JPS61245583A - 光電変換素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 致框分裏 本発明は有機光導電体を用いた光電変換素子（有機太陽
電池）に関するものであり、光センサ−、イメージセン
サ−等に応用される。

従来技術 無機半導体を用いた光電変換素子を作製する試みは多く
なされてきている。その目標はａ）変換効率が高く、ｂ
）安価な光量変換素子である。

単結晶Ｓｉ、多結晶Ｓｉ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＧａＡｓ
、アモルファスＳｉ等の実用化が試みられているが、こ
れらは全てｂ）の目標を満足しているとは言い難い。

この欠点を改善するため有機半導体を用いて光電変換素
子を作製する試みが近年なされている。使用された有機
半導体層としては以下の例がある。

（イ）　スピナー塗布されたメロシアニン染料層（特開
昭５１−１２２３８９、特開昭５３−１３１７８２及び
ニー、ケー、ゴウシュ（Ａ、に、Ｇｈｏｓｈ）著のｒジ
ャーナル、オブ、アプライド、フィジックス（Ｊ。

Ａｐｐｌ、　Ｐｈｙｓ、　）Ｊ　４９．５９８２．１９
７８）（ロ）　フタロシアニン蒸着層またはオバレン等
の電子供与体層とピリリウム系染料等の電子受容体層を
積層したもの（特開昭５４−２７７８７、特開昭６０−
２０１６７２及びアール、オー、ラウトフィ（Ｒ，Ｏ，
Ｌｏｕｔｆｙ）著の「ジャーナル、オブ、アプライド、
フィジックス（Ｊ　、　Ａｐｐｌ、　Ｐｈｙｓ、　）Ｊ
顕、５２１８．１９８１） （ハ）　ピリリウム系染料とポリカーボネートから生成
する共晶錯体層（特開昭５４−２７３８７）（ニ）無金
属フタロシアニンをバインダーに分散させた層（特開昭
５５−９４９７） （ホ）　ｎ型シリコンとｐ型ドープされたポリアセチレ
ン薄膜を積層したもの（特開昭５５−１３０１８２゜特
開昭５５−１３８８７９及びビー、アール、ワインバー
ガー（Ｂ、Ｒ，Ｗｅｉｎｎｂｅｒｇｅｒ）著のアプライ
ド、フィジックス、レター（Ａｐｐｌ、　Ｐｈ５ｙｓ、
　Ｌｅｔｔ、）Ｊ川、５５５．１９８１） （へ）真空蒸着されたメロシアニン染料層（特開昭５６
−３５４７７） これらは、これらの有機半導体を溶媒中に溶解または分
散した溶液を基板上に塗布したり、あるいは低温度で真
空蒸着し、更にその上に別の導電層を設けることで安価
に大面積のものが得られるが、変換効率が低すぎ、実用
には供されない。

目　　　　　的 本発明は以上のような従来の欠点を解決するためになさ
れたものであって、アゾ顔料を分散させた層を光電変換
層として用いた、安価で大面積が容易に作製でき、可撓
性も可能であって有機材料を用いたものとしては、高い
変換効率を有し、従来に比べて太陽光、室内光のスペク
トル分布にあった光電変換素子を提供することを目的と
する。

貴−一虜 本発明は前記目的を達成するために鋭意研究した結果、 透光性フロント電極、光活性層及び背面電極を有する光
電変換素子において、前記光活性層が、一般式（Ｉ）、 〔式中、Ａはカップラー残基を示す〕で表わされるアゾ
顔料を含むことを特徴とする光電変換素子を提供するこ
とによって前記目的が達成できることを見出した。

本発明の光電変換素子は、アゾ顔料を含む光活性層（１
）が２つの電極（フロント電極、背面電極）にサンドイ
ツトされた構成から成る。

フロント電極側から光が入射するため、フロント電極は
光透過性となっている。

フロント、背面電極とも単独で使用されてもよいし、支
持体あるいは保護層が設けられていてもよい。第１〜第
３図にはこれらの例が示されている。

フロント電極、背面電極からはリード線等により、外部
回路と接続され、実際の使用に供される。

光活性層は単層である必要はなく、２層の例が第１〜第
３図の（ｂ）図にそれぞれ示されている。

この光活性層（ＩＩ）は光活性層（１）と同様に光によ
り電荷を発生させる層でもよいし、光活性層（１）で発
生した電荷を効率よく移動させる層でもよい。第１（ｂ
）図の例では光活性層（Ｉ）はフロント電極側に描かれ
ているが光活性層（ＩＩ）はフロント電極側にあっても
勿論良い。また、光活性層（１）は異なるアゾ顔料から
成る複層であってもよい。

４一 本発明は上記光活性層（１）にかかわるものである。

光活性層（１）は光照射で正孔と電子を発生させる層で
ある。このためには、層内に電界が存在することが必要
で、これはフロント電極と背面電極の間に外部から電圧
を印加するか、または光活性層（１）がフロントまたは
背面電極もしくは光活性層（ＩＩ）と接合した時にお互
いのフェルミレベル（または仕事関数）の違いにより、
熱キャリヤが移動することで外部電圧なしでも達成され
る。

光活性層（Ｉ）は下記のアゾ顔料を主成分として含む層
である。

該アゾ顔料は、電子写真用感光体の光キヤリア発生材料
として有効なものであるが、我々は、これらの材料を光
電変換素子として適用した場合に非常に良好な特性を表
わすことを見い出した。

ここで光電変換素子とは、第１図のフロントおよび背面
電極間に外部電圧を印加しないで光照射した場合に起電
力または電流もしくはその両方を生じ、また外部電圧印
加の状態では大きな光電流がとり出せる素子のことであ
る。

この層は前述のごとく下記のアゾ顔料を含む層である。

アゾ顔料だけであってもよいし、下記の様な樹脂中に分
散されていてもよいし、更に後述する様な添加剤を含ん
でいてもよい。

樹脂との分散の場合顔料／樹脂比は１０１０〜１／４（
重量比）が適当で、好ましくは１０７０〜１／２である
。電荷は通常顔料を通して移動すると考えられ、樹脂が
多くなると発生した電荷の移動が困難となってくる。添
加剤は光活性層（１）中で発生した電荷の移動効率を向
上させるためや、光による電荷の発生効率を向上させる
ために用いられる。添加剤により光電流の増加がはかれ
るが、逆の結果となる場合も多く、顔料と添加剤は適切
な組み合わせが必要である。

添加剤は量は顔料と樹脂の総重量に対し５〜５０重量％
が適当である。

光活性層の膜厚は０．０１〜１０μｍで適当である。

最適膜厚は用いるアゾ顔料の種類や樹脂によっても異な
るが０．０５〜３μｍが好ましい。薄いと光吸収量が小
さくなり、またフロント／背面電極間でピンホールの確
率が高くなる。厚くなると発生した正孔および電子の一
方が電極に到達するまでの距離が長くなり、途中で失活
する確率が高まり、効率が低下する。

尚、水層は上記顔料を必要ならば、樹脂添加剤とともに
適当な溶媒中に混合し、ボールミル等の方法で顔料を粉
砕し、均一なスラリーを作製するか、有機アミン等の溶
剤中に顔料を溶解するかして、これらを背面電極あるい
は支持体上の背面電極あるいは支持体上のフロント電極
上に塗布して形成される。

この様にして形成された光活性層は、可視部に強い感光
域を有し、外部電圧なしの場合には、高い開放電圧（Ｖ
ｏｃ）と有機材料としては高い短絡電流（Ｊｓｃ）をも
たらす。この場合の変換効率（η）は次式、 （Ｐｉｎ：入射光エネルギー、ｆｆ：フィルファクター
）で決定される。

本発明の素子は可視光に対し有機材料を用いたものとし
ては高い変換効果をもたらす。これは本発明のアゾ顔料
によるもので、アゾ顔料は接合部で形成される内部電界
で大きな量子効率を有し、これにより大きなＪｓｃが得
られるものと推定される。またもちろん外部から電圧を
印加した場合にも、前述の大きな量子効率のため大きな
光電流がとり出せ、従って感度に優れた光電変換素子と
して用いられる。

フロント電極層及びその支持体についてニアルミニウム
、鉛、亜鉛、タンタル、ニッケル、チタン、コバルト、
ニオブ、銅、ハステロイＣ１金、白金、銀、パラジウム
等の半透明の金属や、酸化スズ、ＩＴＯ等の金属酸化物
等がフロント電極として使用でき、支持体としては、ガ
ラス、透明プラスチックフィルムが用いられる。

背面電極及びその支持体について： はとんどの金属が背面電極として使用できる。

支持体としてはガラス、透明プラスチックフィルムが用
いられる。

光活性層（ＩＩ）について： この層はａ）アゾ顔料の感光波長の低い領域をおぎなう
ために、他の電荷発生顔料を含むが、ｂ）光活性層（Ｉ
）との間で接合障壁を形成する層か、Ｃ）光活性層（１
）で発生した正孔と電子のどちらかを有効に移動される
層である。

このうちａ）の層は、フタロシアニン系顔料、ペリレン
系顔料、芳香族多環キノン顔料、チオインジゴ顔料、キ
ナクリドン顔料等の顔料を前記光活性層（１）と同様に
塗布して形成される。

ｂ）の層は酸化亜鉛、酸化チタン、硫化カドミウム、セ
レン結晶、酸化鉛等の微粒子を結着剤樹脂に分散して形
成される。

Ｃ）の層は前記光活性層（１）の添加剤が、正孔移動剤
としては、後述する電子供与体を、電子移動剤としては
、電子受容体を適当な樹脂に混合して形成される。

本発明の光活性層の必須成分として使用されるアゾ顔料
は一般式（Ｉ）、 〔式中、Ａはカップラー残基を示す〕で表わされるもの
である。

前記一般式で示されるアゾ顔料の製造に使用されるカッ
プラーとしては、たとえば、フェノール類、ナフトール
類などのフェノール性水酸基を有する化合物、アミノ基
を有する芳香族アミノ化合物、あるいはアミノ基とフェ
ノール性水酸基を有するアミノナフトール類、脂肪族も
しくは芳香族のエノール性ケトン基（活性メチレン基）
をもつ化合物などが用いられ、好ましくは、カップラー
残基Ａが下記一般式（ＩＴ）、（Ｉｎ）で表わされるも
のである。

上記式（ＩＩ）中、Ｒ□、Ｙ□及び２はそれぞれ以下の
ものを表わす。

Ｒ工：水素、アルキル基またはその置換体を示す。

Ｙｌ：炭化水素環基またはその置換体、複素環基または
その置換体 ａ 水素環基またはその置換体、複素環基またはその置換体
あるいはスチリル基またはその置換体、Ｒ３は水素、　
アルキル基、フェニル基またはその置換体を表わすか、
あるいはＲ２及びＲ３はそれらに結合する炭素原子と共
に環を形成してもよい）を示す。

２：炭化水素環またはその置換体あるいは複素環または
その置換体を示す。

Ａｒ 上記式（ＩＩＩ）中、Ａｒ、Ｒ，及び又はそれぞれ以下
のものを表わす。

Ａｒ：炭化水素環基またはその置換体を示す。

Ｒ４：アルキル基、カルバモイル基、カルボキシル基ま
たはそのエステルを示す。

Ｘ　：　−ＯＨ，−Ｎ−Ｒ５または−ＮＨ８Ｏ２−Ｒ７
（ＲＳ及びＲ６は水素または置換もしくは無置換のアル
キル基を表し、Ｒ７は置換もしくは無置換のアルキル基
または置換もしくは無置換のアリール基を表す）を示す
。

カップラー残基の具体例を構造式で示すと次の通りであ
る。

（以下余白） −１２＝ Ｎ　　　　　　　　　　　　　ぐ４ Ｃｏ　　　　　　　　　ｔ”− の　　　　　　萬　　　　　　８ −Ａ＾０− 本発明のアゾ顔料を分散させる樹脂の例としては、ポリ
エステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド樹脂
、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、アルキッド樹脂、
フェノール樹脂、メラミン樹脂、アクリル樹脂、セルロ
ース樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、塩化ビニ
リデン樹脂、フッ化ビニリデン樹脂、ブチラール樹脂、
ポリビニルカルバゾール樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ
イミド樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、塩ビー酢ビ共
重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、
スチレン−無水マレイン酸共重合体、スチレン−ブタジ
ェン共重合体、エチルセルロース等が挙げられる。

本発明で使用される添加物としては、酸化亜鉛、酸化チ
タン、酸化鉛、アルミナ等の金属酸化物や次で示される
電荷供与物質や、電荷受容物質がある。

電荷供与物質としては、下記の一般式（１）〜（１１）
に示されるような化合物が例示できる。

Ｒ工 〔式中、　Ｒ□はメチル基、エチル基、２−ヒドロキシ
エチル基又は２−クロルエチル基を表わし、　Ｒ２はメ
チル基、エチル基、ベンジル基又はフェニル基を表わし
、　Ｒ３は水素、塩素、臭素、炭素数１〜４のアルキル
基、炭素数１〜４のアルコキシル基、ジアルキルアミノ
基又はニトロ基を表わす。〕Ａｒ−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ−◎ ■ 〔式中、　Ａｒはナフタレン環、アントラセン環、スチ
リル基及びそれらの置換体あるいはピリジン環、フラン
環、チオフェン環を表わし、Ｒはアルキル基又はベンジ
ル基を表わす。〕 （Ｒｚ）ｎ 〔式中、　Ｒ□はアルキル基、ベンジル基、フェニル基
を表わし、　Ｒ２は水素、炭素数１〜３のアルキル基、
炭素数１〜３のアルコキシ基、ジアルキルアミノ基、　
ジアラルキルアミノ基またはジアリールア　ミノ基を表
わし、ｎは１〜４の整数を表わし、ｎが２以上のときは
Ｒ２は同じでも異なっていてもよい。Ｒ３は水素または
メトキシ基を表わす。〕 （Ａ） 〔式中、　Ｒ１は炭素数１〜１１のアルキル基、置換も
しくは無置換のフェニル基又は複素環基を表わし、　Ｒ
２，Ｒ３はそれぞれ同一ででも異なっていてもよく水素
、炭素数１〜４のアルキル基、ヒドロキシアルキル基、
クロルアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基を表
わし、また、Ｒ２とＲ３は互いに結合し窒素を含む複素
環を形成していてもよい。　Ｒ４は同一でも異なってい
てもよく水素、炭素数１〜４のアルキル基、アルコキシ
基又はハロゲンを表わす。〕 〔式中、Ｒは水素またはハロゲン原子を表わし、Ａｒは
置換または無置換のフェニル基、ナフチル基、アントリ
ル基あるいはカルバゾリル基を表わす。〕 〔式中、Ｒ１は水素、ハロゲン、シアノ基、炭素数１〜
４のアルコキシ基または炭素数１〜４のアルキル基を表
わし、Ａｒは 表わし、　Ｒ２は炭素数１〜４のアルキル基を表わし、
　Ｒ３は水素、ハロゲン、炭素数１〜４のアルキル基、
炭素数１〜４のアルコキシ基またはジアルキルアミノ基
を表わし、ｎは１または２であって、ｎが２のときはＲ
３は同一でも異なってもよく、Ｒ４およびＲ５は水素、
炭素数１〜４の置換または無置換のアルキル基あるいは
置換または無置換のベンジル基を表わす。〕 Ｒ−ＨＣ＝ＨＣＣＨ＝ＣＨ−Ｒ 〔式中、Ｒはカルバゾリル基、ピリジ ル基、チェニル基、インドリル基、フリル基或いはそれ
ぞれ置換もしくは非置換のフェニル基、スチリル基、ナ
フチル基またはアントリル基であって、これらの置換基
がジアルキルアミノ基、アルキル基、アルコキシ基、カ
ルボキシ基またはそのエステル、ハロゲン原子、シアノ
基、アラルキルアミノ基、Ｎ−アルキル−Ｎアラルキル
アミノ基、アミノ基、ニトロ基およびアセチルアミノ基
からなる群から選ばれた基を表わす。〕■ Ｒ□ 〔式中、　Ｒ□は低級アルキル基またはベンジル基を表
わし、　Ｒ２は水素原子、低級アルキル基、低級アルコ
キシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基あるいは低
級アルキル基またはベンジル基で置換されたアミノ基を
表わし、ｎは１または２の整数を表わす。〕〔式中、Ｒ
１は水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲ
ン原子を表わし、　Ｒ２およびＲ３はアルキル基、置換
または無置換のアラルキル基あるいは置換または無置換
のアリール基を表わし、　Ｒ４は水素原子または置換も
しくは無置換のフェニル基を表わし、また、　Ａｒはフ
ェニル基またはナフチル基を表わす。〕 〔式中、ｎはＯまたは１の整数、Ｒｏは水素原子、アル
キル基または置換もしくは無置換のフェニル基を示し、
Ａは ９−アントリル基または置換もしくは無置換のＮ−アル
キルカルバゾリル基を表わし、ここでＲ２は水素原子、
アルキル基、アル．１基、７、。ゲア原イよた。よ−Ｎ
／（但し、Ｒ３およびＲ４はアルキル基、置換または無
置換のアラルキル基、置換または無置換のアリール基を
示し、Ｒ３およびＲ４は環を形成してもよい）を表わし
、ｍは０゜１．２または３の整数であって、ｍが２以上
のときはＲ２は同一でも異なってもよい。〕Ｋ３ 〔式中、Ｒ工、Ｒ２およびＲ３は水素、低級アルキル基
、低級アルコキシ基、ジアルキルアミノ基またはハロゲ
ン原子を表わし、ｎはＯまたは１を表わす。〕 一般式（１）で表わされる化合物には、　たとえば９−
エチルカルバゾール−３−アルデヒド、］］メチルー１
−フェニルヒドラゾン９−エチルカルバゾール− −１−フェニルヒドラゾン、９−エチルカルバゾール−
３−アルデヒド１，１−ジフェニルヒドラゾンなどであ
る。

一般式（２）で表わされる化合物には、たとえば４−ジ
エチルアミノスチレン−β−アルデヒド１−メチル−１
−フェニルヒドラゾン、４−メトキシナフタレン−１−
アルデヒド１−ベンジル−１−フェニルヒドラゾンなど
がある。

一般式（３）で表わされる化合物にはたとえば、４−メ
トキシベンズアルデヒド１−メチル−１−フェニルヒド
ラゾン、２，４−ジメトキシベンズアルデヒド１−ベン
ジル−１−フェニルヒドラゾン、４−ジエチルアミノベ
ンズアルデヒド１，１−ジフェニルヒドラゾン、４−メ
トキシベンズアルデヒド１−ベンジル−１−（４−メト
キシ）フェニルヒドラゾン、４−ジフェニルアミノベン
ズアルデヒド１−ベンジル−１−フェニルヒドラゾン、
４−ジベンジルアミノベンズアルデヒド−１，１−ジフ
ェニルヒドラゾンなどがある。

一般式（４）で表わされる化合物には、　たとえば１，
１−ビス（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン、
トリス（４−ジエチルアミノフェニル）メタン、１，１
−ビス（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン、　
２，２′−ジメチル−４，４′−ビス（ジエチルアミノ
）−トリフェニルメタンなどがある。

一般式（５）で表わされる化合物には、たとえば９−　
（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセン、９−ブ
ロム−１０−　　（４−ジエチルアミノスチリル）アン
トラセンなどがある。

一般式（６）で表わされる化合物には、　たとえば９−
（４−ジメチルアミノベンジリデン）フルオレン、３−
　（９−フルオレニリデン）−９−エチルカルバゾール 一般式（７）で表わされる化合物には、たとえば１，２
−ビス（４−ジエチルアミノスチリル）ベンゼン、１，
２−ビス（２，４−ジメトキシスチリル）ベンゼンがあ
る。

一般式（８）で表わされる化合物には、　たとえ゛　ば
３−スチリル−９−エチルカルバゾール、３−　（４−
メトキシスチリル）−９−エチルカルバゾールなどがあ
る。

一般式（９）で表わされる化合物には、たとえば４−ジ
フェニルアミノスチルベン、４−ジベンジルアミノスチ
ルベン、４−ジトリルアミノスチルベン、１−　（４−
ジフェニルアミノスチリル）ナフタレン、１−　（４−
ジエチルアミノスチリル）ナフチレンなどがある。

一般式（１０）で表わされる化合物には、たとえば４′
−ジフェニルアミノ−α−フェニルスチルベン、　４′
−メチルフェニルアミノ−α−フェニルスチルベンなど
がある。

一般式（１１）で表わされる化合物には、たとえば１−
フェニル−３−　（４−ジエチルアミノスチリル）−５
−（４−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１−フ
ェニル−３−　（４−ジメチルアミノスチリル）−５−
　（４−ジメチルアミノフェニル）ピラゾリンなどがあ
る。

この他の電荷供与物質としては、たとえば２。

５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）−１。

３、４−オキサジアゾール、２，５−ビス〔４−　（４
−ジエチルアミノスチリル）フェニル〕−１．３．４−
オキサジアゾール、２−　（９−エチルカルバゾリル−
３−）−５−（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３
，４−オキサジアゾールなどのオキサジアゾール化合物
、２−ビニル−４−（２−クロルフェニル）−５−（４
−ジエチルアミノフェニル）オキサゾール、２−　（４
−ジエチルアミノフェニル）−４−フェニルオキサゾー
ルなどのオキサゾール化合物などの低分子化合物がある
。また、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ハロゲン化ポ
リ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリ
ビニルアントラセン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エ
チルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂などの高分子化
合物も使用できる。

電荷受容物質としては、たとえば、クロルアニル、ブロ
ムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノン
ジメタン、２，４．．７−ドリニトロー９−フルオレノ
ン、２，４，５．７−テトラニトロ−９−フルオレノン
、２，４゜５．７−テｌ−ラニトロキサントン、２，４
．８＝トリニドロチオキサントン、２，６．８−トリニ
トロ−４，Ｈ−インデノ［１，２−ｂ］チオフェン−４
−オン、１，３．７−トリニトロジベンゾチオフエンー
５，５−ジオキサイドなどがある。

次に本発明の光電変換効率の構造例を第１〜３図に示し
た概略図で説明する。ｂ図はａ図で示した光活性層を補
足するために第２の光活性層を追加した例を示す。

図中、１は透光性フロント電極、２は光活性層（１）、
３は光活性層（ＩＩ）、４は背面電極、５はフロイント
電極支持体、６は背面電極支持体を示す。なお、これら
の構造は用途に応じているいろと応用変化させることが
できることを理解すべきである。

本発明をさらに具体的に説明するために以下に実施例を
示すが、本発明はこれに限定されるものではない。

実施例１ 下記の構造のアゾ顔料０．８ｇとブチラール樹脂（ＵＣ
Ｃ社製ＸＹＨＬ）の５％テトラヒドロフラン溶液８ｇと
を３日間ボールミリングした後にテトラヒドロフランで
更に希釈し、１．５重量％の塗布液を作製した。

この塗布液にインジウムをドープした酸化スズ膜（以下
ＩＴＯと称する）を設けたガラス基板を浸漬し、２　ｍ
ｍ／秒の速度で基板を引き上げ、ＩＴＯ基板上に顔料分
散膜を設げた。

この上に、５６０　ｎｍにおける透過率が約８％になる
ように半透明のアルミニウムを真空蒸着した後、ＩＴＯ
とアルミニウムに銀ペーストにて銅の細線を接続した。

この試料に対し、ＩＴＯ電極側から５８０ｎｍの単色光
を照射（顔料分散膜に到達した光量Ｐｉｎ’を１．６μ
シ／ｄに設定）しながら、両電極に６ｍＶ／秒で掃引さ
れるランプ波を印加して電流−電圧特性を測定した。　
・ その結果、 Ｖｏｃ＝０．７４　　Ｖ。

Ｊ　５ｃ＝２．５０　ｎＡ／ｃｒｌ。

ｆｆ＝０．２２ であった。

電極の透過率を補正した５８０　ｎｍにおけるこの素子
の光電変換効率（η′）は０．０２６％であった。

実施例２ 実施例１のアゾ顔料を下記のものにした以外は実施例１
と同様に試料を作製した。

５６０ｎｍの単色光をこの試料に入射しくＰｉｎ’　＝
１．６３μｗ／ｙ＃）、実施例１と同様に光電変換特性
を測定したところ下記のような結果が得られた。

Ｖｏｃ＝０．６１　Ｖ、 Ｊｓｃ＝４．８０　ｎＡ／ａ＃、 ｆｆ＝Ｏ，，２０・ η’＝０．０３５％ 実施例３ 実施例１のアゾ顔料を下記のものにした以外は実施例１
と同様に試料を作製した。

５６０ｎｍの単色光をこの試料に入射しくＰｉｎ’　＝
１．６１　μｗ／ａ＃）、実施例１と同様に光電変換特
性を測定したところ下記のような結果が得られた。

Ｖｏｃ＝０．６８　Ｖ。

Ｊｓｃ＝１．ＯｎＡ＃Ｊ、 ｆｆ＝０．２８ η’　＝ｏ、ｏ１ｚ％ 実施例４ 実施例１のアゾ顔料を下記のものにした以外は実施例１
と同様に試料を作製した。

５６０ｎｍの単色光をこの試料に入射しくＰｉｎ’　＝
１．６１　μｗ　／　ｃＪ　）、実施例１と同様に光電
変換特性を測定したところ下記のような結果が得られた
。

Ｖｏｃ＝０．７６　Ｖ、 Ｊｓｃ＝０，９１　ｎＡ／ａ＃。

ｆｆ＝０．２８ η’　＝０．０１２％ 実施例５ 実施例１のアゾ顔料を下記のものにした以外は実施例１
と同様に試料を作製した。

６４０ｎｍの単色光をこの試料のアルミニウム側に入射
しくＰｉｎ’　＝　１，４　ｐ　ｗ／ｃＪ）、実施例１
と同様に光電変換特性を測定したところ下記のような結
果が得られた。

Ｖｏｃ＝０．７８　Ｖ、 Ｊｓｃ　＝３．３　ｎＡ／ｃＪ、 ｆｆ＝０．３２ η’　＝０．０５５％ 効　　　果 以上、述べたように、本発明によれば、アゾ顔料を分散
した液を単に塗布することにより、光活性層を作製でき
るので安価で大面積の光電変換素子が達成できる。また
、可視光全般にわたり、高い変換効率を有する光電変換
素子が達成できる。さらにまた、太陽光スペクトルによ
く適合する光電変換素子を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第３図は本発明の光電変換素子の断面を示す概
略図である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、光活性層が一般式、 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ａはカップラー残基を示す〕で表わされるアゾ
   顔料を含むことを特徴とする光電変換素子。