KR101011883B1 - 중합체성 전하 이송 조성물 및 상기 조성물로 제조된 전자장치 - Google Patents

중합체성 전하 이송 조성물 및 상기 조성물로 제조된 전자장치 Download PDF

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노라 에스. 라두
에릭 모리스 스미쓰
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Abstract

본 발명은 중합체성 전하 이송 조성물에 관한 것이다. 본 발명은 또한 상기 전하 이송 조성물을 포함하는 적어도 하나의 활성 층이 존재하는 전자 장치에 관한 것이다.
중합체, 전하, 이송, 조성물, 전자, 장치

Description

중합체성 전하 이송 조성물 및 상기 조성물로 제조된 전자 장치{Polymeric Charge Transport Compositions and Electronic Devices Made with Such Compositions}
관련 출원의 상호 인용
본 출원은 2002년 7월 10일자로 출원된 미국 특허 출원 제 60/394767 호 및 2003년 3월 28일자로 출원된 미국 특허 출원 제 60/458277 호의 우선권을 주장한다.
본 발명은 중합체성 전하 이송 조성물에 관한 것이다. 또한 본 발명은 상기 전하 이송 조성물을 포함하는 적어도 하나의 활성 층이 존재하는 전자 장치에 관한 것이다.
OLED 디스플레이를 구성하는 발광 다이오드("OLED")와 같은 유기 광활성 전자 장치에서, 유기 활성 층은 OLED 디스플레이 중 2 개의 전기적 접촉 층 사이에 끼여있다. OLED에서 유기 광활성 층은 상기 전기적 접촉 층에 전압을 인가하면, 유기 광활성 층이 상기 광-투과 전기 접촉 층을 통하여 빛을 방출한다.
발광 다이오드의 활성 성분으로서 유기 전장발광 화합물을 사용하는 것이 공지되어 있다. 단순한 유기 분자, 공역 중합체 및 유기금속 착물이 사용되어 왔다.
광활성의 물질을 사용하는 장치는 상기 광활성(예, 발광) 층과 하나의 접촉 층 사이에 위치한 하나 이상의 전하 이송 층을 종종 포함한다. 정공 이송 층은 상기 광활성 층과 양극 (anode)이라고도 불리우는 정공-주입 접촉 층의 사이에 위치할 수 있다. 전자 이송 층은 유기 금속 광 방출 재료와 같은 광활성 층과, 음극 (cathode)이라고도 불리우는 전자-주입 접촉 층의 사이에 위치할 수 있다.
전하 이송 물질에 대한 계속적인 요구가 존재한다.
발명의 요약
본 발명은 올리고머 또는 중합체인 전하 이송 조성물에 관한 것이다. 여기에서 사용되는 "중합체"라는 용어의 범위는 하나 이상의 상이한 종류의 단량체 단위를 갖는 중합체 및 올리고머를 포함하고자 하며, 적어도 2 개의 반복되는 단량체 단위를 갖는 화합물을 의미하고자 한다. "중합체성"라는 용어는 중합체와 같은 범위를 갖는 것으로 의도된다.
하나의 구현예에서, 본 발명은 도 1의 화학식 I(a)를 갖는 적어도 하나의 첫번째 단량체 단위를 갖는 중합체성 전하 이송 조성물에 관한 것이다:
상기 식에서,
Ar1은 각각의 존재에서 동일 또는 상이할 수 있고 아릴 및 헤테로아릴에서 선택되고;
Ar2는 각각의 존재에서 동일 또는 상이할 수 있고 아릴렌 및 헤테로아릴렌에서 선택되며;
R1은 각각의 존재에서 동일 또는 상이할 수 있고, H, 알킬, 헤테로알킬, 아릴, 헤테로아릴, 아릴알킬렌, 헤테로아릴알킬렌, CnHaFb 및 C6H cFd에서 선택되거나; 인접한 R1 기는 연합하여 5- 또는 6-원 고리를 형성할 수 있고;
n은 정수이며;
a, b, c 및 d는 0 또는 a + b = 2n + 1이고, c + d = 5가 되도록 하는 정수이다.
하나의 구현예에서, 본 발명은 화학식 I(b)를 갖는 적어도 하나의 첫번째 단량체 단위를 갖는 중합체성 전하 이송 조성물에 관한 것이다:
Figure 112005000901515-pct00001
상기 식에서,
Ar1은 각각의 존재에서 동일 또는 상이할 수 있고 아릴 및 헤테로아릴에서 선택되고;
Ar2는 각각의 존재에서 동일 또는 상이할 수 있고 아릴렌 및 헤테로아릴렌에서 선택되며;
R5는 각각의 존재에서 동일 또는 상이하며 H, F, Cl, Br, 히드록실, 카르복실, 카르보닐, 실릴, 실록실, 알킬, 헤테로알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 알킬렌아릴, 알케닐아릴, 알키닐아릴, 알킬렌헤테로아릴, 알케닐헤테로아릴, 알키닐헤테로아릴, CnHaFb, OCnHaFb, C6HcFd 및 OC6HcFd에서 선택되거나, R5의 양자는 함께 아릴렌 또는 헤테로아릴렌 기를 구성할 수 있고;
a, b, c 및 d는 0 또는 a + b = 2n + 1이고, c + d = 5가 되도록 하는 정수이며;
n은 (상기와 같은) 정수이고;
y는 0 또는 1 내지 3의 정수이며;
z는 0 또는 1 내지 4의 정수이다.
하나의 구현예에서, 본 발명은 도 1의 화학식 I(c)를 갖는 적어도 하나의 첫번째 단량체 단위를 갖는 중합체성 전하 이송 조성물에 관한 것이다:
Figure 112005000901515-pct00002
상기 식에서,
Ar1은 각각의 존재에서 동일 또는 상이할 수 있고 아릴 및 헤테로아릴에서 선택되고;
Ar2는 각각의 존재에서 동일 또는 상이할 수 있고 아릴렌 및 헤테로아릴렌에서 선택되며;
R1은 각각의 존재에서 동일 또는 상이할 수 있고, H, 알킬, 헤테로알킬, 아릴, 헤테로아릴, 아릴알킬렌, 헤테로아릴알킬렌, CnHaFb 및 C6H cFd에서 선택되거나; 인접한 R1 기는 연합하여 5- 또는 6-원 고리를 형성할 수 있고;
R5는 각각의 존재에서 동일 또는 상이하며 H, F, Cl, Br, 히드록실, 카르복실, 카르보닐, 실릴, 실록실, 알킬, 헤테로알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 알킬렌아릴, 알케닐아릴, 알키닐아릴, 알킬렌헤테로아릴, 알케닐헤테로아릴, 알키닐헤테로아릴, CnHaFb, OCnHaFb, C6HcFd 및 OC6HcFd에서 선택되거나, R5의 양자는 함께 아릴렌 또는 헤테로아릴렌 기를 구성할 수 있고;
a, b, c 및 d는 0 또는 a + b = 2n + 1이고, c + d = 5가 되도록 하는 정수이며;
n은 (상기와 같은) 정수이고;
y는 0 또는 1 내지 3의 정수이며;
z는 0 또는 1 내지 4의 정수이다.
하나의 구현예에서, 본 발명은 도 2의 화학식 II(a), II(b) 및 II(c)에서 선택된 적어도 1종의 첫번째 단량체 단위를 갖는 중합체성 전하 이송 조성물에 관한 것이며, 상기 식에서:
R2 및 R3는 각각의 존재에서 동일 또는 상이하며 H, F, Cl, Br, 알킬, 헤테로알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, CnHaFb, OCnH aFb, C6HcFd 및 OC6HcF d에서 선택되고;
R4는 각각의 존재에서 동일 또는 상이하며 알킬렌, 헤테로알킬렌, 알케닐렌, 아릴렌, 헤테로아릴렌, 알키닐렌 또는 아릴렌알키닐렌에서 선택되고;
a, b, c 및 d는 0 또는 a + b = 2n + 1이고, c + d = 5가 되도록 하는 정수이며;
n은 정수이고;
p는 0 또는 1이며;
x는 0, 1 또는 2이고;
y는 0 또는 1 내지 3의 정수이다.
하나의 구현예에서, 본 발명은 전술한 바와 같이 도 2의 화학식 II(a), II(b) 및 II(c)에서 선택된 적어도 1종의 첫번째 단량체 단위를 갖는 중합체성 전하 이송 조성물에 관한 것이며, 여기에서, 방향족 기 상에는 F, CnHaFb, OCnHaFb, C6HcFd 및 OC6HcFd에서 선택된 적어도 하나의 치환체가 존재한다.
하나의 구현예에서, 본 발명은 도 3에 나타낸 바와 같은 화학식 III(a), III(b), III(c) 및 III(d)에서 선택된 적어도 하나의 첫번째 단량체 단위를 갖는 중합체성 전하 이송 조성물에 관한 것이며, 상기 식에서:
R4는 각각의 존재에서 동일 또는 상이하며 알킬렌, 헤테로알킬렌, 알케닐렌, 아릴렌, 헤테로아릴렌 또는 아릴렌알키닐렌에서 선택되고;
R5는 각각의 존재에서 동일 또는 상이하며 H, F, Cl, Br, 히드록실, 카르복실, 카르보닐, 실릴, 실록실, 알킬, 헤테로알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 알킬렌아릴, 알케닐아릴, 알키닐아릴, 알킬렌헤테로아릴, 알케닐헤테로아릴, 알키닐헤테로아릴, CnHaFb, OCnHaFb, C6HcFd 및 OC6HcFd에서 선택되거나, R5의 양자는 함께 아릴렌 또는 헤테로아릴렌 기를 구성할 수 있고;
a, b, c 및 d는 0 또는 a + b = 2n + 1이고, c + d = 5가 되도록 하는 정수이며;
n은 정수이고;
x는 0, 1 또는 2이며;
y는 0 또는 1 내지 3의 정수이고;
z는 0 또는 1 내지 4의 정수이다.
하나의 구현예에서, 본 발명은 전술한 바와 같은 도 1의 화학식 I(a), I(b) 및 I(c)를 갖는 적어도 1종의 첫번째 단량체 단위 및 도 2의 화학식 II(a)부터 II(c) 및 도 3의 화학식 III(a), III(b), III(c) 및 III(d)에서 선택된 적어도 1종의 두번째 단량체 단위를 갖는 중합체성 전하 이송 조성물에 관한 것이다.
하나의 구현예에서, 본 발명은 도 1 내지 3에 나타낸 화학식 I(a), I(b), I(c), II(a), II(b), II(c), III(a), III(b), III(c) 및 III(d)에서 선택된 적어도 1종의 첫번째 단량체 단위를 갖는 중합체를 포함하는 적어도 하나의 활성 층을 갖는 전자 장치에 관한 것이며, 여기에서 Ar1, Ar2, R1 내지 R5, a에서 d, n, p 및 x에서 z는 상기 정의된 바와 같다.
하나의 구현예에서, 본 발명은 전술한 바와 같이 도 1의 화학식 I(a), I(b) 및 I(c)를 갖는 적어도 1종의 첫번째 단량체 단위 및 도 2의 화학식 II(a)부터 II(c) 및 도 3의 화학식 III(a), III(b), III(c) 및 III(d)에서 선택된 적어도 1종의 두번째 단량체 단위를 갖는 중합체를 포함하는 적어도 하나의 활성 층을 갖는 전자 장치에 관한 것이다.
여기에서 사용되는 용어 "전하 이송 조성물"은 전극으로부터 전하를 수용하여 비교적 높은 효율 및 적은 전하 손실로써 상기 물질의 두께를 통하여 움직임을 촉진할 수 있는 물질을 의미하고자 한다. 정공 이송 조성물은 양극으로부터 양의 전하를 수용하여 그것을 이송할 수 있다. 전자 이송 조성물은 음극으로부터 음의 전하를 수용하여 그것을 이송할 수 있다. "켄칭-방지 조성물"이라는 용어는 광활성 층의 여기된 상태로부터 에너지 전이 및 전자의 전이를 둘 다 방해하거나 지연시키거나 감소시키는 물질을 의미하고자 한다. "광활성"이라는 용어는 전장발광, 광발광 및/또는 광민감성을 나타내는 임의의 물질을 의미한다. "HOMO"는 화합물의 가장 높은 채워진 분자 오비탈을 의미한다. "LUMO"라는 용어는 화합물의 가장 낮은 채워지지 않은 분자 오비탈을 의미한다. "기"라는 용어는 유기 화합물의 치환체와 같이 화합물의 일부분을 의미하고자 한다. "헤테로"라는 접두어는 하나 이상의 탄소 원자가 다른 원자로 대체된 것을 나타낸다. "알킬"이라는 용어는 하나의 부착 지점을 갖는 지방족 탄화수소로부터 유래된 기를 의미하고자 하며, 이는 치환되지 않았거나 치환된 것일 수 있다. "헤테로알킬"이라는 용어는 적어도 하나의 헤테로원자를 가지며 하나의 부착 지점을 갖는 지방족 탄화수소로부터 유래된 기를 의미하고자 하며, 이는 치환되지 않았거나 치환된 것일 수 있다. "알킬렌"이라는 용어는 지방족 탄화수소로부터 유래되고 둘 이상의 부착 지점을 갖는 기를 의미하고자 한다. "헤테로알킬렌"이라는 용어는 적어도 하나의 헤테로원자를 가지며 둘 이상의 부착 지점을 갖는 지방족 탄화수소로 부터 유래된 기를 의미하고자 한다. "알케닐"이라는 용어는 하나 이상의 탄소-탄소 이중 결합을 가지며 둘 이상의 부착 지점을 갖는 탄화수소로부터 유래된 기를 의미하고자 하며, 이는 치환되지 않았거나 치환된 것일 수 있다. "알키닐"이라는 용어는 하나 이상의 탄소-탄소 삼중 결합을 가지며 하나의 부착 지점을 갖는 탄화수소로부터 유래된 기를 의미하고자 하며, 이는 치환되지 않았거나 치환된 것일 수 있다. "알케닐렌"이라는 용어는 하나 이상의 탄소-탄소 이중 결합을 가지며 둘 이상의 부착 지점을 갖는 탄화수소로부터 유래된 기를 의미하고자 하며, 이는 치환되지 않았거나 치환된 것일 수 있다. "알키닐렌"이라는 용어는 하나 이상의 탄소-탄소 삼중 결합을 가지며 둘 이상의 부착 지점을 갖는 탄화수소로부터 유래된 기를 의미하고자 하며, 이는 치환되지 않았거나 치환된 것일 수 있다. "헤테로알케닐", "헤테로알케닐렌", "헤테로알키닐" 및 "헤테로알키닐렌"이라는 용어는 하나 이상의 헤테로원자를 갖는 동종의 기를 의미하고자 한다. "헤테로알킬렌"이라는 용어는 적어도 하나의 헤테로원자 및 둘 이상의 부착 지점을 갖는 지방족 탄화수소에서 유래된 기를 의미하고자 한다. "아릴"이라는 용어는 하나의 부착 지점을 갖는 방향족 탄화수소로부터 유래된 기를 의미하고자 하며, 이는 치환되지 않았거나 치환된 것일 수 있다. "헤테로아릴"이라는 용어는 적어도 하나의 헤테로원자를 가지며 하나의 부착 지점을 갖는 방향족 기에서 유래된 기를 의미하고자 하며, 이는 치환되지 않았거나 치환된 것일 수 있다. "아릴알킬렌"이라는 용어는 아릴 치환체를 갖는 알킬기에서 유래된 기를 의미하고자 하며, 이는 더 치환되지 않았거나 치환된 것일 수 있다. "헤테로아릴알킬렌"이라는 용어는 헤테로아릴 치환체를 갖는 알킬 기로부터 유래된 기를 의미하고자 하며, 이는 더 치환되지 않았거나 치환된 것일 수 있다. "아릴렌"이라는 용어는 두 개의 부착 지점을 갖는 방향족 탄화수소로부터 유래된 기를 의미하고자 하며, 이는 치환되지 않았거나 치환된 것일 수 있다. "헤테로아릴렌"이라는 용어는 적어도 하나의 헤테로원자를 가지며 2 개의 부착 지점을 갖는 방향족 기에서 유래된 기를 의미하고자 하며, 이는 치환되지 않았거나 치환된 것일 수 있다. "아릴렌알킬렌"이라는 용어는 아릴 및 알킬 기를 둘 다 가지며 아릴 기 상에 하나의 부착 지점 및 알킬 기 상에 하나의 부착 지점을 갖는 기를 의미하고자 한다. "헤테로아릴렌알킬렌"이라는 용어는 아릴 및 알킬 기를 둘 다 가지며 아릴 기 상에 하나의 부착 지점 및 알킬 기 상에 하나의 부착 지점을 가지며, 그 안에 적어도 하나의 헤테로원자가 존재하는 기를 의미하고자 한다. 달리 지적되지 않는 한, 모든 기는 치환되지 않았거나 치환된 것일 수 있다. 장치 내의 층을 언급할 때 사용될 경우 "인접한"이라는 어구는 한 층이 또하나의 층에 바로 인접한 것을 반드시 의미하지는 않는다. 한편, "인접한 R 기"는 화학식(즉, 결합에 의해 연합된 원자 상에 있는 R 기)에서 서로 이웃하여 있는 R 기를 일컫도록 사용된다. "화합물"이라는 용어는 원자로 더 구성되는 분자로 만들어진 전기적으로 전하를 띠지 않은 물질을 의미하고자 하며, 여기에서 원자는 물리적 수단에 의해 분리될 수 없다. "리간드"라는 용어는 금속성 이온의 배위 구(sphere)에 부착된 분자, 이온 또는 원자를 의미하고자 한다. "착물"이라는 용어는 명사로 사용될 경우, 적어도 하나의 금속 이온 및 적어도 하나의 리간드를 갖는 화합물을 의미하고자 한다. 또한, IUPAC 번호 체계가 사용되며, 주기율표로부터의 족은 왼쪽에서부터 오른쪽으로 1 부터 18까지 번호가 매겨진다(CRC Handbook of Chemistry and Physics, 81st Edition, 2000).
달리 정의되지 않는 한, 여기에 사용된 모든 기술적 및 과학적 용어는 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 기술을 가진 자에 의해 통상적으로 이해되는 것과 같은 의미를 갖는다. 달리 정의되지 않는 한, 도면의 모든 문자 기호는 그러한 원자 기호를 갖는 원자를 의미한다. 여기에 기재된 것들과 유사하거나 동등한 방법 및 물질이 본 발명의 실시 또는 시험에 사용될 수 있지만, 적합한 방법 및 물질을 이하에 기재한다. 여기에 언급된 모든 공보, 특허 출원, 특허 및 기타 참고문 헌은 그 전체로서 참고문헌으로 도입된다. 서로 위배됨이 있을 경우, 본 명세서가, 그 정의를 포함하여 지배할 것이다. 또한, 물질, 방법 및 실시예는 단지 예시적인 것이지 한정하고자 함이 아니다.
본 발명의 기타 특징 및 장점은 이하의 상세한 설명 및 청구범위로부터 명백할 것이다.
도 1은 전하 이송 단량체 단위에 대한 화학식 I(a), I(b) 및 I(c)를 나타낸다.
도 2는 전하 이송 단량체 단위에 대한 화학식 II(a)부터 II(c)를 나타낸다.
도 3은 전하 이송 단위에 대한 화학식 III(a), III(b), III(c) 및 III(d)를 나타낸다.
도 4는 본 발명의 중합체성 전하 이송 조성물에 대한 화학식 IV(a)부터 IV(f)를 나타낸다.
도 5는 발광 다이오드(LED)의 개략도이다.
도 6은 전장발광성 이리듐 착물에 대한 화학식 V(a)부터 V(e)를 나타낸다.
본 발명의 중합체성 조성물은 전하 이송 물질로서 유용하다. 이들은 단독으로 또는 다른 물질과 함께 사용될 수 있다. 이들은 광활성 물질에 대한 호스트로서 사용될 수 있다.
화학식 I(a)부터 I(c)를 갖는 트리아릴메탄-유도체 단량체 단위를 갖는 중합 체가 정공 이송 물질로서 특히 유용하다.
일반적으로, n은 정수이다. 하나의 구현예에서, n은 1 내지 20의 정수이다. 하나의 구현예에서, n은 1 내지 12의 정수이다.
하나의 구현예에서, Ar1은 페닐 및 비페닐 (biphenyl) 기에서 선택되며, 이는 하나 이상의 탄소 원자가 헤테로원자로 대체된 것, 예컨대 피리딜 또는 비피리딜일 수 있다. 상기 기는 모두 더 치환될 수 있다. 치환체의 예로서, 알킬, 헤테로알킬, 아릴, 헤테로아릴, 아릴알킬렌, 헤테로아릴알킬렌, CnHaFb 및 C6HcFd(여기에서 a 내지 d 및 n은 상기 정의한 바와 같음)를 들 수 있지만, 이에 국한되지는 않는다.
하나의 구현예에서, Ar2는 페닐렌 및 페닐렌알킬렌에서 선택되고, 이는 더 치환될 수 있다.
하나의 구현예에서, N(R1)2는 융합된 헤테로방향족 고리 기이다. 그러한 기의 예로서 카바졸, 벤조디아졸 및 벤조트리아졸을 들 수 있지만, 이에 국한되지는 않는다.
하나의 구현예에서 R1은 1 내지 12 개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 페닐 및 벤질에서 선택된다.
화학식 II(a)부터 II(c)를 갖는 페난트롤린-유도체 단량체 단위를 갖는 중합체가 전자 이송 물질 및 켄칭-방지 물질로서 특히 유용하다.
하나의 구현예에서, R2는 페닐, 비페닐, 피리딜 및 비피리딜 (bipyridyl)에서 선택되고, 이는 더 치환될 수 있다. 치환체의 예로서, 알킬, 헤테로알킬, 아릴, 헤테로아릴, 아릴알킬렌, 헤테로아릴알킬렌, F, CnHaFb, OCn HaFb, C6HcFd 및 OC6HcFd(여기에서 a 내지 d 및 n은 상기 정의된 바와 같음)를 들 수 있지만 이에 국한되는 것은 아니다.
하나의 구현예에서, 적어도 하나의 R2는 페닐 및 비페닐에서 선택되고, F, CnHaFb, OCnHaFb, C6Hc Fd 및 OC6HcFd(여기에서 a 내지 d 및 n은 상기 정의된 바와 같음)에서 선택된 기로 더 치환된다.
하나의 구현예에서, R3는 1 내지 12 개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기에서 선택된다.
하나의 구현예에서, R4는 페닐렌, 페닐렌알킬렌, 알킬렌 및 알케닐렌에서 선택된다.
하나의 구현예에서, 방향족 고리 상에 F, CnHaFb, OCnHa Fb, C6HcFd 및 OC6HcFd (여기에서 a 내지 d 및 n은 상기 정의된 바와 같음)에서 선택된 적어도 하나의 치환체가 존재한다.
일반적으로, n은 정수이다. 하나의 구현예에서, n은 1 내지 20의 정수이다. 하나의 구현예에서, n은 1 내지 12의 정수이다.
화학식 III(a), III(b), III(c) 및 III(d)를 갖는 퀴녹살린-유도체 단량체 단위를 가지며 단독 중합체가 아닌 중합체가 전자 이송 물질 및 켄칭-방지 물질로서 특히 유용하다.
일반적으로, n은 정수이다. 하나의 구현예에서, n은 1 내지 20의 정수이다. 하나의 구현예에서, n은 1 내지 12의 정수이다.
하나의 구현예에서 R4는 페닐렌, 페닐렌알킬렌, 알킬렌 및 알케닐렌에서 선택된다.
하나의 구현예에서, R5는 페닐알케닐 및 페닐알키닐 기에서 선택되며, 이는 더 치환될 수 있다.
하나의 구현예에서, R5는 알킬아세테이트 및 아릴카르보닐 기에서 선택되며, 이는 더 치환될 수 있다.
하나의 구현예에서, R5는 1 내지 12 개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기에서 선택된다.
하나의 구현예에서, R5는 페닐기, 치환된 페닐 기, 피리딜 기 및 치환된 피리딜 기에서 선택된다. 치환체는 F, Cl, Br, 히드록실, 카르복실, 카르보닐, 실릴, 실록실, 알킬, 헤테로알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 알킬렌아릴, 알케닐아릴, 알키닐아릴, 알킬렌헤테로아릴, 알케닐헤테로아릴, 알키닐헤테로아릴, CnHaFb, OCnHaFb, C6Hc Fd 및 OC6HcFd에서 선택될 수 있다.
하나의 구현예에서는, 두 인접한 R5가 함께 비아릴렌 기이며, 이는 더 치환될 수 있다. 하나의 구현예에서, 비아릴렌 기는 비페닐렌 및 비피리디닐렌에서 선택된다. 치환체는 F, Cl, Br, 히드록실, 카르복실, 카르보닐, 실릴, 실록실, 알킬, 헤테로알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 알킬렌아릴, 알케닐아릴, 알키닐아릴, 알킬렌헤테로아릴, 알케닐헤테로아릴, 알키닐헤테로아릴, CnHaFb, OCnHaFb, C6HcFd 및 OC6HcFd로부터 선택될 수 있다.
중합체 구조에 정공 및 전자 이송 단량체 단위를 둘 다 사용하는 것도 가능하다. 하나의 구현예에서, 혼합된 전하 이송 물질은 도 1의 화학식 I(a)부터 I(c)에서 선택된 적어도 1종의 첫번째 단량체 단위 및 도 2의 화학식 II(a)부터 II(c) 및 도 3의 화학식 III(a), III(b), III(c) 및 III(d)에서 선택된 적어도 1종의 두번째 단량체 단위를 갖는 중합체를 포함한다.
정공 및 전자 이송 단량체 단위는 같은 단량체 단위와 함께 중합되어 단독중합체를 형성할 수 있다. 이들은 또한 1종 이상의 상이한 단량체 단위와 함께 중합되어 공중합체를 형성할 수도 있다. 정공 및 전자 이송 단량체 단위는 서로, 또는 트리아릴아민, 플루오렌, 페닐렌, 페닐렌비닐렌, 옥사디아졸, 티아디아졸, 트리아졸, 카바졸 등과 같은 여타 단량체 단위와 함께 공중합될 수 있다. 올리고머성 또는 중합체성 정공 및 전자 이송 물질의 예로서 도 4의 화학식 IV(a)부터 IV(f)에 나타낸 것들(여기에서 s 및 t는 동일 또는 상이하며 1 이상의 정수임)을 들 수 있지만 이에 국한되지는 않는다.
중합체는 실시예에서 더 설명하는 바와 같이 스즈키 또는 야마모토(Suzuki or Yamamoto) 커플링 반응과 같은 공지의 합성 기술을 이용하여 제조될 수 있다.
본 발명의 화합물은 증발 기술 또는 통상의 용액 가공 방법에 의해 얇은 막으로서 적용될 수 있다. 여기에서 사용되는 "용액 가공"이란 액체 매질로부터 막이 형성되는 것을 의미한다. 액체 매질은 용액, 분산액, 에멀션 또는 기타의 형태일 수 있다. 전형적인 용액 가공 기술은 예를 들면 용액 성형, 적하(drop) 성형, 커튼(curtain) 성형, 스핀-피복, 스크린 인쇄, 잉크젯 인쇄, 그라비아 인쇄 등을 포함한다.
전자 장치
본 발명은 또한 광활성 층과 하나의 전극 사이에 위치한 본 발명에 따르는 적어도 1종의 전하 이송 조성물을 포함하는 전자 장치에 관한 것이다. 전형적인 장치 구조를 도 5에 나타낸다. 장치(100)는 양극 층(110) 및 음극 층(160)을 갖는다. 양극에 인접하여 정공 이송 물질을 포함하는 층(120)이 있다. 음극에 인접하여 전자 이송 및/또는 켄칭-방지 물질을 포함하는 층(140)이 있다. 정공 이송 층 및 전자 이송/켄칭-방지 층 사이에 광활성 층(130)이 있다. 선택적으로, 장치는 종종 음극에 이웃하여 또하나의 전자 이송 층(150)을 사용한다. 상기 층들(120, 130, 140 및 150)은 개별적으로 및 총체적으로 활성 층이라고 불리운다.
장치(100)의 응용에 따라서, 광활성 층(130)은, 방출 에너지에 반응하여 인가된 바이어스 전압(광검출기 등에서)의 존재 또는 부재 하에 신호를 생성하는 물질의 층인, 인가된 전압(발광 다이오드 또는 발광 전기화학 전지 등에서)에 의해 활성화되는 발광 층일 수 있다. 광검출기의 예로서, 광전도성 전지, 포토레지스터, 포토스위치, 포토트랜지스터 및 포토튜브, 및 포토볼타 전지를 들 수 있으며, 상기 용어는 문헌[Markus, John, Electronics and Nucleonics Dictionary, 470 및 476 (McGraw-Hill, Inc. 1966)]에 기재되어 있는 바와 같다.
장치에서 층들은 그러한 층으로서 유용한 것으로 공지되어 있는 임의의 재료로 만들어질 수 있다. 양극(110)은 양의 전하 담체를 주입하기에 특히 효과적인 전극이다. 이는 예를 들면, 금속, 혼합 금속, 합금, 금속 산화물 또는 혼합된-금속 산화물을 함유하는 물질로 만들어지거나, 전도성 중합체일 수 있고, 이들의 혼합물일 수도 있다. 적합한 금속으로서, 11족 금속, 4, 5 및 6 족의 금속, 및 8-10 족의 전이 금속을 들 수 있다. 양극이 광-투과성이어야 할 경우, 인듐-주석-산화물 같은 12, 13 및 14 족 금속의 혼합된 금속 산화물이 일반적으로 사용된다. 양극(110)은 문헌["Flexible light-emitting diodes made from soluble conducting polymer," Nature vol. 357, pp 477-479 (1992년 6월 11일)]에 기재된 바와 같이 폴리아닐린 같은 유기 물질을 또한 포함할 수 있다. 양극 및 음극의 적어도 하나는 적어도 부분적으로 투명하여 생성된 빛이 관찰될 수 있도록 해야 한다.
본 발명의 트리아릴메탄 유도체 중합체인 화학식 I(a)부터 I(c)는 층(120)에서 정공 이송 조성물로서 특히 유용하다.
층(120)을 위해 사용될 수 있는 정공 이송 물질의 예는 예를 들면 문헌[Kirk-Othmer Encyclopedia of Chemical Technology, Fourth Edition, Vol. 18, p. 837-860, 1996, by Y. Wang]에 요약되어 있다. 정공 이송 분자 및 중합체가 둘 다 사용될 수 있다. 통상적으로 사용되는 정공 이송 분자는 N,N'-디페닐-N,N'-비스(3-메틸페닐)-[1,1'-비페닐]-4,4'-디아민 (TPD), 1,1-비스[(디-4-톨릴아미노)페닐]시클로헥 산(TAPC), N,N'-비스(4-메틸페닐)-N,N'-비스(4-에틸페닐)-[1,1'-(3,3'-디메틸)비페닐]-4,4'-디아민 (ETPD), 테트라키스-(3-메틸페닐)-N,N,N',N'-2,5-페닐렌디아민 (PDA), a-페닐-4-N,N-디페닐아미노스티렌 (TPS), p-(디에틸아미노)벤즈알데히드 디페닐히드라존 (DEH), 트리페닐아민 (TPA), 비스[4-(N,N-디에틸아미노)-2-메틸페닐](4-메틸페닐)메탄 (MPMP), 1-페닐-3-[p-(디에틸아미노)스티릴]-5-[p-(디에틸아미노)페닐]피라졸린 (PPR 또는 DEASP), 1,2-트랜스-비스(9H-카바졸-9-일)시클로부탄 (DCZB), N,N,N',N'-테트라키스(4-메틸페닐)-(1,1'-비페닐)-4,4'-디아민 (TTB) 및 구리 프탈로시아닌 같은 포르피린 화합물이다. 통상적으로 사용되는 정공 이송 중합체는 폴리비닐카바졸, (페닐메틸)폴리실란 및 폴리아닐린, 및 이들의 혼합물이다. 상기 언급된 것들과 같은 정공 이송 분자를 폴리스티렌 및 폴리카보네이트 같은 중합체 내로 도핑함으로써 정공 이송 중합체를 수득하는 것도 가능하다.
광활성 층(130)의 예로서 모든 공지의 전장발광성 물질을 들 수 있다. 유기금속성 전장발광 화합물이 바람직하다. 가장 바람직한 화합물로서 시클로금속화된 이리듐 및 플라티늄 전장발광 화합물 및 이들의 혼합물을 들 수 있다. 이리듐과 페닐피리딘, 페닐퀴놀린 또는 페닐피리미딘 리간드와의 착물이 PCT 공개 특허 출원 WO 02/02714(Petrov 등)에 전장발광성 화합물로 개시되어 있다. 기타 유기금속 착물은 예를 들면 공개된 출원 US 2001/0019782 호, EP 1191612 호, WO 02/15645 호 및 EP 1191614 호에 기재되어 있다. 이리듐의 금속 착물로 도핑된 폴리비닐 카바졸(PVK)의 활성 층을 갖는 전장발광 장치가 PCT 공개 출원 WO 00/70655 및 WO 01/41512(Burrows 및 Thompson)에 기재되었다. 전하 담지 호스트 물질 및 인광을 가진 플라티늄 착물을 포함하는 전장발광성 방출 층이 미국 특허 제 6,303,238 호(Thompson 등), 및 문헌[Bradley 등, Synth. Met. (2001), 116 (1-3), 379-383 및 Campbell 등, Phys. Rev. B, Vol. 65 085210]에 기재되어 있다. 몇 가지 적합한 이리듐 착물의 예가 도 6에 화학식 V(a) 내지 V(f)로 주어져 있다. 동종의 4가 플라티늄 착물이 사용될 수도 있다. 상기 전장발광성 착물은 단독으로 사용되거나 상기 지적한 바와 같이 전하-담지 호스트 내로 도핑될 수 있다. 본 발명의 중합체성 전하 이송 물질은 유기금속성 및 기타 방출체(emitters)를 위한 호스트로서 사용될 수 있다.
본 발명의 페난트롤린 유도체 및 퀴녹살린 유도체 중합체인 화학식 II(a)부터 II(c), III(a)부터 III(d)는 층(140)에서 전자 이송/켄칭-방지 조성물로서, 또는 층(150)에서 전자 이송 조성물로서 특히 유용하다. 바람직하게는, 본 발명의 페난트롤린 유도체 및 퀴녹살린 유도체 중합체는 광 방출 다이오드에서 전자 이송/켄칭-방지 층으로 사용된다.
층(150)에 사용될 수 있는 추가의 전자 이송 물질의 예로서 트리스(8-히드록시퀴놀레이토)알루미늄(Alq3)과 같은 금속 킬레이트화된 옥시노이드 화합물; 및 2-(4-비페닐릴)-5-(4-t-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸(PBD) 및 3-(4-비페닐릴)-4-페닐- 5-(4-t-부틸페닐)-1,2,4-트리아졸(TAZ) 같은 아졸 화합물, 및 이들의 혼합물을 들 수 있다.
음극(160)은 전자 또는 음의 전하 담체를 주입하는 데 특히 효과적인 전극이다. 음극은 양극에 비하여 보다 낮은 작업 기능을 갖는 임의의 금속 또는 비금속일 수 있다. 음극을 위한 재료는 1 족의 알칼리 금속(예, Li, Cs), 2 족(알칼리 토)금속, 희토류 원소 및 란탄계 및 악틴계를 포함하는 12 족 금속으로부터 선택될 수 있다. 알루미늄, 인듐, 칼슘, 바륨, 사마륨 및 마그네슘과 같은 물질, 뿐만 아니라 그 조합이 사용될 수 있다. Li-함유 유기금속 화합물, LiF 및 Li2O가 작동 전압을 낮추기 위해 유기 층과 음극 층 사이에 침착될 수도 있다.
유기 전자 장치 중에 여타의 층을 갖는 것이 알려져 있다. 예를 들면, 양의 전하 이송 및/또는 층의 밴드-간격 조화를 촉진하거나 보호 층으로서 작용하도록 양극(110)과 정공 이송 층(120)의 사이에 층(도시되지 않음)이 있을 수 있다. 당 분야에 공지된 층들이 사용될 수 있다. 또한, 전술한 층들 중 임의의 것은 둘 이상의 층으로 만들어질 수 있다. 그렇지 않으면, 양극 층(110), 정공 이송 층(120), 전자 이송 층(140 및 150) 및 음극 층(160)의 일부 또는 전부가 전하 담체 이송 효율을 증가시키기 위해 표면 처리될 수 있다. 각각의 성분 층을 위한 재료의 선택은 적절한 장치 수명을 제공하면서 높은 장치 효율을 갖는 장치를 제공할 목적을 균형시킴으로써 바람직하게 결정된다.
각각의 작용 층은 둘 이상의 층으로 만들어질 수 있음이 이해된다.
장치는 적합한 기질 상에 개개의 층을 순차적으로 증착시키는 것을 포함하는 다양한 기술에 의해 제조될 수 있다. 유리 및 중합체 필름과 같은 기질이 사용될 수 있다. 열적 증발, 화학적 증착 등과 같은 통상의 증착 기술이 사용될 수 있다. 그렇지 않으면, 유기 층은 적합한 용매로부터, 스핀-피복, 침지-피복, 롤-대-롤 기술, 잉크-젯 인쇄, 스크린 인쇄 및 그라비어 인쇄 등을 비제한적으로 포함하는 임의의 통상적인 피복 또는 인쇄 기술을 이용하여 액체 가공될 수 있다. 일반적으로, 상이한 층이 다음 범위의 두께를 가질 수 있다: 양극(110), 500 내지 5000 Å, 바람직하게는 1000 내지 2000 Å; 정공 이송 층(120), 50 내지 2000 Å, 바람직하게는 200 내지 1000 Å; 광활성 층(130), 10 내지 2000 Å, 바람직하게는 100 내지 1000 Å; 전자 이송 층(140 및 150), 50 내지 2000 Å, 바람직하게는 100 내지 1000 Å; 음극(160), 200 내지 10000 Å, 바람직하게는 300 내지 5000 Å. 장치 내 전자-정공 재조합 영역의 위치, 및 따라서 장치의 방출 스펙트럼은 각 층의 상대적 두께에 의해 영향을 받을 수 있다. 따라서, 전자-이송 층의 두께는 전자-정공 재조합 영역이 발광 층 내에 있도록 선택되어야 한다. 층 두께의 바람직한 비는 사용되는 재료의 정확한 성질에 의존할 것이다.
본 발명의 트리아릴메탄, 페난트롤린 유도체 및 퀴녹살린 유도체 중합체는 OLEDs 이외의 응용에도 유용할 수 있다. 예를 들면, 상기 조성물은 태양 에너지 변환을 위한 광전압 장치에 사용될 수 있다. 이들은 또한 스마트 카드용 전장 효과 트랜지스터 및 박막 트랜지스터(TFT) 디스플레이 드라이버 응용에도 사용될 수 있다.
다음 실시예는 본 발명의 어떤 특징과 장점을 설명한다. 이들은 본 발명을 설명하고자 함이지, 한정하는 것은 아니다. 모든 백분율은 달리 명시되지 않는 한 중량 기준이다.
실시예 1
본 실시예는 도 4에 나타낸 중합체 IV(c)의 제조를 예시한다.
Figure 112005000901515-pct00003
질소 하에서, 1a(3.96 g, 9 mmol), 1b(3.63 g, 9 mmol), 아연(4.0 g, 61.2 mmol), NiCl2(0.234 g, 1.80 mmol), PPh3 (1.87 g, 7.2 mmol) 및 비피리딘(0.29 g, 1.8 mmol)의 혼합물에 DMF(100 mL)를 가하였다. 수득되는 혼합물을 90℃에서 48 시간 동안 가열하였다. 이를 실온까지 식히고 CH2Cl2로 희석하였다. 여과 후, 상 기 고체를 CH2Cl2로 세척하고, 합쳐진 유기 층을 1N HCl 및 염수로 세척하였다. 용액을 농축시키고 MeOH로부터 침전시켜 중합체 IV(c)를 수득하였다.
실시예 2
본 실시예는 도 4에 나타낸 중합체 IV(a)의 제조를 예시한다.
중합체 IV(a)는 중합체 IV(c)에 대하여 개괄된 중합 방법과 유사하게 제조되었다.
Figure 112005000901515-pct00004
실시예 3
본 실시예는 도 4에 나타낸 중합체 IV(d)의 제조를 예시한다.
중합체 IV(d)는 중합체 IV(c)에 대하여 개괄된 중합 방법과 유사하게 제조되 었다.
Figure 112005000901515-pct00005
실시예 4
본 실시예는 도 4에 나타낸 중합체 IV(f)의 제조를 예시한다.
Figure 112005000901515-pct00006
질소 하에 놓여지고 딘-스탁(Dean-Stark) 트랩이 장치된 둥근-바닥 플라스크에 4a(5 mmol, J. P. Chen 등, Synthetic Metals 2003, 132, 173에 개괄된 방법에 따라 합성된), 벤즈알데히드 4b (5 mmol), p-톨루엔술폰산 (9.5 mmol) 및 클로로벤젠(20 mL)을 넣었다. 수득되는 혼합물을 3 일 동안 환류시킨 후, MeOH로부터 침전 시킴으로써 중합체를 단리하였다.
실시예 5
본 실시예는 도 4에 나타낸 중합체 IV(e)의 제조를 예시한다.
Figure 112005000901515-pct00007
비활성 질소 대기 중에서, 둥근-바닥 플라스크에 5a(0.5 mol), 5b(0.5 mol), Pd(OAc)2 (0.05 mol) P(oTol)3 (0.15 mol), Et3N 및 DMF를 넣었다. 수득되는 혼합물을 3일 동안 환류시키고, 생성물을 CH2Cl2로 희석하고 MeOH로부터 침전시킴으로써 단리하였다.

Claims (39)

  1. 하기 화학식 I(a)을 갖는 적어도 1종의 첫번째 단량체 단위를 갖는 중합체를 포함하는 조성물:
    <화학식 I(a)>
    Figure 112008049397633-pct00032
    상기 식에서,
    Ar1은 각각의 존재에서 동일 또는 상이할 수 있고 아릴 및 헤테로아릴에서 선택되고;
    Ar2는 각각의 존재에서 동일 또는 상이할 수 있고 아릴렌 및 헤테로아릴렌에서 선택되며;
    R1은 각각의 존재에서 동일 또는 상이할 수 있고, H, 알킬, 헤테로알킬, 아릴, 헤테로아릴, 아릴알킬렌, 헤테로아릴알킬렌, CnHaFb 및 C6HcFd에서 선택되거나; 인접한 R1 기는 연합하여 5- 또는 6-원 고리를 형성할 수 있고;
    n은 정수이며;
    a, b, c 및 d는 0 또는 a + b = 2n + 1이고, c + d = 5가 되도록 하는 정수이다.
  2. 제 1 항에 있어서, Ar1이 페닐, 치환된 페닐, 비페닐, 치환된 비페닐, 피리딜, 치환된 피리딜, 비피리딜 및 치환된 비피리딜에서 선택되는 조성물.
  3. 제 1 항에 있어서, N(R1)2가 카바졸, 벤조디아졸 및 벤조트리아졸에서 선택되는 조성물.
  4. 제 1 항에 있어서, R1이 1 내지 12 개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 페닐 및 벤질에서 선택되는 조성물.
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  15. 하기 화학식 I(a)부터 I(c)를 갖는 적어도 1종의 첫번째 단량체 단위 및 하기 화학식 II(a)부터 II(c) 및 하기 화학식 III(a)부터 III(d)에서 선택된 적어도 1종의 두번째 단량체 단위를 갖는 중합체를 포함하는 물질:
    <화학식 I(a)>
    Figure 112008049397633-pct00038
    <화학식 I(b)>
    Figure 112008049397633-pct00039
    <화학식 I(c)>
    Figure 112008049397633-pct00085
    <화학식 II(a)>
    Figure 112008049397633-pct00086
    <화학식 II(b)>
    Figure 112008049397633-pct00087
    <화학식 II(c)>
    Figure 112008049397633-pct00088
    <화학식 III(a)>
    Figure 112008049397633-pct00089
    <화학식 III(b)>
    Figure 112008049397633-pct00090
    <화학식 III(c)>
    Figure 112008049397633-pct00091
    <화학식 III(d)>
    Figure 112008049397633-pct00092
    화학식 I(a) 부터 I(c) 중:
    Ar1은 각각의 존재에서 동일 또는 상이할 수 있고 아릴 및 헤테로아릴에서 선택되고;
    Ar2는 각각의 존재에서 동일 또는 상이할 수 있고 아릴렌 및 헤테로아릴렌에서 선택되며;
    R1은 각각의 존재에서 동일 또는 상이할 수 있고, H, 알킬, 헤테로알킬, 아릴, 헤테로아릴, 아릴알킬렌, 헤테로아릴알킬렌, CnHaFb 및 C6HcFd에서 선택되거나; 인접한 R1 기는 연합하여 5- 또는 6-원 고리를 형성할 수 있고;
    n은 정수이며;
    a, b, c 및 d는 0 또는 a + b = 2n + 1이고, c + d = 5가 되도록 하는 정수이고,
    화학식 II(a) 부터 II(c) 중:
    R2 및 R3는 각각의 존재에서 동일 또는 상이하며 H, F, Cl, Br, 알킬, 헤테로알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, CnHaFb, OCnHaFb, C6HcFd 및 OC6HcFd에서 선택되고;
    R4는 각각의 존재에서 동일 또는 상이하며 알킬렌, 헤테로알킬렌, 알케닐렌, 아릴렌 또는 헤테로아릴렌에서 선택되고;
    a, b, c 및 d는 0 또는 a + b = 2n + 1이고, c + d = 5가 되도록 하는 정수이며;
    n은 정수이고;
    p는 0 또는 1이며;
    x는 0, 1 또는 2이고;
    y는 0 또는 1 내지 3의 정수이며; 단, 방향족 기 상에는 F, CnHaFb, OCnHaFb, C6HcFd 및 OC6HcFd에서 선택된 적어도 하나의 치환체가 존재하며;
    화학식 III(a) 부터 III(d) 중:
    R4는 각각의 존재에서 동일 또는 상이하며 알킬렌, 헤테로알킬렌, 알케닐렌, 아릴렌 또는 헤테로아릴렌에서 선택되고;
    R5는 각각의 존재에서 동일 또는 상이하며 H, F, Cl, Br, 히드록실, 카르복실, 카르보닐, 실릴, 실록실, 알킬, 헤테로알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 알킬렌아릴, 알케닐아릴, 알키닐아릴, 알킬렌헤테로아릴, 알케닐헤테로아릴, 알키닐헤테로아릴, CnHaFb, OCnHaFb, C6HcFd 및 OC6HcFd에서 선택되거나, 두개의 R5가 함께 아릴렌 또는 헤테로아릴렌 기를 구성할 수 있고;
    a, b, c 및 d는 0 또는 a + b = 2n + 1이고, c + d = 5가 되도록 하는 정수이며;
    n은 정수이고;
    x는 0, 1 또는 2이며;
    y는 0, 1, 2 또는 3이고;
    z는 0 또는 1 내지 4의 정수이다.
  16. 하기 화학식 IV(b) 및 IV(d)에서 선택된 적어도 1종의 첫번째 단량체 단위를 갖는 중합체를 포함하는 조성물.
    <화학식 IV(b)>
    Figure 112010062873483-pct00049
    <화학식 IV(d)>
    Figure 112010062873483-pct00051
  17. 하기 화학식 IV(f)를 갖는 적어도 1종의 첫번째 단량체 단위를 갖는 중합체를 포함하는 조성물.
    <화학식 IV(f)>
    Figure 112008049397633-pct00053
  18. 하기 화학식 I(a), I(b) 또는 I(c)를 갖는 적어도 1종의 첫번째 단량체 단위를 갖는 중합체를 포함하는 조성물을 포함하는 전자 장치:
    <화학식 I(a)>
    Figure 112008049397633-pct00054
    <화학식 I(b)>
    Figure 112008049397633-pct00055
    <화학식 I(c)>
    Figure 112008049397633-pct00056
    상기 식에서,
    Ar1은 각각의 존재에서 동일 또는 상이할 수 있고 아릴 및 헤테로아릴에서 선택되고;
    Ar2는 각각의 존재에서 동일 또는 상이할 수 있고 아릴렌 및 헤테로아릴렌에서 선택되며;
    R1은 각각의 존재에서 동일 또는 상이할 수 있고, H, 알킬, 헤테로알킬, 아릴, 헤테로아릴, 아릴알킬렌, 헤테로아릴알킬렌, CnHaFb 및 C6HcFd에서 선택되거나; 인접한 R1 기는 연합하여 5- 또는 6-원 고리를 형성할 수 있고;
    n은 정수이며;
    y는 0, 1, 2 또는 3이고;
    z는 0, 1, 2, 3 또는 4이며;
    a, b, c 및 d는 0 또는 a + b = 2n + 1이고, c + d = 5가 되도록 하는 정수이다.
  19. 제 18 항에 있어서, Ar1이 페닐, 치환된 페닐, 비페닐, 치환된 비페닐, 피리딜, 치환된 피리딜, 비피리딜 및 치환된 비피리딜에서 선택되는 장치.
  20. 제 18 항에 있어서, N(R1)2가 카바졸, 벤조디아졸 및 벤조트리아졸에서 선택되는 장치.
  21. 제 18 항에 있어서, R1이 1 내지 12 개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 페닐 및 벤질에서 선택되는 장치.
  22. 삭제
  23. 삭제
  24. 삭제
  25. 삭제
  26. 삭제
  27. 삭제
  28. 삭제
  29. 삭제
  30. 삭제
  31. 삭제
  32. 하기 화학식 I(a)부터 I(c)를 갖는 적어도 1종의 첫번째 단량체 단위 및 하기 화학식 II(a)부터 II(c) 및 하기 화학식 III(a)부터 III(d)에서 선택된 적어도 1종의 두번째 단량체 단위를 갖는 중합체를 포함하는 물질을 포함하는 전자 장치:
    <화학식 I(a)>
    Figure 112008049397633-pct00064
    <화학식 I(b)>
    Figure 112008049397633-pct00065
    <화학식 I(c)>
    Figure 112008049397633-pct00066
    <화학식 II(a)>
    Figure 112008049397633-pct00093
    <화학식 II(b)>
    Figure 112008049397633-pct00094
    <화학식 II(c)>
    Figure 112008049397633-pct00095
    <화학식 III(a)>
    Figure 112008049397633-pct00096
    <화학식 III(b)>
    Figure 112008049397633-pct00097
    <화학식 III(c)>
    Figure 112008049397633-pct00098
    <화학식 III(d)>
    Figure 112008049397633-pct00099
    화학식 I(a) 부터 I(c) 중:
    Ar1은 각각의 존재에서 동일 또는 상이할 수 있고 아릴 및 헤테로아릴에서 선택되고;
    Ar2는 각각의 존재에서 동일 또는 상이할 수 있고 아릴렌 및 헤테로아릴렌에서 선택되며;
    R1은 각각의 존재에서 동일 또는 상이할 수 있고, H, 알킬, 헤테로알킬, 아릴, 헤테로아릴, 아릴알킬렌, 헤테로아릴알킬렌, CnHaFb 및 C6HcFd에서 선택되거나; 인접한 R1 기는 연합하여 5- 또는 6-원 고리를 형성할 수 있고;
    n은 정수이며;
    y는 0, 1, 2 또는 3이고;
    z는 0, 1, 2, 3 또는 4이며;
    a, b, c 및 d는 0 또는 a + b = 2n + 1이고, c + d = 5가 되도록 하는 정수이며;
    화학식 II(a) 부터 II(c) 중:
    R2 및 R3는 각각의 존재에서 동일 또는 상이하며 H, F, Cl, Br, 알킬, 헤테로알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, CnHaFb, OCnHaFb, C6HcFd 및 OC6HcFd에서 선택되고;
    R4는 각각의 존재에서 동일 또는 상이하며 알킬렌, 헤테로알킬렌, 알케닐렌, 아릴렌 또는 헤테로아릴렌에서 선택되고;
    a, b, c 및 d는 0 또는 a + b = 2n + 1이고, c + d = 5가 되도록 하는 정수이며;
    n은 정수이고;
    p는 0 또는 1이며;
    x는 0, 1 또는 2이고;
    y는 0 또는 1 내지 3의 정수이며; 단, 방향족 기 상에는 F, CnHaFb, OCnHaFb, C6HcFd 및 OC6HcFd에서 선택된 적어도 하나의 치환체가 존재하고;
    화학식 III(a) 부터 III(d) 중:
    R4는 각각의 존재에서 동일 또는 상이하며 알킬렌, 헤테로알킬렌, 알케닐렌, 아릴렌 또는 헤테로아릴렌에서 선택되고;
    R5는 각각의 존재에서 동일 또는 상이하며 H, F, Cl, Br, 히드록실, 카르복실, 카르보닐, 실릴, 실록실, 알킬, 헤테로알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 알킬렌아릴, 알케닐아릴, 알키닐아릴, 알킬렌헤테로아릴, 알케닐헤테로아릴, 알키닐헤테로아릴, CnHaFb, OCnHaFb, C6HcFd 및 OC6HcFd에서 선택되거나, 두개의 R5가 함께 아릴렌 또는 헤테로아릴렌 기를 구성할 수 있고;
    a, b, c 및 d는 0 또는 a + b = 2n + 1이고, c + d = 5가 되도록 하는 정수이며;
    n은 정수이고;
    x는 0, 1 또는 2이며;
    y는 0, 1, 2 또는 3이고;
    z는 0 또는 1 내지 4의 정수이다.
  33. 하기 화학식 IV(b) 및 IV(d)에서 선택된 적어도 1종의 첫번째 단량체 단위를 갖는 중합체를 포함하는 조성물을 포함하는 전자 장치.
    <화학식 IV(b)>
    Figure 112010062873483-pct00075
    <화학식 IV(d)>
    Figure 112010062873483-pct00077
  34. 하기 화학식 IV(f)를 갖는 적어도 1종의 첫번째 단량체 단위를 갖는 중합체를 포함하는 조성물을 포함하는 전자 장치.
    <화학식 IV(f)>
    Figure 112008049397633-pct00079
  35. 하기 화학식 I(b) 또는 I(c)를 갖는 적어도 1종의 첫번째 단량체 단위를 갖고 단독중합체가 아닌 중합체를 포함하는 조성물:
    <화학식 I(b)>
    Figure 112010062873483-pct00080
    <화학식 I(c)>
    Figure 112010062873483-pct00081
    상기 식에서,
    Ar1은 각각의 존재에서 동일 또는 상이할 수 있고 아릴 및 헤테로아릴에서 선택되고;
    Ar2는 각각의 존재에서 동일 또는 상이할 수 있고 아릴렌 및 헤테로아릴렌에서 선택되며;
    R5는 각각의 존재에서 동일 또는 상이하며 H, F, Cl, Br, 히드록실, 카르복실, 카르보닐, 실릴, 실록실, 알킬, 헤테로알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 알킬렌아릴, 알케닐아릴, 알키닐아릴, 알킬렌헤테로아릴, 알케닐헤테로아릴, 알키닐헤테로아릴, CnHaFb, OCnHaFb, C6HcFd 및 OC6HcFd에서 선택되거나, 두개의 R5가 함께 아릴렌 또는 헤테로아릴렌 기를 구성할 수 있고;
    a, b, c 및 d는 0 또는 a + b = 2n + 1이고, c + d = 5가 되도록 하는 정수이며;
    n은 정수이고;
    y는 0 또는 1 내지 3의 정수이며;
    z는 0 또는 1 내지 4의 정수이다.
  36. 삭제
  37. 삭제
  38. 제 35 항의 중합체를 포함하는 물질의 층을 포함하는 장치.
  39. 제 18 내지 21 항 및 제 32 내지 34 항 중 어느 한 항에 있어서, 발광 다이오드, 발광 전기화학 전지 또는 광검출기인 장치.
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