JPH01208873A - 光電変換素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［技術分！ｌ！ｆ］ 本発明は有機光導電体を用いた光電変換素子（有機太陽
電池）に関するものであり、光センサ−、イメージセン
サ−等に応用される。

［従来技術］ 無機半導体を用いた光電変換素子を作製する試みは多く
なされてきている。その目標はａ）変換率が高く、ｂ）
安価な光電変換素子である。

単結晶Ｓｔ、多結晶Ｓ　ｉＳＣｄ　Ｓ　ｓ　Ｃｄ　Ｔ　
ｅ　５ＧａＡｓ、アモルファスＳＬ等の実用化が試みら
れているが、これらは全てｂ）の目標を満足していると
は言い難い。

この欠点を改善するために有機半導体を用いて光電変換
素子を作製する試みが近年なされている。使用された有
機半導体層としては以下の例がある。

（イ）スピナー塗布されたメロシアニン染料層（特開昭
５１−１２２３１１１９　、特開昭５３−１３１７８２
及びニー、ケー、ゴウシュ（Ａ、に、Ｇｈｏｓｈ）著の
「ジャーナル、オン。アプライド、フイジッ’）　スＪ
、Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ、）　Ｊ　４９．５９８２、＋９
７８）（ロ）フタロシアニン蒸着層またはオバレン等の
電子供与体層とビリリウム系染料等の電子受容体層を積
層したもの（特開昭５４−２７７８７特開昭８０−２０
１６７２及びアール、オー、ラウトフィ（Ｒ，Ｏ，Ｌｏ
ｕｔｌ’ｙ）著の「ジャーナル、オン。アプライド、フ
ィジックス　Ｊ、Ａｐｐｌ。

Ｐｈｙｓ、）　Ｊ　５２．５２１８．１９８１）（ハ）
ビリリウム系染料とポリカーボネートから生成する共晶
錯体層（特開昭５４−２７３８７）（ニ）無金属フタロ
シアニンをバインダーに分散させた層（特開昭５５−９
４９７） （ホ）ｎ型シリコンとｐ型ドープされたポリアセチレン
薄膜を積層したもの　（特開昭５５−１３０１８２、特
開昭５５−１３８８７９及びビー、アール、ワインバー
ガー（Ｂ、Ｒ，Ｗｅｉｎｎｂｅｒｇｅｒ）著のアプライ
ド、フィジックス、レター （Ａｐｐｌ　、Ｐｈｙｓ、Ｉ、ｅＬＬ、）３８．　５５
５．１９８１）（へ）真空蒸着されたメロシアニン染料
層（特開昭５６−３５４７７） これらは、これらの有機半導体を媒体中に溶解または分
散した溶液を基板上に塗布したり、あるいは低温度で真
空蒸着し、更にその上に別の導電層を設けることで安価
に大面積のものが得られるが、変換効率が低すぎ、実用
には供されない。

上記（イ）〜（へ）では有機半導体層は有機半導体単独
または適当なバインダーとともに用いられているが、変
換効率は低いものであった。

［口　的］ 本発明は従来技術の上記欠点を解消し、安価で大面積の
ものが容品に作製でき、可撓性もあって、有機材料を用
いたものとしては高い変換効率を有する光電変換素子を
提供することを目的としている。

［構　成］ 本発明は以上の様な欠点、特に可視光領域で光キヤリア
生成能力のある有機半導体がそれ単独または適当なバイ
ンダーとともに用いられた場合の［前記（イ）〜（へ）
］の欠点を改良すべく鋭意研究した結果、透光性フロン
ト電極、光活性層、及び背面電極を有する光電変換素子
において前記光活性層が、可視光領域に光吸収を有する
光導電性有機半導体を含み、更に下記一般式Ｉ又はＩＩ
で示される化合物を添加すると大幅に光電流が上昇し、
それにより変換効率の上昇がもたらされるという発見に
基づくものである。

すなわち、本発明の構成は、透光性フロント電極、光活
性層及び背面電極を存する光電変換素子において、前記
光活性層が、可視光領域に光吸収を有する光導電性有機
半導体と、下記−般式Ｉで表わされる化合物を含有し、
かつ、上記光吸収性有機半導体と下記一般式■で表わさ
れる化合物の比率がｌＯハからｌ／２の間にあることを
特徴とする光電変換素子である。

一般式Ｉ Ａｒ＋−ＣＨ−Ａｒｚ ■ Ａｒま ただし、 Ａｒ１５Ａｒ２は置換又は無置換の芳香環、置換又は無
置換の複索環、 Ａｒｚは水素、アルキル基、置換又は無置換の芳容環、
置換又は無置換の複索環であり、 Ａ　ｒ　＋　、Ａ　ｒ　２　、Ａ　ｒ　３は互いに異な
っていても、同一であってもよい。

本発明の光電変換素子は、アゾ顔料を含む光活性層ＣＩ
）が２つの電極（フロント電極、背面電極）に挾まれた
構成から成る。

フロント電極側から光が入射するため、フロント電極は
光透過性となっている。

フロント、背面電極とも単独で使用されてもよいし、支
持体あるいは保３層が設けられていてもよい。第１図ａ
〜第３図すにはこれらの例が示されている。

フロント電極、背面＠極からはリード線等により、外部
回路と接続され、実際の使用に供される。

光活性層は単層である必要はなく、２層の例が第１図ａ
〜第３図すにそれぞれ示されている。

この光活性層（ｎ）は光活性層（１）と同様に光により
電荷を発生させる層でもよいし、光活性層（１）で発生
した電荷を効率よく移動させる層でもよい。第１図すの
例では光活性層（Ｉ）はフロント電極側に描かれている
が光活性層（ｎ）はフロント電極側にあっても勿論良い
。また、光活性層（１）は異なる光導電性有機材料から
成る複層であってもよい。

本発明は上記光活性層（１）にかかわるものである。

光活性層（Ｉ）は光照射で正孔と電子を発生させる層で
ある。このためには、層内に電界が存在することが必要
で、これはフロント電極、背面電極の間に外部から電圧
を印加するか、または異なる仕事関数を有する金属をフ
ロント電極と背面電極に使用するか、または光活性層（
１）がフロントまたは背面電極もしくは光活性層（ｎ）
と接合したお互いのフェルミレベル（または仕事関数）
の違いにより、熱キャリアが移動し、接合障壁が形成さ
れることで外部電圧なしでも達成される。

光活性層（１）は層中に一般式（１）で示される化合物
と可視光に吸収を有する光導電性有機半導体を含み、ま
た必要ならば適当なバインダーを主成分として含む層で
ある。

我々はかかる化合物が存在すると、存在しない場合にく
らべ光活性層（Ｉ）で光照射時に生成する光電流量が飛
輩的に増大し、それにより変換効率が増大することを見
出した。

ここで光変換素子とは、第１図のフロントおよび背面電
極間に外部電圧を印加しないで光照射した場合に起電力
または電流もくしはその両方を生じ、また外部電圧の印
加の状態では大きな光電流がとり出せる素子のことであ
る。

光活性層（１）は前述のごとく一般式（１）で示される
化合物と可視光に吸収を有する光導電性有機半導体を含
む層であり、前記可視吸収性有機半導体と前記化合物の
比率が１０ハから１７２の間にあるものである。

一般式で表わされる化合物は層中で他の半導体やバイン
ダーと結晶化せずに均一に相溶する能力が高く、また有
機化合物の中では正孔移動度が高く、イオン化ポテンシ
ャルも小さな化合物である。ここで光活性層ＣＩ）の好
ましい組成は可視光領域に光吸収を有する光導電性有機
半導体と一般式（１）の化合物の比率が１０／Ｌから１
７２の間にあり、両者の合計が層中で５０〜９０νｔ％
であり、バインダーがｌＯ〜５０ｖｔ％を占めるもので
ある。

添加化合物の量が少なくなると同化合物添加の効果が弱
くなり、また、同化合物の量が多くなると相対的に光吸
収光導電性有機半導体の量が少なくなり、それにより光
吸収量が小さくなる。光導電性有機半導体の量が少なく
なると光吸収量が小さくなり、また、その瓜が多くなる
と上記化合物の゛濃度が相対的に低くなり添加効果が弱
くなる。

バインダーの量が少ないと上記化合物が結晶化する確立
が高まり、また、多いと光電荷の発生、移動にかかわる
部分の量が少なくなり、効率が低下する。

光活性層の膜厚は０．０１〜ＩＯμｍで適当である。

最適膜厚は用いる光導電性有機半導体の種類や樹脂によ
っても異なるが０．０５〜３μｍが好ましい。薄いと光
吸収量が小さくなり、またフロント／背面電極間でピン
ホールの確率が高くなる。

厚くなると発生した正孔および電子の一方が電極に到達
するまでの距離が長くなり、途中で失活する確率が高ま
り、効率が低下する。

尚、水層は上記有機半導体に必要ならば樹脂とともに適
当な媒体中に混合し、上記有機半導体が顔料の場合はボ
ールミル等の方法で顔料を粉砕し、均一な、スラリーを
作製するか、有機アミン等の溶剤中に顔料を溶解するか
した後、上記化合物を添加し、これらを背面電極あるい
は支持体上の背面電極あるいは支持体上のフロント電極
上に塗布して形成される。

この様にして形成された光活性層は、上記化合物がない
場合とくらべて開放電圧（Ｖ　ｏｃ）が若干増大し、ま
た短絡電流（Ｊ　ｓｃ）が大幅に上昇する。

変換効率（ｎ）は次式、 （Ｐｆｎ：入射光エネルギー、ｆｆ：フィルファクター
）で決定される。

本発明の素子は上記一般式Ｉあるいは一般式■の化合物
を添加していないものとくらべ、高い変換効率をもたら
す。この理由として上記化合物は有機物としては低いイ
オン化ポテンシャルを６′するため、光吸収により光導
電性有機半導体中に生成した光電荷のうち、正孔が容易
に上記化合物中に注入される。また、該化合物は正孔移
動度も高い。このため、未添加の系とくらべ、正孔と電
子の再結合の確立の低下がもたらされ、また、正孔の移
動効率の上昇も図られることが考えられる。

また勿論外部から電圧を印加した場合にも、大きな光電
流がとり出せ、従って感度に優れた光電変換素子として
用いられる。

上記一般式（１）で表わされる化合物の具体例として下
記表Ｉに示す構造の化合物が挙げられる。

表　　！ 上記一般式ＩＩで表わされる化合物の具体例として下記
表Ｈに示す構造の化合物が挙げられる。

フロント電極層及びその支持体についてニアルミニウム
、鉛、亜鉛、タンタル、ニッケル、チタン、コバルト、
ニオブ、銅、ハステロイ０１金、白金、銀、パラジウム
等の半透明の金属や酸化スズ、ＩＴＯ等の金属酸化物等
がフロント電極として使用でき、支持体としては、ガラ
ス、透明プラスチックフィルムが用いられる。

背面電極及びその支持体について： はとんどの金属が背面電極として使用できる。

支持体としてはガラス、透明プラスチックフィルムが用
いられる。

光活性層（ＩＩ）について： この層はａ）光活性層（Ｉ）に使用の顔料の感光波長の
低い領域をおぎなうために、他の電荷発生有機半導体を
含むか、ｂ）光活性層（１）との間で接合障壁を形成す
る層か、Ｃ）光活性層（１）で発生した正孔と電子のど
ちらかを有効に移動する層である。

このうちａ）の層は、後述の光活性層（１）の例示化合
物のうち、（１）と補正の色調を有する化合物が効果が
高く、これは光活性層（１）と同様に塗布して形成され
る。

ｂ）の層は酸化亜鉛、酸化チタン、硫化カドミウム、セ
レン結晶、酸化鉛等の微粒子を結着剤樹脂に分散して形
成される。

Ｃ）の層として光活性層（１）の添加剤か、それより更
にＩｐ値の低い電子供与体を適当な樹脂に混合して形成
される。

本発明の必須成分として用いられる光吸収性有機半導体
はジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料等のアゾ顔料、フタロ
シアニン系顔料、キナクリドン系顔料、ペリレン系顔料
、方谷族多環牛ノン系顔料、インジゴ系顔料、チオイン
ジゴ系顔料等の顔料やトリフェニルメタン染料、シアニ
ン染料、メロシアニン染料等の染料が挙げられる。

バインダとして用いられる樹脂の例としては、ポリエス
テル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド樹脂、ポ
リウレタン樹脂、エポキシ樹脂、アルキッド樹脂、フェ
ノール樹脂、メラミン樹脂、アクリル樹脂、セルロース
樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、塩化ビニリデ
ン樹脂、フッ化ビニリデン樹脂、ブチラール樹脂、ポリ
ビニルカルバゾール樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリイミ
ド樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、塩ビー酢ビ共重合
体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、スチ
レン−無水マレイン酸共重合体、スチレン−ブタジェン
共重合体、エチルセルロース等が挙げられる。

次に本発明の光電変換素子の構造例を第１〜３図に示し
た概略図で説明する。ｂ図はａ図で示した光活性層を補
足するために第２の光活性層を追加した例を示す。

図中、１は透光性フロント電極、２は光活性層（Ｉ）、
３は光活性層（ＩＩ）、４は背面電極、５はフロント電
極支持体、６は背面電極支持体を示す。なお、これらの
構造は用途に応じているいろと応用変化させることがで
きることを理解すべきである。

本発明をさらに具体的に説明するために以下に実施例を
示すが、本発明はこれに限定されるものではない。

実施例１ 下記の構造のアゾ顔料０．８ｇとブチラール樹脂（Ｕ　
ＣＣｉｆ製Ｘ　Ｙ　ＩＩ　Ｌ　）の５％テトラヒドロフ
ラン溶液８ｇとを３日間ボールミリングした後にテトラ
ヒドロフランで更に希釈し１．５ｖｔ％の溶液を作製し
た。

この溶液に上記アゾ顔料と同重量の下記構造式で示され
る添加物を加え、撹拌した後に塗ｍ液を作製した。

この塗布液にインジウムをドープした酸化スズ膜（以下
ＩＴＯと称する）を設けたガラス基板を浸漬し、２ｆｌ
ｌＩＩ１秒の速度で基板をひきあげ、ＩＴＯ基板上に塗
膜を設けた。

この上に、５８０ｒｖｌこおける透過率が約５．２％と
なる様に半透明のアルミニウムを真空蒸着した後、ｌＴ
Ｏとアルミニウムに銀ペーストにて銅の細線を接続した
。

この試料に対し、ＡＩ電極側から５８０ｎｍの単色光を
照射（顔料分散膜に到達した光ＱＰｉｎ’を１．５７μ
ｖ／ｅ＋ｗ’に設定）しながら、画電極に８ｓｖ／秒で
掃引されるランプ波を印加して電流−電圧特性を測定し
た。その結果 Ｖｏｃ−０，９８Ｖ Ｊｓｃ−６０，１ｎＡ／　ｃシ １’ｌ’−０，２０ であった。

電極の透過率を補正した５８０ｎｔｔｒにおける光電変
換効率（η＝）０．７５％であった。

実施例２ 実施例１の添加剤を下記の化合物に変えた以外は実施例
１と同様に添加物を含有する試料をこの試料に５８０ｎ
ｉの単色光をＡＩ電極側から入射（Ｐｉｎ’−１，５６
μｖ／Ｃｍ２）　Ｌ、実施例１と同様に光電変換効率を
測定したところ下記の様な結果が得られた。

Ｖｏｃ＝０．９３Ｖ Ｊｓｃ−４７，３ｎＡノＣ− ｒｒ−０，２２ η”　−０，８２％ 比較例１ 添加物を加えないこと以外は実施例１と同様に試料を作
製し、５８０ｎ−の単色光をＩＴＯ電極から入射（ＰＩ
ｎ’＝　　１．６ｇｖ／ｃ＋ｅ２）　して同様に光電変
換効率を測定したところ下記の様な結果が得られた。

Ｖｏｃ−０，７４Ｖ Ｊｓｃ＝２．５ｎＡ／ｃｍ　’ ｒｒ−０，２２ η−−０．０２８９６ 実施例３ 実施例１の添加物を下記のものに変えた以外は実施例１
と同様に添加物を含有する試料を作製した。

この試料に５８０ｎａ＋の単色光をＡＩ電極側から入射
（Ｐｉｎ’　−１，５５μｗ／ｃ＋ａ２）　Ｌ、実施例
１と同様に光電変換効率を測定したところ下記の様な結
果が得られた。

Ｖｏｃ＝０．９５Ｖ Ｊｓｅ−５７，８ｎＡ／ｃｄ 「ｒ自０．２２ η゛■０．７８％ 実施ｆｌＩＩ　４ 実施例１の添加物を下記のものに変えた以外は実施例１
と同様に添加物を含有する試料を作製した。

この試料に５８０ｎｍの単色光をＡＩ電極側から入射（
Ｐｉｎ’　−１，５９μｗ／ｃｎ＋’　）　Ｌ、、、実
施例１と同様に光電変換効率を測定したところ下記の様
な結果が得られた。

Ｖｏｅ−０，９６Ｖ Ｊｓｅ−４８，１ｎＡ／ｃｄ １’ｌ’−０，２１ η゛■０．６１％ 実施例５ 実施例１の添加物を下記のものに変えた以外は実施例１
と同様に添加物を含有する試料を作製した。

この試料に５８０ｎｓの単色光をＡＩ［極側から入射（
Ｐ１ｎ’＝１．５５μｖ／ａｍ２）　Ｌ、、、実施例１
と同様に光電変換効率を２１−１定したところ下記の様
な結果が得られた。

Ｖｏｃ−０，８９Ｖ Ｊｓｃ−３２Ｊ　ｎＡ／ｃｊ ｆ’ｒ−０，２３ η”−０，４３％ 実施例６ 実施例１の添加物を下記のものに変えた以外は実施例１
と同様に添加物を含有する試料を作製した。

この試料に５８０ｒｖの単色光をＡｌ電極側から入射（
Ｐｌｎ’＝１．５７μｖ／ｃ＋ｇ２）　Ｌ、、実施例１
と同様に光電変換効率を測定したところ下記の様な結果
が得られた。

Ｗｏｅ−０，９ＱＶ Ｊｓｃ−４２，８ｒ＋Ａ／ｃｄ ｆｆ−０，２２ η”　−０，５４％ 実施例７ 実施例１のアゾ顔料をβ型銅フタロシアニンに変えた以
外は実施例１と同様に添加物を含何する試料を作製した
。

この試料に８２０ｒ＋ａ＋の単色光をＡｌ電極側から入
射（ＰＩｎ’＝１．５　μｖ／ｃｍ’　）　シ、実施例
１と同様に光電変換効率を測定したところ下記の様な結
果が得られた。

Ｖｏｃ＝０．９３Ｖ Ｊｓｃ−２８，３ｎ＾／ｃｄ １１輪０．２４ η″課０．４２％ 比較例２ 添加物を加えないこと以外は実施例７と同様に試料を作
製し、８２０ｎｍの単色光をＡ１電極から入射（Ｐ１ｎ
’　−１，５μｖ／ｃｍ’　）　シて同様に光電変換効
率を測定したところ下記の様な結果が得られた。

Ｖｏｃ＝０．７２Ｖ Ｊｓｃ−１０，４ｎＡ／ｃｄ ［’ｆ’−０，２６ η″−０，１３％ 実施例８ 下記構造のアゾ顔料０．８ｇとブチラール樹脂（ＵＣＣ
社ＸＹＩＩＬ）　（７）　５９６　ｆ”　ｌ’　５　ヒ
ト０７５：／溶液８ｇとを３０間ボールミリングした後
にテトラヒドロフランで更に希釈し１．５ｗｔ％の溶液
を作製した。

この溶液に前記アゾ顔料と同重量の下記構造式で示され
る添加物を加え、撹拌した後に塗布液を作製した。

この塗布液にインジウムをドープした酸化スズ膜（ＩＴ
Ｏと称する）を設けたガラス基板を浸漬し、２ｉｏ＋／
秒の速度で基板をひきあげＩＴＯ基板上に塗膜を設けた
。

この上に５６０ｎｍにおける透過率が４．９％となる様
に半透明のアルミニウムを真空蒸着した後、ＩＴＯとア
ルミニウムに銀ペーストにて銅の細線を接続した。

この試料に対しＡｌ電極側から５６０ｎｏ＋の単色光を
照射（顔料分散膜に到達した光量Ｐｉｎ’を１．６μｗ
／ａｓ２に設定）しながら画電極に６ＩＩＶ／秒で掃引
されるランプ波を印加して電流−電圧特性を測定した。

その結果 Ｖｏｃ＝０．９１Ｖ Ｊｓｃ−３８，７ｎＡ／ｃｄ ｆｒ−０，２３ であった。

電極の透過率を補正した５６０■における光電変換効率
（η′）は０．４８％であった。

実施例９ 実施例８の添加物を下記の化合物に変えた以外は実施例
８と同様に添加物を含有する試料を作製した。

この試料に５６０ｒｖの単色光をＡＩ電極側から入射（
Ｐｉｎ’　−１，６μｖ／ｃｍ２）　Ｌ、実施例８と同
様に光電変換効率を測定したところ下記の様な結果が得
られた。

Ｖｏｃ＝０．９３Ｖ Ｊｓｃ−４９，２ｎＡ／ｃｄ ｆｆ−０，２１ η′−０．６０％ 比較例３ 添加物を加えないこと以外は実施例８と同様に試料を作
製し、５ＢＯｎ−の単色光をＩＴＯ電極から入射（Ｐｉ
ｎ’　−１，５８μｗ／Ｃ５２）　Ｌ、て同様に光電変
換効率を測定したところ下記の様な結果が得られた。

Ｖｏｃ＝０．８２Ｖ Ｊｓｅ−２，６４ｎＡ／ｃシ ｆｌ’−０，２６ η＝−０，０３８％ 実施例１０ 実施例８の添加物を下記のものに変えた以外は実施例８
と同様に添加物を含有する試料を作製した。

この試料に５６０ｎｏ＋の単色光をＡＩ電極側から入射
（Ｐｉｎ’＝　ＩＪＢｚｖ／ｃｍ２）　Ｌ、実施例８と
同様に光電変換効率を測定したところ下記の様な結果が
得られた。

Ｖｏｃ−０，９２Ｖ Ｊｓｃ−９，１ｎＡ／ｃｊ ｆｒ−０，２３ η−−０．１２％ 実施例１１ 実施例８の添加物を下記のものに変えた以外は実施例８
と同様に添加物を含有する試料を作製した。

この試料に５ＢＯｎｍの単色光をＡＩ電極側から入射（
Ｐｉｎ’　−１，６４ｖ／ｃａ＋２）　Ｌ、実施例８と
同様に光電変換効率を測定したところ下記の様な結果が
得られた。

Ｖｏｃ−０，９５Ｖ Ｊｓｃ−３２ｎＡ／ｃｊ ｒｆ’−０，２０ η″−０，３８％ 実施例１２ 実施例８の添加物を下記のものに変えた以外は実施例８
と同様に添加物を含有する試料を作製した。

この試料に５８０ｎｓの単色光をＡＩ電極側から入射（
Ｐｉｎ’　−１，８，ｃｚｗ／Ｃｍ２）　Ｌ、実施例８
と同様に光電変換効率を測定したところ下記の様な結果
が得られた。

Ｖｏｃ＝０．９４Ｖ Ｊｓｃ−８，２ｎＡ／ｃｄ ｆ’ｆ’−０，２３ η　゛　−０，０１１４％ 実施例１３ 実施例８の添加物を下記のものに変えた以外は実施例８
と同様に添加物を含有する試料を作製した。

この試料に５６０ｎｓの単色光をＡＩ電極側から入射Ｃ
Ｐｉｎ’＝　１．Ｅｌμｙ／ｃｍ２）　Ｉ、、実施例８
と同様に光電変換効率を測定したところ下記の様な結果
が得られた。

１１０ｃｍＱ、９ＬＶ Ｊｓｃ−１８，８ｎＡ／ｃシ ｆ’ｒ−０，２３ η”−０，１８％ 実施例１４ 実施例８のアゾ顔料をβ型鋼フタロシアニンに変えた以
外は実施例８と同様に添加物を含有する試料を作製した
。

この試料に６２０ｒｖの単色光をＡ！電極側から入射（
Ｐｉｎ’−１，５μｖ／ｃｍ２）　Ｌ、、、実施例８と
同様に光電変換効率を測定したところ下記の様な結果が
得られた。

Ｗｏｅ−０，８９Ｖ Ｊｓｅ−２１４ｎ＾ノＣ− ｆ’ｒ−０，２３ η−−０．２９％ ［効　果］ 以上述べたように、本発明によれば前記化合物を光活性
層に添加することにより、高い光電流を示し、かつ安価
で大面積の光電変換素子が達成できる。

このため、従来単独またはバインダーとの混合系で、低
い光電流のため使用不可であった光導電性有機半導体も
有効に利用できる様になり、材料の選択範囲を広げるこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

第１図ａ〜第３図すは本発明の光電変換素子の断面を示
す概略図である。 １・・・透光性フロント電極、２・・・光活性層（Ｉ）
３・・・光活性Ｗ（ｎ）　　　、４・・・背面電極５・
・・フロント電極支持体、 ６・・・背面電極支持体。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）透光性フロント電極、光活性層及び背面電極を有
   する光電変換素子において、前記光活性層が、可視光領
   域に光吸収を有する光導電性有機半導体と、下記一般式
   I で表わされる化合物を含有し、かつ、上記光吸収性
   有機半導体と下記一般式 I で表わされる化合物の比率
   が１０／１から１／２の間にあることを特徴とする光電
   変換素子。 一般式 I ▲数式、化学式、表等があります▼ ただし、 Ａｒ＿１、Ａｒ＿２は置換又は無置換の芳香環、置換又
   は無置換の複素環、 Ａｒ＿３は水素、アルキル基、置換又は無置換の芳香環
   、置換又は無置換の複素環であ り、 Ａｒ＿１、Ａｒ＿２、Ａｒ＿３は互いに異なっていても
   、同一であってもよい。
2. （２）上記請求項１における一般式 I で表わせる化合
   物を下記一般式IIで表わせるオキサジアゾール化合物に
   置換したものであることを特徴とする請求項１記載の光
   電変換素子。 一般式II ▲数式、化学式、表等があります▼ ただし、 Ａｒ＿１、Ａｒ＿２は置換又は無置換の飽和又は不飽和
   の鎖状炭化水素基、置換又は無置 換のアミノ基、置換又は無置換の芳香環、 置換又は無置換の複素環であり、 Ａｒ＿１、Ａｒ＿２は互いに同一であっても異なってい
   てもよい。