
    1330645 n,r12 Αγ1
    其中： Αι^在每_人出現可為相同或不同並選自芳基及雜芳基； “在每次出現可為相同或不同並選自伸芳基及 芳基； R在每次出現可為相同或不同並選自h、f、c卜以 羥基、羧基、羰基、甲矽烷基、矽氧基、烷基 、雜烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、伸烷= 方基、稀基芳基、块基芳基、伸燒基雜芳基、缔 基雜芳基、块基雜芳基、（:nHaFb、〇CnHaFb、c啦 :0C6HeFd ’或r5二者一起可構成伸芳基或雜伸芳d a、b、C' 及d為 〇或整數，使a + b = 2n+i，及c + , n為整數（如上所述）； -25- 36. y為〇或1至3之整數； Ζ為0或1至4之整數；及 其中該聚合物並非主 卫非為岣聚合物。 種、'且。4勿，其包含具有至少-個具有式111(C)或111(d) 之第一單體單元之聚合物
    I I I (d ) 其中： R在每次出現可為相同或不同並選自伸烷基、雜伸烷_ 基、伸稀基、伸芳基、雜伸芳基、或伸芳基伸炔 基； R5在，次出現可為相同或不同並選自H、F、CM、Br 、羥基、羧基、羰基、曱矽烷基、矽氧基、烷^ 、雜烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、伸烷基 芳基、烯基芳基、炔基芳基、伸烷基雜芳基、稀 基雜芳基、炔基雜芳基、CnHaFb、0CnHaFb、c6HcFd 86574 •26- 及0C6HeFd，或R5二者，起可構成伸芳基或雜伸芳 基； D、c、及d 為 0 或整數，使a+b = 2n+l，及 c + d = 5， n為整數； X為0、1或2 ; 37. 或1至3之整數；及 其中該聚合物並非為均聚合物。 種組合物，其包含具有玄少一個具有式III(b)之第— 單體單元之聚合物 • ^ -
    111(b). 其中： R4在每次出現可為相同或不同並選自伸烷基、雜伸燒 基、伸烯基、伸芳基、雜伸芳基、或伸芳基伸炔 基； ' R3在每次出現可為相同或不同並選自h、f、cn、Bf 、羥基、羧基、羰基、曱矽烷基'矽氧基、院基 、墼烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、伸烷基 芳基、烯基芳基、炔基芳基、伸烷基雜芳基、士 基雜芳基、炔基雜芳基、CnHafb、〇CnHaFb、 及OC6HeFd，或R3二者一起可構成伸芳基或雜伸 基； 86574 -27· 1330645 a ' b ' c ' 及 d 為 0 或整數，使 a + b = 2n+l，及 c + d = 5， n為整數； X為0、1或2 ;及 其中該聚合物並非為均聚合物。 3 8. —種包含物質層之裝置，該物質層包含如申請專利範圍 第35、36或37項聚合物。 3 9.如申請專利範圍第18或38項之裝置，其中該裝置為發光 二極體、發光電化學電池或光檢測器。 86574 -28 -
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