JPH01123040A - 電気接続箱用ブスバー - Google Patents
電気接続箱用ブスバーInfo
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- JPH01123040A JPH01123040A JP27953887A JP27953887A JPH01123040A JP H01123040 A JPH01123040 A JP H01123040A JP 27953887 A JP27953887 A JP 27953887A JP 27953887 A JP27953887 A JP 27953887A JP H01123040 A JPH01123040 A JP H01123040A
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Landscapes
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は自動車などに用いられる導電率が高く、かつ耐
マイグレーション性の良好な電気接続箱用ブスバーに関
するものである。
マイグレーション性の良好な電気接続箱用ブスバーに関
するものである。
従来自動車などに用いられる電気接続箱用ブスバーには
７／３黄銅や、タフピッチ銅などが使用されている。７
／３黄銅は端子用材料として古くから広く用いられてい
る合金であるが、合金成分としてＺｎが多く含存されて
いるため導電率が低く電気抵抗が大きい。このため近年
行なわれている電気接続箱の小型化によるブスバーの小
型、薄肉化に際し、ジュール熱による発熱が大き過ぎる
ため好適な材料ではなくなってきている。
７／３黄銅や、タフピッチ銅などが使用されている。７
／３黄銅は端子用材料として古くから広く用いられてい
る合金であるが、合金成分としてＺｎが多く含存されて
いるため導電率が低く電気抵抗が大きい。このため近年
行なわれている電気接続箱の小型化によるブスバーの小
型、薄肉化に際し、ジュール熱による発熱が大き過ぎる
ため好適な材料ではなくなってきている。
一方タフピッチ銅は導電率が高いため電気接続箱の小型
化に関する発熱問題にはを利であるが水分の存在する環
境において、マイグレーション現象を起し易い。
化に関する発熱問題にはを利であるが水分の存在する環
境において、マイグレーション現象を起し易い。
マイグレーション現象とは水分の存在下で電界の負荷さ
れた二つのブスバー間にリーク電流が生じる現象を言う
ものであるが、殊に自動車などの接続箱では直流で十数
ボルトの電位差を持つブスバーが数鑓以下の間隔で近接
しており、エンジンルーム内等の水分が充分に供給され
る環境で使用されることからマイグレーション現象が起
り易い。
れた二つのブスバー間にリーク電流が生じる現象を言う
ものであるが、殊に自動車などの接続箱では直流で十数
ボルトの電位差を持つブスバーが数鑓以下の間隔で近接
しており、エンジンルーム内等の水分が充分に供給され
る環境で使用されることからマイグレーション現象が起
り易い。
このマイグレーション現象によるリーク電流が大きくな
ると発熱により電気接続箱が異常界温し、火災などの事
故につながる可能性もある。
ると発熱により電気接続箱が異常界温し、火災などの事
故につながる可能性もある。
従ってタフピッチ銅は少しでも水分の関与する環境にお
いて使用する電気接続箱の場合には信頼性が低いという
問題があった。
いて使用する電気接続箱の場合には信頼性が低いという
問題があった。
本発明は上記の問題について検討の結果、導電率が高く
、かつ耐マイグレーション性の良好な電気接続節用ブス
バーを開発したものである。
、かつ耐マイグレーション性の良好な電気接続節用ブス
バーを開発したものである。
本発明は、Ｓｎ０．５〜２．５％を含み残部Ｃｕからな
ることを特徴とする電気接続箱用ブスバーを第１発明と
し、Ｓ ｎ０．５〜２．５％とＣＯ５Ｚｒ。
ることを特徴とする電気接続箱用ブスバーを第１発明と
し、Ｓ ｎ０．５〜２．５％とＣＯ５Ｚｒ。
Ｆｅ５Ｐ、Ｎｉ、／ｌ／！、Ｍｇ、Ｍｎ、Ａｓ、Ｓｂ。
Ｂｉおよびミツシュメタルのいずれか１種または２種以
上を１％以下、合計で２％以下を含み残部Ｃｕからなる
ことを特徴とする電気接続箱用ブスバーを第２発明とす
るものである。
上を１％以下、合計で２％以下を含み残部Ｃｕからなる
ことを特徴とする電気接続箱用ブスバーを第２発明とす
るものである。
すなわち本発明はＣｕにＳｎを添加し、さらにＧ０．Ｚ
ｒ、Ｆｅ、、Ｐ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｍｎ。
ｒ、Ｆｅ、、Ｐ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｍｎ。
Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉおよびミツシュメタルなどの合金元素
のいずれか１種または２種以上を添加することにより、
導電率を低下することなく、耐マイグレーション性を向
上せしめたものである。
のいずれか１種または２種以上を添加することにより、
導電率を低下することなく、耐マイグレーション性を向
上せしめたものである。
その作用の詳細な機構については明瞭ではないが、ブス
バーに十数ボルトの電位を負荷し、水分が両極間に存在
する場合に上記の合金元素が一種のアノード防食の機構
により陽極でのＣｕ ｏ）Ｒ出を防止し、マイグレーシ
ョンの原因となる陰極での析出現象を抑制するものと考
えられる。
バーに十数ボルトの電位を負荷し、水分が両極間に存在
する場合に上記の合金元素が一種のアノード防食の機構
により陽極でのＣｕ ｏ）Ｒ出を防止し、マイグレーシ
ョンの原因となる陰極での析出現象を抑制するものと考
えられる。
しかして、上記のＳｎの含有量を０．５〜２．５％とし
たのは、Ｓｎは耐マイグレーション性を向上させるもの
であるが０．５％未満ではその効果が少なく、２．５％
を越えると導電率が低下するからである。
たのは、Ｓｎは耐マイグレーション性を向上させるもの
であるが０．５％未満ではその効果が少なく、２．５％
を越えると導電率が低下するからである。
またＣ０１Ｚｒ、Ｆｅ、Ｐ、Ｎｉ、Ａｎ、Ｍｇ。
Ｍｎ、Ａｓ、、Ｓｂ、Ｂ ｉおよびミツシュメタルを単
独で１％以下、合計で２％以下としたのは、これらの合
金元素は耐マイグレーション性の向上に寄与するもので
あるが、それぞれ上記の量を越えると導電率が低下し、
使用時のジュール熱による発熱が大きくなり信頼性が低
下するからである。
独で１％以下、合計で２％以下としたのは、これらの合
金元素は耐マイグレーション性の向上に寄与するもので
あるが、それぞれ上記の量を越えると導電率が低下し、
使用時のジュール熱による発熱が大きくなり信頼性が低
下するからである。
以下に本発明の一実施例について説明する。
電気銅にＺｎおよびその他の第１表に示す添°加元素を
常法の木炭被覆の大気溶解により鋳塊を作製し、これを
熱間圧延、酸洗い、冷間圧延、中間焼鈍、冷間圧延の工
程により巾２．０ｎ０．厚さ０．３２順のブスバーを作
製した。このブスバーを供試材とし、１５ｃｍＸＩＱΩ
Ｘ５ｃｍの大きさの樹脂モールドタイプの電気接続箱中
に回路長さ１．０ｍ、 Ｉ￥さ０．３２ｍｍ、巾２．０
−の各種のブスバーを陽、陰極のの極間距離を最低１．
５ｍｍに設置した。この電気接続箱について外気温２５
°Ｃの乾燥雰囲気中で総電流２５Ａを２０時間通電した
ときの温度上昇を測定し、次いで２５℃相対湿度９０％
の雰囲気中で総電流２５Ａをｉ 、 ｏｏｏ時間通電し
た後のリーク電流を測定した。
常法の木炭被覆の大気溶解により鋳塊を作製し、これを
熱間圧延、酸洗い、冷間圧延、中間焼鈍、冷間圧延の工
程により巾２．０ｎ０．厚さ０．３２順のブスバーを作
製した。このブスバーを供試材とし、１５ｃｍＸＩＱΩ
Ｘ５ｃｍの大きさの樹脂モールドタイプの電気接続箱中
に回路長さ１．０ｍ、 Ｉ￥さ０．３２ｍｍ、巾２．０
−の各種のブスバーを陽、陰極のの極間距離を最低１．
５ｍｍに設置した。この電気接続箱について外気温２５
°Ｃの乾燥雰囲気中で総電流２５Ａを２０時間通電した
ときの温度上昇を測定し、次いで２５℃相対湿度９０％
の雰囲気中で総電流２５Ａをｉ 、 ｏｏｏ時間通電し
た後のリーク電流を測定した。
これらの結果を第１表に示した。
第 １ 表
第１表から明らかなように本発明のＮ０． １〜１５に
おいては電気抵抗の増加による温度上昇が２３〜３１％
と小さく、またマイグレーション現象によるリーク電流
も最大０．２６３Ａと小さく良好な結果を示している。
おいては電気抵抗の増加による温度上昇が２３〜３１％
と小さく、またマイグレーション現象によるリーク電流
も最大０．２６３Ａと小さく良好な結果を示している。
これに対しＳｎの含有量の少ない比較例Ｎ（Ｌｉ２およ
び従来のタフピッチ銅はリーク電流が大きく、Ｓｎ量お
よび他の添加元素の含有量が多い比較例１７〜２４と従
来の７／３黄銅はリーク電流は小さいが電気抵抗が増加
しジュール熱による温度上昇が大きいことが判る。
び従来のタフピッチ銅はリーク電流が大きく、Ｓｎ量お
よび他の添加元素の含有量が多い比較例１７〜２４と従
来の７／３黄銅はリーク電流は小さいが電気抵抗が増加
しジュール熱による温度上昇が大きいことが判る。
以上に説明したように、本発明によれば電気抵抗が小さ
く、従ってジュール熱による発熱が小さく、かつ耐マイ
グレーション性に優れたブスバーが得られるもので電気
接続箱の小型化、高性能化を可能とするものであり工業
上顕著な効果を奏するものである。
く、従ってジュール熱による発熱が小さく、かつ耐マイ
グレーション性に優れたブスバーが得られるもので電気
接続箱の小型化、高性能化を可能とするものであり工業
上顕著な効果を奏するものである。
Claims (2)
- （１）Ｓｎ０．５〜２．５％を含み残部Ｃｕからなるこ
とを特徴とする電気接続箱用ブスバー。 - （２）Ｓｎ０．５〜２．５％とＣＯ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｐ、
Ｎｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、およびミ
ッシュメタルのいずれか１種または２種以上を１％以下
、合計で２％以下を含み残部Ｃｕからなることを特徴と
する電気接続箱用ブスバー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27953887A JPH01123040A (ja) | 1987-11-05 | 1987-11-05 | 電気接続箱用ブスバー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27953887A JPH01123040A (ja) | 1987-11-05 | 1987-11-05 | 電気接続箱用ブスバー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01123040A true JPH01123040A (ja) | 1989-05-16 |
Family
ID=17612393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27953887A Pending JPH01123040A (ja) | 1987-11-05 | 1987-11-05 | 電気接続箱用ブスバー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01123040A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6063506A (en) * | 1995-06-27 | 2000-05-16 | International Business Machines Corporation | Copper alloys for chip and package interconnections |
| US20090140430A1 (en) * | 2002-11-21 | 2009-06-04 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Copper Alloy Sputtering Target and Semiconductor Element Wiring |
-
1987
- 1987-11-05 JP JP27953887A patent/JPH01123040A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6063506A (en) * | 1995-06-27 | 2000-05-16 | International Business Machines Corporation | Copper alloys for chip and package interconnections |
| US20090140430A1 (en) * | 2002-11-21 | 2009-06-04 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Copper Alloy Sputtering Target and Semiconductor Element Wiring |
| US20180211841A1 (en) * | 2002-11-21 | 2018-07-26 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Copper Alloy Sputtering Target and Semiconductor Element Wiring |
| US10665462B2 (en) | 2002-11-21 | 2020-05-26 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Copper alloy sputtering target and semiconductor element wiring |
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