TWI330058B - - Google Patents

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TWI330058B
TWI330058B TW95142602A TW95142602A TWI330058B TW I330058 B TWI330058 B TW I330058B TW 95142602 A TW95142602 A TW 95142602A TW 95142602 A TW95142602 A TW 95142602A TW I330058 B TWI330058 B TW I330058B
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Taiwan
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group
layer
resin
wiring board
printed wiring
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TW95142602A
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Inventor
Kenji Takai
Norio Moriike
Kenichi Kamiyama
Takako Watanabe
Shin Takanezawa
Koji Morita
Katsuyuki Masuda
Kiyoshi Hasegawa
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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Description

1330058 Ο) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 * 本發明爲關於附黏著補助劑之金屬箔,印刷配線板及 印刷配線板之製造方法。更且,本發明爲關於多層配線板 '半導體晶片搭製基板及半導體包裝基板》 【先前技術】 » φ 近年,電子機器的小型化、輕量化、高速化的要求提 高,發展印刷配線板的高密度化,近年,注目根據使用電 鍍之半加成法製造印刷配線板的方法。 於日本專利公報特開平10-4254 (申請日1996年6月 14日)中,揭示於欲形成電路之樹脂表面以雷射等形成 做爲IVH的孔穴後,經由化學粗化和電漿處理等在樹脂上 形成數μιη的凹凸,並賦予Pd觸媒,進行1 μηι左右之化 • 學(chemical plating)鑛層,形成圖案電鍍光阻,且經由 φ 圖案電鍍進行電路形成後除去光阻及電路以外之部分所存 在的給電層的半加成法。若根據此方法,則比側蝕刻大的 減去法,更可形成更微細的配線。更且,於日本專利公報 特開2003-158364 (申請日2001年11月22日)中,揭示 於支撑金屬箔上形成5 μπι以下厚度之金屬箔之可削片 (chipping)型的金屬箔。若根據此方法,則可減薄金屬箔 的厚度。此方法中,由於在絕緣樹脂層之表面不必要施以 化學鍍層,故可製作信賴性更高的印刷配線板。 但是,若根據此等方法,則粗化形狀不僅妨礙微細配 (2) 1330058 線的形成,且經由粗化形狀而發生電氣特性降低之不適。 又,於日本專利公報特開平7-221444 (申請日1994 ' 年1月3]日)中,揭示於聚醯亞胺薄膜之單面使用電子 束沈積裝置形成1 μπι左右的銅層,並透過黏著劑和預浸 漬物於內層電路上疊層,作成給電層的方法。更且,於日 . 本專利公報特開平6-3 02965號(申請日1 993年4月16 曰)中,揭示於介電體上以濺鍍等形成給電層的方法。如 φ 此等方法以所謂沈積和濺鍍之乾式步驟形成給電層下,則 可令粗化形狀比先前法格外變小。 但是,若如此等方法於樹脂上予以平滑,則難於其上 形成樹脂層。即,難於核心基板上形成組裝層,且難於基 板上形成防焊層。特別若絕緣層表面粗度爲RZ = 2.0 μιη以 下’則難經由絕緣層於其上形成樹脂層。即使可疊層,基 板之耐吸濕性、耐熱性多變差。特別近年爲於絕緣層上多 - 使用不具有官能基的低介電樹脂,且此傾向顯著。 H 以往,於微細配線形成和電氣特性、製造費用上有利 ’且信賴性高,高周波特性良好之配線板並無。 【發明內容】 發明之揭示 本發明之實施態樣爲關於下述。 (1) 一種附黏著補助劑之金屬箔,其特徵爲於金屬 上具有以環氧樹脂做爲必須成分的黏著補助劑層,且黏著 補助劑層之厚度爲0.1~10 μπι。 -6- (3) 1330058 (2) 如(1)之附黏著補助劑之金屬箔,其 '氧樹脂做爲必須成分之樹脂爲包含 (A)環氧樹 - 橡膠粒子、(C)環氧樹脂硬化劑》 (3) 如(2)之附黏著補助劑之金屬箔,其 成分爲包含酚醛清漆型環氧樹脂所成、或酚醛清 • 樹脂。 (4 )如(3 )之附黏著補助劑之金屬箔,其 φ 成分爲具有聯苯構造。 (5)如(2)〜(4)中任一項之附黏著補助 箔,其中該(B)成分爲交聯橡膠粒子。 (6)如 (2)〜(5)中任一項之附黏著補助 箔’其中該 (B)成分爲由丙烯腈丁二烯橡膠粒 改質丙烯腈丁二烯橡膠粒子、丁二烯橡膠丙烯酸 殼 (core-shell)粒子中選出至少一種所構成。 - (7)如(2) ~ (6)中任一項之附黏著補助 # 箔,其中相對於該(A)成分之100重量份,該 分爲0.5〜20 重量份。 (8) 如(2) ~ (7)中任一項之附黏著補助 箱’其中該(C)成分爲酣醛清漆型苯酚樹脂。 (9) 如(2) ~ (8)中任一項之附黏著補助 箔’其中該(C)成分爲含有三畊環之甲酚酚醛 酚樹脂。 (10) 如(1)〜(9)中任一項之附黏著補助 箱’其中該金屬箔之表面的十點平均粗度爲RZ = 2 中該以環 脂、(B) 中該(A) 漆型環氧 中該(A) 劑之金屬 劑之金屬 子、羧酸 樹脂之核 劑之金屬 (B)成 劑之金屬 劑之金屬 清漆型苯 劑之金屬 .0 μιη 以 (4) 1330058 下。 (11) 如(1)〜(10)中任一項之附黏著補助 屬箱’其中於該金屬箔之表面未施以促進黏著力爲 粗化處理。 (12) 如U)〜(11)中任一項之附黏著補助 屬箔,其中該金屬箔爲經由鋅、鉻、鎳中選出之至 所防銹處理的銅箔。 (13) 如(1)〜(12)中任一項之附黏著補助 屬箔’其中於該金屬箔之表面經由矽烷偶合劑施以 合劑處理。 (14) 如(13)之附黏著補助劑之金屬箔,其 烷偶合劑爲具有環氧基或胺基。 (15) 如 (1)〜(14)中任一項之附黏著補助 屬箔,其中該金屬箔之厚度爲5 μιη以下,具有可 載體。 (16) —種印刷配線板,其特徵爲使用如(1) 中任一項之附黏著補助劑之金屬箔予以製作的印刷 ,透過該附黏著補助劑之金屬箔的黏著補助劑層所 絕緣層、與該附黏著補助劑之金屬箔的金屬箔所 1mm寬的導體電路之以20 °C下之削片且強度爲〇 以上。 (17) 如(16)之印刷配線板’其中以150 24〇小時後之該絕緣層與該導體電路之於20 °C中 度爲0.4kN/m以上。 劑之金 目的之 劑之金 少一種 劑之金 矽烷偶 中該矽 劑之金 削片的 〜(15) 配線板 配置之 形成之 .6kN/m °C加熱 削片強 (5) 1330058 (18) —種印刷配線板之製造方法,其特徵爲具有以 * 黏著補助劑層爲絕緣層側般,於絕緣層上配置如(1 5)之 * 附黏著補助劑之金屬箔,且形成層間接續用之孔穴後,進 行無電鍍鑛銅,形成光阻層,且經由圖案電鍍進行電路形 成,並將光阻層及多餘處之給電層予以蝕刻除去之步驟。 (1 9)如(1 8 )之印刷配線板之製造方法,其爲於配 線之最外層進行化學鍍金。 « φ (20) —種印刷配線板,其特徵爲具有複數層的多層 "印刷配線板,於絕緣層與絕緣層之間具有附黏著補助劑。 (21) —種印刷配線板,其特徵爲於最外層具有防焊 層的印刷配線板,於絕緣層與防焊層之間具有黏著層補助 劑。 (22) 如(20)或(21)之印刷配線板,其中該黏著 補助劑層之厚度爲0.1〜10 μπι之範圍。 . (23)如(20)〜(22)中任一項之印刷配線板,其中 0 該黏著補助劑層爲以環氧樹脂做爲必須成分。 (24) 如(23)之印刷配線板,其中該以環氧樹脂做 爲必須成分之樹脂爲包含(Α)環氧樹脂、(Β)橡膠粒 子、(C)環氧樹脂硬化劑。 (25) 如(24)之印刷配線板,其中該(Α)成分爲 包含酚醛清漆型環氧樹脂所構成、或酚醛清漆型環氧樹脂 〇 (26)如 (24)或 (25)之印刷配線板,其中該 (Α)成分爲具有聯苯構造^ (6) 1330058 (27)如(24) ~ (26)中任一項之印刷配線板’其中 * 該(B)成分爲交聯橡膠粒子。 * (28)如(24) ~ (27)中任一項之印刷配線板’其中 該(B)成分爲由丙烯腈丁二烯橡膠粒子、殘酸改質丙稀 腈丁二烯橡膠粒子、丁二烯橡膠-丙烯酸樹脂之核殼粒子 _ 中選出至少一種所構成。 (29)如(24)〜(28)中任一項之印刷配線板’其中 « φ 相對於該 (A)成分之100重量份’該 (B)成分爲 0.5 ~ 2 0重量份。 (3 0 )如(2 4 ) ~ ( 2 9 )中任一項之印刷配線板,其中 該 (C)成分爲酚醛清漆型苯酚樹脂。 (3 1 )如(2 4 )〜(3 0)中任一項之印刷配線板,其中 該(C)成分爲含有三畊環之甲酚酚醛清漆型苯酚樹脂。 (3 2)如(2 0) ~ (3 0)中任一項之印刷配線板,其中 * 該黏著補助劑層爲以聚醯胺醯亞胺樹脂做爲必須成分。 φ (33)如(32)之印刷配線板,其中該聚醯胺醯亞胺 樹脂爲使用具有飽和烴類所構成之單位成分的聚醯胺醯亞 胺。 (3 4 )如 (3 2 )或 (3 3 )之印刷配線板,其爲包含與 該聚醯胺醯亞胺反應交聯的硬化成分。 若根據本發明之一態樣,則可提供於微細配線形成和 電氣特性、製造費用上有利,且信賴性高,高周波特性良 好的配線板。 又,若根據本發明之一態樣,則可提供提高樹脂-樹 -10- (7) 1330058 脂間之黏著性,且耐吸濕、耐熱性優良的印刷配線板。 * 更且,若根據本發明之一態樣,則可提供提高樹脂- - 金屬間之黏著性,且耐吸濕、耐熱性優良的印刷配線板。 【實施方式】 實施發明之最佳形態 以下,參照圖1詳細說明本發明的實施形態。 φ 首先,製作由二層所構成的核心基板。核心基板之製 造方法於本發明中並無特別限定。本發明所述之核心基板 爲形成製作基板用之做爲中間體配線的基板。下列所述者 爲於核心基板形成微細配線之方法的一例。核心基板爲由 絕緣層和金屬層所構成。於製作時,於如圖1 (a)所示之 預浸漬物1的兩側作成具有金屬箔2之層合板的方法爲廉 價故爲佳。 * 預浸漬物爲令基板含浸或塗佈樹脂組成物所作成。基 9 材可使用各種電性絕緣材料用層合板所用之熟知基材》 基材之材質並非限定於以下之例,可列舉E玻璃、D 玻璃、S玻璃或Q玻璃等之無機物纖維、聚醯亞胺、聚酯 或四氟乙烯等之有機纖維、及彼等之混合物等。此些基材 並非限定於以下之例,例如,具有織布、非織布、粗紗、 切碎紗墊、表面平整墊等之形狀。基材之材質及形狀爲根 據目的成形物之用途和性能而選擇。視需要可使用單獨或 二種以上之材質及形狀。基材之厚度並無特別限制,通常 使用〇.〇3〜0.5mm左右者。基材表面以矽烷偶合劑等予以 -11 - (8) 1330058 表面處理者和施以機械性開纖處理者由耐熱性和耐濕性、 加工性方面而言爲適當。 '樹脂組成物可使用被用以做爲印刷配線板之絕緣材料 之公知慣例的樹脂組成物。通常,將耐熱性、耐藥品性良 好之熱硬化性樹脂使用做爲基質。熱硬化性樹脂可例示苯 . 酚樹脂、環氧樹脂、氰酸酯樹脂、馬來醯亞胺樹脂、異氰 酸酯樹脂、苯並環丁烯樹脂、乙烯基樹脂等,但不應限定 φ 於此。熱硬化性樹脂可單獨使用一種,且亦可混合使用二 種以上。 熱硬化性樹脂中,環氧樹脂由於耐熱性、耐藥品性、 電氣特優良,且較廉價,故廣被使用做爲絕緣樹脂並且特 別重要。環氧樹脂並非限定於以下之例,可例示雙酚A型 環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂等之雙 酚型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆 * 型環氧樹脂、雙酚A型酚醛清漆型環氧樹脂等之酚醛清漆 φ 型環氧樹脂 '脂環式環氧樹脂、脂肪族鏈狀環氧樹脂、雙 酚之二縮水甘油醚化物、萘二醇之二縮小甘油醚化物、苯 酚類之二縮水甘油醚化物、醇類之二縮小甘油醚化物、及 彼等之烷基取代體、鹵化物、氫化物等。環氧樹脂可單獨 使用一種,且亦可混合使用二種以上。又,與此環氧樹脂 共同使用之硬化劑若爲令環氧樹脂硬化,則無限定可使用 。硬化劑並非限定於以下之例,例如,多官能苯酚類、多 官能醇類、胺類 '咪唑化合物、酸酐、有機磷化合物及其 幽化物等。此些環氧樹脂硬化劑可單獨使用一種,且亦可 -12- (9) 1330058 混合使用二種以上。 氰酸酯樹脂爲經由令氰酸酯化合物加熱所得的熱硬化 •性樹脂,以三畊環做爲重複單位的樹脂。氰酸酯樹脂爲介 電特性優良,故特別多使用於要求高周波特性的情況等。 氰酸酯化合物並非限定於以下之例,可列舉2,2-雙 (4-. 氰醯苯基)丙烷、雙(4-氰醯苯基)乙烷、2,2·雙 (3, 5-二甲基-4-氰醯苯基)甲烷、2,2-雙 (4-氰醯苯基)q, • 1’1’3,3,3-六氟丙烷、^,6«'-雙 (4-氰醯苯基)-間_ 二異丙苯、苯酚酚醛清及烷基苯酚酚醛清漆之氰酸酯酯化 合物等。其中,以2,2-雙 (4-氰醯苯基)丙烷爲硬化物 之介電特性和硬化性之平衡爲特別良好,且費用上亦爲廉 價故爲佳,又,氰酸酯酯化合物可單獨使用一種,且亦可 混合使用二種以上。又,此處所用之氰酸酯酯化合物亦可 預先將一部分以三聚體和五聚體予以低聚物化。更且,對 - 於氰酸酯酯化合物加入硬化觸媒和硬化促進劑令其硬化亦 φ 可。硬化觸媒並非限定於以下之例,可列舉錳、鐵、鈷、 鎳、銅、鋅等之金屬類。硬化觸媒具體而言可列舉 2-乙 基己酸鹽、環烷酸鹽、辛酸鹽等之有機金屬鹽及乙醯丙酮 錯合物等之有機金屬錯合物。其可單獨使用,且亦可混合 使用二種以上。硬化促進劑可使用公知物質,但以使用苯 酚類爲佳。苯酚類並非限定於以下之例,可列舉壬基苯酚 、對枯基苯酚等之單官能苯酚、和雙酚A、雙酚F、雙酚 S等之二官能苯酚或苯酚酚醛清漆、甲酚酚醛清漆等之多 官能苯酚等。其可單獨使用,且亦可混合使用二種以上。 -13- (10) 1330058 於樹脂組成物中,考慮介電特性。耐衝擊性、薄膜加 "工性等,亦可摻混熱塑性樹脂。熱塑性樹脂可例示氟樹脂 '、聚伸苯基醚、改質聚伸苯基醚、聚硫苯、聚碳酸酯、聚 醚醯亞胺、聚醚醚酮、多芳基化合物、聚醯胺、聚醯胺醯 亞胺、聚丁二烯等,但不應限定於此。熱塑性樹脂可單獨 _ 使用一種,且亦可混合使用二種以上。 熱塑性樹脂中,若配合聚伸苯基醚及改質聚伸苯基醚 φ ,則提高硬化物之介電特性故爲有用。聚伸苯基醚及改質 聚伸苯基醚並非限定於以下之例,可列舉例如,聚 (2, 6 -二甲基-1,4 -伸苯基)醚、聚 (2,6 -二甲基-1,4 -伸苯 基)醚與聚苯乙烯的合金化聚合物、聚 (2,6·二甲基-1 ,4-伸苯基)醚與苯乙烯-丁二烯共聚物之合金化聚合物 、聚 (2,6-二甲基-1,4-伸苯基)醚與苯乙烯-順丁烯二 酸酐共聚物之合金化聚合物、聚(2,6 -二甲基-1,4 -伸苯 • 基)醚與聚醯胺之合金化聚合物、聚(2,6 -二甲基-1,4- • 伸苯基)醚與苯乙烯-丁二烯-丙烯腈共聚物之合金化聚合 物等《又,爲了對聚伸苯基醚賦予反應性、聚合性,亦可 於聚合物鏈終端導入胺基、環氧基、羧基、苯乙烯基、甲 基丙烯基等之官能基,並且於聚合物鏈側鏈導入胺基、環 氧基、羧基、苯乙烯基、甲基丙烯基等之官能基。 熱塑性樹脂中,以聚醯胺醯亞胺樹脂爲耐熱性、耐濕 性優良加上對於金屬之黏著性爲良好故爲有用。於聚醯胺 醯亞胺之原料中,具有酸性成分和胺成分。酸成分並非限 定於以下之例,可列舉偏苯三酸酐、偏苯三酸酐-氯化物 -14- (11) 1330058 。胺成分可例示間苯二胺、對苯二胺、4, 醚、4,4’-二胺基二苯基甲烷、雙[4-(胺 • 硯、2’ 2'-雙[4- (4-胺苯氧基)苯基]丙 限定於此。爲了提高乾燥性亦可將聚醯胺醯 烷改質。此時,於胺成分使用矽氧烷二胺。 . 工性,則聚醯胺醯亞胺之分子量以5萬以上 於樹脂組成物中,亦可混合無機充塡劑 φ 並非限定於以下之例,可列舉氧化鋁、氫氧 鎂、黏土、滑石、三氧化銻、五氧化銻、氧 石、玻璃粉、石英粉、Sirus Balloon 等β 劑可單獨使用,且亦可混合使用二種以上。 樹脂組成物亦可含有有機溶劑。有機溶 以下之例,可列舉苯、甲苯、二甲苯、三甲 族烴系溶劑;丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁
• 溶劑;四氫呋喃般之醚系溶劑;異丙醇、丁 劑;2 -甲氧基乙醇、2 -丁氧基乙醇般之醚醇3 咄咯烷酮、Ν,Ν -二甲基甲醯胺、Ν,Ν -二 之醯胺系溶劑等。其可單獨使用,且亦可倂 製作預浸漬物時之清漆中的溶劑量以40〜8 0 爲佳。又,清漆之黏度以20〜100cP (25 °C ο 樹脂組成物亦可含有難燃劑。難燃劑可 的難燃劑。難燃劑並非限定於以下之例,可 溴二苯醚、四溴雙酚A、四溴苯二酸酐、三 4’-二胺基二苯 苯氧基)苯基] 烷等,但不應 亞胺予以矽氧 若考慮薄膜加 爲佳。 。無機充塡劑 化鋁、氫氧化 化鋅、熔融矽 此些無機充塡 劑並非限定於 基苯般之芳香 基酮般之酮系 醇般之醇系溶 ^溶劑;N -甲基 甲基乙醯胺般 用二種以上。 重量%之範圍 )之範圍爲佳 使用公知慣例 列舉例如,十 溴苯酚等之溴 -15- (12) 1330058 化合物、磷酸三苯酯、磷酸三甲苯酯' 磷酸三(二甲苯) 醋、碟酸甲苯基二苯醋等之磷化合物、氣氧化鎂、氫氧化 • 鋁等之金屬氫氧化物、紅磷及其改質物、三氧化銻、五氧 化錄等之錬化合物、蜜胺、氰脲酸、氰脲酸蜜胺等之三哄 化合物等。 對於樹脂組成物’再視需要可加入硬化劑、硬化促進 劑、熱塑性粒子、著色劑、紫外線不穿透劑、抗氧化劑、 φ 還原劑等之各種添加劑和充塡劑並調合。 通常’樹脂組成物對於基材的附著量,爲以乾燥後之 預浸漬物之樹脂含有率爲20〜90重量%般對基材含浸或塗 佈後,通常以1〇〇〜200 °C之溫度加熱乾燥1〜30分鐘,取 得半硬化狀態(B階段狀態)的預浸漬物。將此預浸漬物 通常重疊1〜20枚,並於其兩面以配置金屬箔之構成下予 以加熱加壓。成形可應用通常的層合板手法,例如可使用 - 多段加壓、多段真空加壓、連續成形、壓熱成形機等。成 φ 形條件通常爲以溫度1〇〇~25 0 °C、壓力2~100kg/cm2、加 熱時間0· 1〜5小時之範圍。以此以外之條件亦可,使用真 空層合裝置等在層合條件50〜150 °C、〇.l~5MPa之條件 且於減壓下或大氣壓之條件下進行亦可。做爲絕緣層之預 浸漬層厚度爲根據用途而異,但可爲0.1〜5.0mm之厚度。 本發明所用之金屬箔的表面粗度爲以JIS B 0601所示 之十點平均粗度 (Rz)爲兩面均爲2.0 μπι以下,就電氣 特性上爲佳。金屬箔可使用銅箔、鎳箔、鋁箔等,但通常 使用銅箔。銅箔之製造條件,於硫酸銅浴之情況,以硫酸 -16- (13) 1330058 50~1 00g/L ' 銅 30 〜lOOg/L、液溫 20 °C ~80 °C、電流密度 0.5~100A/dm2爲較佳使用。於焦磷銅浴之情況,一般以焦 •磷酸鉀 100〜700g/L、銅 10~50g/L、液溫 50 °C~60 °C、 pH8〜12、電流密度1〜10 A/dm2之條件爲較佳使用。有時 亦考慮銅之物性和平滑性而加入各種添加劑。銅箔通常爲 , 以磨擦處理進行粗面化處理,但於本發明之中並未進行實 質的粗化處理。因此,銅箔之凹凸少。若銅箔之凹凸少, φ 則具有在蝕刻時於樹脂上無電路之部分不會殘留銅箔殘餘 物之優點。 爲了形成微細配線,較佳使用厚度爲5 μπι以下、更 佳爲3.0 μηι以下、且表面粗度Rz爲兩面均爲2.0 μηι以 下之可剝型的金屬箔爲佳。此處,所謂可剝型的金屬箔爲 具有載體的金屬箔,可將載體削片的金屬箔。例如,可剝 型之極薄銅箔之情況,於厚度10〜5 0 μηι之載體箔上形成 - 做爲剝離層的金屬氧化物或有機物層。於其上若爲硫酸銅 φ 浴則以硫酸50~100g/L、銅30〜100g/L、液溫20°C〜80 °C 、電流密度0.5〜100 A/dm2之條件,若爲焦磷酸銅浴則以 焦磷酸鉀100〜700g/L、銅10〜50g/L、液溫30 °C〜60 °C 、pH 8〜12、電流密度 1~1〇 A/dm2之條件形成厚度 0.3〜3.0 μηι的金屬箔,並且製造。將此類箔使用於給電層 時,如後述般配線形成性良好。還有,亦可使用具有鋁載 體和鎳載體之可蝕刻型的替代銅箔可剝型。 於金屬箔之樹脂黏著面所進行的防銹處理,可使用鎳 、錫'鋅、鉻'鉬、鈷之任一者'或彼等之合金進行,但 -17- (14) 1330058 以鎳、鋅及鉻所選出之至少—種予以進行爲佳。防銹處理 爲經由濺鍍和電鍍、化學鍍層於金屬箔上形成薄膜則可進 * 行。由費用方面以電鍍爲佳。具體而言於鍍層上使用含有 鎳、錫 '鋅、鉻、鉬、鈷中之一種以上金屬鹽的鍍層進行 鍍敷。由其後之信賴性等之觀點而言,以進行含鋅之鍍層 . 爲適當。爲了令金屬離子的析出容易,亦可添加必要量之 檸檬酸鹽、酒石酸鹽、胺磺酸等之錯化劑。鍍液通常以酸 φ 性區域使用,且以室溫〜8 0 °C之溫度進行。鍍層通常爲由 電流密度〇 . I ~ 1 〇 A / d m2、通電時間1 ~ 6 0秒、較佳1〜3 0秒 之範圍中適當選擇。防銹處理金屬之量爲根據金屬之種類 而異,但合計以10〜2000 pg/dm2爲合適。防錄處理若過 厚則引起蝕刻阻礙和電氣特性之降低,若過薄則成爲與樹 脂之剝離強度降低的原因。 更且,於防銹處理上若形成鉻酸鹽處理層,因可抑制 * 與樹脂之剝離強度降低,故爲有用。具體而言,使用含有 * 六價鉻離子的水溶液進行。鉻酸鹽處理可爲單純的浸漬處 理,但較佳爲以陰極處理進行。以重鉻酸鈉0.1〜50 g/L、 pH 1~13、浴溫0~6 0 °C、電流密度0·1~5 A/dm2、電解時 間0.1〜100秒之條件進行爲佳。使用鉻酸或重鉻酸鉀代替 重鉻酸鈉進行亦可。 於本發明中,於金屬箔之最外層再吸黏矽烷偶合劑爲 佳。矽烷偶合劑並非限定於以下之例,可使用例如3 -縮水 甘油氧丙基三甲氧基矽烷、2- (3,心環氧環己基)乙基三 甲氧基矽烷等之環氧官能性矽烷、3-胺丙基三甲氧基矽烷 -18- (15) l33〇〇58 、N- (2 -胺乙基)-3 -胺丙基三甲氧基砂院、N- (2-(胺乙基 )-3-胺丙基甲基二甲氧基矽烷等之胺基官能性砂垸、乙嫌 " 基三甲氧基矽烷、乙烯基苯基三甲氧基矽烷、乙燦基三 (2-甲氧乙氧基)矽烷等之烯烴官能性矽烷、3_丙烧氧丙基 三甲氧基矽烷等之丙烯基官能性矽烷、3 -甲基丙燃氧丙基 . 三甲氧基矽烷等之甲基丙烯基官能性矽烷、3-氫硫丙基三 ^ 甲氧基矽烷等之氫硫基官能性矽烷等。若考慮其後與塗佈 % 黏著補助劑的相性,則期望於分子內具有環氧基或胺基。 其可單獨使用》且亦可混合使用數種。此些偶合劑爲於水 ' 等之溶劑中以〇.卜15g/L之濃度溶解且以室溫〜50艺之溫 度塗佈至金屬箔,且令其電極沈積並吸黏。此些矽院偶合 •劑爲與金屬筢表面之防銹金屬的羥基縮合結合形成皮膜。 矽烷偶合劑處理後以加熱、紫外線照射等則可形成安定的 結合。若加熱則以1〇〇~200 °C之溫度乾燥2~60秒鐘。若 ' 以紫外線照射則以200~400nm、200~2500mJ/cm2之範圍進 _ 行。 於進行矽烷偶合劑處理之銅箔上,塗佈以環氧樹脂做 爲必須成分的黏著補助劑。塗佈之厚度期望爲0.1〜10 μηι ’且更期望爲0.1〜5·0μηι之範圍。 本發明之黏著補助劑以包含 (Α)環氧樹脂、(Β) 橡膠粒子、(C)環氧樹脂硬化劑爲佳。 (Α)成分期望爲僅由酚醛清漆樹脂所構成,或含有 酚醛清漆型環氧樹脂與其他之(Α)成分。 本發明中之酚醛清漆型環氧樹脂以具有聯苯構造的酚 -19- (16) 1330058 醛清漆型環氧樹脂爲佳。所謂具有聯苯構造之 環氧樹脂,爲指分子中有聯苯衍生物之芳香族 漆型環氧樹脂,例如,亦可爲式 (1)所示之 單獨、或組合使用二種以上亦可。 酚醛清漆型 環的酚醛清 樹脂。其可
式⑴ 此處,P爲表示1〜5。 市售品可列舉日本化藥股份有限公司製二 (P之平均値爲1.7之式(1)的環氧樹脂)、 (P之平均値爲2.8之式(1)的環氧樹脂)。 (B)成分以交聯橡膠粒子爲佳,且以丙 - 橡膠粒子、羧酸改質丙烯腈丁二烯橡膠粒子 • 膠·丙烯酸樹脂之核殻粒子中選出至少一種爲佳 所謂丙烯腈丁二烯橡膠粒子,爲指令丙烯 共聚,且於共聚階段,部分交聯,並成爲粒子 經由令丙烯酸、甲基丙烯酸等之羧酸合倂共聚 得羧酸改質丙烯腈丁二烯橡膠粒子。丁二烯;| 樹脂之核殼粒子爲以乳化聚合令丁二烯粒子聚 加丙烯酸酯、丙烯酸等之單體且繼續聚合之二 方法則可取得。粒子之大小爲一次平均粒徑爲 。其可單獨、或組合使用二種以上。 例如,羧酸改質丙烯腈丁二烯橡膠粒子的 i NC-3 000S NC-3 000S-H 烯腈丁二烯 、丁二烯橡 〇 腈、丁二烯 狀者。又, ,則亦可取 _膠-丙烯酸 合,接著添 階段的聚合 5 Onm〜丨 μηι 巾售品可列 -20- (17) 1330058 舉日本合成橡膠股份有限公司製之XER-91。丁二烯橡膠-丙烯酸樹脂之核殼粒子的市售品可列舉例如吳羽化學工業 •股份有限公司製之EXL-265 5和武田藥品工業股份有限公 司之 AC-3 8 3 2。 相對於 (A)成分之]〇〇 重量份,(B)成分有 . 0.5〜20重量份爲佳。 (C)成分以酚醛清漆型苯酚樹脂爲佳,且以含有三 φ 畊環之甲酚酚醛清漆型苯酚樹脂爲更佳。 本發明中,所謂含有三畊環之甲酚酚醛清漆型苯酚樹 脂,爲指於甲酚酚醛清漆型苯酚樹脂之主鏈中含有三哄環 的甲酚酚醛清漆型苯酚樹脂。氮量,於含有三哄環之甲酚 酚醛清漆型苯酚樹脂中,以12〜22重量%爲佳,且更佳爲 17〜19重量%,特佳爲18重量%。分子中之氮含量若爲 此範圍,則介電損失亦不會過大,且在將黏著補助劑作成 • 清漆時,對於溶劑的溶解度爲適切,且抑制未溶解物的殘 φ 存量。含有三畊環之甲酚酚醛清漆型苯酚樹脂,可使用數 平均分子量爲5 00〜600者。其可單獨、或組合使用二種 以上。 還有,含有三哄環之甲酚酚醛清漆型苯酚樹脂’可令 甲酚與醛與含有三畊環之化合物,於pH 5~9之條件下反 應而取得。甲酚可使用鄰-、間-、對-甲酚之任—者’且含 有三哄環之化合物可使用蜜胺、胍胺及其衍生物、氰脲酸 及其衍生物。 市售品可列舉大曰本油墨化學工業(股)製之含有三 -21 - (18) (18)1330058 畊環之甲酚酚醛清漆型苯酚樹脂 Phenolite EXB-9 8 29 (氮 含量1 8重量%)。 於本發明之黏著補助劑中爲了提高難燃性,亦可含有 (D)含有酚性羥基之磷化合物。 (D)含有酚性羥基之磷化合物亦可以式 (2)所示 之化合物。其可單獨、或組合使用二種以上。
此處,式中,η爲1之情況,R4爲氫原子、直鏈狀或 分支狀之烷基、環烷基、芳基或芳烷基。η爲2之情況, 各個R4獨立爲氫原子、直鏈狀或分支狀之烷基、環烷基 、芳基或芳烷基,或二個R 4與分別結合之碳原子共同形 成未取代或經烷基或環烷基所取代之苯環。X爲2以上之 自然數。 於式 (2)中,114爲直鏈狀或分支狀烷基之情況,以 C|~C6院基爲佳,於環院基之情況,以C6〜Cg環垸基爲佳 。芳基之情況,以苯基爲佳,芳烷基之情況,以c7〜c10 芳烷基爲佳。X以2爲佳。又,式(2)中,η爲2,二個 %與分別結合之碳原子共同形成未取代或經烷基或環烷基 -22- (19) l33〇〇58 所取代之苯環之情況’以未取代或經C ,〜C4烷基或( 環烷基所取代之苯環爲佳。 具體而言,(D)含有酚性羥基之磷化合物亦可 列式(3 )或式(4)所示之化合物β 此處,式中,Rs爲表示氫原子、甲基、乙基、 基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基 '第三丁基 己基。 (D)含有酚性羥基之磷化合物以10- (2,5-二 基)-9’ 10-二氫-9-nf-l〇-磷菲-ίο —氧化物及其衍生物 (D)含有酚性羥基之磷化合物的市售品可列舉 股份有限公司製之HCA-HQ。 於本發明之黏著補助劑中爲了提高信賴性,亦可 (E)無機充塡劑。 本發明中之(E)無機充塡劑並無特別限定,可 砂石、溶融砂石 '滑石、氧化銘、氫氧化銘、硫酸鋇 氧化鈣、氧溶膠及碳酸鈣。於無機充塡劑中,於提高 6〜Ce 爲下
(4) 正丙 或環 羥苯 爲佳 三光 含有 列舉 、氫 分散 -23- (20) 1330058 性等之目的下,包含將其以矽烷偶合劑等之各種偶合 處理者。其可爲單獨、或組合二種以上。還有,由介 •性和低熱膨脹方面而言以矽石爲佳。 本發明之黏著補助劑中之(A)環氧樹脂的配合 爲以(A)〜(C)成分之重量合計中,以69〜94重量 . 佳,更佳爲78〜90重量%。配合量若爲此範圍,則焊 熱性爲良好’且將黏著補助劑塗佈至銅箔時流動性爲 φ 且亦不會易於硬化塗膜發生凹凸。 本發明之黏著補助劑中之(B)橡膠粒子的配合 爲以(A ) ~ (C )成分之重量合計中,以〇 5重量%以 佳,且以1~20重量%之範圍爲較佳,以2重量%以 更佳’且更佳爲3〜13重量%,再佳爲4〜8重量%。 量若爲此範圍’則將黏著補助劑於銅箔上塗佈時之塗 觀於乾燥前後均爲良好,且難引起粗化造成斑的發生 - 絕緣信賴性不足的問題。 9 本發明之黏著補助劑中之(C)環氧樹脂硬化劑 合量爲以(A)〜(C)成分之重量合計中,以5〜19 1 爲佳’且更佳爲6〜11重量%。配合量若爲此範圍, 化形狀不會變粗地確保與導體層的充分黏著強度,且 塗膜之介電損失、熱膨脹係數 '延伸度爲良好,難引 由熱應力試驗而發生斷線和介電損失惡化之問題。 賦予難燃性時’本發明之黏著補助劑中之(D) 酚性羥基之磷化合物的配合量,爲以(A)~(D)成 重量合計中’以換算磷原子爲1.5〜2.5重量%之範圍 劑所 電特 量, :%爲 料耐 適切 量, 上爲 上爲 配合 膜外 、和 的配 :量% 則粗 硬化 起經 含有 分之 ,更 -24 - (21) 1330058 佳爲1.8〜2.2重量%之範圍。配合量若爲此範圍,則 '性爲良好,絕緣信賴性優良,且硬化塗膜之Tg亦不 •度降低。 於本發明之黏著補助劑中,相對於 (A)成分中 氧基個數之 (C)成分中羥基與 (D)成分中之羥基 的合計比(羥基之個數/環氧基之個數)爲〇.6~1.3之 爲佳,且更佳爲0.75〜1.25。其比若爲此範圍,則硬 φ 分,且硬化塗膜之介電損失、熱膨脹係數可減小,另 面,可取得塗膜的充分延伸。又,可適度粗化,其結 可取得與導體層充分的黏著強度。 又,於本發明之黏著補助劑中,相對於 (A)成 之環氧基個數之 (C)成分中之羥基的個數比(羥基 數/環氧基之個數)爲 〇.丨5〜0.50爲佳,且更 0.17〜0.30。其比若爲此範圍,則塗膜之延伸率大,且 - 會引起所謂與導體層之黏著強度不足的問題。 Φ 爲了提高信賴性而使用 (E)無機充塡劑時, 無機充塡劑之含量爲於(A)〜(E)成分之容積合計中 5〜35容積%之範圍爲佳,且更佳爲1〇〜30容積%。配 若爲此範圍,則熱膨脹係數和介電損失均不會變大, 層電路上形成絕緣層,則可取得充分的流動。還有, 發明之黏著補助劑中分散無機充塡劑上,例如,可使 機、球磨、珠粒磨 '使用三根輥等之已知的混練方法 於本發明之黏著補助劑,亦可配合做爲反應促進 潛在性熱硬化劑的各種咪唑類和BF3胺錯合物。由黏 難燃 會過 之環 個數 範圍 化充 —方 果, 分中 之個 佳爲 亦不 (E) ,以 合量 於內 於本 捏和 〇 劑之 著補 -25- (22) 1330058 助劑之保存安定性、作成B階段時之操作性及焊 * 之觀點而言,以2-苯基咪唑、2-乙基-4-甲基咪嗤 * 基_2-苯基咪唑啉鎗偏苯三酸酯爲佳。彼等之配合 於黏著補助劑中之(A)環氧樹脂,以0.2〜0.6 範圍爲佳。若爲此範圍,則可取得充分的焊料耐 . 好的黏著補助劑的保存安定性及作成B階段時之 作性。 φ 於本發明之黏著補助劑中,視需要,亦可配 勻塗劑 '消泡劑、離子捕捉劑等之添加劑。 以如上述之環氧樹脂做爲必須成分之黏著補 ’亦可使用以聚醯胺醯亞胺樹脂做爲必須成分的 劑。 聚醯胺醯亞胺之製造方法已知爲以偏苯三酸 族二異氰酸酯之反應的異氰酸酯法。其應用例於 • 公報2,897,186號中,揭示令芳香族三羧酸酐與 # 之二胺以二胺過剩之條件下反應,其次以二異氰 的方法。又,於日本公報特開平04-1 82466號中 芳香族二胺與偏苯三酸酐反應之方法。 近年’已進行經由對聚醯胺醯亞胺導入矽氧 提高彈性率、可撓性、乾燥效率等之特性的嘗試 醯胺醯亞胺亦可根據異氰酸酯法進行製造。例如 公報特開平〇4· 1 82466號中,揭示令芳香族三 芳香族二異氰酸酯及矽氧烷二胺縮聚之方法。又 公報特開平06-1165口號中,揭示令芳香族二 料耐熱性 、1-氰乙 量爲相對 重量%之 熱性、良 良好的操 合顏料、 助劑以外 黏著補助 酐與芳香 美國專利 具有醚鍵 酸酯反應 ,揭示令 烷構造, 。此類聚 ,於日本 羧酸酐、 ,於日本 殘酸或芳 -26- (23) 1330058 香族三羧酸與矽氧烷二胺縮聚之方法。 特開平1卜1 3 08 3 1號中,揭示令含有 •族環之二胺及矽氧烷二胺的混合物與偏 得含有二醯亞胺二羧酸的混合物與芳香 的方法。 . 即使以上述方法亦可取得充分的黏 經由具有飽和烴類所構成之單位成分造 φ 其特徵的聚醯胺醯亞胺,則由信賴性方 〇 即,本發明所用之聚醯胺醯亞胺爲 成之單位成分爲其特徵,期望於其構成 烴基。經由含有脂環式烴基,則可令此 加濕耐熱性加上顯示高的Tg。 具有脂環式烴基之飽和烴類成分, . 有脂環式烴基之飽和烴類所構成之二胺 A 此類二胺爲以一般式表示。 更且,於日本公報 具有三個以上芳香 苯三酸酐反應所取 族二異氰酸酯反應 著強度,但若使用 成高吸濕耐熱性爲 面而S爲更加合適 具有飽和烴類所構 單位中具有脂環式 類聚醯胺醯亞胺於 爲由做爲原料之具 化合物所衍生。
式中,X1爲由碳數1〜3個之脂肪 烴基、碳數1〜3個 -27- (24) 1330058 之鹵化脂肪族烴基、磺醯基、醚基、羰基 '單鍵或下述一 般式 (5 a)或 (5b)所示之二價基中選出。Y1爲表示碳 數卜3個之脂肪族烴基、碳數】〜3個之鹵化脂肪族烴基、 磺醯基、醚基、羥基,R1、R2、R3分別獨立或相同由氫原 子、羥基、甲氧基、甲基、鹵化甲基中選出。
但,Z1爲碳數1〜3個之脂肪族烴基、碳數1〜3個之鹵 化脂肪族烴基、磺醯基、醚基、羰基或單鍵。 具有脂環式烴基之飽和烴類所成的二胺化合物並非限 定於以下之例,可例示例如2,2 -雙[4 - (4 -胺環己氧基) 環己基]丙院、雙[4- (3 -胺環己氧基)環己基]砸、雙 [4- (4 -胺環己氧基)環己基]硬、2,2 -雙[4- (4-胺環己 氧基)環己基]六氟丙烷、雙[4- (4-胺環己氧基)環己 基]甲烷、4,4’-雙(4-胺環己氧基)二環己基、雙[4_ (心胺環己氧基)環己基]醚、雙[4_ (4_胺環己氧基)環 己基]酮'1,3-雙(4 -胺環己氧基)苯、〗,4·雙(4·胺 環己氧基)苹、2,2·-二甲基雙環己基4,4,-二胺、2, 2'-雙(三氟甲基)二環己基-4,4,-二胺、2,6,2',6'-四 甲基-4 ’ 41-二胺、5,5,-二甲基-2,2,-磺醯二環己基-4, -28- (25) 1330058 4'·二胺、3,3'-二羥基二環己基-4 ’ 4-二胺、(4,4,-二 胺基)二環己醚、(4,4,-二胺基)二環己碼、(4,4,-二 • 胺環己基)硯、(3,3,-二胺基)二苯酮、(4,4,-二胺 基)二環己基甲烷、(4,4,-二胺基)二環己醚' (3, 3'-二胺基)二環己醚、(4,4’-二胺基)二環己基甲烷、 . (3’3’_二胺基)二環乙醚、2,2-雙 (4-胺環己基)丙院 等。此些二胺化合物可混合使用二種以上,更且,亦可倂 φ 用其他的二胺化合物。 此類具有脂環式烴基之飽和烴類所構成的二胺化合物 ’可經由令芳香族二胺化合物予以氫還原即可輕易取得。 此類芳香族二胺化合物並非限定於以下之例,可例示 例如2’ 2-雙[4- (4-胺苯氧基)苯基]丙烷(BAPP)、 雙[4_ (3-胺苯氧基)苯基]碩、雙[4- (4-胺苯氧基)苯 基]碩、2,2-雙 [4-(4-苯氧基)苯基]六氟丙烷、雙 - [4· (4_胺苯氧基)苯基]甲院、4,4’·雙 (4-胺苯氧基) • 聯苯、雙[4-(4_胺苯氧基)苯基]醚、雙[4-(4·胺苯氧 基)苯基]酮、1,3-雙 (4-胺苯氧基)苯、1,4-雙 (4-胺苯氧基)苯、2,2·-二甲基聯苯-4,4,-二胺、2,2,-雙 (三氟甲基)聯苯·4,4’ -二胺、2,6,2,,6'-四甲基_4, 4,-二胺、5,5,-二甲基-2,2,-磺醯聯苯·4,4'-二胺、3, 3’ -二徑基聯苯-4 ’4' -二胺、(4,4’-二胺基)二苯醚、 (4,41-二胺基)二苯碩、(4,4·-二胺基)二苯酮、(3 ’3·-二胺基)二苯酮、(4,4'·二胺基)二苯基甲院、 (4,4·-二胺基)二苯醚、(3,3··二胺基)二苯醚等。 -29- (26) 1330058 芳香族二胺化合物之氫還原爲可根據芳香環之一般的 還原方法。例如,於氫存在下使用還原劑進行氫還原。還 原劑並非限定於以下之例,可列舉例如,阮來鎳和氧化鉑 (D. Varech 等人、Tetrahedron Letter 26 ' 6 1 ( 1 9 8 5)、 R. H. Baker 等人、[Am. Chim. Soc.、 69、1 250 (1 947) )、錯-氧化銘(J. C. Sircar 等人、J. Org. Chem、30、 3206 (1965) 、A . I · M e y er s 等人、Or g an i c S y n t h e s i s
Collective Volume VI ' 3 7 1 ( 1 98 8) 、A. W. Burgstahler、
Organic Synthesis Collective Volume V、5 9 1 ( 1 973 ) 、A. J. Briggs ' Synthesis、1988、66)、氧化錢-氧化鈿(S. N i s h i m u r a . Bull. Chem. Soc. Jpn., 34 ' 3 2 ( 1 96 1 ) 、E. J .
Corey 等人、J. Am. Chem. Soc. 101、1 608 ( 1 979))、木 炭承載鍺(K. Chebaane 等人、Bull. Soc. Chim. Fr.、 1975、244) 之觸媒系及氫化硼鈉-氯化铑系 (P. G. G a s s m a η 等人,O r g a n i c S y n t h e s i s C ο 11 e c t i v e V ο 1 u m e VI ,5 8 1 ( 1 9 8 8) 、P. G . Gassman 等人、0 r g an i c S y n t h e s i s
Collective Volume VI、60 1 ( 1 9 8 8))等。 於本發明之聚醯胺醯亞胺及其製造方法中,脂肪族二 胺化合物除了上述之二胺化合物,加上可使用一般式(6) 所示之化合物》
-30- (27) 1330058 但,式中X3爲表示亞甲基、磺醯基、醚基、羰基或 « 單鍵。R12及R13分別表示氫原子、烷基、苯基或經取代 • 苯基。q爲表示1~50之整數》 R12及R13之具體例以氫原子、碳數爲1〜3個之烷基 、苯基 '經取代苯基爲佳。亦可結合至苯基之取代基可例 . 示碳數1〜3個之烷基、鹵原子等。 上述一般式(6)所示之脂肪族二胺,由低彈性率及 φ 高Tg兩相成立之觀點而言,以上述—般式(6)中X爲 醚基爲佳。此類脂肪族二胺可例示 Diphamin D-400、 D i p h a m i n D - 2 0 0 0 等。 本發明者等人雖然對於本發明之聚醯胺醯亞胺,使用 具有如上述特定之脂肪族構造的二胺化合物的詳細機制並 不一定明瞭,但認爲係因吸水性或撥水性比先前的聚醯胺 醯亞胺極爲提高。 • 因此,將具有脂環式烴基之飽和烴類所構成之聚醯胺 • 醯亞胺,以後述之熱硬化性樹脂組成物型式使用於層合體 之層形成材料時,比氫還原前之芳香族所構成組成之聚醯 胺醯亞胺樹脂組成物之吸濕時的黏著性降低少。 於本發明之聚醯胺醯亞胺及製造方法中,二胺化合物 除了上述之二胺化合物,加上更可含有芳香族二胺。 此類芳香族二胺化合物可例示下述一般式(7a)或下 述一般式 (7a)。 -31 - (28) 1330058
(7a) H2n
(7b) 於上述—般式(7a)中,X2爲表示碳數1~3個之脂 肪族煙基 '碳數1〜3個之鹵化脂肪族烴基、磺醯基、醚基 '裁S'H鍵或下述—般式(8a)或(8b)所示之二價基 中選出之基° RU、R15、R16分別獨立或相同表示氫原子 、經基、甲氧基、甲基、鹵化甲基所選出之基。上述一般 式(7b)中’ Y2爲表示碳數1〜3個之脂肪族烴基、碳數 1〜3個之_化脂肪族烴基、磺醯基、醚基、羰基所選出之 基。
(8a)
(8b) z2爲表示碳數1〜3個之脂肪族烴基、碳數1~3個之鹵 化脂肪族烴基、磺醯基、醚基、羰基所選出之基或單鍵。 此類芳香族二胺,若爲於芳香環直接結合二個胺基之 化合物、及二個以上之芳香環爲直接或透過一個官能基結 合的二胺,則無特別限制。芳香族二胺並非限定於以下之 -32- (29) 1330058 例,可例示例如2,2-雙[4- (4-胺苯氧基)苯基]丙烷 (BAPP)、雙 [4- (3-胺苯氧基)苯基]碩、雙[4- (4-胺 * 苯氧基)苯基]硕、2, 2-雙[4- (4-胺苯氧基)苯基]六 氟丙烷、雙 [4- (4-胺苯氧基)苯基]甲烷、4,4’-雙 (4-胺苯氧基)聯苯、雙 [4- (4_胺苯氧基)苯基]醚、雙 • [4- (4-胺苯氧基)苯基]酮、1,3-雙 (4-胺苯氧基)苯 、1,4 -雙 (4 -胺苯氧基)苯、2,2’ -二甲基聯苯-4,4’ -二 φ 胺、2,2’ -雙(三氟甲基)聯苯-4,4·-二胺、2,6,2’, 6’ -四甲基-4,4·-二胺、5,5’ -二甲基-2,2’ -磺醯聯苯-4, 4,· -二 胺 、3,’ V- 二 羥 基 聯 苯 -4 ,4,-二胺、 (4,4'- 二胺基) 二 苯 醚 、(4 5 4'- 二 胺 基 ) 二 苯硕、(4, 4 ’ -二胺 基) 二 苯 酮 、 (3,: 3 二 胺 基 ) 二 苯 酮、(4 , 4丨 二胺基 )二 苯 基 甲 烷 、(4 J 4'- 一 胺 基 ) 二 苯醚、(3 , 3,-二胺 基) 二 苯 醚 等< ,此等 芳 香 族 二 胺 化 合 物亦可混合使用二種 以上 〇 經由使用 上 述 之 芳 香 族 二丨 瞭化合物,則可再提 高Tg ;( 玻 璃 態化溫度 ) > 並 且 改 良 耐 熱性。 於本發明 之 聚 醯 胺 醯 亞 胺 及其製造方法中,二 胺化 合 物 除 了 _ t述之 :胺 :化 I合 -物, 加 上更可含有 —般式 (9) 所 示 之 矽氧烷二 胺 〇 h2n-r10
⑼ -33- (30) 1330058 —般式(9)中,R4~R9分別獨立爲碳數個之烷 基、本基、經取代苯基爲佳。又,經取代苯基之取代基以 碳數1~3個之院基或_原子爲佳。R10及Rii分別獨立爲 碳數I〜6個之伸烷基或伸芳基爲佳。伸芳基以伸苯基、經 取代伸苯基、伸萘基 '經取代伸萘基爲佳。又,經取代伸 . 芳基之取代基以碳數個之院基或鹵原子爲佳。還有, 複數存在的R4〜R11分別可爲相同或相異亦可。r及s以 φ 1〜15之整數爲佳。此類矽氧烷二胺以使用二甲基矽氧烷系 兩終端二胺爲特佳。此些矽氧烷二胺可單獨或組合使用。 上述一般式(9)所示之矽氧烷二胺並非限定於以下之例 ’例如 ’ Silicone Oil X-22-161AS (胺當量 450) 、X-22- 161A (胺當量 840) 、 X-22-161B (胺當量 1500) 、 X-22- 9409 (胺當量 700) 、X-22-1660B-3 (胺當量 2200)(以 上’信越化學工業股份有限公司製)、BY16-853 (胺當量 . 650) 、BY16-853B (胺當量 2200)、(以上、東雷 Dow 肇 Corning Silicone股份有限公司製)等型式可於商業上取 得。 於本發明之聚醯胺醯亞胺之製造方法中,亦可再含有 上述之矽氧烷二胺。藉此’所得之聚醯胺醯亞胺爲於主鏈 具有矽氧烷構造。因此’可提高所得聚醯胺醯亞胺的可撓 性’並且’可大幅降低高溫條件下所發生的腫腹等。 於本發明之聚醯胺醯亞胺之製造方法中,上述二胺化 合物的胺基爲與偏苯三酸酐之羧基或無水羧基反應,但以 與無水羧基反應爲佳。此類反應爲於非質子性極性溶劑中 -34- (31) 1330058 ,以 70~1 00 °C 進行。 非質子性極性溶劑並非限於以下之例’可例示N_甲 • 基-2-吡咯烷酮(NMP) ' r -丁內酯、二甲基甲醯胺、二 甲基乙醯胺、二甲基亞碾、環丁碩、環己酮等。其可使用 —種或二種以上,使用NMP爲佳。 . 此類非質子性極性溶劑爲相對於溶液之令重量以固形 成分爲1〇~70重量%之份量加入爲佳’且以20~60重量 φ %之份量加入爲更佳。溶液中之固形成分未滿10重量% 時,溶劑的使用量多,故於工業上有不利之傾向。又,超 過70重量。/〇時,偏苯三酸酐之溶解性降低,有時難以進 行充分的反應。 上述反應後,加入可與水共沸的芳香族烴類’且於 150〜200 °C下再反應進行脫水閉環反應亦可。藉此,可取 得含醯亞胺基之二羧酸。可與水共沸的芳香族烴類可例示 . 甲苯、苯、二甲苯、乙苯等。其中,以使用甲苯爲佳。此 • 類芳香族烴類爲相對於非質子性極性溶劑之重量,以重量 比爲10〜50重量%之份量加入爲佳。芳香族烴類之添加量 相對於非質子性極性溶劑之重量未滿1 〇重量%時,水之 除去效果有不充分的傾向,含醯亞胺基之二羧酸的產量亦 有減少之傾向。又,超過50重量%時,反應溫度爲降低 ,且含醯亞胺基之二羧酸的產量有減少的傾向。 又,於脫水閉環反應中,經由令芳香族烴類亦與水同 時餾出,則芳香族烴類量有時比上述之適當範圍更少。因 此,例如,將附有活栓之水分定量受器中餾出的芳香族烴 -35- (32) (32)1330058 類與水分離後再返送至反應溶液中,令芳香族烴類量保持 一定比例爲佳。還有,於脫水閉環反應終了後,將溫度保 持於150〜200 °C左右且除去可與水共沸的芳香族烴類爲 佳。 根據上述反應所得之含醯亞胺基之二羧酸例如以下述 一般式 (10)所示之化合物爲合適。還有,式中,G 爲 表不上述一般式 (4a)、上述一般式 (4b)、上述一般式 (9)、上述一般式 (6)、上述一般式 (7a) 或一般式 (7b)所示之二胺的胺基除去的殘基,R1〜R16及q、r、s 爲與上述同義。
本發明之聚醯胺醯亞胺,爲令上述含醯亞胺基之二羧 酸衍生成醯基鹵化物,並且與上述二胺化合物聚合則可製 造。 於此類反應中,含醯亞胺基之二羧酸爲經由亞硫醯氯 、三氯化磷、五氯化磷或二氯甲基甲醚則可輕易衍生成醯 基鹵化物。含醯亞胺基之二羧酸鹵化物於室溫下或加熱下 則可輕易與上述二胺化合物聚合。 又,本發明之聚醯胺醯亞胺爲令上述含醯亞胺基之二 羧酸於縮合劑存在下,與上述二胺化合物聚合則可製造。 於此類反應中’縮合劑可使用形成醯胺鍵的一般縮合 -36- (33) 1330058 劑。縮合劑可爲二環己基碳化二亞胺和二異丙基碳化二亞 胺、N-乙基-Ν·-3-二甲胺丙基碳化二亞胺單獨、或與N-羥 '基琥珀醯亞胺和1-羥基苯並三唑倂用使用爲佳。 更且’本發明之聚醯胺醯亞胺爲令上述含醯亞胺基之 二羧酸作成醯基鹵化物,且以二異氰酸酯反應則可製造。 • 於此類反應中’二胺化合物:偏苯三酸酐:二異氰酸酯 爲以莫耳比 1 :2〜2.2: 1〜1 .5 之範圍爲佳,且以 φ 1:2〜22:1〜〗·3之範圍爲更佳。經由令反應中之莫耳比爲上 述範圍’則可爲取得更高分子且有利形成薄膜的聚醯胺醯 亞胺。 本發明之聚醯胺醯亞胺之製造方法中所用的二異氰酸 酯可使用下述一般式(Π)所示之化合物^ OCN-D-NCO (11) 式中’ D爲具有至少一個芳香環的二價有機基、或、 二價之脂肪族烴基。D爲_C6H4-CH2-C6H4所示之基、伸 甲苯基、伸萘基、伸己基、2,2,4_三甲基伸己基及異佛 爾酮基所組成群中選出至少一個之基爲佳。 上述一般式 (11)所示之二異氰酸酯可使用脂肪族二 異氰酸酯和/或芳香族二異氰酸酯。以使用芳香族二異氰 酸酯爲佳’且以倂用兩者爲特佳。 芳香族二異氰酸酯並非限定於以下之例,可例示4, 4'-二苯基甲烷二異氰酸酯(MDI) 、2,4-甲苯二異氰酸 -37- (34) 1330058 酯、2’ 6 -甲苯二異氰酸酯、萘-1,5-二異氰酸酯、2,4-伸甲苯基二聚物等。其中,以使用MDI爲特佳。經由使 用MDI做爲芳香族二異氰酸酯,則可提高所得聚醯胺醯 亞胺之可撓性,又,可減低結晶性,且可提高聚醯胺醯亞 胺之薄膜形成性。 . 脂肪族二異氰酸酯並非限定於以下之例,可例示己二 異氰酸酯、2,2,4-三甲基己二異氰酸酯、異佛爾酮二氰 φ 酸酯等。 於併用芳香族二異氰酸酯及脂肪族二異氰酸酯時,芳 香族二異氰酸酯相對於脂肪族二異氰酸酯添加5〜10莫耳% 左右爲佳。經由此類倂用,則可更加提高所得聚醯胺醯亞 胺的耐熱性。 其次,含醯亞胺基之二羧酸與二異氰酸酯之反應,爲 於含有上述反應所得之含醯亞胺基之二羧酸的溶液中加入 - 二異氰酸酯,且以反應溫度130〜200 °C進行。 φ 含醯亞胺基之二羧酸與二異氰酸酯之反應,於使用鹼 性觸媒時,以70〜180 °C進行爲佳,且以120~150 °C進 行爲更佳。於鹼性觸媒存在下進行此類反應時,此鹼性觸 媒不存在下進行反應時可在更低溫度下反應。因此,可抑 制二異氰酸酯彼此間反應等之副反應的進行,更可取得高 分子量的聚醯胺醯亞胺。 此類鹼性觸媒並不限定於以下之例,可例示三甲胺、 三乙胺、三丙胺、三(2·乙基己基)胺、三辛胺等之三烷 胺。其中以三乙胺爲促進反應所合適的鹼性,且反應後之 -38- (35) 1330058 除去容易故爲特佳。 經由上述反應所得之聚醯胺醯亞胺爲具有下述 (12)所示之重複單位。還有,G爲表示上述一般: 、上述一般式 (4b)、上述一般式 (9)、上述 (6)、上述一般式 (7a)或上述一般式 (7b)所示 的胺基除外的殘基,R1〜R16及q、r' s爲與上述同; —般式 式(4 a) —般式 之二胺
(12) 如上述處理所得之聚醯胺醯亞胺的重量平均分 20,000〜300,000 爲佳,且以 30,000~200,〇00 爲更 40,〇〇〇〜1 50,000爲特佳。還有,此處所謂之重量平 ' 量爲以膠滲透層析進行測定,且以使用標準聚苯乙 ® 成的檢量線予以換算者。 經由於如上述處理所得之聚醯胺醯亞胺,加入 聚醯胺醯亞胺之醯胺基反應之官能基的醯胺基反應 物,則可取得熱硬化性樹脂組成物》 醯胺基反應性化合物爲具有與聚醯胺醯亞胺中 基經由加熱等進行反應之官能基的化合物。醯胺基 化合物可例示例如多官能環氧化合物、哼丁烷化合 其中,以使用多官能環氧化合物爲佳。 多官能環氧化合物並非限定於以下之例,可例 子量以 佳,以 均分子 烯所作 具有與 性化合 之醯胺 反應性 物等。 示雙酚 -39- (36) 1330058 A型環氧樹脂、四溴雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹 月旨、雙酚S型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂等。其可使用一 • 種或二種以上。 醯胺基反應性化合物之配合量爲相對於聚醯胺醯亞胺 100重量份,以10〜40重量份爲佳,且以15 ~ 25重 . 量份爲更佳。醯胺基反應性化合物之配合量若未滿10重 量份,則所得之熱硬化性樹脂組成物的熱硬化性有降低的 φ 傾向。醯胺基反應性化合物之配合量若超過40重量份, 則硬化後之熱硬化性樹脂組成物的交聯構造變密,樹脂之 脆性有降低之傾向。 上述熱硬化性樹脂組成物爲再含有硬化促進劑爲佳。 硬化促進劑爲促進聚醯胺醯亞胺及醯胺基反應性化合物之 混合物硬化的成分。特別,以促進醯胺基反應性化合物硬 化的成分爲佳。硬化促進劑並非限定於以下之例,可例示 • 胺類、咪唑類。其可使用一種或二種以上。 • 胺類並非限定於以下之例,可例示二氰胺二醯胺、二 胺基二苯基乙烷、脒基脲等。咪唑類並非限定於以下之例 ,可例示2_乙基-4-甲基咪唑等之經烷基取代咪唑、苯並 咪唑等。 此類硬化促進劑之配合量可根據醯胺基反應性化合物 之種類而決定。例如,使用多官能環氧化合物做爲醯胺基 反應性化合物,且使用胺類做爲硬化促進劑時,令多官能 環氧化合物中之環氧當量,與胺類之胺基的活性氫當量爲 大約相等般,加入胺類爲佳。又,使用多官能環氧化合物 -40- (37) 1330058 做爲醯胺基反應性化合物,且使用咪唑類做爲硬 時,咪唑類爲相對於多官能環氧化合物100重 • 入0.1〜2.0重量份爲佳。硬化促進劑之添加量爲 ,未硬化之醯胺基反應性化合物爲於熱硬化性樹 中殘存,且熱硬化性樹脂組成物硬化後之耐熱性 . 傾向。硬化促進劑之添加量若過多,則硬化促進 硬化性樹脂組成物中殘存,且硬化後之熱硬化性 • 物之絕緣性有降低之傾向。 如上製作之黏著補助劑爲於溶劑中稀釋作成 塗佈至銅箔。溶劑並非限定於以下之例,可列舉 基乙基酮、環己酮等之酮類、苯、二甲苯、甲苯 族烴類、乙二醇單乙醚等之醇類、乙基乙氧基丙 酯類、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯 胺類。此些溶劑可單獨或混合使用二種以上。溶 • 黏著補助劑之使用量並無特別限定,可爲先前所 Φ 量。 將本發明之黏著補助劑、及上述之清漆,塗 之單面,且令其半硬化,則可完成附黏著補助劑 將黏著補助劑做爲清漆,且以Conmer塗層 _箔時,黏著補助劑之全固形成分量爲以40~70 調節溶劑的使用量爲佳。又,亦可配合薄膜形成 調氅份量。 使用如上述附黏著補助劑之金屬箔之基板的 例%於下。將附黏著補助劑之金屬箔與預浸漬物 化促進劑 量份,加 不充分時 脂組成物 有降低之 劑爲於熱 樹脂組成 清漆,且 丙酮、甲 等之芳香 酸酯等之 胺等之醯 劑相對於 使用之份 佈至銅箔 之銅箔。 器塗佈至 重量%般 用之設備 製造方法 以先前公 -41 - (38) 1330058
知之方法予以層合一體化,取得圖1 (a)所示之J 其次於上述層合體上形成層間接續用之貫通 ' (圖1 (b))。貫穿孔徑若爲100 μπι以上則適於 予以加工。貫穿孔徑若爲1 00 μηι以上則適合CO 激元雷射等之氣體雷射和YAG等之固體雷射。 . 若爲1 0 0 μ m左右即可。 ^ 其次於金屬箔上及貫穿孔內部賦予觸媒核。 鲁 之賦予上,可使用銷離子觸媒Activetor Neogant Japan 股份有限公司製、商品名)和氯化金 H S201B (日立化成工業股份有限公司製、商品名 鈀觸媒時’例如,事前進行CLC-201 (日立化成 有限公司製 '商品名)之調理處理。 其次如圖1 (c)所示般於賦予觸媒核之金屬 穿孔內部形成薄的化學鍍層5。此化學鍍層並非 • 下之例,可使用CUST2000 (日立化學工業股份 ® 製、商品名)和CUST2〇l (日立化成工業股份有 '商品名)等之市售的化學鍍銅。此些化學鍍銅 銅' 甲醛水、錯化劑及氫氧化鈉做爲主成分。鍍 若爲可進行下列之電鍍厚度即可。具體而言,鍍 0.1~1 μιη左右即爲充分。還有,於不必要層間接 省略化學鍍銅〇 其次如圖1 (d)所示般於進行化學鍍層上形 阻6。鍍層光阻的厚度爲與其後鍍層導體之厚度 厚之膜厚者爲佳。鍍層光阻中可使用的樹脂例如
罾合體。 貫穿孔4 以鑽孔器 2 和 C Ο、 貫穿孔徑 於觸媒核 (A t 〇 t e ch 5觸媒之 )。賦予 工業股份 箔上及貫 限定於以 有限公司 限公司製 爲以硫酸 層之厚度 層厚度爲 續時,可 成鍍層光 同程度更 爲 PMER -42- (39) 1330058 P-LA 900PM (東京應化股份有限公司製、商品名 狀光阻、和HW-42 5 (日立化成工業股份有限公 ’ 名)、RY-3 3 25 (日立化成工業股份有限公司 等之乾薄膜。於軸承孔和導體電路處並未形成鍍 其次如圖1 (e)所示般以電鍍形成電路圖案 . 鍍上,通常使用印刷配線板所用的硫酸銅電鍍。 度若爲使用做爲電路導體即可,且以1〜1〇〇 μ™ _ 佳,以5〜50 μηι之範圍爲更佳。 其次如圖1 (f)所示般使用鹼性剝離液和硫 之光阻剝離液進行光阻之剝離。將圖案部以外之 刻除去。此時一般以高壓噴霧等進行蝕刻,但配 部分如何處理均爲液交換差。因此銅與蝕刻液的 擴散決定速率步驟,期望令其爲反應決定速率步 蝕刻液的反應若爲反應決定速率步驟,則即使擴 • 加亦不會改變蝕刻速度。即,於液交換佳之處與 • 蝕刻速度差頗不會產生。具體而言使用過氧化氣 素元素之酸做爲主成分的蝕刻液爲佳。於氧化劑 過氧化氫,則在調整過氧化氫濃度下即可控制嚴 速度。還有,若於蝕刻液中混入鹵素元素,則溶 變成擴散反應決定步驟。不含鹵素之酸可使用硝 '有機酸等,但以硫酸爲廉價且爲佳。更且以硫 化氫做爲主成分之情形中,各個濃氷爲 5~ 5~2 0 0g/L就蝕刻速度、液安定性方面而言爲佳。 以上雖示出以圖案電鍍法製作基板之方法, )般之液 司、商品 、商品名) 層光阻。 ;7。於電 鍍層之厚 之範圍爲 ,酸或市售 銅予以倉虫 線之微細 反應非爲 驟。銅與 散更加增 差之處的 與不含鹵 中若使用 密的蝕刻 解反應易 酸、硫酸 酸與過氧 300g/L ' 但以減去 -43- (40) 1330058 法亦無妨。根據以上所示之方法完成由二層所構成的核心 基板。如上製作之核心基板爲導體電路的表面粗度爲 ’ Rz = 2.0 μηι以下,核心基板之絕緣層的表面粗度爲Rz = 3.〇
Um以下於電氣特上爲佳》 如此所製作之導體電路及絕緣層爲平滑。因此,爲了 . 令此些層緊密黏著,乃如圖1 (g)所示般,形成用以促進 黏著性的黏著補助劑層8。若考慮信賴性則以形成黏著補 φ 助劑層爲佳。黏著補助劑層之厚度以〇. 1〜1 〇 μηι之間爲佳 ,且以0.1 ~5 μπι之間爲更佳。黏著補助劑層的厚度若少 於0.1 μιη,則黏著性有時不充分。厚度若大於10 μηι,則 有時對於延伸率和介電率、介電正切之各種特性造成影響 。黏著補助劑之組成爲與 (a)步驟中塗佈至銅箔之樹脂 相同亦可。 於導體電路上進行鎳和鉻、錫、鋅、鈀之防銹處理, • 且若於進行偶合劑處理後形成黏著補助劑層則提高剝離強 Φ 度。進行防銹處理和偶合劑處理之方法可與銅箔上進行之 情況同樣。防銹處理爲以化學鍍層進行爲佳。 黏著補助層之塗膜方法爲令核心基板浸漬於黏著補助 劑溶液中。浸漬前於酸加鹼、各種界面活性劑溶液中浸漬 ,除去氧化層和提高濕潤性。塗膜形成後之導體電路的表 面粗度期望爲Rz = 2.〇 μπι以下。黏著補助劑之固形成分濃 度並無特別限定,但若未考慮浸漬後之樹脂厚度則以 1%~50%之範圍爲佳,且更期望爲3%~25%之範圍。接著補 助劑處理溫度爲室溫則充分,但亦可將液溫控制於1 〇〜5 0 -44 - (41) 1330058 °c之範圍。 浸漬後以溫風吸風機等予以乾燥。乾燥溫度爲90 °c ’ ~2]〇 °C之範圍爲佳,且以120 °C〜190 °C之範圍爲更佳 。乾燥後殘留溶劑爲1 %以下。殘留溶劑若高於1 %則最終 製作之印刷配線板的信賴性有時降低。乾燥時間爲根據乾 . 燥度等而異,可爲1分鐘~60分鐘之間。乾燥後之樹脂並 未完全硬化且作成半硬化的B階段狀態。樹脂若完全硬化 φ ,則於其上疊層之絕緣層的黏著力變弱。 其次於經黏著補助劑所處理之核心基板上,如圖1 (h)所示般將絕緣層9與金屬層10所構成之單面附金屬 箔的樹脂予以疊層。於絕緣層9與金屬層10之間亦可設 置黏著補助劑層11。絕緣層之厚度爲10至100 μιη左右 、期望爲20至60 μηι爲佳。金屬箔10之厚度爲0.3至3 μιη爲適當。單面附金屬箔之樹脂的製作上所用的樹脂, ' 可使用與層合板時同樣的銅箔。將樹脂清漆於金屬箔上使 Φ 用貼膠器、輥塗器、Conmer塗層器等予以塗佈形成附金 屬箔的樹脂,或者將薄膜狀之樹脂於金屬箔上疊層形成附 金屬箔之樹脂亦可。將樹脂清漆於金屬箔上塗佈時,其後 ’令其加熱乾燥。加熱及乾燥條件爲於100〜200 °C之溫 度下以1〜3 0分鐘爲適當。將薄膜狀之樹脂於金屬箔上疊 層時,以50〜150 °C、0.1~5 MPa、真空或大氣壓之條件 爲適當。於絕緣層中加入環氧樹脂則可提高B階段之與聚 醯胺醯亞胺的黏著性。又,將核心基板與預浸漬物 '銅箔 予以疊層加壓時,所用之預浸漬物爲以核心基板之同樣方 -45- (42) 1330058 法製作。接著補助劑層與銅箔之削片強度,以與附黏著補 助劑絕緣層1 mm寬之導體電路於20 °C下之削片強度爲 " 0.6 kN/m以上爲佳。於150 °C加熱 240小時後之與附 黏著補助劑絕緣層1mm寬之導體電路於 20 °C的削片強 度爲0.4 kN/m以下爲更佳。 . 其次如圖I (i)所示般於金屬箔之上於層間樹脂絕緣 層形成IVH 12。形成IVH的方法以使用雷射爲適當。此 Φ 處可使用之雷射爲co2和CO、激元雷射等之氣體雷射和 YAG等之固體雷射、C〇2雷射由於可輕易取得大輸出功率 故適於0 50 μηι以上的IVH加工。於加工0 50 μηι以下之 微細IVH時,以更短波長且集光性佳的YaG雷射爲適當 〇
又,於IVH形成上可形成一致的孔穴。此時,以光微 影法於銅箔上形成窗孔,且以大於窗孔之雷射徑進行IVH • 形成。此時’使用本發明黏著補助劑,提高樹脂對於成爲 • 剝出處(基板之端部)的鍍層性。因此,難發生基板端部 之鍍層剝離等不適。 其次使用過鐘酸鹽、銘酸鹽、絡酸般之氧化劑進行 IVH內部之樹脂殘留物的除去。其次於金屬箔上及ivh內 部賦予觸媒核。 其次如圖1 (j)所示般於賦予觸媒核之金屬箔上及 • IVH內部形成薄的化學鍍層13。此化學鍍層可使用 CUST2 000 (日立化成工業股份有限公司製、商品名)和 CUST201 (日立化成工業股份有限公司製、商品名)等之 -46- (43) 1330058 市售的化學鏟銅。此些化學鍍銅爲以硫酸銅、甲醛水、錯 化劑、氫氧化鈉做爲主成分。鍍層之厚度若爲可進行其次 ' 之電解厚度即可。具體而言,鍍層厚度爲0.1〜1 μηα左右 爲充分。 其次如圖1 (h)所示般於進行化學鍍層上形成鍍層光 . 阻14。鍍層光阻的厚度爲與其後鑛層導體之厚度同程度更 厚之膜厚者爲佳。鍍層光阻中可使用的樹脂,並非限定於 φ 以下之例,例如爲PMER P-LA900PM (東京應化股份有限 公司製、商品名)般之液狀光阻、和HW-425 (日立化成 工業股份有限公司 '商品名)、RY- 3 3 2 5 (日立化成工業 股份有限公司、商品名)等之乾薄膜。於軸承孔和導體電 路處並未形成鍵層光阻。 其次如圖1 (<)所示般以電鍍形成電路圖案15。於 電鍍上,通常使用印刷配線板所用的硫酸銅電鍍。鍍層之 ' 厚度若爲使用做爲電路導體即可。具體而言,鍍層厚度爲 ® 以1〜1 00 μιη之範圍爲佳,以5~50 μιη之範圍爲更佳。 其次使用鹼性剝離液和硫酸或市售之光阻剝離液進行 光阻的剝離。 其次將圖案部以外之銅,使用蝕刻液予以除去則完成 電路形成(圖1 (m))。蝕刻液爲以1〇〜300 g/L之硫酸及 10〜2〇0 g/L之過氧化氫做爲主成分者爲佳。 更且於電路上進行化學鍍金,形成鍍金層16亦可( 圖1 (η)) '鍍金之方法爲以SA_ 1 00 (日立化成工業股份 有限公司製、商品名)般之活化處理液進行導體界面的活 -47- (44) 1330058 . 化處理,且將NIPS-100 (日立化成工業股份有限公司製、 商品名)般之化學鍍鎳進行1〜10 μηι左右,並將HGS-100 (曰立化成工業股份有限公司製、商品名)般之取代鍍金 進行0·01~0·1 μηι左右後以HGS-2000 (日立化成工業股份 有限公司製、商品名)般之化學鍍金進行0.1〜1 μηι左右 * 。又,如日本專利公報特開平1 1 - 1 4 0 6 5 9般若於化學鍍鎳 . 與化學鍍金之間進行化學鍍鈀,則更加提高接續信賴性。 φ 化學鍍鈀爲使用Palet (小島化學藥品股份有限公司製、商 品名)等作成0.01〜1 μιη左右之厚度。考慮電氣特性時, ' 亦可省略化學鍍鎳。此些組合爲根據製品用途而不同,於 • 考慮費用 '電氣特性、接續信賴性上而決定。本發明於使 - 用任一種手法時均爲有效。 又,亦可進行做爲永久光阻之防焊層印刷代替進行化 學鑛金(圖1 (η))。防焊層16爲於配線上及絕緣層上印 . 刷,且曝光、顯像下,於實際裝配上所必要之處所以外形 φ 成。防焊層亦可使用PSR-4000 (太陽油墨股份有限公司製 、商品名)等之光防焊層。此處防焊層與C階段之絕緣層 的黏著強度多成爲問題,但於本發明中因爲具有黏著補助 劑曆,故提高黏著性。本發明之一態樣的印刷配線板因具 有黏著補助劑層,故耐吸濕、耐熱性優良,且其後之焊料 [§]流處理等之不適難發生。 以下,根據實施例更加具體說明本發明。 (實施例1) -48 - (45) (45)1330058 以下示出製作金屬箔A。 (金屬箔A) 於寬510mm、厚度35μιη之電解銅箔(載體銅箔)的 光澤面以下述條件連續進行鍍鉻,形成1.0 mg/dm2厚度 之鍍鉻層(剝離層)。鍍鉻形成後之表面粗度 Rz = 0.5 μιη 。還有,表面粗度爲根據nS-B-0601測定。 鍍鉻條件
液組成:三氧化鉻250 g/L、硫酸2.5 g/L 浴溫:25 °C 陽極:鉛 電流密度20 A/dm2 其次以下述所示之光澤條件進行厚度2.0 μτη之電鍍 鍍銅。電鍍鍍銅終了後之金屬筢表面粗度Rz = 0.6 μπι。 鍍硫酸銅條件 液組成:硫酸銅五水合物100 g/L、硫酸150 g/L、氯 化物離子30 ppm 浴溫:2 5 °C 陽極:鉛 電流密度:1〇 A/dm2 其次以下述所主之電鍍進行鋅防銹處理。
液組成:鋅20 g/L、硫酸70 g/L -49- (46) 1330058 浴溫:40 °C 陽極:鉛 * 電流密度:1 5 A/dm2 電解時間:1 0秒 其次接著進行下述所示之鉻酸鹽處理。
. 液組成:鉻酸5 .Og/L pH 1115 φ 浴溫:5 5 t 陽極:鉛 浸漬時間:5秒 其次進行下述所示之矽烷偶合劑處理。 液組成:3-胺丙基三甲氧基矽烷 5.0 g/L 液溫:2 5 °C 浸漬時間:5秒 • 矽烷偶合劑處理後,將金屬箔以120 °C乾燥令偶合 # 劑吸黏至金屬箔表面。此時之金屬箔表面粗度爲Rz = 0.6 μπι 〇 作成由下述組成所構成的樹脂組成物Α。樹脂組成物 A爲於其後之步驟中被使用做爲黏著補助劑。 (樹脂組成物A) •具有聯苯構造之酚醛清漆型環氧樹脂' NC3000S-H (日本化藥股份有限公司製) 80重量份 •羧酸改質丙烯腈丁二烯橡膠粒子、XER-91SE-15 -50- (47) 1330058 (JSR股份有限公司)5重量份 •含有三哄環之甲酚酚醛清漆型苯酚樹脂、Phenol ite ' EXB-9829 (氮含量18%、羥基當量151、大日本油墨化學 工業股份有限公司製)9重量份 •含酚性羥基之磷化合物、HCA-HQ (三光股份有限 • 公司製)26重量份 . .無機充塡劑、球狀矽石、Adomafine SC-2050 φ (Adomatex股份有限公司製)40重量份 •咪唑衍生物化合物、1-氰乙基-2-苯基咪唑啉錫偏苯 三酸酯、IPZ-CNS (四國化成工業股份有限公司製) 0.24 重量份 •溶劑、甲基乙基酮 作成下述所示之樹脂組成物B。樹脂組成物B爲於其 後之步驟中被使用做爲絕緣層。 •(樹脂組成物B) 將聚苯醚樹脂 (PKN 4752、日本GE Plastic股份有 限公司製商品名)20重量%、2,2-雙 (4-氰醯苯基)丙 烷 (Arocy Β·1〇、旭 Ciba股份有限公司製商品名)40 重量%、含磷之苯酚化合物(HCA-HQ、三光化學股份有 限公司製商品名)8重量%、環烷酸錳 (Μη含量=6重量 %、日本化學產業股份有限公司製)0.1重量%、2,2-雙 (4_縮水甘油苯基)丙烷 (DER3 3 1 L、Dow Chemical日本 股份有限公司製商品名)3 2重量%於甲苯中以8 0 。(:加熱 -51 - (48) 1330058 熔融,製作聚苯醚-氰酸酯系樹脂組成物清漆。 製作下述所示之金屬箔B。金屬箔B爲於金屬箔A上 塗佈黏著補助劑之樹脂組成物A的附黏著補助劑之金屬箔 . (金屬箔B) 於金屬箔A之矽烷偶合劑處理面,塗佈黏著補助劑之 φ 樹脂組成物A。塗佈後以160 °C進行1分鐘左右之乾燥 至殘留溶劑爲1 1 %以下,作成金屬箔B。塗佈之樹脂組成 物A的厚度爲2.0 μιη。 其次,將樹脂組成物Β於0.2mm厚之玻璃布(坪量 210 g/m2)中含浸且以120 °C乾燥5分鐘取得預浸漬物。 將此預浸漬物4枚與上下已塗佈樹脂組成物A之面爲接觸 預浸漬物般疊層金屬箔 B。其次,將其以 170 °C、 ' 2.45MPa之條件加壓成形1小時。其後,將銅箔上之載體 ^ 箔削片製造圖1 (a)所示般由預浸漬物1、黏著補助劑層 3及金屬箱2所構成的貼銅層合板。 如圖1 (b)所示般,由金屬箔上以碳酸氣衝擊雷射挖 孔機L-5 00 (住友重機械工業股份有限公司製、商品名) ,控出直徑80 μτη之貫通貫穿孔4。其次,將其於過錳酸 鉀65克/升和氫氧化鈉40克/升之混合水溶液中,以液溫 70 °C浸漬20分鐘,進行塗片之除去。 其後,斌予鈀觸媒HS-201B (日立化成工業股份有限 公司製、商品名)。其後,使用CUST-201 (日立化成工業 -52- (49) 1330058 股份有限公司製、商品名),且以液溫2 5 °C、3 0分鐘之 條件進行化學鍍銅,形成圖1 (c)所示般之厚度0.5 μηι 的化學鍍銅層5。鈀觸媒之賦予條件示於表1。
處理步驟 處理液 處理條件 洗淨劑 CLC-50 1 6 0 °C、5 分 熱水洗 純水 40 °C、4 分 蝕刻 過氧基二硫酸銨 1 87g/l 2 5 °C、1 〇 秒 流水洗 純水 2 5 °C、3 分 酸處理 1 Ovol%硫酸 25 °C、3 分 流水洗 純水 25 °C、2 分 賦予觸媒前處理 PD301 25 〇C、2 分 賦予觸媒處理 HS-201 B 25 °C、8 分 流水洗 純水 25 °C、3 分 密黏促進劑 ADP-20 1 25 °C、4 分 流水洗 純水 25 °C ' 2 分 如圖1 (d)所示般,將乾薄膜光阻RY-3325 (日立化 成工業股份有限公司、商品名),於化學鍍層之表面疊層 。其次,於進行化學鍍銅之處,透過光罩以紫外線曝光, 並顯像形成光阻6。 -53- (50) 1330058 如圖1 (e)所示般,使用硫酸銅浴,以液溫25 °C ' 電流密度]·〇 A/dm2之條件’將電解鍍銅進行2〇 μιη左右 。並以最小一路導體寬/電路導體間隔(L/S) =23/17形成 電路圖案7。 其次如圖1 (f)所示般,以光阻剝離液HTO ( • Nichigo Moton股份有限公司製、商品名)進行乾薄膜之 除去。其後使用H2S04 100g/L、H2〇2 10g/L組成之蝕刻 φ 液蝕刻除去圖案部以外之銅,製作核心基板。核心基板之 絕緣層的表面粗度Rz = 0.5 μηι。導體電路之表面粗度 Rz=1.2 μηι。還有,表面粗度爲根據JIS-B-0601測定。 其次於導體電路表面進行Ιμπι之化學鍍鎳後,進行 下述所示之矽烷偶合劑處理。
液組成:3-胺丙基三甲氧基矽烷5.0g/L
液溫:2 5 °C •浸漬時間:1 0秒 (•其次將基板全體於樹脂組成物A之溶液中浸漬,拉起 後進行160 °C 1分鐘乾燥令殘留溶劑爲1 %以下,如圖1 (g)所示將基板全體以樹脂組成物A塗層形成黏著補助劑 層8。塗層厚爲乾燥後約2 μηι。 於塗層後之核心基板上將含浸該樹脂組成物Β之厚度 6 0 μπι的預浸漬物與金屬箔Β疊層。其次,以170 °C、 2.45MPa之條件力卩壓成形丨小時,並將銅箔上之載體箔削 片下製作圖1 (h)所示般形成絕緣層9、黏著補助劑層11 及金屬箔10的基板。 -54- (51) 1330058 如圖〗(i)所示般,由金屬箔上以碳酸氣衝擊雷射控 孔機L- 5 00 (住友重機械工業股份有限公司製、商品名) ,控出最小直徑50 μηι之IVH12,並於過錳酸鉀65克/升 和氫氧化鈉40克/升之混合水溶液中,以液溫70 °C浸漬 20分鐘,進行塗片之除去。 . 其次’賦予鈀觸媒HS-201B (日立化成工業股份有限 . 公司製、商品名)。其後,使用CUST-201 (日立化成工業 # 股份有限公司製、商品名),且以液溫25 °C、30分鐘之 條件進行化學鍍銅,形成圖1 (j)所示般之厚度〇. 5 μπι的 化學鍍銅層13。鈀觸媒之賦予條件示於表2。 -55- (52) 1330058
處理步驟 處理液 處理條伴 洗淨劑 CLC-501 6〇 °C、5 分 熱水洗 純水 40 〇C、4 分 蝕刻 過氧基二硫酸銨 25 〇C、1〇 1 87g/l 秒 流水洗 純水 2 5 °C、3 分 酸處理 1 Ovol%硫酸 2 5 °C ' 3 分 流水洗 純水 25 °C、2 分 賦予觸媒前處理 PD301 "― 2 5 °C、2 分 賦予觸媒處理 HS-20 1 B 25 〇C、8 分 流水洗 純水 2 5 °C、3 分 密黏促進劑 ADP-20 1 25 °C、4 分 流水洗 純水 2 5 °C、2 分 如圖1 (k)所示般,將乾薄膜光阻RY-3 3 25 (日立化 成工業股份有限公司、商品名),於化學鑛層之表面疊層 。其次,於進行化學鍍銅之處,透過光罩以紫外線曝光, 並顯像形成光阻1 4。 如圖1 ( Μ所示般,使用硫酸銅浴,以液溫2 5 °C 、電流密度1.0 A/dm2之條件,將電解鍍銅進行20 μπι左 右。並以最小一路導體寬/電路導體間隔 (L/S) =23/17形 成電路圖案15 » -56- (53) 1330058 其次如圖](m)所示般,以光阻剝離液 HTO ( Nichigo Moton股份有限公司製、商品名)進行乾薄膜之 除去。其後使用H2S04 l〇〇g/L、H2〇2 l〇g/L組成之蝕刻 液蝕刻除去圖案部以外之銅。蝕刻後之最小電路導體寬/ 電路導體間隔(L/S) =20/20 μηι。 其次如圖1 (η)所示般於最外層進行化學鍍金,形成 鍍金層1 6,製作印刷配線板。還有,化學鏟金之條件示於 (54) (54)1330058 表3 步驟 溶液 濃度 液溫 浸漬時間 脫脂 Z-200 60 °C 1分 水洗 25 °c 2分 軟蝕刻 過硫酸鞍 lOOg/L 25 °c 1分 水洗 25 °c 2分 酸洗 硫酸 1 Ovol% 25 °c 1分 水洗 25 °c 2分 活化處理 SA-100 25 °c 5分 水洗 25 °c 2分 化學鍍鎳磷 NIPS-100 85 °c 20分 水洗 25 °c 2分 化學鍍鎳硼 Top Chemially 66 65 °c 5分 水洗 25 °c 2分 化學鍍鈀 Palet 70 °c 5分 水洗 25 °c 2分 取代鑛金 HGS-100 85 °c 10分 水洗 25 °c 2分 化學鍍金 HGS-2000 65 °c 40分 注)Z-200 (World Metal股份有限公司製、商品名) SA-100 (日立化成工業股份有限公司製、商品名) NIPS-100 (日立化成工業股份有限公司製、商品名) Top Chemialloy 66 (奧野藥品工業股份有限公司製、 商品名) -58 - (55) 1330058
Palet (小島化學藥品股份有限公司製、商品名) HGS-100 (日立化成工業股份有限公司製、商品名) HGS-2 000 (日立化成工業股份有限公司製、商品名) (實施例2) 於實施例1中,製作樹脂組成物A時,將具有聯苯構 造之酚醛清漆型環氧樹脂 (NC3000S-H)之配合量由80 φ 重量份變更成82.8重量份,且將含三哄環之甲酚酚醛清 漆型苯酚樹脂 (Phenolite EXB-9829)之配合量由9重量 份變更成I 2 · 2重量份,其他,同實施例1處理製作印刷 配線板。 (實施例3) 於實施例1中,製作金屬箔B時,將樹脂組成物A之 * 厚度由2.0 μπι變更成5 μιη之厚度以外,同實施例1處理 φ 製作印刷配線板。 (實施例4) 於實施例1中,將金屬箔Α之矽烷偶合劑處理中所用 之矽烷偶合劑處理液中之3-胺丙基三甲氧基矽烷變更成3-縮水甘油氧丙基三甲氧基矽烷以外,同實施例〗處理製作 印刷配線板。 (實施例5) -59- (56) 1330058 於實施例中,製作樹脂組成物A時,使用丁二烯橡 膠-丙烯酸樹脂之核殼粒子EXL-2655 (吳羽化學工業股份 有限公司)10重量份代替羧酸改質丙烯腈丁二烯橡膠粒 子5重量份。其他,同實施例1處理製作印刷配線板。 . (實施例6) 於實施例1之步驟(g)中,使用60 μιη之預浸漬物 φ GEA-679-FG (日立化成工業股份有限公司製、商品名)代 替樹脂組成物Β所得之預浸漬物。其他,同實施例1處理 製作印刷配線板。 (實施例7) 製作金屬箔Β時,除了將金屬箔Α所塗佈之樹脂組成 物A的厚度由2μηι變更成8 μηι以外,同實施例1處理製 -作印刷配線板。 (比較例1) 於實施例1之步驟 (g)中,除了將樹脂組成物A塗 層後之核心基板上以金屬箔A疊層代替以含浸樹脂組成物 B之預浸漬物與金屬箔B疊層以外,同實施例1處理製作 印刷配線板。 (導體削片強度之測定) 測定實施例1及比較例1用之印刷配線板(樣品) -60- (57) 1330058 之導體削片強度,且削片爲測定垂直削片強度。削片強度 爲測初期値、及以丨5 0 °C加熱2 4 0小時後之値。測定常 以20 °C進行。測定條件示於表4。 表4導體削片強度試驗條件 項目 條件 裝置 島津製作所(株)製Autograph AC-100C 削片速度 5 Omm/min 試驗 1mm
(吸濕耐熱試驗) 進行實施例1 及比較例1之樣品的吸濕耐熱試驗。 具體而言,將各樣品以121 °C、濕度100%、2氣壓之條 件處理96小時。還有,試驗中使用平山製作所製飽和型 PCT 裝置 PC-242。 其後,進行樣品是否發生膨脹等之確認。又,樣品之 導體削片強度於20 °C中測定。 (接續信賴性評價)
進行實施例1〜7、比較例1所得之印刷配線板的接續 信賴性評價。接續信賴性評價爲使用圖2所示之圖案。圖 2中之圖案爲具備導體電路17' IVH 18及絕緣層19。表5 中示出圖2所示圖案之樣式。接續信賴性評價爲以-65 °C -61 - (58) 1330058 30分鐘至125 °C 30分鐘爲一循環,若100循環後之電阻 値變化爲初期値之± I 0%以內則爲合格。 表5接續信賴性評價圖案之樣式 單位 使用 IVH徑 μπι 80 IVH間距 mm 1.27 內層墊片徑 μπα 150 外層合模面徑 μηι 1 50 IVH數 個 400
(試驗結果) 試驗結果示於表6。實施例1〜7中,導體削片強度之 * 初期値、1 50 °C 240小時後、吸濕耐熱試驗後均爲高至 ® 〇.7kN/m以上之値。又,吸濕耐熱試驗後亦無腫脹,且持 續信賴性亦爲良好之結果。 另一方面,若根據比較例1,則導體削片強度弱,且 於吸濕耐熱試驗後內層導體與絕緣層之間發生腫脹。又, 持續信賴性亦未取得良好的結果。 -62- (59) (59)1330058 表6 削片強度(kN/m) 膨脹吸濕 耐熱試驗後 接續 信賴性 初期 150 〇C 240 小時後 吸濕耐熱 試驗後 實施例1 1.2 1 .1 1 無 良 實施例2 1.2 1.1 1 Μ 良 實施例3 1.3 1 .2 1.1 te 良 實施例4 1.1 0.9 0.9 Μ j\\\ 良 實施例5 1.2 1.1 1 .1 無 良 實施例6 1.2 1.1 1.1 /IVX 良 實施例7 1.3 1.2 1.1 Artr M 良 比較例1 0.3 0.3 0.2 有 不良 (實施例8) 於實施例1之步驟 (a)中,使用0.6mm厚之預浸漬 物GE-5 7 9-FG (日立化成工業股份有限公司製、商品名) 代替所得之預浸漬物製造貼銅層合板。又,於步驟 (f) 及(g)中,令核心基板作成後予以矽烷偶合劑處理,且 基板全體於樹脂組成物A之溶液中浸漬形成黏著補助劑層 B,以核心基板作成未進行矽烷偶合劑處理,且基板全體 於樹脂組成物C之溶中浸漬形成黏著補助劑層8代替。更 且,令步驟 (η)中進行化學鍍金形成鏟金層16,以塗佈 光感光性之防焊層PSR-4〇00 (太陽油墨製造股份有限公司 -63- (60) 1330058 製 '商品名)代替,且於曝光顯像下製作圖〗(η)所示之 印刷配線板。上述以外,同實施例1處理進行。 * 還有,樹脂組成物C爲如下作成。樹脂組成物C爲黏 著補助劑。 . (樹脂組成物C) 於具備迪安-斯達克(Dean-Stark)迴流冷卻器、溫度 • 計 '攪拌器之500毫升可分離式燒瓶中加入做爲脂環式二 胺化合物的 (4,4'-二胺基)二環己基甲烷 (〇nedamine HM (簡寫WHM)新日本理化(股)製商品名)45毫莫耳 '做爲矽氧烷二胺的反應性矽油X-22-161-B (信越化學工 業(股)製商品名、胺當量1 5〇〇) 5毫莫耳、偏苯三酸酐 (TMA) 105毫莫耳、做爲非質子性極性溶劑的N_甲基-2_ 吡咯烷酮(NMP) 1 45克,且以80 °C攪拌30分鐘。 • 攪拌終了後’加入做爲可與水共沸之芳香族烴類的甲 # 苯1 〇〇毫升,令溫度升溫至160 °C且迴流2小。確認水 分定量受器中貯存理論量之水,且未察見水流出後,除去 水分定量受器中之水和甲苯,且令溫度上升至19〇 r爲 止除去反應溶液中的甲苯。 將燒瓶之溶液冷卻至室溫後,加入做爲二異氰酸酯的 4,4'-二苯基甲烷二異氰酸酯(MDI)60毫莫耳),且將 溫度上升至190 °C反應2小時取得聚醯胺醯亞胺樹脂的 NMP溶液。其次將環氧樹脂YDCN-500-10 (東都化成公司 製)以總固形成分重量之1〇 %般配合,再將做爲硬化促進 -64 - (61) 1330058 劑之2-乙基-4-甲基咪唑以環氧樹脂之固形成分的lwt%加 入,並以二甲基乙醯胺稀釋,取得熱硬化樹脂的清漆(固 形成分1 〇 %)。 (實施例9) • 於實施例8之步驟(g)中,將基板全體於樹脂組成 . 物 C之溶液中浸漬,且拉起後進行1 60 °C 1 0分鐘乾燥 Φ 令殘留溶劑爲1 %以下,代替基板全體以樹脂組成物C塗 層,並蝕刻導體電路,製作3 μηι左右的凹凸。其他爲同 實施例1處理製作基板。鈾刻上用CZ處理(Mec股份 有限公司製、商品名)。 (實施例10) 於實施例8中,製作金屬箔B時,除了將樹脂組成物 • A之度由2 μηι變更成5 μηι以外,同實施例8處理製作基 (比較例2) 於實施例8之步驟 (h)中,令塗層後之核心基板上 以金屬箔A疊層代替以含浸樹脂組成物B之預浸漬物與金 屬箔B疊層。其他爲同實施例8處理製作基板。 (吸濕耐熱試驗) 進行實施例8~ 1 0、比較例2所製作之印刷配線板的吸 -65- (62) 1330058 濕耐熱試驗。所得之各印刷配線板(樣品)以1 21 t ' 濕度1 0 0 %、2氣壓之條件處理9 6小時。其後,進行基板 是否發生膨脹等之試驗。試驗中使用平山製作所製飽和型 PCT 裝置 PC-242。 . (吸濕焊料試驗) 進行實施例8~1 0、比較例2所製作基板之吸濕焊料試 Φ 驗。基板之試驗爲將各樣品以121 °C、濕度100 °C、2 氣壓之條件處理1小時,其後於2 8 8 °C之焊料槽中浸漬 。其後,確認是否發生膨脹等之異常。試驗中使用平山製 作所製飽和型PCT裝置PC-242。 (試驗結果) 實施例8〜1 0、比較例2所製作之樣品的試驗結果示於 , 表7。如表7所示般’實施例8〜1 0所製作之樣品爲具有黏 φ 著補助劑層,故無特別之異常發生,但比較例2所製作之 基板爲於基材與防焊層之間發生膨脹。 表7 吸濕耐熱試驗 吸濕焊料試驗 實施例8 無異常 無異常 實施例9 無異常 無異常 實施例1 〇 無異常 無異常 比較例2 於樹脂·樹脂間膨脹 於樹脂-樹脂間膨脹 -66- (63) 1330058 【圖式簡單說明】 圖1爲示出本發明之一實施態樣之印刷配線板之製造 步驟之一例的剖面圖。 圖2爲實施例所用之接續信賴性評價用之樣品的剖面 圖。
【主要元件符號說明】 1 預 浸 漬 物 2, 10 金 屬 箔 3, 8,1 1 接 著 補 助 劑層 4 通 孔 5, 13 化 學 鍍 銅 層 6, 14 光 阻 7, 15 電 路 圖 案 P 絕 緣 層 -67-

Claims (1)

1330058 ‘ 十、申請專利範圍 第95 1 42602號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國99年1月11日修正 1. 一種印刷配線板,係爲具有複數層的多層印刷配線 板,其特徵爲於絕緣層與絕緣層之間具有附黏著補助劑’ φ 該黏著補助劑層係具有由飽和烴所構成之單位成份之聚醯 ' 胺醯亞胺做爲必須成分。 • 2. —種印刷配線板,係爲於最外層具有防焊層的印刷 .配線板,其特徵爲於絕緣層與防焊層之間具有附黏著補助 劑,該黏著補助劑層係具有由飽和烴所構成之單位成份之 聚醯胺醯每胺樹脂做爲必須成分。 3 .如申請專利範圍第1或2項之印刷配線板,其中該 附黏著補助劑之厚度爲0.1〜10 μιη之範圍。 ή # 4.如申請專利範圍第1項或第2項之印刷配線板,其 爲包含與該聚醯胺醯亞胺反應而使其交聯的硬化成分。
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Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101321700B1 (ko) * 2005-12-06 2013-10-25 아이솔라 유에스에이 코프 고속 및 고주파 인쇄 회로 기판용 라미네이트
WO2007125922A1 (ja) * 2006-04-25 2007-11-08 Hitachi Chemical Company, Ltd. 接着層付き導体箔、導体張積層板、印刷配線板及び多層配線板
CN102270669A (zh) * 2007-05-09 2011-12-07 日立化成工业株式会社 导电体连接用部件、连接结构和太阳能电池组件
KR101248636B1 (ko) * 2007-05-09 2013-04-01 히타치가세이가부시끼가이샤 도전체의 접속 방법, 도전체 접속용 부재, 접속 구조 및 태양 전지 모듈
US7605460B1 (en) * 2008-02-08 2009-10-20 Xilinx, Inc. Method and apparatus for a power distribution system
TWI461848B (zh) * 2008-03-28 2014-11-21 Fujifilm Corp 正型感光性樹脂組成物及使用它的硬化膜形成方法
CN101983126B (zh) * 2008-04-04 2015-07-15 日立化成工业株式会社 双片层合且单面贴有金属箔的层叠板及其制造方法、以及单面印制电路板及其制造方法
US8240036B2 (en) 2008-04-30 2012-08-14 Panasonic Corporation Method of producing a circuit board
TWI347807B (en) * 2008-05-13 2011-08-21 Unimicron Technology Corp Electrically interconnect structure and process thereof and circuit board structure
US8866022B2 (en) 2009-09-02 2014-10-21 Panasonic Corporation Printed wiring board, build-up multi-layer board, and production method therefor
JP5428667B2 (ja) * 2009-09-07 2014-02-26 日立化成株式会社 半導体チップ搭載用基板の製造方法
US9332642B2 (en) * 2009-10-30 2016-05-03 Panasonic Corporation Circuit board
US8929092B2 (en) 2009-10-30 2015-01-06 Panasonic Corporation Circuit board, and semiconductor device having component mounted on circuit board
KR101161971B1 (ko) * 2010-07-21 2012-07-04 삼성전기주식회사 다층 회로 기판 및 다층 회로 기판의 제조 방법
US8617990B2 (en) 2010-12-20 2013-12-31 Intel Corporation Reduced PTH pad for enabling core routing and substrate layer count reduction
JP6065845B2 (ja) * 2012-01-31 2017-01-25 三菱瓦斯化学株式会社 プリント配線板材料用樹脂組成物、並びにそれを用いたプリプレグ、樹脂シート、金属箔張積層板及びプリント配線板
CN102664114B (zh) * 2012-05-28 2015-07-08 山东数智体育设备有限公司 塑胶组合式触板
US10323126B2 (en) * 2012-11-28 2019-06-18 Hitachi Chemical Company, Ltd. Siloxane compound, modified imide resin, thermosetting resin composition, prepreg, film with resin, laminated plate, multilayer printed wiring board, and semiconductor package
KR101397221B1 (ko) * 2013-05-30 2014-05-20 삼성전기주식회사 열전도도 및 전기적 특성이 우수한 인쇄회로기판용 절연 수지 조성물, 절연필름, 프리프레그 및 인쇄회로기판
CN103384453B (zh) * 2013-07-11 2016-05-11 电子科技大学 一种印制电路内层可靠孔和线的加工方法
CN104684265B (zh) * 2013-12-02 2018-01-26 深南电路有限公司 一种电路板表面电镀的方法
TWI667276B (zh) * 2014-05-29 2019-08-01 美商羅傑斯公司 具改良耐燃劑系統之電路物質及由其形成之物件
CN104411093A (zh) * 2014-11-05 2015-03-11 深圳市新宇腾跃电子有限公司 一种单面柔性电路板的生产工艺
US10950532B2 (en) * 2014-12-17 2021-03-16 Mitsui Chemicals, Inc. Substrate intermediary body, through-hole via electrode substrate, and through-hole via electrode formation method
KR101753225B1 (ko) 2015-06-02 2017-07-19 에더트로닉스코리아 (주) Lds 공법을 이용한 적층 회로 제작 방법
CN107852828B (zh) * 2015-08-21 2020-03-17 住友电气工业株式会社 印刷线路板用基板、印刷线路板以及印刷线路板用基板的制造方法
CN106626580B (zh) 2015-10-28 2019-12-24 财团法人工业技术研究院 复合积层板
US10233365B2 (en) 2015-11-25 2019-03-19 Rogers Corporation Bond ply materials and circuit assemblies formed therefrom
JP6246857B2 (ja) * 2016-05-24 2017-12-13 Jx金属株式会社 ロール状積層体、ロール状積層体の製造方法、積層体の製造方法、ビルドアップ基板の製造方法、プリント配線板の製造方法、電子機器の製造方法
JPWO2018043682A1 (ja) * 2016-09-01 2019-06-24 Agc株式会社 配線基板およびその製造方法
CN111819077B (zh) * 2018-03-09 2023-07-07 株式会社有泽制作所 层叠体及其制造方法
US20190287872A1 (en) * 2018-03-19 2019-09-19 Intel Corporation Multi-use package architecture
CN110545625B (zh) * 2018-05-29 2021-11-02 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 柔性电路板及所述柔性电路板的制作方法
KR102109636B1 (ko) * 2018-07-19 2020-05-12 삼성전기주식회사 칩 인덕터 및 그 제조방법
CN109152222A (zh) * 2018-09-19 2019-01-04 中山市瑞宝电子科技有限公司 一种新型褪膜方法
US10827627B2 (en) * 2019-03-21 2020-11-03 Intel Corporation Reduction of insertion loss in printed circuit board signal traces

Family Cites Families (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2897186A (en) * 1956-02-21 1959-07-28 Pharma Chemical Corp Diazoamino dye intermediates
US3661863A (en) * 1970-06-11 1972-05-09 Phillips Petroleum Co Copoly(amide-imide)s comprising the reaction product of a diacid,a triacid and bis(4-aminocyclohexyl)methane
US3827927A (en) * 1971-12-30 1974-08-06 Trw Inc Method of bonding using improved polyimide adhesives
JPH0710967B2 (ja) * 1985-02-04 1995-02-08 日立化成工業株式会社 印刷配線板基板用接着剤
US5212244A (en) * 1987-11-04 1993-05-18 Hitachi, Ltd. Thermosetting resin composition, and prepreg and laminated sheet which use the same
JPH01276789A (ja) * 1988-04-28 1989-11-07 Mitsubishi Cable Ind Ltd 金属ベース基板
US5153987A (en) * 1988-07-15 1992-10-13 Hitachi Chemical Company, Ltd. Process for producing printed wiring boards
US5053280A (en) * 1988-09-20 1991-10-01 Hitachi-Chemical Co., Ltd. Adhesive composition for printed wiring boards with acrylonitrile-butadiene rubber having carboxyl groups and 20 ppm or less metal ionic impurities; an alkyl phenol resin; an epoxy resin; palladium catalyst, and coupling agent
JPH04182466A (ja) 1990-11-19 1992-06-30 Mitsubishi Gas Chem Co Inc ビストリメリティックイミド類の製造方法
JPH04207097A (ja) * 1990-11-30 1992-07-29 Nitto Denko Corp フレキシブル配線板
JPH0557835A (ja) * 1991-09-03 1993-03-09 Matsushita Electric Works Ltd 金属箔張り積層板
JPH0787270B2 (ja) * 1992-02-19 1995-09-20 日鉱グールド・フォイル株式会社 印刷回路用銅箔及びその製造方法
JP3346495B2 (ja) 1992-08-07 2002-11-18 日立化成工業株式会社 フォトビア形成用感光性エレメント及び多層配線板の製造法
JPH06116517A (ja) 1992-10-02 1994-04-26 Hitachi Chem Co Ltd 導電性ペースト組成物およびその製造法
JP2717911B2 (ja) * 1992-11-19 1998-02-25 日鉱グールド・フォイル株式会社 印刷回路用銅箔及びその製造方法
JP3067512B2 (ja) 1993-03-30 2000-07-17 新神戸電機株式会社 金属箔張り積層板の製造法およびその製造に用いる金属箔
US5622782A (en) * 1993-04-27 1997-04-22 Gould Inc. Foil with adhesion promoting layer derived from silane mixture
TW326423B (en) 1993-08-06 1998-02-11 Gould Inc Metallic foil with adhesion promoting layer
US5419946A (en) * 1993-09-30 1995-05-30 Hitachi Chemical Co., Ltd. Adhesive for printed wiring board and production thereof
JP3534194B2 (ja) 1994-01-31 2004-06-07 日立化成工業株式会社 金属薄層付き絶縁基板の製造法
JPH07329246A (ja) * 1994-06-08 1995-12-19 Hitachi Chem Co Ltd 金属張り積層板及びその製造法
JPH08302161A (ja) * 1995-05-10 1996-11-19 Hitachi Chem Co Ltd 樹脂組成物及びその樹脂組成物をケミカルエッチングする方法
JP2778569B2 (ja) 1996-01-22 1998-07-23 日立エーアイシー株式会社 多層印刷配線板およびその製造方法
JPH104254A (ja) 1996-06-14 1998-01-06 Ibiden Co Ltd プリント配線板の製造方法
JPH10242635A (ja) 1997-02-25 1998-09-11 Hitachi Chem Co Ltd 金属ベース基板の製造方法
WO1998040915A1 (fr) * 1997-03-10 1998-09-17 Seiko Epson Corporation Composant electronique et dispositif a semi-conducteurs, procede de fabrication correspondant, carte a circuit imprime ainsi equipee, et equipement electronique comportant cette carte a circuit imprime
JP3975552B2 (ja) 1997-05-09 2007-09-12 大日本インキ化学工業株式会社 フェノール樹脂組成物及びフェノール樹脂の製造方法
US6596391B2 (en) * 1997-05-14 2003-07-22 Honeywell International Inc. Very ultra thin conductor layers for printed wiring boards
JPH1174641A (ja) 1997-08-29 1999-03-16 Kyocera Corp 多層配線基板
JP3651210B2 (ja) 1997-10-29 2005-05-25 日立化成工業株式会社 シロキサン含有ポリアミドイミド及びそれを含むワニス
JPH11214844A (ja) * 1998-01-27 1999-08-06 Matsushita Electric Works Ltd 多層板の製造方法
US6565954B2 (en) * 1998-05-14 2003-05-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit board and method of manufacturing the same
KR100635897B1 (ko) * 1998-12-22 2006-10-18 히다찌 가세이 고오교 가부시끼가이샤 접착제 코팅된 구리 호일, 구리-클래딩된 적층물 및 이를사용한 인쇄 배선판
JP3320670B2 (ja) 1999-03-10 2002-09-03 松下電工株式会社 エポキシ樹脂組成物、その製造方法、および樹脂付き金属箔、ならびにそれを用いた多層プリント配線板
JP3670185B2 (ja) 2000-01-28 2005-07-13 三井金属鉱業株式会社 プリント配線板用表面処理銅箔の製造方法
JP3714399B2 (ja) 2000-06-19 2005-11-09 信越化学工業株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2002012740A (ja) 2000-06-29 2002-01-15 Nippon Kayaku Co Ltd 難燃性エポキシ樹脂組成物及びその用途
US6380633B1 (en) * 2000-07-05 2002-04-30 Siliconware Predision Industries Co., Ltd. Pattern layout structure in substrate
JP2002084073A (ja) 2000-09-07 2002-03-22 Ibiden Co Ltd 多層プリント配線板および多層プリント配線板の製造方法
JP4863032B2 (ja) 2000-11-02 2012-01-25 日立化成工業株式会社 薄板状物品の加工方法とその加工方法を用いた接続基板の製造方法と接続基板と多層配線板の製造方法と多層配線板と半導体パッケージ用基板の製造方法と半導体パッケージ用基板と半導体パッケージの製造方法と半導体パッケージ
CN1195395C (zh) * 2001-01-30 2005-03-30 日鉱金属股份有限公司 积层板用铜合金箔
JP4900631B2 (ja) 2001-02-07 2012-03-21 Dic株式会社 エポキシ樹脂組成物
JP3434808B2 (ja) * 2001-05-31 2003-08-11 三井金属鉱業株式会社 樹脂付銅箔及びその樹脂付銅箔を用いたプリント配線板
CN1247698C (zh) * 2001-07-09 2006-03-29 钟渊化学工业株式会社 树脂组合物
JP4155193B2 (ja) * 2001-09-05 2008-09-24 日立化成工業株式会社 難燃性耐熱性樹脂組成物、これを用いた接着剤フィルム
JP4032712B2 (ja) 2001-11-22 2008-01-16 日立化成工業株式会社 プリント配線板の製造方法
JP2003198122A (ja) 2001-12-28 2003-07-11 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 配線板の製造方法
JP4370074B2 (ja) 2002-02-04 2009-11-25 日本電解株式会社 プリント配線板用銅箔とその製造方法
JP4241098B2 (ja) 2002-03-05 2009-03-18 日立化成工業株式会社 金属張積層板、これを用いたプリント配線板およびその製造方法
JP2003264373A (ja) 2002-03-08 2003-09-19 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd プリント配線板用積層体
US6815126B2 (en) * 2002-04-09 2004-11-09 International Business Machines Corporation Printed wiring board with conformally plated circuit traces
JP2004014611A (ja) 2002-06-04 2004-01-15 Hitachi Chem Co Ltd 支持体付き絶縁フィルム、多層配線板およびその製造方法
JP4618969B2 (ja) 2002-07-11 2011-01-26 日本電解株式会社 多層プリント配線板の製造方法
JP4576794B2 (ja) 2003-02-18 2010-11-10 日立化成工業株式会社 絶縁樹脂組成物及びその使用
JP3949676B2 (ja) 2003-07-22 2007-07-25 三井金属鉱業株式会社 極薄接着剤層付銅箔及びその極薄接着剤層付銅箔の製造方法

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