JPS61252672A - 光電変換素子 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は有機光導電体を用いた光電変換素子(有機太陽
電池)に関するも′のであり、光センサ−、イメージセ
ンサ−等に応用される。
電池)に関するも′のであり、光センサ−、イメージセ
ンサ−等に応用される。
従来技術 ・−
無機半導体を用いた光電変換素子を作製する試みは多く
なされてきている。その目標はa)変換効率が高く、b
)安価な光電変換・素子である。
なされてきている。その目標はa)変換効率が高く、b
)安価な光電変換・素子である。
単結晶Si、多結晶Si、’CdS、CdTe、 Ga
As、アモルファスSi等の実用化が試みられているが
、これらは全てb)の目標を満足しているとは言い難い
。
As、アモルファスSi等の実用化が試みられているが
、これらは全てb)の目標を満足しているとは言い難い
。
この欠点を改善するため有機半導体を用いて光電変換素
子を作製する試みが近年なされている。使用された有機
光導電体としては以下の例がある。
子を作製する試みが近年なされている。使用された有機
光導電体としては以下の例がある。
(イ) スピナー塗布されたメロシアニン染料層(特開
昭51−122389、特開昭53−131782及び
ニー、ケー、ゴウシュ(A、に、Ghosh)著の「ジ
ャーナル、オブ、アプライド、フィジックス(J。
昭51−122389、特開昭53−131782及び
ニー、ケー、ゴウシュ(A、に、Ghosh)著の「ジ
ャーナル、オブ、アプライド、フィジックス(J。
Appl、 Phys、 )J’49.5982.19
7&)(ロ) フタロシアニン蒸着層またはオバレン等
の電子供与体層とピリ9・ラム系染料等の量子受容体層
を積層したもの(特開昭54−27787.特開昭60
−201672及び゛アール、−オー、ラウトフィ(R
,O,Loutfy)著の「ジャーナル、オブ、アプラ
イド、フィジックス(J 、’ Ap’pl’、 Ph
ys、 ’)J顕、5218.1981、及びエヌ、ミ
ナミ (N、 MinasIi)’XFの「ジャーナル
、オブ、アプライド、フィジックス(J 、 Appl
、 Phy’s、 )J■’6764.198:1)(
ハ) ピリリウム系染料とポリカーボネートから生成す
る共晶錯体層(特開昭54−27387)(ニ)無金属
フタロシアニンをバインダーに分散させた層(特開昭5
5−9497) (ホ) n型シリコンとp型ドープされたポリアセチレ
ン薄膜を積層したもの(特開昭55−130182゜特
開昭55−138879及びビー、アール、ワインバー
ガー(B、R,Weinnberger)著のアプライ
ド、フィジックス、レター(Appl、 Ph5ys、
Lett、)J並、555,1981) (へ)真空蒸着されたメロシアニン染料層(特開昭56
−35477) これらは、これらの有機半導体を溶媒中に溶解または分
散した溶液を基板上に塗布したり、あるいは低温度で真
空蒸着し、更にその上に別の導電層を設けることで安価
に大面積のものが得られるが、変換効率が低すぎ、実用
には供されない。
7&)(ロ) フタロシアニン蒸着層またはオバレン等
の電子供与体層とピリ9・ラム系染料等の量子受容体層
を積層したもの(特開昭54−27787.特開昭60
−201672及び゛アール、−オー、ラウトフィ(R
,O,Loutfy)著の「ジャーナル、オブ、アプラ
イド、フィジックス(J 、’ Ap’pl’、 Ph
ys、 ’)J顕、5218.1981、及びエヌ、ミ
ナミ (N、 MinasIi)’XFの「ジャーナル
、オブ、アプライド、フィジックス(J 、 Appl
、 Phy’s、 )J■’6764.198:1)(
ハ) ピリリウム系染料とポリカーボネートから生成す
る共晶錯体層(特開昭54−27387)(ニ)無金属
フタロシアニンをバインダーに分散させた層(特開昭5
5−9497) (ホ) n型シリコンとp型ドープされたポリアセチレ
ン薄膜を積層したもの(特開昭55−130182゜特
開昭55−138879及びビー、アール、ワインバー
ガー(B、R,Weinnberger)著のアプライ
ド、フィジックス、レター(Appl、 Ph5ys、
Lett、)J並、555,1981) (へ)真空蒸着されたメロシアニン染料層(特開昭56
−35477) これらは、これらの有機半導体を溶媒中に溶解または分
散した溶液を基板上に塗布したり、あるいは低温度で真
空蒸着し、更にその上に別の導電層を設けることで安価
に大面積のものが得られるが、変換効率が低すぎ、実用
には供されない。
且−一」在
本発明は以上のような従来の欠点を解決するためになさ
れたものであって、アゾ顔料を分散させた層を光電変換
層として用いた、安価で大面積が容易に作製でき、可撓
性も可能であって有機材料を用いたものとしては、高い
変換効率を有し、従来に比べて太陽光、室内光のスペク
トル分布にあった光電変換素子を提供することを目的と
する。
れたものであって、アゾ顔料を分散させた層を光電変換
層として用いた、安価で大面積が容易に作製でき、可撓
性も可能であって有機材料を用いたものとしては、高い
変換効率を有し、従来に比べて太陽光、室内光のスペク
トル分布にあった光電変換素子を提供することを目的と
する。
盈−一玖
本発明は前記目的を達成するために鋭意研究した結果。
光活性層が、一般式(I)。
A−N=N+CH=CH−@−CH=CH−@−N=N
−A (I)〔式中、Aはカップラー残基を示す〕で
表わされるアゾ顔料及び結着剤としてエチルセルロース
を含むことを特徴とする光電変換素子を提供することに
よって前記目的が達成できることを見出した。
−A (I)〔式中、Aはカップラー残基を示す〕で
表わされるアゾ顔料及び結着剤としてエチルセルロース
を含むことを特徴とする光電変換素子を提供することに
よって前記目的が達成できることを見出した。
本発明の光電変換素子は、アゾ顔料を含む光活性層(1
)が2つの電極(フロント電極、背面電極)にサンドイ
ツトされた構成から成る。
)が2つの電極(フロント電極、背面電極)にサンドイ
ツトされた構成から成る。
フロント電極側から光が入射するため、フロント電極は
光透過性となっている。
光透過性となっている。
フロント、背面電極とも単独で使用されてもよいし、支
持体あるいは保護層が設けられていてもよい。第1〜第
3図にはこれらの例が示されている。
持体あるいは保護層が設けられていてもよい。第1〜第
3図にはこれらの例が示されている。
フロント電極、背面電極からはリード線等により、外部
回路と接続され、実際の使用に供される。
回路と接続され、実際の使用に供される。
光活性層は単層である必要はなく、2層の例が第1〜第
3図の(b)図にそれぞれ示されている。
3図の(b)図にそれぞれ示されている。
この光活性層(n)は光活性層(1)と同様に光により
電荷を発生させる層でもよいし、光活性層(1)で発生
した電荷を効率よく移動させる層でもよい。第1 (b
)図の例では光活性層(1)はフロント電極側に描かれ
ているが光活性層(II)はフロント電極側にあっても
勿論良い、また、光活性層(I)は異なるアゾ顔料から
成る複層であってもよい。
電荷を発生させる層でもよいし、光活性層(1)で発生
した電荷を効率よく移動させる層でもよい。第1 (b
)図の例では光活性層(1)はフロント電極側に描かれ
ているが光活性層(II)はフロント電極側にあっても
勿論良い、また、光活性層(I)は異なるアゾ顔料から
成る複層であってもよい。
本発明は上記光活性層(I)にかかわるものである。
光活性層(I)は光照射で正孔と電子を発生させる層で
ある。このためには、層内に電界が存在することが必要
で、これはフロント電極と背面電極の間に外部から電圧
を印加するか、または光活性層(1)がフロントまたは
背面電極もしくは光活性層(II)と接合した時にお互
いのフェルミレベル(または仕事関数)の違いにより、
熱キャリヤが移動することで外部電圧なしでも達成され
る。
ある。このためには、層内に電界が存在することが必要
で、これはフロント電極と背面電極の間に外部から電圧
を印加するか、または光活性層(1)がフロントまたは
背面電極もしくは光活性層(II)と接合した時にお互
いのフェルミレベル(または仕事関数)の違いにより、
熱キャリヤが移動することで外部電圧なしでも達成され
る。
光活性層(1)は下記の一般式。
A−N=N−@−CH=CH−@−cH=cH−@−N
=N−A (I)で表されるアゾ顔料を主成分として
含み、結着剤としてエチルセルロースを用いて前記アゾ
顔料を前記結着剤中に分散させた層である。結着剤とし
てエチルセルロースを用いることによって変換効率が上
昇することが見出された。
=N−A (I)で表されるアゾ顔料を主成分として
含み、結着剤としてエチルセルロースを用いて前記アゾ
顔料を前記結着剤中に分散させた層である。結着剤とし
てエチルセルロースを用いることによって変換効率が上
昇することが見出された。
ここで光電変換素子とは、第1図のフロントおよび背面
電極間に外部電圧を印加しないで光照射した場合に起電
力または電流もしくはその両方を生じ、また外部電圧印
加の状態では大きな光電流がとり出せる素子のことであ
る。
電極間に外部電圧を印加しないで光照射した場合に起電
力または電流もしくはその両方を生じ、また外部電圧印
加の状態では大きな光電流がとり出せる素子のことであ
る。
該層は後述する様な添加剤を含んでいてもよい。
顔料/樹脂比は1071〜1/4(重量比)が適当で、
好ましくはlO/2〜1/2である。電荷は通常顔料を
通して移動すると考えられ、樹脂が多くなると発生した
電荷の移動が困難となってくる。添加剤は光活性層(1
)中で発生した電荷の移動効率を向上させるためや、光
による電荷の発生効率を向上させるために用いられる。
好ましくはlO/2〜1/2である。電荷は通常顔料を
通して移動すると考えられ、樹脂が多くなると発生した
電荷の移動が困難となってくる。添加剤は光活性層(1
)中で発生した電荷の移動効率を向上させるためや、光
による電荷の発生効率を向上させるために用いられる。
添加剤により光電流の増加がはかれるが、逆の結果とな
る場合も多く、顔料と添加剤は適切な組み合わせが必要
である。
る場合も多く、顔料と添加剤は適切な組み合わせが必要
である。
添加剤は量は顔料と樹脂の総重量に対し5〜50重量%
が適当である。
が適当である。
本発明で使用されるエチルセルロース樹脂はセルロース
の水酸基が部分的にエチル基により置換されたものであ
る。使用される溶媒の例としては、テトラヒドロフラン
、メチルエチルケトン、酢酸エチル、トルエン、ジオキ
ャン、エチレンジクロライド、シクロヘキサノン等が使
用できる。
の水酸基が部分的にエチル基により置換されたものであ
る。使用される溶媒の例としては、テトラヒドロフラン
、メチルエチルケトン、酢酸エチル、トルエン、ジオキ
ャン、エチレンジクロライド、シクロヘキサノン等が使
用できる。
光活性層の膜厚は0.01〜10μmで適当である。
最適膜厚は用いるアゾ顔料の種類や樹脂によっても異な
るが0.05〜3μmが好ましい、gいと光吸収量が小
さくなり、またフロント/背面電極間でピンホールの確
率が高くなる。厚くなると発生した正孔および電子の一
方が電極に到達するまでの距離が長くなり、途中で失活
する確率が高まり、効率が低下する。
るが0.05〜3μmが好ましい、gいと光吸収量が小
さくなり、またフロント/背面電極間でピンホールの確
率が高くなる。厚くなると発生した正孔および電子の一
方が電極に到達するまでの距離が長くなり、途中で失活
する確率が高まり、効率が低下する。
尚、木屑は上記顔料を必要ならば、樹脂添加剤とともに
前記の適当な溶媒中に混合し、ボールミル等の方法で顔
料を粉砕し、均一なスラリーを作製して、これらを背面
電極あるいは支持体上の背面電極あるいは支持体上のフ
ロント電極上に塗布して形成される。
前記の適当な溶媒中に混合し、ボールミル等の方法で顔
料を粉砕し、均一なスラリーを作製して、これらを背面
電極あるいは支持体上の背面電極あるいは支持体上のフ
ロント電極上に塗布して形成される。
この様にして形成された光活性層は、可視部に強い感光
域を有し、外部電圧なしの場合には、高い開放電圧(V
oc)と有機材料としては高い短絡電流(Jsc)をも
たらす。この場合の変換効率(η)は次式、 (Pin:入射光エネルギー、ff:フィルファクター
)で決定される。
域を有し、外部電圧なしの場合には、高い開放電圧(V
oc)と有機材料としては高い短絡電流(Jsc)をも
たらす。この場合の変換効率(η)は次式、 (Pin:入射光エネルギー、ff:フィルファクター
)で決定される。
この明確な理由は現在不明であるが、次のことが考えら
れる。その1つは1本発明の結着剤を用いると該顔料の
分散性が向上することである。ここで、分散性とは顔料
粒子の微粉化と分散粒子の液中での安定性を意味してい
る。従って、本発明の結着剤の使用で光活性層(I)中
で顔料粒子が微細化状態で集積され、そのため粒子間の
接触面積が増大していることが考えられる。もう1つは
、フタロシアニンで報告されている様な樹脂の分極性で
あるが、現在は明確ではない。またもちろん外部から電
圧を印加した場合にも、前述の大きな量子効率のため大
きな光電流がとり出せ、従って感度に優れた光電変換素
子として用いられる。
れる。その1つは1本発明の結着剤を用いると該顔料の
分散性が向上することである。ここで、分散性とは顔料
粒子の微粉化と分散粒子の液中での安定性を意味してい
る。従って、本発明の結着剤の使用で光活性層(I)中
で顔料粒子が微細化状態で集積され、そのため粒子間の
接触面積が増大していることが考えられる。もう1つは
、フタロシアニンで報告されている様な樹脂の分極性で
あるが、現在は明確ではない。またもちろん外部から電
圧を印加した場合にも、前述の大きな量子効率のため大
きな光電流がとり出せ、従って感度に優れた光電変換素
子として用いられる。
フロント電極層及びその支持体についてニアルミニウム
、鉛、亜鉛、タンタル、ニッケル、チタン、コバルト、
ニオブ、銅、ハステロイC1金、白金、銀、パラジウム
等の半透明の金属や、酸化スズ、工τ0等の金属酸化物
等がフロント電極として使用でき、支持体としては、ガ
ラス、透明プラスチックフィルムが用いられる。
、鉛、亜鉛、タンタル、ニッケル、チタン、コバルト、
ニオブ、銅、ハステロイC1金、白金、銀、パラジウム
等の半透明の金属や、酸化スズ、工τ0等の金属酸化物
等がフロント電極として使用でき、支持体としては、ガ
ラス、透明プラスチックフィルムが用いられる。
背面電極及びその支持体について:
はとんどの金属が背面電極として使用できる。
支持体としてはガラス、透明プラスチックフィルムが用
いられる。
いられる。
光活性層(n)について:
この層はa)アゾ顔料の感光波長の比較的低い領域を補
うために、他の電荷発生顔料を含むか、b)光活性層(
,1)との間で接合障壁を形成する層か、C)光活性層
(I)で発生した正孔と電子のどちらかを有効に移動さ
せる層である。
うために、他の電荷発生顔料を含むか、b)光活性層(
,1)との間で接合障壁を形成する層か、C)光活性層
(I)で発生した正孔と電子のどちらかを有効に移動さ
せる層である。
このうちa)の層は、フタ孔アニン系顔料、ペリレン系
顔料、芳香族多環キノン顔料、チオインジゴ顔料、キナ
クリドン顔料等の顔料を前記光活性層(1)と同様に塗
布して形成される。
顔料、芳香族多環キノン顔料、チオインジゴ顔料、キナ
クリドン顔料等の顔料を前記光活性層(1)と同様に塗
布して形成される。
b)の層は酸化亜鉛、酸化チタン、硫化カドミウム、セ
レン結晶、酸化鉛等の微粒子を結着剤樹脂に分散して形
成される。
レン結晶、酸化鉛等の微粒子を結着剤樹脂に分散して形
成される。
C)の層は前記光活性層(1)の添加剤が、正孔移動剤
としては、後述する電子供与体を、電子移動剤としては
、電子受容体を適当な樹脂に混合して形成される。
としては、後述する電子供与体を、電子移動剤としては
、電子受容体を適当な樹脂に混合して形成される。
本発明の光活性層(1,)の必須成分としてエチルセル
ロース結着剤と共に使用されるアゾ顔料は一般式(I)
、 A−N=N−@−CH=CH−@−CH=CH−o−N
=N−A (I)〔式中、Aはカップラー残基を示す
〕で表わされるものである。
ロース結着剤と共に使用されるアゾ顔料は一般式(I)
、 A−N=N−@−CH=CH−@−CH=CH−o−N
=N−A (I)〔式中、Aはカップラー残基を示す
〕で表わされるものである。
前記一般式で示されるアゾ顔料の製造に使用されるカッ
プラーとしては、たとえば、フェノール類、ナフトール
類などのフェノール性水酸基を有する化合物、アミノ基
を有する芳香族アミノ化合物、あるいはアミノ基とフェ
ノール性水酸基を有するアミノナフトール類、脂肪族も
しくは芳香族のエノール性ケトン基(活性メチレン基)
をもつ化合物などが用いられ、好ましくは、カップラー
残基Aが下記一般式(n)、(m)で表わされるもので
ある。
プラーとしては、たとえば、フェノール類、ナフトール
類などのフェノール性水酸基を有する化合物、アミノ基
を有する芳香族アミノ化合物、あるいはアミノ基とフェ
ノール性水酸基を有するアミノナフトール類、脂肪族も
しくは芳香族のエノール性ケトン基(活性メチレン基)
をもつ化合物などが用いられ、好ましくは、カップラー
残基Aが下記一般式(n)、(m)で表わされるもので
ある。
上記式(II)中、R1,Yl及びZはそれぞれ以下の
ものを表わす。
ものを表わす。
R1:水素、アルキル基またはその置換体を示す。
Y、:炭化水素環基またはその置換体、複素環基または
その置換体 に3 水素環基またはその置換体、複素環基またはその置換体
あるいはスチリル基またはその置換体、R3は水素、
アルキル基、フェニル基またはその置換体を表わすか、
あるいはR2及びR1はそれらに結合する炭素原子と共
に環を形成してもよい)を示す。
その置換体 に3 水素環基またはその置換体、複素環基またはその置換体
あるいはスチリル基またはその置換体、R3は水素、
アルキル基、フェニル基またはその置換体を表わすか、
あるいはR2及びR1はそれらに結合する炭素原子と共
に環を形成してもよい)を示す。
2:炭化水素環またはその置換体あるいは複素環または
その置換体を示す。
その置換体を示す。
■
Ar
上記式(III)中、Ar、R4及び又はそれぞれ以下
のものを表わす。
のものを表わす。
Ar:炭化水素環基またはその置換体を示す。
R4:アルキル基、カルバモイル基、カルボキシル基ま
たはそのエステルを示す。
たはそのエステルを示す。
X : −=0)1.−N−R,または−NISO□−
R7(Rs及びR,は水素または置換もしくは無置換の
アルキル基を表し、R7は置換もしくは無置換のアルキ
ル基または置換もしくは無置換のアリール基を表す)を
示す。
R7(Rs及びR,は水素または置換もしくは無置換の
アルキル基を表し、R7は置換もしくは無置換のアルキ
ル基または置換もしくは無置換のアリール基を表す)を
示す。
カップラー残基の具体例を構造式で示すと次の通りであ
る。
る。
(以下余白)
JiL −−血一
−胆−−血一
−胆−−血一
−血−−胆一
−凰−−臘一
−歯−−嵐一
」L JILJh−−−
一−−A Jia−&−−血一 −歯−−Δ 中 αM。
一−−A Jia−&−−血一 −歯−−Δ 中 αM。
本発明で使用される添加物としては、酸化亜鉛、酸化チ
タン、酸化鉛、アルミナ等の金属酸化物や次で示される
電荷供与物質や、電荷受容物質がある。
タン、酸化鉛、アルミナ等の金属酸化物や次で示される
電荷供与物質や、電荷受容物質がある。
電荷供与物質としては、たとえば9−エチルカルバゾー
ル−3−アルデヒド、1メチル−1−フェニルヒドラゾ
ン、9−エチルカルバゾール−3−アルデヒド1−ベン
ジル−1−フェニルヒドラゾン、4−ジエチルアミノス
チレン−β−アルデヒド1−メチル−1−フェニルヒド
ラゾン、1,1−ビス(4−ジベンジルアミノフェニル
)プロパン、トリス(4−ジエチルアミノフェニル)メ
タン、1,1−ビス(4−ジベンジルアミノフェニル)
プロパン、9−(4−ジエチルアミノスチリル)アント
ラセン、1゜2−ビス(4−ジエチルアミノスチリル)
ベンゼン、3−スチリル−9−エチルカルバゾール、4
−ジフェニルアミノスチルベン、4−ジベンジルアミノ
スチルベン、4−ジトリルアミノスチルベン、4′−ジ
フェニルアミノ−α−フェニルスチルベン、 4′−メ
チルフェニルアミノ−α−フェニルスチルベン、1−フ
ェニル−3−(4−ジエチルアミノスチリル)−5−(
4−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、1−フェニ
ル−3−(4−ジメチルアミノスチリル)−5−(4−
ジメチルアミノフェニル)ピラゾリンなどの低分子化合
物がある。また、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ハロ
ゲン化ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレ
ン、ポリビニルアントラセン、ピレンホルムアルデヒド
樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂などの
高分子化合物も使用できる。
ル−3−アルデヒド、1メチル−1−フェニルヒドラゾ
ン、9−エチルカルバゾール−3−アルデヒド1−ベン
ジル−1−フェニルヒドラゾン、4−ジエチルアミノス
チレン−β−アルデヒド1−メチル−1−フェニルヒド
ラゾン、1,1−ビス(4−ジベンジルアミノフェニル
)プロパン、トリス(4−ジエチルアミノフェニル)メ
タン、1,1−ビス(4−ジベンジルアミノフェニル)
プロパン、9−(4−ジエチルアミノスチリル)アント
ラセン、1゜2−ビス(4−ジエチルアミノスチリル)
ベンゼン、3−スチリル−9−エチルカルバゾール、4
−ジフェニルアミノスチルベン、4−ジベンジルアミノ
スチルベン、4−ジトリルアミノスチルベン、4′−ジ
フェニルアミノ−α−フェニルスチルベン、 4′−メ
チルフェニルアミノ−α−フェニルスチルベン、1−フ
ェニル−3−(4−ジエチルアミノスチリル)−5−(
4−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、1−フェニ
ル−3−(4−ジメチルアミノスチリル)−5−(4−
ジメチルアミノフェニル)ピラゾリンなどの低分子化合
物がある。また、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ハロ
ゲン化ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレ
ン、ポリビニルアントラセン、ピレンホルムアルデヒド
樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂などの
高分子化合物も使用できる。
電荷受容物質としては、たとえば、クロルアニル、ブロ
ムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノン
ジメタン、2,4.7−ドリニトロー9−フルオレノン
、2,4,5.7−テトラニトロ−9−フルオレノン、
2,4゜5.7−チトラニトロキサントン、2,4.8
−トリニドロチオキサントン、2,6.8−トリニトロ
−4H−インデノ(1,2−b)チオフェン−4−オン
、1,3.7−ドリニトロジベンゾチオフエンー5,5
−ジオキサイドなどがある。
ムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノン
ジメタン、2,4.7−ドリニトロー9−フルオレノン
、2,4,5.7−テトラニトロ−9−フルオレノン、
2,4゜5.7−チトラニトロキサントン、2,4.8
−トリニドロチオキサントン、2,6.8−トリニトロ
−4H−インデノ(1,2−b)チオフェン−4−オン
、1,3.7−ドリニトロジベンゾチオフエンー5,5
−ジオキサイドなどがある。
次に本発明の光電変換効率の構造例を第1〜3図に示し
た概略図で説明する。b図はa図で示した光活性層を補
足するために第2の光活性層を追加した例を示す。
た概略図で説明する。b図はa図で示した光活性層を補
足するために第2の光活性層を追加した例を示す。
図中、1は透光性フロント電極、2は光活性層(1)、
3は光活性層(I[)、4は背面電極、5はフロント電
極支持体、6は背面電極支持体を示す。なお、これらの
構造は用途に応じているいろと応用変化させることがで
きることを理解すべきである。
3は光活性層(I[)、4は背面電極、5はフロント電
極支持体、6は背面電極支持体を示す。なお、これらの
構造は用途に応じているいろと応用変化させることがで
きることを理解すべきである。
本発明をさらに具体的に説明するために以下に実施例を
示すが、本発明はこれに限定されるものではない。
示すが、本発明はこれに限定されるものではない。
実施例1
下記の構造のアゾ顔料0.8gとエチルセルロース(東
京化成製55CPS)の5%テトラヒドロフラン溶液8
gとを3日間ボールミリングした後にテトラヒドロフラ
ンで更に希釈し、5重量%の塗布液を作製した。
京化成製55CPS)の5%テトラヒドロフラン溶液8
gとを3日間ボールミリングした後にテトラヒドロフラ
ンで更に希釈し、5重量%の塗布液を作製した。
この塗布液にインジウムをドープした酸化スズ膜(以下
1丁Oと称する)を設けたガラス基板を浸漬し、 5
mm/秒の速度で基板を引き上げ、ITO基板上に顔料
分散膜を設けた。この層の膜厚は0.21μmであった
。
1丁Oと称する)を設けたガラス基板を浸漬し、 5
mm/秒の速度で基板を引き上げ、ITO基板上に顔料
分散膜を設けた。この層の膜厚は0.21μmであった
。
この上に、560 nmにおける透過率が約8%になる
ように半透明のアルミニウムを真空蒸着した後、ITO
とアルミニウムに銀ペーストにて銅の細線を接続した。
ように半透明のアルミニウムを真空蒸着した後、ITO
とアルミニウムに銀ペーストにて銅の細線を接続した。
この試料に対し、アルミニウム電極側から560nmの
単色光を照射(顔料分散膜に到達した光量Pin’を1
.6μvldに設定)しながら、両電極に6mV/秒で
掃引されるランプ波を印加して電流−電圧特性を測定し
た。
単色光を照射(顔料分散膜に到達した光量Pin’を1
.6μvldに設定)しながら、両電極に6mV/秒で
掃引されるランプ波を印加して電流−電圧特性を測定し
た。
その結果、
Voc=0.48 V。
Jsc=32 nA/cd、
ff=0.26
であった。
電極の透過率を補正した560 nmにおけるこの素子
の光電変換効率(η′)は0.25%であった。
の光電変換効率(η′)は0.25%であった。
実施例2
塗布液の濃度を6重量%に変え、基板引き上げ速度を5
mIII/秒として顔料分散膜の膜厚を0.38μmと
した以外は実施例1と同様に試料を作製し、光電変換効
率を測定した。
mIII/秒として顔料分散膜の膜厚を0.38μmと
した以外は実施例1と同様に試料を作製し、光電変換効
率を測定した。
その結果、下記のような結果が得られた。
Voc==0.82 v。
Jsc=106 nA/a#。
ff=0.22
η’=1.2%
実施例3
塗布液の濃度を6重量%に変え、基板引き上げ速度を1
0 aha/秒として顔料分散膜の膜厚を0.50μm
とした以外は実施例1と同様に試料を作製し、光電変換
効率を測定した。
0 aha/秒として顔料分散膜の膜厚を0.50μm
とした以外は実施例1と同様に試料を作製し、光電変換
効率を測定した。
その結果、下記のような結果が得られた。
Voc=0.79 V。
Jsc=53 nA/af、
ff=0.24
η’=0.63%
実施例4
実施例2のアゾ顔料を下記のものにした以外は実施例2
と同様に試料を作製した。
と同様に試料を作製した。
640nmの単色光をこの試料に入射しくPin’ =
1.4gw/ad)、実施例1と同様に光電変換特性を
測定したところ下記のような結果が得られた。
1.4gw/ad)、実施例1と同様に光電変換特性を
測定したところ下記のような結果が得られた。
Voc =0.78 V。
J sc= 16.7 nA/cxl、ff=0.29
η’=0.27%
尚1本分散膜の膜厚は0.45μmであった。
実施例5
実施例2のアゾ顔料を下記のものにした以外は実施例2
と同様に試料を作製した。
と同様に試料を作製した。
640nmの単色光をこの試料に入射しくPin’ =
1.4μw/cd)、実施例1と同様に光電変換特性を
測定したところ下記のような結果が得られた。
1.4μw/cd)、実施例1と同様に光電変換特性を
測定したところ下記のような結果が得られた。
Voc=0.65 V、
Jsc =3.8 nA/a1、
ff=0.31
η’ =0.054%
尚、本顔料分散膜の膜厚は0.61μ園であった。
比較例 1−3
実施例1のアゾ顔料を用い、結着剤としてポリカーボネ
ート(帝人化成社Pan1ite K−1300)、溶
媒としてテトラヒドロフランを用い、実施例1と同様な
方法で5重量%と7重量での塗布液を作成した。この塗
布液から実施例1の゛方法で厚さ0.31 μm、0.
43 μm及び0.60 μmの3種の試料を作成して
光電変換特性を測定したところ下記のような結果が得ら
れた。
ート(帝人化成社Pan1ite K−1300)、溶
媒としてテトラヒドロフランを用い、実施例1と同様な
方法で5重量%と7重量での塗布液を作成した。この塗
布液から実施例1の゛方法で厚さ0.31 μm、0.
43 μm及び0.60 μmの3種の試料を作成して
光電変換特性を測定したところ下記のような結果が得ら
れた。
顔料分散膜: 0.31 μm
Voc=0.58 V、
Jsc=22 nA/a(、
ff=0.25
η’=0.20%
顔料分散膜: 0.43μ鳳
Voc=0.61 V。
Jsc=10 nA/al、
ff=0.25
η’=0.10%
顔料分散膜: 0.60μm
Voc=0.60 V。
Jsc=3.2 nA/a#、
ff = 0.25
η’=0.03ぶ
比較例 4
実施例4のアゾ顔料を用いた以外は比較例2と同様に膜
厚が0.58μIの顔料分散膜の試料を作成して光電変
換効率を測定したところ以下の結果が得られた。
厚が0.58μIの顔料分散膜の試料を作成して光電変
換効率を測定したところ以下の結果が得られた。
Voc=0.60 V。
Jsc=1.8 nA/ai、
ff=0.31
η’ =0.024 %
比較例 5
実施例5のアゾ顔料を用いた以外は比較例2と同様に膜
厚が0.63μmの顔料分散膜の試料を作成して光電変
換効率を測定したところ以下の結果が得られた。
厚が0.63μmの顔料分散膜の試料を作成して光電変
換効率を測定したところ以下の結果が得られた。
Voc=0.58 V。
Jsc=0.54 nA/aJ、
ff=0.33
η’ = 0.0074%
劾−−−希
以上、述べたように、本発明によれば、アゾ顔料を分散
した液を単に塗布することにより、光活性層を作製でき
るので安価で大面積の光電変換素子が達成できる。また
、可視光全般にわたり、高い変換効率を有する光電変換
素子が達成できる。さらにまた、太陽光スペクトルによ
く適合する光電変換素子を提供することができる。
した液を単に塗布することにより、光活性層を作製でき
るので安価で大面積の光電変換素子が達成できる。また
、可視光全般にわたり、高い変換効率を有する光電変換
素子が達成できる。さらにまた、太陽光スペクトルによ
く適合する光電変換素子を提供することができる。
第1図〜第3図は本発明の光電変換素子の断面を示す概
略図である。 1・・・透光性フロント電極 2・・・光活性層(I)
3・・・光活性層(■) 4・・・背面電極5・
・・フロント電極支持体 6・・・背面電極支持体市1 (d) (d) (b) 図 (b) 図 (b)
略図である。 1・・・透光性フロント電極 2・・・光活性層(I)
3・・・光活性層(■) 4・・・背面電極5・
・・フロント電極支持体 6・・・背面電極支持体市1 (d) (d) (b) 図 (b) 図 (b)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、光活性層が、一般式( I )、 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) 〔式中、Aはカップラー残基を示す〕で表わされるアゾ
顔料及び結着剤としてエチルセルロースを含むことを特
徴とする光電変換素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61081474A JPS61252672A (ja) | 1986-04-08 | 1986-04-08 | 光電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61081474A JPS61252672A (ja) | 1986-04-08 | 1986-04-08 | 光電変換素子 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60007207 Division | 1985-01-18 | 1985-01-18 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61252672A true JPS61252672A (ja) | 1986-11-10 |
Family
ID=13747399
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61081474A Pending JPS61252672A (ja) | 1986-04-08 | 1986-04-08 | 光電変換素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61252672A (ja) |
-
1986
- 1986-04-08 JP JP61081474A patent/JPS61252672A/ja active Pending
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