JP3651210B2 - シロキサン含有ポリアミドイミド及びそれを含むワニス - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、芳香族環を3個以上有するジアミン及びシロキサンジアミンの混合物と無水トリメリット酸を反応させて得られるジイミドジカルボン酸の混合物と芳香族ジイソシアネートとを反応させて得られるシロキサン含有ポリアミドイミド及びその製造方法並びにそれを含むワニスに関する。
【0002】
【従来の技術】
ポリアミドイミドは、通常、無水トリメリット酸と芳香族ジイソシアネートとの反応によるイソシアネート法で合成されるか、芳香族ジアミンとトリメリット酸クロライドとの反応による酸クロライド法で合成されている。イソシアネート法では、工業的に製造され市販されている芳香族ジイソシアネートの種類が少なく制限されるために製造できるポリアミドイミドも制限されてしまい特性に幅を持たせることができにくい。一方、酸クロライド法は、副生成するHClを脱離する工程が必要となり、これを除去する等の精製コストが必要となり、高価になるという問題を抱えている。特開平3−181511号公報には、芳香族トリカルボン酸無水物とエーテル結合を有するジアミンとをアミン成分過剰の状態で反応させ、次いで、ジイソシアネートを反応させる二段法を特徴とするポリアミドイミドの製造方法が提案されている。また、特開平4−182466号公報には、芳香族ジアミンと無水トリメリット酸を反応させ純度の高いジイミドジカルボン酸を製造する方法が提案されている。この方法を用いて製造したジイミドジカルボン酸とジイソシアネートを反応させれば、種類の多い芳香族ジアミンをそのまま使用することができること、酸クロライド法のようにHClが副生成することもなく、容易にポリアミドイミドが合成できること、また、副生成物が少なく充分な分子量のポリアミドイミドが合成できることなどが考えられる。
【0003】
一方、ポリジメチルシロキサンはイオン性が高く凝集力の大きな主鎖と、非イオン性で凝集力が弱い側鎖から構成されておりポリマ同士の相互作用しかない状況では主鎖のシロキサン結合を内側に向けたらせん構造をとることが知られている。ポリマにシロキサン骨格を導入するとシロキサン部分のらせん構造によりポリマ一分子の占める空間が大きくなり樹脂のガス透過率が高くなることが知られている。また、シロキサン骨格は熱振動が激しい反面、シロキサン骨格同士の相互作用が小さいことから、樹脂の弾性率、可とう性などの改質を行うことが期待できる。 耐熱性高分子であるポリアミドイミドにシロキサンの骨格を工業的に有利なイソシアネート法で合成できれば、種々の特性をもつ耐熱性高分子を得ることや、一般に高沸点の溶剤を使用して合成されるポリアミドイミドの乾燥効率を高めることが期待できるが、高分子量体を得る方法は従来なかった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
芳香族トリカルボン酸無水物とエーテル結合を有するジアミンとをアミン成分過剰の状態で反応させ、次いでジイソシアネートを反応させる特開平3−181511号公報に提案の方法では、第一段の反応で酸無水物とアミノ基の反応の他にカルボン酸とアミノ基の反応を必要とし、実際、脱水剤を使用している。従って、第一段の反応ですでにオリゴマー化し、第二段のジイソシアネートとの反応では、種々の分子量のオリゴマーとジイソシアネートが反応することになり、複数の反応が競争反応になることから、副生成物ができることが避けられず、特性的に充分な分子量を持つポリアミドイミドが生成できない問題点があった。また、特開平4−182466号公報の方法を用いて、製造したジイミドジカルボン酸とジイソシアネートを反応させれば、工業的に製造され、市販されている種類の多い芳香族ジアミンを使用することができ、得られるポリアミドイミドも目的に応じて改質でき、酸クロライド法のようにHClが副生成することもなく、容易にポリアミドイミドを合成することができる。しかし、芳香族環が2個以下のジアミンを用いると特開平4ー182466号公報に記載されているように、生成したジイミドジカルボン酸が、合成溶媒に不溶になるために、ジイミドジカルボン酸の段階で、ろ過しなければならなくなり、ろ過の工程や精製の工程が増え、コストアップの要因になっている。また、精製したジイミドジカルボン酸の溶解性が低いため、該ジイミドジカルボン酸と芳香族ジイソシアネートを反応させようとしても、分子量が大きくならず、そのワニスをフィルム形状に製膜しようとしても、フィルム形成能に劣る等の欠点があった。
これらの欠点を改良し、芳香環を3個以上含むジアミンと無水トリメリット酸を非プロトン性極性溶媒中で水と共沸可能な芳香族炭化水素とともに反応させ、副生成する水を留去することで、溶解性の高い芳香族ジイミドジカルボン酸を合成し、さらにこのものとジイソシアネートを反応させることで高分子量のポリアミドイミドが合成されている。しかしながらこの方法でジアミンの一部をシロキサンジアミンに置き換えて、合成をしても充分な分子量のシロキサン含有ポリアミドイミドは得られなかった。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明者は上記の欠点を解消すべく、ろ過工程が不要で、高分子量のシロキサン含有ポリアミドイミドの合成を鋭意検討した結果、本発明に到達した。
本発明は、芳香族環を3個以上有するジアミン及びシロキサンジアミンの混合物と無水トリメリット酸を反応させて得られる一般式(1式)及び一般式(2式)で示されるジイミドジカルボン酸を含む混合物と一般式(3式)で示される芳香族ジイソシアネートを反応させて得られるシロキサン含有ポリアミドイミドである。
【0006】
【化4】
Figure 0003651210
【0007】
【化5】
Figure 0003651210
【0008】
【化6】
Figure 0003651210
【0009】
また本発明は、芳香族環を3個以上有する(A)ジアミン及び(B)シロキサンジアミンの混合物(A/B=99.9/0.1〜0.1/99.9モル比)と無水トリメリット酸とを(A+B)の合計モル数/無水トリメリット酸のモル比=1/2.05〜1/2.20で反応させて得られる一般式(1式)及び一般式(2式)で示されるジイミドジカルボン酸を含む混合物と一般式(3式)で示される芳香族ジイソシアネートとを(A+B)の合計モル数/芳香族ジイソシアネートのモル比=1/1.05〜1/1.50で反応させて得られるシロキサン含有ポリアミドイミドであると好ましい。さらに、ジイミドジカルボン酸として(C)2,2−ビス[4−{4−(5−ヒドロキシカルボニル−1,3−ジオン−イソインドリノ)フェノキシ}フェニル]プロパンと(D)ビス(5−ヒドロキシカルボニル−1,3−ジオン−イソインドリノ)プロピルポリジメチルシロキサンの混合物(C/D=99.9/0.1〜0.1/99.9モル比)と芳香族ジイソシアネートとを(C+D)の合計モル数と芳香族ジイソシアネートのモル比1/1.05〜1/1.50で反応させると好ましいシロキサン含有ポリアミドイミドである。
そして本発明は、(A)芳香族環を3個以上有するジアミン及び(B)シロキサンジアミンの混合物(A/B=99.9/0.1〜0.1/99.9モル比)と無水トリメリット酸とを(A+B)の合計モル数と無水トリメリット酸のモル比1/2.05〜1/2.20で非プロトン性極性溶媒の存在下に、50〜90℃で反応させ、さらに水と共沸可能な芳香族炭化水素を非プロトン性極性溶媒の0.1〜0.5重量比で投入し、120〜180℃で反応を行い芳香族ジイミドジカルボン酸とシロキサンジイミドジカルボン酸を含む混合物を製造し、これと芳香族ジイソシアネートとの反応を行うシロキサン含有ポリアミドイミドの製造方法である。そして、ジイミドジカルボン酸を製造した後、その溶液から芳香族炭化水素を除去し、これと芳香族ジイソシアネートとの反応を行うと好ましいシロキサン含有ポリアミドイミドの製造方法である。 また、非プロトン性極性溶媒がN−メチルピロリドンであり、水と共沸可能な芳香族炭化水素がトルエンであると好ましいシロキサン含有ポリアミドイミドの製造方法である。
また、本発明は、前記のようにして得られるシロキサン含有ポリアミドイミドを含むワニスである。
【0010】
【発明の実施の形態】
芳香族環を3個以上有するジアミンとシロキサンジアミンの混合物に無水トリメリット酸を反応させた場合、反応生成物として得られる芳香族ジイミドジカルボン酸とシロキサンジイミドジカルボン酸の混合物も溶解性が高く、次の段階で溶液状態でジイソシアネートと反応させることが可能となり、合成効率が向上する。このとき芳香族ジアミンとシロキサンジアミンの合計モル数に対し2.05〜2.20倍モルの無水トリメリット酸を反応させ、続くジイソシアネートはジアミンの合計モル数の1.10〜1.50倍モル好ましくは1.20〜1.30倍モルの量を反応させることで触媒などを添加することなく高分子量のシロキサン含有ポリアミドイミドを合成することが可能であることを見いだした。
本発明は、前記の芳香族環を3個以上有する(A)ジアミン及び(B)シロキサンジアミンの混合物(A/B=99.9/0.1〜0.1/99.9モル比)と無水トリメリット酸とを(A+B)の合計モル数と無水トリメリット酸のモル比が1/2.05〜1/2.20で反応させて得られる一般式(1式)及び一般式(2式)で示されるジイミドジカルボン酸の混合物と一般式(3式)で示される芳香族ジイソシアネートとをジアミンの合計モル(A+B)に対してモル比1/1.05〜1/1.50で反応させて得られるシロキサン含有ポリアミドイミドである。そして例えば、芳香族ジアミンとして2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパンとシロキサンジアミンとしてジアミノポリジメチルシロキサンの混合物と無水トリメリット酸とを反応させて得られる(C)2,2−ビス[4−{4−(5−ヒドロキシカルボニル−1,3−ジオン−イソインドリノ)フェノキシ}フェニル]プロパンと(D)ビス(5−ヒドロキシカルボニル−1,3−ジオン−イソインドリノ)プロピルポリジメチルシロキサンの混合物(C/D=99.9/0.1〜0.1/99.9モル比)と芳香族ジイソシアネートとして4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネ−トとを(C+D)とのモル比1/1.05〜1/1.50で反応させて得られるシロキサン含有ポリアミドイミドである。また、シロキサン含有ポリアミドイミドを製造する方法においては芳香族環を3個以上有する(A)ジアミン及び(B)シロキサンジアミンの混合物(A/B=99.9/0.1〜0.1/99.9モル比)と無水トリメリット酸とを(A+B)の合計モル数と無水トリメリット酸とをモル比1/2.05〜1/2.20で非プロトン性極性溶媒の存在下に、50〜90℃で反応させ、さらに水と共沸可能な芳香族炭化水素を非プロトン性極性溶媒の0.1〜0.5重量比で投入し、120〜180℃で反応を行い芳香族ジイミドジカルボン酸とシロキサンジイミドジカルボン酸を含む混合物を製造し、これと芳香族ジイソシアネートとの反応を行うシロキサン含有ポリアミドイミドの製造方法であり、芳香族ジイミドジカルボン酸を製造した後、その溶液から芳香族炭化水素を除去し、これと芳香族ジイソシアネートとの反応を行うシロキサン含有ポリアミドイミドの製造方法である。また、本発明はシロキサン含有ポリアミドイミドを含むワニスである。
【0011】
本発明においては、前記の芳香族環を3個以上有するジアミンとシロキサンジアミンの合計モル数に対し2.05〜2.20倍モル量の無水トリメリット酸を反応させて芳香族ジイミドジカルボン酸とシロキサンジイミドジカルボン酸の混合物を合成すると好ましい。この芳香族ジイミドジカルボン酸とシロキサンジイミドジカルボン酸の混合物を製造するに際し、非プロトン性極性溶媒の存在下に、50〜90℃で反応させ、さらに非プロトン性極性溶媒に水と共沸可能な芳香族炭化水素を非プロトン性極性溶媒の0.1〜0.5(10重量%〜50重量%)重量比で投入し、120〜180℃で反応を行う。反応終了後は芳香族炭化水素は蒸留などにより除去し続いて芳香族ジイソシアネートと反応させてシロキサン含有ポリアミドイミドを生成するが、生成したシロキサン含有ポリアミドイミドは前記の非プロトン性極性溶媒に溶解し、溶媒のワニスとして製品とすることができる。
【0012】
本発明で用いる芳香族環を3個以上有するジアミンとしては、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(以下、BAPPと略す)、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]メタン、4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ケトン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン等が例示でき、単独でまたはこれらを組み合わせて用いることができる。BAPPは、ポリアミドイミドの特性のバランスとコスト的に他のジアミンより特に好ましい。
【0013】
本発明で用いるシロキサンジアミンとしては一般式(4式)で表されるものが用いられる。
【0014】
【化7】
Figure 0003651210
【0015】
この様なシロキサンジアミンとしては(5式)で示すものが挙げられ、これらの中でもジメチルシロキサン系両末端アミンであるアミノ変性反応性シリコーンオイルX−22−161AS(アミン当量450)、X−22−161A(アミン当量840)、X−22−161B(アミン当量1500)、以上信越化学工業株式会社製商品名、BY16−853(アミン当量650)、BY16−853B(アミン当量2200)以上東レダウコーニングシリコーン株式会社製商品名などが市販品として挙げられる。
【0016】
【化8】
Figure 0003651210
【0017】
これらの芳香族環を3個以上有するジアミンとシロキサンジアミンの混合物を無水トリメリット酸(以下、TMAと略す)と反応させる。 本発明の製造方法で用いる混合溶媒は、芳香族環を3個以上有するジアミン、シロキサンジアミン及びTMAと反応しない有機溶媒であり、使用する混合溶液の種類とその混合比は重要である。 本発明で使用する非プロトン性極性溶媒として、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチル−2−ピロリドン、4−ブチロラクトン、スルホラン、シクロヘキサノン等が例示できる。イミド化反応には、高温を要するため沸点の高い、N−メチル−2−ピロリドン(以下NMPと略す)が、特に好ましい。これらの混合溶媒中に含まれる水分量はTMAが水和して生成するトリメリット酸により、充分に反応が進行せず、ポリマの分子量低下の原因になるため0.2重量%以下で管理されていることが好ましい。また、本発明で使用する非プロトン性極性溶媒は、特に制限されないが、芳香族環を3個以上有するジアミンとシロキサンジアミン及び無水トリメリット酸を合わせた重量の割合が、多いと無水トリメリット酸の溶解性が低下し充分な反応が行えなくなることや、低いと工業的製造法として不利であることから、10重量%〜70重量%の範囲になることが好ましい。
【0018】
本発明で使用する水と共沸可能な芳香族炭化水素として、ベンゼン、キシレン、エチルベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素が例示でき、特に沸点が比較的低く、作業環境上有害性の少ないトルエンが好ましく、使用量は、非プロトン性極性溶媒の0.1〜0.5重量比(10〜50重量%)の範囲が好ましい。
芳香族炭化水素の使用量が上記の範囲未満であると共沸蒸留による水の除去効果が低下し、さらに、ジイミドジカルボン酸の生成促進も低下する。 芳香族炭化水素の使用量が上記の範囲を超えると反応中間体の芳香族アミドカルボン酸や生成した芳香族ジイミドジカルボン酸が析出してしまうおそれがある。 反応中に芳香族炭化水素は水と共沸させ、系外に流出させる。このため、溶媒中の芳香族炭化水素量が減少するおそれがある。従って、反応系内に存在する芳香族炭化水素溶媒量を一定割合に維持するために、例えばコック付きの水分定量受器等を用いて系外に流出した溶媒を水と分離した後に系内に戻したり、補充する方法等を行うことが好ましい。
【0019】
本発明での反応条件は、はじめに、芳香族環を3個以上有するジアミン及びシロキサンジアミンと無水トリメリット酸の反応において非プロトン性極性溶媒の存在下に、50〜90℃で反応させなければならない。そしてこの反応の後、水と共沸可能な芳香族炭化水素を投入し、水と共沸する温度で反応させる。このときの反応温度は芳香族炭化水素量やコック付きの水分定量受器の容量によって変化するが、特に、120〜180℃で反応させる。 反応は、反応系で水が副生しなくなるまで行われ、特に、水が理論量留去していることを確認することが好ましい。
【0020】
反応溶液は芳香族炭化水素を含んだ状態でも良いが、上記の反応後、温度を上げて芳香族ジイソシアネ−トと反応させるため、さらに温度を上げて芳香族炭化水素を留去してから次の反応を行なうことが好ましい。得られた芳香族ジイミドジカルボン酸とシロキサンジイミドジカルボン酸の混合物は、芳香族ジイソシアネートと反応させることで分子量の高い芳香族ポリアミドイミドを生成することができる。本発明で用いる一般式(3式)で示される芳香族ジイソシアネートとして具体的には、4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(以下MDIと略す)、2,4−トリレンジイソシアネート、2,6−トリレンジイソシアネート、ナフタレン−1,5−ジイソシアネート、2,4−トリレンジイソシアネ−トダイマー等が例示できる。これらは単独でまたは組み合わせて用いることができる。特にMDIは、分子構造においてイソシアネート基が離れており、ポリアミドイミドの分子中におけるアミド基やイミド基の濃度が相対的に低くなり、溶解性が向上するため好ましい。反応温度は、低いと反応時間が長くなることや、高すぎるとイソシアネート同士で反応するのでこれらを防止するため、100〜200℃で反応させることが好ましい。
次に実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0021】
【実施例】
(実施例1)
環流冷却器を連結したコック付き25mlの水分定量受器、温度計、撹拌器を備えた1リットルのセパラブルフラスコに芳香族環を3個以上有するジアミンとしてBAPP(2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン)65.7g(0.16モル)、シロキサンジアミンとして反応性シリコンオイルX−22−161AS(信越化学工業株式会社製商品名、アミン当量416)33.3g(0.04モル)、TMA(無水トリメリット酸)80.7g(0.42モル)を、非プロトン性極性溶媒としてNMP(N−メチル−2−ピロリドン)560gを仕込み、80℃で30分間撹拌した。そして水と共沸可能な芳香族炭化水素としてトルエン100mlを投入してから温度を上げ約160℃で2時間環流させた。水分定量受器に水が約7.2ml以上たまっていること、水の流出が見られなくなっていることを確認し、水分定量受器にたまっている流出液を除去しながら、約190℃まで温度を上げて、トルエンを除去した。その後、溶液を室温に戻し、芳香族ジイソシアネートとしてMDI(4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート)60.1g(0.24mol)を投入し、190℃で2時間反応させた。反応終了後、シロキサン含有ポリアミドイミドのNMP溶液を得た。
この溶液ワニスをガラス板に塗布し150℃で30分乾燥した後、フィルムをガラス板から剥がして、さらに180℃で1時間加熱し、厚さ約60μmのシロキサン含有ポリアミドイミドのフィルムを得た。そしてこのフィルムのガラス転移温度、引っ張り強さ、破断伸び及び常温における引っ張り弾性率を測定した。また、得られたシロキサン含有ポリアミドイミドの分子量を測定しそれらの結果を表1に示した。ガラス転移温度は得られたフィルムを用いDVE(広域動的粘弾性測定装置、測定周波数10Hz)によりtanδの最大値の値を用いた。また、引張り強さ、破断伸び及び常温における引張り弾性率は、得られたフィルムを10mm幅の短冊にカットし、引張り試験機により、クロスヘッドスピード50mm/分で測定した。分子量は得られたワニス50mgを採取し、ジメチルホルムアミド/テトラヒドロフラン=1/1(容量比、リン酸0.06M、臭化リチウム0.03M含有)溶液5mlを加えGPCにより測定し、標準ポリスチレンに換算して求めた。
【0022】
(実施例2)
環流冷却器を連結したコック付き25mlの水分定量受器、温度計、撹拌器を備えた1リットルのセパラブルフラスコに芳香族環を3個以上有するジアミンとしBAPP(2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン)32.8g(0.08mol)、シロキサンジアミンとして反応性シリコンオイルX−22−161A(信越化学工業株式会社製商品名、アミン当量792)31.7g(0.02mol)、TMA(無水トリメリット酸)40.3g(0.21mol)を、非プロトン性極性溶媒としてNMP(N−メチル−2−ピロリドン)315gを仕込み、80℃で30分間撹拌した。そして水と共沸可能な芳香族炭化水素としてトルエン100mlを投入してから温度を上げ約160℃で2時間環流させた。水分定量受器に水が約3.6ml以上たまっていること、水の流出が見られなくなっていることを確認し、水分定量受器にたまっている流出液を除去しながら、約190℃まで温度を上げて、トルエンを除去した。その後、溶液を室温に戻し、芳香族ジイソシアネートとしてMDI(4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート)30.0g(0.12mol)を投入し、190℃で2時間反応させた。反応終了後、シロキサン含有ポリアミドイミドのNMP溶液を得た。この溶液を実施例1と同様にフィルムにし、特性を表1に示した。
【0023】
(実施例3〜6)
環流冷却器を連結したコック付き25mlの水分定量受器、温度計、撹拌器を備えた1リットルのセパラブルフラスコに芳香族環を3個以上有するジアミンとしBAPP(2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン)、シロキサンジアミンとして反応性シリコンオイルX−22−161AS(信越化学工業株式会社製商品名、アミン当量416)、TMA(無水トリメリット酸)、非プロトン性極性溶媒としてNMP(N−メチル−2−ピロリドン)をそれぞれ表2に示した配合比で仕込み、80℃で30分間撹拌した。そして水と共沸可能な芳香族炭化水素としてトルエン100mlを投入してから温度を上げ約160℃で2時間環流させた。水分定量受器に水が約3.6ml以上たまっていること、水の流出が見られなくなっていることを確認し、水分定量受器にたまっている流出液を除去しながら、約190℃まで温度を上げて、トルエンを除去した。その後、溶液を室温に戻し、芳香族ジイソシアネートとしてMDI(4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート)を表2に示した量を投入し、190℃で2時間反応させた。反応終了後、シロキサン含有ポリアミドイミドのNMP溶液を得た。この溶液を実施例1と同様に分子量を測定し結果を表2に示した。
【0024】
(シロキサン含量とフィルム中の残存揮発分)
実施例1、3、4、5及び比較としてシロキサンジアミンを使用していないポリアミドイミド(KS−6000、日立化成工業株式会社製商品名)の各溶液ワニスをガラス板状に塗布し150℃で30分乾燥した後、フィルムをガラス板から剥がして、厚さ約60μmのシロキサン含有ポリアミドイミドのフィルム及びシロキサンを含有してないポリアミドイミドのフィルムを得た。このフィルムを50mm角に切り出し重量を測定し、さらに180℃で1時間加熱した後、再び重量を測定し加熱前の重量との差からフィルム中の残存揮発分を測定した。結果を図1に示した。同一乾燥条件では、シロキサンジアミンの含有量が高くなるとともにフィルム中の残存揮発分が低くなることが分かる。さらに実施例3で得られた溶液ワニスとシロキサンジアミンを使用していないポリアミドイミドの溶液ワニスからフィルムを作製し、各フィルム中の残存揮発分の経時変化を測定した。結果を図2に示した。図2からシロキサンジアミンを含む樹脂の乾燥速度が高いことが分かる。
【0025】
(実施例7〜9)
環流冷却器を連結したコック付き25mlの水分定量受器、温度計、撹拌器を備えた1リットルのセパラブルフラスコに芳香族環を3個以上有するジアミンとしてBAPP(2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン)、シロキサンジアミンとして反応性シリコンオイルX−22−161AS(信越化学工業株式会社製商品名、アミン当量416)、TMA(無水トリメリット酸)、非プロトン性極性溶媒としてNMP(N−メチル−2−ピロリドン)をそれぞれ表3に示した配合比で仕込み、80℃で30分間撹拌した。そして水と共沸可能な芳香族炭化水素としてトルエン100mlを投入してから温度を上げ約160℃で2時間環流させた。水分定量受器に水が約3.6ml以上たまっていること、水の流出が見られなくなっていることを確認し、水分定量受器にたまっている流出液を除去しながら、約190℃まで温度を上げて、トルエンを除去した。その後、溶液を室温に戻し、芳香族ジイソシアネートとしてMDI(4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート)25.0g(0.1mol)を投入し、190℃で2時間反応させた。反応終了後、シロキサン含有ポリアミドイミドのNMP溶液を得た。この溶液を実施例1と同様にフィルムにし特性を評価しようとしたがフィルムが脆くガラス板から剥がすことができなかった。また各溶液ワニス50mgを採取し、ジメチルホルムアミド/テトラヒドロフラン=1/1(容量比、リン酸0.06M、臭化リチウム0.03M含有)溶液5mlを加えGPCにより測定し、標準ポリスチレンに換算して求めた結果を表3に示したが分子量(Mw)が19000〜35000といずれも高くなかった。
【0026】
【表1】
Figure 0003651210
【0027】
【表2】
Figure 0003651210
BAPP:(2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン)
161AS:反応性シリコンオイルX−22−161AS(信越化学工業株式会社製商品名、アミン当量416)
TMA:無水トリメリット酸
NMP:N−メチル−2−ピロリドン
MDI:4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート
BAPP、反応性シリコンオイルX−22−161AS、TMA、MDIの数値はモル数
NMPは重量(g)、分子量は重量平均分子量を示す。
【0028】
【表3】
Figure 0003651210
BAPP:(2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン)
161AS:反応性シリコンオイルX−22−161AS(信越化学工業株式会社製商品名、アミン当量416)
TMA:無水トリメリット酸
NMP:N−メチル−2−ピロリドン
MDI:4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート
BAPP、反応性シリコンオイルX−22−161AS、TMAの数値はモル数
NMPは重量(g)、分子量は重量平均分子量を示す。
【0029】
表3の実施例7〜9は、(A)芳香族環を3個以上有するジアミン及び(B)シロキサンジアミンと無水トリメリット酸とを(A+B)の合計モル数/無水トリメリット酸のモル比=1/2.05〜1/2.20より外れた1/2.0で反応させ、得られたジイミドカルボン酸を含む混合物と芳香族イソジアネート(MDI)とを1/1.05〜1/1.50の範囲を外れた1/1で反応させて得られたシロキサン含有ポリアミドイミドである。実施例3〜6に示す配合のシロキサン含有ポリアミドイミドに較べ、分子量が半分以下と小さくなっている。これに対し、上記(A+B)の合計モル数/無水トリメリット酸のモル比=1/2.05〜1/2.20として、さらに(A+B)の合計モル数/芳香族イソジアネート=1/1.05〜1/1.50の範囲内で反応させたシロキサン含有ポリアミドイミドは、得られる分子量が高い。実施例7〜9で得られるシロキサン含有ポリアミドイミドは分子量が低いが接着剤や塗料等には十分に使用できる。
【0030】
【発明の効果】
本発明になるシロキサン含有ポリアミドイミド及びその製造方法並びにそれを含む溶液ワニスは、耐熱性が要求されるワニス、接着剤及び接着フィルム等に使用でき、塗料分野、配線板・電気分野、自動車分野、建築・建材分野等に幅広く使用することができる。そして、それは従来の製造方法に比べ、シロキサンジイミドジカルボン酸及び芳香族ジイミドジカルボン酸が溶媒に可溶であり、またそれと芳香族ジイソシアネートを反応させて得られる芳香族ポリアミドイミドも溶媒に可溶であるため用途が広くなった。また、溶媒に可溶であるため、ろ過や精製工程が不要であり、分子量の大きいシロキサン含有ポリアミドイミドが製造できるので、製膜性や樹脂特性に優れ工業的に有用である。得られるシロキサン含有ポリアミドイミドは溶剤の乾燥性が高くフィルム化や塗膜の形成においても有利である。そして、得られたフィルムには残存溶剤量が少ないのでフィルム成形し、そのフィルムを層間絶縁性の接着剤として使用した場合、加熱によるボイドの発生がなく、層間絶縁抵抗や接続信頼性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、実施例1、3、4及び5で得られたシロキサン含有ポリアミドイミドから作製したフィルム中の全ジアミン中のシロキサンジアミン量とシロキサン含有ポリアミドイミドフィルム中の残存溶剤を示すグラフである。
【図2】図2はシロキサンを含有しないポリアミドイミドと実施例3で得られたシロキサン含有ポリアミドイミドの乾燥速度の差を示すグラフである。

Claims (2)

  1. (A)芳香族環を3個以上有するジアミン及び(B)シロキサンジアミンの混合物と無水トリメリット酸、(A+B)の合計モル数と無水トリメリット酸のモル比が1/2.05〜1/2.20で反応させて得られる、一般式(1式)及び一般式(2式)で示されるジイミドジカルボン酸を含む混合物と、一般式(3式)で示される芳香族ジイソシアネートを、(A+B)の合計モル数と芳香族ジイソシアネートのモル比が1/1.05〜1/1.50で反応させて得られる、GPCで測定した重量平均分子量(ポリスチレン換算)が、59,000以上であるシロキサン含有ポリアミドイミド。
    Figure 0003651210
    Figure 0003651210
    Figure 0003651210
  2. 請求項1記載のシロキサン含有ポリアミドイミドを含むワニス。
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JP5117642B2 (ja) * 1999-11-29 2013-01-16 日立化成工業株式会社 耐熱性接着剤
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JP5000074B2 (ja) * 2003-11-14 2012-08-15 日立化成工業株式会社 ポリアミドイミドの製造方法
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JP5712661B2 (ja) * 2011-02-18 2015-05-07 日立金属株式会社 ポリアミドイミド樹脂絶縁塗料及びそれを用いた絶縁電線
JP5617698B2 (ja) * 2011-03-04 2014-11-05 日立金属株式会社 絶縁塗料およびそれを用いた絶縁電線
JP5804314B2 (ja) * 2011-06-10 2015-11-04 日立化成株式会社 絶縁電線用ポリアミドイミド樹脂、絶縁電線用絶縁塗料及びそれを用いた絶縁電線
JP5973003B2 (ja) * 2014-06-17 2016-08-17 エア・ウォーター株式会社 ポリアミドイミド樹脂および当該ポリアミドイミド樹脂の製造方法、ならびに熱硬化性樹脂組成物および当該熱硬化性樹脂組成物の硬化物
TWI614285B (zh) 2016-11-11 2018-02-11 財團法人工業技術研究院 聚合物及包含該聚合物之樹脂組成物
KR101870831B1 (ko) * 2017-08-18 2018-06-27 주식회사 픽슨 강관 제조용 접착조성물을 포함하는 복합 아연 도금 강판 및 이의 제조 방법
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