JPH0575812B2 - - Google Patents
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- JPH0575812B2 JPH0575812B2 JP61256227A JP25622786A JPH0575812B2 JP H0575812 B2 JPH0575812 B2 JP H0575812B2 JP 61256227 A JP61256227 A JP 61256227A JP 25622786 A JP25622786 A JP 25622786A JP H0575812 B2 JPH0575812 B2 JP H0575812B2
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Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は機械的強度と共に、電気及び熱伝導性
に優れた銅合金及びその製造方法に関するもので
あつて、特に半導体リードフレーム等の電子電気
機器部品に使用する際に必要な諸特性を兼有する
高力導電性銅合金及びその製造方法に関するもの
である。 〔従来の技術及びその問題点〕 半導体リードフレーム、コネクター、端子等の
電子電気機器部品用材料として、機械的強度と共
に電気及び熱伝導性に優れた銅合金が広く使用さ
れている。近年機器の小型化、高集積化に伴い、
純銅に近い導電率を有し、常温及び高温での機械
的強度が高い合金に対する要求が増大しており、
特に半導体リードフレーム材においてその傾向が
著しい。 この様な高力導電性銅合金としては、Cu−Cr
−Zr系合金及びCu−Ti系合金が従来から知られ
ているが、酸素との親和力が強いZr或いはTiを
使用しているため、製造工程が複雑であつてコス
ト高となり、大量には利用されていない。 これに対してCu−Cr系合金は、比較的低コス
ト製造できる高力導電性合金であつて、例えば
Cu−0.8％Cr合金をリードフレーム材として利用
することが日本電子材料技術協会会報Vol.7、No.
３、p.22に開示されている。 リードフレーム材には機械的強度、電気及び熱
伝導性の他に半田付性、メツキ性、耐酸化性、成
型加工性等の諸特性が要求されているが、下記(a)
〜(e)に詳述する様に前記Cu〜Cr合金はこれらの
諸特性について問題点が多く、より特性の優れた
合金の開発が要望されている。即ち、 (a) リードフレームはプリント基板に半田接合さ
れており、半田接合部の接合強度が長期に亘つ
て保持されなければならないが、前記Cu−Cr
合金は接合強度の経時劣化が激しく、特に近年
急増している面実装型リードフレームにおいて
致命的な問題とされている。 (b) リードフレームはプリント基板との接合部に
Sn又はSn−Pbの予備メツキが、半導体チツプ
とのワイヤーボンデイング部にAg又はAuメツ
キが施されているが、前記Cu−Cr合金はこれ
らメツキ膜の密着性が余り良好でない。 (c) 半導体のパツケージにおいては、200〜450℃
の大気中でボンデイング等が行われ、この様な
高温大気条件下で酸化しにくいこと、又酸化し
た場合酸化膜が剥離しにくいことが必要であ
り、半導体部品の信頼性を向上させるためには
前記Cu−Cr合金の耐酸化性等を更に改善する
必要がある。 (d) リードフレーム材にはプレス時の成型加工
性、特に曲げ加工部にミクロクラツクが発生し
ないことが要求されるが、前記Cu−Cr合金は
これらの成型加工性が余り良好でない。 (e) リードフレームの高密度化に伴い、リード部
の巾と厚さは益々縮小される傾向にあり、前記
Cu−Cr合金よりも更に高強度な材料が要求さ
れている。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は上記の点に鑑みなされたものであり、
その目的とするところは半田付性、メツキ性、耐
酸化性、成型加工性等の諸特性に優れた高力導電
性銅合金及びその製造方法を提供することであ
る。 即ち、本発明における第１の発明は、Cr0.01〜
1wt％、Zn0.01〜0.7wt％、O20.004wt％以下、
S0.002wt％以下を含有し、更にTa0.05wt％以下、
Y0.1wt％以下、Tl0.1wt％以下、Be0.2wt％以
下、Nb0.05wt％以下、R.E.0.2wt％以下、Fe3wt
％以下、In0.1wt％以下、Co1wt％以下、
V0.05wt％以下、Ni1wt％以下のうちの１種また
は２種以上、およびP0.1wt％以下を合計で0.01〜
5wt％含有し残部がCuからなることを特徴とする
高力導電性銅合金であり、第２の発明は、Cr0.01
〜1wt％、Zn0.01〜0.7wt％、O20.004wt％以下、
S0.002wt％以下を含有し、更にTa0.05wt％以下、
Y0.1wt％以下、Tl0.1wt％以下、Be0.2wt％以
下、Nb0.05wt％以下、R.E.0.2wt％以下、Fe3wt
％以下、In0.1wt％以下、Co1wt％以下、
V0.05wt％以下、Ni1wt％以下のうちの１種また
は２種以上、Ca0.1wt％以下、Mn0.5wt％以下の
うちの１種または２種、およびP0.1wt％以下を
合計で0.01〜5wt％含有し、残部がCuからなるこ
とを特徴とする高力導電性銅合金であり、第３の
発明は、Cr0.01〜1wt％、Zn0.01〜0.7wt％、
O20.004wt％以下、S0.002wt％以下を含有し、更
にTa0.05wt％以下、Y0.1wt％以下、Tl0.1wt％
以下、Be0.2wt％以下、Nb0.05wt％以下、R.
E.0.2wt％以下、Fe3wt％以下、In0.1wt％以下、
Co1wt％以下、V0.05wt％以下、Ni1wt％以下の
うちの１種または２種以上、Cd0.5wt％以下、
Zr0.2wt％以下、Ti0.5wt％以下のうちの１種ま
たは２種以上およびP0.1wt％以下を合計で0.01〜
5wt％含有し残部がCuからなることを特徴とする
高力導電性銅合金であり、第４の発明は、Cr0.01
〜1wt％、Zn0.01〜0.7wt％、O20.004wt％以下、
S0.002wt％以下を含有し、更にTa0.05wt％以下、
Y0.1wt％以下、Tl0.1wt％以下、Be0.2wt％以
下、Nb0.05wt％以下、R.E.0.2wt％以下、Fe3wt
％以下、In0.1wt％以下、Co1wt％以下、
V0.05wt％以下、Ni1wt％以下のうちの１種また
は２種以上、Ag0.2wt％以下、Si0.5wt％、
Al1wt％以下のうちの１種または２種以上、およ
びP0.1wt％以下を合計で0.01〜5wt％含有し残部
がCuからなることを特徴とする高力導電性銅合
金である。 第１〜第４の発明においてCr、Znの含有量は
夫々Cr0.1〜0.5wt％、Zn0.1〜0.7wt％とすること
が望ましい。 また第５の発明は第１の発明合金の製造方法で
あり、第１発明の組成の銅合金を、850〜1000℃
で熱間加工または加熱処理後、少なくとも400℃
迄、５℃／sec以上の速度で冷却し、次に30％以
上の冷間加工を行つた後、400〜550℃で加熱処理
することを特徴とする高力導電性銅合金の製造方
法である。請求項６に記載の発明は、第５の発明
の実施態様項であつて、第１発明の銅合金に更に
Cd0.5wt％以下、Zr0.2wt％以下、Ti0.5wt％以下
のうちの１種または２種以上を添加した組成の銅
合金を用いることを特徴とする請求項５記載の高
力導電性銅合金の製造方法である。 〔作用〕 本発明による高力導電性銅合金は、Crの微細
な析出物を均一に分散させたCu−Cr−Zn系合金
であり、析出Crと固溶Znとの共同作用により本
発明の目的を実現したものである。即ち析出Cr
は導電率の低下はわずかであつて、強化作用を有
しており、一方ZnはCrを微細かつ均一に析出分
散させるのに有効であると共に、前記Cu−Cr合
金における問題点即ち半田付性、メツキ性、耐酸
化性、成型加工性等を改善する。更に析出Crは
Cu−Zn合金の有する応力腐食割れ感受性を激減
させる。本発明の目的を実現するためには、上述
の様にCrを微細かつ均一に分散析出させること
が必要であり、析出Crが粗大化すると強化作用
を有しなくなるばかりでなく、半田付性、メツキ
性、成型加工性等に有害な作用を及ぼす。 本発明による高力導電性銅合金において、Cr、
Zn、O2、Ｓの含有量の範囲を限定したのは夫々
下記の理由による。即ちCr量を0.01〜1wt％（以
下％と略記）としたのは、0.01％未満では強化作
用が不充分であり、１％を超えると析出Crが粗
大化し、半田付性、メツキ性、加工性等に有害な
作用を及ぼすためであつて、0.1〜0.5％の範囲内
が好ましい。Zn量を0.01〜0.7％としたのは、0.01
％未満では前述のCu−Cr合金の諸特性を改善す
る効果が不充分であり、0.7％を超えると導電率
が低下するためであつて、0.1〜0.7％の範囲内が
好ましい。O2を0.004以下にしたのは、0.004％を
超えると、伸び及び成型加工性等を低下させるた
めである。Ｓを0.002％以下にしたのは、0.002％
を超えると析出Crが粗大化するためである。 本発明によるCu−Cr−Zn系合金は、追加成分
として更にTa0.05％以下、Y0.1％以下、Tl0.1％
以下、Be0.2％以下、Nb0.05％以下、R.E.0.2％以
下、Fe3％以下、In0.1％以下、Co1％以下、
V0.05％以下、Ni1％以下のうちの１種または２
種以上、Ca0.1％以下、Mn0.5％以下のうちの１
種または２種、Cd0.5％以下、Zr0.2％以下、
Ti0.5％以下のうちの１種または２種以上、
Ag0.2％以下、Si0.5％以下、Al1％以下のうちの
１種または２種以上、P0.1％以下を特許請求の範
囲第１〜第４項に示す組合せにより合計で0.01〜
５％含有する。 これらの追加成分の効果並びに含有量の限定理
由について以下に説明する。 Ta、Ｙ、Tl、Be、Nb、R.E.、Fe、In、Co、
Ｖ、Niは結晶粒度を小さくして、かつ強度を向
上させる効果を有する。 Ca、MnはZnの効果を助長し、脱酸、脱硫効果
がある。 Cd、Zr、Tiは耐熱性の向上に効果がある。 Ag、Si、Alは耐酸化性を向上させる。 Ｐは脱酸作用を有し、湯流れ性向上に効果があ
る。過剰に添加すると導電率の低下や析出Crの
粗大化を招くので0.001〜0.01％の範囲が望まし
い。 これらの追加成分は、添加量の合計が0.01％未
満ではCu−Cr−Zn系合金の諸特性を更に向上さ
せる効果がなく、それぞれの添加量が含有量の限
定範囲を超えたり、添加量の合計が５％を超えた
りすると、導電率の低下、析出Crの粗大化、加
工性の低下等の不都合を生じ、又不経済でもある
ので、前記含有量の範囲内に限定する必要があ
る。 前記Cu−Cr−Zn系合金におけるCrの析出は、
該Cu−Cr−Zn系合金の製造方法にも影響され、
本発明においては、850〜1000℃で熱間加工又は
加熱処理することによつてCrを均質に固溶させ、
その後少なくとも400℃迄５℃／sec以上の速度で
冷却することによつて前記Crを固溶した状態に
保持し、次に30％以上の冷間加工を行つた後400
〜550℃で加熱処理することにより前記Crを微細
かつ均一に析出させている。本発明において前記
熱間加工又は加熱処理温度を850〜1000℃の範囲
内に限定したのは、850℃未満ではCrが充分均質
に固溶しなく、又1000℃を超えると材料の一部溶
融等の危険があるためである。又少なく共400℃
迄の冷却速度を５℃／sec以上に限定したのは、
５℃／sec未満では冷却過程においてCrが一部析
出を起こすためであり、出来れば25℃／sec以上
の速度で冷却することが望ましい。更に400〜550
℃での加熱処理の前に30％以上の冷間加工を行う
のは、加工歪を与えることによつてCrの微細か
つ均一な析出を促進させるためであり、30％未満
の加工では前記析出が充分に促進されない。又前
記加熱処理温度を400〜550℃の範囲内に限定した
のは、400℃未満では実用的な時間内で充分な析
出が得られず、導電率も充分に回復しなく、又
550℃を超えると析出物が粗大化するためである。
本発明においては、必要に応じて加工と熱処理を
繰返すことが出来、又熱処理後加工して仕上げる
ことも出来る。更にテンシヨンレベラー、テンシ
ヨンアニーラー、低温焼鈍等を付加することも有
効であつて、これらによつて前記Cu−Cr−Zn系
合金における残留応力の除去、成型加工性の向上
等を図ることが出来る。 実施例 １ 以下に実施例により本発明を更に具体的に説明
する。 第１表に示す組成の各種銅合金鋳塊（55×100
×300mm）を920℃に加熱してから厚さ５mm迄熱間
圧延後水冷した。尚熱延上り温度は約700℃であ
り、400℃迄冷却するのに約10〜15secを要した。
上記熱延板をミーリングしてから厚さ0.45mm迄冷
間圧延し、450℃で25分間加熱処理を行つた。次
に0.25mm迄冷間圧延し、280℃で30分加熱処理し
て仕上げた。
に優れた銅合金及びその製造方法に関するもので
あつて、特に半導体リードフレーム等の電子電気
機器部品に使用する際に必要な諸特性を兼有する
高力導電性銅合金及びその製造方法に関するもの
である。 〔従来の技術及びその問題点〕 半導体リードフレーム、コネクター、端子等の
電子電気機器部品用材料として、機械的強度と共
に電気及び熱伝導性に優れた銅合金が広く使用さ
れている。近年機器の小型化、高集積化に伴い、
純銅に近い導電率を有し、常温及び高温での機械
的強度が高い合金に対する要求が増大しており、
特に半導体リードフレーム材においてその傾向が
著しい。 この様な高力導電性銅合金としては、Cu−Cr
−Zr系合金及びCu−Ti系合金が従来から知られ
ているが、酸素との親和力が強いZr或いはTiを
使用しているため、製造工程が複雑であつてコス
ト高となり、大量には利用されていない。 これに対してCu−Cr系合金は、比較的低コス
ト製造できる高力導電性合金であつて、例えば
Cu−0.8％Cr合金をリードフレーム材として利用
することが日本電子材料技術協会会報Vol.7、No.
３、p.22に開示されている。 リードフレーム材には機械的強度、電気及び熱
伝導性の他に半田付性、メツキ性、耐酸化性、成
型加工性等の諸特性が要求されているが、下記(a)
〜(e)に詳述する様に前記Cu〜Cr合金はこれらの
諸特性について問題点が多く、より特性の優れた
合金の開発が要望されている。即ち、 (a) リードフレームはプリント基板に半田接合さ
れており、半田接合部の接合強度が長期に亘つ
て保持されなければならないが、前記Cu−Cr
合金は接合強度の経時劣化が激しく、特に近年
急増している面実装型リードフレームにおいて
致命的な問題とされている。 (b) リードフレームはプリント基板との接合部に
Sn又はSn−Pbの予備メツキが、半導体チツプ
とのワイヤーボンデイング部にAg又はAuメツ
キが施されているが、前記Cu−Cr合金はこれ
らメツキ膜の密着性が余り良好でない。 (c) 半導体のパツケージにおいては、200〜450℃
の大気中でボンデイング等が行われ、この様な
高温大気条件下で酸化しにくいこと、又酸化し
た場合酸化膜が剥離しにくいことが必要であ
り、半導体部品の信頼性を向上させるためには
前記Cu−Cr合金の耐酸化性等を更に改善する
必要がある。 (d) リードフレーム材にはプレス時の成型加工
性、特に曲げ加工部にミクロクラツクが発生し
ないことが要求されるが、前記Cu−Cr合金は
これらの成型加工性が余り良好でない。 (e) リードフレームの高密度化に伴い、リード部
の巾と厚さは益々縮小される傾向にあり、前記
Cu−Cr合金よりも更に高強度な材料が要求さ
れている。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は上記の点に鑑みなされたものであり、
その目的とするところは半田付性、メツキ性、耐
酸化性、成型加工性等の諸特性に優れた高力導電
性銅合金及びその製造方法を提供することであ
る。 即ち、本発明における第１の発明は、Cr0.01〜
1wt％、Zn0.01〜0.7wt％、O20.004wt％以下、
S0.002wt％以下を含有し、更にTa0.05wt％以下、
Y0.1wt％以下、Tl0.1wt％以下、Be0.2wt％以
下、Nb0.05wt％以下、R.E.0.2wt％以下、Fe3wt
％以下、In0.1wt％以下、Co1wt％以下、
V0.05wt％以下、Ni1wt％以下のうちの１種また
は２種以上、およびP0.1wt％以下を合計で0.01〜
5wt％含有し残部がCuからなることを特徴とする
高力導電性銅合金であり、第２の発明は、Cr0.01
〜1wt％、Zn0.01〜0.7wt％、O20.004wt％以下、
S0.002wt％以下を含有し、更にTa0.05wt％以下、
Y0.1wt％以下、Tl0.1wt％以下、Be0.2wt％以
下、Nb0.05wt％以下、R.E.0.2wt％以下、Fe3wt
％以下、In0.1wt％以下、Co1wt％以下、
V0.05wt％以下、Ni1wt％以下のうちの１種また
は２種以上、Ca0.1wt％以下、Mn0.5wt％以下の
うちの１種または２種、およびP0.1wt％以下を
合計で0.01〜5wt％含有し、残部がCuからなるこ
とを特徴とする高力導電性銅合金であり、第３の
発明は、Cr0.01〜1wt％、Zn0.01〜0.7wt％、
O20.004wt％以下、S0.002wt％以下を含有し、更
にTa0.05wt％以下、Y0.1wt％以下、Tl0.1wt％
以下、Be0.2wt％以下、Nb0.05wt％以下、R.
E.0.2wt％以下、Fe3wt％以下、In0.1wt％以下、
Co1wt％以下、V0.05wt％以下、Ni1wt％以下の
うちの１種または２種以上、Cd0.5wt％以下、
Zr0.2wt％以下、Ti0.5wt％以下のうちの１種ま
たは２種以上およびP0.1wt％以下を合計で0.01〜
5wt％含有し残部がCuからなることを特徴とする
高力導電性銅合金であり、第４の発明は、Cr0.01
〜1wt％、Zn0.01〜0.7wt％、O20.004wt％以下、
S0.002wt％以下を含有し、更にTa0.05wt％以下、
Y0.1wt％以下、Tl0.1wt％以下、Be0.2wt％以
下、Nb0.05wt％以下、R.E.0.2wt％以下、Fe3wt
％以下、In0.1wt％以下、Co1wt％以下、
V0.05wt％以下、Ni1wt％以下のうちの１種また
は２種以上、Ag0.2wt％以下、Si0.5wt％、
Al1wt％以下のうちの１種または２種以上、およ
びP0.1wt％以下を合計で0.01〜5wt％含有し残部
がCuからなることを特徴とする高力導電性銅合
金である。 第１〜第４の発明においてCr、Znの含有量は
夫々Cr0.1〜0.5wt％、Zn0.1〜0.7wt％とすること
が望ましい。 また第５の発明は第１の発明合金の製造方法で
あり、第１発明の組成の銅合金を、850〜1000℃
で熱間加工または加熱処理後、少なくとも400℃
迄、５℃／sec以上の速度で冷却し、次に30％以
上の冷間加工を行つた後、400〜550℃で加熱処理
することを特徴とする高力導電性銅合金の製造方
法である。請求項６に記載の発明は、第５の発明
の実施態様項であつて、第１発明の銅合金に更に
Cd0.5wt％以下、Zr0.2wt％以下、Ti0.5wt％以下
のうちの１種または２種以上を添加した組成の銅
合金を用いることを特徴とする請求項５記載の高
力導電性銅合金の製造方法である。 〔作用〕 本発明による高力導電性銅合金は、Crの微細
な析出物を均一に分散させたCu−Cr−Zn系合金
であり、析出Crと固溶Znとの共同作用により本
発明の目的を実現したものである。即ち析出Cr
は導電率の低下はわずかであつて、強化作用を有
しており、一方ZnはCrを微細かつ均一に析出分
散させるのに有効であると共に、前記Cu−Cr合
金における問題点即ち半田付性、メツキ性、耐酸
化性、成型加工性等を改善する。更に析出Crは
Cu−Zn合金の有する応力腐食割れ感受性を激減
させる。本発明の目的を実現するためには、上述
の様にCrを微細かつ均一に分散析出させること
が必要であり、析出Crが粗大化すると強化作用
を有しなくなるばかりでなく、半田付性、メツキ
性、成型加工性等に有害な作用を及ぼす。 本発明による高力導電性銅合金において、Cr、
Zn、O2、Ｓの含有量の範囲を限定したのは夫々
下記の理由による。即ちCr量を0.01〜1wt％（以
下％と略記）としたのは、0.01％未満では強化作
用が不充分であり、１％を超えると析出Crが粗
大化し、半田付性、メツキ性、加工性等に有害な
作用を及ぼすためであつて、0.1〜0.5％の範囲内
が好ましい。Zn量を0.01〜0.7％としたのは、0.01
％未満では前述のCu−Cr合金の諸特性を改善す
る効果が不充分であり、0.7％を超えると導電率
が低下するためであつて、0.1〜0.7％の範囲内が
好ましい。O2を0.004以下にしたのは、0.004％を
超えると、伸び及び成型加工性等を低下させるた
めである。Ｓを0.002％以下にしたのは、0.002％
を超えると析出Crが粗大化するためである。 本発明によるCu−Cr−Zn系合金は、追加成分
として更にTa0.05％以下、Y0.1％以下、Tl0.1％
以下、Be0.2％以下、Nb0.05％以下、R.E.0.2％以
下、Fe3％以下、In0.1％以下、Co1％以下、
V0.05％以下、Ni1％以下のうちの１種または２
種以上、Ca0.1％以下、Mn0.5％以下のうちの１
種または２種、Cd0.5％以下、Zr0.2％以下、
Ti0.5％以下のうちの１種または２種以上、
Ag0.2％以下、Si0.5％以下、Al1％以下のうちの
１種または２種以上、P0.1％以下を特許請求の範
囲第１〜第４項に示す組合せにより合計で0.01〜
５％含有する。 これらの追加成分の効果並びに含有量の限定理
由について以下に説明する。 Ta、Ｙ、Tl、Be、Nb、R.E.、Fe、In、Co、
Ｖ、Niは結晶粒度を小さくして、かつ強度を向
上させる効果を有する。 Ca、MnはZnの効果を助長し、脱酸、脱硫効果
がある。 Cd、Zr、Tiは耐熱性の向上に効果がある。 Ag、Si、Alは耐酸化性を向上させる。 Ｐは脱酸作用を有し、湯流れ性向上に効果があ
る。過剰に添加すると導電率の低下や析出Crの
粗大化を招くので0.001〜0.01％の範囲が望まし
い。 これらの追加成分は、添加量の合計が0.01％未
満ではCu−Cr−Zn系合金の諸特性を更に向上さ
せる効果がなく、それぞれの添加量が含有量の限
定範囲を超えたり、添加量の合計が５％を超えた
りすると、導電率の低下、析出Crの粗大化、加
工性の低下等の不都合を生じ、又不経済でもある
ので、前記含有量の範囲内に限定する必要があ
る。 前記Cu−Cr−Zn系合金におけるCrの析出は、
該Cu−Cr−Zn系合金の製造方法にも影響され、
本発明においては、850〜1000℃で熱間加工又は
加熱処理することによつてCrを均質に固溶させ、
その後少なくとも400℃迄５℃／sec以上の速度で
冷却することによつて前記Crを固溶した状態に
保持し、次に30％以上の冷間加工を行つた後400
〜550℃で加熱処理することにより前記Crを微細
かつ均一に析出させている。本発明において前記
熱間加工又は加熱処理温度を850〜1000℃の範囲
内に限定したのは、850℃未満ではCrが充分均質
に固溶しなく、又1000℃を超えると材料の一部溶
融等の危険があるためである。又少なく共400℃
迄の冷却速度を５℃／sec以上に限定したのは、
５℃／sec未満では冷却過程においてCrが一部析
出を起こすためであり、出来れば25℃／sec以上
の速度で冷却することが望ましい。更に400〜550
℃での加熱処理の前に30％以上の冷間加工を行う
のは、加工歪を与えることによつてCrの微細か
つ均一な析出を促進させるためであり、30％未満
の加工では前記析出が充分に促進されない。又前
記加熱処理温度を400〜550℃の範囲内に限定した
のは、400℃未満では実用的な時間内で充分な析
出が得られず、導電率も充分に回復しなく、又
550℃を超えると析出物が粗大化するためである。
本発明においては、必要に応じて加工と熱処理を
繰返すことが出来、又熱処理後加工して仕上げる
ことも出来る。更にテンシヨンレベラー、テンシ
ヨンアニーラー、低温焼鈍等を付加することも有
効であつて、これらによつて前記Cu−Cr−Zn系
合金における残留応力の除去、成型加工性の向上
等を図ることが出来る。 実施例 １ 以下に実施例により本発明を更に具体的に説明
する。 第１表に示す組成の各種銅合金鋳塊（55×100
×300mm）を920℃に加熱してから厚さ５mm迄熱間
圧延後水冷した。尚熱延上り温度は約700℃であ
り、400℃迄冷却するのに約10〜15secを要した。
上記熱延板をミーリングしてから厚さ0.45mm迄冷
間圧延し、450℃で25分間加熱処理を行つた。次
に0.25mm迄冷間圧延し、280℃で30分加熱処理し
て仕上げた。
【表】
以上の様にして得られた各種銅合金のサンプル
について、引張強さ、伸び、導電率、曲げ加工
性、半田接合部の接合強度、メツキ膜の密着性、
酸化膜の耐剥離性、耐酸化性等を下記の方法によ
り評価し、これらの結果をまとめて第２表に示し
た。 曲げ加工性は、JIS Z2248の各種先端Ｒを有す
るＶブロツクを用いてサンプルの90°曲げを行い、
割れが発生しない最小のＲ／ｔ（ｔ：板厚）を求
めた。 半田接合部の接合強度は、サンプルにCu線を
半田付けしてから150℃に300hr保持した後引張試
験することによつて求めた。 メツキ膜の密着性はサンプルを電解脱脂、酸洗
いしてからAgを5μｍメツキし、これを475℃のホ
ツトプレート上で3min加熱してふくれ発生の有
無を調べた。 酸化膜の耐剥離性は、サンプルを250〜400℃の
ホツトプレート上で加熱して各種厚さの酸化膜を
生成させてから、粘着テープ法により剥離試験を
行い、剥離しない最大膜厚即ち密着スケール限界
を求めた。又耐酸化性は、300℃で3min加熱後の
酸化膜厚をカソード還元法により求めて酸化速度
を比較した。尚酸化膜厚はCu0換算値とした。
について、引張強さ、伸び、導電率、曲げ加工
性、半田接合部の接合強度、メツキ膜の密着性、
酸化膜の耐剥離性、耐酸化性等を下記の方法によ
り評価し、これらの結果をまとめて第２表に示し
た。 曲げ加工性は、JIS Z2248の各種先端Ｒを有す
るＶブロツクを用いてサンプルの90°曲げを行い、
割れが発生しない最小のＲ／ｔ（ｔ：板厚）を求
めた。 半田接合部の接合強度は、サンプルにCu線を
半田付けしてから150℃に300hr保持した後引張試
験することによつて求めた。 メツキ膜の密着性はサンプルを電解脱脂、酸洗
いしてからAgを5μｍメツキし、これを475℃のホ
ツトプレート上で3min加熱してふくれ発生の有
無を調べた。 酸化膜の耐剥離性は、サンプルを250〜400℃の
ホツトプレート上で加熱して各種厚さの酸化膜を
生成させてから、粘着テープ法により剥離試験を
行い、剥離しない最大膜厚即ち密着スケール限界
を求めた。又耐酸化性は、300℃で3min加熱後の
酸化膜厚をカソード還元法により求めて酸化速度
を比較した。尚酸化膜厚はCu0換算値とした。
以上に述べたように、本発明による銅合金は強
度及び導電性に優れていると共に、半田付性、メ
ツキ性、耐酸化性、成型加工性等広範な実用上不
可欠な諸特性にも優れた高力導電性銅合金であ
り、特に電子電気機器部品用材料として、例えば
半導体リードフレームは元より、各種コネクタ
ー、端子、スプリング、導体、ヒートシンク等と
して有用である。
度及び導電性に優れていると共に、半田付性、メ
ツキ性、耐酸化性、成型加工性等広範な実用上不
可欠な諸特性にも優れた高力導電性銅合金であ
り、特に電子電気機器部品用材料として、例えば
半導体リードフレームは元より、各種コネクタ
ー、端子、スプリング、導体、ヒートシンク等と
して有用である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Cr0.01〜1wt％、Zn0.01〜0.7wt％、
O20.004wt％以下、S0.002wt％以下を含有し、更
にTa0.05wt％以下、Y0.1wt％以下、Tl0.1wt％
以下、Be0.2wt％以下、Nb0.05wt％以下、R.
E.0.2wt％以下、Fe3wt％以下、In0.1wt％以下、
Co1wt％以下、V0.05wt％以下、Ni1wt％以下の
うちの１種または２種以上、およびP0.1wt％以
下を合計で0.01〜5wt％含有し残部がCuからなる
ことを特徴とする高力導電性銅合金。 ２ Cr0.01〜1wt％、Zn0.01〜0.7wt％、
O20.004wt％以下、S0.002wt％以下を含有し、更
にTa0.05wt％以下、Y0.1wt％以下、Tl0.1wt％
以下、Be0.2wt％以下、Nb0.05wt％以下、R.
E.0.2wt％以下、Fe3wt％以下、In0.1wt％以下、
Co1wt％以下、V0.05wt％以下、Ni1wt％以下の
うちの１種または２種以上、Ca0.1wt％以下、
Mn0.5wt％以下のうちの１種または２種、およ
びP0.1wt％以下を合計で0.01〜5wt％含有し、残
部がCuからなることを特徴とする高力導電性銅
合金。 ３ Cr0.01〜1wt％、Zn0.01〜0.7wt％、
O20.004wt％以下、S0.002wt％以下を含有し、更
にTa0.05wt％以下、Y0.1wt％以下、Tl0.1wt％
以下、Be0.2wt％以下、Nb0.05wt％以下、R.
E.0.2wt％以下、Fe3wt％以下、In0.1wt％以下、
Co1wt％以下、V0.05wt％以下、Ni1wt％以下の
うちの１種または２種以上、Cd0.5wt％以下、
Zr0.2wt％以下、Ti0.5wt％以下のうちの１種ま
たは２種以上およびP0.1wt％以下を合計で0.01〜
5wt％含有し残部がCuからなることを特徴とする
高力導電性銅合金。 ４ Cr0.01〜1wt％、Zn0.01〜0.7wt％、
O20.004wt％以下、S0.002wt％以下を含有し、更
にTa0.05wt％以下、Y0.1wt％以下、Tl0.1wt％
以下、Be0.2wt％以下、Nb0.05wt％以下、R.
E.0.2wt％以下、Fe3wt％以下、In0.1wt％以下、
Co1wt％以下、V0.05wt％以下、Ni1wt％以下の
うちの１種または２種以上、Ag0.2wt％以下、
Si0.5wt％以下、Al1wt％以下のうちの１種また
は２種以上、およびP0.1wt％以下を合計で0.01〜
5wt％含有し残部がCuからなることを特徴とする
高力導電性銅合金。 ５ Cr0.01〜1wt％、Zn0.01〜0.7wt％、
O20.004wt％以下、S0.002wt％以下を含有し、更
にTa0.05wt％以下、Y0.1wt％以下、Tl0.1wt％
以下、Be0.2wt％以下、Nb0.05wt％以下、R.
E.0.2wt％以下、Fe3wt％以下、In0.1wt％以下、
Co1wt％以下、V0.05wt％以下、Ni1wt％以下の
うちの１種または２種以上、およびP0.1wt％以
下を合計で0.01％〜5wt％含有し残部がCuからな
る銅合金を、850〜1000℃で熱間加工または加熱
処理後、少なくとも400℃迄、５℃／sec以上の速
度で冷却し、次に30％以上の冷間加工を行つた
後、400〜550℃で加熱処理することを特徴とする
高力導電性銅合金の製造方法。 ６ 更にCd0.5wt％以下、Zr0.2wt％以下、
Ti0.5wt％以下のうちの１種または２種以上を添
加した銅合金を用いることを特徴とする請求項５
記載の高力導電性銅合金の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25622786A JPS63109132A (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 | 高力導電性銅合金及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25622786A JPS63109132A (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 | 高力導電性銅合金及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63109132A JPS63109132A (ja) | 1988-05-13 |
| JPH0575812B2 true JPH0575812B2 (ja) | 1993-10-21 |
Family
ID=17289701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25622786A Granted JPS63109132A (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 | 高力導電性銅合金及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63109132A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2585347B2 (ja) * | 1988-02-18 | 1997-02-26 | 株式会社神戸製鋼所 | 耐マイグレーション性に優れた高導電性銅合金の製造方法 |
| JPH0778266B2 (ja) * | 1988-10-17 | 1995-08-23 | 同和鉱業株式会社 | 高強度高導電性銅基合金 |
| JPH02145737A (ja) * | 1988-11-24 | 1990-06-05 | Dowa Mining Co Ltd | 高強度高導電性銅基合金 |
| JP2009153851A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 超音波診断装置およびそれに用いる配線の製造方法 |
| CN114507793B (zh) * | 2022-01-24 | 2022-12-09 | 中南大学 | 一种高强高导Cu-Zn-Cr-Zr系铜合金及制备方法和应用 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63105941A (ja) * | 1986-10-21 | 1988-05-11 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 高力導電性銅合金及びその製造方法 |
| JPS63109130A (ja) * | 1986-10-23 | 1988-05-13 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電子機器用銅合金 |
-
1986
- 1986-10-28 JP JP25622786A patent/JPS63109132A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63105941A (ja) * | 1986-10-21 | 1988-05-11 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 高力導電性銅合金及びその製造方法 |
| JPS63109130A (ja) * | 1986-10-23 | 1988-05-13 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電子機器用銅合金 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63109132A (ja) | 1988-05-13 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |