JPS64449B2 - - Google Patents
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- JPS64449B2 JPS64449B2 JP60232559A JP23255985A JPS64449B2 JP S64449 B2 JPS64449 B2 JP S64449B2 JP 60232559 A JP60232559 A JP 60232559A JP 23255985 A JP23255985 A JP 23255985A JP S64449 B2 JPS64449 B2 JP S64449B2
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
この発明は、特に高強度を有し、かつ耐熱性お
よびはんだ付け信頼性のすぐれた半導体装置用
Cu合金リード素材に関するものである。 〔従来の技術〕 従来、一般に、ICやLSIなどの半導体装置の製
造法の１つとして、 (a) まず、リード素材として厚さ：0.1〜0.3mmの
Cu合金条材を用意し、 (b) このリード素材から製造しようとする半導体
装置の形状に適合したリードフレームを打抜き
加工により形成し、 (c) このリードフレームの所定個所に高純度Siや
Ga−Asなどの半導体素子を、Agペーストなど
の導電性樹脂を用いて加熱接着するか、あるい
は予め上記リード素材の片面にめつきしておい
たAu、Ag、Ni、あるいはこれらの複合めつき
層を介して加熱拡散圧着するかし、 (d) 上記の半導体素子とリードフレームとに渡つ
てAu線によるワイヤボンデイング（結線）を
施し、 (e) 上記の半導体素子、結線、および半導体素子
が取り付けられた部分のリードフレームなど
を、これらを保護する目的でプラスチツク封止
し、 (f) 上記リードフレームにおける相互に連なる部
分を切除してリード材とし、 (g) 最終的に、半導体装置の基板へのはんだ付け
を可能とする目的で、上記リード材の全体ある
いは一部に、Sn−Pb合金などのはんだ材を浸
潰法や電気めつき法などによりめつきする、 以上(a)〜(g)の主要工程からなる方法が知られて
いる。 したがつて、半導体装置のリード材となるCu
合金リード素材には、 (1) 良好なプレス打抜き性、および加工性（曲げ
およびコイニング）、 (2) 半導体素子の加熱接着あるいは加熱拡散圧着
に際して熱歪および熱軟化が生じない耐熱性、 (3) 良好な放熱性と導電性、 (4) 半導体装置の輸送あるいは電気機器への組込
みに際して曲がりや繰り返し曲げによつて破損
が生じない強度、 が要求され、これに適合した代表的なものとし
て、 Fe：1.5〜3.5％、 Ｐ：0.01〜0.15％、 Zn：0.03〜0.2％、 を含有し、残りがCuと不可避不純物からなる組
成（以上重量％、以下％は重量％を示す）を有す
るCu合金（特公昭45−10623号、米国特許第
3522039号明細書参照）で構成されたCu合金リー
ド素材が提案され、広く実用に供されている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 この従来Cu合金リード素材は、 強度の評価基準となる引張強さ：約49〜50Kg／
mm2、 プレス打抜性および加工性（曲げおよびコイニ
ング）の評価基準となる伸び：約４％、 放熱性および導電性の評価基準となる導電率：
約60〜70％、 耐熱性の評価基準となる軟化点：約350〜360
℃、 のすぐれた特性をもつが、近年の半導体装置の集
積度の益々の向上に伴つて、一段と強度および耐
熱性が要求されるようになつている。 また、上記の従来Cu合金リード素材は、はん
だ材の密着性は良いが、半導体装置として実用に
供した場合、使用中にリード材の基板へのはんだ
付け部にしばしば剥離が生じ、故障の原因となる
などはんだ付け信頼性の低いものであつた。 〔問題点を解決するための手段〕 そこで、本発明者等は、上述のような観点か
ら、上記の従来Cu合金リード素材に着目し、こ
れの強度および耐熱性、さらにはんだ付け信頼性
を改善すべく研究を行なつた結果、この従来Cu
合金リード素材に、合金成分としてMgを含有さ
せると、前記従来Cu合金リード素材のもつすぐ
れた伸びおよび導電率を損なうことなく、強度お
よび耐熱性が向上し、かつ実用中のリード材のは
んだ付け部における剥離が皆無となるという知見
を得たのである。 この発明は、上記知見にもとづいてなされたも
のであつて、 Fe：２〜2.4％、 Ｐ：0.001〜0.1％、 Zn：0.01〜１％、 Mg：0.001〜0.1％、 を含有し、残りがCuと不可避不純物からなる組
成を有するCu合金で構成された、高強度を有し、
かつ耐熱性およびはんだ付け信頼性のすぐれた半
導体装置用Cu合金リード素材に特徴を有するも
のである。 つぎに、この発明のCu合金リード素材におい
て、成分組成を上記の通りに限定した理由を説明
する。 (a) Fe Fe成分には、リード素材の強度を向上させ
る作用があるが、その含有量が２％未満では所
望の高強度を確保することができず、一方、そ
の含有量が2.4％を越えると、導電性が低下す
るようになると共に、素地中にFeの巨大析出
物が形成されるようになつて圧延加工性が劣化
するようになることから、その含有量を２〜
2.4％と定めた。 (b) Ｐ Ｐ成分には、脱酸作用があるほか、Feと結
合して、素地中に微細に分散する鉄りん化物を
形成し、もつて強度、導電性、および耐熱性を
向上させる作用があるが、その含有量が0.001
％未満では、前記作用に所望の効果が得られ
ず、一方、その含有量が0.1％を越えると、導
電性が低下するようになることから、その含有
量を0.001〜0.1％と定めた。 (c) Zn Zn成分には、Ｐ成分と同様に脱酸作用があ
るほか、強度および導電率の変化率を少なくす
る、すなわちこれらの特性を安定化する作用が
あるが、その含有量が0.01％未満では前記作用
に所望の効果が得られず、一方、１％を越えて
含有させても前記作用が飽和し、より一層の向
上効果が得られないばかりでなく、導電率が低
下するようになることから、その含有量を0.01
〜１％と定めた。 (d) Mg Mg成分には、上記の通り、伸びおよび導電
性を損なうことなく、強度、耐熱性、およびは
んだ付け信頼性を向上させる作用があるが、そ
の含有量が0.001％未満では前記作用に所望の
効果が得られず、一方、その含有量が0.1％を
越えると、導電率が低下するようになるほか、
溶湯の流動性が低下して鋳造が困難になること
から、その含有量を、0.001〜0.1％と定めた。 〔実施例〕 つぎに、この発明のCu合金リード素材を実施
例により説明する。 通常の低周波誘導溝型誘導炉を用い、それぞれ
第１表に示される成分組成をもつたCu合金溶湯
を調製し、半連続鋳造法にて厚さ：150mm×幅：
400mm×長さ：1500mmの寸法をもつた鋳塊とした
後、この鋳塊に圧延開始温度：900℃にて熱間圧
延を施して厚さ：11mmの熱延板とし、ついで水冷
後、前記熱延板の上下面を面削して厚さ：10mmと
した状態で、１次冷間圧延を施して、その厚さを
2.5mmとし、続いて温度：550℃に３時間保持の条
件で、１次時効処理を施した後、ロールバフ研磨
にて表面の酸化膜および汚れを除去した状態で、
２次冷間圧延を施して、その厚さを0.833mmとし、
さらに温度：500℃に２時間保持の２次時刻処理
を施した後、同じくロールバフ研磨を施した状態
で、仕上圧延率：70％にて最終冷間圧延を行なつ
て、厚さ：0.25mmの条材とし、最終的に250〜350
℃の範囲内の所定温度に15分間保持の条件で歪取
り焼鈍を行ない、酸洗することによつて、本発明
Cu合金リード素材１〜６および従来Cu合金リー
ド素材をそれぞれ製造した。 ついで、この結果得られた本発明Cu合金リー
ド素材１〜６および従来Cu合金リード素材につ
いて、引張強さ、伸び、導電率、および軟化点を
測定し、さらにはんだ付け信頼性を評価する目的
で、Sn：60％、Pb：40％の組成を有するはんだ
材を浸漬法によりめつきし、これに大気中、温
度：150℃に500時間保持の実用条件にモデイフア
イした条件での加熱処理を施し、ついでこれを
180゜曲げ、再び元に曲げ戻した状態で、曲げ部分
におけるめつきはんだ材の剥離の有無を観察し
た。これらの結果を第１表に示した。 〔発明の効果〕 第１表に示される結果から、本発明Cu合金リ
ード素材１〜６は、いずれも従来Cu合金リード
素材と同等のすぐれた伸びおよび導電性を有し、
一方、強度、耐熱性、およびはんだ付け信頼性に
ついては、従来Cu合金リード素材に比して一段
とすぐれ
よびはんだ付け信頼性のすぐれた半導体装置用
Cu合金リード素材に関するものである。 〔従来の技術〕 従来、一般に、ICやLSIなどの半導体装置の製
造法の１つとして、 (a) まず、リード素材として厚さ：0.1〜0.3mmの
Cu合金条材を用意し、 (b) このリード素材から製造しようとする半導体
装置の形状に適合したリードフレームを打抜き
加工により形成し、 (c) このリードフレームの所定個所に高純度Siや
Ga−Asなどの半導体素子を、Agペーストなど
の導電性樹脂を用いて加熱接着するか、あるい
は予め上記リード素材の片面にめつきしておい
たAu、Ag、Ni、あるいはこれらの複合めつき
層を介して加熱拡散圧着するかし、 (d) 上記の半導体素子とリードフレームとに渡つ
てAu線によるワイヤボンデイング（結線）を
施し、 (e) 上記の半導体素子、結線、および半導体素子
が取り付けられた部分のリードフレームなど
を、これらを保護する目的でプラスチツク封止
し、 (f) 上記リードフレームにおける相互に連なる部
分を切除してリード材とし、 (g) 最終的に、半導体装置の基板へのはんだ付け
を可能とする目的で、上記リード材の全体ある
いは一部に、Sn−Pb合金などのはんだ材を浸
潰法や電気めつき法などによりめつきする、 以上(a)〜(g)の主要工程からなる方法が知られて
いる。 したがつて、半導体装置のリード材となるCu
合金リード素材には、 (1) 良好なプレス打抜き性、および加工性（曲げ
およびコイニング）、 (2) 半導体素子の加熱接着あるいは加熱拡散圧着
に際して熱歪および熱軟化が生じない耐熱性、 (3) 良好な放熱性と導電性、 (4) 半導体装置の輸送あるいは電気機器への組込
みに際して曲がりや繰り返し曲げによつて破損
が生じない強度、 が要求され、これに適合した代表的なものとし
て、 Fe：1.5〜3.5％、 Ｐ：0.01〜0.15％、 Zn：0.03〜0.2％、 を含有し、残りがCuと不可避不純物からなる組
成（以上重量％、以下％は重量％を示す）を有す
るCu合金（特公昭45−10623号、米国特許第
3522039号明細書参照）で構成されたCu合金リー
ド素材が提案され、広く実用に供されている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 この従来Cu合金リード素材は、 強度の評価基準となる引張強さ：約49〜50Kg／
mm2、 プレス打抜性および加工性（曲げおよびコイニ
ング）の評価基準となる伸び：約４％、 放熱性および導電性の評価基準となる導電率：
約60〜70％、 耐熱性の評価基準となる軟化点：約350〜360
℃、 のすぐれた特性をもつが、近年の半導体装置の集
積度の益々の向上に伴つて、一段と強度および耐
熱性が要求されるようになつている。 また、上記の従来Cu合金リード素材は、はん
だ材の密着性は良いが、半導体装置として実用に
供した場合、使用中にリード材の基板へのはんだ
付け部にしばしば剥離が生じ、故障の原因となる
などはんだ付け信頼性の低いものであつた。 〔問題点を解決するための手段〕 そこで、本発明者等は、上述のような観点か
ら、上記の従来Cu合金リード素材に着目し、こ
れの強度および耐熱性、さらにはんだ付け信頼性
を改善すべく研究を行なつた結果、この従来Cu
合金リード素材に、合金成分としてMgを含有さ
せると、前記従来Cu合金リード素材のもつすぐ
れた伸びおよび導電率を損なうことなく、強度お
よび耐熱性が向上し、かつ実用中のリード材のは
んだ付け部における剥離が皆無となるという知見
を得たのである。 この発明は、上記知見にもとづいてなされたも
のであつて、 Fe：２〜2.4％、 Ｐ：0.001〜0.1％、 Zn：0.01〜１％、 Mg：0.001〜0.1％、 を含有し、残りがCuと不可避不純物からなる組
成を有するCu合金で構成された、高強度を有し、
かつ耐熱性およびはんだ付け信頼性のすぐれた半
導体装置用Cu合金リード素材に特徴を有するも
のである。 つぎに、この発明のCu合金リード素材におい
て、成分組成を上記の通りに限定した理由を説明
する。 (a) Fe Fe成分には、リード素材の強度を向上させ
る作用があるが、その含有量が２％未満では所
望の高強度を確保することができず、一方、そ
の含有量が2.4％を越えると、導電性が低下す
るようになると共に、素地中にFeの巨大析出
物が形成されるようになつて圧延加工性が劣化
するようになることから、その含有量を２〜
2.4％と定めた。 (b) Ｐ Ｐ成分には、脱酸作用があるほか、Feと結
合して、素地中に微細に分散する鉄りん化物を
形成し、もつて強度、導電性、および耐熱性を
向上させる作用があるが、その含有量が0.001
％未満では、前記作用に所望の効果が得られ
ず、一方、その含有量が0.1％を越えると、導
電性が低下するようになることから、その含有
量を0.001〜0.1％と定めた。 (c) Zn Zn成分には、Ｐ成分と同様に脱酸作用があ
るほか、強度および導電率の変化率を少なくす
る、すなわちこれらの特性を安定化する作用が
あるが、その含有量が0.01％未満では前記作用
に所望の効果が得られず、一方、１％を越えて
含有させても前記作用が飽和し、より一層の向
上効果が得られないばかりでなく、導電率が低
下するようになることから、その含有量を0.01
〜１％と定めた。 (d) Mg Mg成分には、上記の通り、伸びおよび導電
性を損なうことなく、強度、耐熱性、およびは
んだ付け信頼性を向上させる作用があるが、そ
の含有量が0.001％未満では前記作用に所望の
効果が得られず、一方、その含有量が0.1％を
越えると、導電率が低下するようになるほか、
溶湯の流動性が低下して鋳造が困難になること
から、その含有量を、0.001〜0.1％と定めた。 〔実施例〕 つぎに、この発明のCu合金リード素材を実施
例により説明する。 通常の低周波誘導溝型誘導炉を用い、それぞれ
第１表に示される成分組成をもつたCu合金溶湯
を調製し、半連続鋳造法にて厚さ：150mm×幅：
400mm×長さ：1500mmの寸法をもつた鋳塊とした
後、この鋳塊に圧延開始温度：900℃にて熱間圧
延を施して厚さ：11mmの熱延板とし、ついで水冷
後、前記熱延板の上下面を面削して厚さ：10mmと
した状態で、１次冷間圧延を施して、その厚さを
2.5mmとし、続いて温度：550℃に３時間保持の条
件で、１次時効処理を施した後、ロールバフ研磨
にて表面の酸化膜および汚れを除去した状態で、
２次冷間圧延を施して、その厚さを0.833mmとし、
さらに温度：500℃に２時間保持の２次時刻処理
を施した後、同じくロールバフ研磨を施した状態
で、仕上圧延率：70％にて最終冷間圧延を行なつ
て、厚さ：0.25mmの条材とし、最終的に250〜350
℃の範囲内の所定温度に15分間保持の条件で歪取
り焼鈍を行ない、酸洗することによつて、本発明
Cu合金リード素材１〜６および従来Cu合金リー
ド素材をそれぞれ製造した。 ついで、この結果得られた本発明Cu合金リー
ド素材１〜６および従来Cu合金リード素材につ
いて、引張強さ、伸び、導電率、および軟化点を
測定し、さらにはんだ付け信頼性を評価する目的
で、Sn：60％、Pb：40％の組成を有するはんだ
材を浸漬法によりめつきし、これに大気中、温
度：150℃に500時間保持の実用条件にモデイフア
イした条件での加熱処理を施し、ついでこれを
180゜曲げ、再び元に曲げ戻した状態で、曲げ部分
におけるめつきはんだ材の剥離の有無を観察し
た。これらの結果を第１表に示した。 〔発明の効果〕 第１表に示される結果から、本発明Cu合金リ
ード素材１〜６は、いずれも従来Cu合金リード
素材と同等のすぐれた伸びおよび導電性を有し、
一方、強度、耐熱性、およびはんだ付け信頼性に
ついては、従来Cu合金リード素材に比して一段
とすぐれ
【表】
ていることが明らかである。
上述のように、この発明のCu合金リード素材
は、一段とすぐれた強度、耐熱性およびはんだ付
け信頼性を有するほか、伸び、導電性、スタンピ
ング性（打抜き性）、エツチング性、めつき性、
およびはんだ密着性にもすぐれているので、通常
の半導体装置は勿論のこと、集積度の高い半導体
装置のリード素材として用いた場合にもすぐれた
性能を発揮し、さらに電子機器の端子やコネクタ
ーなどとして用いることもできるなど工業上有用
な特性を有するのである。
は、一段とすぐれた強度、耐熱性およびはんだ付
け信頼性を有するほか、伸び、導電性、スタンピ
ング性（打抜き性）、エツチング性、めつき性、
およびはんだ密着性にもすぐれているので、通常
の半導体装置は勿論のこと、集積度の高い半導体
装置のリード素材として用いた場合にもすぐれた
性能を発揮し、さらに電子機器の端子やコネクタ
ーなどとして用いることもできるなど工業上有用
な特性を有するのである。
１ (イ)Sn1〜５重量％、(ロ)Fe5〜25重量％、(ハ)
FeMo、FeW及びCrの少なくとも１種10〜25重
量％、(ニ)Pb及び／又はケルメツト合金をPb分と
して１〜５重量％、並びに(ホ)残部Cuからなる焼
結合金製集電摺動材料。
FeMo、FeW及びCrの少なくとも１種10〜25重
量％、(ニ)Pb及び／又はケルメツト合金をPb分と
して１〜５重量％、並びに(ホ)残部Cuからなる焼
結合金製集電摺動材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60232559A JPS6293325A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 半導体装置用Ｃｕ合金リ−ド素材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60232559A JPS6293325A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 半導体装置用Ｃｕ合金リ−ド素材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6293325A JPS6293325A (ja) | 1987-04-28 |
| JPS64449B2 true JPS64449B2 (ja) | 1989-01-06 |
Family
ID=16941225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60232559A Granted JPS6293325A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 半導体装置用Ｃｕ合金リ−ド素材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6293325A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2673967B2 (ja) * | 1990-06-04 | 1997-11-05 | 三菱伸銅 株式会社 | 高強度を有する半導体装置のＣｕ合金製リードフレーム材 |
| WO1999046415A1 (fr) * | 1998-03-10 | 1999-09-16 | Mitsubishi Shindoh Corporation | Alliage de cuivre et feuille mince en alliage de cuivre possedant une resistance a l'usure amelioree en tant que moule metallique d'estampage |
| JP3918397B2 (ja) | 2000-04-11 | 2007-05-23 | 三菱マテリアル株式会社 | 耐密着性無酸素銅荒引線、その製造方法及び製造装置 |
| JP4329967B2 (ja) | 2000-04-28 | 2009-09-09 | 古河電気工業株式会社 | プラスチック基板に設けられるピングリッドアレイ用ｉｃリードピンに適した銅合金線材 |
| US6632300B2 (en) * | 2000-06-26 | 2003-10-14 | Olin Corporation | Copper alloy having improved stress relaxation resistance |
-
1985
- 1985-10-18 JP JP60232559A patent/JPS6293325A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6293325A (ja) | 1987-04-28 |
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| JPH0422978B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |