JPH04231432A - 通電材料 - Google Patents
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- JPH04231432A JPH04231432A JP41777390A JP41777390A JPH04231432A JP H04231432 A JPH04231432 A JP H04231432A JP 41777390 A JP41777390 A JP 41777390A JP 41777390 A JP41777390 A JP 41777390A JP H04231432 A JPH04231432 A JP H04231432A
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- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレーム、端子
、コネクター、バスバー（ブスバーともいう）間でのマ
イグレーションの発生を抑えた電気部品材料用の通電材
料に関する。
、コネクター、バスバー（ブスバーともいう）間でのマ
イグレーションの発生を抑えた電気部品材料用の通電材
料に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子、電気機器等の小型軽量化が
進み、使用されるコネクター等の部品も小型化するとと
もに、部品間の距離も著しく短くなる傾向にある。又、
回路はますます集積化される傾向にある。すなわち、従
来、個々の電子部品はリード線により接続されて回路が
形成されていたが、部品数が増すに従い回路が複雑とな
るので、これらを集積化することにより回路の小型化が
進められている。
進み、使用されるコネクター等の部品も小型化するとと
もに、部品間の距離も著しく短くなる傾向にある。又、
回路はますます集積化される傾向にある。すなわち、従
来、個々の電子部品はリード線により接続されて回路が
形成されていたが、部品数が増すに従い回路が複雑とな
るので、これらを集積化することにより回路の小型化が
進められている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の小型化、集積化
された回路において、異なる回路又は配線が小型化のた
めにわずかな間隔をおいて隔てられているが、この間隔
内に水などの電解質が介在すると電気化学的反応が生じ
、高電位側の通電部の材料となっている銅合金から溶解
した銅イオンが低電位側で析出し、更にその量が増すと
短絡する現象が生じる。この現象をマイグレーションと
いい、このようなマイグレーションが起ると、回路が正
常に機能しなくなる。したがって、近年では高い導電率
を有し、かつ、マイグレーションの発生しない材料が強
く望まれていた。
された回路において、異なる回路又は配線が小型化のた
めにわずかな間隔をおいて隔てられているが、この間隔
内に水などの電解質が介在すると電気化学的反応が生じ
、高電位側の通電部の材料となっている銅合金から溶解
した銅イオンが低電位側で析出し、更にその量が増すと
短絡する現象が生じる。この現象をマイグレーションと
いい、このようなマイグレーションが起ると、回路が正
常に機能しなくなる。したがって、近年では高い導電率
を有し、かつ、マイグレーションの発生しない材料が強
く望まれていた。
【０００４】Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ系合金は特開平１−２４２
７４０により公知のように耐マイグレーション性に優れ
、かつ高強度で高導電性を有し、リードフレームや端子
、コネクター、バスバーなどの通電材料に適した合金で
あるが、本発明者が研究を進めた結果、溶接や熱間圧延
時に割れが発生し易く、製造性や半田めっき、Ｓｎめっ
きなどの耐熱剥離性に問題があり、めっきを要する製品
に使用するのには問題があった。
７４０により公知のように耐マイグレーション性に優れ
、かつ高強度で高導電性を有し、リードフレームや端子
、コネクター、バスバーなどの通電材料に適した合金で
あるが、本発明者が研究を進めた結果、溶接や熱間圧延
時に割れが発生し易く、製造性や半田めっき、Ｓｎめっ
きなどの耐熱剥離性に問題があり、めっきを要する製品
に使用するのには問題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記の問題
点に鑑み研究を進め、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ系合金のＮｉとＰ
の比を重量％比でＮｉ／Ｐ＝６〜１０の範囲にすること
により、耐マイグレーション性に優れ、高強度で高導電
性に優れるという特性を損うことなく、溶接性、熱間圧
延性及び半田めっきやＳｎめっきの耐熱剥離性を改善す
ることを見出したものであり、リードフレーム、端子、
コネクター、バスバー等の通電材料として、Ｎｉ０．５
〜３．０ｗｔ％、Ｐ０．０５〜０．５ｗｔ％を含み、あ
るいはさらに副成分として、Ｔｉ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｂ、Ａ
ｓ、Ｓｂ、Ａｇ、Ｐｂ、Ｂｅ、Ｚｒからなる群の１種又
は２種以上を総量で０．００１〜５．０ｗｔ％含みＮｉ
とＰが重量比でＮｉ／Ｐ＝６〜１０の範囲にあり、残部
Ｃｕ及び不可避的不純物からなることを特徴とするもの
である。
点に鑑み研究を進め、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ系合金のＮｉとＰ
の比を重量％比でＮｉ／Ｐ＝６〜１０の範囲にすること
により、耐マイグレーション性に優れ、高強度で高導電
性に優れるという特性を損うことなく、溶接性、熱間圧
延性及び半田めっきやＳｎめっきの耐熱剥離性を改善す
ることを見出したものであり、リードフレーム、端子、
コネクター、バスバー等の通電材料として、Ｎｉ０．５
〜３．０ｗｔ％、Ｐ０．０５〜０．５ｗｔ％を含み、あ
るいはさらに副成分として、Ｔｉ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｂ、Ａ
ｓ、Ｓｂ、Ａｇ、Ｐｂ、Ｂｅ、Ｚｒからなる群の１種又
は２種以上を総量で０．００１〜５．０ｗｔ％含みＮｉ
とＰが重量比でＮｉ／Ｐ＝６〜１０の範囲にあり、残部
Ｃｕ及び不可避的不純物からなることを特徴とするもの
である。
【０００６】本発明にしたがってＣｕに添加される元素
のそれぞれの添加量は次のことを考慮して定められる。 すなわち、まずＮｉは銅及び銅合金に含有されることに
より、銅及び銅合金のマイグレーション性を抑制する効
果を有する元素である。
のそれぞれの添加量は次のことを考慮して定められる。 すなわち、まずＮｉは銅及び銅合金に含有されることに
より、銅及び銅合金のマイグレーション性を抑制する効
果を有する元素である。
【０００７】マイグレーション現象を抑制する機構は明
確ではないが、Ｎｉの存在によりＣｕイオンの溶出量が
減少し、Ｎｉの化合物の生成により、析出したＣｕ粒子
を介する通電が妨害されることによって、電極間のマイ
グレーション現象が抑制されると推察される。
確ではないが、Ｎｉの存在によりＣｕイオンの溶出量が
減少し、Ｎｉの化合物の生成により、析出したＣｕ粒子
を介する通電が妨害されることによって、電極間のマイ
グレーション現象が抑制されると推察される。
【０００８】ＮｉとＰを同時に含有させるのは、Ｎｉと
Ｐは化合物をつくって、銅及び銅合金中に析出するため
、Ｎｉ又はＰを単独で含有する場合より強度、誘電率を
向上させるからである。
Ｐは化合物をつくって、銅及び銅合金中に析出するため
、Ｎｉ又はＰを単独で含有する場合より強度、誘電率を
向上させるからである。
【０００９】Ｎｉ含有量を０．５〜３．０ｗｔ％とする
理由はＮｉ含有量が０．５ｗｔ％未満では、マイグレー
ション現象を抑制する効果がなく、３．０ｗｔ％を超え
るとマイグレーション現象の抑制効果はあるが、導電率
が低下し、通電時の発熱量が大きくなり、熱放散性も低
くなるためである。
理由はＮｉ含有量が０．５ｗｔ％未満では、マイグレー
ション現象を抑制する効果がなく、３．０ｗｔ％を超え
るとマイグレーション現象の抑制効果はあるが、導電率
が低下し、通電時の発熱量が大きくなり、熱放散性も低
くなるためである。
【００１０】Ｐ含有量を０．０５〜０．５ｗｔ％とする
理由は、Ｐ含有量が０．０５ｗｔ％未満ではＮｉと化合
物をつくって強度、導電率を向上させる効果が少なく、
０．５ｗｔ％を超えると導電率の低下が著しく、又、半
田めっき、Ｓｎめっきの耐熱剥離性、溶接性及び熱間圧
延性が低下するためである。
理由は、Ｐ含有量が０．０５ｗｔ％未満ではＮｉと化合
物をつくって強度、導電率を向上させる効果が少なく、
０．５ｗｔ％を超えると導電率の低下が著しく、又、半
田めっき、Ｓｎめっきの耐熱剥離性、溶接性及び熱間圧
延性が低下するためである。
【００１１】ＮｉとＰの成分比を重量％比でＮｉ／Ｐ＝
６〜１０とする理由は、Ｎｉ／Ｐが６未満では、溶接や
熱間圧延の加熱により粗大なＮｉとＰの化合物が発生し
、溶接部や材料に割れが発生し易くなり、又、Ｎｉとの
化合物として析出しないＰが多くなり、Ｓｎめっきや半
田めっきの耐熱剥離性が低下し、Ｎｉ／Ｐが１０を超え
るとＰとの化合物として析出しないＮｉが多くなりすぎ
るため、導電率の低下が著しいためである。
６〜１０とする理由は、Ｎｉ／Ｐが６未満では、溶接や
熱間圧延の加熱により粗大なＮｉとＰの化合物が発生し
、溶接部や材料に割れが発生し易くなり、又、Ｎｉとの
化合物として析出しないＰが多くなり、Ｓｎめっきや半
田めっきの耐熱剥離性が低下し、Ｎｉ／Ｐが１０を超え
るとＰとの化合物として析出しないＮｉが多くなりすぎ
るため、導電率の低下が著しいためである。
【００１２】Ｚｎ含有量を０．１〜３．０ｗｔ％とする
理由は、ＺｎはＮｉと共添されることによりＮｉのマイ
グレーション現象の抑制効果を助長するとともにＳｎめ
っきや半田めっきの耐熱剥離性を改善するためであり、
０．１ｗｔ％未満ではその効果は低く、３．０ｗｔ％を
超えると導電率の低下が著しくなるためである。
理由は、ＺｎはＮｉと共添されることによりＮｉのマイ
グレーション現象の抑制効果を助長するとともにＳｎめ
っきや半田めっきの耐熱剥離性を改善するためであり、
０．１ｗｔ％未満ではその効果は低く、３．０ｗｔ％を
超えると導電率の低下が著しくなるためである。
【００１３】さらに、副成分としてＴｉ、Ｓｎ、Ａｌ、
Ｂ、Ａｓ、Ｓｂ、Ａｇ、Ｂｅ、Ｚｒ、からなる群から１
種又は２種以上を総量で０．００１〜５．０ｗｔ％含む
理由は、強度を向上させるためであるが、０．００１ｗ
ｔ％未満ではその効果はなく、逆に５．０ｗｔ％を超え
ると導電性が低下するためである。
Ｂ、Ａｓ、Ｓｂ、Ａｇ、Ｂｅ、Ｚｒ、からなる群から１
種又は２種以上を総量で０．００１〜５．０ｗｔ％含む
理由は、強度を向上させるためであるが、０．００１ｗ
ｔ％未満ではその効果はなく、逆に５．０ｗｔ％を超え
ると導電性が低下するためである。
【００１４】
【実施例】以下に本発明の具体例を示す。
【００１５】まず表１に示す組成の本発明合金を大気中
又は不活性雰囲気中で溶解鋳造し、面削後熱間圧延し、
その後、冷却圧延と焼鈍酸洗をくり返し、比較合金Ｎｏ
１２，１３以外は４５０℃で１０時間最終焼鈍、酸洗後
加工度２０％で冷間圧延した０．８ｍｍの厚さの板を得
た。そして、＃１２００エメリー紙で表面研摩した。
又は不活性雰囲気中で溶解鋳造し、面削後熱間圧延し、
その後、冷却圧延と焼鈍酸洗をくり返し、比較合金Ｎｏ
１２，１３以外は４５０℃で１０時間最終焼鈍、酸洗後
加工度２０％で冷間圧延した０．８ｍｍの厚さの板を得
た。そして、＃１２００エメリー紙で表面研摩した。
【００１６】なお、比較合金Ｎｏ１２，１３はそれぞれ
市販のタフピッチ銅と黄銅１種を用いた。
市販のタフピッチ銅と黄銅１種を用いた。
【００１７】
【表１】
こうして得られた供試材について引張強さ、伸び、導電
率、Ｓｎめっき及び半田めっきの耐熱剥離性、溶接性及
び耐マイグレーション性を評価した。結果を表２に示す
。又、溶解鋳造後面削したインゴットを用いて熱間圧延
性を調査した。
率、Ｓｎめっき及び半田めっきの耐熱剥離性、溶接性及
び耐マイグレーション性を評価した。結果を表２に示す
。又、溶解鋳造後面削したインゴットを用いて熱間圧延
性を調査した。
【００１８】Ｓｎめっきの耐熱剥離性は銅下地めっき上
にＳｎめっきを施した１０ｍｍ×５０ｍｍの短冊試験片
を１５０℃にて所定時間加熱した後、９０°曲げを往復
１回行ない、曲げ部のめっきが剥離する時間を測定した
。
にＳｎめっきを施した１０ｍｍ×５０ｍｍの短冊試験片
を１５０℃にて所定時間加熱した後、９０°曲げを往復
１回行ない、曲げ部のめっきが剥離する時間を測定した
。
【００１９】半田めっきの耐熱剥離性は９０％Ｓｎ１０
％Ｐｂの光沢半田めっきを施した１０ｍｍ×５０ｍｍの
短冊試験片を大気中で１５０℃にて所定時間加熱した後
、９０°曲げを往復１回行い曲げ部のめっきが剥離する
時間を測定した。
％Ｐｂの光沢半田めっきを施した１０ｍｍ×５０ｍｍの
短冊試験片を大気中で１５０℃にて所定時間加熱した後
、９０°曲げを往復１回行い曲げ部のめっきが剥離する
時間を測定した。
【００２０】溶接性は、８０ｍｍ×２００ｍｍの供試材
中央にイナートガスアーク溶接により長さ１００ｍｍの
溶接ビードを作製後割れの有無を５倍の拡大鏡にて観察
した。耐マイグレーション性は供試材を１０ｍｍ×１０
０ｍｍに切断し、２枚１組として、図１に示すようにセ
ットした供試材を図２に示すようにして水道水中（３０
０ｃｃ）中に浸漬した。次にこの２枚の供試材に１４Ｖ
の直流電圧を加え、経過時間に対する電流値の変化を記
録計にて測定した。この結果の代表例を図３に示す。 又、各供試材における電流値が１．０Ａになるまでの時
間（図３中矢印）を表２に示す。
中央にイナートガスアーク溶接により長さ１００ｍｍの
溶接ビードを作製後割れの有無を５倍の拡大鏡にて観察
した。耐マイグレーション性は供試材を１０ｍｍ×１０
０ｍｍに切断し、２枚１組として、図１に示すようにセ
ットした供試材を図２に示すようにして水道水中（３０
０ｃｃ）中に浸漬した。次にこの２枚の供試材に１４Ｖ
の直流電圧を加え、経過時間に対する電流値の変化を記
録計にて測定した。この結果の代表例を図３に示す。 又、各供試材における電流値が１．０Ａになるまでの時
間（図３中矢印）を表２に示す。
【００２１】
【表２】
熱間圧延性は各供試材のインゴットを８００℃で一定時
間加熱後、板厚２５ｍｍより８ｍｍまで熱間圧延を行な
い、割れの有無を目視にて観察した。
間加熱後、板厚２５ｍｍより８ｍｍまで熱間圧延を行な
い、割れの有無を目視にて観察した。
【００２２】表２より、本発明合金Ｎｏ１〜６は、いず
れも導電率が６０％ＩＡＣＳ以上でかつ強度とＳｎめっ
きと半田めっきの耐熱剥離性及び耐マイグレーション性
に優れリードフレームや自動車の端子、コネクター、バ
スバー等の耐マイグレーション性の求められる通電材料
として最適な合金であり、さらに、溶接性と熱間圧延性
が良好で製造性に優れる合金である。
れも導電率が６０％ＩＡＣＳ以上でかつ強度とＳｎめっ
きと半田めっきの耐熱剥離性及び耐マイグレーション性
に優れリードフレームや自動車の端子、コネクター、バ
スバー等の耐マイグレーション性の求められる通電材料
として最適な合金であり、さらに、溶接性と熱間圧延性
が良好で製造性に優れる合金である。
【００２３】また、本発明合金Ｎｏ．１と３よりＺｎを
含有させることにより、さらにＳｎめっきと半田めっき
の耐熱剥離性と耐マイグレーション性が改善される。
含有させることにより、さらにＳｎめっきと半田めっき
の耐熱剥離性と耐マイグレーション性が改善される。
【００２４】比較合金Ｎｏ７はＰ含有量が少なくＮｉ／
Ｐ比が大きすぎるため、導電率が低い。比較合金Ｎｏ．
８はＮｉ／Ｐ比が小さすぎるため、Ｓｎめっき及び半田
めっきの耐熱剥離性が悪くさらに溶接性と熱間圧延性が
悪い。比較合金Ｎｏ．９はＺｎ含有量が多すぎるため導
電率が低い。比較合金Ｎｏ．１０はＰを含有しないため
、Ｎｉが化合物として析出せず、強度と導電率が低い。 比較合金Ｎｏ．１１はＮｉとＰの含有量が多すぎるため
、導電率が低く、Ｓｎめっきと半田めっきの耐熱剥離性
溶接性及び熱間圧延性が悪い。比較合金Ｎｏ．１２はＮ
ｉとＺｎを含まないため耐マイグレーション性が悪い。 比較合金Ｎｏ１３は従来自動車のバスバー等に用いられ
る黄銅１種で耐マイグレーション性は高いが、導電率が
低い。
Ｐ比が大きすぎるため、導電率が低い。比較合金Ｎｏ．
８はＮｉ／Ｐ比が小さすぎるため、Ｓｎめっき及び半田
めっきの耐熱剥離性が悪くさらに溶接性と熱間圧延性が
悪い。比較合金Ｎｏ．９はＺｎ含有量が多すぎるため導
電率が低い。比較合金Ｎｏ．１０はＰを含有しないため
、Ｎｉが化合物として析出せず、強度と導電率が低い。 比較合金Ｎｏ．１１はＮｉとＰの含有量が多すぎるため
、導電率が低く、Ｓｎめっきと半田めっきの耐熱剥離性
溶接性及び熱間圧延性が悪い。比較合金Ｎｏ．１２はＮ
ｉとＺｎを含まないため耐マイグレーション性が悪い。 比較合金Ｎｏ１３は従来自動車のバスバー等に用いられ
る黄銅１種で耐マイグレーション性は高いが、導電率が
低い。
【００２５】
【発明の効果】本発明の通電材料は高い導電率を有し、
かつ耐マイグレーション性の優れた材料である。
かつ耐マイグレーション性の優れた材料である。
【図１】耐マイグレーション性のテストのための供試材
の斜視図である。
の斜視図である。
【図２】同テストの説明図である。
【図３】耐マイグレーションテスト結果を示すグラフで
ある。
ある。
Claims (4)
- 【請求項１】 Ｎｉ０．５〜３．０ｗｔ％，Ｐ０．０
５〜０．５ｗｔ％を含有し、ＮｉとＰが重量％の比でＮ
ｉ／Ｐ＝６〜１０の範囲にあり残部Ｃｕおよび不可避的
不純物からなることを特徴とする通電材料。 - 【請求項２】 Ｎｉ０．５〜３．０ｗｔ％，Ｐ０．０
５〜０．５ｗｔ％をさらに、副成分としてＴｉ、Ｓｎ、
Ａｌ、Ｂ、Ａｓ、Ｓｂ、Ａｇ、Ｐｂ、Ｂｅ、Ｚｒからな
る群から１種又は２種以上を総量で０．００１〜５．０
ｗｔ％含み、ＮｉとＰが重量％比でＮｉ／Ｐ＝６〜１０
の範囲にあり、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなる
ことを特徴とする通電材料。 - 【請求項３】 Ｎｉ０．５〜３．０ｗｔ％、Ｐ０．０
５〜０．５ｗｔ％、Ｚｎ０．１〜３．０ｗｔ％を含み、
ＮｉとＰが重量％でＮｉ／Ｐ＝６〜１０の範囲にあり、
残部Ｃｕ及び不可避的不純物からなることを特徴とする
通電材料。 - 【請求項４】 Ｎｉ０．５〜３．０ｗｔ％、Ｐ０．０
５〜０．５ｗｔ％、Ｚｎ０．１〜３．０ｗｔ％、さらに
副成分としてＴｉ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｂ、Ａｓ、Ｓｂ、Ａｇ
、Ｐｂ、Ｂｅ、Ｚｒからなる群から１種又は２種以上を
総量で０．００１〜５．０ｗｔ％含み、ＮｉとＰが重量
％比でＮｉ／Ｐ＝６〜１０の範囲にあり、残部Ｃｕ及び
不可避的不純物からなることを特徴とする通電材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41777390A JPH04231432A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 通電材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41777390A JPH04231432A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 通電材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04231432A true JPH04231432A (ja) | 1992-08-20 |
Family
ID=18525816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP41777390A Pending JPH04231432A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 通電材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04231432A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5993574A (en) * | 1996-10-28 | 1999-11-30 | Brush Wellman, Inc. | Lean, high conductivity, relaxation-resistant beryllium-nickel-copper alloys |
| US6518647B1 (en) * | 1999-03-15 | 2003-02-11 | Texas Instruments Incorporated | Plated aluminum leadframes for semiconductor devices, including two nickel layers, and method of fabrication |
| US6747343B2 (en) | 2000-03-08 | 2004-06-08 | Texas Instruments Incorporated | Aluminum leadframes with two nickel layers |
| JP2007270269A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Nikko Kinzoku Kk | 熱間加工性に優れた銅合金及びその製造方法 |
| JP2009221583A (ja) * | 2008-03-18 | 2009-10-01 | Kobe Steel Ltd | ダイシング加工性に優れるｑｆｎパッケージ用銅合金板 |
| JP2009242822A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Kobe Steel Ltd | Ｐｂフリーはんだ付け性に優れるＰＣＢオス端子用Ｓｎめっき付き銅合金板 |
-
1990
- 1990-12-27 JP JP41777390A patent/JPH04231432A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6518647B1 (en) * | 1999-03-15 | 2003-02-11 | Texas Instruments Incorporated | Plated aluminum leadframes for semiconductor devices, including two nickel layers, and method of fabrication |
| US6933177B2 (en) | 1999-03-15 | 2005-08-23 | Texas Instruments Incorporated | Aluminum leadframes for semiconductor devices and method of fabrication |
| US6747343B2 (en) | 2000-03-08 | 2004-06-08 | Texas Instruments Incorporated | Aluminum leadframes with two nickel layers |
| JP2007270269A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Nikko Kinzoku Kk | 熱間加工性に優れた銅合金及びその製造方法 |
| JP4750601B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2011-08-17 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 熱間加工性に優れた銅合金及びその製造方法 |
| JP2009221583A (ja) * | 2008-03-18 | 2009-10-01 | Kobe Steel Ltd | ダイシング加工性に優れるｑｆｎパッケージ用銅合金板 |
| JP2009242822A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Kobe Steel Ltd | Ｐｂフリーはんだ付け性に優れるＰＣＢオス端子用Ｓｎめっき付き銅合金板 |
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