JPH0499839A - 通電材料 - Google Patents
通電材料Info
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- JPH0499839A JPH0499839A JP21375390A JP21375390A JPH0499839A JP H0499839 A JPH0499839 A JP H0499839A JP 21375390 A JP21375390 A JP 21375390A JP 21375390 A JP21375390 A JP 21375390A JP H0499839 A JPH0499839 A JP H0499839A
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Landscapes
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、端子、コネクター、バスバー(ブスバーとも
いう)間でのマイグレーションの発生を抑えた電気部品
材料用の通電材料に関する。
いう)間でのマイグレーションの発生を抑えた電気部品
材料用の通電材料に関する。
[従来の技術]
近年、電子、電気機器等の小型軽量化が進み、使用され
るコネクター等の部品も小型化するとともに、部品間の
距離も著しく短くなる傾向にある。又、回路はますます
集積化される傾向にある。すなわち、従来、個々の電子
部品はり−ト線により接続されて回路が形成されていた
が、部品数が増すに従い回路が複雑となるので、これら
を集積化することにより回路の小型化が進められている
。
るコネクター等の部品も小型化するとともに、部品間の
距離も著しく短くなる傾向にある。又、回路はますます
集積化される傾向にある。すなわち、従来、個々の電子
部品はり−ト線により接続されて回路が形成されていた
が、部品数が増すに従い回路が複雑となるので、これら
を集積化することにより回路の小型化が進められている
。
[発明か解決しようとする課題]
従来の小型化、集積化された回路において、異なる回路
又は配線か小型化のためにわずかな間隔をおいて隔てら
れているが、この間隔内に水なとの電解質が介在すると
電気化学的反応が生じ、高電位側の通電部の材料となっ
ている銅合金から溶解した銅イオンが低電位側で析出し
、更にその二が増すと短絡する現象が生じる。この現象
をマイグレーションといい、このようなマイグレーショ
ンが起ると、回路が正常に機能しなくなる。したがって
、近年では高い導電率を有し、かつ、マイグレーション
の発生しない材料が強く望まれていた。
又は配線か小型化のためにわずかな間隔をおいて隔てら
れているが、この間隔内に水なとの電解質が介在すると
電気化学的反応が生じ、高電位側の通電部の材料となっ
ている銅合金から溶解した銅イオンが低電位側で析出し
、更にその二が増すと短絡する現象が生じる。この現象
をマイグレーションといい、このようなマイグレーショ
ンが起ると、回路が正常に機能しなくなる。したがって
、近年では高い導電率を有し、かつ、マイグレーション
の発生しない材料が強く望まれていた。
[課題を解決するための手段〕
本発明者らは上記の問題点に鑑み、マイグレーションの
研究を進め、陽極側に接続された端子、コネクター、バ
スバー等の通電材料として、N i 0.3〜3.0w
t%、Z n 0.1〜3.0wt%を含み、或いは
更に副成分としてP% 5nSAs。
研究を進め、陽極側に接続された端子、コネクター、バ
スバー等の通電材料として、N i 0.3〜3.0w
t%、Z n 0.1〜3.0wt%を含み、或いは
更に副成分としてP% 5nSAs。
Crs Mgs Mn、sb、Co、AI、Ti5Zr
、Be、Ag5Pb、B5Si、Feからなる1種又は
2種以上を総量で0.001〜3.0νt%含み、残部
Cu及び不可避的不純物からなることを特徴とするもの
である。
、Be、Ag5Pb、B5Si、Feからなる1種又は
2種以上を総量で0.001〜3.0νt%含み、残部
Cu及び不可避的不純物からなることを特徴とするもの
である。
本発明にしたがってCuに添加される元素のそれぞれの
添加量は次のことを考慮して定められる。すなわち、ま
ず、Zrは銅及び銅合金に含有されることにより、銅及
び銅合金のマイグレーション性を抑制する効果を有する
元素である。又、Znは銅及び銅合金にZrと同時に含
有されることにより、銅及び銅合金のマイグレーション
現象をNiのみが含有する場合に比較して抑制する効果
を有する元素である。
添加量は次のことを考慮して定められる。すなわち、ま
ず、Zrは銅及び銅合金に含有されることにより、銅及
び銅合金のマイグレーション性を抑制する効果を有する
元素である。又、Znは銅及び銅合金にZrと同時に含
有されることにより、銅及び銅合金のマイグレーション
現象をNiのみが含有する場合に比較して抑制する効果
を有する元素である。
マイグレーション現象を抑制する機構は明確ではないが
、Ni及びZn特にNiの存在によりCuイオンの溶出
量が減少し、Ni及びZnの化合物の生成により、析出
したCu粒子を介する通電が妨害されることによって電
極間のマイグレーション現象が抑制されると推察される
。
、Ni及びZn特にNiの存在によりCuイオンの溶出
量が減少し、Ni及びZnの化合物の生成により、析出
したCu粒子を介する通電が妨害されることによって電
極間のマイグレーション現象が抑制されると推察される
。
Ni含有量を0,8〜g、0wt%とする理由はNi含
有量が0.8wt%未満ではマイグレーション現象を抑
制する効果がなく、3.0wt%を超えるとマイグレー
ション現象の抑制効果はあるが、導電率が低下し、通電
時の発熱量が大きくなり、熱放散性も低くなるためであ
る。
有量が0.8wt%未満ではマイグレーション現象を抑
制する効果がなく、3.0wt%を超えるとマイグレー
ション現象の抑制効果はあるが、導電率が低下し、通電
時の発熱量が大きくなり、熱放散性も低くなるためであ
る。
同様にZn含有量を0.1〜3.0wt%とする理由は
Zn含有量が0. lvt%未満ではマイグレーション
現象をより抑制する効果がなく、3.0wt%を超える
とマイグレーション現象をより抑制する効果はあるが、
導電率が低下し、通電時の発熱量が大きくなり、熱放散
性も低くなるためである。
Zn含有量が0. lvt%未満ではマイグレーション
現象をより抑制する効果がなく、3.0wt%を超える
とマイグレーション現象をより抑制する効果はあるが、
導電率が低下し、通電時の発熱量が大きくなり、熱放散
性も低くなるためである。
更に副成分として、PSSn、As、Cr、MgSMn
、Sbs Co、Al5Ti、Zr。
、Sbs Co、Al5Ti、Zr。
Be、Ag、Pb、B、S 1SFeからなる1fii
又は2種以上を0.001vt 〜3.0wt%添加す
るのは、強度を向上させるためであるが、0.001w
t%未満ではその効果はなく、3.0wt%を超えると
導電率が低下するためである。
又は2種以上を0.001vt 〜3.0wt%添加す
るのは、強度を向上させるためであるが、0.001w
t%未満ではその効果はなく、3.0wt%を超えると
導電率が低下するためである。
[実施例]
以下に本発明の具体例を示す。
まず、第1表に示す組成の本発明合金及び比較合金を大
気中もしくは不活性雰囲気中で溶解鋳造し、面側後熱間
圧延し、その冷間圧延、焼鈍酸洗をくり返し、400〜
600℃で4時間最終焼鈍、酸洗後加工度20%で冷間
圧延して0.6m+nの厚さの板を得た。そして、12
00工メリー紙で表面を研磨した。
気中もしくは不活性雰囲気中で溶解鋳造し、面側後熱間
圧延し、その冷間圧延、焼鈍酸洗をくり返し、400〜
600℃で4時間最終焼鈍、酸洗後加工度20%で冷間
圧延して0.6m+nの厚さの板を得た。そして、12
00工メリー紙で表面を研磨した。
これらの供試材について引張強さ、伸び、導電率、耐マ
イグレーション性を評価した。耐マイグレーション性は
、供試材を1011II11×100111mに切断し
、2枚1組として、第1図並びに第2図に示すようにし
て水道水(800cc)中に浸漬した。
イグレーション性を評価した。耐マイグレーション性は
、供試材を1011II11×100111mに切断し
、2枚1組として、第1図並びに第2図に示すようにし
て水道水(800cc)中に浸漬した。
次にこの2枚の供試材に1AVの直流電圧を加え、経過
時間に対する電流値の変化を記録計にて測定した。この
結果の代表例を第3図に示す。又、各供試材における電
流値が1.OAになるまでの時間(第3図中矢印)を第
1表に示す。
時間に対する電流値の変化を記録計にて測定した。この
結果の代表例を第3図に示す。又、各供試材における電
流値が1.OAになるまでの時間(第3図中矢印)を第
1表に示す。
第1表より本発明合金No、1〜10はいずれも導電率
が50%lAC3以上で、かつ強度と耐マイグレーショ
ン性に優れ、自動車の端子、コネクター、バスバー等の
耐マイグレーション性の求められる通電材料として最適
な合金であることが判る。
が50%lAC3以上で、かつ強度と耐マイグレーショ
ン性に優れ、自動車の端子、コネクター、バスバー等の
耐マイグレーション性の求められる通電材料として最適
な合金であることが判る。
又、比較合金No、11はNiとZnの含有量が少ない
ため、耐マイグレーション性が悪く、又、強度も低い。
ため、耐マイグレーション性が悪く、又、強度も低い。
No、12はNi含有量が少ないため耐マイグレーショ
ン性が悪い。N o、11はNi含有量が多すぎるため
導電率が低い。No、14はZn含有量が多いため導電
率が低い。No、15は従来自動車のバスバー材に用い
られる黄銅1種で強度と耐マイグレーション性は高いが
導電率が低い。
ン性が悪い。N o、11はNi含有量が多すぎるため
導電率が低い。No、14はZn含有量が多いため導電
率が低い。No、15は従来自動車のバスバー材に用い
られる黄銅1種で強度と耐マイグレーション性は高いが
導電率が低い。
[発明の効果]
本発明の通電材料は高い導電率を有し、かつ耐マイグレ
ーション性の優れた材料である。
ーション性の優れた材料である。
第1図は耐マイグレーション性のテストのための供試材
の斜視図、第2図は同テストの説明図、第3図は測定結
果を示すグラフである。 特許出願人 ]」本鉱業株式会社 代理人 弁理士 小 松 秀 岳
の斜視図、第2図は同テストの説明図、第3図は測定結
果を示すグラフである。 特許出願人 ]」本鉱業株式会社 代理人 弁理士 小 松 秀 岳
Claims (2)
- (1)Ni0.3〜3.0wt%、Zn0.1〜3.0
wt%を含み、残部Cu及び不可避的不純物からなるこ
とを特徴とする通電材料。 - (2)Ni0.3〜3.0wt%、Zn0.1〜3.0
wt%を含み、更に副成分としてP、Sn、As、Cr
、Mg、Mn、Sb、Co、Al、Ti、Zr、Be、
Ag、Pb、B、Si、Feからなる1種又は2種以上
を総量で0.001〜3.0wt%含み、残部Cu及び
不可避的不純物からなることを特徴とする通電材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21375390A JPH0499839A (ja) | 1990-08-14 | 1990-08-14 | 通電材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21375390A JPH0499839A (ja) | 1990-08-14 | 1990-08-14 | 通電材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0499839A true JPH0499839A (ja) | 1992-03-31 |
Family
ID=16644457
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21375390A Pending JPH0499839A (ja) | 1990-08-14 | 1990-08-14 | 通電材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0499839A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4338769A1 (de) * | 1992-11-13 | 1994-05-19 | Mitsubishi Shindo Kk | Kupferlegierung mit sehr guter Warmbearbeitbarkeit und Stanzbarkeit für elektrische und elektronische Teile |
US5833920A (en) * | 1996-02-20 | 1998-11-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Copper alloy for electronic parts, lead-frame, semiconductor device and connector |
US6001196A (en) * | 1996-10-28 | 1999-12-14 | Brush Wellman, Inc. | Lean, high conductivity, relaxation-resistant beryllium-nickel-copper alloys |
US6334915B1 (en) | 1998-03-26 | 2002-01-01 | Kabushiki Kaish Kobe Seiko Sho | Copper alloy sheet for electronic parts |
JP2006265593A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Dowa Mining Co Ltd | 銅合金材およびその製造方法 |
-
1990
- 1990-08-14 JP JP21375390A patent/JPH0499839A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4338769A1 (de) * | 1992-11-13 | 1994-05-19 | Mitsubishi Shindo Kk | Kupferlegierung mit sehr guter Warmbearbeitbarkeit und Stanzbarkeit für elektrische und elektronische Teile |
US5833920A (en) * | 1996-02-20 | 1998-11-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Copper alloy for electronic parts, lead-frame, semiconductor device and connector |
US6001196A (en) * | 1996-10-28 | 1999-12-14 | Brush Wellman, Inc. | Lean, high conductivity, relaxation-resistant beryllium-nickel-copper alloys |
US6334915B1 (en) | 1998-03-26 | 2002-01-01 | Kabushiki Kaish Kobe Seiko Sho | Copper alloy sheet for electronic parts |
JP2006265593A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Dowa Mining Co Ltd | 銅合金材およびその製造方法 |
JP4692727B2 (ja) * | 2005-03-23 | 2011-06-01 | Dowaメタルテック株式会社 | 銅合金材 |
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