JP2001316741A - プラスチック基板に設けられるピングリッドアレイ用ｉｃリードピンに適した銅合金 - Google Patents
プラスチック基板に設けられるピングリッドアレイ用ｉｃリードピンに適した銅合金Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラスチック基板に設けられるＰＧＡ用ＩＣ
リードピンに適した銅合金を提供する。 【解決手段】 Ｚｎを０．０５〜０．５ｗｔ％、Ｍｇを
０．０５〜０．５ｗｔ％含有し残部が不可避不純物とＣ
ｕからなる銅合金、Ｓｎを０．１〜１．０ｗｔ％含有し
残部が不可避不純物とＣｕからなる銅合金、Ｓｎを０．
１〜１．０ｗｔ％、Ａｇを０．１〜０．６ｗｔ％含有し
残部が不可避不純物とＣｕからなる銅合金、Ｆｅを２．
１〜２．６ｗｔ％、Ｚｎを０．０５〜０．２ｗｔ％、Ｐ
を０．０１５〜０．１５ｗｔ％含有し残部が不可避不純
物とＣｕからなる銅合金、またはＣｒを０．４〜１．１
ｗｔ％含有し残部が不可避不純物とＣｕからなる銅合金
のいずれかであって、導電率が５０％ＩＡＣＳ以上、引
張り強さが４００ＭＰａ以上６５０ＭＰａ以下の銅合
金。
リードピンに適した銅合金を提供する。 【解決手段】 Ｚｎを０．０５〜０．５ｗｔ％、Ｍｇを
０．０５〜０．５ｗｔ％含有し残部が不可避不純物とＣ
ｕからなる銅合金、Ｓｎを０．１〜１．０ｗｔ％含有し
残部が不可避不純物とＣｕからなる銅合金、Ｓｎを０．
１〜１．０ｗｔ％、Ａｇを０．１〜０．６ｗｔ％含有し
残部が不可避不純物とＣｕからなる銅合金、Ｆｅを２．
１〜２．６ｗｔ％、Ｚｎを０．０５〜０．２ｗｔ％、Ｐ
を０．０１５〜０．１５ｗｔ％含有し残部が不可避不純
物とＣｕからなる銅合金、またはＣｒを０．４〜１．１
ｗｔ％含有し残部が不可避不純物とＣｕからなる銅合金
のいずれかであって、導電率が５０％ＩＡＣＳ以上、引
張り強さが４００ＭＰａ以上６５０ＭＰａ以下の銅合
金。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラスチック基板
に設けられるピングリッドアレイ（Pin Grid Array：Ｐ
ＧＡ) 用ＩＣリードピン（以下、ＰＧＡ用ＩＣリードピ
ンと略記する。）に適した銅合金に関する。
に設けられるピングリッドアレイ（Pin Grid Array：Ｐ
ＧＡ) 用ＩＣリードピン（以下、ＰＧＡ用ＩＣリードピ
ンと略記する。）に適した銅合金に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＰＧＡ用ＩＣリードピンは、半導体素子
を搭載した基板の裏面に電気入出力端子としてろう付け
などにより設けられている。そして前記基板にはセラミ
ックス材が用いられ、ＰＧＡ用ＩＣリードピンには前記
セラミックス基板と同等の低熱膨張係数を有し、引張強
さおよび繰り返し曲げ性に優れるコバール（Kovar:Ｆｅ
−Ｎｉ−Ｃｏ合金）が主に用いられていた。
を搭載した基板の裏面に電気入出力端子としてろう付け
などにより設けられている。そして前記基板にはセラミ
ックス材が用いられ、ＰＧＡ用ＩＣリードピンには前記
セラミックス基板と同等の低熱膨張係数を有し、引張強
さおよび繰り返し曲げ性に優れるコバール（Kovar:Ｆｅ
−Ｎｉ−Ｃｏ合金）が主に用いられていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年、前記基板にプラ
スチック基板が使用されるようになり、プラスチック基
板の場合はＰＧＡ用ＩＣリードピンに低熱膨張係数材を
用いる必要がない。一方、ＩＣの機能向上のために、Ｃ
ＰＵ(Central Processing Unit) における伝送高速化お
よびＩＣの高密度化が望まれており、ＰＧＡ用ＩＣリー
ドピンには高導電率材料が要求されている。このような
ことから、本発明者等は、ＣＰＵの伝送高速化とＩＣの
高密度化に対応できる、プラスチック基板に設けられる
ＰＧＡ用ＩＣリードピンについて研究し、その必要特性
は５０％ＩＡＣＳ以上の導電率、コバール同等の引張強
さ、高度の繰り返し曲げ性であることを突き止め、さら
に研究を重ねて本発明を完成させるに至った。本発明
は、プラスチック基板に設けられるＰＧＡ用ＩＣリード
ピンに適した、導電率、引張強さおよび繰り返し曲げ性
に優れる銅合金の提供を目的とする。
スチック基板が使用されるようになり、プラスチック基
板の場合はＰＧＡ用ＩＣリードピンに低熱膨張係数材を
用いる必要がない。一方、ＩＣの機能向上のために、Ｃ
ＰＵ(Central Processing Unit) における伝送高速化お
よびＩＣの高密度化が望まれており、ＰＧＡ用ＩＣリー
ドピンには高導電率材料が要求されている。このような
ことから、本発明者等は、ＣＰＵの伝送高速化とＩＣの
高密度化に対応できる、プラスチック基板に設けられる
ＰＧＡ用ＩＣリードピンについて研究し、その必要特性
は５０％ＩＡＣＳ以上の導電率、コバール同等の引張強
さ、高度の繰り返し曲げ性であることを突き止め、さら
に研究を重ねて本発明を完成させるに至った。本発明
は、プラスチック基板に設けられるＰＧＡ用ＩＣリード
ピンに適した、導電率、引張強さおよび繰り返し曲げ性
に優れる銅合金の提供を目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
Ｚｎを０．０５〜０．５ｗｔ％、Ｍｇを０．０５〜０．
５ｗｔ％含有し残部が不可避不純物とＣｕからなる銅合
金、Ｓｎを０．１〜１．０ｗｔ％含有し残部が不可避不
純物とＣｕからなる銅合金、Ｓｎを０．１〜１．０ｗｔ
％、Ａｇを０．１〜０．６ｗｔ％含有し残部が不可避不
純物とＣｕからなる銅合金、Ｆｅを２．１〜２．６ｗｔ
％、Ｚｎを０．０５〜０．２ｗｔ％、Ｐを０．０１５〜
０．１５ｗｔ％含有し残部が不可避不純物とＣｕからな
る銅合金、またはＣｒを０．４〜１．１ｗｔ％含有し残
部が不可避不純物とＣｕからなる銅合金のいずれかであ
って、導電率が５０％ＩＡＣＳ以上、引張り強さが４０
０ＭＰａ以上６５０ＭＰａ以下であることを特徴とする
プラスチック基板に設けられるピングリッドアレイ用Ｉ
Ｃリードピンに適した銅合金である。
Ｚｎを０．０５〜０．５ｗｔ％、Ｍｇを０．０５〜０．
５ｗｔ％含有し残部が不可避不純物とＣｕからなる銅合
金、Ｓｎを０．１〜１．０ｗｔ％含有し残部が不可避不
純物とＣｕからなる銅合金、Ｓｎを０．１〜１．０ｗｔ
％、Ａｇを０．１〜０．６ｗｔ％含有し残部が不可避不
純物とＣｕからなる銅合金、Ｆｅを２．１〜２．６ｗｔ
％、Ｚｎを０．０５〜０．２ｗｔ％、Ｐを０．０１５〜
０．１５ｗｔ％含有し残部が不可避不純物とＣｕからな
る銅合金、またはＣｒを０．４〜１．１ｗｔ％含有し残
部が不可避不純物とＣｕからなる銅合金のいずれかであ
って、導電率が５０％ＩＡＣＳ以上、引張り強さが４０
０ＭＰａ以上６５０ＭＰａ以下であることを特徴とする
プラスチック基板に設けられるピングリッドアレイ用Ｉ
Ｃリードピンに適した銅合金である。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明の銅合金は、Ｃｕ−Ｚｎ−
Ｍｇ合金、Ｃｕ−Ｓｎ合金、Ｃｕ−Ｓｎ−Ａｇ合金、Ｃ
ｕ−Ｆｅ−Ｚｎ−Ｐ合金、Ｃｕ−Ｃｒ合金の５種の銅合
金のいずれかであり、合金元素量を適正化することによ
り、５０％ＩＡＣＳ以上の導電率と、４００ＭＰａ以上
６５０ＭＰａ以下の引張強さと、実用上差し支えない程
度の繰り返し曲げ性とを具備した、プラスチック基板に
設けられるピングリッドアレイ用ＩＣリードピンに適し
た銅合金である。
Ｍｇ合金、Ｃｕ−Ｓｎ合金、Ｃｕ−Ｓｎ−Ａｇ合金、Ｃ
ｕ−Ｆｅ−Ｚｎ−Ｐ合金、Ｃｕ−Ｃｒ合金の５種の銅合
金のいずれかであり、合金元素量を適正化することによ
り、５０％ＩＡＣＳ以上の導電率と、４００ＭＰａ以上
６５０ＭＰａ以下の引張強さと、実用上差し支えない程
度の繰り返し曲げ性とを具備した、プラスチック基板に
設けられるピングリッドアレイ用ＩＣリードピンに適し
た銅合金である。
【０００６】本発明において、導電率を５０％ＩＡＣＳ
に規定する理由は、５０％ＩＡＣＳ未満ではＣＰＵの伝
送高速化やＩＣの高密度化に十分対応できないためであ
る。また引張強さを４００ＭＰａ以上６５０ＭＰａ以下
に規定する理由は、４００ＭＰａ未満ではＩＣ組み立て
時および使用中にピンが損傷する恐れがあり、６５０Ｍ
Ｐａを超えると十分な繰り返し曲げ性が得られなくなる
ためである。
に規定する理由は、５０％ＩＡＣＳ未満ではＣＰＵの伝
送高速化やＩＣの高密度化に十分対応できないためであ
る。また引張強さを４００ＭＰａ以上６５０ＭＰａ以下
に規定する理由は、４００ＭＰａ未満ではＩＣ組み立て
時および使用中にピンが損傷する恐れがあり、６５０Ｍ
Ｐａを超えると十分な繰り返し曲げ性が得られなくなる
ためである。
【０００７】以下に、本発明で用いる５種の銅合金の合
金元素について説明する。前記Ｃｕ−Ｚｎ−Ｍｇ合金に
おいて、合金元素のＺｎおよびＭｇは強度向上に寄与す
る。この銅合金でＺｎおよびＭｇの濃度をそれぞれ０．
０５〜０．５ｗｔ％に規定する理由は、いずれが下限値
未満でも十分な引張強さが得られず、いずれが上限値を
超えても十分な導電率または繰り返し曲げ性が得られな
いためである。
金元素について説明する。前記Ｃｕ−Ｚｎ−Ｍｇ合金に
おいて、合金元素のＺｎおよびＭｇは強度向上に寄与す
る。この銅合金でＺｎおよびＭｇの濃度をそれぞれ０．
０５〜０．５ｗｔ％に規定する理由は、いずれが下限値
未満でも十分な引張強さが得られず、いずれが上限値を
超えても十分な導電率または繰り返し曲げ性が得られな
いためである。
【０００８】前記Ｃｕ−Ｓｎ合金において、合金元素の
Ｓｎは強度向上に寄与する。この銅合金でＳｎの含有量
を０．１〜１．０ｗｔ％に規定する理由は、０．１wt％
未満では十分な引張強さが得られず、１．０ｗｔ％を超
えると十分な導電率または繰り返し曲げ性が得られない
ためである。
Ｓｎは強度向上に寄与する。この銅合金でＳｎの含有量
を０．１〜１．０ｗｔ％に規定する理由は、０．１wt％
未満では十分な引張強さが得られず、１．０ｗｔ％を超
えると十分な導電率または繰り返し曲げ性が得られない
ためである。
【０００９】前記Ｃｕ−Ｓｎ−Ａｇ合金において、Ｓｎ
およびＡｇは強度向上に寄与する。この銅合金でＳｎを
０．１〜１．０ｗｔ％に規定し、Ａｇを０．０５〜０．
５ｗｔ％に規定する理由は、いずれが下限値未満でも十
分な引張強さが得られず、いずれが上限値を超えても十
分な導電率または繰り返し曲げ性が得られないためであ
る。さらにＡｇの場合は、高価なためコスト的に不利な
ためである。
およびＡｇは強度向上に寄与する。この銅合金でＳｎを
０．１〜１．０ｗｔ％に規定し、Ａｇを０．０５〜０．
５ｗｔ％に規定する理由は、いずれが下限値未満でも十
分な引張強さが得られず、いずれが上限値を超えても十
分な導電率または繰り返し曲げ性が得られないためであ
る。さらにＡｇの場合は、高価なためコスト的に不利な
ためである。
【００１０】前記Ｃｕ−Ｆｅ−Ｚｎ−Ｐ合金において、
Ｆｅ、ＺｎおよびＰは強度向上に寄与する。この銅合金
でＦｅを２．１〜２．６ｗｔ％、Ｚｎを０．０５〜０．
２ｗｔ％、Ｐを０．０１５〜０．１５ｗｔ％にそれぞれ
規定する理由は、いずれが下限値未満でも十分な引張強
さが得られず、いずれが上限値を超えても十分な導電率
または繰り返し曲げ性が得られないためである。
Ｆｅ、ＺｎおよびＰは強度向上に寄与する。この銅合金
でＦｅを２．１〜２．６ｗｔ％、Ｚｎを０．０５〜０．
２ｗｔ％、Ｐを０．０１５〜０．１５ｗｔ％にそれぞれ
規定する理由は、いずれが下限値未満でも十分な引張強
さが得られず、いずれが上限値を超えても十分な導電率
または繰り返し曲げ性が得られないためである。
【００１１】前記Ｃｕ−Ｃｒ合金において、Ｃｒは強度
向上に寄与する。この銅合金でＣｒを０．４〜１．１ｗ
ｔ％に規定する理由は、０．４wt％未満では十分な引張
強さが得られず、１．１ｗｔ％を超えると十分な導電率
または繰り返し曲げ性が得られないためである。
向上に寄与する。この銅合金でＣｒを０．４〜１．１ｗ
ｔ％に規定する理由は、０．４wt％未満では十分な引張
強さが得られず、１．１ｗｔ％を超えると十分な導電率
または繰り返し曲げ性が得られないためである。
【００１２】本発明の銅合金は、例えば、溶解鋳造、熱
間加工（押出、圧延など）、引抜加工（伸線加工含む）
をこの順に施す常法により製造できる。導電率、引張強
さなどの特性は、主に合金組成により決まるが、引抜加
工時に施す中間焼鈍などの熱処理条件を選定することに
より調整することができる。
間加工（押出、圧延など）、引抜加工（伸線加工含む）
をこの順に施す常法により製造できる。導電率、引張強
さなどの特性は、主に合金組成により決まるが、引抜加
工時に施す中間焼鈍などの熱処理条件を選定することに
より調整することができる。
【００１３】
【実施例】以下に本発明を実施例により詳細に説明す
る。 （実施例１）本発明規定組成のＣｕ−Ｚｎ−Ｍｇ合金、
Ｃｕ−Ｓｎ合金、Ｃｕ−Ｓｎ−Ａｇ合金、Ｃｕ−Ｆｅ−
Ｚｎ−Ｐ合金、Ｃｕ−Ｃｒ合金を常法により溶解鋳造し
て鋳塊とし、この鋳塊に熱間押出と引抜加工をこの順に
施し、次いで中間焼鈍を入れながら伸線加工して直径
０．４ｍｍの線材を製造した。
る。 （実施例１）本発明規定組成のＣｕ−Ｚｎ−Ｍｇ合金、
Ｃｕ−Ｓｎ合金、Ｃｕ−Ｓｎ−Ａｇ合金、Ｃｕ−Ｆｅ−
Ｚｎ−Ｐ合金、Ｃｕ−Ｃｒ合金を常法により溶解鋳造し
て鋳塊とし、この鋳塊に熱間押出と引抜加工をこの順に
施し、次いで中間焼鈍を入れながら伸線加工して直径
０．４ｍｍの線材を製造した。
【００１４】（比較例１）各銅合金の組成を本発明規定
値外とした他は、実施例１と同じ方法により直径０．４
ｍｍの線材を製造した。
値外とした他は、実施例１と同じ方法により直径０．４
ｍｍの線材を製造した。
【００１５】実施例１および比較例１で製造した各々の
線材について引張り強さ、導電率、繰り返し曲げ性を調
べた。さらに前記ＰＧＡ用ＩＣリードピンに施されるＡ
ｕめっきの密着性についても調査した。繰り返し曲げ性
は、線材の端部に２３０ｇの荷重を吊り下げて９０°曲
げを左右方向に行い破断するまでの曲げ回数を測定し
た。曲げ回数は１往復を１回と数えた。曲げ回数は６回
以上なら実用上問題ないため曲げ回数が６回以上のもの
を良好と判定した。Ａｕめっき密着性は、前記線材にＡ
ｕを常法によりめっきし、このＡｕめっき線材を捻回試
験して調べた。捻回試験は、チャック間距離５０ｍｍ、
５０回正転後４０回反転する条件で行った。Ａｕめっき
の剥離の有無は目視観察により判定した。結果を表１に
示す。
線材について引張り強さ、導電率、繰り返し曲げ性を調
べた。さらに前記ＰＧＡ用ＩＣリードピンに施されるＡ
ｕめっきの密着性についても調査した。繰り返し曲げ性
は、線材の端部に２３０ｇの荷重を吊り下げて９０°曲
げを左右方向に行い破断するまでの曲げ回数を測定し
た。曲げ回数は１往復を１回と数えた。曲げ回数は６回
以上なら実用上問題ないため曲げ回数が６回以上のもの
を良好と判定した。Ａｕめっき密着性は、前記線材にＡ
ｕを常法によりめっきし、このＡｕめっき線材を捻回試
験して調べた。捻回試験は、チャック間距離５０ｍｍ、
５０回正転後４０回反転する条件で行った。Ａｕめっき
の剥離の有無は目視観察により判定した。結果を表１に
示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】表１より明らかなように、本発明例のＮ
ｏ．１〜１２は、いずれも、導電率が５０％ＩＡＣＳ以
上、引張強さが４００ＭＰａ以上６５０ＭＰａ以下であ
り、繰り返し曲げ性およびＡｕめっき密着性も良好で、
プラスチック基板に設けられるＰＧＡ用ＩＣリードピン
として優れた特性を示した。他方、比較例のＮｏ．１３
はＺｎおよびＭｇが少ないため、Ｎｏ．１５はＳｎが少
ないため、Ｎｏ．１７はＳｎおよびＡｇが少ないため、
Ｎｏ．１９はＦｅおよびＺｎが少ないため、Ｎｏ．２１
はＣｒが少ないため、いずれも引張強さが低く、Ｎｏ．
１４はＺｎおよびＭｇが多いため、Ｎｏ．１６はＳｎが
多いため、Ｎｏ．１８はＳｎおよびＡｇが多いため、Ｎ
ｏ．２０はＦｅおよびＺｎが多いため、Ｎｏ．２２はＣ
ｒが多いため、いずれも導電率および繰り返し曲げ性に
劣り、比較例は全てＰＧＡ用ＩＣリードピンとして不適
当であった。
ｏ．１〜１２は、いずれも、導電率が５０％ＩＡＣＳ以
上、引張強さが４００ＭＰａ以上６５０ＭＰａ以下であ
り、繰り返し曲げ性およびＡｕめっき密着性も良好で、
プラスチック基板に設けられるＰＧＡ用ＩＣリードピン
として優れた特性を示した。他方、比較例のＮｏ．１３
はＺｎおよびＭｇが少ないため、Ｎｏ．１５はＳｎが少
ないため、Ｎｏ．１７はＳｎおよびＡｇが少ないため、
Ｎｏ．１９はＦｅおよびＺｎが少ないため、Ｎｏ．２１
はＣｒが少ないため、いずれも引張強さが低く、Ｎｏ．
１４はＺｎおよびＭｇが多いため、Ｎｏ．１６はＳｎが
多いため、Ｎｏ．１８はＳｎおよびＡｇが多いため、Ｎ
ｏ．２０はＦｅおよびＺｎが多いため、Ｎｏ．２２はＣ
ｒが多いため、いずれも導電率および繰り返し曲げ性に
劣り、比較例は全てＰＧＡ用ＩＣリードピンとして不適
当であった。
【００１８】実施例１で製造した本発明例の線材をヘッ
ダー加工してＰＧＡ用ＩＣリードピンとし、これを用い
て高速・高密度ＩＣを組み立てた。このＩＣは良好に稼
働し、またＰＧＡ用ＩＣリードピンは組み立て時に曲が
りや破断を起こすようなことがなかった。これはＰＧＡ
用ＩＣリードピンが高導電率であり、また引張強さおよ
び繰り返し曲げ性に優れたためである。
ダー加工してＰＧＡ用ＩＣリードピンとし、これを用い
て高速・高密度ＩＣを組み立てた。このＩＣは良好に稼
働し、またＰＧＡ用ＩＣリードピンは組み立て時に曲が
りや破断を起こすようなことがなかった。これはＰＧＡ
用ＩＣリードピンが高導電率であり、また引張強さおよ
び繰り返し曲げ性に優れたためである。
【００１９】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明の銅合金
は、ＣＰＵの伝送高速化やＩＣの高密度化に十分対応し
得る導電率、従来のコバールと同等の引張強さ、実用上
差し支えない程度の高度の繰り返し曲げ性を具備するも
のであり、プラスチック基板に設けられるＰＧＡ用ＩＣ
リードピンに好適である。依って、工業上顕著な効果を
奏する。
は、ＣＰＵの伝送高速化やＩＣの高密度化に十分対応し
得る導電率、従来のコバールと同等の引張強さ、実用上
差し支えない程度の高度の繰り返し曲げ性を具備するも
のであり、プラスチック基板に設けられるＰＧＡ用ＩＣ
リードピンに好適である。依って、工業上顕著な効果を
奏する。
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｚｎを０．０５〜０．５ｗｔ％、Ｍｇを
０．０５〜０．５ｗｔ％含有し残部が不可避不純物とＣ
ｕからなる銅合金、Ｓｎを０．１〜１．０ｗｔ％含有し
残部が不可避不純物とＣｕからなる銅合金、Ｓｎを０．
１〜１．０ｗｔ％、Ａｇを０．１〜０．６ｗｔ％含有し
残部が不可避不純物とＣｕからなる銅合金、Ｆｅを２．
１〜２．６ｗｔ％、Ｚｎを０．０５〜０．２ｗｔ％、Ｐ
を０．０１５〜０．１５ｗｔ％含有し残部が不可避不純
物とＣｕからなる銅合金、またはＣｒを０．４〜１．１
ｗｔ％含有し残部が不可避不純物とＣｕからなる銅合金
のいずれかであって、導電率が５０％ＩＡＣＳ以上、引
張り強さが４００ＭＰａ以上６５０ＭＰａ以下であるこ
とを特徴とするプラスチック基板に設けられるピングリ
ッドアレイ用ＩＣリードピンに適した銅合金。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000130906A JP4329967B2 (ja) | 2000-04-28 | 2000-04-28 | プラスチック基板に設けられるピングリッドアレイ用ｉｃリードピンに適した銅合金線材 |
| TW090110086A TWI229136B (en) | 2000-04-28 | 2001-04-27 | Copper alloy suitable for an IC lead pin for a pin grid array provided on a plastic substrate |
| US09/844,155 US20010051105A1 (en) | 2000-04-28 | 2001-04-27 | Copper alloy suitable for an IC lead pin for a pin grid array provided on a plastic substrate |
| US10/361,709 US7727344B2 (en) | 2000-04-28 | 2003-02-06 | Copper alloy suitable for an IC lead pin for a pin grid array provided on a plastic substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000130906A JP4329967B2 (ja) | 2000-04-28 | 2000-04-28 | プラスチック基板に設けられるピングリッドアレイ用ｉｃリードピンに適した銅合金線材 |
Publications (2)
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|---|---|---|---|---|
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| DE102004053346B4 (de) * | 2003-11-05 | 2017-12-28 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | Verfahren zum Bilden eines erweichungsbeständigen Kupferlegierungsbleches |
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| JP3800269B2 (ja) | 1997-07-23 | 2006-07-26 | 株式会社神戸製鋼所 | スタンピング加工性及び銀めっき性に優れる高力銅合金 |
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Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8845829B2 (en) | 2003-10-24 | 2014-09-30 | Hitachi Metals, Ltd. | Cu alloy material, method of manufacturing Cu alloy conductor using the same, Cu alloy conductor obtained by the method, and cable or trolley wire using the Cu alloy conductor |
| DE102004053346B4 (de) * | 2003-11-05 | 2017-12-28 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | Verfahren zum Bilden eines erweichungsbeständigen Kupferlegierungsbleches |
| CN100338244C (zh) * | 2003-12-12 | 2007-09-19 | 中国科学院金属研究所 | 一种铜铁铬三元铜基合金 |
| US9255311B2 (en) * | 2005-01-17 | 2016-02-09 | Hitachi Metals, Ltd. | Copper alloy conductor, and trolley wire and cable using same, and copper alloy conductor fabrication method |
| JP2008214692A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体収容金属容器用銅合金線材 |
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