JPH02162775A - 光電変換素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、安価で大面積が容易に作製でき、可撓性も可
能であって、有機材料を用いたものとしては、高い変換
効率を有する光電変換素子に関するものである。

［従来の技術］ 無機半導体を用いた光電変換素子を作製する試みは多く
なされてきている。その目標はａ）変換効率が高く、ｂ
）安価な光電変換素子である。単結晶Ｓｉｓ多結品ｓｔ
、ＣｄＳ。

ＣｄＴｅ、ＧａＡｓ、アモルファスｓｉ等の実用化が試
みれているが、これらは全てｂ）の目標を満足している
とは言い難い。

この欠点を改芒するため有機半導体を用いて光電変換素
子を作製する試みが近年なされている。使用された有機
半導体層としては以下の例がある。

（イ）スピナー塗布されたメロシアニン染料層（特開昭
５１−１２２３８９、特開昭５３−１３１７８２および
びニー・ケー・ボウシュ（Ａ、に、Ｇｈｏｓｈ）著の「
ジャーナル、オン。アプライド、フィジックス（Ｊ、Ａ
ｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、）　Ｊ　４９．５９８２．１９７８
）（ロ）フタロシアニン蒸着層またはオバレン等の電子
供与体層とビリリウム系染料等の電子受容体層を積層し
たもの（特開昭５４−２７７８７、特開昭８０−２０１
８７２及びアール、オール６ラウトフイ（Ｒ，Ｏ，Ｌｏ
ｕｔｒｙ）著の「ジャーナル参オブ・アプライド、フィ
ジックス（Ｊ、Ａｐｐｌ。

Ｐｈｙｓ、）Ｊ　５２．５２１８．１９８１）（ハ）ビ
リリウム系染料とポリカーボネートから生成する非晶錯
体層（特開昭５４−２７３８７）（ニ）無金属フタロシ
アンをバインダーに分散させた層（特開昭５５−９４９
７） （ホ）ｎ型シリコンとｐ型ドープされたポリアセチレン
薄膜を積層したもの（特開昭５５−１３０１８２、特開
昭５５−１３８８７９及びビー、アール。

ワインバーガー（Ｂ、Ｒ，Ｖｃｌｎｎｂａｒｇｏｒ）著
のアプライド、フィジックス、レター（ＡＩ）１．Ｐｈ
５ｙｓ。

ＬＯｌｔ、）Ｊ　３８．５５５．１９８１）（へ）真空
蒸着されたメロシアニン染料層（特開昭５８−８５４７
７） これらは、これらの有機半導体を溶媒中に溶解または分
散した溶液を基板上に塗布したり、あるいは低温度で真
空蒸着し、更にその上に別の導電層を設けることで安価
に大面積のものが得られる。

［発明が解決しようとする課題］ 上記（イ）〜（へ）では、有機半導体層は、有機半導体
単独または適当なバインダーとともに用いられているが
、変換効率が低いものであった。

そこで本発明では、安価で大面積が容易に製作でき、可
撓性も可能であって、しかも有機材料を用いたものとし
ては高い変換効率を有する光変換素子を提供しようとす
るものである。

［課題を解決するための手段］ 本発明は上記課題を解決すべくなされたもので、透光性
フロント電極、光活性層および背面電極を有する光電変
換素子において、前記光活性層がアゾ顔料およびアクセ
プタ化合物からなることを特徴とする光電変換素子であ
る。

すなわち、光活性層にアゾ顔料を使用し、これにアクセ
プタ化合物を添加すると、大幅に光電流が上昇し、それ
により光電変換効率の上昇がもたらされることが発見さ
れたことにより本発明はなされた。

光活性層に使用されるアゾ顔料としては下記の一般式（
１）〜（３）で表わされる化合物より選択される。

Ａ−Ｎ−Ｎ−Ｘ　　言　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　・・・　（１）Ａ−Ｎ−Ｎ−Ｘ　Ｉ−Ｎ
−Ｎ−Ａ　”・・・（２）（Ｘｌ、Ｘ２及びＸ３はジア
ゾニウム残基、Ａ、Ａ”及びＡ”はカップラー残基を表
わし、Ａ、Ａ−１Ａ’は同一であっても異なってもよい
） 光活性層に添加されるアクセプタ化合物は電子親和力が
Ｏ，ＯｅＶ以上または還元電位が飽和カロメル電極に対
して−１，Ｏｖより大きな値を有する化合物が用いられ
る。

本発明の光電変換素子は上記アゾ顔料と上記アクセプタ
化合物を含む光活性層（１）が２つの電極（フロント電
極、背面電極）にサンドイッチされた構成から成る。そ
して、フロント電極側から光が入射するため、フロント
電極は光透過性となっている。

フロント、背面電極とも単独で使用されてもよいし、支
持体あるいは保護層が設けられていてもよい。第１〜第
３図にはこれらの例を示した。

各図中、ｌは透光性フロント電極、２は光活性層（１）
、３は光活性層（ＩＩ）、４は背面電極、５はフロント
電極支持体、Ｂは背面電極支持体である。フロント電極
１１背面電極４からはリード線等により外部回路と接続
され、実際の使用に供される。光活性層は単層である必
要はなく、２層の例がｆｆ１１〜３図の（ｂ）図にそれ
ぞれ示されている。

なお、これらの構造は用途に応じているいろと応用変化
させることができる。

この光活性層（■）３は光活性層（Ｉ）２と同様に光に
より電荷を発生させる層でもよいし、光活性層（Ｉ）２
で発生した電荷を効率よく移動させる層でもよい。第１
（ｂ）図の例では光活性層（■）２はフロント電極１側
に描かれているが、光活性層（■）３がフロント電極側
にあっても勿論良い。また、光活性層（Ｉ）２は異なる
アゾ顔料から成る複層であってもよい。

本発明は上記光活性層（Ｉ）２にかかわるものである。

光活性層（Ｉ）２は光照射で正孔と電子を発生させる層
である。このためには、層内に電界が存在することが必
要で、これはフロント電極ｌと背面電極４の間に外部か
ら電圧を印加するか、または異なる仕事関数を有する金
属をフロント電極ｌと背面電極４に使用するか、または
光活性層（■）２がフロントまたは背面電極もしくは光
活性層（ｎ）と接合した時にお互いのフェルミレベル（
または仕事関数）の違いにより、熱キャリアが移動し、
接合障壁が形成されることで外部電圧なしでも達成され
る。

本発明に係る光活性層（Ｉ）は層中にアゾ顔料とアクセ
プタ化合物を含む層である。また必要ならば適当なバイ
ンダーを含んでいても良い。

我々はかかるアクセプタ化合物が存在すると存在しない
場合とくらべ光活性層（１）で光照射時に生成する光電
流量が飛躍的に増大し、それにより変換効率が増大する
ことを見出した。

光活性層（１）は前述の如くアゾ顔料とアクセプタ化合
物を必須成分として含む層である。

二二で光活性層（１）での各成分の組成はアクセプタ化
合物０．Ｏ１〜５０ｖｔ％、可視光に吸収を有する光導
電性有機半導体３０〜９０ｖｔ％、バインダー０〜５０
ｗｔ％であり、好ましくはそれぞれ０．１−１５ｖｔ％
、４０〜７０ｖｔ％、１０〜４０ｖｔ％である。

アクセプタ化合物の組成が低くなると同化合物の添加の
効果が弱くなり、またアクセプタ化合物の組成が高くな
ると相対的に光吸収アゾ顔料の濃度が低くなり、それに
より光吸収量が小さくなる。

アゾ顔料の組成が低くなると光吸収量が小さくなり、ま
た、該組成が高くなるとアクセプタ化合物の濃度が相対
的に低くなり、添加効果が弱くなる。バインダーの量が
低いとアクセプタ化合物が結晶化する確立が高まり、ま
た、高いと光電荷の発生、移動にかかわる部分の量が少
なくなり効率が低下する。

光活性層の膜厚は０．０１〜ｌＯμｌで適当である。

最適膜厚は用いるアゾ顔料の種類や樹脂によっても異な
るが０６０５〜３μ−が好ましい。薄いと光吸収量が小
さくなり、またフロント／背面電極間でピンホールの確
率が高くなる。厚くなると発生した正孔および電子の一
方が電極に到達するまでの距離が長くなり、途中で失活
する確率が高まり、効率が低下する。

尚、水層は上記アゾ顔料を必要ならば、樹脂とともに適
当な溶媒中に混合し、ボールミル等の方法で顔料を粉砕
し、均一なスラリーを作製するか、有機アミン等の溶剤
中に顔料を溶解するかした後、アクセプタ化合物を添加
し、これらを背面電極あるいは支持体上の背面電極ある
いは支持体上のフロント電極上に塗布して形成される。

この様に形成された光活性層はアクセプタ化合物がない
場合と比べ、開放電圧（Ｖ　ｏｃ）が若干増大し、また
、短絡電流（Ｊ　ｓｃ）が大幅に上昇する。

変換効率（η）は次式 ％式％ （Ｐ　ｉ　ｎ　：入射光エネルギー　ｆｆ：フィルファ
クター）で決定される。

本発明の素子はアクセプタ化合物を添加していないもの
とくらべ、高い変換効率をもたらす。

この理由としてアクセプタ化合物は有機物としては高い
電子親和力を有するため、光吸収によりアゾ顔料中に生
成した光電荷のうち、電子が８銘にアクセプタ化合物中
に注入される。また、該化合物は電子移動度も高い。こ
のため、未添加の系とくらべ、正孔と電子の再結合の確
率の低下がもたらされ、また、電子の移動効率の上昇も
図られたことが考えられる。

また、勿論、外部から電圧を印加した場合にも大きな光
電流がとり出せ、従って感度に優れた光電変換素子とし
て用いられる。

本発明で用いられるアクセプタ化合物は電子親和力が０
．６ｃＶ以上または還元電位が飽和カロメル電極に対し
て−ｔ、ＯＶより大きな値を有する化合物である。

電子親和力は例えばカルバゾール類などの電子供外性物
質とＣＴ錯体を形成させその吸収スペクトルよりトリニ
トロフルオレノン（ＴＮＦ）の電子親和力の値（０，９
４ｃＶ）を基準にし算出される。

還元電位はアセトニトリルなどの誘電率の高い溶媒に指
示電解質とともにサンプルを溶解し、ポーラログラフイ
ックアナライザーを使用して、飽和カロメル電極などの
標準電極に対する値が測定される。

かかるアクセプタ化合物は化学構造としては電子吸引性
置換基、例えばハロゲン、ニトロ基、シアノ基、カルボ
ニル基などを有しており、具体例としては下記の構造式
で示される。

本発明の光活性層（１）の必須成分として使用される前
記一般式（１）〜（３）で示されるアゾ顔料のＸＩの具
体例を構造式で示すと次のとおりである。

Ｘ２の具体例を構造式で示すと次の通りになる。

Ｃ，Ｈ。

Ｃ，Ｈ。

８α＝ＣＭ−ＣＭ　＝ＣＨ＆ ＱｃＨ＝Ｃ舅−ｃ＊＝ｃｘ−ｃｘ＝ｃｘ＋カップラーと
しては、たとえば、フェノール類、ナフトール類などの
フェノール性水酸基を有する化合物、アミノ基を有する
芳香族アミノ基化合物、あるいはアミノ基とフェノール
性水酸基を有するアミノナフトール類、脂肪族もしくは
芳香族のエノール性ケトン基（活性メチレン基）をもつ
化合物などが用いられ、好ましくは、カップラー残基Ａ
が下記一般式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）
、（Ｖｌ）、（■）、（■）、（ＩＸ）、（Ｘ）、（Ｘ
Ｉ）、（Ｘｌｌ）の一般式で表されるものである。

Ｘ、の具体例８−構造式で示すと次の様になる。

上記式（ｎ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）および（Ｖ）中、
Ｘｓ　ＹＩ　ＳＺＳｍおよびｎはそれぞれ以下のものを
表す。

Ｒ１ ／ （Ｒ＋およびＲ２は水素または置換もしくは無置換のア
ルキル基を表し、Ｒ３は置換もしくは無置換夷のアルキ
ル基または置換もしくは無置換のアリール基を表す。） Ｙｌ　：水素、ハロゲン、置換もしくは無置換のアルキ
ル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、カルボキシ
基、スルホン基、置換もしくは無置換のスルファモイル
基または またはその置換体、複索環基またはその置換体あるいは
スチリル基またはその置換体、Ｒｓは水素、アルキル基
、フェニル基またはその置換体を表すか、あるいはＲ５
及びＲ６はそれらに結合する炭素原子と共に環を形成し
てもよい。） Ｚ：炭化水素環またはその置換体あるいは複素環または
その置換体 ｎ：１または２の整数 ｍ：１または２の整数］ （Ｒ４は水素、アルキル基またはその置換体、フェニル
基またはその置換体を表し、Ｙ２は炭化水素環基または
その置換体、複索環基またはその置換体、あるいは、 ［式（Ｖｌ）および（■）中、Ｒ７は置換もしくは無置
換の炭化水素基を表し、Ｘは前記に同じである］ Ａｒ　　Ｉ ［式中、Ｒａはアルキル基、カルバモイル基、カルボキ
シル基またはそのエステルを表し、Ａｒ１は炭化水素環
基またはその置換体を表し、Ｘは前記と同じである。］ ［上記式（■）および（Ｘ）中、Ｒ９は水素または置換
もしくは無置換の炭化水素基を表し、Ａｒ２は炭化水素
環基またはその置換体を表す。］ 前記一般式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＴＶ）または（Ｖ
）のＺの炭化水素環としてはベンゼン環、ナフタレン環
などが例示でき、また複素環としてはインドール環、カ
ルバゾール環、ベンゾフラン環、などが例示できる。ま
た、Ｚの環における置換基としては塩素原子、臭素原子
などのハロゲン原子が例示できる。

Ｙ２またはＲ５における炭化水素環基としては、フェニ
ル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基などが、
また、複索環基としてはピリジル基、チエニル基、フリ
ル基、インドリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基、ジベンゾフラニル基などが例示でき、さらに、Ｒ５
およびＲ６が結合して形成する環としては、フルオレン
環などが例示できる。

Ｙ２またはＲｓの炭化水素環基または複素環基あるいは
Ｒ５およびＲ６によって形成される環における置換基と
しては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基な
どのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、ブトキシ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素原
子などのハロゲン原子、ジメチルアミノ基、ジエチルア
ミノ基などのジアルキルアミノ基、ジベンジルアミノ基
などのジアルキルアミノ基、トリフルオロメチル基など
のへロメチル基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基
、またはそのエステル、水酸基、−８Ｏ３Ｎａなどのス
ルホン酸塩基などが挙げられる。

Ｒ４のフェニル基の置換体としては塩素原子または臭素
原子などのハロゲン原子が例示できる。

Ｒ７またはＲ９における炭化水素基の代表例としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基、ベンジル基などのアラルキル基、フェニル基な
どのアリール基またはこれらの置換体か例示できる。

Ｒ７またはＲ９の炭化水素基における置換基としてはメ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキ
ル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキ
シ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素原子などのハ
ロゲン原子、水酸基、ニトロ基などが例示できる。

Ａｒ＋またはＡｒ２における炭化水素環基としては、フ
ェニル基、ナフチル基などがその代表例であり、また、
これらの基における置換基としては、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基などのアルキル基、メトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアル
コキシ基、ニトロ基、塩素原子、臭素原子などのハロゲ
ン原子、シアノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ
基などのジアルキルアミノ基などが例示できる。

また、Ｘの中では特に水酸基が適当である。

上記カップラー残基の中でも好ましいのは上記一般式（
ＩＩＩ）、（ＶＴ）、（■）、（■）、（ＩＫ）および
（Ｘ）で示されるものであり、この中でも一般式におけ
るＸが水酸基のものが好ましい。また、この中でも一般
式（■″）（Ｙ＋およびＺは前記に同じ。） で表わされるカップラー残基が好ましく、さらに好まし
くは一般式 （Ｚ、Ｙ２およびＲ２は前記に同じ。）で示されるカッ
プラー残基である。

さらにまた、上記好ましいカップラー残基の中でも一般
式（Ｘ　Ｉ　Ｖ）または（Ｘ　Ｖ）で表されるものが適
当である。

カップラー残基の具体例を構造式で示すと次の通りであ
る。（Ａ、Ａ″　Ａ”を以下Ａとして示す。） （Ｚ、Ｒ２，Ｒ５およびＲ６は前記に同じであり、また
Ｒ１としては上記のＹ２の置換基が例示できる。） Ｎｏ。

Ａ フロント電極層及びその支持体についてニアルミニウム
、鉛、亜鉛、タンタル、ニッケル、チタン、コバルト、
ニオブ、銅、ハステロイ０１金、白金、銀、パラジウム
等の半透明の金属や、酸化スズ、ＩＴＯ等の金属酸化物
等がフロント電極として使用でき、支持体としては、ガ
ラス、透明プラスチックフィルムが用いられる。

背面電極及びその支持体について： はとんどの金属が背面電極として使用できる。

支持体としてはガラス、透明プラスチックフィルムが用
いられる。

光活性層（ｎ）について： この層はａ）光活性層（１）に使用のアゾ顔料の感光波
長の低い領域をおぎなうために、他の電荷発生有機半導
体を含むか、ｂ）光活性層（１）との間で接合障壁を形
成する層か、Ｃ）光活性層（１）で発生した正孔と電子
のどちらかを有効に移動される層である。

このうちａ）の層は光活性層（１）のアゾ顔料と補正の
色調を有する有機半導体が効果が高く、これは光活性層
（１）と同様に塗布して形成してもよいが真空蒸着法な
どの他の形成方法を使用してもよい。

光活性層（ｎ）で用いられる光吸収性有機半導体はフタ
ロシアニン系顔料、キナクリドン系顔料、ペリレン系顔
料、芳香族多環牛ノン系顔料、インジゴ系顔料、チオイ
ンジゴ系顔料等の顔料やトリフェニルメタン染料、シア
ニン染料、メロシアニン染料等の染料が挙げられる。

ｂ）の層は酸化亜鉛、酸化チタン、硫化カドミウム、セ
レン結晶、酸化鉛等の微粒子を結着剤樹脂に分散して形
成するか、真空蒸着法などにより形成される。

Ｃ）の層として、電子を移動する場合光活性層（１）の
添加剤か、それより更に電子親和力の強いアクセプタを
正孔を移動させる場合、光活性層（１）のアゾ顔料をよ
りＩＰ値の低い電子供与体を使用し、適当な樹脂に混合
して塗布して形成するか、真空蒸着法などにより形成す
る。

バインダとして用いられる樹脂の例としては、ポリエス
テル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド樹脂、ポ
リウレタン樹脂、エポキシ樹脂、アルキッド樹脂、フェ
ノール樹脂、メラミン樹脂、アクリル樹脂、セルロース
樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、塩化ビニリデ
ン樹脂、フッ化ビニリデン樹脂、ブチラール樹脂、ポリ
ビニルカルバゾール樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリイミ
ド樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、塩ビー酢ビ共重合
体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、スチ
レン−無水マレイン酸共重合体、スチレン−ブタジェン
共重合体、エチルセルロース等が挙げられる。

［実施例］ 次に実施例並びに比較例によって本発明を具体的に説明
する。

実施例１ 下記の構造のアゾ顔料０．８ｇとブチラール樹脂（ＵＣ
Ｃ社ＸＹＨＬ）の５％テトラヒドロフラン溶液８ｇとを
３０間ボールミリングした後にテトラヒドロフランで更
に希釈し　１．５ｖｔ％の溶液を作製した。

この溶液に固型分で１４％組成となるようにＴＣＮＱ　
（化合物Ｎｏ、３）を加え、撹拌した後に塗布液を作製
した。

この塗布液にインジウムをドープした酸化スズ膜（以下
ＩＴＯと称する）を設けたガラス基板を浸漬し、２ｍｓ
＋／秒の速度で基板をひきあげＩＴＯ基板上に塗膜を設
けた。

この上に５８０ｒｖにおける透過率が６％となる様に半
透明のアルミニウムを真空蒸着した後、ＩＴＯとアルミ
ニウムに銀ペーストにて銅の細線を接続した。

この試料に対しＡＩ電極側から５８０ｎｍの単色光を照
射（顔料分散膜に到達した光量Ｐ１ｎ’を１．５４μｖ
／ｃｍ’に設定）しながら画電極に８ａ＋Ｖ／秒で掃引
されるランプ波を印加して電流−電圧特性を０１定した
。その結果 Ｖｏｃ−０，６３Ｖ Ｊ　　ｓｃ＝　２．６ｎＡ／ｃａ＋’ 「「−〇、２０ であった。

電極の透過率を補正した５８０ｎＩＩｌにおける光電変
換効率（η″）は０．０２１％であった。

実施例２ 実施例１のＴＣＮＱを２．４．５．７−チトラニトロフ
ルオレノン（化合物Ｎ　ｏ、４２）に変えた以外は実施
例１と同様に添加物を含有する試料を作製した。この試
料に５８０ｒｖの単色光をＡ１電極側から入射（Ｐｉｎ
’−１，５４μｖ／Ｃｍ２）　Ｌ、実施例１と同様に光
電変換効率を８１１定したところ下記の様な結果が得ら
れた。

Ｖｏｃ−０，５８Ｖ Ｊ　ｓｃ　−２，１ｎＡ／Ｃｓ２ １’ｌ’−０，２４ η　　−０，０１９％ 実施例３ 実施例１のＴＣＮＱを２．４．７−　）リニトロフルオ
レノン（化合物Ｎ　ｏ、４１）に変えた以外は実施例１
と同様に添加物を含有する試料を作製した。この試料に
５８０ｎｍの単色光をＡＩ電極側から入射（Ｐｉｎ’　
−１，５４μｖ／ｃｍ’　）　Ｌ、実施例１と同様に光
電変換効率を測定したところ下記の様な結果が得られた
。

Ｖｏｃ−０，６４Ｖ Ｊ　ｓｅ＝　１．０２　ｎＡ／ｃｍ’ １’ｒ−０，２５ η　−０，０１７％ 比較例１ 添加物を加えないこと以外は実施例１と同様に試料を作
製し、５８０ｎｓの単色光をＡＩ主電極ら入射（Ｐｉｎ
’　−１，５４μｗ／ｃｍ２）　して、同様に光電変換
効率を測定したところ下記の様な結果が得られた。

Ｖｏｃ−０，４８Ｖ Ｊ　５ｃ＝ｏ、２１　　ｎＡ／ｃｍ２ ｎ■０．３０ η″−０，００２％ 実施例４ 実施例１のアゾ顔料を下記の顔料に変えた以外は実施例
１と同様に添加物を含有する試料を作製した。この試料
に６００ｎｏ＋の単色光をＡ１電極側から入射（Ｐｉｎ
’＝１．４９ｕｖ／Ｃｍ２）　Ｌ、実施例１と同様に光
電変換効率をＡＩ定したところ下記の様な結果が得られ
た。

Ｖｏｃ■０．８５Ｖ Ｊ　ｓｃ　−８７ｎＡ／ｃｍ２ ｆｒ−０，２１ η　　　−１，１％ ２ｆ１５ 比較例２ 添加物を加えないこと以外は実施例３と同様に試料を作
製し、１３００ｒｖの単色光をＡｔｆｊｓ極から入射（
Ｐｉｎ’−１，４９μｖ／ｃ＋ｇ’　）　して、同様に
光電変換効率を測定したところ下記の様な結果が得られ
た。

Ｖｏｃ−０，８９Ｖ Ｊ　ｓｃ　−３５ｎＡ／ｃｍ２ ｆ’ｒ−０，２３ η　−０，４９％ 実施例５ 実施例４のアゾ顔料を使用し、ブチラール樹脂をポリビ
ニルカルバゾール樹脂に変え、ＴＣＮＱ（化合物Ｎｏ、
３）をＴＮＦ　（化合物Ｎｏ。

４１）に変えた以外は実施例１と同様に添加物を含有す
る試料を作製した。この試料に６００ｎｉの単色光をＡ
Ｉ電極側から入射（Ｐ１ｎ’−１，４９μｖ／ａｍ’　
）　Ｌ、実施例１と同様に光電変換効率を測定したとこ
ろ下記の様な結果が得られた。

Ｖｏｃ−０，８５Ｖ Ｊ　ｓｃ　−４４，８ｎＡ／ｃｓ＋’ ｒｒ調０．２３ η　　−０，５７％ 比較例３ 添加物を加えないこと以外は実施例５と同様に試料を作
製し、ＢＯＯｎａの単色光をＡＩ主電極ら入射（Ｐｉｎ
’−１，４８μｖ／ｃｍ２）　して、同様に光電変換効
率を測定したところ下記の様な結果が得られた。

Ｖ　ｏｃ＝　０．７８Ｖ Ｊ　ｓｃ　−１１，６ｎＡ／ａｓ２ 「「■０．３５ η　−０，２２％ 実施例６ 実施例１のアゾ顔料を下記の顔料に変えた以外は実施例
１と同様に添加物を含有する試料を作製した。この試料
に５８０ｎｓの単色光をＡＩ電極側から入射（Ｐｉｎ”
　−１，６μｖｌＣ１２）シ、実施例１と同様に光電変
換効率を８１１定したところ下記の様な結果が得られた
。

Ｖｏｃ−０，＄２Ｖ Ｊ　ｓｃ＝　１２３ｎＡ／ｃｍ２ ｒｒ−０，１４ η　　−０，８７％ 比較例４ 添加物を加えないこと以外は実施例６と同様に試料を作
製し、５Ｂ０ｎｓの単色光をＡＩ組電極ら入射（Ｐｉｎ
’−Ｌ、Ｓ　μｖ／ｅｓ２）　Ｌ、、て、同様に光電変
換効率を測定したところ下記の様な結果がｉワられた。

Ｖ　ｏｃｍ　Ｏ，８８Ｖ Ｊ　ｓｃ−３５，４ｎＡ／Ｃｓ’ 「ｒ■０．２１ η　−０，３２％ ［発明の効果］ 本発明によれば、アクセプタ化合物を光活性層に添加す
ることにより、高い光電流を示し、かつ安価で大面積の
光電変換素子が得られる。

このため、従来の単独またはバインダーとの混合系で、
低い光電流のため使用不可能であった光導電性有機半導
体も有効に利用できるようになり、材料の選択範囲を広
げることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図ａ〜第３図すは本発明の充電変換素子の断面を示
す概略図である。 ■・・・透光性フロント電極、２・・・光活性層（１）
、３・・・光活性層（■）４・・・背面電極、５・・・
フロント電極支持体、６・・・背面電極支持体。 第１図 ｉ１ 図 第２図 第２ し 図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 透光性フロント電極、光活性層および背面電極を有する
   光電変換素子において、前記光活性層がアゾ顔料および
   アクセプタ化合物からなることを特徴とする光電変換素
   子。