TWI234796B - Solution treatment method and solution treatment unit - Google Patents

Description

1234796 玖、發明說明

L發明所屬之技術領域J 發明領域 本發明係有關於一種使基板一個接一個成一直線地流 動並加以處理之連續線式液處理方法、液處理裝置。 5 【】 發明背景 最近，於製造LCD(液晶顯示器）之光阻塗布顯像處理 系統中，利用所謂連續線方式作為對LCD基板之大型化有 利的洗淨方法或顯像方法逐漸普及，該連續排列方式係於 10 將搬送滾輪或搬送帶配置於水平方向而形成之搬送路上， 一面搬送LCD基板一面進行顯像處理或洗淨處理。 例如，就顯像處理而言，已知的是一面以水平姿勢於 水平方向搬送基板，一面進行下列步驟之方法，（1)藉由於 基板表面塗布顯像液，且於基板上形成顯像液池，並維持 15 預定時間，而進行顯像反應，（2)使基板變換成傾斜姿勢而 使顯像液流落，（3)進行將沖洗液供給至基板而除去顯像液 殘渣之洗淨（沖洗）處理，（4)藉由從基板搬送方向之前方側 朝後方側，利用氣刀將空氣等乾燥氣體喷至基板，而吹走 基板表面之沖洗液，以使基板乾燥。 20 如上所述，一般而言，於連續線式顯像裝置或洗淨裝 置中，係利用氣刀作為在處理步驟之最後階段將殘存或附 著於基板表面之液體除去以使基板乾燥之工具。氣刀係具 有無數個於搬送路之左右寬度方向從基板的一邊覆蓋至另 一邊之氣體排出口或缝隙狀氣體排出口，且將如刀狀般銳 1234796 玖、發明說明 利的氣流（通常是空氣氣流或氮氣氣流）吹向於預定位置通 過正下方或正上方之基板。藉由吹送該如刀狀般銳利的氣 流，使得當基板通過氣刀旁時，基板表面之液體會被掃向 基板後端側而朝基板外拂落，即，被吹走而除去液體。 5 然而，於習知此種基板處理裝置中，由於藉從氣刀吹 出之乾燥氣流一口氣使基板表面乾燥，故乾燥後立刻附著 於基板表面之含有某些成分的霧或含有從基板表面溶出之 成分的微小液體之凝聚物會容易在基板上變成污點或殘渣 ’而成為在後製步驟中導致不良的原因。例如，若在顯像 10步驟所形成之光阻掩膜的開口中產生殘渣，則在之後的蝕 刻步驟會變成非所求之微掩膜，而引起蝕刻不良。又，當 利用氣刀將乾燥氣體吹向基板時，由於基板表面之沖洗液 會飛散而產生霧，故此霧會藉由從氣刀吹出之乾燥氣體而 附著於業已施加乾燥處理之基板的一部份。此時，有在霧 15所附著的部分產生水痕或污點，且基板品質下降等問題。 【明内j 發明概要 本發明係有鑑於前述習知技術之問題點，而以於連續 、、友方式中防止於乾餘處理後之基板表面產生污點或殘渣且 20提高處理品質以及抑制基板上之水痕等液處理痕跡產生為 目的。 為達成上述目的，本發明之液處理方法係對基板供給 處理液且進行處理者，且包含有··第丨步驟，係一面以大 致水平的安勢搬送基板，一面將預定處理液供給至前述基 1234796 玖、發明說明 係於如述液處理後，一 ’ 一面將蒸氣吹向前述 板且進行液處理者；及第2步驟， 面以大致水平的姿勢搬送前述基板 基板而從前述基板上將液體掃出者。 又，本發明之液處理裝置係對基板供給處理液且進行 5液處理者，且包含有··搬送路，係以大致水平的姿勢於水 平方向搬送基板| ;液處理冑，係於前述搬送路上將預定 處理液供給至前述基板且進行液處理者，·及乾燥處理部， 係具有-個或多個用以喷射蒸氣之蒸氣喷嘴，且於前述液 處理部之下游側的搬送路上，從前述蒸氣喷嘴將蒸氣吹向 10前述基板而從前述基板上將液體掃出者。 於本發明中，由於在液處理後由蒸氣喷嘴對帶有液體 之基板吹送蒸氣，且藉蒸氣氣流之壓力，從基板上將液體 掃出，故乾燥處理（第2步驟）後之基板表面會形成薄液膜 ,且基板表面會呈全乾或半乾的狀態。即使霧附著於該半 15乾狀態之基板表面，亦由於霧會在水膜中分散或擴散而溶 解，故不會產生污點。又，即使從基板表面溶出含不純物 成分之液體，亦由於霧仍舊會在水膜中分散，故不會凝聚 ’且不會產生殘渣。 又，若根據本發明之另一觀點，則本發明之液處理方 20 法係包含有：第1步驟，係一面以大致水平的姿勢搬送基 板，一面將預定處理液供給至前述基板且進行液處理者； 第2步驟，係一面以大致水平的姿勢搬送業已完成前述液 處理之基板，一面利用氣體噴嘴將乾燥氣體噴至前述基板 ，使前述處理液之液膜殘留於前述基板表面；及第3步驟 1234796 玖、發明說明 ’係藉由加熱處理業已完成前述第2步驟之基板，而使殘 留於前述基板表面之處理液蒸發。 又，若根據本發明之另一觀點，則本發明之液處理裝 置係對基板供給處理液且進行液處理者，且包含有：液處 5理部，係一面以大致水平的姿勢搬送基板，一面將預定處 理液供給至前述基板且進行液處理者；乾燥處理部，係具 有用以將乾燥氣體噴至基板之氣體喷嘴，且一面以大致水 平的姿勢搬送業已完成前述液處理部之處理的基板，一面 利用前述氣體噴嘴將乾燥氣體噴至前述基板者；及喷射量 10控制機構，係於前述乾燥處理部中，控制為了於前述基板 形成W述處理液之液膜而從前述氣體喷嘴喷出之乾燥氣體 的流速者。 若根據與本發明前述觀點相關之液處理方法及液處理 裝置，則由於在由氣體噴嘴吹送有乾燥氣體之基板表面形 15成有處理液之液膜，故即使因將乾燥氣體喷至基板而產生 之處理液的霧附著於基板，該霧亦會混入水膜。藉此可防 止水痕等產生於基板上。又，藉由形成於基板表面之處理 液液膜，基板之靜電蓄積量會減少，藉此基板不易破損。 又’若根據該液處理方法，則無須完全地吹走基板表面之 20處理液，故可減少由氣體喷嘴喷出之乾燥氣體量。 與本發明其他觀點相關之液處理方法係包含有··第J 步驟，係一面以大致水平的姿勢搬送基板，一面將預定處 理液供給至前述基板且進行液處理；第2步驟，係藉由一 面以大致水平的姿勢搬送業已完成前述液處理之基板，一 1234796 玖、發明說明 面利用氣體喷嘴將乾燥氣體喷至前述基板，而吹走附著於 前述基板表面之處理液，·第3步驟，係藉由將水蒸氣供給 至業已元成前述第2步驟之基板的表面，而於前述基板表 面形成水膜；及第4步驟，係藉由加熱處理業已完成前述 5第3步驟之基板，而使前述基板表面之水分蒸發。 又，與本發明其他觀點相關之液處理裝置係包含有·· 液處理部，係一面以大致水平的姿勢搬送基板，一面將預 定處理液供給至前述基板且進行液處理者；乾燥處理部， 係具有用以將乾燥氣體噴至基板之氣體噴嘴，且藉由一面 1〇以大致水平的姿勢搬送業已完成前述液處理部之處理的基 板，一面利用前述氣體噴嘴將乾燥氣體喷至前述基板，以 吹走附著於前述基板之處理液者；及水膜形成處理部，係 藉由Φ以大致水平的姿勢搬送業已通過前述乾燥處理部 之基板，一面將水蒸氣供給至前述基板，以於前述基板表 15面形成水膜者。 右根據與該等觀點相關之液處理方法及液處理裝置， 則即使在利用氣體噴嘴吹送乾燥氣體之際所產生之霧附著 於業經乾燥之基板，亦由於後來水膜會均勾地形成，故可 抑制起因於霧之水痕等產生。 -〇 右根據本發明之另一觀點，則本發明之液處理裝置係 匕5有·液處理部’係一面以大致水平的姿勢搬送基板， 一面將預定處理液供給至前述基板且進行域理者；乾燥 處理部，係具有用以將乾燥氣體喷至基板之氣體噴嘴，且 藉由-面以大致水平的姿勢搬送業已完成前述液處理部之 10 1234796 玖、發明說明 處理的基板’一面利用前述氣體喷嘴將乾燥氣體喷至前述 基板，以吹走附著於前述基板之處理液者；及隔板，係於 設有前述氣體喷嘴之位置，將基板搬送方向之後方側的空 間與前方側的空間隔開，以使於前述乾燥處理部中利用前 5述氣體噴鳴將乾燥氣體喷至前述基板而產生之處理液的霧 不會返回到基板搬送方向之前方側。 若根據與前述觀點相關之本發明之液處理裝置，則即 使附著於基板表面之處理液在被由氣體喷嘴供給之乾燥氣 體吹走時霧化，亦由於該霧不會朝基板搬送方向之前方側 10移動，故可防止霧附著於基板。 圖式簡單說明 第1圖係顯示可適用本發明之基板處理裝置的塗布顯 像處理系統之構造的平面圖。 第2圖係顯示第丨圖之塗布顯像處理系統中熱處理部 15 的構造之側視圖。 第3圖係顯示第！圖之塗布顯像處理系統的處理順序 之流程圖。 第4圖係顯示實施形態中顯像處理單元的整體構造之 側視圖。 第5圖係顯示實施形態中噴嘴掃描機構的構造例之透 視圖。 第6圖係顯示實施形態中氣刀的外觀之透視圖。 第7圖係顯示實施形態中水蒸氣供給機構的構造之方 塊圖。 Ϊ234796 玖、發明說明 第8圖係顯示實施形態中氣刀的配置構成之側視圖。 第9圖係顯示實施形態中氣刀的配置構成之平面圖。 第1〇圖係顯示實施形態中喷嘴掃描的作用之側視圖， 第10(A)圖及第10(B)圖係各別顯示噴嘴的掃描方向與基板 5的搬送方向相反及喷嘴的掃描方向與基板的搬送方向一致 的情形。 第11圖係顯示實施形態中機構的作用之側視圖，第 Η(Α)圖係顯示將水蒸氣吹向基板上下兩面之情形，第 Η(Β)圖係顯示沖洗液液膜從基板後端落下之情形，第 10 U(C)圖係顯示沖洗液從基板完全脫落之情形。 第12圖係顯示實施形態中機構的作用之平面圖。 第13圖係顯示實施形態中乾燥部的—變形例之側視圖 15 第η圖侧示實施形態中乾燥部的—變形例之侧視圖 〇 第15圖係另一其他實施形態之塗布顯像處理系統的概 略平面圖。 統之第 第16圖係顯示第15圖所示之塗布顯像處理系 1熱處理部的側視圖。 第17圖係顯示第15圖所示之塗布顯像處理系統之第 2熱處理部的側視圖。 第18圖係顯示第15圖所示之塗. 可顯像處理系統之第 3熱處理部的側視圖。 第19圖係顯示另一實施形態 之顯像處理單元的概略構 12 20 1234796 玖、發明說明 造之側視圖。 第20圖係顯示第19圖所示之顯像處理單元的概略構 造之平面圖。 第21圖係顯示用以構成顯像處理單元之乾燥區域的另 5 一實施形態之概略側視圖。 第22圖係第21圖所示之乾燥區域的概略平面圖。 第23圖係顯示朝設於第21圖及第22圖所示之乾燥區 域的水蒸氣供給喷嘴供給水蒸氣的狀態之說明圖。 第24圖係顯示於第21圖及第22圖所示之乾燥區域的 10 處理步驟之說明圖。 第25圖係顯示用以構成顯像處理單元之乾燥區域的另 一實施形態之概略側視圖。 【實施方式3 發明之詳細說明 15 以下，說明本發明之最佳實施形態。第1圖顯示作為 可適用本發明之基板處理方法及基板處理裝置的一構造例 之塗布顯像處理系統。該塗布顯像處理系統10係設置於潔 淨室内，且以例如LCD基板為被處理基板，而於LCD製 造過程中，進行微影成像步驟中之洗淨、光阻塗布、預焙 20 、顯像及後焙等各種處理。曝光處理係藉與該系統相鄰而 設之外部的曝光裝置12來進行。 塗布顯像處理系統10係於中心部配置有橫長的處理站 (P/S)16，且於其長度方向（X方向）兩端部配置有卡匣站 (C/S)14 及介面站（I/F)18。 13 1234796 玖、發明說明 卡匣站（C/S)14為系統10之卡匣搬入暨搬出埠，且包 含有：卡匣台20,係可使多達四個可以多段堆疊的方式收 容多片基板G之卡匣C並排於如Y方向之水平方向並加以 載置者；及搬送機構22，係用以對該卡匣台20上之卡匣 5 C進行基板G之搬入與搬出。搬送機構22係具有如搬送 臂部22a之可保持基板G之機構且可於X、Y、Z、0四個 軸動作，並可與相鄰之處理站（P/S)16側進行基板G之接送 〇 處理站（P/S)16係將各處理部依照處理流程或步驟的順 10 序配置於沿系統長度方向（X方向）伸展之平行且逆向的一 對生產線A、B。 更詳而言之，於從卡匣站（C/S)14側朝介面站（I/F)18 側之上游部的加工生產線A係一列橫向地配置有洗淨程序 部24、第1熱處理部26、塗布程序部28及第2熱處理部 15 30。另一方面，於從介面站（I/F)18側朝卡匣站（C/S)14側 之下游部的加工生產線B則一列橫向地配置有第2熱處理 部30、顯像程序部32、脫色程序部34及第3熱處理部36 。於該生產線形態中，第2熱處理部30係位於上游側之加 工生產線A的最尾端，同時位於下游側之加工生產線B的 20 最前頭，而跨設於兩生產線A、B間。 於兩加工生產線A、B之間係設有輔助搬送空間38， 其使可水平地載置一片基板G之往復搬運車40可藉由未 圖示之驅動機構於直線方向（X方向）移動於兩個方向。 於上游部之加工生產線A中，洗淨程序部24係包含 14 1234796 玖、發明說明

有洗刷洗淨單元（SCR)42，且於該洗刷洗淨單元（SCR)42内 與卡匣站（C/S)10相鄰接處配置有激分子UV照射單元（e — UV)41。洗刷洗淨單元（SCR)42内之洗淨部係一面藉由滾輪 搬送或帶搬送以水平姿勢將LCD基板G搬送於生產線A 5 方向，一面於基板G上面（被處理面）施加洗刷洗淨或吹洗 〇 與洗淨程序部24之下游側相鄰接之第1熱處理部26 係沿著加工生產線A於中心部設有縱型的搬送機構46，且 於其前後兩側多段地積層配置有多數單元。例如，如第2 10 圖所示，於上游側之多段單元部（TB)44係由下依序積層有 基板接送用傳遞單元（PASS)50、脫水烘焙用加熱單元 (DHP)52、54及黏著單元（AD)56。因此，係利用傳遞單元 (PASS)50與洗刷洗淨單元（SCR)42側進行基板G之接送。 又，於下游側之多段單元部（TB)48係由下依序積層有基板 15 接送用傳遞單元(PASS)60、冷卻單元（CL)62、64及黏著單 元（AD)66。傳遞單元(PASS)60係用以與塗布程序部28側 進行基板G之接送。 如第2圖所示，搬送機構46係包含有可沿著沿垂直方 向伸展之引導執道68升降移動之升降搬送體70、可於該 20 升降搬送體70上在0方向旋轉或迴轉之迴轉搬送體72及 可於該迴轉搬送體72上，一面支持基板G，一面於前後方 向進退或伸縮之搬送臂部或銷74。用以升降驅動升降搬送 體70之驅動部76係設於垂直引導軌道68之基端側，而用 以迴轉驅動迴轉搬送體72之驅動部78則安裝於升降搬送 15 1234796 玖、發明說明 體7〇，而用以驅動搬送臂部74進退之驅動部8〇則安裝於 方疋轉搬送體72。各驅動部76、78、80以例如電動馬達等 來構成即可。 如上所述而構成之搬送機構46可高速地升降或迴轉運 5動而進入兩相鄰之多段單元部（TB)44、48中之任一單元， 亦可與辅助搬送空間38側之往復搬運車4〇接送基板G。 與第1熱處理部26之下游側相鄰接之塗布程序部28 係如第1圖所示，沿著加工生產線A排成一列地配置有光 阻塗布單兀（CT)82、減壓乾燥單元（VD)84及邊緣去除單元 10 (ER)86 〇 雖省略圖示，但於塗布程序部28内係設有用以將基板 G依照步驟順序一片一片地搬入·搬出該等三個單元 (CT)82、（VD)84及（ER)86之搬送裝置，且於各單元（CT)82 、（VD)84及（ER)86内對一片基板進行各種處理。 15 與塗布程序部28之下游侧相鄰接之第2熱處理部3〇 係與前述第1熱處理部具有相同構造，其係於兩加工生產 線A、B間設有縱型的搬送機構90，且於加工生產線a側 (最尾端）設有一多段單元（TB)88，並於加工生產線b側（前 碩）設有另一多段單元（TB)92。 ° 雖省略圖示’但，例如，亦可於加工生產線A側之多 段單元部（TB)88在最下段設有基板接送用傳遞單元(pASS) ，且於其上積層有例如三段預焙用加熱單元（PREBAKE)。 又，亦可於加工生產線B側之多段單元部（TB)92在最下段 設有基板接送用傳遞單元（PASS)，且於其上堆疊例如一段 16 1234796 玖、發明說明 冷卻單元（COL)，並於冷卻單元上積層有例如兩段預焙用 加熱單元（PREBAKE)。 第2熱處理部30之搬送機構90不只可分別透過兩多 段單元部（TB)82、92之傳遞單元(PASS)而與塗布程序部28 5 及顯像程序部32接送一片基板G，亦可與辅助搬送空間 38内之往復搬運車40或後述介面站（I/F)18接送一片基板 G。 於下游部之加工生產線B中，顯像程序部32係一面 以水平姿勢搬送基板G，一面進行一連串顯像處理步驟， 10 且包含所謂連續線方式之顯像處理單元（DEV)94。 於顯像程序部32之下游側係隔著脫色程序部34而配 置第3熱處理部36。脫色程序部34係具有用以對基板G 之被處理面照射i線（波長365nm)而進行脫色處理之i線 UV照射單元（i—UV)96。 15 第3熱處理部36係與前述第1熱處理部26和第2熱 處理部30具有相同構造，其係沿著加工生產線B設有縱 型的搬送機構100及於其前後兩側之一對多段單元部 (TB)98、102。 雖省略圖示，但，例如，亦可於上游側之多段單元部 20 (TB)98在最下段設有傳遞單元(PASS)，且於其上積層有例 如三段後焙用加熱單元（POBAKE)。又，亦可於下游側之多 段單元部（TB)102在最下段設有後焙單元（POBAKE)，且於 其上堆疊一段基板接送及冷卻用傳遞·冷卻單元（PASS · COL)，並於接送·冷卻單元上積層有兩段後焙用加熱單元 17 1234796 玖、發明說明 (POBAKE)。 第3熱處理部36之搬送機構100不只可透過兩多段單 元部（TB)98、102之傳遞單元（PASS)及傳遞·冷卻單元 (PASS · COL)而分別與i線UV照射單元(i — UV)96及卡匣 5 站（C/S) 14接送一片基板G，亦可與輔助搬送空間38内之 往復搬運車40接送一片基板G。 介面站（I/F)18係具有用以與相鄰接之曝光裝置12進 行基板G的接送之搬送裝置104，且於其周圍配置有緩衝 台（BUF)105、伸展·冷卻台（EXT · COL)106及周邊裝置 10 110。 於緩衝台（BUF)105係設有定置型緩衝卡匣（未圖示）。 伸展·冷卻台（EXT · COL)106為具有冷卻功能之基板接送 用平台，且用在與處理站（P/S)16側接送基板G時。周邊裝 置110為上下積層有例如字幕編輯器（TITLER)及周邊曝光 15 裝置（EE)之構造即可。搬送裝置104係具有可保持基板G 之搬送機構，例如搬送臂部104a，且可與相鄰接之曝光裝 置 12 或各單元（BUF)105 、(EXT · COL)106 、 (TITLER)/(EE)110進行基板G之接送。 於第3圖，顯示該塗布顯像處理系統之處理順序。首 20 先，於卡匣站（C/S)14中，搬送機構22係從卡匣台20上之 預定卡匣C中取出一片基板G，且將其搬入處理站（P/S)16 之洗淨程序部24的激分子UV照射單元（e—UV)41(步驟 S1)。 於激分子UV照射單元（e—UV)41内對基板G施加藉 18 1234796 玖、發明說明 由照射紫外線而進行之乾洗（步驟S2)。於該紫外線洗淨中 ，主要是去除基板表面的有機物。於紫外線洗淨結束後， 基板G係藉由卡匣站（C/S)14之搬送機構22而移至洗淨程 序部24之洗刷洗淨單元（SCR)42。 5 於洗刷洗淨單元（SCR)42中，如上所述，係一面藉由 滾輪搬送或帶搬送以水平姿勢將基板G以平流的方式搬送 於加工生產線A方向，一面於基板G上面（被處理面）施加 洗刷洗淨或吹洗，藉此從基板表面除去粒子狀污垢（步驟 S3)。然後，洗淨後亦一面以平流的方式搬送基板G，一面 10 施加沖洗處理，且最後利用氣刀等使基板G乾燥。 於洗刷洗淨單元（SCR)42内結束洗淨處理之基板G係 被搬入第1熱處理部26之上游側多段單元部（TB)44内之 傳遞單元(PASS)50。 於第1熱處理部26中，基板G係藉由搬送機構46以 15 預定順序傳遞於預定單元。例如，基板G係最初從傳遞單 元(PASS)50移至加熱單元（DHP)52、54其中之一，且於此 接受脫水處理（步驟S4)。接著，基板G係移至冷卻單元 (COL)62、64其中之一，且於此冷卻至預定的基板溫度（步 驟S5)。然後，基板G係移至黏著單元（AD)56，且於此接 20 受疏水化處理（步驟S6)。於該疏水化處理結束後，基板G 係於冷卻單元（COL)62、64其中之一冷卻至預定的基板溫 度（步驟S7)。最後，基板G係移至隸屬於下游側多段單元 部（TB)48之傳遞單元(PASS)60。 如此一來，於第1熱處理部26内，基板G可透過搬 19 1234796 玖、發明說明 送機構46而隨意地往來於上游側之多段單元部（TB)44與 下游側之多段單元部（TB)48間。且，於第2及第3熱處理 部30、36亦可進行同樣的基板搬送動作。 於第1熱處理部26接受前述一連串熱或熱相關的處理 5 之基板G係從下游側多段單元部（TB)48内之傳遞單元 (PASS)60移至下游側相鄰之塗布程序部28的光阻塗布單 元(CT)82。 基板G係於光阻塗布單元（ct)82藉由例如旋轉塗布法 而於基板上面（被處理面）塗上光阻液，且立刻於下游側相 10鄰之減壓乾燥單元（VD)84接受藉由減壓而進行之乾燥處理 ，接著於下游側相鄰之邊緣去除單元（ER)86除去基板邊緣 部之多餘（不需要）的光阻（步驟S8)。 業已接受前述光阻塗布處理之基板G係從減壓乾燥單 元（VD)84被接送至相鄰的第2熱處理部30之隸屬於上游 15 側端多段單元部（TB)88之傳遞單元(PASS)。 於第2熱處理部30内，基板G係藉由搬送機構90以 預定順序傳遞至預定單元。例如，基板G係最初從該傳遞 單元(PASS)50移至加熱單元（prEBakE)的其中一個，真於 此接受光阻塗布後之烘焙（步驟S9)。接著，基板G係移矣 20冷卻單元（C0L)的其中一個，且於此冷卻至預定的基板溢 度（步驟S10)。然後，基板g係經由下游側多段單元部 (TB)92側之傳遞單元（PASS)，或者不經過它而接送至介面 站（I/F)18側之伸展·冷卻台（ext · COL)106。

於介面站（I/F)18中，基板G係從伸展·冷卻台（EXT 20 1234796 玖、發明說明 • COL)106搬入周邊裝置110之周邊曝光裝置（EE)，且於 此接受用以於顯像時去除附著於基板G周邊部的光阻之曝 光，然後送至相鄰的曝光裝置12(步驟S11)。 於曝光裝置12中，使預定電路圖案曝光於基板G上 5 之光阻。然後，一旦業已結束圖案曝光之基板G從曝光裝 置12返回介面站（I/F)18(步驟S11)，則首先將其搬入周邊 裝置110之字幕編輯器（TITLER)，且於此在基板上之預定 部位記錄預定資訊（步驟S12)。然後，基板G返回伸展· 冷卻台（EXT · COL)106。介面站（I/F)18中基板G的搬送及 10 與曝光裝置12之基板G的接送係藉搬送裝置104來進行 〇 於處理站（P/S)16中，在第2熱處理部30中，搬送機 構90係從伸展·冷卻台（EXT · COL)106接收曝光完畢之 基板G，且透過加工生產線B側之多段單元部（TB)92内之 15 傳遞單元(PASS)接送至顯像程序部32。 於顯像程序部32中，係將從該多段單元部（TB)92内 之傳遞單元（PASS)接收之基板G搬入顯像處理單元 (DEV)94。於顯像處理單元（DEV)94中，基板G係以連續 線方式朝加工生產線B之下游搬送，並於該搬送中進行顯 20 像、沖洗、乾燥之一連串顯像處理步驟（步驟S13)。 於顯像程序部32接受顯像處理之基板G係朝下游側 相鄰之脫色程序部34搬入，且於此接受藉由照射i線而進 行之脫色處理（步驟S14)。脫色處理完成後之基板G係被 接送至第3熱處理部36之上游側多段單元部（TB)98内之 21 I234796 &'發明說明 傳遞單元(PASS)。 於第3熱處理部（TB)98中，基板G係最初從該傳遞單 元(PASS)移至加熱單元（POBAKE)的其中一個，且於此接受 後培（步驟S15)。接著，基板g係移至下游側多段單元部 5 (TB)i〇2内之接送·冷卻單元（PASS · COL)，且於此冷卻 至預定的基板溫度（步驟S16)。第3熱處理部36中基板G 的搬送係藉搬送機構100來進行。 於卡匣站（C/S)14側，搬送機構22係從第3熱處理部 36之傳遞·冷卻單元(PASS · COL)接收業已結束塗布顯像 1〇 處理的所有步驟之基板G，且將所接收之基板G收容於任 —卡匣C(步驟S1)。 於該塗布顯像處理系統10中，顯像程序部32之顯像 處理單元（DEV)94可適用於本發明。以下，參照第4圖至 第13圖說明將本發明適用在顯像處理單元（DEV)94之實施 15形態。 於第4圖’模式化地顯示本發明一實施形態之顯像處 理單元（DEV)94内的整體構造。該顯像處理單元（dev)94 係沿著加工生產線B —列地連續配置有用以形成沿水平方 向（X方向）延伸之連續性搬送路108之例如八個的多數模 20 組 Ml 至 M8。 上游端之模組Ml 該等模組Ml至M8中，係於位於最 M2、M3 構成有沖 構成有基板搬入部110,且於後面接著四個模組 、M4、M5構成有顯像部112，並於下一模組 洗部114，並且於下一模組M7構成有乾燥部^ 22 1234796 玖、發明說明 尾端的模組M8構成有基板搬出部118。 於基板搬入部110係設有多根以水平姿勢接收從相鄰 的基板搬送機構（未圖示）傳遞過來的基板G並將其移載至 搬送路108上之可升降的升降桿120。於基板搬出部118 5 亦設有多根以水平姿勢支撐基板G並傳遞至相鄰的基板搬 送機構（未圖示）之可升降的升降桿122。 更詳而言之，顯像部112係於模組M2設有預濕部124 ，且於模組M3、M4設有顯像液供給部126，並於模組M5 設有顯像液滴落部128。於預濕部124係設有一個或多個 10 喷嘴排出口朝搬送路108，且可沿著搬送路108移動於兩 個方向，並用以將例如純水之預濕液供給至基板之預濕液 供給噴嘴PN。於顯像液供給部126係設有一個或多個喷嘴 排出口朝搬送路108，且可沿著搬送路108移動於兩個方 向之顯像液供給喷嘴DN。於該構造例中，係分別於模組 15 M3、M4設有可獨立移動之顯像液供給喷嘴DNa、DNb。 於顯像液滴落部128及預濕部124係設有可使基板G傾斜 之基板傾斜機構130。 於沖洗部114係設有一個或多個喷嘴排出口朝搬送路 108，且可沿著搬送路108移動於兩個方向，並用以將例如 20 純水之沖洗液供給至基板之沖洗液供給喷嘴RN。 於乾燥部116係隔著搬送路108設有一對或多對用以 去除沿搬送路108附著於基板G的液體（主要是沖洗液）之 本實施形態之氣刀VN。 於顯像部112、沖洗部114及乾燥部116中，係分別 23 1234796 玖、發明說明 1〇8下的液體之盤132、134、

動馬達（未圖示）之驅動力且透過傳動機構（未圖 設有用以承接流落至搬送路 136、138。更詳而言之，於 濕部124與顯像液供給部i 盤132、134。於各盤,

10 方向搬送基板G。 第4圖中’預濕液供給噴嘴PN、顯像液供給喷嘴DNa 、DNb及沖洗液供給噴嘴RN係分別藉由喷嘴掃描機構 SCP、SCN及SCR ’而與搬送路1〇8平行地移動於搬送路 108上方。 15 於第5圖，顯示噴嘴掃描機構SC(SCP、SCN、SCR) 之一構造例。該喷嘴掃描機構SC包含有··用以支持可動 喷嘴N(PN、DNa、DNb、RN)之噴嘴搬送體150、用以於 搬送路108上方與搬送路108平行地引導噴嘴搬送體150 之引導軌道（未圖示）及用以驅動喷嘴搬送體15〇以沿著該 2〇 引導執道移動之掃描驅動部152。 掃描驅動部152係例如透過一根或多根垂直支持構件 154而與喷嘴搬送體150結合，且一條或多條連續環帶156 係與引導執道平行（即，與搬送路108平行）而跨架在驅動 滑輪158與自由旋轉滑輪160間，且使驅動滑輪158與電 24 1234796 玖、發明說明 動馬達162呈運轉結合之狀態。電動馬達162之旋轉驅動 力係透過滑輪158、160及環帶156而轉換成環帶長度方向 (X方向）之喷嘴搬送體150的前進運動。可藉由控制電動 馬達162之旋轉速度，將喷嘴搬送體150之前進運動速度 5 調節至所希望的值，且藉由變換電動馬達162之旋轉方向 ，而變換喷嘴搬送體150之前進移動方向。 於喷嘴搬送體150中，係於左右兩側面之内壁分別安 裝有由例如氣壓缸等致動器所構成之升降驅動部166,且 於該等左右一對升降驅動部166間水平地搭架有由例如中 10 空管所構成之水平支持桿168。然後，於從該水平支持桿 168之中心部垂直向下之由例如中空管所構成之垂直支持 桿170的下端部安裝有使排出口 η向下且保持水平之筒狀 可動喷嘴Ν。喷嘴Ν之排出口 η在可將處理液於搬送路 108之寬度方向大致均勻地從基板G的一邊供給至另一邊 15 之範圍内，可為於喷嘴長度方向以一定間隔多數形成之貫 通孔，或者亦可為一條或多條縫隙。 於喷嘴搬送體150内，可動喷嘴Ν可藉由升降驅動部 170之升降驅動且透過水平支持桿168及垂直支持桿170 而升降，並可上下移動於可朝搬送路108上之基板G排出 20 處理液的高度位置與在不排出處理液時可先從搬送路108 退避的高度位置之間。於水平支持桿168之一端部係引進 來自設於搬送路108外之處理液供給源（未圖示）之可撓性 處理液供給管172。該處理液供給管172係穿過水平支持 桿168及垂直支持桿170中間而與喷嘴Ν之處理液導入口 25 1234796 玖、發明說明 相連接。 於第6圖，顯示乾燥部116之上部氣刀VNU的外觀。 如圖所示，氣刀VNU係具有於與搬送方向垂直之水平方向 (橫向）橫貫於至少可從基板G的一端覆蓋至另一端的長度 5 而延伸之橫長的喷嘴本體。於該喷嘴本體之前端部（下端部 )係形成有沿喷嘴之長度方向而設之以一定間隔多數形成之 貫通孔或由一條縫隙所構成之喷嘴口或喷出口 174。於喷 嘴本體上面係於一處或多處連接有水蒸氣供給管176。由 後述水蒸氣供給機構178(第7圖）加壓之水蒸氣係透過水蒸 10 氣供給管176而導入氣刀VNU之喷嘴本體，以從前端的噴 出口 174將水蒸氣吹向基板G上面（被處理面）。 如第7圖所示，該實施形態之水蒸氣供給機構178包 含有水蒸氣產生部180、氣體供給部182及送風機184。水 蒸氣產生部180係具有利用加熱、風力或超音波振動等強 15 制性地使例如純水之液體蒸發之機構。氣體供給部182係 以常壓或正壓來供給潔淨空氣（或氮氣）。送風機184係由 例如送風機或風扇所構成，且將來自水蒸氣產生部180之 水蒸氣與來自氣體供給部182之空氣吸入内側，並從出口 側排出業經升壓之水蒸氣/空氣混合氣體。從送風機184之 20 出口側排出之水蒸氣/空氣混合氣體係通過水蒸氣供給管 176中而供給至氣刀VNU之喷嘴本體。 氣刀VNU之喷嘴本體包含有用以導入從送風機184送 來的水蒸氣/空氣混合氣體之水蒸氣導入口 186、用以暫時 儲存由該水蒸氣導入口 186導入的水蒸氣/空氣混合氣體之 26 1234796 玖、發明說明 緩衝室188及用以將該緩衝室188内的水蒸氣/空氣混合氣 體吹到外面之截面為錐狀的喷出部190。於緩衝室188内 之喷出部190前面係安裝有整流用多孔板192。 藉由控制水蒸氣產生部180中水蒸氣的產生量或產生 5 率，可調節由氣刀VNU噴出之水蒸氣/空氣混合氣體的水 蒸氣濃度。藉由控制送風機184之排出壓力或排出量，可 調節由氣刀VNU噴出之水蒸氣/空氣混合氣體的排出壓力 或排出量。 下部氣刀VNL亦與上部氣刀VNU具有相同構造即可 10 ，其係由與前述水蒸氣供給機構178相同的水蒸氣供給機 構來接受水蒸氣/空氣混合氣體的供給，並由前端的喷出口 將水蒸氣吹向基板G下面（裡面）。 於第8圖及第9圖，顯示本實施形態之氣刀VNU、 VNL的配置構造例。於該配置構造中，係採用於搬送方向 15 使下部氣刀VNL較上部氣刀VNU更偏置於下游側而配置 之形態。兩氣刀VNU、VNL係於與搬送方向平行之水平面 内大致相互平行且相對於搬送路108之左右橫方向傾斜地 配置（第9圖），並於與搬送方向垂直之垂直面内，於與搬 送方向相反的方向，以將氣體吹向基板G之姿勢來配置（第 20 8圖）。又，於該實施形態中，「左」與「右」係以搬送方 向（X方向）為基準（前方）。 接著，說明該顯像處理單元（DEV)94之作用。基板搬 入部110係從相鄰的基板搬送機構（未圖示）接收一片基板 G且將其移載至搬送路108。用以構成搬送路108之滾輪 27 1234796 玖、發明說明 148(第10圖）係如上所述，透過傳動機構且藉電動馬達之 旋轉驅動力來旋轉，故載置於搬送路108之基板G會直接 朝相鄰的顯像部112搬送。 於顯像部112中，基板G係首先搬入預濕部124，且 5 於滾輪搬送中，由預濕液供給喷嘴PN吹送例如純水或低 濃度顯像液作為預濕液。於該實施形態中，喷嘴PN係藉 由第5圖所示之喷嘴掃描機構SCP之掃描驅動而一面沿著 搬送路108水平地移動，一面朝搬送中之基板G上面（被處 理面）吹送預濕液。碰到基板G而飛散至基板外之預濕液或 10 未碰到基板G之預濕液係收集於設於搬送路108下之預濕 液盤132。 如第10(A)圖所示，當一面朝搬送路108上之基板G 排出預濕液，一面將喷嘴PN所掃描之方向設成與基板搬 送方向逆向時，喷嘴N(PN)會以將喷嘴掃描速度vN與基 15 板搬送速度vG相加之相對速度（vN +vG)從基板G之前端 掃描至後端，且即使基板G的尺寸很大，亦可在極短的時 間内，用預濕液濕潤基板G之被處理面（光阻表面）全部。 於預濕部124内，一旦基板G抵達下游側之預定位置 ，則基板傾斜機構130會開始運轉，而將基板G舉起至較 20 搬送路108高且向後傾斜。藉由此基板G之傾斜姿勢，殘 留或附著於基板G上之預濕液大部分會流落至基板後方並 回收於預濕液盤132。 於預濕部124接受前述預濕處理之基板G係接著載置 於搬送路108而搬入顯像液供給部126。於顯像液供給部 28 1234796 玖、發明說明

126中，在通過第一個模組M3時，係由顯像液供給喷嘴 DNa吹送顯像液，而在通過下一模組M4時，則由顯像液 供給喷嘴DNb吹送顯像液。各顯像液供給喷嘴DNa、DNb 係一面藉由第5圖所示之喷嘴掃描機構SCN之掃描驅動而 5 於搬送路108上方沿著搬送路108水平地移動，一面朝滾 輪搬送中之基板G上面（被處理面）吹送顯像液。因該顯像 液之吹送而落至基板G外的液體係收集於設於搬送路108 下之顯像液盤134。

與前述預濕部124同樣地，於顯像液供給部126亦如 10 第10(A)圖所示，可一面朝搬送路108上之基板G排出顯 像液，一面將喷嘴DN所掃描之方向設成與基板搬送方向 相反。藉此，喷嘴DN會以將喷嘴掃描速度vN與基板搬送 速度vG相加之相對速度（vN + vG)從基板G之前端掃描至 後端，且即使基板G的尺寸很大，亦可在極短的時間内， 15 將顯像液供給至基板G之被處理面（光阻表面）全部。 於該實施形態中，由於分別在模組M3、M4設有個別 的顯像液供給喷嘴DNa、DNb及噴嘴掃描機構SCN，故在 時間及空間上有間隔而可對搬送路108上之基板G多次供 給顯像液，並可在第一次與第2次時改變顯像液的特性（濃 20 度等）。 於顯像液供給部126,如上所述，於被處理面全部佈 滿顯像液之基板G係仍舊載置於搬送路108而搬入顯像液 滴落部128。然後，於顯像液滴落部128内，一旦抵達下 游側之預定位置，則設置於此之基板傾斜機構130會開始 29 1234796 玖、發明說明 運轉，而將基板G舉起至搬送路1〇8上方，並使基板〇於 搬送方向，且例如向前傾斜，即，使基板G傾斜而使用以 進行前一步驟之顯像液處理部126側變成上側。藉由該傾 斜f勢堆積於基板G上之顯像液大部分會流落至基板前 5方亚回收於顯像液盤134。如此一來，由於使基板〇傾斜 而使用以進行前一步驟之顯像液處理部126侧變成上側， 故當於顯像液滴落部128使基板G傾斜而進行液體去除時 ，可降低在顯像液盤134濺起返回之液體附著於顯像液供 給部126側之基板g的可能性。 10 於顯像部112結束前述顯像液供給與回收之基板g係 沿著搬送路108而搬入沖洗部Π4。於沖洗部114中，沖 洗液供給喷嘴RN係一面藉由前述喷嘴掃描機構SCR之掃 描驅動而沿著搬送路108水平地移動，一面朝搬送中之基 板G上面（被處理面）吹送例如純水之沖洗液。掉落至基板 15 G外的沖洗液則收集於設於搬送路108下之沖洗液盤136 〇 於沖洗部114亦如第10(A)圖所不，可一面朝搬送路 108上之基板G排出顯像液，一面將噴嘴rn所掃描之方 向設成與基板搬送方向相反。藉此，噴嘴RN會以將喷嘴 2〇 掃描速度vN與基板搬送速度vG相加之相對速度（VN +VG) 從基板G之前端掃描至後端，且即使基板g的尺寸很大， 亦可在極短的時間内，將沖洗液供給至基板G之被處理面（ 光P且表面）全部，並可快速地進行沖洗液之置換（停止顯像） 。又，亦可將用以洗淨基板G裡面之沖洗液供給噴嘴（未圖 30 1234796 玖、發明說明 示）設於搬送路108下。 於沖洗部114結束前述沖洗步驟之基板G係載置於搬 送路108而搬入乾燥部116。於乾燥部116中，如第4圖 及第8圖所示，係由相對於搬送於搬送路108上之基板G 5 而設於預定位置之上下氣刀VNU、VNL，將刀狀之銳利水 蒸氣氣流吹向基板上面（被處理面）及裡面，藉此將附著於 基板G之液體（主要是沖洗液）朝基板後方拂落（去除液體） 〇 於此，詳細說明該實施形態之乾燥部116之氣刀機構 10 的作用。如第8圖所示，通過兩氣刀VNU、VNL之基板G 係先於前段的沖洗處理部M6淋上沖洗液，且大體上沖洗 液會以一至多個液膜RU的形態附著於基板上面，而且於 基板下面亦會附著許多沖洗液之液滴RL。 如第11(A)圖所示，當於搬送路108上，基板G通過 15 上下氣刀VNU、VNL之間時，上部氣刀VNU會將水蒸氣 於與搬送方向相反方向從斜上方吹向基板G上面，而下部 氣刀VNL則將水蒸氣於與搬送方向相反方向從斜下方吹向 基板G下面。如此一來，於基板G上面，如第11(B)圖所 示，因水蒸氣氣流的壓力，沖洗液液膜RU會抵抗表面張 20 力而擁向基板後方，且大部分會從基板後端朝基板外掉落 ，而一部份則繞回基板下面。然後，於基板G下面，如第 11 (C)圖所示，因水蒸氣氣流的壓力，沖洗液液滴RL會擁 向基板後端部，且與從基板上面繞回之部分一起大體上從 基板後端朝基板G外推出。朝基板G外推出之液體會因重 31 1234796 玖、發明說明 力而落下且收集於盤138。 如此一來，於該實施形態中，由於由氣刀VNU、VNL 對在表面附著有沖洗液RU、RL之基板G吹送水蒸氣，且 藉水蒸氣氣流的壓力將沖洗液從基板上掃出，故掃出沖洗 5 液後之基板表面會呈全乾或半乾的狀態。即，即使藉由在 基板表面使吹送至基板G之水蒸氣的一部份液化而掃出沖 洗液，基板表面亦並非完全地乾燥，而是呈被極薄的水膜 Μ覆蓋之狀態。因此，即使在因沖洗液飛散而產生之霧中 有徘徊於氣刀VNU、VNL之下游侧（搬送方向之前方側）且 10 附著於基板表面者，但由於其會在水膜Μ中分散，故不會 產生污點。又，從基板表面，特別是上面（被處理面）的光 阻膜或底膜溶出之液體亦由於同樣會在水膜Μ中分散，故 沒有凝聚而產生殘渣等情形發生。由於基板上之水膜Μ極 薄，故即使在大氣中亦容易蒸發，且若藉由自然乾燥，只 15 要經過十秒乃至於數十秒，則幾乎消失。 又，於該實施形態中，藉由在上部氣刀VNU與下部氣 刀VNL之間，於搬送方向保持位置上之偏置，且對基板G 上面及下面之液體的掃除乃至於掃出賦予時間上的偏差， 藉此可順利地進行基板後端之液體去除，並可防止或減少 20 基板後端附近的液體殘留。 再者，於該實施形態中，由於兩氣刀VNU、VNL係以 相互平行之狀態相對於搬送路108之左右橫方向傾斜地配 置，故如第12圖所示，可於基板G上面及下面使液體RU 、RL匯集於基板後端部之同一角落部（第12圖中左側的角 32 1234796 玖、發明說明 落部）處，且朝對角線方向（箭頭A方向）除去液體。此時， 如箭頭B所示，來自相反侧角落部（右側角落部）的液體會 沿著基板後端流動，且藉由該流動之力量促進液體去除。 於乾燥部116除去液體之基板G係仍舊載置於搬送路 5 108而送至基板搬出部118。基板搬出部118係與基板搬入 部110具有相同構造，且僅基板搬送方向在搬入與搬出時 相反，其餘皆與基板搬入部110同樣地動作。即，使基板 接送用升降桿122於較搬送路108更低的位置待機，且等 待基板G從上游側（乾燥部116)流過來，一旦基板G抵達 10 升降桿122正上方之預定位置，則使升降桿122向上推， 且以水平姿勢支撐基板G，並交給相鄰的基板搬送機構（未 圖示）。 從基板搬出部118搬出之基板G在於下游側相鄰之脫 色程序部30接受由照射i線而進行之脫色處理後，則送至 15 第3熱處理部36。於第3熱處理部36中，如上所述，首 先於加熱單元（POBAKE)接受後焙。因此，即使在搬入第3 熱處理部時於基板G上仍殘留有水膜Μ，亦藉由加熱處理 (後焙）強制性地使基板表面變成乾燥狀態。因此，即使乾 燥部116之液體去除不充分，即，即使在基板G殘留有較 20 厚之液膜，亦無大礙。 於前述顯像處理單元（DEV)94中，係一面於搬送路 108上隔著預定間隔且排成一列地搬送多數基板G，一面 於預濕部124、顯像液供給部126、顯像液滴落部128、沖 洗部114及乾燥部116依序進行各種處理，故可實現根據 33 1234796 玖、發明說明 所謂管線方式而進行之高效率與高產量之顯像處理步驟。 特別是於預濕部124、顯像液供給部126及沖洗部114 中，由於使用以對搬送路108上之基板G供給處理液之喷 嘴PN、DNa、DNb、RN於搬送路108上方沿著搬送路108 5 掃描，故即使基板G之尺寸很大，且搬送路108之搬送速 度很快，亦可在短時間内迅速地將處理液供給至基板被處 理面四周全部。尤其在顯像液供給步驟中，由於可儘可能 地縮短基板G之搬送方向的一端部（前端部）與另一端部（後 端部）間之處理液供給的時間差，即，開始顯像的時間差， 10 故可提高基板上顯像品質面内之均一性。 又，於該實施形態之喷嘴掃描機構SC中，由於是使 噴嘴N可沿著搬送路108掃描於兩個方向之構造，故如第 10(B)圖所示，可一面使喷嘴N掃描於與基板搬送方向同一 方向，一面將處理液Q供給至基板G之被處理面全部。此 15 時必須將喷嘴掃描速度vN’設定為較基板搬送速度vG’更 快的速度。 該實施形態係構造成於預濕部124及顯像液供給部 126進行喷塗方式之顯像。但，變成形成顯像液坑方式是 簡單的，且於顯像液供給部126中，將顯像液供給喷嘴 20 DNa、DNb從喷塗型換成液體佈滿型之排出構造亦可。又 ，於形成顯像液坑方式中，則不需要預濕部124。 於顯像液供給部126中，省去顯像液供給噴嘴DNa、 DNb其中一者（通常是下游側的DNb)之構造亦可。又，亦 可將搬送路108上各可動喷嘴N之可掃描區域設定為超過 34 1234796 玖、發明說明 -模組之範圍，並可構造成相鄰的可動喷嘴可互相乘载於 共通的引導執道。 於岫述貝施形恶中，其他各種變形例亦適用。例如， 如第13圖所不，亦可構造成於上部氣刀VNU與下部氣刀 5 VUL間未保持偏置，而將該等氣刀配置於在垂直方向重疊 之位置，即，正對搬送路108之位置（隔著搬送路ι〇8而相 對之位置）。又，如第14圖所示，在對基板g裡面去除液 體時利用用以噴出業已乾燥之空氣或氮氣之普通的氣刀 EN亦可。又’雖省略圖示，但亦可於緊鄰氣刀vn之下游 1〇側設置可防止霧擴散之隔板，或者設置可促進基板乾燥之 另一氣刀機構。 又，亦可於預濕部124、顯像液供給部126及沖洗部 114的一部份或全部使用定置型喷嘴。亦可將搬送路108 之驅動系統於搬送方向分割成多數，而獨立控制各分割搬 15送路上之搬送動作（速度、停止等）。搬送路⑽並不限於 滾輪搬送型’亦可為隔著預定間隔且將一對環帶舖設於水 平方向而構成之帶搬送型。 雖然前述實施形態係有關於顯像處理單元或顯像裝置 ’但本發明亦可適用於顯像裝置以外的基板處理裝置，例 20如’於前述塗布顯像處理系統中，亦可適用於洗淨程序部 24之洗刷洗淨單元（SCR)42。即，可於洗刷洗淨單元 (SCR)42之搬送路上沖洗處理部的下游侧進行與前述實 施形態同樣的乾燥處理。又，本發明除了沖洗液以外，亦 可適用於任何液體之液體去除，且於蒸氣源亦可使用純水 35 1234796 玖、發明說明 以外的液體。本發明之被處理基板並不限於LCD基板，亦 可適用於需要去除液體或乾燥的任何被處理基板。 於本發明之基板處理裝置中，乾燥處理部包含有用以 使預定液體蒸發而產生蒸氣之蒸氣生成機構及用以將由該 5 蒸氣生成機構產生之蒸氣與其他氣體混合且使其升壓之升 壓機構是最理想的。此時，藉由控制蒸氣生成機構之蒸氣 產生量或產生率或者與其他氣體（例如空氣或氮氣）之混合 率，可調整吹向基板之蒸氣的濃度。又，藉由控制升壓機 構之排出壓力，可調整吹向基板之蒸氣的壓力。 10 又，亦可以乾燥處理部具有於第1位置將蒸氣從搬送 路上方吹向基板上面之第1蒸氣喷嘴及沿著搬送路且於緊 鄰第1位置之下游側之第2位置將蒸氣從搬送路下方吹向 基板下面之第2蒸氣喷嘴之構造為本發明一理想態樣。 於該構造中，藉由在隔著搬送路而上下地配置之一對 15 蒸氣喷嘴之間，於搬送方向保持位置上的偏置，且對基板 G上面及下面之液體的掃除乃至於掃出賦予時間上的偏差 ，藉此可順利地去除基板後端之液體，並可防止或減少基 板後端附近的液體殘留。 又，亦可以使第1及第2蒸氣喷嘴相互平行，且相對 20 於搬送路之左右橫方向傾斜地配置之構造為另一理想態樣 。根據該構造，可於基板上面及下面使液體匯集於基板後 端部之同一角落部處，而有效地朝對角線方向去除液體。 又，於乾燥處理部中，將用以進行基板下面或裡面之 液體去除的蒸氣喷嘴換成用以吹送蒸氣以外的氣體（例如空 36 1234796 玖、發明說明 氣或氮氣）之氣體喷嘴亦可。 於本發明中，由於例如於液處理後，由蒸氣噴嘴將蒸 氣吹向帶有液體之基板，且藉蒸氣氣流之壓力，從基板上 將液體掃出，故乾燥處理（第2步驟）後之基板表面會形成 5 薄液膜，且呈全乾或半乾的狀態。即使霧附著於該半乾狀 態之基板表面，亦由於霧會在水膜中分散或擴散而溶解， 故不會產生污點。又，即使從基板表面溶出含不純物成分 之液體，亦由於霧仍舊會在水膜中分散，故不會凝聚，且 不會產生殘渣。 於本發明中，由於知出基板上的液體後而形成之液膜 很薄，故即使在大氣中亦容易蒸發，且藉由自然乾燥，於 較短的時間内則可消失。但，亦可於後製步驟之加熱處理 強制性地使殘存於基板上之液體蒸發。 於本發明之液處理裝置中，乾燥處理部包含有用以使 15預定液體蒸發而產生蒸氣之蒸氣生成機構及用以將由該蒸 氣生成機構產生之蒸氣與其他氣體混合且使其升壓之升壓 機構是最理想的。此時，藉由控制蒸氣生成機構之蒸氣產 生量或產生率或者與其他氣體（例如空氣或氮氣）之混合率 ’可調整吹向基板之蒸氣的濃度。又，藉由控制升壓機構 20之排出壓力，可調整吹向基板之蒸氣的壓力。 又，亦可以乾燥處理部具有於第i位置將蒸氣從搬送 路上方吹向基板上面之第！蒸氣喷嘴及沿著搬送路且於緊 鄰第1位置之下游側之第2位置將蒸氣從搬送路下方吹向 基板下面之第2蒸氣喷嘴之構造為本發明一理想態樣。於 1234796 玖、發明說明 該構造中，藉由在隔著搬送路而上下地配置之一對蒸氣喷 嘴之間，於搬送方向保持位置上的偏置，且對基板G上面 及下面之液體的掃除乃至於掃出賦予時間上的偏差，藉此 可順利地進行基板後端之液體去除，並可防止或減少基板 5 後端附近的液體殘留。 又，亦可以使第1及第2蒸氣喷嘴相互平行，且相對 於搬送路之左右橫方向傾斜地配置之構造為另一理想態樣 。根據該構造，可於基板上面及下面使液體匯集於基板後 端部之同一角落部處，而有效地朝對角線方向去除液體。 〇 又’於乾燥處理部中’將用以進行基板下面或裡面之 液體去除的蒸氣喷嘴換成用以吹送蒸氣以外的氣體（例如空 氣或氮氣）之氣體喷嘴亦可。 如上所述，由於根據本發明之基板處理裝置，於連續 線方式中，將蒸氣吹向液處理後之被處理基板而將基板上 15 的液體掃出，且於半乾之狀態下乾燥處理基板表面，故可 有效地防止於乾燥處理後之基板表面產生污點或殘渣，並 可提高處理品質。 接著，就本發明之另一實施形態加以說明。第15圖係 顯示採用本發明實施形態之塗布顯像處理系統300的概略 20 構造之平面圖。該塗布顯像處理系統300之整體主要構造 係與前述塗布顯像處理系統1 〇相同。 即，塗布顯像處理系統300包含有卡匣站（搬入·搬出 部）201、處理站（程序部）2〇2及用以於與曝光裝置204之間 進行基板G的接送之介面站（介面部）2〇3。又，於第15圖 38 1234796 玖、發明說明 中，係以光阻塗布·顯像處理系統300之長度方向為X方 向，且以於平面上與X方向垂直之方向為Y方向。 卡匣站201係具有用以於與處理站204之間進行基板 G的搬入與搬出之搬送機構211。搬送機構211具有搬送 5 臂部21 la，且可於沿卡匣C的配列方向之Y方向設置之搬 送路210上移動。 處理站202具有生產線A、B，沿生產線A從卡匣站 201側朝介面站203側配列有洗刷洗淨處理單元（SCR)221 、第1熱處理部226、光阻處理單元223及第2熱處理部 10 227。沿生產線B從介面站203侧朝卡匣站201側則配列 有第2熱處理部227、顯像處理單元（DEV)224、i線UV照 射單元（i —UV)225及第3熱處理部228。 於洗刷洗淨處理單元（SCR)221上的一部份設有激分子 UV照射單元（e - UV)222，激分子UV照射單元（e — 15 UV)222係為了在洗刷洗淨之前除去基板G之有機物而設 ，而i線UV照射單元（i 一 UV)225則為了進行顯像之脫色 處理而設者。

於洗刷洗淨處理單元（SCR)221中，係一面於其中以大 致水平姿勢搬送基板G，一面進行洗淨處理與乾燥處理。 20 又，顯像處理單元（DEV)224亦如下所述，一面以大致水平 姿勢搬送基板G，一面進行顯像後之洗淨處理及乾燥處理 。於該等洗刷洗淨處理單元（SCR)221與顯像處理單元 (DEV)224中，基板G之搬送係藉由例如滾輪搬送或帶搬 送來進行。又，朝i線UV照射單元（i—UV)225之基板G 39 1234796 玖、發明說明 的搬送則藉由與顯像處理單元（DEV)224之搬送機構相同的 機構來連續進行。 於光阻處理單元223係依順序配置有··光阻塗布處理 裝置（CT)223a，係藉由將光阻液滴在大致保持水平之基板 5 G，且使基板G以預定轉數旋轉，而使光阻液攤在基板G 全部並形成光阻膜者；減壓乾燥裝置（VD)223b，係減壓乾 燥形成於基板G上之光阻膜者；及邊緣光阻去除裝置 (ER)223c，係藉由可掃描於基板G四周之溶劑排出頭，將 附著於基板G邊緣之多餘的光阻除去者。於光阻處理單元 10 223内係設有用以於光阻塗布處理裝置（CT)223a、減壓乾 燥裝置（VD)223b及邊緣光阻去除裝置（ER)223c之間搬送基 板G之搬送臂部。 第16圖係第1熱處理部226之側視圖。第1熱處理部 226包含有兩個熱處理單元區塊（TB)231、232。熱處理單 15 元區塊（TB)231係設於洗刷洗淨處理單元（SCR)221側，而 熱處理單元區塊（TB)232則設於光阻處理單元223側，且 於該等兩熱處理單元區塊（TB)231、232間設有第1搬送裝 置 233。 於熱處理單元區塊（TB)231中，係由下依序積層有四 20 段用以進行基板G的接送之傳遞單元（PASS)261、用以對 基板G進行脫水烘焙處理之兩脫水烘焙單元（DHP)262、 263及用以對基板G施加疏水化處理之黏著處理單元 (AD)264。熱處理單元區塊（TB)232係由下依序積層有四段 用以進行基板G的接送之傳遞單元（PASS)265、用以冷卻 40 1234796 玫、發明說明 基板G之兩冷卻單元（COL)266、267及對基板G施加疏水 化處理之黏著處理單元（ad)268。 第1搬送裝置233係用以進行透過傳遞單元(PASS)261 之從洗刷洗淨單元（SCR)221接收基板G、前述熱處理部單 5 元間之基板G的搬入與搬出及透過傳遞單元(PASS)265之 朝光阻處理單元223接送基板G。 第1搬送農置233包含有上下延伸之弓丨導軌道291、 沿引導執道291升降之升降構件292、設成可於升降構件 292上迴轉之基台構件293及設成可於基台構件293上前 10 後進退且用以保持基板G之基板保持臂部294。升降構件 292之升降係藉由馬達295來進行，而基台構件293之迴 轉則藉由馬達296來進行，而基板保持臂部294之前後移 動則藉由馬達297來進行。如此一來，第1搬送裝置233 係可上下動、前後動及迴轉轉動，並可進入熱處理單元區 15 塊（TB)231、232中的任一單元。 第2熱處理部227包含有積層有用以對基板G施加熱 處理之熱處理單元而構成之兩個熱處理單元區塊（TB)234、 235。熱處理單元區塊（TB)234設於光阻處理單元223側， 而熱處理單元區塊（TB)235則設於顯像處理單元（DEV)224 20 側。於該等兩熱處理單元區塊(TB)234、235間設有第2搬 送裝置236。 第17圖係第2熱處理部227之侧視圖。於熱處理單元 區塊（TB)234中，係由下依序積層有四段用以進行基板G 的接送之傳遞單元（PASS)269及用以對基板G進行預焙處 41 1234796 玖、發明說明 理之三個預焙單元（PREBAKE)270、271、272。又，於熱 處理單元區塊（TB)235中，係由下依序積層有四段用以進 行基板G的接送之傳遞單元(PASS)273、用以冷卻基板G 之冷卻單元（C〇L)274及用以對基板G進行預焙處理之預 5 焙單元（PREBAKE)275、276。 第2搬送裝置236係用以進行透過傳遞單元(PASS)269 之從光阻處理單元223接收基板G'前述熱處理部單元間 之基板G的搬入與搬出、透過傳遞單元(PASS)273之朝顯 像處理單元（DEV)224接送基板G及對介面站203之基板 10 接送部之伸展·冷卻台（EXT · COL)224接送及接收基板G 。又，第2搬送裝置236係與第1搬送裝置233具有相同 構造，其可進入熱處理單元區塊(TB)234、235中的任一單 元。 第3熱處理部228包含有積層有用以對基板G施加熱 15 處理之熱處理單元而構成之兩個熱處理單元區塊（TB)237、 238。熱處理單元區塊（TB)237設於顯像處理單元（DEV)224 ，而熱處理單元區塊（TB)238則設於卡匣站201側。而且 ，於該等兩熱處理單元區塊（TB)237、238間設有第3搬送 裝置239。 20 第18圖係第3熱處理部228之侧視圖。於熱處理單元 區塊（TB)237中，係由下依序積層有四段用以進行基板G 的接送之傳遞單元(PASS)277及用以對基板G進行後焙處 理之三個後焙單元（POBAKE)278、279、280。又，於熱處 理單元區塊（TB)238中，係由下依序積層有四段後焙單元 42 1234796 玖、發明說明 (Ρ〇ΒΑΚΕ)281、用以進行基板G的接送及冷卻之傳遞·冷 卻單元(PASS.COL)282及用以對基板〇進行後培處理之 兩個後焙單元（POBAKE)283、284。 弟3搬送裝置239係用以進行透過傳遞單元(pass)277 5之從1線UV照射單元（i—UV)225接收基板G、前述熱處 理部单元間之基板G的搬入與搬出及透過傳遞·冷卻單元 (PASS · COL)282之朝卡£站201接送基板G。又，第3 搬送裝置236亦與第1搬送裝置233具有相同構造，其可 進入熱處理單元區塊（TB)237、238中的任一單元。 10 於處理站202之生產線A、B間係設有空間240。而 且設有可於該空間240來回移動之往復搬運車（基板载置構 件）241。該往復搬運車241係構造成可保持基板〇，而透 過往復搬運車241可於生產線A、B間進行基板G之接送 。對往復搬運車241接送基板G係藉由前述第丨至第3搬 15 送裝置233、236、239來進行。 介面站203包含有搬送裝置242、緩衝台（buF)243及 具備冷卻功能之基板接送部之伸展·冷卻台（ΕχΤ · C〇L)244。又，上下積層有字幕編輯器（TITLER)與周邊曝 光裝置（EE)之外部裝置區塊245係與搬送裝置242相鄰而 2〇設。搬送裝置242係具有搬送臂部242a，且藉由該搬送臂 部242a於處理站2〇2與曝光裝置2〇4間進行基板G之搬 入與搬出。 於如此而構成之光阻塗布·顯像處理系統300中，首 先’配置於卡匣台201的載置台之卡匣C内的基板G係藉 1234796 玖、發明說明 由搬送裝置211直接搬入處理站2之激分子UV照射單元 (e—UV)222，且進行洗刷前處理。接著，基板g係搬入洗 刷洗淨單元（SCR)221，且進行洗刷處理。洗刷洗淨處理後 ，基板G係藉由例如滾輪搬送而搬出至隸屬於第1熱處理 5 部226之熱處理單元區塊（TB)231之傳遞單元(PasS)261。 配置於傳遞單元(PASS)261之基板g首先搬送至熱處 理單元區塊（TB)231之脫水烘焙單元（〇ΗΡ)262、263其中 之一且進行加熱處理，接著搬送至熱處理單元區塊（TB)232 之冷卻單元（COL)266、267其中之一且進行冷卻，然後為 10 了提高光阻之固定性，而搬送至熱處理單元區塊（TB)231 之黏著處理單元（AD)264或熱處理單元區塊（TB)232之黏著 處理單元（AD)268其中之一，且於此進行黏著處理（疏水化 處理）。然後，基板G係搬送至冷卻單元（c〇l)266、267其 中之一且進行冷卻，進而搬送至熱處理單元區塊（TB)232 15之傳遞單元（PASS)265。進行前述一連串處理時之基板g 的搬送處理係全部藉由第1搬送裝置233來進行。 接著，就顯像處理單元（DEV)224之構造詳細地說明。 第19圖係顯示顯像處理單元（DEV)224之概略構造的側視 圖，而第20圖為概略平面圖。顯像處理單元（DEV)224係 20由導入區224a、第1顯像液供給區224b、第2顯像液供給 區224c、液體去除/沖洗區224d、第1沖洗區224e、第2 沖洗區224f及乾燥區224g所構成。導入區224a與熱處理 單元區塊（TB)235之傳遞單元(PASS)273相鄰接，又，乾燥 區224g與i線UV照射單元（i —UV)225相鄰接。 44 1234796 玖、發明說明 於傳遞單元(PASS)273與i線UV照射單元（i —UV)225 間係設有藉由驅動馬達等使滾輪217旋轉而將滚輪217上 之基板G朝預定方向搬送之滾輪搬送機構214。藉由運轉 該滾輪搬送機構214,可以大致水平姿勢將基板G從傳遞 5 單元（PASS)273朝i線UV照射單元（i—UV)225搬送，且通 過顯像處理單元（DEV)224内部。為了於基板G不容易產 生撓曲等情形，滾輪217係於基板G之搬送方向（X方向） 及垂直於該搬送方向之Y方向設有預定數量。 又，於第20圖中，滾輪搬送機構214並未圖示。於顯 10 像處理單元（DEV)224中，亦可設置可於每處理區獨立驅動 之多數滾輪搬送機構214。例如，基板G可於傳遞單元 (PASS)273與導入區224a中藉由驅動第1馬達來搬送，且 於第1顯像液供給區224b與液體去除/沖洗區224d間藉由 驅動第2馬達來搬送，並於第2顯像液供給區224c至乾燥 15區224g間藉由驅動第3馬達來搬送。該滾輪搬送機構214 之分割驅動亦可例如於顯像處理單元（DEV)224中每個基板 G之搬送速度不同的領域進行。 傳遞單元(PASS)273係具有可自由升降之升降桿216。 20 若於用以保持基板G之第2搬送裝置说之基板保持臂部 294進入傳遞單帥ASS)273内之狀態下使升降桿216上升 ，則基板G會從基板保持臂部294接送至升降桿216。接 著’若在使基板保持臂冑294從傳遞單元(pAss)273退出 後使升降桿216下$ (PASS)273内之滾輪217 則基板G會載置於傳遞單元 •。藉由運轉滾輪搬送機構214， 45 1234796 玖、發明說明 基板G會從傳遞單元(PASS)273朝導入區224a搬出。 導入區224a係作為傳遞單元(PASS)273與第1顯像液 供給區224b間之緩衝領域而設者。該導入區224a係用以 防止因顯像液從第1顯像液供給區224b飛散至傳遞單元 5 (PASS)273等情形而污染傳遞單元(PASS)273。 第1顯像液供給區224b為對從導入區224a搬送過來 的基板G進行最初的顯像液佈滿（形成顯像液坑）之區域。 第1顯像液供給區224b包含有對基板G塗布顯像液之主 顯像液排出喷嘴251a與副顯像液排出喷嘴251b(以下，稱 10 作顯像噴嘴251a、251b)兩喷嘴、延伸於X方向之引導執 道259、與引導執道259相嵌合之滑動臂部258、使滑動臂 部258沿著引導執道259朝X方向移動之驅動機構（未圖示 )及安裝於滑動臂部258之升降機構（未圖示）。顯像喷嘴 251a、251b係安裝於該升降機構而可自由升降。 15 於顯像噴嘴251a、251b係從未圖示之顯像液供給源供 給顯像液。例如，在藉由升降機構調整顯像喷嘴251a、 251b與基板G之間隔後，一面使顯像喷嘴251a、251b移 動於與基板G之搬送方向相反方向，一面從顯像喷嘴251a 、251b將顯像液排出至基板G，藉此於基板G塗上顯像液 20 ° 又，適合以可延伸於基板G之寬度方向（Y方向）（參照 第20圖），且於其下端沿著長度方向形成縫隙狀排出口， 並從該縫隙狀排出口排出大致成帶狀的顯像液之構造作為 顯像喷嘴251a、251b。亦可以例如利用以預定間隔多數形 46 1234796 玖、發明說明 成多數圓形排出口來取代縫隙狀排出口者作為顯像喷嘴 251 a、25lb 〇 於第1顯像液供給區224b中，有時在將佈滿顯像液之 基板G朝液體去除/沖洗區224d搬送時，該顯像液會從基 5 板G上掉落。於第2顯像液供給區224c中，為了防土因 前述於搬送基板G途中從基板G掉落之顯像液使得顯像反

應無法進行，故塗上顯像液以重新將顯像液補充至基板G 〇 因此，於第2顯像液供給區224c中，與顯像喷嘴 10 251a、251b具有相同構造之顯像液補充喷嘴251c係固定 成其長度方向為Y方向。從顯像液補充喷嘴251c將大致 成帶狀之預定量顯像液排出至藉滾輪搬送機構214搬送之 基板G上。但，該第2顯像液供給區224c並非必要的。 基板G之顯像反應係於從第1顯像液供給區224b搬 15送至液體去除/沖洗區224d之間進行。相反地，考慮顯像 反應所需之時間來決定從第1顯像液供給區224b朝液體去 除/沖洗區224d搬送基板G的速度。

於液體去除/沖洗區224d中，將基板〇變換成傾斜姿 勢而使基板G上的顯像液流落，進而將純水等沖洗液排至 20保持傾斜姿勢之基板G表面，以洗去基板G上之顯像液。 為了進行該處理，液體去除/沖洗區224d包含有：未圖示 之基板傾斜機構，係藉由將基板G變換成傾斜姿勢以除去 塗布於基板G之顯像液者；沖洗喷嘴252,係用以將用來 洗去顯像液之沖洗液（純水）供給至保持傾斜姿勢之基板G 47 1234796 玖、發明說明 表面者；沖洗喷嘴臂部287，係用以保持沖洗喷嘴252者 :引導執道286，係與沖洗喷嘴臂部287相嵌合，且沿基 板G之搬送方向延伸而設者；及驅動機構288，係用以使 沖洗喷嘴臂部287沿著引導執道286移動者。 5 一面使沖洗噴嘴252沿著藉由基板傾斜機構而保持於 傾斜姿勢之基板G表面且從基板G上端朝下端移動，一面 從沖洗喷嘴252將沖洗液排至基板G，藉此洗去殘留於基 板G之顯像液。沖洗喷嘴252之移動可以例如500mm/秒 之高速來進行，如此一來，可在短時間内進行基板G之顯 10 像液去除。 為了以沖洗喷嘴252的一次移動使沖洗液佈滿基板G 全部，使用延伸於基板G之寬度方向（Y方向）且排出大致 成帶狀的沖洗液之沖洗喷嘴252是最理想的。從沖洗喷嘴 252排出喷霧狀沖洗液亦可。 15 於液體去除/沖洗區224d之顯像液去除處理中，顯像 液之去除並不完全，因此，於第1沖洗區224e與第2沖洗 區224f中，係一面搬送基板G，更一面將沖洗液供給至基 板G，以徹底地除去顯像液。 於第1沖洗區224e係設有多數沖洗喷嘴253a，且於 20 第2沖洗區224f亦設有多數沖洗喷嘴253b。沖洗喷嘴 253a、253b係分別於基板G之表面側與裡面側設有預定數 量。為了將沖洗液排至被搬送之基板G全部，使用延伸於 基板G之寬度方向（Y方向）且排出大致成帶狀的沖洗液者 作為沖洗喷嘴253a、253b是最理想的。又，於第1沖洗區 48 1234796 玖、發明說明 224e與第2沖洗區224f可構成一處沖洗區。 於業已通過第2沖洗區224f之基板G被搬送過來之乾 燥區224g中，一面以預定速度搬送基板G，一面將乾燥氣 體吹向基板G表面與裡面，而吹走附著於基板G之沖洗液 5 。為了進行該處理，於乾燥區224g設有：氣刀254a、 254b，係用以朝被搬送之基板G喷射空氣者；吹風機249 ，係用以朝氣刀254a、254b供給空氣者；喷射量控制裝置 247，係用以控制從吹風機249朝氣刀254a、254b供給之 空氣的流量、流速、風壓等者；及膜厚感測器248，係用 10 以測定形成於通過氣刀254b之基板G表面的沖洗液液膜（ 以下稱「水膜」）之厚度者。 氣刀254a、254b係具有較基板G之寬度更長的形狀 ，且可將空氣排至基板G之寬度方向全部。又，氣刀254a 、254b係安裝成其長度方向與基板搬送方向呈預定角度。 15 藉此，由於基板G表面之沖洗液藉由從氣刀254a、254b 吹出之乾燥氣體而聚集於後方邊緣，且隨後被吹走，故可 防止大量沖洗液殘留於基板G之邊緣部。 為了在從氣刀254a、254b朝基板G喷射之空氣中盡 量不含有粒子，故於用以連結吹風機249與氣刀254a、 20 254b之送風配管中内藏粒子捕集用過濾器。膜厚感測器 248係可測定Y方向多處之水膜厚度。可使用例如用以測 定顯現在基板G表面之干涉條紋或折射率的變化者，或者 CCD相機作為膜厚感測器248。 若從氣刀254a、254b將乾燥氣體吹向基板G，則於基 49 1234796 玖、發明說明 板G表面之沖洗的一部份會霧化，且霧會擴散於空中。在 藉由氣刀254a、254b使基板G完全乾燥後，若繞回基板 搬送方向前方的霧附著於基板G，則會產生污點等水痕。 因此，於乾燥區224g中並未使基板G表面完全乾燥 5 。即，於乾燥區224g中，在從設於基板搬送方向前方側之 氣刀254b吹送乾燥氣體後，水膜會殘留於基板G表面。 若該水膜之厚度為形成於光阻膜之顯像圖案的凹凸欲充分 埋沒在水膜中，則厚度有數//m至數十即可。 於乾燥區224g中，在從氣刀254b吹送乾燥氣體後， 10 形成於基板G之水膜的厚度係由膜厚感測器248來測定， 且其測定結果會傳送訊息至喷射量控制裝置247,而噴射 量控制裝置247則控制從吹風機249朝氣刀254a、254b之 送風量，使形成於基板G之水膜的厚度達到設定值。藉由 該反饋控制，可使形成於基板G之水膜的厚度固定。 15 如此一來，當水膜殘留於基板G時，即使沖洗液的霧 再附著於基板G，由於該霧會混入水膜，故可防止基板G 之水痕產生。又，該水膜不要形成於基板G裡面較理想。 此係由於一旦濕潤基板G裡面，則有時滾輪217的痕跡會 殘留於基板G裡面，且會降低基板G的品質。 20 當水膜形成於基板G表面時，由於無須將基板G表面 之沖洗液完全吹走，故可減少從氣刀254a、254b吹出之乾 燥氣體的量。例如，在利用空氣作為乾燥氣體時，當該空 氣從吹風機吹送至氣刀254a、254b時，則可減低吹風機運 轉負荷。又，由於藉由形成於基板G表面之水膜而減少基 50 1234796 玖、發明說明 板G之靜電蓄積量，故亦可抑制基板〇之損壞。 為了不於基板G產生水痕，在實驗性或經驗性地求得 可於基板G形成水膜之條件（由氣刀254a、254b之空氣喷 射條件）後’由例如膜厚感測器248來進行之水膜厚度測定 5則可確認性地進行或者省略。又，使用可於長度方向部分 性地改變所喷出之空氣的流速之構造作為氣刀254a、254b ’且考慮基板G之彎曲與基板G上之沖洗液的移動形態， 而部分性地改變從氣刀254a、254b噴出之乾燥氣體的流速 ，藉此可縮小形成於基板G之水膜的厚度分布。 10 完成乾燥區224g之乾燥處理後之基板G係藉由滾輪 搬送機構214搬送至i線UV照射單元（i —UV)225。基板G 係從此處搬送至後焙單元(P〇BAKE)278、279、280等且進 行熱處理，此時，形成於基板G之水膜則蒸發消失。 前述顯像處理單元（DEV)224之基板G的處理係首先 15 將搬入傳遞單元（PASS)273之基板G藉由滾輪搬送機構 214使其通過導入區224a且搬入第1顯像液供給區224b。 從傳遞單元(PASS)273朝第1顯像液供給區224b之基板G 的搬送速度為例如65mm/秒。 接著，於第1顯像液供給區224b中，以停止在預定位 20 置之狀態保持基板G，且一面以例如240mm/秒之速度，使 顯像喷嘴251a、251b從基板搬送方向前方朝後方移動，一 面於基板G表面塗上顯像液。在使基板G停止之狀態下， 顯像喷嘴251a、251b之驅動控制較容易。又，可穩定地將 顯像液佈滿於基板G上。 51 1234796 玖、發明說明 使滾輪搬送機構214動作且以例如46mm/秒的搬送速 度將完成第1顯像液供給區224b之液體佈滿後之基板g 朝第2顯像液供給區224c搬送。當基板〇通過第2顯像 液供給區224c時，係從顯像液補充噴嘴251c於基板g上 5補充顯像液’而於搬送基板G時，則補充從基板G掉落之 顯像液。 搬送至第2顯像液供給區224c之基板G係進一步搬 送至液體去除/沖洗區224d，且於此將基板G變換成傾斜 姿勢而使基板G上之顯像液流落。且，從基板g流落之顯 1〇像液則回收且再利用。與基板G達到預定傾斜角度大約同 時，一面從沖洗喷嘴252以整體例如20dm3/分之排出量將 預定沖洗液朝基板G排出，一面使沖洗喷嘴臂部87以例 如500mm/秒的速度沿著基板G表面移動。 接著，以例如46mm/秒之搬送速度將基板G搬送至第 15 1沖洗區224e，且於此一面以該搬送速度搬送基板g —面 將沖洗液排至基板G表面與裡面，以進行附著於基板G之 顯像液的去除。通過第1沖洗區224e之基板G係搬入第2 沖洗區224f，且於此再進行沖洗處理。第2沖洗區224f之 基板G的搬送速度宜較第1沖洗區224e之基板G的搬送 20 速度更慢（例如36mm/秒）。藉此可進行更精密之沖洗處理 〇 通過第2沖洗區224f之基板G係搬入乾燥區224g。 於乾燥區224g中，一面以例如46mm/秒之搬送速度搬送基 板G，一面從氣刀254a、254b將乾燥氣體吹向基板G，以 52 1234796 玖、發明說明

於基板G表面形成預定厚度之水膜。完成乾燥區224g之 處理後之基板G係藉由滾輪搬送機構214搬送至i線UV 照射單元（i—UV)225，且於此接受預定之紫外線照射處理 〇 5 接著，就乾燥區224g之另一實施形態加以說明。第 21圖係顯示乾燥區224g之另一實施形態（設成「乾燥區 224g’」）的侧視圖，而第22圖為其平面圖。乾燥區224g’ 包含有設於第2沖洗區224f側之基板乾燥處理部246a及 設於i線UV照射單元（i —UV)225側之水膜形成處理部 10 246b 。 基板乾燥處理部246a包含有氣刀254a、254b、吹風 機249及喷射量控制裝置247。該等係指設於第19圖及第 20圖之乾燥區224g内者。於基板乾燥處理部246a中，係 進行利用氣刀254a、254b將空氣吹向基板G藉此吹走附 15 著於基板G之沖洗液之處理。於此，亦可從氣刀254a、 254b喷出空氣以大致完全地吹走附著於基板G之沖洗液， 另一方面，亦可從氣刀254a、254b喷出空氣以於基板G 表面形成預定厚度之水膜。 於水膜形成處理部246b中，一面以大致水平姿勢搬送 20 業已通過基板乾燥處理部246a之基板，一面將水蒸氣供給 至基板，藉此於基板G表面形成水膜。因此，水膜形成處 理部246b包含有：膜厚感測器248，係用以測定形成於業 已通過基板乾燥處理部246a之基板之水膜的厚度；水蒸氣 供給喷嘴289a，係根據膜厚感測器248之測定結果而選擇 53 1234796 玖、發明說明 性地將水蒸氣供給至液膜厚度未達到預定值之部分（包含完 全乾燥之部分）；及水蒸氣供給控制裝置290，係根據來自 膜厚感測器248之訊息而控制從水蒸氣產生裝置289b供給 至水蒸氣供給喷嘴289a之水蒸氣量。於水蒸氣產生裝置 5 289b產生之水蒸氣係藉氮氣（N2)來加壓且朝水蒸氣供給喷 嘴289a供給。 膜厚感測器248係可測定Y方向多處之水膜厚度。於 水蒸氣產生裝置289b產生之水蒸氣係藉氮氣(N2)來加壓且 朝水蒸氣供給喷嘴289a供給。第23圖係更詳細地顯示朝 10 水蒸氣供給喷嘴289a供給水蒸氣之形態的說明圖。水蒸氣 供給噴嘴289a係藉由於一個方向多數連續設置設有水蒸氣 排出口之噴嘴構件301，而於一個方向呈長條形。 為了可從多數喷嘴構件301分別喷出水蒸氣，故從水 蒸氣產生裝置289b朝多數喷嘴構件301分別設有用以供給 15 水蒸氣之配管，且於該等配管分別設有開關閥302。開關 閥302之開關動作係由水蒸氣供給控制裝置290來控制。 從設於喷嘴構件301之水蒸氣排出口喷出成圓錐放射狀的 水蒸氣，且將水蒸氣吹向基板G。 第24圖係顯示乾燥區224g’之處理步驟的說明圖（流程 20 圖）。首先，從氣刀254a、254b將空氣吹向基板G，以從 基板G吹走之沖洗液。接著，藉由膜厚感測器248來測定 形成於基板G表面之水膜的厚度。 當由該膜厚感測器248所測出之測定結果顯示出基板 G表面之濕潤狀態良好，即，順利地於基板G表面形成大 54 1234796 玖、發明說明 致固定厚度的水膜，且水膜厚度分布亦大致固定之狀態時 ，並不進行從水蒸氣供給喷嘴289a對基板G喷出水蒸氣 ，而將基板G朝i線UV照射單元（i-UV)225搬出。另一 方面，當由該膜厚感測器248所測出之測定結果顯示出基 5 板G表面之濕潤狀態不佳，即，水膜完全未形成，或水膜 厚度有一部份未達到預定厚度，或者水膜厚度分布之誤差 大之狀態時，係從水蒸氣供給喷嘴289a將水蒸氣吹向基板 G，且藉此於基板G形成預定厚度之水膜。 此時，由於水蒸氣供給喷嘴289a可由多數喷嘴構件 10 301來構成，且可從各喷嘴構件301分別喷出水蒸氣，故 可根據膜厚感測器248之測定結果，而僅將水蒸氣吹向水 膜薄的部分。藉此，不會增加水膜整體的厚度，而可縮小 水膜之厚度分布。如此一來，形成有水膜之基板G係朝i 線UV照射單元（i-UV)225搬出。 15 當使用具前述構造之乾燥區224g’時，於通過基板乾 燥246時，因從氣刀254a、254b吹送之空氣而產生之沖洗 液的霧即使附著於其後業經乾燥之基板G，亦由於後來水 膜會均勻地形成，故可抑制起因於霧之水痕產生。 又，亦可使用可移動於Y方向，且可藉由於Y方向進 20 行掃描來測定基板G整體之水膜厚度者作為膜厚感測器。 同樣地，亦可使用可移動於Y方向，且藉由於Y方向進行 掃描而選擇性地將水蒸氣供給至水膜厚度未達到預定值的 部分並形成水膜者作為水蒸氣供給喷嘴。 接著，就乾燥區224g之另一實施形態加以說明。第 55 1234796 玖、發明說明 25圖係顯示乾燥區224g之另一實施形態（設成「乾燥區 224g’’」）的側視圖。於乾燥區224g’’係設有氣刀254a、 254b及用以將空氣供給至氣刀254a、254b之吹風機249， 又，於設有基板搬送方向前方側之氣刀254b的位置，設有 5 用以隔開基板搬送方向後方側之空間（後方空間）299a與前 方側之空間（前方空間）299b之隔板298。 於該乾燥區224g”中，係首先從氣刀254a將空氣吹向 基板G。於此，為了使於基板G中從氣刀254a吹送空氣 之部份（通過氣刀254a之部份）不要完全乾燥，故控制從氣 10 刀254a喷出之空氣量，即，從吹風機249朝氣刀254a吹 送之空氣量。藉此，因從氣刀254a將空氣吹向基板G而 產生之沖洗液的霧即使附著於移動至例如較氣刀254a更前 方之基板搬送方向前方側之基板G的一部份，亦由於水膜 殘留於該部分，故可防止水痕產生於基板G。

15 接著從氣刀254b將空氣吹向通過氣刀254a之基板G 。此時雖然亦因從氣刀254b將空氣吹向基板G而從基板 G產生沖洗液的霧，但由於從氣刀254b朝斜後方噴出空氣 ，故該霧不會通過氣刀254b與基板G之間隙且擴散至前 方空間299b，而是朝後方空間299a擴散，且該霧由於有 20 隔板298，故無法從後方空間299a朝前方空間299b擴散 。如此一來，可一面利用氣刀254a、254b使基板G完全 乾燥，一面防止霧附著於基板G。 以上雖然已就本發明之其他實施形態加以說明，但本 發明不限於前述形態。例如，於上述說明中，雖然已就於 56 1234796 玖、發明說明 乾燥區224g中利用空氣使基板G乾燥之情形加以說明， 但亦可利用其他例如氮氣之氣體使基板G乾燥。此時，亦 可利用高壓儲氣瓶或氮氣供給用工廠配管等氮氣供給裝置 來取代吹風機249，且藉由喷射量控制裝置247來控制從 5 該等氮氣供給裝置至氣刀254a、254b之氮氣供給量等。 又，於上述說明中，雖然因使用純水作為沖洗液而藉 由於基板G形成水膜來防止基板G之水痕的產生，但，當 利用例如純水以外的處理液來進行液處理時，亦可將處理 液之蒸氣吹向基板，以於基板形成該處理液之膜。 10 本發明並不限於LCD玻璃基板，用於其他用途之玻璃 基板或半導體晶圓、其他陶瓷基板等之液處理與附帶在該 液處理之乾燥處理亦可適用。 如上所述，根據本發明，可防止水痕等產生於基板上 ，並可提高基板品質。又，當於基板表面形成處理液之液 15 膜時，基板之靜電蓄積量會減少，藉此不易損壞基板。又 ，在因於基板形成液膜故不會完全吹走基板表面之處理液 之情形下，可減少所使用之乾燥氣體量，並可降低製造成 本0 I：圖式簡單說明 20 第1圖係顯示可適用本發明之基板處理裝置的塗布顯 像處理系統之構造的平面圖。 第2圖係顯示第1圖之塗布顯像處理系統中熱處理部 的構造之側視圖。 第3圖係顯示第1圖之塗布顯像處理系統的處理順序 57 1234796 玖、發明說明 之流程圖° 第4圖係顯示實施形 側視圖 處理單元的整體構造之 視圖 第5圖係顯示實施形態中喷嘴⑽機構的構造例之透 第6圖係顯示實施形態中的外觀之透視圖 第7圖係顯示實施形態中供給機構的構造之方塊圖。 第8圖係顯示實施形態中的配置構成之側視圖。 第9圖係顯示實施形態中的配置構成之平面圖。 第10圖係顯示實施形態中的噴嘴掃描作用之側視圖， 第10(A)圖及第1〇(Β)圖係各別顯示噴嘴的掃描方向與基板 的搬送方向相反及喷嘴的掃描方向與基板的搬送方向一致 的情形。 第11圖係顯示實施形態中機構的作用之側視圖，第 15 11(A)圖係顯示將水蒸氣吹向基板上下兩面之情形，第 11(B)圖係顯示沖洗液液膜從基板後端落下之情形，第 11 (C)圖係顯示沖洗液從基板完全脫落之情形。 第12圖係顯示實施形態中機構的作用之平面圖。 第13圖係顯示實施形態中乾燥部的一變形例之側視圖 20 〇 第14圖係顯示實施形態中乾燥部的一變形例之側視圖 第15圖係另一其他實施形態之塗布顯像處理系統的概 略平面圖。 58 1234796 玖、發明說明 第16圖係顯示第15圖所示之塗布顯像處理系統之第 1熱處理部的側視圖。 第17圖係顯示第15圖所示之塗布顯像處理系統之第 2熱處理部的側視圖。 5 第18圖係顯示第15圖所示之塗布顯像處理系統之第 3熱處理部的側視圖。

第19圖係顯示另一實施形態之顯像處理單元的概略構 造之側視圖。 第20圖係顯示第19圖所示之顯像處理單元的概略構 10 造之平面圖。 第21圖係顯示用以構成顯像處理單元之乾燥區域的另 一實施形態之概略側視圖。 第22圖係第21圖所示之乾燥區域的概略平面圖。

第23圖係顯示朝設於第21圖及第22圖所示之乾燥區 15 域的水蒸氣供給噴嘴供給水蒸氣的狀態之說明圖。 第24圖係顯示於第21圖及第22圖所示之乾燥區域的 處理步驟之說明圖。 第25圖係顯示用以構成顯像處理單元之乾燥區域的另 一實施形態之概略側視圖。 20 【圖式之主要元件代表符號表】 10...塗布顯像處理系統 18...介面站 12…曝光裝置 20.··卡匣台 14·.·卡匣站 22...搬送機構 16··.處理站 22a.··搬送臂部 59 1234796 玖、發明說明 24…洗淨程序部 26…第1熱處理部 28…塗布程序部 30…第2熱處理部 32…顯像程序部 34.. .脫色程序部 36…第3熱處理部 38.. .輔助搬送空間 40…往復搬運車 41…激分子UV照射單元 42…洗刷洗淨單元 44···多段單元部 46…搬送機構 48…多段單元部 50.. .傳遞單元 52、54···加熱單元 56…黏著單元 60…傳遞單元 62、64···冷卻單元 66…黏著單元 68…引導執道 70…升降搬送體 72.··迴轉搬送體 74…搬送臂部 76···驅動部 78···驅動部 80···驅動部 82.. .光阻塗布單元 84.. .減壓乾燥單元 86…邊緣去除單元 88···多段單元部 90…搬送機構 92···多段單元 94···顯像處理單元 96.」線UV照射單元 98、102···多段單元部 100…搬送機構 104.. .搬送裝置 104a···搬送臂部 105…緩衝台 106··.伸展·冷卻台 108".搬送路 110.. .周邊裝置、基板搬入部 112…顯像部 114…沖洗部 116.··乾燥部

60 1234796 玖、發明說明 118...基板搬出部 178…水蒸氣供給機構 120...升降桿 180…水蒸氣產生部 122…升降桿 182…氣體供給部 124...預濕部 184···送風機 126.··顯像液供給部 186…水蒸氣導入口 128.··顯像液滴落部 188···緩衝室 130…級傾斜機構 190...喷出部 132、134、136、138…盤 192.··整流用多孔板 140、142、144、146···排液管 201···卡匣站 148…搬送滾輪 202...處理站 150…噴嘴搬送體 203...介面站 152…掃描驅動部 204…曝光裝置 154…垂直支持構件 210…搬送路 156…連續環帶 211…搬送機構 158···驅動滑輪 21 la···搬送臂部 160...自由旋轉滑輪 214…滾輪搬送機構 162...電動馬達 216···升降桿 166...升降驅動部 217···滾輪 168…水平支持桿 221…洗刷洗淨處理單元 170…垂直支持桿 222…激分子UV照射單元 172...處理液供給管 223…光阻處理單元 174·.·喷出口 223a…光阻塗布處理裝置 176..冰蒸氣供給管 223b...減壓乾燥裝置

61 1234796 玖、發明說明 223c...邊緣光阻去除裝置 245...外部裝置區塊 224...顯像處理單元 246a…基板乾燥處理部 224a···導入^區 246b…水膜形成處理部 224b...第1顯像液供給區 247…喷射量控制裝置 224c…第2顯像液供給區 248...膜厚感測器 224d…液體去除/沖洗區 249…口饿機 224e…第1沖洗區 251a、251b···顯像喷嘴 224f...第2沖洗區 251c...顯像液補充噴嘴 224g、224g，、224g”…乾燥區 252…沖洗喷嘴 225...i線UV照射單元 253a、253b···沖洗喷嘴 226…第1熱處理部 254a、254b···氣刀 227…第2熱處理部 258…滑動臂部 228…第3熱處理部 259…引導執道 231、232···熱處理單元區塊 261...傳遞單元 233…第1搬送裝置 262、263.··脫水烘焙單元 234、235…熱處理單元區塊 264·.·黏著處理單元 236…第2搬送裝置 265…傳遞單元 240...空間 266、267···冷卻單元 241…往復搬運車 268...黏著處理單元 242…搬送裝置 269…傳遞單元 242a···搬送臂部 270、27卜272…預焙單元 243···緩衝台 273...傳遞單元 244...伸展·冷卻台 274.··冷卻單元

62 1234796 玖、發明說明 275、276…預焙單元 278、279、280...後焙單元 281…後焙單元 282…傳遞·冷卻單元 283、284…後培單元 286·.·引導執道 287…沖洗喷嘴臂部 288"·驅動機構 289a.··水蒸氣供給喷嘴 289b...水蒸氣產生裝置 290…水蒸氣供給控制裝置 291."引導執道 292·.·升降構件 293.。·基台構件 294...基板保持臂部 295、296、297···馬達 298…隔板 299a...後方空間 299b...前方空間 300…塗布顯像處理系統 301…噴嘴構件 302...開關閥 C…卡匣 N…可動喷嘴 SC、SCP、SCN、SCR…喷嘴掃描 機構 PN…預濕液供給喷嘴 DN、 DNa、DNb…顯像液供給喷嘴 RN…沖洗液供給喷嘴 VN...氣刀 VNU…上部氣刀 VNL…下部氣刀 TITLER…字幕編輯器 EE. ..周邊曝光裝置 G…勒反 A、B...生產線 RU、RL…沖洗液 Μ…水膜 Q···處理液

63

Claims (1)

1234796 拾、申請專利範圍 .種液處理方法，係對基板供給處理液且進行處理者 ，該液處理方法包含有： 第1步驟，係一面以大致水平的姿勢搬送基板，一 . 面將預疋處理液供給至前述基板且進行液處理者；及 第2步驟，係於前述液處理後，一面以大致水平的 姿勢搬送前述基板，一面將蒸氣吹向前述基板而從前 述基板上將液體掃出者。 2· ^申請專利範圍帛！項之液處理方法，更包括於前述 φ 第2步驟後藉由自然乾燥而使殘留於前述基板表面之 液體蒸發之步驟。 · 如申哨專利範圍第！項之液處理方法，更包括於前豸 · 第2步驟後藉由加熱處理而使殘留於前述基板表面之 液體蒸發之步驟。 4. -種液處理褒置，係對基板供給處理液且進行液處理 者，該液處理裝置包含有： 搬运路，係以大致水平的姿勢於水平方向搬送S Φ 板者； 液處理σ[5，係於前述搬送路上將預定處理液供給 至刖述基板且進行液處理者；及 ， 乾燥處理部，係具有一個或多個用以喷射蒸氣之 蒸=喷嘴，且於前述液處理部之下游側的搬送路上， 伙刖述蒸氣喷嘴將瘵氣吹向前述基板而從前述基板上 將液體掃出者。 5·如申請專利範圍第4項之液處理裝置，其中前述乾燥 64 1234796 拾、申請專利範圍 處理部係具有用以使預定液體蒸發且產生蒸氣之蒸氣 生成機構及用以使前述蒸氣與其他氣體混合且使其屢 力上升之升壓機構。 、 前述乾燥 6·如申請專利範圍第4項之液處理裝置，其中 處理部係具有·· 第1蒸氣係於第1位置將蒸氣從前述搬送路 上方吹向前述基板上面者；及 第2蒸氣喷嘴，係於第2位置將蒸氣從前述搬送路 下方吹向前述基板下面者。 10 8. 15 如申請專利第6項之液處縣置，其巾前述第2 位置係設定在沿著前述搬送路且緊接前述第！位置之 下游側之位置。 如申請專圍第6項之液處縣置，其中前述第2 位置係設定在隔㈣述搬送路而與前述第丨位置大致 相反側之位置。 橫方向傾斜地配置。 10.如申請專利範圍第4 處理部係具有·· 9.如申請專利範圍第6項之液處理裝置，其中前述第i 蒸乱喷嘴及第2蒸氣噴嘴係相對於前述搬送路之左右 20 項之液處理裝置，其中前述乾燥 蒸氣喷嘴，係於第u 系位置將4氣從前述搬送路上方 吹向前述基板上面者；及 氣體噴嘴，係於第2位 位置將瘵軋以外的氣體從前述 搬送路下方吹向前述基板下面者。 65 1234796 拾、申請專利範圍 11· 一種液處理方法，係對基板供給處理液且進行處理者 ，該液處理方法包含有： 第1步驟，係一面以大致水平的姿勢搬送基板，一 面將預定處理液供給至前述基板且進行液處理者； 第2步驟’係_面以大致水平的姿勢搬送業已完成 前述液處理之基板，一面利用氣體喷嘴將乾燥氣體噴 至前述基板，使前述處理液之液膜殘留於前述基板表 面；及 10 15 20 第3步驟，係藉由加熱處理業已完成前述第2步驟 之基板，而使殘留於前述基板表面之處理液蒸發。 •如申請專利範圍$ U項之液處理方法，其中於前述第 2步驟巾’敎形成於藉由前述氣體㈣吹來乾燥氣 體之部分的液膜厚度，且根據該測定結果來調整從前 述氣體喷嘴吹出之乾燥氣體的量，使形成於前述基板 之液膜達到預定膜厚。 .-種液處料置，係對基板供給處理液料行液處理 者，該液處理裝置包含有·· 液處理。P，係一面以大致水平的姿勢搬送基板， 一面將預定處理液供^前述基板且進行液處理者； I燥&里’係具有用以將乾燥氣體喷至基板之 孔體喷嘴I面以大致水平的姿勢搬送業已完成前 述液處理部之處理的其士 。 处理的基板，一面利用前述氣體喷嘴將 乾燥氣體喷至前述基板者；及 喷射量控制機構，係於前述乾燥處理部中，控制 66 1234796 拾、申請專利範圍 為了於前述基板形成前述處理液之液膜而從前述氣體 噴嘴喷出之乾燥氣體的流速者。 14·如申請專利範圍第13項之液處理裝置，其中前述乾燥 處理部係具有： 5 氣體供給機構，係用以將預定量之乾燥氣體供給 至前述氣體喷嘴；及 感測器’係用以測定在從前述氣體喷嘴將乾燥氣 體吹向前述基板後所形成之處理液的液膜厚度， 又’前述喷射量控制機構係根據由前述感測器所 1〇 測定之液膜厚度來調整從前述氣體供給機構供給至前 述氣體噴嘴之乾燥氣體的量，使形成於前述基板表面 之液膜的厚度達到預定厚度。 I5·—種液處理方法，係對基板供給處理液且進行處理者 ’該液處理方法包含有： 15 第1步驟，係一面以大致水平的姿勢搬送基板，一 面將預定處理液供給至前述基板且進行液處理； 第2步驟，係藉由一面以大致水平的姿勢搬送業已 完成前述液處理之基板，一面利用氣體喷嘴將乾燥氣 體喷至前述基板，而吹走附著於前述基板表面之處理 20 液； 第3步驟，係藉由將水蒸氣供給至業已完成前述第 2步驟之基板的表面，而於前述基板表面形成水膜，·及 第4步驟，係藉由加熱處理業已完成前述第3步驟 之基板，而使前述基板表面之水分蒸發。 67 I234796 拾、申請專利範圍 如申請專利第15項之輯理方法，其中於前述第 2步驟中，調整從前述氣體噴嘴吹出之乾燥氣體的量 ，使前述處理液之液膜以預定厚冑形成於前述基板表 面， 又’於前述第3步驟中’ 1測定前述液膜之厚度 ，一面根據該測定結果藉由選擇性地將水蒸氣供給至 前述液膜之厚度未達到預定厚度之部分來調整形成於 前述基板之液膜的厚度。 一種液處理裝置，係對基板供給處理液且進行液處理 者，該液處理裝置包含有： 液處理部，係一面以大致水平的姿勢搬送基板， 一面將預定處理液供給至前述基板且進行液處理者； 乾燥處理部，係具有用以將乾燥氣體噴至基板之 氣體噴嘴，且藉由一面以大致水平的姿勢搬送業已完 成前述液處理部之處理的基板，一面利用前述氣體噴 嘴將乾燥氣體喷至前述基板，以吹走附著於前述基板 之處理液者；及 水膜形成處理部，係藉由一面以大致水平的姿勢 搬送業已通過前述乾燥處理部之基板，一面將水蒸氣 供給至前述基板，以於前述基板表面形成水膜者。 18·如申請專利範圍第17項之液處理裝置，其中前述乾燥 處理部包含有： 氣體供給機構，係用以將預定量之乾燥氣體供給 至前述氣體喷嘴者； 68 1234796 拾、申請專利範圍 感測器’係用以測定在從前述氣體喷嘴將乾燥氣 體吹向前述基板後所形成之處理液的液膜厚度；及 控制裝置，係根據由前述感測器所測定之液膜的 厚度來調整從前述氣體供給機構供給至前述氣體喷嘴 之乾燥氣體流量，使形成於前述基板表面之液膜的厚 度達到預定厚度。

19.如申請專利範圍帛17項之液處理裝置，其中前述水膜 形成處理部包含有： 感測器，係用以測定形成於業已通過前述乾燥處 理部之基板之前述處理液的液膜厚度；及 水蒸氣供給噴嘴，係根據前述感測器之測定結果 而選擇性地將水蒸氣供給至前述液膜未達到預定厚度 之部分。 15 20. -種液處理裝置’係對基板供給處理液且進行液處理 者，該液處理裝置包含有·· 20 成前述液處理部之處理的基板 嘴將乾燥氣體噴至前述基板， 之處理液者；及 液處理部，係一面以大致水平的姿勢搬送基板， -面將預定處理液供給至前述基板且進行液處理者； 乾燥處理部，係具有用以將乾燥氣體噴至基板之 氣體喷嘴，且藉由一面以大致水平的姿勢搬送業已完 ’ 一面利用前述氣體喷 以吹走附著於前述基板 送方向之後方側的空間與前方側

隔板’係、於設有前錢財嘴之位置，將基板搬 的空間隔開，以使於 69 1234796 拾、申請專利範圍 前述乾燥處理部中利用前述氣體喷嘴將乾燥氣體喷至 前述基板而產生之處理液的霧不會返回到基板搬送方 向之前方側。 10 15

鬌 70 20