JP2576853B2 - はんだ接合強度に優れた電子機器用銅合金とその製造法 - Google Patents
はんだ接合強度に優れた電子機器用銅合金とその製造法Info
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- JP2576853B2 JP2576853B2 JP29920395A JP29920395A JP2576853B2 JP 2576853 B2 JP2576853 B2 JP 2576853B2 JP 29920395 A JP29920395 A JP 29920395A JP 29920395 A JP29920395 A JP 29920395A JP 2576853 B2 JP2576853 B2 JP 2576853B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明ははんだ接合強度に優
れた電子機器用銅合金、特に小型高密度の半導体リード
フレームに適した銅合金とその製造法に関するものであ
る。
れた電子機器用銅合金、特に小型高密度の半導体リード
フレームに適した銅合金とその製造法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】電子機器用銅合金としてはＣｕ−Ｓｎ系
のリン青銅が用いられ、コネクターやスイッチ用ばね、
端子、半導体リードフレーム、リード線等に多量に使用
されている。この合金は強度及び加工性が優れている
が、導電率は10〜25％ＩＡＣＳと低いため、導電性や熱
伝導性が要求される用途には使用できない。このため導
電性や熱伝導性が要求される用途にはＣｕ−Ｆｅ系、例
えばＣ194 （Ｃｕ− 2.4wt％Ｆｅ− 0.12wt ％Ｚｎ−Ｐ
合金）（以下wt％を％と略記）、Ｃ195 （Ｃｕ−1.5％
Ｆｅ− 0.8％Ｃｏ− 0.6％Ｓｎ−Ｐ合金）が用いられて
いる。この合金は強度45〜55kg／mm2 、導電率50〜65％
ＩＡＣＳの特性を示す。
のリン青銅が用いられ、コネクターやスイッチ用ばね、
端子、半導体リードフレーム、リード線等に多量に使用
されている。この合金は強度及び加工性が優れている
が、導電率は10〜25％ＩＡＣＳと低いため、導電性や熱
伝導性が要求される用途には使用できない。このため導
電性や熱伝導性が要求される用途にはＣｕ−Ｆｅ系、例
えばＣ194 （Ｃｕ− 2.4wt％Ｆｅ− 0.12wt ％Ｚｎ−Ｐ
合金）（以下wt％を％と略記）、Ｃ195 （Ｃｕ−1.5％
Ｆｅ− 0.8％Ｃｏ− 0.6％Ｓｎ−Ｐ合金）が用いられて
いる。この合金は強度45〜55kg／mm2 、導電率50〜65％
ＩＡＣＳの特性を示す。
【０００３】電子機器では小型高密度化が著しく、必要
とされる合金の特性も絶えず高性能化が要求され、特に
半導体において最も顕著であり、工業的にも最も重要な
地位を占めている。例えば量産型のプラスチックモール
ド半導体ではリードフレームとして、ＤＩＰ型の100mil
ピッチの２方向リードを有するフレームとして上記銅合
金が大量に使用されている。最近より小型化が可能な面
実装型の新しい半導体パッケージとしてＳＯＰ、ＦＰ、
ＰＬＣＣが開発され、特にＰＬＣＣは４方向に 50milピ
ッチのリードを出したフレームを使用するため、従来の
ＤＩＰ型に比べて大巾な高密実装が可能である。またＦ
Ｐも類似であり、ＳＯＰも２方向リードであるが 50mil
ピッチの細いリードフレームを用いる面実装である。
とされる合金の特性も絶えず高性能化が要求され、特に
半導体において最も顕著であり、工業的にも最も重要な
地位を占めている。例えば量産型のプラスチックモール
ド半導体ではリードフレームとして、ＤＩＰ型の100mil
ピッチの２方向リードを有するフレームとして上記銅合
金が大量に使用されている。最近より小型化が可能な面
実装型の新しい半導体パッケージとしてＳＯＰ、ＦＰ、
ＰＬＣＣが開発され、特にＰＬＣＣは４方向に 50milピ
ッチのリードを出したフレームを使用するため、従来の
ＤＩＰ型に比べて大巾な高密実装が可能である。またＦ
Ｐも類似であり、ＳＯＰも２方向リードであるが 50mil
ピッチの細いリードフレームを用いる面実装である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の新規な電子機器
に用いるリードフレーム等には、導電率の一層の向上と
共に高い強度と加工性のバランスが要求され、更には機
械的特性の等方性が要求される。即ち板条体として圧延
方向と巾方向の特性、特に加工特性の差異は高精密を必
須とするＰＬＣＣ等のリードフレームには致命的欠陥と
なる。しかしながら上記リン青銅やＣｕ−Ｆｅ系合金は
これ等の要求特性を満足することができず、現状ではＣ
150 （Ｃｕ− 0.1％Ｚｒ合金）やＣｕ−２％Ｓｎ− 0.1
％Ｃｒ合金が使用されているが、前者は90％ＩＡＣＳ程
度の導電率を示すも強度は40kg／mm2 程度にすぎず、後
者は50〜55kg／mm2 程度の強度を示すも、導電率は30〜
40％ＩＡＣＳ程度にすぎない。
に用いるリードフレーム等には、導電率の一層の向上と
共に高い強度と加工性のバランスが要求され、更には機
械的特性の等方性が要求される。即ち板条体として圧延
方向と巾方向の特性、特に加工特性の差異は高精密を必
須とするＰＬＣＣ等のリードフレームには致命的欠陥と
なる。しかしながら上記リン青銅やＣｕ−Ｆｅ系合金は
これ等の要求特性を満足することができず、現状ではＣ
150 （Ｃｕ− 0.1％Ｚｒ合金）やＣｕ−２％Ｓｎ− 0.1
％Ｃｒ合金が使用されているが、前者は90％ＩＡＣＳ程
度の導電率を示すも強度は40kg／mm2 程度にすぎず、後
者は50〜55kg／mm2 程度の強度を示すも、導電率は30〜
40％ＩＡＣＳ程度にすぎない。
【０００５】このため電子機器用銅合金としては、導電
率と強度が共に優れ、かつ等方的な高度の加工性、即ち
プレス成型性を有し、更に面実装部品の信頼性に重要な
半田接合強度の向上が望まれている。例えばプリント基
板のスルホールを用いないで表面に半田付けする面実装
では接合強度の経時劣化が致命的となる。またメッキ性
や耐食性、例えばアンモニアによる応力腐食割れに対し
ても充分な耐性を有することが要求される。
率と強度が共に優れ、かつ等方的な高度の加工性、即ち
プレス成型性を有し、更に面実装部品の信頼性に重要な
半田接合強度の向上が望まれている。例えばプリント基
板のスルホールを用いないで表面に半田付けする面実装
では接合強度の経時劣化が致命的となる。またメッキ性
や耐食性、例えばアンモニアによる応力腐食割れに対し
ても充分な耐性を有することが要求される。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明はこれに鑑み種々
検討の結果、電気及び熱伝導性、機械的強度、精密加工
性、半田接合強度等を向上した電子機器用銅合金とその
製造法を開発したものである。
検討の結果、電気及び熱伝導性、機械的強度、精密加工
性、半田接合強度等を向上した電子機器用銅合金とその
製造法を開発したものである。
【０００７】即ち本発明電子機器用銅合金は、Ｎｉ又は
ＮｉとＣｏを１％を越え４％以下、Ｃｒ： 1.0％を越え
２％以下、Ｓｉ： 0.2〜 1.5％、Ｓｎ： 1.1〜３％を含
み、更にＰ： 0.3％以下、Ｂ： 0.3％以下、Ｚｎ：５％
以下、Ｍｎ：１％以下、Ｍｇ： 0.2％以下、Ｚｒ： 0.5
％以下の範囲内で何れか１種又は２種以上を合計５％以
下含み、残部Ｃｕからなるものである。
ＮｉとＣｏを１％を越え４％以下、Ｃｒ： 1.0％を越え
２％以下、Ｓｉ： 0.2〜 1.5％、Ｓｎ： 1.1〜３％を含
み、更にＰ： 0.3％以下、Ｂ： 0.3％以下、Ｚｎ：５％
以下、Ｍｎ：１％以下、Ｍｇ： 0.2％以下、Ｚｒ： 0.5
％以下の範囲内で何れか１種又は２種以上を合計５％以
下含み、残部Ｃｕからなるものである。
【０００８】また本発明製造法は、Ｎｉ又はＮｉとＣｏ
を１％を越え４％以下、Ｃｒ： 1.0％を越え２％以下、
Ｓｉ： 0.2〜 1.5％、Ｓｎ： 1.1〜３％を含み、更に
Ｐ：0.3％以下、Ｂ： 0.3％以下、Ｚｎ：５％以下、Ｍ
ｎ：１％以下、Ｍｇ： 0.2％以下、Ｚｒ： 0.5％以下の
範囲内で何れか１種又は２種以上を合計５％以下含み、
残部Ｃｕからなる合金を 650℃以上で熱間加工した後、
350℃以下まで10℃／sec 以上の速さで冷却し、続いて
70％以上の冷間加工を加えてから 400〜 600℃で熱処理
することを特徴とするものである。
を１％を越え４％以下、Ｃｒ： 1.0％を越え２％以下、
Ｓｉ： 0.2〜 1.5％、Ｓｎ： 1.1〜３％を含み、更に
Ｐ：0.3％以下、Ｂ： 0.3％以下、Ｚｎ：５％以下、Ｍ
ｎ：１％以下、Ｍｇ： 0.2％以下、Ｚｒ： 0.5％以下の
範囲内で何れか１種又は２種以上を合計５％以下含み、
残部Ｃｕからなる合金を 650℃以上で熱間加工した後、
350℃以下まで10℃／sec 以上の速さで冷却し、続いて
70％以上の冷間加工を加えてから 400〜 600℃で熱処理
することを特徴とするものである。
【０００９】上記の通り本発明はＮｉ又はＮｉとＣｏを
１％を越え４％以下、Ｃｒ： 1.0％を越え２％以下、Ｓ
ｉ： 0.2〜1.5 ％、Ｓｎ： 1.1〜３％を含み、更にこれ
にＰ： 0.3％以下、Ｂ： 0.3％以下、Ｚｎ：５％以下、
Ｍｎ：１％以下、Ｍｇ： 0.2％以下、Ｚｒ： 0.5％以下
の範囲内で何れか１種又は２種以上を合計５％以下含
み、残部Ｃｕからなり、この合金を溶解鋳造して 650℃
以上、望ましくは 700℃以上で熱間加工する。
１％を越え４％以下、Ｃｒ： 1.0％を越え２％以下、Ｓ
ｉ： 0.2〜1.5 ％、Ｓｎ： 1.1〜３％を含み、更にこれ
にＰ： 0.3％以下、Ｂ： 0.3％以下、Ｚｎ：５％以下、
Ｍｎ：１％以下、Ｍｇ： 0.2％以下、Ｚｒ： 0.5％以下
の範囲内で何れか１種又は２種以上を合計５％以下含
み、残部Ｃｕからなり、この合金を溶解鋳造して 650℃
以上、望ましくは 700℃以上で熱間加工する。
【００１０】次に加工後直ちに冷風又は水シャワーを吹
き付けて10℃／sec 以上の速さで少なくとも 350℃まで
冷却する。これに冷間加工により70％以上の減面加工を
施してから 400〜 600℃で熱処理することにより造られ
る。熱処理時間は実際の諸条件にもよるが、10分から６
時間程度でよい。尚熱処理後必要に応じて加工や中間焼
鈍を施して所望寸法に仕上げたり、仕上げ加工後に 250
〜 350℃の低温で熱処理して加工歪の少なくとも一部を
解放することにより、機械的特性、特に伸びや加工性を
向上するのに有効である。
き付けて10℃／sec 以上の速さで少なくとも 350℃まで
冷却する。これに冷間加工により70％以上の減面加工を
施してから 400〜 600℃で熱処理することにより造られ
る。熱処理時間は実際の諸条件にもよるが、10分から６
時間程度でよい。尚熱処理後必要に応じて加工や中間焼
鈍を施して所望寸法に仕上げたり、仕上げ加工後に 250
〜 350℃の低温で熱処理して加工歪の少なくとも一部を
解放することにより、機械的特性、特に伸びや加工性を
向上するのに有効である。
【００１１】本発明合金はＮｉ2 Ｓｉ、Ｃｒ3 Ｓｉ、Ｃ
ｒ5 Ｓｉ2 等の微粒子を均一に分散析出させ、更にＣ
ｒ、ＮｉＰ、ＮｉＢ、ＣｒＰ等の析出も付加し、Ｃｕマ
トリックスの固溶Ｓｉを可及的に低減したＣｕ−Ｓｎ合
金、又はこれにＺｎ、Ｍｎ、Ｂ、Ｚｒ、Ｍｇ等の成分を
均一に含有せしめることにより、析出粒子の分散強化と
強化されたマトリックスとの併合によって引張強度50〜
70kg／mm2 又はこれ以上とし、導電率も20〜40％ＩＡＣ
Ｓとしたものである。
ｒ5 Ｓｉ2 等の微粒子を均一に分散析出させ、更にＣ
ｒ、ＮｉＰ、ＮｉＢ、ＣｒＰ等の析出も付加し、Ｃｕマ
トリックスの固溶Ｓｉを可及的に低減したＣｕ−Ｓｎ合
金、又はこれにＺｎ、Ｍｎ、Ｂ、Ｚｒ、Ｍｇ等の成分を
均一に含有せしめることにより、析出粒子の分散強化と
強化されたマトリックスとの併合によって引張強度50〜
70kg／mm2 又はこれ以上とし、導電率も20〜40％ＩＡＣ
Ｓとしたものである。
【００１２】しかして強化成分としてのＮｉ含有量を１
％を越え４％以下、Ｃｒ含有量を1.0％を越え２％以下
としたのは、何れも下限以下では十分な強化が得られ
ず、上限を越えると加工性を阻害するばかりか、導電性
を低下するためである。尚Ｎｉの一部をＣｏにより置換
しても同様の効果が得られる。ただしＣｏはＮｉに比べ
て著しく高価である。
％を越え４％以下、Ｃｒ含有量を1.0％を越え２％以下
としたのは、何れも下限以下では十分な強化が得られ
ず、上限を越えると加工性を阻害するばかりか、導電性
を低下するためである。尚Ｎｉの一部をＣｏにより置換
しても同様の効果が得られる。ただしＣｏはＮｉに比べ
て著しく高価である。
【００１３】上記化合物析出成分としてＳｉ含有量を
0.2〜 1.5％としたのは、下限未満では十分な強化が得
られず、上限を越えると導電率を大きく低下させるため
である。即ち化学量論より過剰のＳｉは固溶元素となっ
て合金の導電率を低下させるばかりか、半田接合強度の
経時劣化の原因となるため、望ましくはＳｉ含有量をＮ
ｉ＋Ｃｒの量論に近い量、特に化学量論量以下（Ｎｉに
対するＳｉの化学量論は約１／5.18、Ｃｒに対するＳｉ
の化学量論は約１／5.5)とする。上記２種のＳｉ化合物
は均一微細な析出が進行し易いばかりか、化学量論のＮ
ｉとＣｒのうち、ＮｉはＣｒより親和性が大きくＮｉ2
Ｓｉとなり、余分のＣｒは単体Ｃｒとして析出し、合金
の強度向上に副次的に働くと共に導電率の低下を起さな
い。Ｃｒを併用しない場合には過剰のＳｉ又は未反応の
Ｓｉは固溶体としてＣｕマトリックに残り、導電率を大
きく低下させるばかりか、半田接合強度の経時劣化を招
く。
0.2〜 1.5％としたのは、下限未満では十分な強化が得
られず、上限を越えると導電率を大きく低下させるため
である。即ち化学量論より過剰のＳｉは固溶元素となっ
て合金の導電率を低下させるばかりか、半田接合強度の
経時劣化の原因となるため、望ましくはＳｉ含有量をＮ
ｉ＋Ｃｒの量論に近い量、特に化学量論量以下（Ｎｉに
対するＳｉの化学量論は約１／5.18、Ｃｒに対するＳｉ
の化学量論は約１／5.5)とする。上記２種のＳｉ化合物
は均一微細な析出が進行し易いばかりか、化学量論のＮ
ｉとＣｒのうち、ＮｉはＣｒより親和性が大きくＮｉ2
Ｓｉとなり、余分のＣｒは単体Ｃｒとして析出し、合金
の強度向上に副次的に働くと共に導電率の低下を起さな
い。Ｃｒを併用しない場合には過剰のＳｉ又は未反応の
Ｓｉは固溶体としてＣｕマトリックに残り、導電率を大
きく低下させるばかりか、半田接合強度の経時劣化を招
く。
【００１４】Ｓｎ含有量を 1.1〜３％と限定したのは、
Ｓｎは固溶体強化と前記析出物の均質析出分散を促進
し、前記分散強化効果と合せて合金の強度、伸び、加工
性等を向上するも、その含有量が 1.1％未満では十分な
強度が得られず、３％を越えると導電率が大巾に低下す
るためである。
Ｓｎは固溶体強化と前記析出物の均質析出分散を促進
し、前記分散強化効果と合せて合金の強度、伸び、加工
性等を向上するも、その含有量が 1.1％未満では十分な
強度が得られず、３％を越えると導電率が大巾に低下す
るためである。
【００１５】次に本発明合金の副成分をＰ： 0.3％以
下、Ｂ： 0.3％以下、Ｚｎ：５％以下、Ｍｎ：１％以
下、Ｍｇ： 0.2％以下、Ｚｒ： 0.5％以下の範囲内で何
れか１種又は２種以上を合計５％以下としたのは、合金
の強度を一層向上させるためである。
下、Ｂ： 0.3％以下、Ｚｎ：５％以下、Ｍｎ：１％以
下、Ｍｇ： 0.2％以下、Ｚｒ： 0.5％以下の範囲内で何
れか１種又は２種以上を合計５％以下としたのは、合金
の強度を一層向上させるためである。
【００１６】特にＰ、Ｂは脱酸剤として働くと共に、不
可避的に遊離したＮｉやＣｒと化合物を形成し、合金を
強化するばかりか半田付け性を向上するも、含有量がそ
れぞれ３％を越えると導電率を低下する。Ｚｎ、Ｍｎも
脱酸剤として働くと共に合金を強化し、半田付け性を向
上し、特にＭｎは熱間加工性を向上するも、何れも上限
を越えると導電率を低下する。Ｍｇ、Ｚｒは結晶微細化
作用により強度や曲げ加工性を向上すると共にＰ等との
化合物を析出し、強度の向上に寄与するも、何れも上限
を越えると導電率及び伸びを低下する。しかしてこれら
副成分は合計で５％以下とするものであり、これを越え
て含有せしめると導電率の低下が著しい。
可避的に遊離したＮｉやＣｒと化合物を形成し、合金を
強化するばかりか半田付け性を向上するも、含有量がそ
れぞれ３％を越えると導電率を低下する。Ｚｎ、Ｍｎも
脱酸剤として働くと共に合金を強化し、半田付け性を向
上し、特にＭｎは熱間加工性を向上するも、何れも上限
を越えると導電率を低下する。Ｍｇ、Ｚｒは結晶微細化
作用により強度や曲げ加工性を向上すると共にＰ等との
化合物を析出し、強度の向上に寄与するも、何れも上限
を越えると導電率及び伸びを低下する。しかしてこれら
副成分は合計で５％以下とするものであり、これを越え
て含有せしめると導電率の低下が著しい。
【００１７】上記本発明合金の特性を実用上生産性良く
発揮させる製造法として、溶解鋳造した鋳塊を 650℃以
上で熱間加工し、直ちに10℃／sec 以上の速さで少なく
とも350℃以下まで冷却することにより、上記化合物の
析出を抑制し、低い負荷力で加工を可能にする。次に70
％以上の冷間加工を施してから 400〜 600℃で熱処理す
ることにより、加工歪みの作用によって均質微細な析出
を速かに行なわせる。即ち均質微細な化合物の析出を可
及的に完全に行なうことにより、強度、導電性、加工
性、半田付け性などの電子機器用途に不可欠の特性を最
大に発揮せしめたものである。
発揮させる製造法として、溶解鋳造した鋳塊を 650℃以
上で熱間加工し、直ちに10℃／sec 以上の速さで少なく
とも350℃以下まで冷却することにより、上記化合物の
析出を抑制し、低い負荷力で加工を可能にする。次に70
％以上の冷間加工を施してから 400〜 600℃で熱処理す
ることにより、加工歪みの作用によって均質微細な析出
を速かに行なわせる。即ち均質微細な化合物の析出を可
及的に完全に行なうことにより、強度、導電性、加工
性、半田付け性などの電子機器用途に不可欠の特性を最
大に発揮せしめたものである。
【００１８】従来の析出型合金では、冷間加工の途中又
は最終で 800℃以上の高温で溶体化処理し水焼入れして
から析出時効処理しているが、溶体化焼入れは処理工程
が煩雑で酸化問題や特殊設備を必要とする。本発明は合
金組成を上記の如く制限して焼入れ感受性抑制の効果に
より、従来工程を要せずに特性の高い合金を得たもので
ある。
は最終で 800℃以上の高温で溶体化処理し水焼入れして
から析出時効処理しているが、溶体化焼入れは処理工程
が煩雑で酸化問題や特殊設備を必要とする。本発明は合
金組成を上記の如く制限して焼入れ感受性抑制の効果に
より、従来工程を要せずに特性の高い合金を得たもので
ある。
【００１９】しかして熱間加工温度が 650℃未満でも、
冷却速度が10℃／sec 未満でも上記化合物の粗大析出を
生じ、その後に冷間加工と熱処理を施しても高い特性は
得られない。また熱間加工後の冷間加工が70％未満では
加工歪が不十分で、熱処理による析出化合物が粗大化す
る。更に熱処理温度が 400℃未満では化合物の析出に長
時間を要し、 600℃を越えると析出化合物が粗大とな
り、合金特性を劣化する。
冷却速度が10℃／sec 未満でも上記化合物の粗大析出を
生じ、その後に冷間加工と熱処理を施しても高い特性は
得られない。また熱間加工後の冷間加工が70％未満では
加工歪が不十分で、熱処理による析出化合物が粗大化す
る。更に熱処理温度が 400℃未満では化合物の析出に長
時間を要し、 600℃を越えると析出化合物が粗大とな
り、合金特性を劣化する。
【００２０】
【実施例】表１に示す組成の合金を溶解鋳造し、表面を
機械仕上げして厚さ50mm、巾 150mm、長さ 510mmの鋳塊
とした。これを熱間圧延により厚さ 5.5mmとしてから直
ちに水冷により冷却し、酸洗してから冷間圧延した。こ
れをＡｒ雰囲気中で熱処理した。これ等の製造条件を表
２に示す。このようにして得た板材について引張強さ、
伸び、導電率、曲げ加工性、半田接合強度を調べた。こ
れ等の結果を従来合金（Ｃ510 、Ｃ195)と比較して表３
に示す。
機械仕上げして厚さ50mm、巾 150mm、長さ 510mmの鋳塊
とした。これを熱間圧延により厚さ 5.5mmとしてから直
ちに水冷により冷却し、酸洗してから冷間圧延した。こ
れをＡｒ雰囲気中で熱処理した。これ等の製造条件を表
２に示す。このようにして得た板材について引張強さ、
伸び、導電率、曲げ加工性、半田接合強度を調べた。こ
れ等の結果を従来合金（Ｃ510 、Ｃ195)と比較して表３
に示す。
【００２１】曲げ加工性は各種先端半径（Ｒ）の90°ダ
イとポンチの組合せ装置を用いてプレスで折り曲げ、曲
げ部の割れを調べ、割れの起らない最少のＲ／ｔ（Ｒ：
曲げ半径、ｔ：板厚）を求めた。また半田接合強度は共
晶半田付けしたリード付きジョイント部を 150℃で 300
時間エージングした後、引張試験して接合強度を求め
た。
イとポンチの組合せ装置を用いてプレスで折り曲げ、曲
げ部の割れを調べ、割れの起らない最少のＲ／ｔ（Ｒ：
曲げ半径、ｔ：板厚）を求めた。また半田接合強度は共
晶半田付けしたリード付きジョイント部を 150℃で 300
時間エージングした後、引張試験して接合強度を求め
た。
【００２２】
【表１】
【００２３】
【表２】
【００２４】
【表３】
【００２５】表３から明らかなように表１の本発明合金
（Ａ〜Ｃ）を表２の本発明法Ｎo.１〜３で製造したもの
は、何れも従来合金であるＣ510(Ｎo.６）及びＣ195(Ｎ
o.７）と比較し、機械的特性、電気特性、半田接合強
度、均質性の総合特性において優れていることが判る。
これに対し本発明合金の組成範囲より外れる比較合金を
本発明法で製造した比較例Ｎo.４、５は諸特性が劣るこ
とが判る。
（Ａ〜Ｃ）を表２の本発明法Ｎo.１〜３で製造したもの
は、何れも従来合金であるＣ510(Ｎo.６）及びＣ195(Ｎ
o.７）と比較し、機械的特性、電気特性、半田接合強
度、均質性の総合特性において優れていることが判る。
これに対し本発明合金の組成範囲より外れる比較合金を
本発明法で製造した比較例Ｎo.４、５は諸特性が劣るこ
とが判る。
【００２６】
【発明の効果】このように本発明によれば電気及び熱伝
導性、機械的強度、精密加工性、半田接合強度等が優れ
ており、半導体リードフレームはもとより、半田接合強
度が要求されるリード線、各種端子、コネクター等に適
し、電子機器の小型・高密度化に大きく寄与する等、工
業上顕著な効果を示すものである。
導性、機械的強度、精密加工性、半田接合強度等が優れ
ており、半導体リードフレームはもとより、半田接合強
度が要求されるリード線、各種端子、コネクター等に適
し、電子機器の小型・高密度化に大きく寄与する等、工
業上顕著な効果を示すものである。
フロントページの続き (72)発明者 浅井 真人 栃木県日光市清滝町500番地 古河電気 工業株式会社 日光電気精銅所内 (72)発明者 篠崎 重雄 栃木県日光市清滝町500番地 古河電気 工業株式会社 日光電気精銅所内 (56)参考文献 特開 昭59−193233（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−61426（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−119660（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−83442（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−266540（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｎｉ又はＮｉとＣｏを１wt％を越え４wt
％以下、Ｃｒ： 1.0wt％を越え２wt％以下、Ｓｉ： 0.2
〜 1.5wt％、Ｓｎ： 1.1〜３wt％を含み、更にＰ： 0.3
wt％以下、Ｂ： 0.3wt％以下、Ｚｎ：５wt％以下、Ｍ
ｎ：１wt％以下、Ｍｇ： 0.2wt％以下、Ｚｒ： 0.5wt％
以下の範囲内で何れか１種又は２種以上を合計５wt％以
下含み、残部Ｃｕからなるはんだ接合強度に優れた電子
機器用銅合金。 - 【請求項２】 Ｎｉ又はＮｉとＣｏを１wt％を越え４wt
％以下、Ｃｒ： 1.0wt％を越え２wt％以下、Ｓｉ： 0.2
〜 1.5wt％、Ｓｎ： 1.1〜３wt％を含み、更にＰ： 0.3
wt％以下、Ｂ： 0.3wt％以下、Ｚｎ：５wt％以下、Ｍ
ｎ：１wt％以下、Ｍｇ： 0.2wt％以下、Ｚｒ： 0.5wt％
以下の範囲内で何れか１種又は２種以上を合計５wt％以
下含み、残部Ｃｕからなる合金を 650℃以上で熱間加工
した後、350℃以下まで10℃／sec 以上の速さで冷却
し、続いて70％以上の冷間加工を加えてから 400〜 600
℃で熱処理することを特徴とするはんだ接合強度に優れ
た電子機器用銅合金の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29920395A JP2576853B2 (ja) | 1995-10-23 | 1995-10-23 | はんだ接合強度に優れた電子機器用銅合金とその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29920395A JP2576853B2 (ja) | 1995-10-23 | 1995-10-23 | はんだ接合強度に優れた電子機器用銅合金とその製造法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61022294A Division JP2514926B2 (ja) | 1986-02-04 | 1986-02-04 | はんだ接合強度に優れた電子機器用銅合金とその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08209271A JPH08209271A (ja) | 1996-08-13 |
| JP2576853B2 true JP2576853B2 (ja) | 1997-01-29 |
Family
ID=17869486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29920395A Expired - Fee Related JP2576853B2 (ja) | 1995-10-23 | 1995-10-23 | はんだ接合強度に優れた電子機器用銅合金とその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2576853B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002302722A (ja) * | 2001-04-09 | 2002-10-18 | Chuetsu Metal Works Co Ltd | 高強度青銅系合金及びその製造方法 |
| CN117051285B (zh) * | 2023-10-12 | 2023-12-15 | 中铝科学技术研究院有限公司 | 铜镍硅合金、其制备方法及应用 |
-
1995
- 1995-10-23 JP JP29920395A patent/JP2576853B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08209271A (ja) | 1996-08-13 |
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