JPH02119140A - 集積回路装置 - Google Patents
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- JPH02119140A JPH02119140A JP27235188A JP27235188A JPH02119140A JP H02119140 A JPH02119140 A JP H02119140A JP 27235188 A JP27235188 A JP 27235188A JP 27235188 A JP27235188 A JP 27235188A JP H02119140 A JPH02119140 A JP H02119140A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/05647—Copper [Cu] as principal constituent
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は集積回路装置の電極配線材料に関する［従来の
技術］ 従来、集積回路装置の電極配線材料には、高純度アルミ
ニウム、アルミニウムー硅素（１〜２％）合金、アルミ
ニウムー銅（２〜６％）合金、アルミニウムー硅素（１
〜２％）−銅（２〜６％）合金あるいはアルミニウムー
硅素（１〜２％）−チタン（２〜６％）合金等上として
アルミニウムあるいはアルミニウム合金が用いられるの
が通例であったが、最近はこれらアルミニウム系の電極
配線材料に代え、銅配線も用いられる様になってきてい
る。
技術］ 従来、集積回路装置の電極配線材料には、高純度アルミ
ニウム、アルミニウムー硅素（１〜２％）合金、アルミ
ニウムー銅（２〜６％）合金、アルミニウムー硅素（１
〜２％）−銅（２〜６％）合金あるいはアルミニウムー
硅素（１〜２％）−チタン（２〜６％）合金等上として
アルミニウムあるいはアルミニウム合金が用いられるの
が通例であったが、最近はこれらアルミニウム系の電極
配線材料に代え、銅配線も用いられる様になってきてい
る。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、上記従来技術によると、アルミニウムあるいは
アルミニウム合金系の電極配線材料はエレクトロ・マイ
グレーションによる新線が発生し易いと云う課題がある
と共に、銅配線は、耐蝕性が劣ると云う課題がある。
アルミニウム合金系の電極配線材料はエレクトロ・マイ
グレーションによる新線が発生し易いと云う課題がある
と共に、銅配線は、耐蝕性が劣ると云う課題がある。
本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、エレクトロ
・マイグレーションによる断線が発生し難く、且つ耐蝕
性の良好な集積回路装置の電極配線材料を提供する事を
目的とする。
・マイグレーションによる断線が発生し難く、且つ耐蝕
性の良好な集積回路装置の電極配線材料を提供する事を
目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記課題を解決するために本発明は集積回路装置に関し
、電極配線材料を銅合金となす手段をとる事を基本とす
る。
、電極配線材料を銅合金となす手段をとる事を基本とす
る。
［実施例］
以下、実施例により本発明を詳述する。
いま、ナルミニラム合金に代え、銅合金を集積回路装置
の電極配線材料を用いることにより、エレクトロ・マイ
グレーシ１シ耐性が一桁向上できると共に、純銅を用い
た場合に比較し、耐蝕性をアルミニウム合金並に保つこ
とができる。
の電極配線材料を用いることにより、エレクトロ・マイ
グレーシ１シ耐性が一桁向上できると共に、純銅を用い
た場合に比較し、耐蝕性をアルミニウム合金並に保つこ
とができる。
実用し得る銅合金としては、Ｃｕ−Ａｔ（２〜６％）、
Ｃｕ−８ｉ（１〜２％＞ｔａｕ−Ａｔｃ２〜６％）−８
ｉ（１〜２％）、及び、Ｃｕ −Ｔ１（２〜６％） 、
Ｃｕ−Ｔｉ （２〜６％）−８１（１〜２％）あるい
は、Ｃｕ−Ｚｎ（４０％）系の黄銅系や、Ｃｕ−Ｓｎ（
１０％）系の青銅系やＣｕ−Ｎｉ（〜２０％）系の洋白
糸あるいはＣｕ−Ｍ ｎ （〜２０ ％ ）系やＣｕ
−Ｃｄ （〜１％）系やＣｕ−Ａｇ（３〜５％）系の銅
合金を用いることができる。
Ｃｕ−８ｉ（１〜２％＞ｔａｕ−Ａｔｃ２〜６％）−８
ｉ（１〜２％）、及び、Ｃｕ −Ｔ１（２〜６％） 、
Ｃｕ−Ｔｉ （２〜６％）−８１（１〜２％）あるい
は、Ｃｕ−Ｚｎ（４０％）系の黄銅系や、Ｃｕ−Ｓｎ（
１０％）系の青銅系やＣｕ−Ｎｉ（〜２０％）系の洋白
糸あるいはＣｕ−Ｍ ｎ （〜２０ ％ ）系やＣｕ
−Ｃｄ （〜１％）系やＣｕ−Ａｇ（３〜５％）系の銅
合金を用いることができる。
いずれの銅合金も銅単体よりは耐酸化性や耐ハロゲン性
にすぐれており、又、銅線やアルミニウム線あるいは金
線との接着性も良好で有り、配線抵抗が大きくなる事は
避けられないが、アルミニウム合金と同程度に保つこと
ができる。
にすぐれており、又、銅線やアルミニウム線あるいは金
線との接着性も良好で有り、配線抵抗が大きくなる事は
避けられないが、アルミニウム合金と同程度に保つこと
ができる。
又、これら鋼合金電極膜の形成は、ＯｖＤ法やスパッタ
蒸着法あるいはメツキ法により容易に形成できると共に
、ドライ・エツチングも可能である。
蒸着法あるいはメツキ法により容易に形成できると共に
、ドライ・エツチングも可能である。
［発明の効果］
本発明により耐蝕性が良好で、且つエレクトロマイグレ
ーションの起り難い集積回路装置の電極配線が提供でき
る効果がある。
ーションの起り難い集積回路装置の電極配線が提供でき
る効果がある。
以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）電極配線材料を銅合金となす事を特徴とする集積
回路装置。 （２）銅合金を銅−アルミニウム、銅−硅素、あるいは
銅−アルミニウム−硅素となす事を特徴とする請求項１
記載の集積回路装置。 （５）銅合金を銅−チタンあるいは銅−チタン−硅素と
なす事を特徴とする請求項１記載の集積回路装置。 （４）銅合金を黄銅（Ｃｕ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｚｎ−Ｐｂ、
Ｃｕ−Ｚｎ−Ｓｎ、Ｃｕ−Ｚｎ−Ａｌ、Ｃｕ−Ｚｎ−Ｍ
ｎ系）あるいは青銅（Ｃｕ−Ｓｎ、Ｃｕ−Ｓｎ−Ｚｎ、
Ｃｕ−Ｓｕ−Ｐｂ、Ｃｕ−Ｓｎ−Ｐ、Ｃｕ−Ｓｎ−Ａｌ
系）あるいは洋白（Ｃｕ−Ｎｉ系）となす事を特徴とす
る請求項１記載の集積回路装置。 （５）銅合金をマンガン銅合金（Ｃｕ−Ｍｎ系）、カド
ミウム銅合金（Ｃｕ−Ｃｄ系）あるいは銀銅合金（Ｃｕ
−Ａｇ系）となす事を特徴とする請求項１記載の集積回
路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27235188A JPH02119140A (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | 集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27235188A JPH02119140A (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | 集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02119140A true JPH02119140A (ja) | 1990-05-07 |
Family
ID=17512670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27235188A Pending JPH02119140A (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | 集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02119140A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0472804A2 (en) * | 1990-08-01 | 1992-03-04 | International Business Machines Corporation | Copper-semiconductor compounds capable of being produced at room temperature |
| JPH0529682A (ja) * | 1991-07-22 | 1993-02-05 | Komatsu Ltd | エキシマレーザの放電電極 |
| DE10064691A1 (de) * | 2000-12-22 | 2002-07-04 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiter-Chip und Kupferleiterbahnen auf dem Chip sowie ein Verfahren zu seiner Herstellung |
| JP2007096241A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-04-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| WO2008041535A1 (en) | 2006-10-03 | 2008-04-10 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Cu-Mn ALLOY SPUTTERING TARGET AND SEMICONDUCTOR WIRING |
| US7755192B2 (en) | 2008-03-25 | 2010-07-13 | Tohoku University | Copper interconnection structure, barrier layer including carbon and hydrogen |
| CN103547701A (zh) * | 2011-09-14 | 2014-01-29 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 高纯度铜锰合金溅射靶 |
| DE102015205695A1 (de) * | 2015-03-30 | 2016-10-06 | Robert Bosch Gmbh | Halbleiterbauelement und Kontaktanordnung |
| US10665462B2 (en) | 2002-11-21 | 2020-05-26 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Copper alloy sputtering target and semiconductor element wiring |
-
1988
- 1988-10-28 JP JP27235188A patent/JPH02119140A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US8163649B2 (en) | 2008-03-25 | 2012-04-24 | Advanced Interconnect Materials, Llc | Copper interconnection structure, semiconductor device, and method for forming copper interconnection structure |
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| DE102015205695B4 (de) * | 2015-03-30 | 2020-09-24 | Robert Bosch Gmbh | Halbleiterbauelement, Kontaktanordnung und Verfahren zur Herstellung |
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