JP2004186157A - フェナントロリン−縮合フェナジンを有する有機発光デバイス - Google Patents

フェナントロリン−縮合フェナジンを有する有機発光デバイス Download PDF

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Abstract

【課題】 改良された有機発光デバイス(OLED)を提供すること
【解決手段】 有機発光デバイス(OLED)はフェナントロリン−縮合フェナジンが発光層、電子輸送層、正孔−ブロッキング層、及び/又は機能性ドーパントに対するホスト材料として使用される。
【選択図】なし

Description

本発明は、フェナントロリン−縮合フェナジン(phenanthroline−fused phenazine)またはその誘導体が発光層、電子輸送層、正孔−ブロッキング層、及び/又はホスト材料として使用された有機発光デバイス(OLED:organic light−emitting device)に関する。
有機発光デバイス(以下、OLEDと称す)は、その高効率、低駆動電力、広いカラー領域、軽い重量、簡単なデバイス製造と潜在的な低コストにより種々のディスプレイに対する応用に対して商業的に魅力的である。これらのデバイスにおいて、使用するための効率的な材料を開発するために多くの努力がなされた。
OLEDは、通常、透光性のインジウムすず酸化物(ITO)のような透光性のアノードと、Mg、Al、Agあるいはそれらの合金のような金属カソードとの間に挟まれた発光層を有する。バイアスがその電極間を横切って印可されるとき、正孔と電子はアノードとカソードから発光層にそれぞれ注入され、通常それぞれの電極に隣接する正孔輸送層および電子輸送層によって促進される。正孔と電子は発光層中で発光性の結合をして光を発光する。
多くの場合、ホスト材料中への機能性の材料のドーピングは改善された特性を導くかもしれない。改善された性能はまたデバイスから逃げ出す正孔や電子をブロックするブロッキング層の利用を通して成し遂げられるかもしれない。
OLEDに対する良好な効率、長寿命、純粋な色に対する消費者の期待のため、これらのデバイスで使用するために効率的な材料の開発に対する必要性が存在する。例えば、米国特許第4539507号公報(対応する日本出願は、特開昭59−194393号公報)には、陽極と正孔輸送層と有機発光層を有する発光素子が開示されており、さらに、特定の正孔輸送層材料が開示されている。(例えば、特許文献1)。
米国特許第4539507号公報
本発明の目的は、フェナントロリン−縮合フェナジンまたはその誘導体が発光層、電子輸送層、正孔−ブロッキング層、及び/又はホスト材料として使用される改善された有機発光デバイス(OLED)を提供することである。
したがって、1つの態様では、本発明は、有機層がアノードとカソードの間に挟まれており、その有機層がフェナントロリン−縮合フェナジン基化合物を含むところのOLEDである。
本発明の1つの実施例において、フェナントロリン−縮合フェナジン基化合物は、以下の構造を有する1、10−フェナントロリン−縮合フェナジンである。
Figure 2004186157
ここで、RからRは独立に水素、アルキル基、アルコキシ基、または芳香族基を表す。
本発明の別の実施例において、フェナントロリン−縮合フェナジン基化合物は、以下の構造を有する1、7−フェナントロリン−縮合フェナジンである。
Figure 2004186157
ここで、RからRは独立に水素、アルキル基、アルコキシ基、または芳香族基を表す。
本発明の別の実施例において、フェナントロリン−縮合フェナジン基化合物は、以下の構造を有する4、7−フェナントロリン−縮合フェナジンである。
Figure 2004186157
ここで、RからRは独立に水素、アルキル基、アルコキシ基、または芳香族基を表す。
本発明の別の実施例において、フェナントロリン−縮合フェナジン基化合物は、以下の構造を有する1、10−フェナントロリン−縮合フェナジンである。
Figure 2004186157
ここで、RからRは独立に水素、アルキル基、アルコキシ基、または芳香族基を表し、XはO、S、Rが水素またはアルキル基をもつNR、CH、CHCH、または縮合されたあるいは置換された芳香族基を表し、nは1〜12の整数であり、nが1のときXは存在しないかもしれない。
本発明の別の実施例において、フェナントロリン−縮合フェナジン基化合物は、以下の構造を有する1、7−フェナントロリン−縮合フェナジンである。
Figure 2004186157
ここで、RからRは独立に水素、アルキル基、アルコキシ基、または芳香族基を表し、XはO、S、Rが水素またはアルキル基であるNR、CH、CHCH、または、縮合されたあるいは置換された芳香族基を表し、nは1〜12の整数であり、nが1のときXは存在しないかもしれない。
本発明の別の実施例において、フェナントロリン−縮合フェナジン基化合物は、以下の構造を有する4、7−フェナントロリン−縮合フェナジンである。
Figure 2004186157
ここで、RからRは独立に水素、アルキル基、アルコキシ基、または芳香族基を表し、XはO、S、Rが水素またはアルキル基であるNR、CH、CHCH、または、縮合されたあるいは置換された芳香族基を表し、nは1〜12の整数であり、nが1のときXは存在しないかもしれない。
いくつかの好ましいフェナントロリン−縮合フェナジン基化合物は、以下に示される。
Figure 2004186157
Figure 2004186157
Figure 2004186157
ここで、RからR10は独立に水素、CH、または別のアルキル基であり、
Figure 2004186157
ここで、XはO、S、Rが水素、CH、または別のアルキル基をもつNR、CH、CHCHである。
1、7フェナントロリン−縮合フェナジンまたは、4、7−フェナントロリン−縮合フェナジンは、上記に示された1、10フェナントロリン−縮合フェナジンのために置換されうる。
本発明により、フェナントロリン−縮合フェナジン基化合物は、発光層、正孔−ブロッキング層、及び/又は電子輸送層として使用されることができる。さらに、その化合物は、機能性のあるゲスト材料のためにホスト材料として使用されることができる。その機能ゲスト材料は、エミッター、正孔−ブロッカー及び/又は電子−トランスポーターであるかもしれない。
フェナントロリン−縮合フェナジン基化合物は電子−蛍光性(electro−fluorescent)のおよび電子−燐光性(electro−phosphorescent)のOLEDにおける両方で使用されることができる。
本発明の簡潔な要約は、本発明の本質が素早く理解されるように提供される。
本発明の更なる完全な理解は以下に示す好ましい実施例の詳細な説明を図面と共に参照することによって得られる。
従って、本発明はOLEDの機能性の膜中にフェナントロリン−縮合フェナジン基化合物の利用を提供する。フェナントロリン−縮合フェナジン基化合物は優れた発光性、電子−輸送性、及び/又は正孔ブロッキング能力を示すかもしれない。さらに、機能性材料のためのホストとして働くフェナントロリン−縮合フェナジン基化合物はOLEDの向上した性能を導く。
図1は、概略的に本発明によるOLEDを表現したものであり、透光性の基板1、その基板に隣接するアノード2、アノード2に隣接する正孔輸送層3、発光層4、電子輸送層5及びカソード6を含んでいる。これらの層の各々は、類似の組成や機能を有する材料の多層を有するかもしれない。
透光性基板1の適切な材料は、ガラス、石英など、およびポリマー(ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリスルホンを限定無しに含む)を含む。基板の厚さは、臨界ではなく、デバイスの構造の要求に依存して、例えば、約25μm〜1000μm以上に広がることができる。
基板に隣接するアノード2は、特に、約4eVに等しいあるいはそれより大きい仕事関数を有する、金属、合金、電気伝導性の化合物、あるいはそれらの混合物を有することができる。アノードの特別な例は、インジウムすず酸化物(ITO)、酸化すず、酸化亜鉛、金、白金、電気伝導性カーボン、および、ポリアミン、ポリピロール等のような共役ポリマーのような正電荷注入電極を含む。ITOは好ましいものである。アノードの厚さは約10nm〜1μmの範囲が可能である。
正孔注入層3(ここでは正孔輸送層としても参照される)は発光層中に正孔を注入するおよび輸送することができる如何なる材料を有し得る。好ましくは、正孔注入層3の厚さは約20nmである。好ましい正孔注入及び正孔輸送材料は、以下の構造を有する4、4’−ビス[N−(1−ナフチル−1)−N−フェニル−アミノ]−ビフェニル(NPB)である。
Figure 2004186157
発光層4はゲストーホストシステムまたは成膜されたニート(neat)であるかもしれない。好ましくは、発光層の厚さは、10〜40nmである。本発明で使用され得る1つの適切な発光材料は以下の構造を有するアルミニウムトリス(8−ハイドロオキシキノリン)(AlQ)である。
Figure 2004186157
電子輸送層5は電子輸送材料を有する。与えられた電子輸送能力は発光層中に組み入れられることもでき、この電子輸送層は任意である。電子輸送層は、正孔ブロッキング層として働くかもしれない。正孔ブロッキング層は、励起子がその正孔ブロッキング層中に存在することができないような、発光層中に生成された励起子のエネルギーよりも大きなバンドギャップエネルギーを有する。電子輸送層から分離された正孔ブロッキング層もまた提供される。例えば、正孔ブロッキング層は、発光層4と電子輸送層5の間に提供されるかもしれない。通常、電子輸送層5の厚さは20〜40nmの範囲である。
カソード6は、高い又は低い仕事関数を含む如何なる金属からなり得ることができる。アルミニウム、リチウム、マグネシウム、カルシウムは特に好まれる。
OLEDを製造するための一般的な手順は、その上にパターン化されたアノード2を持つ清浄な透明な基板1は酸素プラズマで1〜5分処理される。それから、その上にパターン化されたアノード2を有する基板1は真空蒸着チャンバー中に配置され、圧力が6×10−6トールに減圧される。種々の層3〜6は真空蒸着によって成膜され、その後、真空蒸着チャンバーは冷却される。
種々のフェナントロリン−縮合フェナジン基化合物はOLED中における適合性を調べるために準備される。
[例1]
Figure 2004186157
化合物(A)はJournal of Chemicai Society,Dalton Trans.1990,1842−1845で参照される手順に基づいて合成された。その化合物のDSC(示差走査熱量測定)スキャンは融点が258℃であることを示した。DSCスキャンの結果は図2に示される。その化合物のTGA(熱重量分析)スキャンは、231℃の結晶化温度を示した。TGAスキャンの結果は図3に示される。化合物(A)は、上記の一般的な手順を用いてOLED中に製造されることができる。
[例2]
Figure 2004186157
3、3−ジアミノベンジジン(0.428g、2mmol)、1、10−フェナントロリン−5、6−ジオン(0.84g、4mmol)、無水DMF(30mL)が丸いフラスコに入れられた。混合物は、窒素中で5日間還流された。冷却後、反応混合物は大量のメタノール中に注がれた。上記に示された化合物(B)は、溶媒から沈殿され、ろ過され、温かいメタノールで洗浄され、真空下で加熱された。化合物(B)の1g(90%)の収量(収率)が得られた。化合物(B)が400℃まで加熱されたときの化合物(B)のDSCスキャンは融点を示さなかった。化合物(B)のDSCスキャンの結果は、図4に示される。化合物(B)のTGAスキャンもまた実施された。TGAスキャンは高い550℃の熱分解温度を示した。化合物(B)のTGAスキャンの結果は図5に示される。化合物(B)は上記の一般化された手順を用いてOLED中に製造された。
[例3]
Figure 2004186157
9、10−ジアミノフェナントレン(0.42g、2mmol)、1、10−フェナントロリン−5、6−ジオン(0.428g、2mmol)、無水DMF(20mL)が丸いフラスコに加えられた。混合物は、窒素中で5日間還流された。冷却後、反応混合物は大量のメタノール中に注がれた。上記に示された化合物(C)は、溶媒から沈殿され、ろ過され、温かいメタノールで洗浄され、真空下で加熱された。化合物(C)の0.6g(74%)の収量(収率)が得られた。化合物(C)が380℃まで加熱されたときのこの化合物のDSCスキャンは融点を示さなかった。DSCスキャンの結果は、図6に示される。TGAスキャンもまた実施され、400℃の熱分解温度が示された。化合物(C)のTGAスキャンの結果は図7に示される。化合物(C)は上記の一般化された手順を用いてOLED中に製造された。
[例4]
Figure 2004186157
5、6−ジアミノ−1、10−フェナントロリン(0.28g、1.3mmol)、2、2’−ピリジル(pyridil)(0.28g、1.3mmol)、無水DMF(20mL)が丸いフラスコに加えられた。混合物は、窒素中で2日間還流された。冷却後、上記に示された化合物(D)は、沈殿され、ろ過され、温かいメタノールで洗浄され、真空下で加熱された。化合物(D)の収量(収率)は0.30g(59%)であった。この化合物が300℃まで加熱されたときのこの化合物のDSCスキャンは融点を示さなかった。この化合物は340℃の高い熱分解温度を有する。この化合物は固体状態で緑の発光を示す。この化合物はサイクリックボルタンメトリ分析(cyclic voltammetric analysis)によって特性付けられた。サイクリックボルタンメトリ分析の結果は図8に示される。この化合物は−3.0eVのLUMO、−6.25eVのHOMOおよび3.25eVのEgを有する。化合物(D)は上記の一般化された手順を用いてOLED中に製造された。
[例5]
Figure 2004186157
この化合物は5、6−ジアミノ−1、10−フェナントロリンと5、6−ジオン−1、10−フェナントロリンからJournal of Chemicai Society,Dalton Trans.1995,1799−1780で参照される手順に基づいて合成された。この化合物が400℃まで加熱されたときのこの化合物のDSCスキャンは融点を示さなかった。この化合物は445℃の高い熱分解温度を有する。化合物(E)は上記の一般化された手順を用いてOLED中に製造された。
[例6]
Figure 2004186157
化合物(F)は5、6−ジアミノ−1、10−フェナントロリンとベンジルから化合物(D)に対して上記説明したのと同様の方法で合成された。化合物(F)が300℃まで加熱されたときのこの化合物のDSCスキャンは融点を示さなかった。この化合物は325℃の高い熱分解温度を有する。この化合物は固体状態で緑色の発光を示す。この化合物はTHF中における410℃のPL発光ピークを有する。化合物(F)は上記の一般化された手順を用いてOLED中に製造された。
[例7]
Figure 2004186157
化合物(G)は5、6−ジアミノ−1、10−フェナントロリンと4、4’−ジメトキシベンジルから化合物(D)に対して上記説明したのと同様の方法で合成された。この化合物が400℃まで加熱されたときのこの化合物のDSCスキャンは融点を示さなかった。化合物(G)は495℃の高い熱分解温度を有する。この化合物は固体状態で青−緑色の発光を示す。化合物(G)は上記の一般化された手順を用いてOLED中に製造された。
[例8]
Figure 2004186157
化合物(H)は5、6−ジアミノ−1、10−フェナントロリンと1,2−ジチオフェン−2−yl−エタン−1,2−ジオンから化合物(D)に対して上記説明したのと同様の方法で合成された。化合物(H)は、DSCスキャンで310℃の融点を示した。化合物(H)は325℃の熱分解温度を有する。化合物(H)は固体状態で青−緑色の発光を示す。化合物(H)はTHF中で460℃でPL発光、−5.9eVのHOMO、−3.1eVのLUMOを有する。化合物(H)は上記の一般化された手順を用いてOLED中に製造された。
Figure 2004186157
[例9]
化合物(I)は5、6−ジアミノ−1、10−フェナントロリンと2、2’−テニル(thenil)から化合物(D)に対して上記説明したのと同様の方法で合成された。この化合物は、DSCスキャンで283℃の融点を示した。この化合物は345℃の熱分解温度を有する。この化合物は固体状態で青−緑色の発光を示す。この化合物はTHF中で440℃でPL発光、−5.9eVのHOMO、−2.9eVのLUMOを有する。この化合物は上記の一般化された手順を用いてOLED中に製造された。
[例10]
図1の参照番号を再び参照しながら本発明のOLEDは、ITOアノード2がその上にパターン化されたガラス基板1(ITOアノードは25mm×74mm×1mmである)を超音波洗浄によって5分間イソプロピルアルコール中で最初に洗浄され、続いて、脱イオン水中で5分間および再びイソプロピルアルコール中で5分間すすがれることにより作製された。洗浄されたITO基板は、真空蒸着(vacuum deposition)チャンバーの基板ホルダー中に配置され、圧力が2×10−2Paまで減圧される。NPBの層は加熱され3nm/secのレートで厚さ20nmまで真空蒸着によって正孔注入層3として成膜される。AlQの層は3nm/secのレートで厚さ40nmまで真空蒸着によって発光層4として成膜される。上記に示された化合物(D)は厚さ20nmまで真空蒸着によって電子輸送層5として成膜される。最後に、LiF(0.8nm)と続いてAL(200nm)の薄膜を有する2重層カソード6が成膜される。駆動電圧が印加されると均一な緑色の光が観測される。そのデバイスによって生成した電流密度は、10Vで600mA/cmである。
[例11]
本発明のOLEDデバイスは、上記に示された化合物(F)が化合物(D)と置換されたことを除けば、例10で説明されたのと同様の方法で製造された。そのデバイスは順バイアスが印加されたとき緑色の光を発光した。そのデバイスによって生成した電流密度は、10Vで500mA/cmである。
[比較例]
OLEDデバイスは、60nmのAlQの1層が発光層4と化合物(D)の電子輸送層5の場所に成膜されたことを除けば、例10で説明されたのと同様の方法で製造された。この層は発光層と電子輸送層の両方として働く。順バイアスが印加されると緑色の光を発光する。そのデバイスによって生成した電流密度は、10Vで300mA/cmである。
上述の例は単に例示されたものであり本発明の制限とみなすものではなく、本発明は請求項によって画定され、当業者にとって明らかであるような変形や変更を含むことが理解される。
本発明に係るOLEDの断面図である 本発明の範囲のフェナントロリン−縮合フェナジン基化合物の微分走査カロリメトリー(DSC)のスキャンを例示したものである。 本発明の範囲のフェナントロリン−縮合フェナジン基化合物の熱重量分析(TGA)のスキャンを例示したものである。 本発明の範囲のフェナントロリン−縮合フェナジン基化合物の微分走査カロリメトリー(DSC)のスキャンを例示したものである。 本発明の範囲のフェナントロリン−縮合フェナジン基化合物の熱重量分析(TGA)のスキャンを例示したものである。 本発明の範囲のフェナントロリン−縮合フェナジン基化合物の微分走査カロリメトリー(DSC)のスキャンを例示したものである。 本発明の範囲のフェナントロリン−縮合フェナジン基化合物の熱重量分析(TGA)のスキャンを例示したものである。 本発明の範囲のフェナントロリン−縮合フェナジン基化合物のサイクリックボルタンメトリ(CV)のスキャンを例示したものである。

Claims (29)

  1. カソードとアノードの間に挟まれた機能層を含み、
    前記機能層がフェナントロリン−縮合フェナジン基化合物を有することを特徴とする有機発光デバイス。
  2. 前記フェナントロリン−縮合フェナジン基化合物が以下の構造をもっており、
    Figure 2004186157
    ここで、RからRは独立に水素、アルキル基、アルコキシ基、または、芳香族基を表すことを特徴とする請求項1に記載の有機発光デバイス。
  3. 前記フェナントロリン−縮合フェナジン基化合物が以下の構造をもっていることを特徴とする請求項2に記載の有機発光デバイス。
    Figure 2004186157
  4. 前記フェナントロリン−縮合フェナジン基化合物が以下の構造をもっていることを特徴とする請求項2に記載の有機発光デバイス。
    Figure 2004186157
  5. 前記フェナントロリン−縮合フェナジン基化合物が以下の構造をもっていることを特徴とする請求項2に記載の有機発光デバイス。
    Figure 2004186157
  6. 前記フェナントロリン−縮合フェナジン基化合物が以下の構造をもっていることを特徴とする請求項2に記載の有機発光デバイス。
    Figure 2004186157
  7. 前記フェナントロリン−縮合フェナジン基化合物が以下の構造をもっていることを特徴とする請求項2に記載の有機発光デバイス。
    Figure 2004186157
  8. 前記フェナントロリン−縮合フェナジン基化合物が以下の構造であり、
    Figure 2004186157
    ここで、RからRは独立に水素、アルキル基、アルコキシ基、または芳香族基を表すことを特徴とする請求項1に記載の有機発光デバイス。
  9. 前記フェナントロリン−縮合フェナジン基化合物が以下の構造であり、
    Figure 2004186157
    ここで、RからRは独立に水素、アルキル基、アルコキシ基、または芳香族基を表すことを特徴とする請求項1に記載の有機発光デバイス。
  10. 前記フェナントロリン−縮合フェナジン基化合物が以下の構造であり、
    Figure 2004186157
    ここで、RからRは独立に水素、アルキル基、アルコキシ基、または芳香族基を表し、XはO,S、Rが水素またはアルキル基であるNR、CH、CHCH、または、縮合されたあるいは置換された芳香族基を表し、nは1〜12の整数であり、nが1のときXは存在しないかもしれないことを特徴とする請求項1に記載の有機発光デバイス。
  11. 前記フェナントロリン−縮合フェナジン基化合物が以下の構造をもつことを特徴とする請求項10に記載の有機発光デバイス。
    Figure 2004186157
  12. 前記フェナントロリン−縮合フェナジン基化合物が以下の構造をもつことを特徴とする請求項10に記載の有機発光デバイス。
    Figure 2004186157
  13. 前記フェナントロリン−縮合フェナジン基化合物が以下の構造をもつことを特徴とする請求項10に記載の有機発光デバイス。
    Figure 2004186157
  14. 前記フェナントロリン−縮合フェナジン基化合物が以下の構造をもつことを特徴とする請求項10に記載の有機発光デバイス。
    Figure 2004186157
  15. 前記フェナントロリン−縮合フェナジン基化合物が以下の構造をもつことを特徴とする請求項10に記載の有機発光デバイス。
    Figure 2004186157
  16. XはO、S、NR、CH、またはCHCHであり、nは2であることを特徴とする請求項10に記載の有機発光デバイス。
  17. 前記フェナントロリン−縮合フェナジン基化合物が以下の構造をもつことを特徴とする請求項10に記載の有機発光デバイス。
    Figure 2004186157
  18. 前記フェナントロリン−縮合フェナジン基化合物が以下の構造をもち、
    Figure 2004186157
    ここで、RおよびR10は独立に水素、CHまたは別のアルキル基であることを特徴とする請求項10に記載の有機発光デバイス。
  19. 前記フェナントロリン−縮合フェナジン基化合物が以下の構造をもち、
    Figure 2004186157
    ここで、RからRは独立に水素、アルキル基、アルコキシ基、または芳香族基を表し、XはO、S、Rが水素またはアルキル基であるNR、CH、CHCH、または、縮合されたあるいは置換された芳香族基を表し、nは1〜12の整数であり、nが1のときXは存在しないかもしれないことを特徴とする請求項1に記載の有機発光デバイス。
  20. 前記フェナントロリン−縮合フェナジン基化合物が以下の構造をもち、
    Figure 2004186157
    ここで、RからRは独立に水素、アルキル基、アルコキシ基、または芳香族基を表し、XはO、S、Rが水素またはアルキル基であるNR、CH、CHCH、または、縮合されたあるいは置換された芳香族基を表し、nは1〜12の整数であり、nが1のときXは存在しないかもしれないことを特徴とする請求項1に記載の有機発光デバイス。
  21. 前記機能層は発光層であることを特徴とする請求項1に記載の有機発光デバイス。
  22. 前記機能層は電子輸送層であることを特徴とする請求項1に記載の有機発光デバイス。
  23. 前記機能層は正孔−ブロッキング層であることを特徴とする請求項1に記載の有機発光デバイス。
  24. 前記機能層は,機能性のあるゲスト材料と、フェナントロリン−縮合フェナジンを有するホスト材料とを含むゲストーホストシステムであることを特徴とする請求項1に記載の有機発光デバイス。
  25. 前記機能性のあるゲスト材料はエミッターであることを特徴とする請求項24に記載の有機発光デバイス。
  26. 前記機能性のあるゲスト材料は電子トランスポーターであることを特徴とする請求項24に記載の有機発光デバイス。
  27. 前記機能性のあるゲスト材料は正孔−ブロッカーであることを特徴とする請求項24に記載の有機発光デバイス。
  28. 前記有機発光デバイスは電子−蛍光性(electro−fluorescent)であることを特徴とする請求項1に記載の有機発光デバイス。
  29. 前記有機発光デバイスは電子−燐光性(electro−phosphorescent)であることを特徴とする請求項1に記載の有機発光デバイス。
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