TWI280465B - Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface - Google Patents

Description

1280465 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關液體浸漬光微影，而更明確地，係有關 用以侷限液體流於一浸漬光微影系統中之方法及系統。 【先前技術】 使用透鏡系統及迴照（c a t a d i 〇 p t r i c )系統之光學微 影被廣泛地使用於供電路圖案之印刷的半導體製造工業。 至今，介於一最終透鏡元件與一半導體晶圓表面之間的間 隙係以氣體（通常爲空氣或氮氣）塡充。此氣體間隙適當 地作用，特別在當晶圓於曝光期間被掃瞄於光學系統之下 且於影像轉移期間有介於晶圓與透鏡系統之間的相對移動 時。 光學微影之實際限制假設其成像發生所經歷之媒體爲 空氣。此實際限制係由方程式Λ =—-—，其中8爲入射 4 · · ΝΑ 光之波長，ΝΑ爲投射光學系統之數値孔徑，而η爲媒體 之折射指數（其中4被使用以取代2，由於off軸照射之 使用）。介於最終透鏡元件與晶圓表面之間的氣體介面限 制了光學系統之最大解析度至< 1 . 〇之數値孔徑。假如介於 最終透鏡元件與晶圓表面之間的氣體空間可被塡充以一折 射材料，諸如油或水，則系統之數値孔徑（及因此其解析 能力）可被顯著地增加，相應於折射指數η。 因此，藉由引入液體於投射光學系統的一最終透鏡元 件與一被成像的晶圓之間，則折射指數會改變，因而達成 -4 · 1280465 (2) 增進的解析度，以光源之一較低的有效波長。浸 效地降低1 5 7 nm光源至1 1 5 nm波長（例如 1.3 6 5 )，其達成關鍵層之印刷，以其今日工業 相同的光微影工具。 類似地，浸瀆微影可將1 9 3 n m微影向下推 ，14 5 n m (對於 η = 1.33) 。4 3 5 n m、4 0 5 n m、 2 4 8 η m、1 9 3 η ηι及1 5 7 η m工具均可被使用以有 較佳解析度並“延伸”可使用波長。同時，可避 C aF2、硬薄膜、氮氣淸除，等等。同時，焦點之 由液體浸漬之使用而被增加，其在（例如）L C D 時可能爲有用的。 然而，儘管浸漬光微影極看好，但仍存有數 其至今已排除了浸漬光微影系統之商用化。現存 影系統之一問題係有關侷限其被用於投射光學系 光晶圓間之介面中的液體之困難度。於習知系統 被注入於投射光學系統與晶圓之間。已提議了相 系統以維持液體之侷限。 存在有另一問題，其中晶圓之掃瞄移動係使 被移開自曝光區域，其導致液體之濺出。此雜出 題，即使當晶圓存在於投射光學系統之下時，由 固有的黏稠性。 因此，需要一種用以侷限液體於投射光學系 之間的簡單系統及方法。 漬微影有 ，於 η = 上慣用之 至，例如 3 6 5 n m、 效地達成 免大量的 深度可藉 面板製造 個問題， 浸漬光微 統與待曝 中，液體 當複雜的 得其晶圓 亦爲一問 於液體之 統與晶圓 1280465 (3) 【發明內容】 本發明係有關一種使用倒置晶圓投射光學介面之浸漬 光微影系統及方法，其實質上排除了相關技術之一或更多 問題及缺點。 提供一種液體浸漬光微影系統，其包含一曝光系統， 該曝光系統係以電磁輻射曝光一基底；且亦包含一聚集電 磁輻射於基底上之投射光學系統。一種液體供應系統提供 '液體於投射光學系統與基底之間。投射光學系統被置於基 底底下。 於另一型態中，提供一種液體浸漬光微影系統，其包 含一曝光系統，該曝光系統係以電磁輻射曝光一基底；且 亦包含一聚集電磁輻射於基底上之投射光學系統。一種用 以提供液體之機構係介於投射光學系統與基底之間。投射 光學系統被置於基底底下。一凹凸面被形成於投射光學系 統與晶圓之間。 於另一型態中，提供一種曝光一基底之方法，其包含 將一投射光學系統置於基底底下、使用一投射光學系統以 投射電磁輻射至基底上、及傳送液體於投射光學系統與基 底之間。 本發明之額外的特徵及優點將被提出於以下說明中。 熟悉此項技術者將根據此處所提出之說明而明白其進一步 的特徵及優點，或者可藉由本發明之實施而得知。本發明 之優點將錯由特別於說明書及其申請專利範圍連同後附圖 形所指出之結構而被實現或達成。 -6 - 1280465 (4) 應瞭解之前的一般性敘述及以下的詳細敘述爲示範性 及說明性，且係欲提供如所請之本發明的進一步解釋。 【實施方式】 現在將詳細參照本發明之實施例’其範例被說明於後 附圖形中。 本發明容許一空間於一投射光學系統的最終透鏡元件 與一晶圓表面之間，以利液體塡充。其容許光學系統之有 效數値孔徑的顯著增加。液體之量被含入並固持於定位， 使用對於液體及重力之壓力控制的組合。相較於目前使用 之習知系統，投射光學系統（曝光系統）被倒置。換言之 ，習知系統係曝光朝下或至側邊，而本發明之投射光學系 統係曝光朝上。晶圓被曝光以其抗蝕劑塗敷的表面朝下， 而抗蝕劑係接觸與一液體凹凸面。於晶圓掃瞄期間，凹凸 面橫越晶圓之抗蝕劑塗敷表面。 本發明容許間隙塡充液體被保持於定位，即使於晶圓 之邊緣通過光學系統時。投射光學系統（與液體）之外殻 可被掃瞄出晶圓之邊緣且再掃瞄至晶圓上，而維持液體介 面。於外殼周圍之接取盆接取並容納任何置換之液體。液 體凹凸面係由液體壓力所控制。此介面因而輕易地相容與 許多型式的液體。 圖】說明依據本發明之一種液體浸漬光微影系統的一 實施例。如圖1中所示，一投射光學系統]00被置於—晶 圓〗〇 ]底下。晶圓1 0 ]包含抗蝕劑塗敷的晶圓表面1 〇 6。 1280465 (5) 投射光學系統1 〇 〇包含多數透鏡元件1 0 2 A、1 0 2 B。外殼 1 0 3之頂部包含一開口 1 1 0以供投射一影像至晶圓i 〇 1上 。外殼1 0 3之頂部被顯示爲圖1中之水平線，雖然其不一 定爲如此。 介於外殼1 〇 3的頂部與透鏡1 〇 2 A之間的區（於圖1 中標示爲1 〇 7 )被壓力控制，且藉由一液體封蓋1 〇 4而被 密封自剩餘的投射光學系統]0 0。區1 0 7被塡充以一種液 體，通常係於來自一液體源（未顯示於圖1中）之壓力下 以平衡重力。於曝光期間，液體形成一凹凸面1 0 8，如圖 1中所示。接取盆1 〇 5被用以移除任何偏離的液體，其可 能在沿著一掃猫軸掃猫晶圓1 0 1時發生。應理解可使用較 多或較少的接取盆（相較於圖1中所示者）。亦可以是圍 繞外殼103之環狀的。 注意於本發明中，容許重力來執行侷限液體之工作。 凹凸面1 〇 8基本上係由重力所控制，於晶圓1 0 1被掃瞄時 。再者，當晶圓1 0 1移動超過投射光學系統1 〇〇時，液體 將會輕易地濺出晶圓1 0 1之邊緣，不同於習知的浸漬光微 影系統。 一液體封閉環系統（亦即，接，取盆1 0 5)被安裝至微 影系統透鏡之末端。如上所述，投射光學系統1 〇 〇曝光影 像朝上至晶圓1 0 1 (亦即，晶圓表面〗〇 6 )之底側上。晶 圓1 〇 1被塗敷抗蝕劑，且待被成像之晶圓表面1 0 6爲較低 表面。外殼]0 3之頂部提供一介於最終透鏡元件1 0 2 A與 晶圓]0 1的晶圓表面1 0 6間之液體介面，其投射光學系統 1280465 (6) I 00係聚焦於該液體介面上。外殼1 03之頂部中的開口 II 〇容許來自投射光學系統]〇 〇之光束被成像於晶圓表面 1 06上。其亦容許液體與晶圓表面1 06之間的緊密接觸。 重要的是確保其封閉區1 07保持充滿液體，儘管外殻1 03 之頂部係開通至晶圓表面106，且儘管晶圓101可能以不 受限制的方式移動於投射光學系統1 〇〇之上。液體係藉由 其加諸於液體上之壓力的控制而被固持於定位，透過一循 環系統（亦即，一種液體供應系統，未顯示於圖形中）。 壓力被控制以平衡重力並保持其橫越開口 11 〇之凹凸面 1 〇 8，當晶圓1 0 1不存在時。當晶圓1 0 1被滑動於投射光 學系統1 0 0之上時，壓力被增加以容許液體“推開”孔隙 並接觸晶圓表面1 0 6。當液體介面由於晶圓1 0 1相對於投 射光學系統1 0 〇之移動而滑動於晶圓1 0 1之邊緣上方時， 液體上之壓力被調整以將液體從晶圓表面1 06 “拉回”進入 區 10 7。 接近開口 1 10之外殼1 03的頂部（如圖1中所示）可 被特殊地形成及表面加工以控制介面液體之形狀及性質。 例如，外殼 103之頂部的表面可被製爲疏水的（ hydrophobic)。圍繞外殼103之頂部的接取盆105抑制 其溢流或洩漏自外殼1 03之頂部的液體。此液體可被過濾 、溫控及再循環回入區1 0 7。 晶圓表面106及外殻103之頂部的調適可進一步增進 性能。於液體爲水之情況下，表面可被製爲疏水的。介於 晶圓表面I 0 6與外殼]0 3頂部之間的間隙（距離）係藉由 -9- 1280465 (7) 晶圓曝光之動力學而被最佳化。雖然本系統被設計以利晶 圓之動態曝光於一掃瞄系統中，但其亦可被使用於步進· 及-掃猫型曝光系統。 於典型的乾式曝光系統中，介於透鏡]〇2A與晶圓 1 0 1之間的間隙爲3 - 4毫米之等級。於本發明中，介於外 殼I 03與晶圓1 0 1之間的間隙可被製成低如5 〇微米，雖 然較大或較小的尺寸（例如，高達〇. 5毫米之介於外殼 1 〇 3與晶圓1 0 1間的間隙）亦可被使用（額定地，丨〇 〇微 米被預期是於典型的範圍內，雖然50-150微米、40-200 微米、或甚至高達1毫米、以及甚至於某些情況下大於 1毫米亦爲可能的）。應注意其晶圓爲1 9 3奈米微影之較 佳液體，其爲相對無損的於1 9 3奈米。對於1 5 7奈米微影 ，液體內之損失爲一考量條件，其傾向於需要介於透鏡 1 〇 2 A與晶圓1 0 1之間的較小間隙。換言之，透鏡1 〇 2 a將 移動更接近於晶圓1 0 1 (降至約1毫米附近）。於〗5 7奈 米微影之情況下，介於外殼1 03與晶圓1 0 1之間的間隙可 降至50微米或更小。 亦應理解於本發明中，液體可被完全地移除，於晶圓 1 〇 1之曝光需要一種乾式曝光之情況下。對於乾式曝光， 光學系統需被適當地調整（例如，焦點、球面像差、數値 孔徑之減小，等等）。 如上所述，對於]93奈米成像，液體最好是水（例如 ’去離子化水），雖然可使用其他的液體，例如，環-辛 烷、Kryt〇x®(F〇emblin油）及全氟聚醚流體。 -10- 1280465 (8) 圖2說明圖1之液體浸漬光微影系統的立體圖。於圖 2中，與圖1相同的元件被同樣地標示。（注意於此模擬 圖形中，晶圓1 〇〗呈現爲透明的。） 將投射光學系統1 00置於晶圓1 0 1底下（而非於其上 )容許利用重力以形成一凹凸面1 〇 8以致其液體之侷限被 實質上簡化了。如此去除了複雜侷限系統、相當繁複的液 體循環及泵浦機構等等之需求。其亦可觀地簡化了任何偏 離液體（其可使用接取盆1 〇 5而被簡早地捕取）之效應。 另一方面，亦得具有“源頭”效應，其中液體被排除 自外殼1 03而朝向晶圓1 0 1，其達成類似於凹凸面之效果 ，並接著流入接取盆以利再循環。 本發明獲致對於液體浸漬光微影系統之數項優點。液 體之侷限被簡化。濺出被減少或完全消除。此系統可被使 用爲一濕式曝光系統（具有液體）、以及一乾式曝光系統 (無液體，具有光學系統調整），如所需。所有這些優點 容許現存光微影工具及類似波長之使用以界定更小的特徵 於一半導體表面上。 結論 雖然本發明之各個實施例亦被描述於上，應瞭解其係 以範例方式呈現，而非限制。熟悉相關技術人士將明白其 形式上及細節上的各種改變均可被執行於此而不背離本發 明之精神及範圍。 藉助於其說明特定功能之性能的功能性建構方塊及方 -11 - 1280465 (9) 法步驟和其關係而描述了本發明。這些功能性建構方塊及 方法步驟的邊界已被任意地界定於此以便於描述。替代的 邊界亦可被界定，只要其特定的功能及關係被適當地執行 。同時，方法步驟之順序可被重新安排。、任何此等替代邊 界因而係落入本發明之範圍及精神內。熟悉此項技術者將 瞭解這些功能性建構方塊可被實施以分離的組件、特別應 用的積體電路、執行適當軟體等的處理器或任何其組合。 因此’本發明之廣泛性及範圍不應由任何上述示範性實施 例所限制’而應僅被界定相應於後附申請專利範圍及其同 等物。 【圖式簡單說明】 後附圖形（其被含入以提供本發明之示範實施例的進 一步瞭解且被倂入而構成此說明書之一部分）說明本發明 之實施例，且配合其敘述以解釋本發明之原理。於圖形中 圖1顯示依據本發明之一實施例的一種液體浸漬光微 影系統之橫斷面視圖。 圖2顯示圖1之系統的立體圖。 主要元件對照表 】〇 〇投射光學系統 1 〇 1晶圓 102A、1 02B透鏡元件 ► 12- 1280465 (10) 103外殼 ]04液體封蓋 1 〇 5接取盆 1 0 6晶圓表面 10 7 區 1 0 8凹凸面 1 1 0 開□

Claims (1)

1280465 (1) 拾、申請專利範圍 附件2A : 第093 1 1 8 167號專利申請案 中文申請專利範圍替換本 - ‘ ； :· · - : 民國95年8舅处日修正 ;十.' :u : 1....— 1. 一種液體浸漬光微影系統，其包含： 一曝光系統，其係以電磁輻射曝光一基底並包含一聚 集電磁輻射於基底上之投射光學系統；及 一液體供應系統，其提供液體於投射光學系統與基底 之間， 其中投射光學系統被置於基底底下。 2. 如申請專利範圍第i項之液體浸漬光微影系統，其 中液體供應系統得以形成一液體凹凸面於投射光學系統之 上。 3 ·如申請專利範圍第1項之液體浸漬光微影系統，其 中液體供應系統得以形成一源頭於投射光學系統之上。 4·如申請專利範圍第1項之液體浸漬光微影系統，其 中投射光學系統包含一具有至少一被設置以捕取偏離液體 之接取盆的外殼。 5 .如申請專利範圍第1項之液體浸漬光微影系統，其 中投射光學系統包含： 一外殼，其中係安裝有多數透鏡，該外殼包含一介於 多數透鏡的一最高透鏡與外殻的頂部之間的壓力區； 一開口，其係位於外殻之頂部中；及 1280465 (2) 一液體封蓋，其係介於多數透鏡的最高透鏡與壓力區 之間。 6 ·如申請專利範圍第5項之液體浸漬光微影系統，其 中介於基底與外殼頂部之間的距離約爲5 0- 1 5 0微米。 7 ·如申請專利範圍第5項之液體浸漬光微影系統，其 中介於基底與外殻頂部之間的距離係介於50微米與500 微米之間。 8 ·如申請專利範圍第5項之液體浸漬光微影系統，其 中外殼之頂部具有一疏水表面。 9·如申請專利範圍第1項之液體浸漬光微影系統，其 中液體供應系統僅於需要濕式曝光時選擇性地提供液體。 1 0 ·如申請專利範圍第1項之液體浸漬光微影系統， 其中電磁輻射爲193奈米。 1 1 ·如申請專利範圍第1項之液體浸漬光微影系統， 其中電磁輻射爲157奈米。 12·如申請專利範圍第1項之液體浸漬光微影系統， 其中電磁輻射爲435奈米。 13·如申請專利範圍第1項之液體浸漬光微影系統， 其中電磁輻射爲405奈米。 14·如申請專利範圍第1項之液體浸漬光微影系統， 其中電磁輻射爲365奈米。 1 5·如申請專利範圍第1項之液體浸漬光微影系統， 其中電磁輻射爲248奈米。 .16·—種液體浸漬光微影系統，其包含： -2 - 1280465 (3) 一曝光系統，其係曝光一基底並包含一投射光學系統 •，及 一液體提供機構，用以提供液體於投射光學系統與基 底之間， 其中投射光學系統被置於基底底下。 1 7·如申請專利範圍第丨6項之液體浸漬光微影系統， 其中液體提供機構得以形成一液體凹凸面於投射光學系統 之上。 18·如申請專利範圍第16項之液體浸漬光微影系統， 其中液體提供機構得以形成一源頭於投射光學系統之上。 1 9·如申請專利範圍第1 6項之液體浸漬光微影系統， 其中投射光學系統包含一具有至少一被設置以捕取偏離液 體之接取盆的外殼。 20·如申請專利範圍第16項之液體浸漬光微影系統， 其中投射光學系統包含： 一外殻，其中係安裝有多數透鏡，該外殼包含一介於 多數透鏡的一最高透鏡與外殼的頂部之間的壓力區； 一開口，其係位於外殼之頂部中；及 一液體封蓋，其係介於多數透鏡的最高透鏡與壓力區 之間。 2 1 .如申請專利範圍第20項之液體浸漬光微影系統， 其中介於基底與外殻頂部之間的距離約爲50- 1 50微米。 22·如申請專利範圍第20項之液體浸漬光微影系統， 其中介於基底與外殼頂部之間的距離係介於50微米與 -3- 1280465 (4) 5 0 0微米之間。 23 ·如申請專利範圍第20項之液體浸漬光微影系統， 其中外殼之頂部具有一疏水表面。 24·如申請專利範圍第1 6項之液體浸漬光微影系統， 其中液體提供機構僅於需要濕式曝光時選擇性地提供液體 〇 25 ·如申請專利範圍第1 6項之液體浸漬光微影系統， 其中電磁輻射爲193奈米。 26.如申請專利範圍第1 6項之液體浸漬光微影系統， 其中電磁輻射爲1 5 7奈米。 27·如申請專利範圍第16項之液體浸漬光微影系統， 其中電磁輻射爲435奈米。 28·如申請專利範圍第16項之液體浸漬光微影系統， 其中電磁輻射爲405奈米。 29·如申請專利範圍第16項之液體浸漬光微影系統， 其中電磁輻射爲365奈米。 30·如申請專利範圍第16項之液體浸漬光微影系統， 其中電磁輻射爲248奈米。 3 1 · —種液體浸漬光微影系統，其包含： 一曝光系統，其包含一投射光學系統；及 一液體供應系統，其得以提供液體於投射光學系統與 基底之間， 其中投射光學系統得以置於基底底下。 32·—種液體浸漬光微影系統，其包含： -4- 1280465 (5) 一曝光系統，其包含一投射光學系統；及 一液體供應系統，其得以提供液體於投射光學系統與 基底之間， 其中液體供應系統得以形成一液體凹凸面於投射光學 系統之上。 3 3 ·如申請專利範圍第3 2項之液體浸漬光微影系統， 其中投射光學系統得以置於基底底下。 34·如申請專利範圍第32項之液體浸漬光微影系統， 其中投射光學系統包含一具有至少一得以捕取偏離液體之 接取盆的外殼。 3 5·如申請專利範圍第32項之液體浸漬光微影系統， 其中投射光學系統包含： 一外殼，其中係安裝有多數透鏡，該外殻包含一介於 多數透鏡的一最高透鏡與外殻的頂部之間的壓力區； 一開口，其係位於外殼之頂部中；及 一液體封蓋，其係介於多數透鏡的最高透鏡與壓力區 之間。 3 6 .如申請專利範圍第3 5項之液體浸漬光微影系統， 其中外殼之頂部具有一疏水表面。 3 7 .如申請專利範圍第3 5項之液體浸漬光微影系統， 其中液體供應系統僅於需要濕式曝光時選擇性地提供液體 〇 3 8 . —種朝上定向的投射光學系統’其包含： 一外殼，其包含一疏水上部分並具有一形成於疏水上 -5- 1280465 (6) 部分中之開口； 一接取盆，其圍繞外殼之周邊； 多數透鏡，其得以朝上曝光基底；及 一液體封蓋，其圍繞投射光學系統之一最終透鏡元件 〇 3 9·—種曝光一基底之方法，其包含： 將一投射光學系統置於基底底下； 使用一投射光學系統以投射電磁輻射至基底上；及 · 傳送液體於投射光學系統與基底之間。 40.如申請專利範圍第39項之方法，進一步包含使用 至少一接取盆以從基底移除過量液體。 4 1·如申請專利範圍第39項之方法，進一步包含形成 一液體凹凸面於投射光學系統與基底之間。 42. 如申請專利範圍第39項之方法，進一步包含提供 壓力至液體以維持凹凸面。 43. —種液體浸漬光微影系統，其包含： · 一投射光學系統，其將電磁輻射朝上定向至一基底上 ;及 一液體源，其提供液體至投射光學系統的一上表面上 〇 44·如申請專利範圍第43項之液體浸漬光微影系統， 其中液體源得以形成一液體凹凸面於投射光學系統之上。 45·如申請專利範圍第43項之液體浸漬光微影系統， 其中液體源得以形成一源頭於投射光學系統之上。 -6- (7) 1280465 4 6 .如申請專利範圍第4 3項之液體浸漬光微影系統， 其中投射光學系統包含一具有至少一被設置以捕取偏離液 體之接取盆的外殼。 4 7.如申請專利範圍第43項之液體浸漬光微影系統， 其中投射光學系統包含： 一外殼，其中係安裝有多數透鏡，該外殼包含一介於 多數透鏡的一最高透鏡與外殼的頂部之間的壓力區； 一開口，其係位於外殼之頂部中；及 一液體封蓋，其係介於多數透鏡的最高透鏡與壓力區 之間。 48·如申請專利範圍第47項之液體浸漬光微影系統， 其中介於基底與外殻頂部之間的距離約爲50- 1 50微米。 49·如申請專利範圍第47項之液體浸漬光微影系統， 其中介於基底與外殼頂部之間的距離係介於5 0微米與 5〇〇微米之間。 5 0.如申請專利範圍第47項之液體浸漬光微影系統， 其中外殼之頂部具有一疏水表面。 5 1 ·如申請專利範圍第43項之液體浸漬光微影系統， 其中液體源僅於需要濕式曝光時選擇性地提供液體。 5 2.如申請專利範圍第43項之液體浸漬光微影系統， 其中電磁輻射爲193奈米。 5 3·如申請專利範圍第43項之液體浸漬光微影系統， 其中電磁輻射爲157奈米。 54·如申請專利範圍第43項之液體浸漬光微影系統， 1280465 (8) 其中電磁輻射爲43 5奈米。 5 5.如申請專利範圔第43項之液體浸漬光微影系統， 其中電磁輻射爲405奈米。 5 6·如申請專利範圍第43項之液體浸漬光徼影系統， 其中電磁輻射爲365奈米。 5 7·如申請專利範圍第43項之液體浸漬光微影系統， 其中電磁輻射爲248奈米。 5 8·—種液體浸漬光微影系統，其包含： 一投射光學系統，其將電磁輻射朝上定向至一基底上 ;及 一液體提供機構，其提供液體至投射光學系統的一上 表面上。 5 9 ·如申請專利範圍第5 8項之液體浸漬光微影系統， 其中液體提供機構得以形成一液體凹凸面於投射光學系統 之上。 60·如申請專利範圍第58項之液體浸漬光微影系統， 其中液體提供機構得以形成一源頭於投射光學系統之上。 6 1 ·如申請專利範圍第5 8項之液體浸漬光微影系統， 其中投射光學系統包含一具有至少一被設置以捕取偏離液 體之接取盆的外殼。 6 2 ·如申請專利範圍第5 8項之液體浸漬光微影系統， 其中投射光學系統包含： 一外殼，其中係安裝有多數透鏡，該外殼包含一介於 多數透鏡的一最高透鏡與外殼的頂部之間的壓力區； -8- 1280465 Ο) 一開口，其係位於外殼之頂部中；及 一液體封蓋，其係介於多數透鏡的最局透鏡與壓力區 之間。 63 ·如申請專利範圍第62項之液體浸漬光微影系統， 其中介於基底與外殼頂部之間的距離約爲5 0- 1 5 0微米。 64 ·如申請專利範圍第62項之液體浸漬光微影系統， 其中介於基底與外殼頂部之間的距離係介於5 0微米與 5〇〇微米之間。 65·如申請專利範圍第62項之液體浸漬光微影系統， 其中外殻之頂部具有一疏水表面。 66·如申請專利範圍第58項之液體浸漬光微影系統， 其中液體提供機構僅於需要濕式曝光時選擇性地提供液體 〇 6 7.如申請專利範圍第58項之液體浸漬光微影系統， 其中電磁輻射爲193奈米。 68·如申請專利範圍第58項之液體浸漬光微影系統， 其中電磁輻射爲157奈米。 69·如申請專利範圍第58項之液體浸漬光微影系統， 其中電磁輻射爲43 5奈米。 70·如申請專利範圍第58項之液體浸漬光微影系統， 其中電磁輻射爲405奈米。 71·如申請專利範圔第58項之液體浸漬光微影系統， 其中電磁輻射爲3 65奈米。 72·如申請專利範圍第58項之液體浸漬光微影系統， -9- 1280465 (10) 其中電磁輻射爲248奈米。 73. —種液體浸漬光微影系統，其包含： 一倒置投射光學系統，用於一基底的一下表面之曝光 ;及 一液體源，其得以提供液體於投射光學系統與基底之 間， 其中液體源得以形成一液體凹凸面於投射光學系統之 上。 74. 如申請專利範圍第73項之液體浸漬光微影系統， 其中投射光學系統包含一具有至少一得以捕取偏離液 體之接取盆的外殼。 75. 如申請專利範圍第73項之液體浸漬光微影系統， 其中投射光學系統包含： 一外殼，其中係安裝有多數透鏡，該外殼包含一介於 多數透鏡的一最高透鏡與外殼的頂部之間的壓力區； 一開口，其係位於外殼之頂部中；及 一液體封蓋，其係介於多數透鏡的最高透鏡與壓力區 之間。 7 6.如申請專利範圍第75項之液體浸漬光微影系統， 其中外殼之頂部具有一疏水表面。 7 7.如申請專利範圍第75項之液體浸漬光微影系統， 其中液體源僅於需要濕式曝光時選擇性地提供液體。 -10-