JP2005281136A - 新規なテトラアザトリフェニレン誘導体、それよりなる電子輸送材料、ホスト材料およびそれを用いた有機el素子 - Google Patents

新規なテトラアザトリフェニレン誘導体、それよりなる電子輸送材料、ホスト材料およびそれを用いた有機el素子 Download PDF

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【課題】電子輸送性を示すフェナントロリン骨格を有する新規なテトラアザトリフェニレン誘導体、それからなる新規な電子輸送材料、ホスト材料およびそれを用いた有機EL素子の提供。
【解決手段】 下記一般式(1)
【化1】
Figure 2005281136

(式中、R、R、R11、R12、R13、R14、R15およびR16は水素、アルキル基、アルコキシ基、置換基を有することもあるアリール基、置換基を有することもあるヘテロアリール基および置換基を有することもあるアリーロキシ基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基であり、RおよびRは、縮合して芳香族炭化水素環あるいは芳香族複素環を形成することもできる)
で示されるテトラアザトリフェニレン誘導体。
【選択図】 なし

Description

本発明は、新規なテトラアザトリフェニレン誘導体、それよりなる電子輸送材料、ホスト材料およびそれを用いた有機EL素子に関する。
有機EL素子の高効率化を実現するためには、高性能の発光材料、ホール輸送材料および電子輸送材料が必要である。発光材料およびホール輸送材料に関しては高性能の材料が見いだされているものの、電子輸送材料に関しては知見が少なく、まだ不十分であるのが現状である。
例えば、Tangらのグループにより、電子輸送材料(あるいは電子輸送材料兼発光材料)として用いられたAlq(Appl.Phys.Lett.,1987,51,913)が現在も広く使用されている。
また、電子輸送性に優れた化合物として、キノキサリン誘導体あるいはフェナントロリン誘導体などが挙げられる。
とくに、特許文献1では、ピラジン、キノキザリンあるいはトリアジン誘導体を、特許文献2ではジベンゾキノキザリン誘導体を、それぞれ電子輸送材料として使用している。
特開平9−188875号公報 WO03/058667号公報
本発明の目的は、電子輸送性を示すフェナントロリン骨格を有する新規なテトラアザトリフェニレン誘導体、それからなる新規な電子輸送材料、ホスト材料およびそれを用いた有機EL素子を提供する点にある。
本発明の第1は、下記一般式(1)
Figure 2005281136
(式中、R、R、R11、R12、R13、R14、R15およびR16は水素、アルキル基、アルコキシ基、置換基を有することもあるアリール基、置換基を有することもあるヘテロアリール基および置換基を有することもあるアリーロキシ基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基であり、RおよびRは、縮合して芳香族炭化水素環あるいは芳香族複素環を形成することもできる)
で示されるテトラアザトリフェニレン誘導体に関する。
本発明の第2は、下記一般式(2)
Figure 2005281136
(式中、R、R、R、R、R11、R12、R13、R14、R15およびR16は水素、アルキル基、アルコキシ基、置換基を有することもあるアリール基、置換基を有することもあるヘテロアリール基および置換基を有することもあるアリーロキシ基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基である)
で示される請求項1記載のテトラアザトリフェニレン誘導体に関する(請求項1において前記RとRが縮合して芳香族炭化水素環を形成した場合の化合物)。
本発明の第3は、請求項1〜2いずれか記載のテトラアザトリフェニレン誘導体よりなる電子輸送材料に関する。なお、電子輸送材料として用いる場合は、有機EL素子中に電子輸送材料よりなる薄層として用いる。その積層構造の1例を示すと、ガラス基板/ITO層/ホール輸送層/発光層/電子輸送層/陰極電極(Al)を挙げることができる。
本発明の第4は、請求項1〜2いずれか記載のテトラアザトリフェニレン誘導体よりなるホスト材料に関する。なお、ホスト材料として用いる場合は、有機EL素子中にホスト材料としてのテトラアザトリフェニレン誘導体のほかに別の色の光を発する蛍光色素を混合してなる薄層(発光層)として用いる。その積層構造の1例を示すと、ガラス基板/ITO層/ホール輸送層/発光層(テトラアザトリフェニレン誘導体と蛍光色素)/電子輸送層〔たとえばトリスー(8−キノリノラトアルミニウム)俗称Alq〕/陰極電極(Al)を挙げることができる。
本発明の第5は、請求項1〜2いずれか記載のテトラアザトリフェニレン誘導体を含有する有機EL素子に関する。
前記アルキル基としては、炭素数が好ましくは1〜20、より好ましくは1〜10、さらにより好ましくは1〜6であり、それぞれ直鎖状であっても、枝分かれしていても良い。その例としては、−CH、−C、−CHCHCH、−CH(CH、−CH(CHCH、−C(CH、−CH(CHCH、−CH(CHCHなどを挙げることができる。
前記アルコキシ基としては、炭素数は、好ましくは1〜20、より好ましくは1〜10、さらにより好ましくは1〜6であり、それぞれ直鎖状であっても、枝分かれしていても良い。その例としては、−OCH、−OC、−OCHCHCH、−OCH(CH、−OCH(CHCH、−OC(CH、−OCH(CHCH、−OCH(CHCHなどを挙げることができる。
前記置換基を有することもあるアリール基としては、置換基を有することもあるモノ、ジ、トリあるいはテトラフェニル基、置換基を有することもあるナフタレン基、置換基を有することもあるアントラセン基あるいは置換基を有することもあるフルオレン基などを挙げることができる。
前記置換基を有することもあるヘテロアリール基としては、置換基を有することもあるモノ、ジ、トリあるいはテトラピリジル基、置換基を有することもあるキノリン基、置換基を有することもあるフェナントリジン基などを挙げることができる。
アリーロキシ基の例としては、−OC、−OCCH、−OC、−OC(CH、−OCOCH、−OCN(CH、−OC10などを挙げることができる。これらに対する置換基の位置はとくに限定するものではなく、オルソ、メタ、パラのいずれの位置であってもよい。
前記それぞれの置換基としては前述のアルキル基、前述のアルコキシ基、後述のエステル基、ハロゲン基などを挙げることができる。
前記エステル基としては、炭素数1〜10、好ましくは炭素数1〜6よりなるアルキルエステルあるいはアリールエステルを挙げることができ、その例としては、−COOCH、−COOC、−COOCHCHCH、−COOCH(CH、−COOCH(CHCH、−COOC(CH、−COOCH(CHCH、−COOCH(CHCH、−COOCなどを挙げることができる。
前記ハロゲン基としては、すべてのハロゲン元素を挙げることができる。
本発明で用いる一般式(1)の化合物の製造方法の1つとしては下記方法を挙げることができる。それは下記の反応式によるものである。
Figure 2005281136
この反応は通常反応溶媒中において、室温から300℃、好ましくは50℃から150℃、より好ましくは反応溶媒の還流温度で実施する。
なお、式中、R〜R、R11〜R16はいずれも前記記載のとおりである。
前記反応溶媒としては、一般的な脂肪族アルコール溶媒を使用することが可能で、具体的には、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコールなどが使用できる。
請求項2の化合物〔一般式(2)の化合物〕に適した製造方法としては、下記の方法を例示することができる。
Figure 2005281136
この反応も、一般式(1)の化合物の製造例と同様の反応条件で実施することができる。反応溶媒も同様のものを使用することができる。
また、式中、R〜R、R11〜R16はいずれも前記記載のとおりである。
本発明のテトラアザトリフェニレン誘導体の具体的化合物を下記に例示する。
Figure 2005281136
Figure 2005281136
Figure 2005281136
本発明により、新規化合物であるテトラアザトリフェニレン誘導体が提供できた。
本発明の化合物は、例えばAlq(発光材料兼電子輸送材料)との素子構成で素子を作製することにより、効率のよい電子輸送性能を示すことを見出し、電子輸送材料としての用途を開発できた。さらに、この化合物自体の発光が400nm付近に発光極大を有する(図5)特徴を活かすことにより、容易な素子構成による青色素子作製が可能となる。
以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれにより何ら限定されるものではない。
合成例1
4,5,9,14−テトラアザ−ベンゾ[b]トリフェニレン(ジピリジド[3,2−a:2′,3′−c]フェナジン)の合成
Figure 2005281136
エタノール5mlに1,10−フェナントロリン−5,6−ジオン(105.1mg,0.5mmol)を溶かし、この溶液を撹拌しながらo−フェニレンジアミン(54.1mg,0.5mmol)を加え、完全に溶解したのを確認した後、還流下4時間撹拌した。反応溶液を冷却後、反応により析出した黄色粉末を吸引ろ過によりろ取、さらにエタノールより再結晶し、黄色粉末のジピリジド[3,2−a:2′,3′−c]フェナジンを67.8mg得た(収率 48%)。さらにトレイン−サブリメーション法により昇華精製を行った。この化学構造はH−NMR、質量分析にて同定した。このH−NMRチャートは図6に示す。
合成例2
11−メチル−4,5,9,14−テトラアザ−ベンゾ[b]トリフェニレン(11−メチル−ジピリジド[3,2−a:2′,3′−c]フェナジン)の合成
Figure 2005281136
エタノール10mlに1,10−フェナントロリン−5,6−ジオン(105.1mg,0.5mmol)を溶かし、この溶液を撹拌しながら3,4−ジアミノトルエン(61.1mg,0.5mmol)を加え、完全に溶解したのを確認した後、還流下5時間撹拌した。反応溶液を冷却後、反応により析出した黄色粉末を吸引ろ過によりろ取、さらにエタノールより再結晶し、薄黄色粉末の11−メチル−ジピリジド[3,2−a:2′,3′−c]フェナジンを105.2mg得た(収率 71%)。さらにトレイン−サブリメーション法により昇華精製を行った。この化学構造はH−NMR、質量分析にて同定した。このH−NMRチャートは図7に示す。
合成例3
11,12−ジメチル−4,5,9,14−テトラアザ−ベンゾ[b]トリフェニレン(11,12−ジメチル−ジピリジド[3,2−a:2′,3′−c]フェナジン)の合成
Figure 2005281136
エタノール10mlに1,10−フェナントロリン−5,6−ジオン(105.1mg,0.5mmol)を溶かし、この溶液を撹拌しながら4,5−ジメチル−1,2−フェニレンジアミン(105.1mg,0.5mmol)を加え、完全に溶解したのを確認した後、還流下7時間撹拌した。反応溶液を冷却後、反応により析出した黄色粉末を吸引ろ過によりろ取、さらにエタノールを用いて熱時分散洗浄し、黄色粉末の11,12−ジメチル−ジピリジド[3,2−a:2′,3′−c]フェナジンを125.7mg得た(収率81%)。さらにトレイン−サブリメーション法により昇華精製を行った。この化学構造はH−NMR、質量分析にて同定した。このH−NMRチャートは図8に示す。
合成例4
4,5,9,16−テトラアザ−ジベンゾ[a,c]ナフタセン(ベンゾ[1,2−i]ジピリジド[3′,2′−a:2″,3″−c]フェナジン)の合成
Figure 2005281136
合成例3において4,5−ジメチル−1,2−フェニレンジアミンの代わりに2,3−ジアミノナフタレン(79.1mg,0.5mmol)を用い、還流撹拌時間を7時間から10時間にした以外はすべて同条件で反応、精製を行うことにより、橙色固体のベンゾ[1,2−i]ジピリジド[3′,2′−a:2″,3″−c]フェナジンを151.2mg得た(収率91%)。さらにトレイン−サブリメーション法により昇華精製を行った。この化学構造はH−NMR、質量分析にて同定した。このH−NMRチャートは図9に示す。
合成例5
4,5,9,18−テトラアザ−フェナントロ[9,10−b]トリフェニレン(ジベンゾ[1,2−h:1′,2′−j]ジピリジド[3″,2″−a:2″′,3″′−c]フェナジン)の合成
Figure 2005281136
合成例3において4,5−ジメチル−1,2−フェニレンジアミンの代わりに9,10−ジアミノフェナントロリン(104.1mg,0.5mmol)を用い、還流撹拌時間を7時間から12時間にした以外はすべて同条件で反応、精製を行うことにより、薄黄色粉末のジベンゾ[1,2−h:1′,2′−j]ジピリジド[3″,2″−a:2″′,3″′−c]フェナジンを154.9mg得た(収率81%)。さらにトレイン−サブリメーション法により昇華精製を行った。この化学構造はH−NMR、質量分析にて同定した。このH−NMRチャートは図10に示す。
合成例6
2,3−ジフェニル1,4,8,9−テトラアザ−トリフェニレン(2,3−ビスフェニル−ジピリジド[3,2−f:2′,3′−h]キノキザリン)の合成
Figure 2005281136
エタノール100mlに5,6−ジアミノ−1,10−フェナントロリン(210.2mg,1.0mmol)を溶かし、この溶液を撹拌しながらベンジル(別名ジベンゾイル)(105.1mg,0.5mmol)を加え、完全に溶解したのを確認した後、還流下10時間撹拌した。反応溶液を冷却後、反応により析出した黄色粉末を吸引ろ過によりろ取、さらにエタノールより再結晶し、黄色粉末の2,3−ビスフェニル−ジピリジド[3,2−f:2′,3′−h]キノキザリンを151mg得た(収率57%)。化学構造はH−NMRにて同定した。このH−NMRチャートは図11に示す。
さらにトレイン−サブリメーション法により昇華精製を行った(精製収率47%)。
本発明合成例1、3、5、6で得られた化合物の電気化学特性および本発明合成例2、3、5、6で得られた化合物の熱特性を測定した。
Figure 2005281136
なお、表中EgはUV吸収スペクトルの吸収端より算出したエネルギーギャップ値、Ipは大気中光電子分析にて測定したイオン化ポテンシャル値、EaはIp−Egにより算出した電子親和力値を示している。
Figure 2005281136
なお、表中Tgはガラス転移温度、Tmは融解温度、Tdは分解温度を示している。
実施例1〜3
洗浄および前処理を施したITO基板上に、真空蒸着により、下記式
Figure 2005281136
で示されるα−NPD[N,N′−ジフェニル−N,N′−ジ(1−ナフチル)ベンジジン]を50nmの厚さに、下記式
Figure 2005281136
で示されるAlq[トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(III)]を40nmの厚さに、ついで実施例1のものは合成例3で得られた化合物を、実施例2では合成例5で得られた化合物を、実施例3では合成例6で得られた化合物をそれぞれ30nmの厚さに層形成し、さらにその上にLiFを5nm、Alを100nm、順次積層し、電子輸送性能を確認した。その結果を表3および図1〜2に示す。
Figure 2005281136
なお、括弧内の数値は印加電圧の値(単位はV)を示している。
比較例1
洗浄および前処理を施したITO基板上に、真空蒸着により、前記α−NPDを50nm、前記Alqを70nm、LiFを5nm、Alを100nm、順次積層し、電子輸送性能を確認した。その結果を表4および図3〜4に示す。
Figure 2005281136
なお、括弧内の数値は印加電圧の値(単位はV)を示している。
本発明で提供できる新規テトラアザトリフェニレン誘導体は、従来より電子輸送材料として用いられているAlq(表4)と同等の素子特性を示し(表3)、新規な電子輸送材料として有機EL素子に応用可能である。
さらに、本発明のテトラアザトリフェニレン誘導体は青色素子への応用が期待できる。従来広く使用されているAlqはそれ自体が緑色発光するために、青色素子へ用いる場合には、積層する材料の膜厚調整を行うなどしてAlqの発光を制御した素子を構成することにより発光層から電子輸送層へのエネルギー移動を抑制する必要があった。本発明のテトラアザトリフェニレン誘導体それ自体の発光は400nm付近に発光極大を有するために発光層より高エネルギーとなり、発光層から電子輸送層へのエネルギー移動は考え難く、そのため、青色素子に用いた場合でも素子構成は容易となる。
図1は、実施例1〜3の化合物にかかる輝度−電圧特性を示すグラフである。 図2は、実施例1〜3の化合物にかかる電流密度−電圧特性を示すグラフである。 図3は、比較例1の化合物にかかる輝度−電圧特性を示すグラフである。 図4は、比較例1の化合物にかかる電流密度−電圧特性を示すグラフである。 図5は、実施例1〜3の化合物にかかる発光強度−波長特性を示すグラフである。 図6は、合成例1で得られた化合物H−NMRチャートである。 図7は、合成例2で得られた化合物H−NMRチャートである。 図8は、合成例3で得られた化合物H−NMRチャートである。 図9は、合成例4で得られた化合物H−NMRチャートである。 図10は、合成例5で得られた化合物H−NMRチャートである。 図11は、合成例6で得られた化合物H−NMRチャートである。

Claims (5)

  1. 下記一般式(1)
    Figure 2005281136
    (式中、R、R、R11、R12、R13、R14、R15およびR16は水素、アルキル基、アルコキシ基、置換基を有することもあるアリール基、置換基を有することもあるヘテロアリール基および置換基を有することもあるアリーロキシ基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基であり、RおよびRは、縮合して芳香族炭化水素環あるいは芳香族複素環を形成することもできる)
    で示されるテトラアザトリフェニレン誘導体。
  2. 下記一般式(2)
    Figure 2005281136
    (式中、R、R、R、R、R11、R12、R13、R14、R15およびR16は水素、アルキル基、アルコキシ基、置換基を有することもあるアリール基、置換基を有することもあるヘテロアリール基および置換基を有することもあるアリーロキシ基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基である)
    で示される請求項1記載のテトラアザトリフェニレン誘導体(請求項1において前記RとRが縮合して芳香族炭化水素環を形成した場合の化合物)。
  3. 請求項1〜2いずれか記載のテトラアザトリフェニレン誘導体よりなる電子輸送材料。
  4. 請求項1〜2いずれか記載のテトラアザトリフェニレン誘導体よりなるホスト材料。
  5. 請求項1〜2いずれか記載のテトラアザトリフェニレン誘導体を含有する有機EL素子。
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