JPH04110390A - 有機薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
有機薄膜ｅｌ素子Info
- Publication number
- JPH04110390A JPH04110390A JP2232100A JP23210090A JPH04110390A JP H04110390 A JPH04110390 A JP H04110390A JP 2232100 A JP2232100 A JP 2232100A JP 23210090 A JP23210090 A JP 23210090A JP H04110390 A JPH04110390 A JP H04110390A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- organic
- imidazo
- groups
- quinoxaline
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 55
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 4
- 125000003236 benzoyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C(*)=O 0.000 claims abstract description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims 2
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 claims 2
- -1 (substituted) pyridyl Chemical group 0.000 abstract description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 abstract description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 abstract description 2
- FCTIZUUFUMDWEH-UHFFFAOYSA-N 1h-imidazo[4,5-b]quinoxaline Chemical compound C1=CC=C2N=C(NC=N3)C3=NC2=C1 FCTIZUUFUMDWEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N quinoxaline Chemical compound N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- GAMYYCRTACQSBR-UHFFFAOYSA-N 4-azabenzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=N1 GAMYYCRTACQSBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017911 MgIn Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、平面光源やデイスプレィに使用される有機薄
膜ＥＬ素子に関するものである。
膜ＥＬ素子に関するものである。
（従来の技術）
有機物質を用いたＥＬ（電界発光）素子は、安価な大面
積フルカラー表示素子を実現するものとして注目を集め
ている。例えばアントラセンやペリレン等の縮合多環芳
香族系を原料としてＬＢ法や真空蒸着法で薄膜化した直
流駆動の有機薄膜ＥＬ素子が製造され、その発光特性が
研究されている。しかし、従来の有機薄膜ＥＬ素子は駆
動電圧が高く、かつその発光輝度・効率が無機薄膜ＥＬ
素子のそれと比べて低かった。また、発光特性の劣化の
著し、く、実用レベルのものではなかった。
積フルカラー表示素子を実現するものとして注目を集め
ている。例えばアントラセンやペリレン等の縮合多環芳
香族系を原料としてＬＢ法や真空蒸着法で薄膜化した直
流駆動の有機薄膜ＥＬ素子が製造され、その発光特性が
研究されている。しかし、従来の有機薄膜ＥＬ素子は駆
動電圧が高く、かつその発光輝度・効率が無機薄膜ＥＬ
素子のそれと比べて低かった。また、発光特性の劣化の
著し、く、実用レベルのものではなかった。
ところが、最近有機薄膜を積層構造にした新しいタイプ
の有機薄膜ＥＬ素子が開発されている（化学と工業、４
２巻、２０２３ページ、１９８９年）。これは強い蛍光
を発する有機色素を有機発光体薄膜層に、電荷輸送性有
機物を電荷注入層に使用して明るい発光が得られ、ＩＯ
Ｖの直流印加で数１００ｃｄ／ｒｎ２の輝度を得ている
。最大発光効率は１．０１ｍ／Ｗと、実用レベルに近い
性能になっている。
の有機薄膜ＥＬ素子が開発されている（化学と工業、４
２巻、２０２３ページ、１９８９年）。これは強い蛍光
を発する有機色素を有機発光体薄膜層に、電荷輸送性有
機物を電荷注入層に使用して明るい発光が得られ、ＩＯ
Ｖの直流印加で数１００ｃｄ／ｒｎ２の輝度を得ている
。最大発光効率は１．０１ｍ／Ｗと、実用レベルに近い
性能になっている。
（発明が解決しようとする課題）
前述したように、有機発光体薄膜と有機物の電荷注入層
とを積層した構造の有機薄膜ＥＬ素子は１０Ｖの直流印
加で１００ｃｄ／ｍ以上の明るい発光を示す。この素子
は電流駆動型であるために上記の輝度を得るためには最
低でも１０ｍＡ／ｃｍ２以上の電流を流さなければなら
ない。しかし充分な電流を流すと発光体薄膜のピンホー
ル欠陥による絶縁破壊をはじめ、発光体層の劣化やモー
ホロジーの変化が生じ発光が著しく減少する。
とを積層した構造の有機薄膜ＥＬ素子は１０Ｖの直流印
加で１００ｃｄ／ｍ以上の明るい発光を示す。この素子
は電流駆動型であるために上記の輝度を得るためには最
低でも１０ｍＡ／ｃｍ２以上の電流を流さなければなら
ない。しかし充分な電流を流すと発光体薄膜のピンホー
ル欠陥による絶縁破壊をはじめ、発光体層の劣化やモー
ホロジーの変化が生じ発光が著しく減少する。
従って、安定した発光を得るには、ピンポール欠陥のな
い発光層を形成し、強電界による絶縁破壊や発光層の劣
化を抑えることが有機薄膜ＥＬ素子の実用化の」−で非
常に重要である。しかし、従来の技術ではこれらの問題
解決が困難であった。
い発光層を形成し、強電界による絶縁破壊や発光層の劣
化を抑えることが有機薄膜ＥＬ素子の実用化の」−で非
常に重要である。しかし、従来の技術ではこれらの問題
解決が困難であった。
本発明の目的は、ピンホール欠陥の少ない発光層を有し
、高輝度の発光を安定して得ることのできる有機薄膜Ｅ
Ｌ素子を提供することである。
、高輝度の発光を安定して得ることのできる有機薄膜Ｅ
Ｌ素子を提供することである。
（課題を解決するための手段）
従来の課題解決のために鋭意研究Ｉ−だところ、有機発
光体薄膜層の材料としてピリドイミダツキツキザリンが
優れた特性を示すことを見いだした。この化合物には様
々な置換基を有する誘導体が合成されている（第２０回
複素環化学削論会講演要旨集、２４５〜２４８ページ、
１９８９年。日本化学会第５９回春季年会予稿集ＩＩ、
１９９７ページ、１９９０年。ガゼッタ・キミ力・イタ
リアーナ、１１１巻、４０９ページ、１９８１年。Ｃｈ
ｅｍｉｓｔｒｙＬｅｔｔｅｒｓ、 ２６７ページ、１９
９０年。）。
光体薄膜層の材料としてピリドイミダツキツキザリンが
優れた特性を示すことを見いだした。この化合物には様
々な置換基を有する誘導体が合成されている（第２０回
複素環化学削論会講演要旨集、２４５〜２４８ページ、
１９８９年。日本化学会第５９回春季年会予稿集ＩＩ、
１９９７ページ、１９９０年。ガゼッタ・キミ力・イタ
リアーナ、１１１巻、４０９ページ、１９８１年。Ｃｈ
ｅｍｉｓｔｒｙＬｅｔｔｅｒｓ、 ２６７ページ、１９
９０年。）。
従来の課題を解決するために本発明が提供する手段は、
少なくとも一方が透明である一文」の電極間に、有機発
光体薄膜層を少なくとも有する有機薄膜ＥＬ素子におい
て、有機発光体薄膜層の主成分が一般式 （式中、Ｒ１およびＲ２はアルキル基、ハロゲン基、ニ
トロ基、ベンゾイル基、からなる群から選ばれる。） で示されるピリドイミダゾキノキサリン誘導体であるこ
とを特徴とする有機薄膜ＥＬ素子である。また前記一対
の電極間に、公知の有機電荷輸送性薄膜と前記有機発光
体薄膜とを積層してもよい。
少なくとも一方が透明である一文」の電極間に、有機発
光体薄膜層を少なくとも有する有機薄膜ＥＬ素子におい
て、有機発光体薄膜層の主成分が一般式 （式中、Ｒ１およびＲ２はアルキル基、ハロゲン基、ニ
トロ基、ベンゾイル基、からなる群から選ばれる。） で示されるピリドイミダゾキノキサリン誘導体であるこ
とを特徴とする有機薄膜ＥＬ素子である。また前記一対
の電極間に、公知の有機電荷輸送性薄膜と前記有機発光
体薄膜とを積層してもよい。
本発明に用いられるピリドイミダゾキノキサリン誘導体
の例として３，８−ジメチルピリド［１’、２’：１．
２］イミダゾ［４，５−ｂ］キノキザリン、３，９−ジ
メチルピリド［１’、２’：１．２］イミダゾ［４，５
−ｂ］キノキザリン、８−ニトロピッド［１’、２’：
１．２］イミダゾ［４，５−ｂ］キノキザリン、９−ニ
トロピリド［１″、２’：１．２］イミダゾ［４，５−
ｂ］キノキサリン、３−メチル−８−二トロピリド［１
’、２’：１．２］イミダゾ［４，５−ｂ］ギノキサリ
ン、３−メチル−９−二トロビリド［１’、２’＋１．
２］イミダゾ［４，５−ｂ］キノキサリン、８−ヘンシ
イルビリド［１’、２’：１，２］イミダゾ［４，５−
ｂ］キノキザリン、９−ベンゾイルピリド［１’、２’
：１，２］イミタゾ［４，５−ｂ］キノキサリン、８−
クロロピリド［１’、２’：１．２］イミダゾ［４，５
−ｂ］キノキサリン、９−クロロピリド［１’、２’：
１，２］イミダゾ［４，５−ｂ］キノキザリン、８−ク
ロロ−３−メチルピリド［１’、２°：１．２］イミダ
ゾ［４，５−ｂ］キノキサリン、９−クロロ−３−メチ
ルピリド［１’、２’：１．２］イミダゾ［４，５−ｂ
］キノキサリン、８−ベンゾイル−２−メチルピリド［
１’、２’：１，２］イミダゾ［４，５−ｂ］キノキサ
ノン、８−ベンゾイル−３−メチルピリド［１’、２’
：１．２］イミダゾ［４，５−ｂ］キノキサリン、８−
ベンゾイル−４−メチルピリド［１’、２’：１，２］
イミダゾ［４，５−ｂ］キノキサリン、９−ベンゾイル
−２−メチルピリド［１’、２’：１，２］イミダゾ［
４，５−ｂ］キノキサリン、９−ベンゾイル−３−メチ
ルピリド［１’、２°：１，２］イミダゾ［４，５−１
）］キノキサリン、９−ベンゾイル−４−メチルビノド
［１’、２’：１．２］イミダゾ［化５−ｂ］キノキサ
リン、２−ヒドロキシル−８−二トロピリド［１’、２
’：１，２］イミダゾ［４，５−ｂｌキノキサリン、２
−ヒドロキシ−８−ベンゾイルピリド［１’、２’：１
．２］イミダゾ［４，５−ｂ］キノギサリン、３Ｊエニ
ルー８−ベンゾイルピリド［１’、２’：１．２］イミ
ダ゛石４，５−ｂ］キノギサリン、３−（２−ピリジル
）−８−ヘンシイルビリド［１’、２’：１．２］イミ
ダゾ［４，５−ｂ］キノキサリン、３−（４−ピリジル
）−８−ベンゾイルピリド［１’、２’：１，２］イミ
ダゾ［４，５−ｂ］キノギサリン、３−（ｔ−ブチル）
−８−ベンゾイルピリド［１’、２’：１．２］イミダ
ゾ［４，５−ｂ］キノギサリン、２−メチル−８−ベン
ゾイルピリド［１’、２’：１，２］イミダゾ［４，５
−ｂ］キノキザノン、３−メチル−８−ベンゾイルピリ
ド［１’、２’：１，２］イミダゾ［４，５−ｂ］キノ
キサリン、４−メチル−８−ベンゾイルピリド［１’、
２’：１，２］イミダゾ［４，５−ｂ］キノキザリン、
５−メチル−８−ベンゾイルピリド［１’、２’：１，
２］イミダゾ［４，５−ｂ］ギノギサリン、２−ヒドロ
キシ−９−ベンゾイルピリド［１′、２°：１，２］イ
ミダゾ［４，５−ｂ］キノキサリン、３−フェニル−９
−ベンゾイルピリド［１’、２’＋１．２］イミダゾ［
４，５−ｂ］キノキサリン、３−（２−ピリジル）−９
−ベンゾイルピリド［１’、２’：１．２］イミダゾ［
４，５−ｂ］キノキサリン、３−（４−ピリジル）−９
−△、ンゾイルピリド［１’、２’：１，２］イミダゾ
［４，５−ｂ］キノキサリン、３−（ｔ−ブチル）−９
−ベンゾイルピリド［１’、２’：１．２］イミダゾ［
４，５−ｂ］キノキサリン、２−メチル−９−ベンゾイ
ルピリド［１’、２’：１，２］イミダゾ［４，５−ｂ
］キノキサリン、３−メチル−９−ベンゾイルピリド［
１’、２’：１．２］イミダゾ［４，５−ｂ］キノギザ
ノン、４−メチル−９−ベンゾイルピリド［１’、２’
：１，２］イミダゾ［４，５−ｂｌキノキザリン、５−
メチル−９−ベンゾイルピリド［１’、２’：１，２］
イミダゾ［４，５−ｂ］キノキザリン、３−フコ。ニル
ー８−クロロピリド［１’、２’：１．２］イミタゾ［
４，５−ｂ］キノキザノン、２−ヒドロキシ−８−クロ
ロピリド［１’、２’：１．２］イミタゾ［４，５−ｂ
］キノキサリン、３−フェニル−９−クロロピリド［１
’、２’：１．２］イミダゾ［４，５−ｂ］キノキザリ
ン、２−ヒドロキシ−９−クロロピリド［１’、２’：
１，２］イミダゾ［４，５−ｂ］キノキサノン、８−メ
チルピリド［１’、２’：１，２］イミダゾ［４，５−
ｂ］キノキサリン、９−メチルピリド［１’、２’：１
．２］イミダゾ［４，５−ｂ］キノキサリン、２−ヒド
ロキシル−８−メチルピリド［１’、２’：１．２］イ
ミダゾ［４，５−ｂｌキノキザリン、２−ヒドロキシル
−９−メチルピリド［１’、２’：１．２］イミダゾ［
４，５−ｂ］キノギザリン、８−メチルピリド［１’、
２’：１，２］イミダゾ［４，５−ｂ］キノキザリン、
９−メチルピリド［１’、２”：１．２］イミダゾ［４
，５−ｂ］キノキサリン、２−ヒドロキシル−８−メチ
ルピリド［１’、２’：１，２］イミダゾ［４，５−ｂ
］キノキサリン、２−ヒドロキシル−９−メチルピリド
［１’、２’：１．２］イミダ゛石４，５−ｂ］キノキ
サリン、３−メチルピリド［１’、２’：１．２］イミ
ダソゴ４．５−ｂ］キノキサリン、４−ピリド［１’、
２’；１，２］イミダゾ［４，５−ｂ］キノキサリン、
２−ピリド［１°、２’：１．２］イミダゾ［４，５−
ｂ］キノキサリンなどがあるがこの限りではない。なお
、透明電極として通常用いられるものはいずれでもよく
、例えばＩＴＯ以外には５ｎ０２：Ｓｂ、 ＺｎＯ：Ａ
ｌやＡｕなどがあげられる。背面電極にはＩｎ、 Ｍｇ
、 Ａｇ、 Ｍｇ：Ａｇ、Ｍｇ：Ｉｎなどが使われる。
の例として３，８−ジメチルピリド［１’、２’：１．
２］イミダゾ［４，５−ｂ］キノキザリン、３，９−ジ
メチルピリド［１’、２’：１．２］イミダゾ［４，５
−ｂ］キノキザリン、８−ニトロピッド［１’、２’：
１．２］イミダゾ［４，５−ｂ］キノキザリン、９−ニ
トロピリド［１″、２’：１．２］イミダゾ［４，５−
ｂ］キノキサリン、３−メチル−８−二トロピリド［１
’、２’：１．２］イミダゾ［４，５−ｂ］ギノキサリ
ン、３−メチル−９−二トロビリド［１’、２’＋１．
２］イミダゾ［４，５−ｂ］キノキサリン、８−ヘンシ
イルビリド［１’、２’：１，２］イミダゾ［４，５−
ｂ］キノキザリン、９−ベンゾイルピリド［１’、２’
：１，２］イミタゾ［４，５−ｂ］キノキサリン、８−
クロロピリド［１’、２’：１．２］イミダゾ［４，５
−ｂ］キノキサリン、９−クロロピリド［１’、２’：
１，２］イミダゾ［４，５−ｂ］キノキザリン、８−ク
ロロ−３−メチルピリド［１’、２°：１．２］イミダ
ゾ［４，５−ｂ］キノキサリン、９−クロロ−３−メチ
ルピリド［１’、２’：１．２］イミダゾ［４，５−ｂ
］キノキサリン、８−ベンゾイル−２−メチルピリド［
１’、２’：１，２］イミダゾ［４，５−ｂ］キノキサ
ノン、８−ベンゾイル−３−メチルピリド［１’、２’
：１．２］イミダゾ［４，５−ｂ］キノキサリン、８−
ベンゾイル−４−メチルピリド［１’、２’：１，２］
イミダゾ［４，５−ｂ］キノキサリン、９−ベンゾイル
−２−メチルピリド［１’、２’：１，２］イミダゾ［
４，５−ｂ］キノキサリン、９−ベンゾイル−３−メチ
ルピリド［１’、２°：１，２］イミダゾ［４，５−１
）］キノキサリン、９−ベンゾイル−４−メチルビノド
［１’、２’：１．２］イミダゾ［化５−ｂ］キノキサ
リン、２−ヒドロキシル−８−二トロピリド［１’、２
’：１，２］イミダゾ［４，５−ｂｌキノキサリン、２
−ヒドロキシ−８−ベンゾイルピリド［１’、２’：１
．２］イミダゾ［４，５−ｂ］キノギサリン、３Ｊエニ
ルー８−ベンゾイルピリド［１’、２’：１．２］イミ
ダ゛石４，５−ｂ］キノギサリン、３−（２−ピリジル
）−８−ヘンシイルビリド［１’、２’：１．２］イミ
ダゾ［４，５−ｂ］キノキサリン、３−（４−ピリジル
）−８−ベンゾイルピリド［１’、２’：１，２］イミ
ダゾ［４，５−ｂ］キノギサリン、３−（ｔ−ブチル）
−８−ベンゾイルピリド［１’、２’：１．２］イミダ
ゾ［４，５−ｂ］キノギサリン、２−メチル−８−ベン
ゾイルピリド［１’、２’：１，２］イミダゾ［４，５
−ｂ］キノキザノン、３−メチル−８−ベンゾイルピリ
ド［１’、２’：１，２］イミダゾ［４，５−ｂ］キノ
キサリン、４−メチル−８−ベンゾイルピリド［１’、
２’：１，２］イミダゾ［４，５−ｂ］キノキザリン、
５−メチル−８−ベンゾイルピリド［１’、２’：１，
２］イミダゾ［４，５−ｂ］ギノギサリン、２−ヒドロ
キシ−９−ベンゾイルピリド［１′、２°：１，２］イ
ミダゾ［４，５−ｂ］キノキサリン、３−フェニル−９
−ベンゾイルピリド［１’、２’＋１．２］イミダゾ［
４，５−ｂ］キノキサリン、３−（２−ピリジル）−９
−ベンゾイルピリド［１’、２’：１．２］イミダゾ［
４，５−ｂ］キノキサリン、３−（４−ピリジル）−９
−△、ンゾイルピリド［１’、２’：１，２］イミダゾ
［４，５−ｂ］キノキサリン、３−（ｔ−ブチル）−９
−ベンゾイルピリド［１’、２’：１．２］イミダゾ［
４，５−ｂ］キノキサリン、２−メチル−９−ベンゾイ
ルピリド［１’、２’：１，２］イミダゾ［４，５−ｂ
］キノキサリン、３−メチル−９−ベンゾイルピリド［
１’、２’：１．２］イミダゾ［４，５−ｂ］キノギザ
ノン、４−メチル−９−ベンゾイルピリド［１’、２’
：１，２］イミダゾ［４，５−ｂｌキノキザリン、５−
メチル−９−ベンゾイルピリド［１’、２’：１，２］
イミダゾ［４，５−ｂ］キノキザリン、３−フコ。ニル
ー８−クロロピリド［１’、２’：１．２］イミタゾ［
４，５−ｂ］キノキザノン、２−ヒドロキシ−８−クロ
ロピリド［１’、２’：１．２］イミタゾ［４，５−ｂ
］キノキサリン、３−フェニル−９−クロロピリド［１
’、２’：１．２］イミダゾ［４，５−ｂ］キノキザリ
ン、２−ヒドロキシ−９−クロロピリド［１’、２’：
１，２］イミダゾ［４，５−ｂ］キノキサノン、８−メ
チルピリド［１’、２’：１，２］イミダゾ［４，５−
ｂ］キノキサリン、９−メチルピリド［１’、２’：１
．２］イミダゾ［４，５−ｂ］キノキサリン、２−ヒド
ロキシル−８−メチルピリド［１’、２’：１．２］イ
ミダゾ［４，５−ｂｌキノキザリン、２−ヒドロキシル
−９−メチルピリド［１’、２’：１．２］イミダゾ［
４，５−ｂ］キノギザリン、８−メチルピリド［１’、
２’：１，２］イミダゾ［４，５−ｂ］キノキザリン、
９−メチルピリド［１’、２”：１．２］イミダゾ［４
，５−ｂ］キノキサリン、２−ヒドロキシル−８−メチ
ルピリド［１’、２’：１，２］イミダゾ［４，５−ｂ
］キノキサリン、２−ヒドロキシル−９−メチルピリド
［１’、２’：１．２］イミダ゛石４，５−ｂ］キノキ
サリン、３−メチルピリド［１’、２’：１．２］イミ
ダソゴ４．５−ｂ］キノキサリン、４−ピリド［１’、
２’；１，２］イミダゾ［４，５−ｂ］キノキサリン、
２−ピリド［１°、２’：１．２］イミダゾ［４，５−
ｂ］キノキサリンなどがあるがこの限りではない。なお
、透明電極として通常用いられるものはいずれでもよく
、例えばＩＴＯ以外には５ｎ０２：Ｓｂ、 ＺｎＯ：Ａ
ｌやＡｕなどがあげられる。背面電極にはＩｎ、 Ｍｇ
、 Ａｇ、 Ｍｇ：Ａｇ、Ｍｇ：Ｉｎなどが使われる。
本発明により、ピンホール欠陥の少ない素子作成が可能
であり、高輝度の発光が安定して得られる。このように
本発明で重要な点は、発光体層に用いる月料かピリドイ
ミダゾキノキサリン誘導体であることを特徴とする有機
薄膜ＥＬ素子であり、発光体層以外の素子を構成する材
料そのものではない。また、有機発光体薄膜と背面電極
の間に公知の有機電子注入層を設置した、いわゆる３層
構造の有機薄膜ＥＬ素子においても本発明は有効である
。
であり、高輝度の発光が安定して得られる。このように
本発明で重要な点は、発光体層に用いる月料かピリドイ
ミダゾキノキサリン誘導体であることを特徴とする有機
薄膜ＥＬ素子であり、発光体層以外の素子を構成する材
料そのものではない。また、有機発光体薄膜と背面電極
の間に公知の有機電子注入層を設置した、いわゆる３層
構造の有機薄膜ＥＬ素子においても本発明は有効である
。
（実施例）
以下、本発明の実施例に詳細に説明する。
本発明に適用できる素子の断面構造を第１図から第４図
に示す。基本的にはガラス基板１１上に透明電極１２お
よび背面電極１５で挾まれた有機発光体薄膜層１４を有
する。これに加えて、有機正孔輸送性薄膜層１３や有機
電子輸送薄膜層１６を有してもよい。
に示す。基本的にはガラス基板１１上に透明電極１２お
よび背面電極１５で挾まれた有機発光体薄膜層１４を有
する。これに加えて、有機正孔輸送性薄膜層１３や有機
電子輸送薄膜層１６を有してもよい。
また、有機正孔輸送性薄膜１３および有機電子輸送性薄
膜１６を共に有してもよい。
膜１６を共に有してもよい。
実施例１
有機発光体として３，８−ジメチルピリド［１’、２’
：１．２］イミダゾ［４，５−ｂ］キノキサリンを用い
た。第２図に示すようにガラス基板１１上にＩＴＯ透明
電極１２を形成してから有機正孔輸送性薄膜１３として
１，１−ビス（４−Ｎ、Ｎ−ジトリルアミノフェニル）
シクロヘキサン薄膜１３を５００人、更に有機発光体薄
膜１４を１０００人、１０ ’Ｔｏｒｒの真空中で蒸着
して形成した。最後に背面金属電極１５としてＩｎを電
子ビーム蒸着法で１５０ＯＡ形成して有機薄膜ＥＬ素子
を作成した。
：１．２］イミダゾ［４，５−ｂ］キノキサリンを用い
た。第２図に示すようにガラス基板１１上にＩＴＯ透明
電極１２を形成してから有機正孔輸送性薄膜１３として
１，１−ビス（４−Ｎ、Ｎ−ジトリルアミノフェニル）
シクロヘキサン薄膜１３を５００人、更に有機発光体薄
膜１４を１０００人、１０ ’Ｔｏｒｒの真空中で蒸着
して形成した。最後に背面金属電極１５としてＩｎを電
子ビーム蒸着法で１５０ＯＡ形成して有機薄膜ＥＬ素子
を作成した。
この素子の発光特性を乾燥窒素中で測定したところ、２
０Ｖの直流電圧の印加で２３０ｃｄ／ｍ２の明るい黄色
発光が得られた。１００ｃｄ／ｍ２の実用輝度でのエー
ジング試験を行ったところ著しい電圧のシフトはみられ
ず、安定した発光を得ることができた。
０Ｖの直流電圧の印加で２３０ｃｄ／ｍ２の明るい黄色
発光が得られた。１００ｃｄ／ｍ２の実用輝度でのエー
ジング試験を行ったところ著しい電圧のシフトはみられ
ず、安定した発光を得ることができた。
実施例２
有機発光体として３，８−ジメチルピリド［１’、２’
：１．２］イミダゾ［４，５−ｂ］キノキザリンを用い
た。第３図に示すようにガラス基板１１」−にＩＴＯ透
明電極１２を形成してから有機発光体薄膜１４を７０Ｏ
Ａ、１Ｏ−７Ｔｏｒｒの真空中で蒸着して形成した。更
に電子輸送性薄膜層１６として２−（４’−ｔｅｒｔ−
ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル）−１，３
，４−オキサジアゾールを５０ＯＡ、１０ Ｔｏｒｒ
の真空中で蒸着して形成した。最後に背面金属電極１５
としてＩｎを電子ビーム蒸着法で１５００人形成して有
機薄膜ＥＬ素子を作成した。
：１．２］イミダゾ［４，５−ｂ］キノキザリンを用い
た。第３図に示すようにガラス基板１１」−にＩＴＯ透
明電極１２を形成してから有機発光体薄膜１４を７０Ｏ
Ａ、１Ｏ−７Ｔｏｒｒの真空中で蒸着して形成した。更
に電子輸送性薄膜層１６として２−（４’−ｔｅｒｔ−
ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル）−１，３
，４−オキサジアゾールを５０ＯＡ、１０ Ｔｏｒｒ
の真空中で蒸着して形成した。最後に背面金属電極１５
としてＩｎを電子ビーム蒸着法で１５００人形成して有
機薄膜ＥＬ素子を作成した。
この素子の発光特性を乾燥窒素中で測定したところ、２
２Ｖの直流電圧の印加で２００ｃｄ／ｍの明るい黄色発
光が得られた。
２Ｖの直流電圧の印加で２００ｃｄ／ｍの明るい黄色発
光が得られた。
実施例３
有機発光体として３，８−ジメチルピリド［１’、２’
：１．２］イミダゾ［４，５−ｂ］キノキサリンを用い
た。第４図に示すようにガラス基板１１上にＩＴＯ透明
電極１２を形成してから、１，１−ビス（４−Ｎ、Ｎ−
ジトリルアミノフェニル）シクロヘキサン薄膜３を５０
０人、有機発光体薄膜１４を１５０人、１Ｏ−７Ｔｏｒ
ｒの真空中で蒸着して形成した。更に電子輸送性薄膜層
として２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−
（４’”−ビフェニル）−１，３，４−オキサジアゾー
ルを５００人、１Ｏ−７Ｔｏｒｒの真空中で蒸着して形
成した。最後に背面金属電極１５としてＭｇＩｎを電子
ビーム蒸着法で１５００人形成して３層構造の有機薄膜
ＥＬ素子を作成した。
：１．２］イミダゾ［４，５−ｂ］キノキサリンを用い
た。第４図に示すようにガラス基板１１上にＩＴＯ透明
電極１２を形成してから、１，１−ビス（４−Ｎ、Ｎ−
ジトリルアミノフェニル）シクロヘキサン薄膜３を５０
０人、有機発光体薄膜１４を１５０人、１Ｏ−７Ｔｏｒ
ｒの真空中で蒸着して形成した。更に電子輸送性薄膜層
として２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−
（４’”−ビフェニル）−１，３，４−オキサジアゾー
ルを５００人、１Ｏ−７Ｔｏｒｒの真空中で蒸着して形
成した。最後に背面金属電極１５としてＭｇＩｎを電子
ビーム蒸着法で１５００人形成して３層構造の有機薄膜
ＥＬ素子を作成した。
この素子の発光特性を乾燥窒素中で測定したところ、１
８Ｖの直流電圧の印加で２５０ｃｄ／ｍ２の明るい黄色
発光が得られた。１００ｃｄ／ｍの実用輝度でのエージ
ング試験を行ったところ著しい電圧のシフトはみられず
、安定した発光を得ることができた。
８Ｖの直流電圧の印加で２５０ｃｄ／ｍ２の明るい黄色
発光が得られた。１００ｃｄ／ｍの実用輝度でのエージ
ング試験を行ったところ著しい電圧のシフトはみられず
、安定した発光を得ることができた。
（発明の効果）
以上説明したよ°うに本発明の発光材料を用いることで
薄膜形成能に優れ、ピンホール欠陥の少ない発光層を形
成することができ、低電圧で高輝度の発光を安定して得
ることができた。
薄膜形成能に優れ、ピンホール欠陥の少ない発光層を形
成することができ、低電圧で高輝度の発光を安定して得
ることができた。
このように、本発明による有機薄膜ＥＬ素子は低電圧駆
動の薄膜発光体としてきわめて有効であり、その工業的
価値は高い。
動の薄膜発光体としてきわめて有効であり、その工業的
価値は高い。
第１図は本発明の有機薄膜ＥＬ素子の断面構造図、第２
図〜第４図は本発明の実施例の断面構造図である。
図〜第４図は本発明の実施例の断面構造図である。
Claims (2)
- （１）少なくとも一方が透明である一対の電極間に、有
機発光体薄膜層を少なくとも有する有機薄膜ＥＬ素子に
おいて、有機発光体薄膜層の主成分が一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ１からＲ８は同一または相異なってもよく、
水素原子、ハロゲン基、水酸基、ニトロ基、置換基を有
してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール
基、置換基を有してもよいピリジル基および置換基を有
してもよいベンゾイル基からなる群から選ばれる。） で示されるピリドイミダゾキノキサリン誘導体であるこ
とを特徴とする有機薄膜ＥＬ素子。 - （２）少なくとも一方が透明である一対の電極間に、有
機電荷輸送性薄膜と有機発光体薄膜が積層された有機薄
膜ＥＬ素子において、有機発光体薄膜層の主成分が一般
式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ１からＲ８は同一または相異なってもよく、
水素原子、ハロゲン基、水酸基、ニトロ基、置換基を有
してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール
基、置換基を有してもよいピリジル基および置換基を有
してもよいベンゾイル基からなる群から選ばれる。） で示されるピリドイミダゾキノキサリン誘導体であるこ
とを特徴とする有機薄膜ＥＬ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2232100A JPH04110390A (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | 有機薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2232100A JPH04110390A (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | 有機薄膜ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04110390A true JPH04110390A (ja) | 1992-04-10 |
Family
ID=16934007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2232100A Pending JPH04110390A (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | 有機薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04110390A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000063818A (ja) * | 1998-08-18 | 2000-02-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機エレクトロルミネツセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネツセンス素子 |
| WO2004006355A2 (en) * | 2002-07-10 | 2004-01-15 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Charge transport compositions which are quinazoline derivatives and electronic devices made with such compositions |
| US10784448B2 (en) * | 2014-08-08 | 2020-09-22 | Udc Ireland Limited | Electroluminescent imidazo-quinoxaline carbene metal complexes |
-
1990
- 1990-08-31 JP JP2232100A patent/JPH04110390A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000063818A (ja) * | 1998-08-18 | 2000-02-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機エレクトロルミネツセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネツセンス素子 |
| WO2004006355A2 (en) * | 2002-07-10 | 2004-01-15 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Charge transport compositions which are quinazoline derivatives and electronic devices made with such compositions |
| WO2004006355A3 (en) * | 2002-07-10 | 2004-03-18 | Du Pont | Charge transport compositions which are quinazoline derivatives and electronic devices made with such compositions |
| US8287769B2 (en) | 2002-07-10 | 2012-10-16 | E I Du Pont De Nemours And Company | Charge transport compositions and electronic devices made with such compositions |
| US8293139B2 (en) | 2002-07-10 | 2012-10-23 | E I Du Pont De Nemours And Company | Charge transport compositions and electronic devices made with such compositions |
| US8529796B2 (en) | 2002-07-10 | 2013-09-10 | E I Du Pont De Nemours And Company | Charge transport compositions and electronic devices made with such compositions |
| US10784448B2 (en) * | 2014-08-08 | 2020-09-22 | Udc Ireland Limited | Electroluminescent imidazo-quinoxaline carbene metal complexes |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3704748B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子用電子輸送材料およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPH02204996A (ja) | 有機薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH0525473A (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JPH059471A (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JP2004006287A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPH02305886A (ja) | 有機薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH04137485A (ja) | 電界発光素子 | |
| JPWO2003083009A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPH06136360A (ja) | 電界発光素子 | |
| JPH02213088A (ja) | 有機薄膜ｅｌ素子及びその製造方法 | |
| JP2869447B2 (ja) | 電界発光素子 | |
| JP2001313177A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP3227784B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JPH08143862A (ja) | 発光素子 | |
| JPH10284252A (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| JP3463364B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JPH0812967A (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JPH04110390A (ja) | 有機薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH07109454A (ja) | 電界発光素子 | |
| JP2002100475A (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JPH02289675A (ja) | 電界発光素子 | |
| JP4214482B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPH08245954A (ja) | 電界発光素子 | |
| JPH0411686A (ja) | 有機薄膜ｅｌ素子 | |
| JP2973465B2 (ja) | 有機薄膜ｅｌ素子 |