JPS63149344A - 高力高導電性銅合金 - Google Patents
高力高導電性銅合金Info
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- JPS63149344A JPS63149344A JP29480086A JP29480086A JPS63149344A JP S63149344 A JPS63149344 A JP S63149344A JP 29480086 A JP29480086 A JP 29480086A JP 29480086 A JP29480086 A JP 29480086A JP S63149344 A JPS63149344 A JP S63149344A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、トランジスタや集積回路(IC)などの半導
体機器のリード材、コネクター、端子、リレー、スイッ
チ等の導電性ばね材に適する銅合金に関するものである
。
体機器のリード材、コネクター、端子、リレー、スイッ
チ等の導電性ばね材に適する銅合金に関するものである
。
[従来の技術]
従来、半導体機器のリード材としては熱膨服係数が低く
、素子及びセラミックとの接着および封着性の良好なコ
バール(F e −29N i −16Co)、42合
金などの高ニッケル合金が好んで使われてきた。しかし
、近年、半導体回路の集積度の向上に伴い消費電力の高
いICが多く使用されるようになってきたことと、封止
材料として樹脂が多く使用され、かつ素子とリードフレ
ームの接着も改良が加えられたことにより使用されるリ
ード材の放熱性の良い銅基合金が使われるようになって
きた。
、素子及びセラミックとの接着および封着性の良好なコ
バール(F e −29N i −16Co)、42合
金などの高ニッケル合金が好んで使われてきた。しかし
、近年、半導体回路の集積度の向上に伴い消費電力の高
いICが多く使用されるようになってきたことと、封止
材料として樹脂が多く使用され、かつ素子とリードフレ
ームの接着も改良が加えられたことにより使用されるリ
ード材の放熱性の良い銅基合金が使われるようになって
きた。
又、従来電気機器用ばね、計測器用ばね、スイッチ、コ
ネクター等に用いられるばね用材料としては、安価な黄
銅、優れたばね特性及び耐食性を有する洋白、あるいは
優れたばね特性を有するりん青銅が使用されていた。
ネクター等に用いられるばね用材料としては、安価な黄
銅、優れたばね特性及び耐食性を有する洋白、あるいは
優れたばね特性を有するりん青銅が使用されていた。
[発明が解決しようとする問題点]
一般に半導体機器のリード材としては以下のような特性
が要求されている。
が要求されている。
(1)リードが電気信号伝達部であるとともに、パッケ
ージング工程中及び回路使用中に発生する熱を外部に放
出する機能を併せ持つことを要求されるため、優れた熱
及び電気伝導性を示すもの。
ージング工程中及び回路使用中に発生する熱を外部に放
出する機能を併せ持つことを要求されるため、優れた熱
及び電気伝導性を示すもの。
(2)リードとモールドとの密着性が半導体素子保護の
観点から重要であるため、リード材とモールド材の熱膨
張係数が近いこと。
観点から重要であるため、リード材とモールド材の熱膨
張係数が近いこと。
(3)パッケージング時に種々の加熱工程が加わるため
、耐熱性が良好であること。
、耐熱性が良好であること。
(4)リードはリード材を打ち恢き加工し、また曲げ加
工して作製されるものがほとんどであるため、これらの
加工性が良好であること。
工して作製されるものがほとんどであるため、これらの
加工性が良好であること。
(5)リードは表面に貴金属めっきを行うため、これら
貴金属とのめつき密着性が良好であること。
貴金属とのめつき密着性が良好であること。
(6)パッケージング後に封止材の外に露出している、
いわゆるアウター・リード部に半田付けするものが多い
ので、良好な半田付は性を示すこと。
いわゆるアウター・リード部に半田付けするものが多い
ので、良好な半田付は性を示すこと。
(7)機器の信頼性及び寿命の観点から耐食性が良好な
こと。
こと。
(8)価格が低廉であること。
これら各種の要求特性に対し従来より使用されている無
酸素銅、錫入り銅、りん青銅、コバール、42合金はい
ずれも一長一短があり、これらの特性のすべてを必ずし
も満足しえるものではない。
酸素銅、錫入り銅、りん青銅、コバール、42合金はい
ずれも一長一短があり、これらの特性のすべてを必ずし
も満足しえるものではない。
又、バネ材として用いられている黄銅は強度、ばね特性
が劣っており、又強度、ばね特性の優れた洋白、りん青
銅も洋白は18重ω%のNi、りん青銅は8重向%のS
nを含むため、原料の面及び製造上熱間加工性が悪い等
の加工上の制約も加わり高価な合金であった。ざらには
電気機器用等に用いられる場合、電気伝導度が低いとい
う欠点を有していた。従って、導電性が良好であり、ば
ね特性に優れた安価な合金の出現が待たれていた。
が劣っており、又強度、ばね特性の優れた洋白、りん青
銅も洋白は18重ω%のNi、りん青銅は8重向%のS
nを含むため、原料の面及び製造上熱間加工性が悪い等
の加工上の制約も加わり高価な合金であった。ざらには
電気機器用等に用いられる場合、電気伝導度が低いとい
う欠点を有していた。従って、導電性が良好であり、ば
ね特性に優れた安価な合金の出現が待たれていた。
[問題点を解決するための手段]
本発明はかかる点に鑑みなされたもので、従来の銅基合
金のもつ欠点を改良し、半導体機器のリード材及び導電
性ばね材として好適な諸特性を有する銅合金を提供しよ
うとするものである。
金のもつ欠点を改良し、半導体機器のリード材及び導電
性ばね材として好適な諸特性を有する銅合金を提供しよ
うとするものである。
特にCu−Cr−Zr系合金を改良し、要求に合致した
銅合金を提供しようとするものである。すなわちCLI
−Cr−zr合金は優れた導電性と強度を示し、半導体
機器リード材としても導電性ばね材としても優れた銅合
金といえるが、はんだ付は性、めっき性、エツチング性
、折り曲げ性については満足できる特性を示さず改良の
必要があった。
銅合金を提供しようとするものである。すなわちCLI
−Cr−zr合金は優れた導電性と強度を示し、半導体
機器リード材としても導電性ばね材としても優れた銅合
金といえるが、はんだ付は性、めっき性、エツチング性
、折り曲げ性については満足できる特性を示さず改良の
必要があった。
本発明者らはこれらの特性劣化要因を種々検討したとこ
ろ、Cr、Zrの硫化物がその原因であり、その大きざ
をある一定値以下とすることよりこれら諸特性の改善を
はかれることを見出した。
ろ、Cr、Zrの硫化物がその原因であり、その大きざ
をある一定値以下とすることよりこれら諸特性の改善を
はかれることを見出した。
本発明は、
(1) Cr0.05〜1.0重旧%及びZr0.05
〜1.0重但%含金み、残部がCu及び不可避不純物で
あり、かつ介在物であるCr、Zrの硫化物の大きさが
160μm以下であることを特徴とする高力高導電性銅
合金。
〜1.0重但%含金み、残部がCu及び不可避不純物で
あり、かつ介在物であるCr、Zrの硫化物の大きさが
160μm以下であることを特徴とする高力高導電性銅
合金。
および
(2) Cr0.05〜1.0重足%、Z r0.05
〜1.0重間%及びA!、Be1C○、F e N N
i、Hf、I n、M0. M0.Pb、S i 、
Te、3n、Ti、Znからなる群より選択された1種
又は2種以上の元素を0.05〜1.0重量%含み、残
部がCu及び不可避不純物であり、かつ介在物であるC
r、Zrの硫化物の大きさが1.0μm以下であること
を特徴とする高力高導電性銅合金。
〜1.0重間%及びA!、Be1C○、F e N N
i、Hf、I n、M0. M0.Pb、S i 、
Te、3n、Ti、Znからなる群より選択された1種
又は2種以上の元素を0.05〜1.0重量%含み、残
部がCu及び不可避不純物であり、かつ介在物であるC
r、Zrの硫化物の大きさが1.0μm以下であること
を特徴とする高力高導電性銅合金。
で必り、半導体機器リード材又は導電性ばね材として優
れた電気及び熱伝導性、耐熱性、ばね特性を有するばか
りでなく、半田付は性、めつき性、エツチング性、折り
曲げ性をも著しく改良したことを特徴とするものである
。
れた電気及び熱伝導性、耐熱性、ばね特性を有するばか
りでなく、半田付は性、めつき性、エツチング性、折り
曲げ性をも著しく改良したことを特徴とするものである
。
次に本発明(1)、(2)の両合金を構成する合金成分
の限定理由を説明する。
の限定理由を説明する。
Crの含有量を0.05重量%以−ヒ1.0重量%以下
とするのは、Crの含有量が0.05重量%未満ではZ
rの共添を伴っても十分な強度が得られず、逆にCrの
含有量が1.0重量%を越えると、加工性、導電性の低
下が見られるようになるためである。
とするのは、Crの含有量が0.05重量%未満ではZ
rの共添を伴っても十分な強度が得られず、逆にCrの
含有量が1.0重量%を越えると、加工性、導電性の低
下が見られるようになるためである。
Zrの含有量を0.05重量%以上1.0重量%以下と
した理由は、Zrの含有量が0.05重量%未満ではZ
rの含有による強度の向上は顕著でなく、zr含有量が
1.0重量%を越えると加工性、導電性の低下が見られ
るようになるためである。
した理由は、Zrの含有量が0.05重量%未満ではZ
rの含有による強度の向上は顕著でなく、zr含有量が
1.0重量%を越えると加工性、導電性の低下が見られ
るようになるためである。
Or、Zrの硫化物の大きさくなお硫化物の大きざとは
硫化物の粒の平均さしわたし寸法を意味する。)を1.
0μm以下とする理由は、通常Cu中には微量のSが存
在し、かつ溶解鋳造時に外部からSが混入する場合もあ
るが、Sが存在するとCr、Zrは非常にSと結合しや
すく容易に硫化物になり胴中に存在するようになり、素
材の最終製品時の硫化物の大きさが160μmをこえる
と折り曲げ性、半田付は性、めっき性、エツチング性が
著しく低下するためである。
硫化物の粒の平均さしわたし寸法を意味する。)を1.
0μm以下とする理由は、通常Cu中には微量のSが存
在し、かつ溶解鋳造時に外部からSが混入する場合もあ
るが、Sが存在するとCr、Zrは非常にSと結合しや
すく容易に硫化物になり胴中に存在するようになり、素
材の最終製品時の硫化物の大きさが160μmをこえる
と折り曲げ性、半田付は性、めっき性、エツチング性が
著しく低下するためである。
具体的には硫化物が1.0μmをこえると折り曲げ時の
割れ起点として働きやすく、さらに半田付けあるいはめ
っきを施した時に、これら硫化物のぬれ性が悪いため硫
化物の上に正常な半田、めっきがつきにくく、めっき密
着性も急激に低下する。エツチング性についてもマトリ
ックスと硫化物で腐食速度が異なるため、パリ状の硫化
物がエツチング面により残され、リード材としての所定
の寸法がでないという現象が起こる。従ってCu−Qr
−2r系合金においては硫化物の大きざを1,0μm以
下にしなければ実用に供する合金とならない。
割れ起点として働きやすく、さらに半田付けあるいはめ
っきを施した時に、これら硫化物のぬれ性が悪いため硫
化物の上に正常な半田、めっきがつきにくく、めっき密
着性も急激に低下する。エツチング性についてもマトリ
ックスと硫化物で腐食速度が異なるため、パリ状の硫化
物がエツチング面により残され、リード材としての所定
の寸法がでないという現象が起こる。従ってCu−Qr
−2r系合金においては硫化物の大きざを1,0μm以
下にしなければ実用に供する合金とならない。
硫化物の大きざを1.0μm以下とするには、インゴッ
ト時のSの含有量を例えば0.0015重量%以下のよ
うに少なくするとともに溶体化処理、冷間加工、時効処
理条件の組合せを例えば実施例のように選定することに
より得られる。
ト時のSの含有量を例えば0.0015重量%以下のよ
うに少なくするとともに溶体化処理、冷間加工、時効処
理条件の組合せを例えば実施例のように選定することに
より得られる。
さらに副成分としてAl、ice、C0. Fe1N
i 1Hf 1.I n 、M ON M ’J、Pb
、Si、Te、3n、T i、znの1種又は2種以上
を含有すると強度、ばね特性ケ向上させるが、その含有
量が0.05重量%未満では効采があまり期待できず、
又、1.0重母%を越えると導電率の低下が著しくなる
ことから0.05〜1.0小母%とした。
i 1Hf 1.I n 、M ON M ’J、Pb
、Si、Te、3n、T i、znの1種又は2種以上
を含有すると強度、ばね特性ケ向上させるが、その含有
量が0.05重量%未満では効采があまり期待できず、
又、1.0重母%を越えると導電率の低下が著しくなる
ことから0.05〜1.0小母%とした。
[実施例]
第1表に示される本発明合金に係る各種成分組成のイン
ゴットを電気銅あるいは無酸素銅を原料として、高周波
溶解炉で大気、又は不活性あるいは還元性雰囲気中で溶
解・鋳造した。なお、本発明合金用として用いた銅原料
のS含有量は0.0015重串%以下であった。
ゴットを電気銅あるいは無酸素銅を原料として、高周波
溶解炉で大気、又は不活性あるいは還元性雰囲気中で溶
解・鋳造した。なお、本発明合金用として用いた銅原料
のS含有量は0.0015重串%以下であった。
次にこれを900°Cで熱間圧延して厚さ4mmの板と
しだ後900℃×5分の溶体化98浬を行い、面前を行
って、冷間圧延で厚さ0.3111mの板とした。これ
に種々の条件の時効処理を施した。
しだ後900℃×5分の溶体化98浬を行い、面前を行
って、冷間圧延で厚さ0.3111mの板とした。これ
に種々の条件の時効処理を施した。
こうして得られた供試材の硫化物の大きさを確認すると
ともリード材及びばね材としての評価を以下の方法で行
った。
ともリード材及びばね材としての評価を以下の方法で行
った。
強度と伸びは引張試験によりばね性をに6値により評価
した。曲げ性は板の圧延方向に平行な方向における曲げ
(り)同直角な方向における曲げ(上)について、定荷
重(225gf)負荷により板厚と同一の曲げR(0,
25mm)での繰り返し曲げ(破断させずに曲げること
のできる90°曲げ往復回数〉により、耐・熱性は加熱
時間5分における軟化湿度により、また電気伝導性と放
熱性とを導電率(%IAC3)により示したが、これは
電気伝導性と熱伝導性は相互に比例関係にあり、共に導
電率で評価し得るからである。
した。曲げ性は板の圧延方向に平行な方向における曲げ
(り)同直角な方向における曲げ(上)について、定荷
重(225gf)負荷により板厚と同一の曲げR(0,
25mm)での繰り返し曲げ(破断させずに曲げること
のできる90°曲げ往復回数〉により、耐・熱性は加熱
時間5分における軟化湿度により、また電気伝導性と放
熱性とを導電率(%IAC3)により示したが、これは
電気伝導性と熱伝導性は相互に比例関係にあり、共に導
電率で評価し得るからである。
半田付は性は、垂直式浸漬法によって、230±5℃の
半田浴(Sn60%、pb40%)に5秒間浸漬して、
半田のぬれ状態を目視観察することにより評価した。半
田の耐剥離性は上記の方法で半田付けした試料を大気中
で150℃、1500時間加熱後、板厚と同一の曲げR
(0,25mm)の90゜曲げを行い、剥離の有無を評
価した。エツチング性は供試材を塩化第二鉄でエツチン
グを行い、その断面のパリ状の突出物の有無によって評
価した。
半田浴(Sn60%、pb40%)に5秒間浸漬して、
半田のぬれ状態を目視観察することにより評価した。半
田の耐剥離性は上記の方法で半田付けした試料を大気中
で150℃、1500時間加熱後、板厚と同一の曲げR
(0,25mm)の90゜曲げを行い、剥離の有無を評
価した。エツチング性は供試材を塩化第二鉄でエツチン
グを行い、その断面のパリ状の突出物の有無によって評
価した。
密着性は試料に厚さ3μmのAQめっきを施し、表面に
発生するフクレの有無を目視観察することにより評価し
た。
発生するフクレの有無を目視観察することにより評価し
た。
これらの結果を比較合金を含めて第1表に示した。
第1表に示すように、本発明の合金は強度、ばね性、曲
げ性、導電性、耐熱性、半田付は性、半田耐剥離性、エ
ツチング性、めっき密着性に優れていることが明白であ
り、半導体機器のリードあるいはばね用材料等の高力高
導電性銅合金として好適であるということができる。
げ性、導電性、耐熱性、半田付は性、半田耐剥離性、エ
ツチング性、めっき密着性に優れていることが明白であ
り、半導体機器のリードあるいはばね用材料等の高力高
導電性銅合金として好適であるということができる。
[発明の効果]
このように本発明合金はCu−0r−Zr系合金の硫化
物の大きさを限定することにより、今まで本合金の欠点
であった折り曲げ性、半田付は性、めっき性、エツチン
グ性を著しく改善することができる。又、熱膨張係数は
プラスチックに近く、半導体機器のリード材としてはプ
ラスチックパッケージ用に適している。従って、本発明
合金は半導体機器のリード材及び導電性ばね材として好
適な材料であり、先行技術の合金においてこのような総
合的特性を兼備するものはない。
物の大きさを限定することにより、今まで本合金の欠点
であった折り曲げ性、半田付は性、めっき性、エツチン
グ性を著しく改善することができる。又、熱膨張係数は
プラスチックに近く、半導体機器のリード材としてはプ
ラスチックパッケージ用に適している。従って、本発明
合金は半導体機器のリード材及び導電性ばね材として好
適な材料であり、先行技術の合金においてこのような総
合的特性を兼備するものはない。
Claims (2)
- (1)Cr0.05〜1.0重量%及びZr0.05〜
1.0重量%を含み、残部がCu及び不可避不純物であ
り、かつ介在物であるCr、Zrの硫化物の大きさが1
.0μm以下であることを特徴とする高力高導電性銅合
金。 - (2)Cr0.05〜1.0重量%、Zr0.05〜1
.0重量%及びAl、Be、Co、Fe、Ni、 Hf、In、Mo、Mg、Pb、Si、Te、Sn、T
i、Znからなる群より選択された1種又は2種以上の
元素を0.05〜1.0重量%含み、残部がCu及び不
可避不純物であり、かつ介在物であるCr、Zrの硫化
物の大きさが1.0μm以下であることを特徴とする高
力高導電性銅合金。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61294800A JP2670670B2 (ja) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | 高力高導電性銅合金 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61294800A JP2670670B2 (ja) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | 高力高導電性銅合金 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63149344A true JPS63149344A (ja) | 1988-06-22 |
JP2670670B2 JP2670670B2 (ja) | 1997-10-29 |
Family
ID=17812428
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61294800A Expired - Lifetime JP2670670B2 (ja) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | 高力高導電性銅合金 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2670670B2 (ja) |
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- 1986-12-12 JP JP61294800A patent/JP2670670B2/ja not_active Expired - Lifetime
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