JPH01168830A - 通電材料 - Google Patents
通電材料Info
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- JPH01168830A JPH01168830A JP32685887A JP32685887A JPH01168830A JP H01168830 A JPH01168830 A JP H01168830A JP 32685887 A JP32685887 A JP 32685887A JP 32685887 A JP32685887 A JP 32685887A JP H01168830 A JPH01168830 A JP H01168830A
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Landscapes
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、端子、コネクター、バスバー(ブスバーとも
いう)間でのマイグレーションの発生を押えた電気部品
材料用の通電材料に関する。
いう)間でのマイグレーションの発生を押えた電気部品
材料用の通電材料に関する。
近年、電子、電気機器等の小型軽量化が進み、使用され
るコネクター等の部品も小型化するとともに1部品間の
距離も著しく短くなる傾向にある。
るコネクター等の部品も小型化するとともに1部品間の
距離も著しく短くなる傾向にある。
また1回路はますます集積化される傾向にある。
すなわち、従来、個々の電子部品はリード線により接続
されて回路が形成されていたが、部品数が増すに従い゛
回路が複雑となるので、これらを集積化することにより
回路の小型化が進められている。
されて回路が形成されていたが、部品数が増すに従い゛
回路が複雑となるので、これらを集積化することにより
回路の小型化が進められている。
従来の小型化、集積化された回路において、異る回路ま
たは配線が小型化のためにわずかな間隔をおいて隔てら
れているが、この間隔内に水などの電解質が介在すると
電気化学的反応が生じ、高電位側の通電部の材料となっ
ている銅合金から溶解した銅イオンが低電位側で析出し
、さらにその量が増すと短絡する現象が生じる。この現
象をマイグレーションといい、このようなマイグレーシ
ョンが起ると1回路が正常に機能しなくなる。従って、
近年では高い強度と高い導電率を有し、かつマイグレー
ションの発生しない材料が強く望まれていた。
たは配線が小型化のためにわずかな間隔をおいて隔てら
れているが、この間隔内に水などの電解質が介在すると
電気化学的反応が生じ、高電位側の通電部の材料となっ
ている銅合金から溶解した銅イオンが低電位側で析出し
、さらにその量が増すと短絡する現象が生じる。この現
象をマイグレーションといい、このようなマイグレーシ
ョンが起ると1回路が正常に機能しなくなる。従って、
近年では高い強度と高い導電率を有し、かつマイグレー
ションの発生しない材料が強く望まれていた。
本発明者らは、上記の問題点に鑑み、マイグレーション
の研究を進め、陽極側に接続される端子、コネクター、
バスバー等の通電材料として適した銅合金を開発したも
のである。
の研究を進め、陽極側に接続される端子、コネクター、
バスバー等の通電材料として適した銅合金を開発したも
のである。
本発明は、Fe1.0〜3.0wt%、p 0.。
1〜0.10wt%、Zn0.05〜5.0wt%を含
み、残部Cuおよび不可避的不純物からなる゛通電材料
及びFa1.0〜3.0wt%、p 0.。
み、残部Cuおよび不可避的不純物からなる゛通電材料
及びFa1.0〜3.0wt%、p 0.。
1〜0.10wt%、Zn0.05〜5.0wt%を含
み、さらに副成分としてNi、Si、Sn、As、Cr
、Mg、Mn、Sb、C0.AI、Ti、Zr、Be、
Ag、Pb、Bからなる1種または2種以上を総量で0
.001〜3.0wt%含み、残部Cuおよび不可避的
不純物からなることを特徴とする通電材料である。
み、さらに副成分としてNi、Si、Sn、As、Cr
、Mg、Mn、Sb、C0.AI、Ti、Zr、Be、
Ag、Pb、Bからなる1種または2種以上を総量で0
.001〜3.0wt%含み、残部Cuおよび不可避的
不純物からなることを特徴とする通電材料である。
次に合金成分の限定理由について説明する。
FeおよびPは同時に含有されることによって。
母相中に燐化鉄を形成して強化に寄与するもので、Fe
の含有量−が1.0〜3.Ow t%とする理由は、1
.0wt%未満では強度の向上が十分ではなく、3.0
wt%を超えると導電率および加工性が劣化するためで
ある。また、Pの含有量を0.001〜0.1wt%と
する理由は、O,001wt%未満では強度の向上は認
められず、O,1wt%を超えると燐化鉄を形成しない
余剰のPが母相に固溶して導電率が著しく劣化するため
である。
の含有量−が1.0〜3.Ow t%とする理由は、1
.0wt%未満では強度の向上が十分ではなく、3.0
wt%を超えると導電率および加工性が劣化するためで
ある。また、Pの含有量を0.001〜0.1wt%と
する理由は、O,001wt%未満では強度の向上は認
められず、O,1wt%を超えると燐化鉄を形成しない
余剰のPが母相に固溶して導電率が著しく劣化するため
である。
また、Znは銅や銅合金に含有することにより″、銅お
よび銅合金のマイグレーションを防止する効果がある。
よび銅合金のマイグレーションを防止する効果がある。
そのマイグレーションを防止する機構は明確ではないが
、Znの存在によりCuイオンの溶解量が減少し、さら
に、Znの化合物の生成により、析出したCu粒子を介
する通電が妨害されることによって、電極間のマイグレ
ーション現象が抑制されると推察される。Znを0.0
5〜5.0wt%とする理由は、Zn含有量が0.05
wt%未満ではマイグレーション現象を抑制する効果が
少なく、5.0wt%を超えるとマイグレーション現象
の抑制効果はあるが、導電率が低下し1通電時の発熱量
が大きくなり、熱放散性も低くなるためである。
、Znの存在によりCuイオンの溶解量が減少し、さら
に、Znの化合物の生成により、析出したCu粒子を介
する通電が妨害されることによって、電極間のマイグレ
ーション現象が抑制されると推察される。Znを0.0
5〜5.0wt%とする理由は、Zn含有量が0.05
wt%未満ではマイグレーション現象を抑制する効果が
少なく、5.0wt%を超えるとマイグレーション現象
の抑制効果はあるが、導電率が低下し1通電時の発熱量
が大きくなり、熱放散性も低くなるためである。
さらに副成分としてNi、Si、Sn、As、Cr、M
g、Mn、Sb、Co、Al、Ti、Zr、Be、Ag
、Pb、Bからなる1種または2種以上を総量で0.0
01〜3.0wt%添加するのは、強度向上のためであ
るが、O,001wt%未満ではその効果がなく、3.
0wt%を超えると導電率の低下が著しいためである。
g、Mn、Sb、Co、Al、Ti、Zr、Be、Ag
、Pb、Bからなる1種または2種以上を総量で0.0
01〜3.0wt%添加するのは、強度向上のためであ
るが、O,001wt%未満ではその効果がなく、3.
0wt%を超えると導電率の低下が著しいためである。
次に本発明合金の実施例について説明する。
第1表に示す組成の合金を大気中あるいは不活性雰囲気
中で溶解鋳造し、固剤後熱間圧延し、その後冷間圧延と
焼鈍酸洗をくり返し、最終的に加工度60%で冷間圧延
した0、 8I1mmの厚さの板を得た。さらに、この
板を400〜500℃の温度で時効処理を行った。また
、比較合金Nα16〜17については最終圧延後400
〜500’Cで歪取り焼鈍を行った。これら覧1〜17
について#1200エメリー紙にて表面を研磨し、スケ
ールを除去した。
中で溶解鋳造し、固剤後熱間圧延し、その後冷間圧延と
焼鈍酸洗をくり返し、最終的に加工度60%で冷間圧延
した0、 8I1mmの厚さの板を得た。さらに、この
板を400〜500℃の温度で時効処理を行った。また
、比較合金Nα16〜17については最終圧延後400
〜500’Cで歪取り焼鈍を行った。これら覧1〜17
について#1200エメリー紙にて表面を研磨し、スケ
ールを除去した。
これらの供試材について、引張強さ、伸び、導電率、耐
マイグレーション性を評価した。耐マイグレーション性
の評価は供試材を10+mX100論に切断し、2枚1
組として、第1図並びに第2図に示すようにして1両端
を水道水中に浸漬した濾紙上に固定した。すなわち、水
道水1を入れた容器2に樹脂板3をさし渡し、これに両
端を水道水1中に浸漬した濾紙4をかけ、その濾紙4の
上に2枚の供試材5.5を載置して、両端部を樹脂板3
上に耐酸テープ6で固定した0次にこの2枚の供試材5
.5に14Vの直流電圧を加え、経過時間に対する電流
値の変化を記録計7にて測定した。
マイグレーション性を評価した。耐マイグレーション性
の評価は供試材を10+mX100論に切断し、2枚1
組として、第1図並びに第2図に示すようにして1両端
を水道水中に浸漬した濾紙上に固定した。すなわち、水
道水1を入れた容器2に樹脂板3をさし渡し、これに両
端を水道水1中に浸漬した濾紙4をかけ、その濾紙4の
上に2枚の供試材5.5を載置して、両端部を樹脂板3
上に耐酸テープ6で固定した0次にこの2枚の供試材5
.5に14Vの直流電圧を加え、経過時間に対する電流
値の変化を記録計7にて測定した。
この結果の代表例を第3図に示す、また、各供試材にお
ける電流値が0.5Aになるまでの時間(図中矢印で示
す)を第1表に示す。
ける電流値が0.5Aになるまでの時間(図中矢印で示
す)を第1表に示す。
第1表に示した結果から明らかな様に、本発明合金は強
度が高く、導電率も良好で、優れた耐マイグレーション
性を有する通電材料であり、コネクター、端子、バスバ
ーなどに用いて有用である。
度が高く、導電率も良好で、優れた耐マイグレーション
性を有する通電材料であり、コネクター、端子、バスバ
ーなどに用いて有用である。
以下余白
第1図は本発明の試験に用いる装置の平面図。
第2図は第1図のA−A断面図、第3図は試験結果を示
すグラフである。 1・・・・・・水道水 2・・・・・・容 器3
・・・・・・樹脂板 4・・・・・・濾 紙5・
・・・・・供試材 6・・・・・・耐酸テープ7
・・・・・・記録計
すグラフである。 1・・・・・・水道水 2・・・・・・容 器3
・・・・・・樹脂板 4・・・・・・濾 紙5・
・・・・・供試材 6・・・・・・耐酸テープ7
・・・・・・記録計
Claims (2)
- (1)Fe1.0〜3.0wt%、P0.01〜0.1
0wt%、Zn0.05〜5.0wt%を含み、残部C
uおよび不可避的不純物からなることを特徴とする通電
材料。 - (2)Fe1.0〜3.0wt%、P0.01〜0.1
0wt%.Zn0.05〜5.0wt%を含み、さらに
副成分としてNi、Si、Sn、As、Cr、Mg、M
n、Sb、Co、Al、Ti、Zr、Be、Ag、Pb
、Bからなる1種または2種以上を総量で0.001〜
3.0wt%含み、残部Cuおよび不可避的不純物から
なることを特徴とする通電材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32685887A JPH01168830A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 通電材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32685887A JPH01168830A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 通電材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01168830A true JPH01168830A (ja) | 1989-07-04 |
Family
ID=18192507
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32685887A Pending JPH01168830A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 通電材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01168830A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1995009252A1 (fr) * | 1993-09-30 | 1995-04-06 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Alliage de cuivre pour composants electriques et electroniques |
US5833920A (en) * | 1996-02-20 | 1998-11-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Copper alloy for electronic parts, lead-frame, semiconductor device and connector |
US6344171B1 (en) * | 1999-08-25 | 2002-02-05 | Kobe Steel, Ltd. | Copper alloy for electrical or electronic parts |
-
1987
- 1987-12-25 JP JP32685887A patent/JPH01168830A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1995009252A1 (fr) * | 1993-09-30 | 1995-04-06 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Alliage de cuivre pour composants electriques et electroniques |
KR100238957B1 (ko) * | 1993-09-30 | 2000-01-15 | 구마모토 마사히로 | 전기 전자부품용 구리합금 |
US5833920A (en) * | 1996-02-20 | 1998-11-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Copper alloy for electronic parts, lead-frame, semiconductor device and connector |
US6344171B1 (en) * | 1999-08-25 | 2002-02-05 | Kobe Steel, Ltd. | Copper alloy for electrical or electronic parts |
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