TWI328047B - - Google Patents

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TWI328047B
TWI328047B TW092129114A TW92129114A TWI328047B TW I328047 B TWI328047 B TW I328047B TW 092129114 A TW092129114 A TW 092129114A TW 92129114 A TW92129114 A TW 92129114A TW I328047 B TWI328047 B TW I328047B
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Takeo Okabe
Hirohito Miyashita
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Nippon Mining Co
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Description

1328047 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種可形成半導體元件配線材，特別是 在銅電鍍之際不會發生凝集而可安定地形成均一之種晶層 、且濺鍍成膜特性優異之銅合金濺鍍把以及該藏鍍乾所形 成之半導體元件配線。 【先前技術】 以往，半導體元件之配線材料係使用A1 (比電阻3. 1以 Ω ♦ cm左右），但伴隨配線之微細化，電阻更低之鋼配線（ 比電阻1 · 7 // Ω · cm左右）逐漸邁入實用化階段。 目前之銅配線形成程序’多於接觸孔或配線槽之凹部 形成Ta/TaN等之擴散防護層之後，進行銅電鑛。為了進行 此電鍍’一般係進行銅或鋼合金之濺鍍成膜來當做底層（ 種晶層）。 通常係將純度4N(不計氣體成分）左右之電氣銅當做粗 金屬’利用濕式或乾式之高純度化程序製造出5N〜6N純度 之尚純度銅’以此做為錢鍍乾。此時，可形成半導體配線 寬度窄達0. 18 y m之銅配線而不致發生問題。 但是，對於銅配線寬度在〇. 13y m以下（例如90nm或 65ηιη)、高寬比超過8之超微細配線而言，種晶層厚度會成 為lOOnm以下之極薄膜，此時若以6N純銅靶來形成種晶層 ’會發生凝集而無法形成良好之種晶層。 由於底層之均一形成相冑^，當底層發生凝集的情 況下’以電鍍形成銅膜之際，無法形成均-的膜。例如， ^28047 會在配線中形成空孔（V〇id)、小丘（hill〇cks)、斷線等缺 陷。 又即使未形成上述空孔等缺陷，由於在此部份會形成 不均一之銅電沉積組織所以會發生電致遷移对性下降此種 問題。 為了解決此種問題，於銅電鑛之際形成安定、均一之 種晶層乃為重要課題，濺鍍成臈特性優異之最適於形成種 晶層之濺鍍靶乃為不可或缺之物。 到目前為止’已提出對銅添加若干元素做為銅配線材 以提昇電致遷移（EM)耐性、耐银性、附著強度等之方法（參 見例如特開平5-31 1424號公報、特開平丨—248538號公報） 又’也提出了純銅靶或是在純銅靶中添加Ti 〇. 〇4〜〇. 15 重里/之乾（參見例如專利文獻3 ) 0 再者’於前述提案中’也提出了以急冷使得添加元素 月b均一分散，以連續鑄造來防止鑄塊中之添加元素的偏析 、鑄造時之氣孔、鑄塊晶粒之粗大化。 但是’即使採用高純度銅或是添加了微量金屬之高純 度銅，雖可達成比電阻低之優點，但存在著電致遷移之問 題以及程序上之耐氧化性的問題，未能說是良好的材料。 特別是近年來高寬比變得更高（高寬比4以上），所以 需要有充分之耐電致遷移以及耐氧化性。 基於以上情況，乃提出配線材採在銅中添加A ^或( 其他如Ti或Zr等各種元素）所形成之銅合金做為靶使用（ >見例如特開平丨〇_6〇633號公報）^但是該等材料雖在 1328047 不致影響銅之低電阻特性的前提下提昇了耐EM性、耐SM 性以及耐氧化性’惟仍無法使用於上述般之採銅電鍍之微 細銅配線程序中之種晶層的形成上（參見例如特開平6_ 177177號公報）。 又，也發現了添加Sn 0. 5重量％對於Cu晶粒擴散降低 以及EM特性提昇上有效（參見例如C. c. Hu，K. L. Ue， D. Gupta, and P.Blauner(IBM)著[Electromigration and diffusion in pure Cu and Cu(Sn) alloy，Mat. Res.
Soc, Symp. Proc. Vol.427, 1996]Materials research
Society)。但是，此並未能解決在Ta或TaN等之防護層上 之種晶層的凝集問題（相互作用）。 基於以上清況，習知技術未能說可得到一種可形成半 導體元件配線材（特別是銅電鍍之際不會發生凝集而可安 定形成均一種晶層）之銅合金。 【發明内容】 本發明之課題在於提供一種可形成半導體元件配線材 ，特別是在銅電鍍之際不會發生凝集而可安定地形成均一 種晶層、且濺鍍成膜特性優異之銅合金濺鍍靶以及使用該 賤錢乾所形成之半導體元件配線。 為了解決上述課題，本發明者經努力研究的結果，得 —見解為·藉由添加適里之金屬元素，可防止銅電鍍之 際之空孔、小丘、斷線等缺陷的發生，可得到比電阻低、 且具有耐電致遷移性與耐氧化性、可安定形成均一種晶層 之鋼合金濺鍍靶以及使用該濺鍍靶所形成之半導體元件配 1328047 線》 本發明基於此見解，乃提供： 1. 一種銅合金濺鍍靶，其特徵在於：含有 A1 〇. 5〜4. Owt%、且 Si 為 0. 5wtppm 以下。 2. 如上述1記載之銅合金濺鍍靶，其中’含有擇自sb 、Zr、Ti、Cr、Ag、Au、Cd、In 以及 As 中1 種或至少 2 種以總量計1. Owtppm以下。 3. 如上述1記載之銅合金濺鍍靶，其中’含有擇自sb 、Zr、Ti.、Cr、Ag、Au、Cd、In 以及 As 中 1 種或至少 2 種以總量計〇· 5wtppm以下。 4. 一種銅合金濺鍍靶，其特徵在於：含有 Sn 〇· 5〜4. Owt%、且 Μη 為 〇. 5wtppm 以下。 5. 如上述4記載之銅合金濺鍍靶，其中’含有擇自Sb 、Zr、Ti、Cr、Ag、Au、Cd、In 以及 As 中 1 種或至少 2 種以總量計1. Owtppm以下》 6. 如上述4記載之銅合金濺鍍靶，其中’含有擇自Sb 、Zr、Ti、Cr、Ag、Au、Cd、In 以及 As 中1 種或至少 2 種以總量計0. Swtppm以下》 7. 如上述1~6中任一記載之銅合金濺艘把，其再結晶 溫度為3 6 5 °C以下。 8. 如上述1〜6中任一記載之銅合金濺鍍靶，其氧含量 為5wtppm以下。 9. 如上述1~6中任一記載之銅合金濺鑛乾，其氧含量 為1 wtppm以下° 1328047 曰粒…一記載之鋼合金崎，其平均結 :广场"平均粒徑之變動在彻以内。 °上述卜"任一記載之鋼合金濺鍍耙，苴含有 Α1與Sn以總量計〇 5〜4 〇wt%。 ，、有 12.—種半導體元件配線，其 利範圍第卜6中任—a裁之#系使用申請專 ^ 屺载之銅合金濺鍍靶所形成者。. .如上述12記載之半導許；此π从 魂之種日Μ μ 體70件配線，係以半導體配 線之種日日層的形式來形成〇 14.如上述13記載之半導體元件配線 金或是該等之氮化物的防護層上以種 Τ:Τ“ 【實施方式】 裡阳層的形式來形成。 本發明之鋼合金錢㈣’係含有A1 〇 5物%、以 =…Wtpp"下’特別是在銅電鍍之際 凝集、昌有耐氧化性之安定、均-的種晶層。又，时！ 膜特性也優異，做為半導體元件之配線材相當有用。- 電參2金由於含# A1 〇.5〜4.〇Wt%，所以可有效地防止 電鍍之際之凝集。亦即，可提升與防護膜之㈣性。 = 沒有凝集防止效果，若超過4._則 -層會出現電阻增加’銅配線整體之電阻會變古故不佳 的二’由於在銅合金製程之炫解之際，氧含量會：著Μ 的曰加而增加，所以應避免超過4〇wt%。特別以 θ 卜2wt%為最適宜。 3重 靶十含si可提升耐氧化性。但是，Si本 ^ tL ^L· w 具凝集 方止效果，且超過G.5wtppm會造成A1之凝集防止作用的 10 1328047 下降，故必須設定在0. 5t
^ PPm从下。特別是，Si係做A 炼解原料與A1混合，故Si之成分管理报重要。 4 上述本發明之銅合金賤料可含有擇自m ，，“、““…種或…種以總量， 1. Owtppm 以下。 Γ 該等成分元素可提升耐氧化性。但是，與Si同樣地， 若超過UWtppm會顯著地降低A1之凝集防止作用 顯著地降低與防護膜之潤m添加時必須控制在 l.〇Wtppm以下。特佳之添加量為〇 5wtppm以下。 又，本發明之鋼合金減鑛㈣含有Sn 0 5〜4 0㈣以 及Mn 0.5wtppm以下，特別是在銅電鑛之際，可形成不合 凝集、富有财氧化性之安定、均-的種晶層。X，減錢成 膜特性也優異，做為半導體元件之配線材相當有用。 該合金由於含有Sn 〇.5〜4.〇wt%，所以可有效地防止 電鍍之際之凝集。亦即，可提升與防護膜之潤濕性。 若未滿0.5wU則沒有凝集防止效果，若超過4.〇^%則 種晶層會出現電阻增加，銅配線整體之電阻會變高故不佳 。又，由於在銅合金製程中，錠塊之塑性加工會變得困難 ，所以應避免超過4.0wt%。特別以Sn含量卜3wt%為最適 宜。 乾中含Μη可提升耐氧化性。但是，Mri本身不具凝集 防止效果，且超過〇. 5wtppm會造成Sn之凝集防止作用的 下降，故必須設定在〇.5wtppm以下。特別是，Mn係做為 熔解原料與Sn混合，故Μη之成分管理很重要。 上述本發明之鋼合金濺鍍靶可含有擇自Sb、Zr、Ti'
Ag、Au、Cd、ιη以及As巾i種或至少2種以總 1. Owtppm 以下。 —該等成分tl素可提升耐氧化性。但是，與Mn同樣地， 右超過1. Owtppm會顯著地降低Sn之凝集防止作用， 顯著地降低與防護膜之潤濕性，故添加時必須控制在 l.Owtppm以下。特佳之添加量為〇 5wtppm以下。 上述本發明之銅合金濺鐘乾的再結晶溫度以3 6 5它以 下為佳。若再結晶溫度超過365。。，則用以確保電鍍臈之 熱安定性所採用之溫度會變得更高溫而容易發生凝集，亦 即與防護層之相互作用（潤濕性）會降低，此為缺點所在。 又，此處所說之再結晶溫度，意指在8〇〇做全退火 之後，對试樣進行70%冷加工，進而於1〇〇〜6⑽。c保持 刀鐘後利疋此時之維氏硬度（微維氏硬度，負荷1 〇 〇 g )， 以位於全退火材之^與退火前（70%冷加工後）之Hv的中間 Ην值之溫度做為再結晶溫度。 再者，上述本發明之銅合金濺鍍靶，以含氧以 下、又以1 wtPpm以下為佳。氧的存在雖具有使靶組織微 細化之作用，但在晶界會形成夾雜物成為粒子產生之原因 ，特別在濺鍍壽命中會產生突發性粒子，故儘可能降低為 佳。 又，若於種晶層形成氧化銅（Cue)，則該部分於電鍍 之際會熔解，此也是一大問題。如此般，若種晶層表面受 電鍍浴侵蝕，則微觀上電場會變動而無法形成均一之電鍍 12 1328047 必須將氧含量限制在上述範圍 膜’此為問題所在。是以 内0 又’上述本發明之鋼合金濺料，平均結晶粒 〇·卜6〇“，且平均粒徑之變動在±20%以内較佳。 如^般，藉由對乾組織進行控制，則在整個滅鑛壽命 中，可提升膜之均質性(膜厚均一性），可提升膜組成之均 一性。特別是，當晶圓尺寸超過義ra，膜之均質性 重要。 … 又，上述本發明之銅合金濺鍍靶所含A1與以總量 計可為0.5〜4. 0wt%«各成分之添加量係與上述相同。 再者’本發明之銅合金濺鍍靶在半導體元件配線之製 造上、特別是半導體配線之種晶層的形成上為有用之物、 進而最適於在Ta、Ta合金或是該等之氮化物的防護層上形 成種晶層》 ^ 本發明之銅合金濺鍍靶可藉由例如以下之製程來製造 首先，對純度6 N以上之高純度銅以及同等級之高純产 A1、Sn以及其他之添加元素進行調整，以水冷銅製坩禍之 冷坩堝熔解法在高真空環境氣氛下加以熔解’得到高純度 合金。添加元素之量必須進行充分之管理。於熔解之際， 為了減少與熔浴之接觸所造成之污染’將純度6N之鋼板 設置於坩堝底部為有效的做法。 經過合金化之熔浴’迅速地在高真空環境氣氛中靖入 水冷銅鑄模中得到錠塊《可對此錠塊之組織、例如結晶粒 13 1JZ»U47 徑進行控制來提昇濺鍍特性。 ”丨取疋〜狄％妳太隊表面層 4叫層，經過熱鍛造、熱壓延、 冷壓延、熱處理製程，成為靶素枒。 i材此靶素材進一步受到 機械加工成為既定形狀，妷德盥 …、便興支持板接合來得到靶製品 〇 (實施例與比較例） 以下依據實施例說明本發明。 S月又，以下所不之實施例 僅便於理解本發明，木路明x &、二u 不因為延些實施例而受到限制 °亦即，本發明當缺台合了其 4奴a田…、匕3 了基於本發明所得之變形 實施例。 (實施例1〜10) 對純度6N以上之高純度鋼以及同等級之高純度A1、 、Mn以及其他之添加元素進行調整，以水冷銅製坩堝之 :堆蜗熔解法在高真空環境氣氛下加崎解，得到高純度 二金。經過調整之實施例HG之合金组成，針對Cu—A1 a金系係示於表卜針對Cu_Sn合金系係示於表2。 又’實施例5與實施例1 〇係未添加Sb、Zr、Ti、
Ag Au、Cd、In以及As之合金元素的例子。是以，表i 與表2中係顯示了雜質等級所含之量。 於熔解之際，為了減少與熔浴之接觸所造成之污染， 、純度6N之鋼板設置於坩堝底部。經過合金化之熔浴， 在阿真空環境氣氛中鑄入水冷銅鑄模中得到錠塊。 ，其次，將所製造之錠塊的表面層去除並做成…⑽父⑽士 走以4〇〇C之熱鑄造做成φ200。之後，以4〇〇°c熱虔延 14 1328047 來壓延成為Φ270Χ201：，進而以冷壓延來壓延成為φ36〇χ 10t ° 其次，於50(TC經過1小時熱處理後，將靶整體急速 冷卻成為乾素材《將此靶素材以機械加工來加工成為直徑 13英忖、厚度7nira之靶，然後與A1合金製支持板以擴散 接合來接合而成為濺鍍靶組裝體。 平均粒徑之測定係依據JIS H050 1、採用切斷法，對 於靶在平面方向以同心圓狀測定1 7點，在板厚方向以表 面、中央、背面測定3點，合計測定1 7 X 3=51點。 使用以上述方式所得之靶在8英吋之TaN/Ta/Si基板 成Onm厚度之濺鑛膜。此減鍵膜之凝集程度係以高解 析月匕力之SEM來觀察。又Si基板上進行濺鍍成膜至 50〇nm厚度來測定臈之均質性。 、針對以上結果，表1與表2中除了顯示靶之成分組成 以外也顯示了氧含量、再結晶溫度、平均結晶粒徑、滅鍵 膜之變動、凝集性、膜厚均—性（3σ(%))。 曰二本發明中，氧含量低、再結晶溫度也低。又平均結 晶粒徑也在6°nm以下，平均粒徑之變動在±20%以内。 。再再者凝集受到抑制，完全不發生凝集或是凝集性極低 定、均、厚均性也優異，所得之銅合金濺鍍靶可形成安 自t種晶層。藉此，使用該靶可得到優異之半導體 15 1328047 膜厚均一性（3σ〇〇) ο CD σ> 05 〇〇 Csi oo 卜 in c3 m 03 凝集性 〇 ◎ ◎ O ◎ X X < X 0 <1 <1 X ◎ ◎ 變動(¾) CO σ> t— CO CD CO CO ΙΛ CO oo oo O § 平均粒徑（μ m) 05 CO C^J 写 in oo CO ” s OO CM m oo CO CO CO CO LO CM 再結晶溫度rc) ΙΟ οο CvJ g CO ΙΛ CO CO ΙΛ tn cr> n CO G CO CO in oo oo o oo CvJ L〇 CO <S3 o 05 CvJ o c〇 CO o « g CO 〇(ppm) V ΙΛ ιΛ V ΙΛ V in in CM *合計(ppm) 0.44 CM CO o CO CO 〇 呀 CvJ o <0.01 c〇 o Cvj eo o CM CO c> CO 00 c> ΙΛ eo o OO o o' CO CO o CvJ cc o CM CO CD Mn(ppm) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 Si(ppm) 03 Ο C^J o CO CO o o 1 g o o σ» o Oi oo oo o oo o Oi o CM 〇 c— 〇 卜 o 组成 0. 64wt%Al 1.0wt56Al 2. Owt%Al 4.Owt%Al 1_ 2. Owt%Al 0.106wt%Al 0.21wt%Al 0.43wtUl 9.6wt9iAl 1.Owt%Al l.Owmi 1. Owt%Al 1.0wt%Al ； 1 1.Owt%Al 1. 0wt?6Al 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 比較例1 比較例2 比較例3 比較例4 ； 比較例5 比較例6 比較例7 j 比較例8 比較例9 比較例10 Cu—Ag合金 1 1328047 膜厚均一性(3σ(9〇) 〇0 CO CO 00 σ> t— CO cc CvJ 凝集性 ◎ 〇 ◎ ◎ ◎ X X 〇 <1 ◎ ◎ 變動(¾) CO in ς〇 05 OO 00 ΙΛ <〇 CO CO CO CM 00 平均粒徑（//π〇 03 CO CN3 CO 05 CO OO ΙΛ s CO CNJ 写 s CO |再結晶溫度(°C) ΙΛ CO CO ίΛ CV3 CO LD CO CO ir> CD CO ΙΛ CO CO s CO s CO ΙΛ CO CO ΙΛ CO CO m CO OO m CO CO 0(ppm) V m V o V V V *合計(ppm) CS3 CNJ o OO cva o 0.35 CO CO o <0.01 CO o CO CO o CM CvJ o 〇o o CO <M 〇 ΙΛ CvJ o Mn(ppm) ΙΛ o S o O in CO 〇 1 o o to OO o CO OJ CO OO o ΙΛ 〇 o o Si(ppm) l 1 t l l 1 l 1 1 l I 組成 2. 7wt9&Sn 0.93wt%Sn 3. 67wt56Sn 4. Owt96Sn 3.67wt%Sn 0.lwt%Sn lOwt^Sn 2. 7wt%Sn 2.7wt%Sn 2. 7wt56Sn 2. 7wt%Sn 1實施例6 |實施例7 1實施例8 實施例9 實施例10 比枚例11 比枚例12 比較例13 比較例14 比較例15 比較例16 Cu_Ag合金 1328047 (比較例I〜16) 雖與實施例1 ~ 1 〇採同樣邀 分，J银製“条件、且為同樣之合金成 係針對本發明之範圍以外之材料，改變合金成分' 粒控或是粒徑變動來分別製作出銅合金輕。 —此條件同樣地針對Cu—A1合金系係示於表！，針對a —如合金系係示於表2。使用所得之乾在8英时之 TaN/Ta/Si基板上形成5〇nm厚度之濺鍍膜。 此濺鍍膜之凝集程度係以高解析能力之sem來觀察。 又，於Si基板上進行濺鍍成膜至5〇〇聽厚度來測定膜之 質性。 針對以上比較例H6之結果，表！與表2中除了顯示 輕之成分組成以外也顯示了氧含量、再結晶溫度、平均結 晶粒徑、濺鍍膜之變動、凝集性、膜厚均一性（3σ (%))〇 於比較例1 ~3中，Α1皆未滿〇. 5wt%，凝集防止效果低 。比較例4中，A1超過4. Owt%，且Si變多，再結晶溫度 也咼，凝集防止效果低。又，如比較例5所示般，一旦s丄 高（超過0. 5bpm)則凝集防止效果變低。 比較例6同樣地S i高（超過〇. 5 ppm )故凝集防止效果 變低。 比較例7之氧含量高故凝集防止效果低。比較例8氧 含量高且再結晶溫度也高，故凝集防止效果更差。 比較例9粒徑變動大，膜厚均一性變差。比較例1 〇粒 徑大，同樣地膜厚均一性差。 比較例11之Sn含量未滿0. 5wt%，凝集防止效果低。 18 1328047 相反地’比較例12之Sn含量超過4. Owt%，同時Μη變多 ，再結晶溫度也高’凝集防止效果差。如比較例13所示 般，若Μη含量高則凝集防止效果低。 比較例14由於同樣地Μη含量高故凝集防止效果低。 又，比較例15粒徑之變動大，膜厚均一性變差。比較， 例16粒徑大，同樣地膜厚均一性差。 (比較例17〜25) 以與實施例1 ~ 1 〇同樣製造條件，針對純銅或本發明以 外之銅合金材料（使用以往之銅材料），分別製作出銅合金 靶。其條件示於表3。 使用所得之靶在8英吋之TaN/Ta/Si基板上形成50nm 厚度之濺鍍膜。此濺鍍膜之凝集程度係以高解析能力之 SEM來觀察。又’於Si基板上進行濺鍍成膜至5〇〇nm厚度 來測定膜之均質性。 針對以上比較例17〜25之結果，表3中除了顯示靶之 成分組成以外也顯示了氧含量、再結晶溫度、平均結晶粒 徑、濺鍍膜之變動、凝集性、膜厚均一性（3 σ (%))。如表 3所明示般，以往之純鋼或銅合金在凝集防止效果上均差 19 1328047 膜厚均一性(3 σ(%)) CO oo CO in CO 凝集性 X X <3 < X < X X <1 |變動(％) CO oo ΙΛ CO Od ΙΛ CO Od 平均粒徑（/zm) CO 00 却 ΙΛ OO σ> CO ¢0 CNJ ΙΛ CO OS CNJ 再结晶溫度rc) LO in s § m σ> -^r g CO o n o m m o LO CM |〇(ppm) V V 1* 合計(ppm) 3.23 0.33 <0.01 0.18 0. 56 0.29 0.18 CO CSJ o Mn(ppm) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 |Si(ppm) CO 0.06 s d 1 0.12 0.18 1 0.13 0.16 1奴成 5N純鋼 6N純網 7N純銅 8N純銅 l.OwOTi 1. 0wt%Mg 1. Owt%Si 1. Owt%Zr l.Ow 戯 比較例17 比較例18 比枚例19 比枚例20 比較例21 比較例22 比枚例23 _比較例24 比較例25 純Cu、其他銅 合佥 (X)蛛钵 WIT 个(◎)蛛鉍κ·:31«^(ΐϊsv , UI.S, ην ν 3ν . J3.11,」ζ ,Jos : * (坊 •卜3些璁茛驾：1(¾ 1328047 發明效杲 本發明所具有之優異效果Λ. 馮.可侍到一種可形成半導 體元件配線材，特別是在銅電鑛之際^會發生凝集而可安 定地形成均-之種晶層 '且濺鍍成膜特性優異之銅合金濺 鍍乾以及該濺鍍靶所形成之半導體元件配線。 【圖式簡單說明】 無
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Claims (1)

1328047 L_- 拾、申請專ί!ΐί麗P 「i. 一種銅合金濺鍍靶，其特徵在於：含有ai 0·〇〜4.0wt%、且Si為〇.5wt卿以下 '氧含量為^卿 以下、再結晶溫度為3阶以下、平均結晶粒徑為〇卜6〇 私m、且平均粒徑之變動在±20%以内。 2.如申請專利範圍帛i項之銅合金濺鍍靶，其中，含 =擇自 Sb、Zr、Ti、Cr、Ag、Au、Cd、In 以及 As 中 i 種 至少2種以總量計i · 〇wtppm以下。 • 3.如申請專利範圍帛1項之銅合金騎乾，其中，含 有擇自 Sb Zr、Ti、Cr、Ag、Au、Cd、In 以及 As 中 J 種 或至少2種以總量計〇 5wtpf)m以下。 4. 一種銅合金濺鍍靶，其特徵在於：含有以 0.5〜Uwt%、且Mn為G 5wtppm以下、平均結晶粒徑為 •l〜60ym、且平均粒徑之變動在士2〇%以内。。 5. 如申請專利範圍帛4項之銅合金濺鍍靶，其中，含 有擇自 sb、Zr、Ti、Cr、Ag、Au、Cd、InqAstu _ 或至少2種以總量計丨.〇wtppm以下。 6. 如申。月專利範圍第4項之銅合金賤鍍乾，其中，含 有擇自 Sb、Zr、Ti、Cr、Ag、Au、Cd、In 以及 As 中 1 種 或至少2種以總量計0· 5wtppm以下。 7. 如申請專㈣圍第4〜6項巾任—項之銅合金賤餘 ，其再結晶溫度為3 6 5 °C以下。 8. 如申請專㈣圍第4〜6項中任—項之銅合金賤餘 ’其氧含a:為5wtppm以下。 22 1328047 9. 如申請專利範圍第1〜6項中任一項之銅合金濺鍍靶 ，其氧含量為lwtppm以下。 10. 如申請專利範圍第1~6項中任一項之銅合金濺鍍 乾，其含有A1與Sn以總量計0.5〜4.0wt%。 拾壹、圖式： 無
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