TW200417617A - Copper alloy sputtering target and semiconductor element wiring - Google Patents

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Description

200417617 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種可形成半導體元件配線材，特別是 在銅電鍍之際不會發生凝集而可安定地形成均一之種晶層 、且賤鍍成膜特性優異之銅合金濺鍍靶以及該濺鍍無所形 成之半導體元件配線。 【先前技術】 以往，半導體元件之配線材料係使用A1 (比電阻3 i # Ω · cm左右），但伴隨配線之微細化，電阻更低之銅配線（ 比電阻1. 7 " Ω · cm左右）逐漸邁入實用化階段。 目前之銅配線形成程序，多於接觸孔或配線槽之凹部 形成Ta/TaN等之擴散防護層之後，進行銅電鍍。為了進行 此電鍍，一般係進行銅或銅合金之濺鍍成膜來當做底層^ 種晶層）。 通常係將純度4N(不計氣體成分）左右之電氣銅當做粗 金屬’利用濕式或乾式<高純度化程序製造丨純度 之高純度銅，以此做為濺鑛乾。此時，可形成半導體配= 寬度窄達0.18//m之銅配線而不致發生問題。 但是，對於銅配線寬度在〇.13“以下（例如9(^或 ‘)、高寬比超過8之超微細配線而言，種晶層厚度會成 為l_m,下之極薄膜’此時若以6N純銅靶來形成種晶層 ’會發生凝集而無法形成良好之種晶層。 由於底層之均-形成相當重要，當底層發生凝集的情 况下，以電鑛形成銅膜之際，無法形成均_的冑。例如， 200417617 會在配線中形成空孔（void)、小丘（hiu〇cks)、斷線等缺 陷。 、 又即使未形成上述空孔等缺陷，由於在此部份會形成 不均一之銅電沉積組織所以會發生電致遷移耐性下降此種 問題。 為了解決此種問題，於銅電鍍之際形成安定、均一之 種晶層乃為重要課題，濺鍍成膜特性優異之最適於形成種 晶層之濺鍍靶乃為不可或缺之物。 到目前為止，已提出對銅添加若干元素做為銅配線材 以提昇電致遷移（EM)耐性、耐蝕性、附著強度等之方法（參 見例如特開平5-31 1424號公報、特開平卜248538號公報 。又’也提出了純銅靶或是在純銅靶中添加Ti 〇 . , 重s %之挺（參見例如專利文獻3)。 再者，於前述提案中，也提出了以急冷使得添加元素 能均一分散，以連續鑄造來防止鑄塊中之添加元素的偏析 、鑄造時之氣孔、鑄塊晶粒之粗大化。 仁疋，即使採用尚純度銅或是添加了微量金屬之高純 度銅，雖可達成比電阻低之優點，但存在著電致遷移之問 題以及程序上之耐氧化性的問題，未能說是良好的材料。 特別是近年來高寬比變得更高（高寬比4以上），所以 需要有充分之耐電致遷移以及耐氧化性。 基於以上情況，乃提出配線材採在銅中添加A1或Sn( 其他如Τι或Zr等各種元素）所形成之銅合金做為靶使用（ 參見例如特開平10_60633號公報）。但是，該等材料雖在 200417617 不致影響銅之低電阻特性的前提下提昇了耐EM性、耐SM 性以及财氧化性’惟仍無法使用於上述般之採銅電鍍之微 細銅配線程序中之種晶層的形成上（參見例如特開平6一 1 771 77號公報）。 又’也發現了添加Sn 0 · 5重量％對於Cu晶粒擴散降低 以及EM特性提昇上有效（參見例如c. c· Hu，K. L. Lee， D.Gupta， and P.Blauner(IBM)著[Electromigration and diffusion in pure Cu and Cu(Sn) alloy, Mat. Res·
Soc. Symp. Proc. Vol.427, 1996]Materials research Society)。但是，此並未能解決在Ta或TaN等之防護層上 之種晶層的凝集問題（相互作用）。 基於以上情況，習知技術未能說可得到一種可形成半 導體元件配線材（特別是銅電鍍之際不會發生凝集而可安 定形成均一種晶層）之銅合金。 【發明内容】 本發明之課題在於提供一種可形成半導體元件配線材 ，特別是在銅電鍍之際不會發生凝集而可安定地形成均一 種晶層、且濺鍍成膜特性優異之銅合金濺餘以及使用該 錢鍍靶所形成之半導體元件配線。 為了解決上述課題，本發明者姆怒★ 知n &努力研究的結果，得 到之見解為·猎由添加適量之金屬亓去 玉屬兀素，可防止銅電鍍之 際之空孔、小丘、斷線等缺陷的發生， ^ 1侍到比電阻低、 且具有耐電致遷移性與耐氧化性、 J文疋形成均一種晶層 之銅合金濺鍍靶以及使用該濺鍍靶所形成之半導體元:西曰己 200417617 線。 本發明基於此見解，乃提供： 1. 一種銅合金濺鍍靶，其特徵在於：含有 A1 0· 5〜4. Owt%、且 Si 為 0· 5wtppm 以下。 2. 如上述1記載之銅合金濺鍍靶，其中，含有擇自Sb 、Zr、Ti、Cr、Ag、Au、Cd、Iη 以及 As 中 1 種或至少 2 種以總量計1 · Owtppm以下。 3. 如上述1記載之銅合金濺鍍靶，其中，含有擇自Sb 、Zr、Ti、Cr、Ag、Au、Cd、Iη 以及 As 中 1 種或至少 2 種以總量計0· 5wtppm以下。 4. 一種銅合金濺鍍靶，其特徵在於：含有 Sn 0· 5〜4. Owt%、且 Μη 為 0· 5wtppm 以下。 5. 如上述4記載之銅合金濺鍍靶，其中，含有擇自Sb 、Zr、Ti、Cr、Ag、Au、Cd、Iη 以及 As 中 1 種或至少 2 種以總量計1. Owtppm以下。 6. 如上述4記載之銅合金濺鍍靶，其中，含有擇自Sb 、Zr、Ti、Cr、Ag、Au、Cd、Iη 以及 As 中 1 種或至少 2 種以總量計0· 5wtppm以下。 7. 如上述1〜6中任一記載之銅合金濺鍍靶，其再結晶 溫度為365°C以下。 8. 如上述1〜6中任一記載之銅合金減:錢乾，其氧含量 為5wtppm以下。 9. 如上述1〜6中任一記載之銅合金濺鍍靶，其氧含量 為1 wtppm以下。 200417617 10·如上述1〜6中任一記載之銅合金濺鍍靶，其平均結 晶粒徑為0.卜60”，且平均粒徑之變動在土⑽以内。 11·如上述1〜6中任一記載之銅合金濺鍍靶，其含有 Α1與Sn以總量計〇·5〜4 〇wt〇/〇。 12·-種半導體元件配線’其特徵在於，係使用申請專 利範圍第卜6中任一記載之銅合金濺鍍靶所形成者。 •女上述12圯載之半導體元件配線，係以半導體配 線之種晶層的形式來形成。 14.如上述13纪載之半導體元件配線，係於合 金或是該等之氮化物的防護層上以種晶層的 【實施方式】 本發明之銅合金濺鍍靶，係含有A1 〇 5〜4 〇wt%、以 及Si 〇.5wtppin以下，特別是在銅電鍍之際，可形成不會 凝集、富有耐氧化性之安定、均一的種晶層…韻成 膜特性也優異，做為半導體元件之配線材相當有用。 該合金由於含有A10.5〜4.0wt%，所以可有效地防止 電鍍之際之凝集。亦即，可提升與防護膜之潤濕性。 若未滿0.5wt%則沒有凝集防止效果，若超過4 〇wt%則 種晶層會出現電阻增加，銅配線整體之電阻會變高故不佳 。又，由於在銅合金製程之熔解之際，氧含量會隨著Μ 的增加而增加，所以應避免超過4· 〇wt%。特別以含量 1〜2wt%為最適宜。 挺中含Si可提升财氧化性。但是，Si本身不具凝集 防止效果，且超過〇.5wtppm會造成A1之凝集防止作用的 200417617 下降’故必須設定在G.5wtppm以下。特別是，si係 熔解原料與A1混合，故Si之成分管理很重要。 ‘"、 上述本發明之銅合金賤鍍乾可含有擇自m 。，，、“……種或至”種以總量計 1 · Owtppm 以下。 該等成分元素可提升耐氧化性。但是，與si同樣地， 若料Uwt卿會顯著地降低^之凝集防止作用，亦即 顯者地降低與防4膜之潤難，故添加時必須控制在 l.Owtppm以下。特佳之添加量為〇 5wtppm以下。 又，本發明之銅合金錢鑛把係含有3η〇·5〜40wt%以 及Mn0.5wtppffl以下，特別是在銅電鍛之際可形成不合 嘁集、富有耐氧化性之安定、均一的種晶層… 膜特性也優異，做為半導體元件之配線材相當有用。又 該合金由於含有Sn 〇.5~4.〇wt%，所以田可有效地防止 ’'鍍之際之凝集。亦即’可提升與防護膜之潤渴性。 若未滿o.5wt%則沒有凝集防止效果，若超過4切〇則 種晶層會出現電阻增加，銅配線整體之 社 。又，由於在銅合金製程中，鍵塊之塑性加工會 二所以應避免超過4.0wt%。特別以Sn含量一為最適 且° 靶中含Μη可提升耐氧化性。但是，μ 防止效果，且超過一會造…凝 =二ΓΓ定在0.5wtppm以下。特別是，Μη係做為 解原料與Sn混合，故Μη之成分管理很重要。 200417617 上述本發明之銅合金濺鍍靶可含有擇自讣、訏、以、
Ag Au Cd、In以及As中1種或至少2種以總量計 1 · Owtppm 以下。 “該等成分元素可提升耐氧化性。但是，與Mn同樣地， 若超過1.0wtPpm會顯著地降低Sn之凝集防止作用，亦即 顯著地降低與防護膜之潤濕性，故添加時必須控制在 l.〇wtPpra以下。特佳之添加量為〇 5wtppm以下。 上述本發明之銅合金濺鍍靶的再結晶溫度以。〇以 下^。若再結晶溫度超過365t，則用以確保電鑛膜之· 熱女疋性所採用之溫度會變得更高溫而容易發生凝集，亦 I7 一防濩層之相互作用（潤濕性）會降低，此為缺點所在。 又此處所說之再結晶溫度，意指在8〇〇做全退火 對試樣進行70%冷加工，進而於1〇〇~6〇(rc保持3〇 分鐘後，測定此時之維氏硬度（微維氏硬度，負荷i〇〇g)， 以位於全退火材之^與退火前（m冷加工後）之Hv的中間 Hv值之溫度做為再結晶溫度。 再者，上述本發明之銅合金濺鍍靶，以含氧以籲 下、又以1 wtppm以下為佳。氧的存在雖具有使靶組織微 、”田化之作用，但在晶界會形成夾雜物成為粒子產生之原因 ’特別在賤鑛壽命中會產生突發性粒子，故儘可能降低為 佳。 若於種晶層形成氧化銅（CU2〇)，則該部分於電鍍 之際會溶解’此也是一大問題。如此般，若種晶層表面受 電鍍浴侵蝕，則微觀上電場會變動而無法形成均一之電鍍 12 200417617 必須將氧含量限制在上述範圍 臈，此為問題所在。是以 内0 又’上述本發明之銅合金濺鍍靶，平均結晶粒徑為 • ，且平均粒徑之變動在土20%以内較佳。 =般，藉由對乾組織進行控制，則在整個滅鑛壽命 - °提升膜之均質性（膜厚均—性），可提升膜組成之均 一，。特別是，當晶圓尺寸超過300随，臈之均質性更為 重要。 、 上σ又，上述本發明之銅合金濺鍍靶所含A1與Sn以總量籲 t可為0. 5〜4. Owt%。各成分之添加量係與上述相同。 ^再者，本發明之銅合金濺鍍靶在半導體元件配線之製 造上、特別是半導體配線之種晶層的形成上為有用之物、 進而最適於在Ta、Ta合金或是該等之氮化物的防護層上形 成種晶層。 本發明之銅合金濺鍍靶可藉由例如以下之製程來製造 首先，對純度6N以上之高純度銅以及同等級之高純度_ Al、Sn以及其他之添加元素進行調整，以水冷鋼製坩堝之 冷掛場溶解法在高真空環境氣氛下加以熔解，得到高純度 合金。添加元素之量必須進行充分之管理。於熔解之際， 為了減少與熔浴之接觸所造成之污染，將純度6N之銅板 設置於坩堝底部為有效的做法。 經過合金化之熔浴，迅速地在高真空環境氣氛中鑄入 水冷銅鑄模中得到錠塊。可對此錠塊之組織、例如結晶粒 13 200417617 徑進行控制來提昇濺鍍特性。 所製造之键塊係去除表面層，經過熱鍛造、熱壓延、 冷壓延、熱處理製程，成為靶素材。此靶素材進_步受到 機械加工成為既定形狀，然後與支持板接合來得到靶^品 〇 (實施例與比較例） 以下依據實施例說明本發明。又，以下所示之實施例 僅便於理解本發明，本發明不因為這些實施例而受到限制 亦即，本發明當然包含了基於本發明所得之變形或其他 實施例。 (實施例1〜10) 對純度6N以上之高純度銅以及同等級之高純度A1、 Sn、Μη以及其他之添加元素進行調整，以水冷銅製坩堝之 冷坩堝熔解法在高真空環境氣氛下加以熔解，得到高純度 合金。經過調整之實施例卜⑺之合金組成，針對 合金系係不於表1，針對Cu— Sn合金系係示於表2。 又，實施例5與實施例10係未添加讥、&、Ti、^ 、Ag、Au、Cd、In以及As之合金元素的例子。是以，表i 與表2中係顯示了雜質等級所含之量。 於熔解之際，為了減少與熔浴之接觸所造成之污染， 將純度6N之銅板設置於坩堝底部。經過合金化之熔浴， 在高真空環境氣氛中鑄入水冷銅鑄模中得到錠塊。 其次，將所製造之錠塊的表面層去除並做成〇6〇><6(^ 之後，以400 C之熱鑄造做成φ2〇〇。之後，以4〇〇它熱壓延 200417617 來壓延成為φ270 x 20t，；隹&、，、人r- t 進而以冷壓延來壓延成為φ360Χ 1 01 〇 其次，於5 0 0 〇C經滿1 ϊ n 士 &上 、&心1小時熱處理後，將靶整體急速 々卻成為乾素4才冑此乾素材以機械加卫來加卫成為直徑 13英对、厚度7_之起，然後與A1合金製支持板以擴散 接合來接合而成為濺鍍靶組裝體。 平均粒徑之測定係依據JIS H0501、採用切斷法，對 於輕在平面方向以同心圓狀測^ 17點，在板厚方向以表 面、中央、背面測定3點，合計測定i 7 χ 3 = 51點。 ❿ 使用以上述方式所得之靶在8英吋之TaN/Ta/Si基板 上形成50nm厚度之濺鍍膜。此濺鍍膜之凝集程度係以高解 析能力之SEM來觀察。又，於Si基板上進行濺鍍成膜至 5OOnm厚度來測定膜之均質性。 針對以上結果，表1與表2中除了顯示靶之成分組成 以外也纟、、員示了氧含里、再結晶溫度、平均結晶粒徑、錢鍍 膜之變動、凝集性、膜厚均一性（3 σ (%))。 於本發明中，氧含量低、再結晶溫度也低。又平均結 _ 晶粒徑也在60nm以下，平均粒徑之變動在±2〇%以内。 再者凝集受到抑制，完全不發生凝集或是凝集性極低 。再者膜厚均一性也優異，所得之銅合金濺鍍靶可形成安 定、均一之種晶層。藉此，使用該靶可得到優異之半導體 元件配線。 15 200417617 I< 膜厚均一性(3 σ(%)) CO 05 CD oo 03 OO 卜 二 LO 二 ΙΟ <NI 凝集性 〇 ◎ ◎ 〇 ◎ X X < X < < < X ◎ ◎ 變動«) co cn» 卜 CO CO CO CO LO CO OO OO <=> § 平均粒徑（"m) CT) CO LO OO CO 寸 s oo <NI ΙΛ CQ CO OJ CO LO CNI 再結晶溫度（°C) LO 〇〇 03 g CO LO CO CO in LO CO CO § 03 LO OO 03 § <NI LO CO CNI § CM 写 CO TO CO g CO o O(ppm) LO LO LO to LO CN! *合計(ppm) 0.44 0.32 0. 36 0.24 <0.01 0.16 <NI CO o 0.32 0.86 0.35 5S O 0.41 0.36 03 CO o 0.32 Mn(ppm) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 Si (ppm) σ> o o CO CO o o 1 g o o OD o CN1 OO OO ο OO o σ> o CO CNI o 卜 o 卜 Ο 組成 0. 64wt%Al 1.Owt%Al 2. Owt%Al 4. Owt%Al 2. Owt%Al 0·106wt%Al 0. 21wt%Al 0. 43wt%Al 9. 6wt%Al 1. Owt%Al 1.Owt%Al 1. Owt%Al 1.Owt%Al 1. Owt%Al 1. Owt%Al 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 比較例1 比較例2 比較例3 比較例4 比較例5 比較例6 比較例7 比較例8 比較例9 比較例10 Cu—Ag合金
200417617 膜厚均一性(3cr(%)) 〇〇 CO CO oo 03 卜 CO CO (Μ 凝集性 ◎ 〇 ◎ ◎ ◎ X X 〇 < ◎ ◎ 變動(» CO LO CO CT> oo OO LO CO CO CO CO <NI OO 平均粒徑（ym) cn CO CNI 寸 寸 CO CT> CM CNI in 5 CO 03 CNI CO 寸 s 再結晶溫度（°C) LO CO CO LO CO in CO CO LO CO CO LO CO CO o CM CO 茗 CO LO CO CO LO CO CO LO CO CO LO CO CO O(ppm) t—H LO o *合計(ppm) 0.22 0. 28 0. 35 CO CO <=> <0.01 0.16 0.36 0.22 0.81 0.26 0. 25 Mn(ppm) LO CD CD LO CO 〇· 1 o <〇 LO OO o CO 03 t—H CM OO CD lO ◦· o o Si(ppm) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 組成 2. 7wt%Sn 0.93wt%Sn 3.67wt%Sn 4. 0wt%Sn 3. 67wt%Sn 0. lwt%Sn 10wt%Sn 2. 7wt%Sn 2. 7wt%Sn 2. 7wt%Sn 2. 7wt%Sn 實施例6 實施例7 實施例8 實施例9 實施例10 比較例11 比較例12 比較例13 比較例14 比較例15 比較例16 Cu—Ag合金 200417617 (比較例1〜16) 雖與實施例！〜；[〇掂πv 分，但係針㈣“條件、且為同樣之合金成 粒徑或是粒徑轡勳氺 、成刀、 仅i動來分別製作出銅合金靶。 此條件同樣地針對Cu—A1合 Λ1 口金糸係不於表1，針對Cu -Sn合金系係示於表2。使用所得之…英时之 TaN/Ta/Sl基板上形成5〇nm厚度之濺鍍膜。 此歲錄膜之凝集程度係以高解析能力之_來觀察。 又，於si基板上進行滅鑛成膜i 5〇〇nm#度來 質性。 針對以上比較例卜16之結果，表！與表2中除了顯示 靶之成分組成以外也顯示了氧含量、再結晶溫度、平均結 晶粒徑、濺鍍膜之變動、凝集性、膜厚均一性（3σ (%))。 於比較例1〜3中，Α1皆未滿〇.5wt%，凝集防止效果低 。比較例4中，A1超過4· Owt%，且Si變多，再結晶溫度 也高，凝集防止效果低。又，如比較例5所示般，一旦Si 高（超過0· 5ppm)則凝集防止效果變低。 馨 比較例6同樣地Si高（超過〇.5ppm)故凝集防止效果 變低。 比較例7之氧含量高故凝集防止效果低。比較例8氧 含量高且再結晶溫度也高，故凝集防止效果更差。 比較例9粒徑變動大，膜厚均一性變差。比較例丨〇粒 徑大，同樣地膜厚均一性差。 比較例11之Sn含量未滿0· 5wt%，凝集防止效果低。 18 200417617 相反地比較例12之Sn含量超過4· Owt%，同時變多 ，再結晶溫度也高，凝集防止效果差。如比較例13所示 般，若Μη含量高則凝集防止效果低。 比較例14由於同樣地Μη含量高故凝集防止效果低。 又，比較例15粒徑之變動大，膜厚均一性變差。比較 例16粒徑大，同樣地膜厚均一性差。 (比較例17〜25) 以與實施例1〜1 〇同樣製造條件，針對純銅或本發明以 外之銅合金材料（使用以往之銅材料），分別製作出銅合金 乾。其條件示於表3。 使用所得之靶在8英吋之TaN/Ta/Si基板上形成5〇nm 厚度之濺鍍膜。此濺鍍膜之凝集程度係以高解析能力之 SEM來觀察。又，於Si基板上進行濺鍍成膜至500nm厚度 來測定膜之均質性。 針對以上比較例17〜25之結果，表3中除了顯示靶之 成分組成以外也顯示了氧含量、再結晶溫度、平均結晶粒 徑、濺鍍膜之變動、凝集性、膜厚均一性（3σ (%))。如表 3所明示般，以往之純銅或銅合金在凝集防止效果上均差 200417617 膜厚均一性(3 σ 〇〇) CO eg οα 03 CO LO CM CO 凝集性 X X <] < X <] X X < 變動(％) CO oo LO CO CT) LO CO 2 平均粒徑（"m) CNI 呀 00 寸 LO OO 03 t—4 σ> 完 CO <NI LO CO CD C<l 再結晶溫度(°C) LO LO § § LO σ> 呀 Ο 另 o CO s LO s 03 〇(ppm) o *合計(ppm) 3.23 0.33 <0.1 <0.01 oo ο CO LO <=> cn> 03 C=) 〇〇 ◦· CO CM CD Μη(ppm) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 Si(ppm) CO CD 〇· 1 03 Ο 0.18 1 0.13 0.16 組成 5N純銅 6N純銅 7N純銅 8N純銅 1. Owt%Ti 1. Owt%Mg 1. Owt%Si 1. Owt%Zr 1. Owt%Ni 比較例17 比較例18 比較例19 比較例20 比較例21 比較例22 比較例23 比較例24 比較例25 純Cu、其他銅 合金 (X)*游輞鲰个(◎)# 獰K-:ti#^(^ sv , UI v S , nv vbflv ,ώ二一 v JZ , qs : * (¾ * iKt^«iH傘：1(¾ 200417617
一本發明所具有之優異效果為：可得到-種可形成半導 體兀件配線材，特別是在銅電鍍之際不會發生凝集而可安 定地形成均一之種晶層、且濺鍍成膜特性優異之鋼合金濺 鍍靶以及該濺鍍靶所形成之半導體元件配線。 【圖式簡單說明】 無
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Claims (1)

  1. 200417617 拾、申請專利範圍： 1. 一種銅合金濺鍍靶，其特徵在於：含有 A1 0· 5〜4· Owt%、且 Si 為 0· 5wtppm 以下。 2. 如申請專利範圍第1項之銅合金濺鍍靶，其中，含 有擇自 Sb、Zr、Ti、Cr、Ag、Au、Cd、Iη 以及 As 中 1 種 或至少2種以總量計1. Owtppm以下。 3. 如申請專利範圍第1項之銅合金濺鍍靶，其中，含 有擇自 Sb、Zr、Ti、Cr、Ag、Au、Cd、In 以及 As 中 1 種 或至少2種以總量計0· 5wtppm以下。 _ 4. 一種銅合金濺鍍靶，其特徵在於：含有 Sn 0· 5〜4· Owt%、且 Μη 為 0· 5wtppm 以下。 5. 如申請專利範圍第4項之銅合金濺鍍靶，其中，含 有擇自 Sb、Zr、Ti、Cr、Ag、Au、Cd、In 以及 As 中 1 種 或至少2種以總量計1. Owtppm以下。 6. 如申請專利範圍第4項之銅合金錢鍍把，其中，含 有擇自 Sb、Zr、Ti、Cr、Ag、Au、Cd、In 以及 As 中 1 種 或至少2種以總量計0· 5wtppm以下。 ® 7. 如申請專利範圍第1〜6項中任一項之銅合金濺鍍靶 ，其再結晶溫度為365°C以下。 8. 如申請專利範圍第1〜6項中任一項之銅合金濺鍍靶 ，其氧含量為5wtppm以下。 9. 如申請專利範圍第1〜6項中任一項之銅合金濺鍍靶 ，其氧含量為lwtppm以下。 1 0.如申請專利範圍第1〜6項中任一項之銅合金濺鍍靶 22 200417617 ，其平均結晶粒徑為0·卜6〇"m，且平均粒徑之變動在+ 20%以内。 〜 11.如申請專利範圍第1〜6項中任—項之銅合金濺鍍靶 ’其含有A1與Sn以總量計〇· 5〜4. Owt%。 12· —種半導體元件配線，其特徵在於 利範圍第Η項中任—項之銅合金賤糾所形；；吏者用。申明專 13. 如申請專利範圍第12項之半導體元件配線，係以 半導體配線之種晶層的形式來形成。 14. 如申請專利範圍第13項之半導體元件配線，係於φ Ta、Ta合金或是該等之氮化物的防護層上晶層的形式 來形成。 拾壹、圖式： 無
    23 200417617 柒、指定代表圖： (一） 本案指定代表圖為：第（無）圖。 (二) 本代表圖之元件代表符號簡單說明： 無 捌、本案若有化學式時，請揭示最能顢示發明特徵的化學式
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