JPS63120474A - 光電変換素子 - Google Patents

光電変換素子

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JPS63120474A
JPS63120474A JP61265714A JP26571486A JPS63120474A JP S63120474 A JPS63120474 A JP S63120474A JP 61265714 A JP61265714 A JP 61265714A JP 26571486 A JP26571486 A JP 26571486A JP S63120474 A JPS63120474 A JP S63120474A
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JP
Japan
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photoactive layer
layer
azo pigment
resin
photoelectric conversion
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Application number
JP61265714A
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Masao Yoshikawa
吉川 雅夫
Akio Kojima
小島 明夫
Tetsuo Suzuki
哲郎 鈴木
Mitsuru Hashimoto
充 橋本
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Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Publication date
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    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/626Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • HELECTRICITY
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    • H10K30/451Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising a metal-semiconductor-metal [m-s-m] structure
    • HELECTRICITY
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    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/50Photovoltaic [PV] devices
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    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は有機光導電体を用いた光電変換素子(有機太陽
電池)に関するものであシ、光センサ−、イメージセン
サ−等に応用される。
〔従来技術〕
変換効率が高くかつ安価な光電変換素子を目標として無
機半導体を用いた光電変換素子を作製する試みが多くな
されてきている。しかし、実用化が試みられている単結
晶Si、GaAs、アモルファスS1は全て価格の面で
目標を満足しているとは言い難い。
この欠点を改善するため有機半導体を用いて光電変換素
子を作製する試みが近年なされている。使用された有機
半導体層としては以下の例がある。
印 スピナー塗布されたメロシアニン染料層(%開昭5
1−122389、特開昭53−131782)(ロ)
 フタロシアニン蒸着層またはオバレン等の電子供与体
層とビリリウム系染料等の電子受容体層を積層したもの
(特開昭54−27787)(ハ) ビリリウム系染料
とポリカーボネートから生成する共晶錯体層(特開昭5
4−27587)に) 無金属フタロシアニンをバイン
ダーに分散させた層(特開昭55−9497) (ホ) n型シリコンとp型ドープされたポリアセチレ
ン薄膜を積層したもの(特開昭55−130182、特
開昭55−138879)(へ)真空蒸着されたメロシ
アニン染料層C*開和56−35477) これらは、これらの有機半導体を溶媒中に溶解または分
散した溶液を基板上に塗布したや、あるいは低温度で真
空蒸着し、更にその上に別の導電層を設けることで安価
に大面積のものが得られるが、変換効率が低すぎ、実用
には供さない。
〔目 的〕
本発明は以上のような従来の欠点を解決するためになさ
れたものであって、その目的はアゾ顔料を分散させた層
を光電変換層として用いた、安価で大面積が容易に作製
でき、可撓性も可能であって有機材料を用いたものとは
、高い変換効率を有する光電変換素子を提供することに
ある。
〔構 成〕
本発明の上記目的は、透光性フロント電極、光活性層及
び背面電極を有する光電変換素子において、前記光活性
層が式 (式中、Aはカップラー残基を表わ¥)で表わされるア
ゾ顔料を含む光電変換素子によって達成できる。
本発明の光電変換素子は、アゾ顔料を含む光活性層(I
)が2つの電極(フロント電極、背面電極)にサンドイ
ンチされた構成から成る。
フロント電極側から光が入射するため、フロント電極は
光透過性となっている。
フロント、背面!極とも単独で使用されてもよいし、支
持体が設けられていてもよい。第1図〜第6図にはこれ
らの例か示されている。
フロント電極、背面電極からはリード線等により、外部
回路と接続され、実際の使用に供される。
第1(b)図に示されるように、光活性層は単層である
必要はなく2層であってもよい。この光活性層(II)
は光活性層(N)と同様に光により電荷を発生させる層
でもよいし、光活性層TI)で発生した電荷を効率よく
移動させる層でもよい。第1(b)図の例では光活性層
(I)はフロント電極側に描かれているが光活性N徂)
がフロント電極側にあっても勿論良い。また、光活性層
(1)は異なるアゾ顔料から成る複層であってもよい。
本発明は上記光活性層(1)にかかわるものである。光
活性層(I)は光照射で正孔と電子を発生させる層であ
る。このためには、層内に電界が存在することが必要で
、これはフロント電極と背面電極の間に外部から電圧を
印加するか、または光活性/if (I)がフロントま
たは背面電極もしくは光活性層(It)と接合した時に
お互いの7エルミレベル(または仕事関数)の違いによ
シ、熱キャリアが移動することで外部電圧なしでも達成
される。
光活性層(I)は下記のアゾ顔料を主成分として含む層
である。
アゾ顔料は特開昭55−133445 、特開昭53−
132347 、等に見られる様に電子写真用感光体の
光キヤリア発生材料として有効なものであるが、本発明
者はこれらの材料な光電変換素子として適用した場合に
非常に良好な特性を表わすことを見い出した。ここで光
電変換素子とは、第1図のフロントおよび背面電極間に
外部電圧を印加しないで光照射した場合に起電力または
電流もしくはその両方を住じ、また外部電圧印加の状態
では大きな光電流がと勺出せる素子のことである。
この層は前述のごとく下記のアゾ顔料を含む層である。
アゾ顔料だけであってもよいし、下記の様な樹脂中に分
散されていてもよいし、更に後述する様な添加剤を含ん
でいてもよい。
樹脂との分散の場合顔料/樹脂比は1010〜V4(重
量比)が適当で好ましくは1010〜1/2である。電
荷は通常顔料を通して移動すると考えられ、樹脂が多く
なると発生した電荷の移動が回船となってくる。添加剤
は光活性層(I)中で発生した電荷の移動効率を向上さ
せるためや、光による電荷の発生効率を向上させるため
に用いられる。添加剤によシ光電流の増加がはかれるが
、逆の結果となる場合も多く、顔料と添加剤は適切な組
み合わせが必要である。
添加剤の量は顔料と樹脂の総重量に対し5〜50重量係
重量当である。
光活性/I (1)の膜厚は0.01〜10μmで適当
である。最適膜厚は用いるアゾ顔料の種類や樹脂によっ
ても異なるが0.05〜6μmが好ましい。薄いと光吸
収量が小さくなり、またフロント/背面電極間でピンホ
ールの確率が高くなる。厚くなると発生した正孔および
電子の一方が電極に到達するまでの距離が長くなシ、途
中で失活する確率が高まり、効率が低下する。
尚、光活性層は上記顔料を必要ならば、樹脂添加剤とと
もに適当な溶媒中に混合し、ボールミル尋の方法で顔料
を粉砕し、均一なスラリーを作製するか、有機アミン中
に顔料を溶解するかして、これらを背面電極あるいは支
持体上の背面電極あるいは支持体上のフロント電極上に
塗布して形成される。
この様にして形成された光活性層は、可視部に強い感光
域を有し、外部電圧なしの場合には、高い開放電圧(V
oc)と有機材料としては高い短絡電流(J8Q)をも
たらす。この場合の変換効率(η)は次式、 (Pin : 入射光エネルギー、ff:フィルファク
ター)で決定される。
本発明の素子は可視光に対し有機材料を用いたものとし
ては高い変換効率をもたらす。これはアゾ顔料によるも
ので、アゾ顔料は接合部で形成される内部電界で大きな
量子効率を有し、これにより大きなJ8cが得られるも
のと推定される。またもちろん外部から電圧を印加した
場合にも、前述の大きな量子効率のため大きな光電流が
とり出せ、従って感度に優れた光電変換素子として用い
られる。
フロント電極としてはアルミニウム、鉛、亜鉛、タンタ
ル、ニッケル、チタン、コバルト、ニオブ、銅、ハステ
ロイ0、金、白金、銀、パラジウム等の牛透明の金属や
、酸化スズ、工T。
等の金属酸化物等が使用でき、またその支持体としては
、ガラス、透明プラスチックフィルムが用いられる。
背面電極としてははとんどの金属が背面電極として使用
できまたその支持体としてはガラス、透明プラスチック
フィルムが用いられる。
光活性#(IDはa)アゾ顔料の感光波長の低い領域を
おぎなうために、他の電荷発生顔料を含むか、b)光活
性層(I)との間で接合障壁を形成する層か、 c)光
活性層(1)で発生した正孔と電子のどちらかを有効に
移動させる層である。
このうちa)の層は、フタロシアニン系顔料、ペリレン
系顔料、芳香族多環キノン顔料、チオインジゴ顔料、キ
ナクリドン顔料等の顔料を前記光活性#(■)と同様に
塗布して形成されろ。
b)の層は酸化亜鉛、酸化チタン、硫化カドミウム、セ
レン結晶、酸化鉛等の微粒子を結着剤樹脂に分散して形
成される。
C)の層は前記光活性層(Ilの添加剤が、正孔移動剤
としては、後述する電子供与体を、電子移動剤としては
、電子受容体を適当な樹脂に混合して形成される。
本発明の光活性層の必須成分として使用されるアゾ顔料
は次の一般式で表わされるものである。
2n5 ここでAはカップラー残基な表わす。
前記一般式で示されるアゾ顔料の製造に使用されるカッ
プラーとしては、たとえば、フェノール類、ナフトール
類などの7エノール性水酸基を有する化合物、アミン基
な有する芳香族アミノ化合物、あるいはアミノ基とフェ
ノール性水酸基を有するアミノナフトール類、脂肪族も
しくは芳香族のエノール性ケトン基(活性メチレン基)
をもつ化合物などが用いられ、好ましくは、カップラー
残基Aが下記一般式(n)、(1)で表わされるもので
ある。
上記式(ID中、R1は水素、アルキル基またはその置
換体を示し、Ylは炭化水素環基葦たはその置換体、複
素環基またはその置換体あるいは置換体、複素環基゛ま
たはその置換体あるいはスチリル基筐たはその置換体、
R5は水素、アルキグー基、フェニル基またはその置換
体を表わすか、あるいはR2及びR3はそれらに結合す
る炭素原子と共に環を形成してもよい)を示しそして2
は炭化水素環またはその置換体あるいは複素環またはそ
の置換体を示す。
膜体を示し、R4はアルキル基、カルバモイル基、カル
ボキシル基またはそのエステルを示し、そル基を表し、
R7は買換もしくは無置換のアルキル基または置換もし
くは無置換のアリール基を表す)を示す。
カップラー残基の具体例を構造式で示すと次の通りであ
る。
一血一               」し−血一  
             −血一一血一      
          −血−JJsw        
       −血一一血一            
  −血一」L□−り一一一一一   −血一一一一一
−五□−Jh−Jlu− 一風一               −心一一血一 
               −抱一−胆一 本発明のアゾ顔料を分散させる樹脂、の例としては、ポ
リエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド樹
脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、アルキッド樹脂
、フェノール樹脂、メラミン樹脂、アクリル樹脂、セル
ロース樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、塩化ビ
ニリデン樹脂、フッ化ビニリデン樹脂、ブチラール樹脂
、ポリビニルカルバゾール樹脂、ポリスチレン樹脂、ポ
リイミド樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、塩ビー酢ビ
供重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体
、スチレン−無水マレイン酸共重合体、スチレン−ブタ
ジェン共重合体等が挙げられる。
本発明で使用される添加物としては、酸化亜鉛、酸化チ
タン、酸化鉛、アルミナ尋の金属酸化物や次で示される
電荷供与物質や、電荷受容物質がある。
電荷供与物質としては、たとえば9−エチルカルバゾー
ル−6−アルデヒド、1メチル−1−フェニルヒドラゾ
ン、9−エチルカルノ9ゾールー3−アルデヒド1−ベ
ンジル−1−フェニルヒドラゾン、4−ジエチルアばノ
スチレンーβ−アルデヒド1−メチル−1−フェニルヒ
ドラゾン、1.1−ビス(4−ジベンジルアミノフェニ
ル)フロパン、トリス(4−ジエチルアミノフェニル)
メタン、i、1−ヒス(4−ジベンジルアミノフェニル
〕フロノぞン、9−(4−ジエチルアミノスチリル)ア
ントラセン、1,2−ビス(4−ジエチルアミノスチリ
ル)ベンゼン、3−スチリル−9−エチルカルバソール
、4−ジフェニルアミノスチルベン、4−ジベンジルア
ミノスチルベン、4−ジトリルアミノスチルベン、4′
−ジフェニルアミノ−α−フェニルスチルベン、4′−
メチルフェニルアミノ−α−フアニルスチルベン、1−
フェニル−3−(4−ジエチルアミノスチリル) −5
−(4−ジエチルアミノフェニル)ヒラゾリン、1−フ
ェニル−3−(4−ジメチルアミノスチリル) −5−
(4−ジメチルアミノフェニル)ピラゾリンなどの低分
子化合物がある。また、ポリ−N−ビニルカルバソール
、ハロゲン化zリーN−ビニルカルバゾール、ポリビニ
ルピレン、ポリビニルアントラセン、ピレンホルムアル
デヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂
などの高分子化合物も使用できる。
電荷受容物質としては、たとえば、クロルアニル、フロ
ムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノン
ジメタン、2.4.7−ドリニトロー9−フルオレノン
、2,4.5.7−テトラニトロ−9−フルオレノン、
2.4.5.7−チトラニトロキサントン、2,4.8
− )リニトロチオキサントン、2,6.8− トリニ
トロ−4H−インデノCI 、 2−1:+)チオフェ
ン−4−オン、1,3.7−トリニトロジベンゾチオ7
エンー5.5−ジオキサイドなどがある。
次洗本発明の光電変操素子の構造例を第1〜6図に示し
た概略図で説明する。b図はa図で示した光活性層を補
足するために第2の光活性層を追加した例を示す。
図中、1は透光性フロント電極、2は光活性層(I)、
6は光活性層■)、4は背面電極、5はフロント電極支
持体、6は背面を極支持体を示す。
なお、これらの構造は用途に応じているいろと応用変化
させることができることを理解すべきである。
本発明をさらに具体的に説明1ろために以下に実施例を
示すが、本発明はこれに限定されるものではない。
実施例 1 下記の構造のアゾ顔料α82とブチラール樹脂XYHL
 (VOO社製)の5%テトラヒドロフラン溶液81と
を6日間ボールミリングした後にテトラヒドロフランで
更に希釈し、5重量%の塗布液を作製した。
この塗布液にインジウムをドープした酸化スズ族(以下
工Toと称する)を設けたガラス基板を浸漬し、5g/
秒の速度で基板を引き上げ、ITO基板上に顔料分散膜
を設けた。この層の膜厚は0.35μmであった。
この上に5(50nmにおりる透過率が約8%になるよ
うに半透明のアルミニウムを真空蒸着した後、■TOと
アルミニウムに銀ペーストにて銅の111IIl線を接
続した。
この試料に対し、アルミニウム電極側から560nmの
単色光を照射(顔料分散膜に到達した光−It Pin
’を1.61tW/cm2に設定)しながら、両電極に
6mV /抄で掃引されるランプ波を印加して電流−電
圧%性を御」定した。
その結果、 Voc=0.79V Jsc = 2.4 nA/m2 ff=0.24 であった。
電極の透過率を補止1−た560nmにおけるこの素子
の光電変換効率(η′)は0.028%であった。
実施例 2 実施例1のアゾ顔料を下記のものにした以外は実施例1
と同様に試料を作製した。
一660nの単色光をこの試料に入射しく Pin’=
1,5μい2)、実施例1と同様に光電変換特性を測定
したところ下記のような結果が得られた。
’Voc=0.72’7 Jsc=α5 Q nA/m2 ff=α22 η’=0.0053% 実施例 3 実施例1のアゾ顔料を下記のもOKした以外は実施例1
と同様に試料を作製した。
660nmの単色光をこの試料に入射しく Pin’=
1.5μW/□2)、実施例1と同様に光電変換特性’
Y 111定したところ下記のような結果が得られた。
Voc=0.71V 、rsc = CL 17 nA/crrL2ff=0
.22 η’=0.0018% 実施例 4 実施例1のアゾ顔料を下記のもOKした以外は実施例1
と同様に試料を作製した。
660nmの単色光をこの試料に入射しく Pin’=
1.5μル性2)、実施例1と同様に光電変換特性を測
定したところ下記のような結果が得られた。
V□c = 0.75 Jsc=0.63 ff=0.21 η’=0.0066% 実施例 5 実施例1の試料の両電極を短絡した状態で、アルミニウ
ム電極側から700nmから460nmまでの波長範囲
で20nmおきに単色光を照射l料分散膜に到達する光
子数を各波長とも6X1012/CIn2 Becに設
定)して短絡光電流を測定した。
その結果、560nmにおいて最大の光電流が得られ、
680nmから460nmの波長範囲では、該光電流値
の50%以上の光電流値を示し、本試料は感光波長領域
が可視光にわたり広いものであることが判明した。
〔効 果〕
以上、述べたように、本発明によれば、アゾ顔料を分散
した液を単に塗布することにょう、光活性層を作製でき
るので安価で大面積の光電変換素子が達成できる。また
、可視光全般にわたり、高い変換効率を有する光電変換
素子が竣成できる。さらにまた、太陽光スペクトルによ
く適合する光電変換素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第3図は本発明の光電変換素子の断面を示す概
略図である。 1・・・透光性フロント電極、2・・・光活性層(1)
、3・・・光活性層(ITJ、4・・・背面電極、5・
・・フロント電極支持体、6・・・背面電極支持体。 特許出願人  株式会社 リ   コ  −外2名 崩1図 (α)(b)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 透光性フロント電極、光活性層及び背面電極を有する光
    電変換素子において、前記光活性層が式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Aはカップラー残基を表わす)で表わされるア
    ゾ顔料を含むことを特徴とする光電変換素子。
JP61265714A 1986-11-10 1986-11-10 光電変換素子 Pending JPS63120474A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61265714A JPS63120474A (ja) 1986-11-10 1986-11-10 光電変換素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61265714A JPS63120474A (ja) 1986-11-10 1986-11-10 光電変換素子

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JPS63120474A true JPS63120474A (ja) 1988-05-24

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ID=17420989

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JP61265714A Pending JPS63120474A (ja) 1986-11-10 1986-11-10 光電変換素子

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