JP2001255668A - 湿式処理方法及び装置 - Google Patents
湿式処理方法及び装置Info
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- JP2001255668A JP2001255668A JP2000066673A JP2000066673A JP2001255668A JP 2001255668 A JP2001255668 A JP 2001255668A JP 2000066673 A JP2000066673 A JP 2000066673A JP 2000066673 A JP2000066673 A JP 2000066673A JP 2001255668 A JP2001255668 A JP 2001255668A
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- processing
- substrate
- liquid
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板に付着した処理液をエアナイフで分離除
去する際に処理液が乾燥して結晶化するのを防止すると
ともに、処理室の排気によって循環使用している処理液
の濃度が上昇するのを防止し、パターニング不良を低減
する。 【解決手段】 基板３に処理液ノズル５から処理液を散
布して処理を行った後、エアナイフ６から基板３に向け
て処理液の溶媒ミストを含むエアや不活性ガスなどの気
体を噴出することにより基板３上の処理液を除去し、処
理液が乾燥して結晶化するのを防止するようにした。
去する際に処理液が乾燥して結晶化するのを防止すると
ともに、処理室の排気によって循環使用している処理液
の濃度が上昇するのを防止し、パターニング不良を低減
する。 【解決手段】 基板３に処理液ノズル５から処理液を散
布して処理を行った後、エアナイフ６から基板３に向け
て処理液の溶媒ミストを含むエアや不活性ガスなどの気
体を噴出することにより基板３上の処理液を除去し、処
理液が乾燥して結晶化するのを防止するようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、現像液、剥離液、
エッチング液等の処理液を用いて基板に対して所定の処
理を行う湿式処理方法及び装置に関するものである。
エッチング液等の処理液を用いて基板に対して所定の処
理を行う湿式処理方法及び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】湿式処理は、半導体集積回路、液晶デバ
イス、カラーフィルタ等の製造工程において用いられる
ネガレジスト、ポジレジスト、カラーレジスト、保護膜
形成用オーバーコート材等のレジスト薄膜に対して、Ｔ
ＭＡＨ、ＫＯＨ、ＮａＯＨ等のアルカリ液を用いて現像
処理を行う際、若しくは有機アミン系等の有機剥離液を
用いて剥離処理を行う際、また半導体集積回路、液晶デ
バイス、カラーフィルタ、プラズマディスプレイ等の製
造工程において用いられる金属薄膜等に対して、塩酸
系、硝酸系、蓚酸系、燐硝酸系等のエッチング液を用い
てエッチング処理を行う際などに広く適用されている。
イス、カラーフィルタ等の製造工程において用いられる
ネガレジスト、ポジレジスト、カラーレジスト、保護膜
形成用オーバーコート材等のレジスト薄膜に対して、Ｔ
ＭＡＨ、ＫＯＨ、ＮａＯＨ等のアルカリ液を用いて現像
処理を行う際、若しくは有機アミン系等の有機剥離液を
用いて剥離処理を行う際、また半導体集積回路、液晶デ
バイス、カラーフィルタ、プラズマディスプレイ等の製
造工程において用いられる金属薄膜等に対して、塩酸
系、硝酸系、蓚酸系、燐硝酸系等のエッチング液を用い
てエッチング処理を行う際などに広く適用されている。
【０００３】そして、半導体集積回路、液晶デバイス、
カラーフィルタ等の製造工程においては、多数回の現
像、エッチング、剥離処理が必要である。すなわち、現
像液、剥離液、エッチング液（以下、処理液と称する）
を大量に使用するため、現像、剥離、エッチング等の各
処理装置内で、処理液で処理した後、処理対象の基板に
付着した処理液をエアナイフで分離除去し、その後、純
水や有機溶剤（以下、洗浄液と称する）で洗浄するのが
一般的である。
カラーフィルタ等の製造工程においては、多数回の現
像、エッチング、剥離処理が必要である。すなわち、現
像液、剥離液、エッチング液（以下、処理液と称する）
を大量に使用するため、現像、剥離、エッチング等の各
処理装置内で、処理液で処理した後、処理対象の基板に
付着した処理液をエアナイフで分離除去し、その後、純
水や有機溶剤（以下、洗浄液と称する）で洗浄するのが
一般的である。
【０００４】従来のこの種の湿式処理装置の概略構成を
図２を参照して説明する。図２において、１は処理室、
２は洗浄室であり、これらの室が連続して配設されると
ともに、その下部に処理対象である基板３を搬送する搬
送コンベア４が配設されている。また、処理前後の基板
３を搬送コンベア４に対して移載する移載手段（図示せ
ず）が設けられている。
図２を参照して説明する。図２において、１は処理室、
２は洗浄室であり、これらの室が連続して配設されると
ともに、その下部に処理対象である基板３を搬送する搬
送コンベア４が配設されている。また、処理前後の基板
３を搬送コンベア４に対して移載する移載手段（図示せ
ず）が設けられている。
【０００５】処理室１の上部には、基板３に所定の処理
を行うため、搬送コンベア４で搬送される基板３に向け
て現像液やエッチング液や剥離液などの処理液を散布す
る処理液ノズル５が配設されている。また、処理室１の
搬送方向終端位置には基板３に付着した処理液を基板３
から分離除去するエアナイフ６が配設されている。処理
室１の上壁には、処理液が蒸発した際、若しくは基板３
に付着した処理液をエアナイフ６で分離除去する際に発
生した処理液ミストを排気する排気口７が設けられ、排
気手段（図示せず）に接続されている。また、処理室１
の底壁には処理液の廃液を回収する処理液タンク８が接
続され、この処理液タンク８に回収した処理液を循環ポ
ンプ９で処理液ノズル５に供給するように構成されてい
る。
を行うため、搬送コンベア４で搬送される基板３に向け
て現像液やエッチング液や剥離液などの処理液を散布す
る処理液ノズル５が配設されている。また、処理室１の
搬送方向終端位置には基板３に付着した処理液を基板３
から分離除去するエアナイフ６が配設されている。処理
室１の上壁には、処理液が蒸発した際、若しくは基板３
に付着した処理液をエアナイフ６で分離除去する際に発
生した処理液ミストを排気する排気口７が設けられ、排
気手段（図示せず）に接続されている。また、処理室１
の底壁には処理液の廃液を回収する処理液タンク８が接
続され、この処理液タンク８に回収した処理液を循環ポ
ンプ９で処理液ノズル５に供給するように構成されてい
る。
【０００６】洗浄室２の上部には、処理液を分離除去さ
れた基板３をさらに洗浄するため、搬送コンベア４で搬
送される基板３に向けて洗浄液を散布する洗浄液ノズル
１０が配設されている。また、洗浄室２の搬送方向終端
位置には、基板３に付着した洗浄液を基板３から分離除
去するエアナイフ１１が配設されている。洗浄室２の底
壁には洗浄液の廃液を回収する洗浄液タンク１２が接続
されている。また、洗浄液ノズル１０に洗浄液を供給す
る圧送手段（図示せず）が設けられている。
れた基板３をさらに洗浄するため、搬送コンベア４で搬
送される基板３に向けて洗浄液を散布する洗浄液ノズル
１０が配設されている。また、洗浄室２の搬送方向終端
位置には、基板３に付着した洗浄液を基板３から分離除
去するエアナイフ１１が配設されている。洗浄室２の底
壁には洗浄液の廃液を回収する洗浄液タンク１２が接続
されている。また、洗浄液ノズル１０に洗浄液を供給す
る圧送手段（図示せず）が設けられている。
【０００７】エアナイフ６にはエア供給配管１３にてエ
ア若しくはＮ2 、Ａｒ等の不活性ガスを供給するように
構成され、同じくエアナイフ１１にもエア供給配管１４
にてエア若しくはＮ2 、Ａｒ等の不活性ガスを供給する
ように構成されている。
ア若しくはＮ2 、Ａｒ等の不活性ガスを供給するように
構成され、同じくエアナイフ１１にもエア供給配管１４
にてエア若しくはＮ2 、Ａｒ等の不活性ガスを供給する
ように構成されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような構成では、基板３に付着した処理液をエアナイフ
６で分離除去する際に、処理液が乾燥し、結晶化した処
理剤が基板３に固着してしまい、一旦固着した処理剤の
結晶は、洗浄室２での洗浄では容易に除去できなくな
る。そのため、基板３上に固着した処理剤の結晶が残る
ことにより、所望のパターニングが行えなくなるという
問題があった。
ような構成では、基板３に付着した処理液をエアナイフ
６で分離除去する際に、処理液が乾燥し、結晶化した処
理剤が基板３に固着してしまい、一旦固着した処理剤の
結晶は、洗浄室２での洗浄では容易に除去できなくな
る。そのため、基板３上に固着した処理剤の結晶が残る
ことにより、所望のパターニングが行えなくなるという
問題があった。
【０００９】また、処理液のミストを排気しているた
め、循環使用している処理液溶媒が蒸発し、処理液の濃
度が上昇し、結果として時間経過とともに処理速度が変
化し、基板３の処理均一性が悪化するという問題があっ
た。
め、循環使用している処理液溶媒が蒸発し、処理液の濃
度が上昇し、結果として時間経過とともに処理速度が変
化し、基板３の処理均一性が悪化するという問題があっ
た。
【００１０】例えば、現像装置であれば、基板３に付着
したレジスト成分が溶解している現像液がエアナイフ６
で分離除去される際に乾燥し固着することにより、本来
レジストを除去すべきところに結晶物が残り、その部分
がエッチング工程で膜残りとなり、最終的にショート不
良などのトラブルを発生する。また、排気により循環使
用する現像液の溶媒が蒸発することにより現像液濃度が
上昇し、現像速度が速くなり、所望の線幅のパターニン
グが得られず、結果として形成するトランジスタの特性
が所望のものと違ってしまうというトラブルが発生す
る。
したレジスト成分が溶解している現像液がエアナイフ６
で分離除去される際に乾燥し固着することにより、本来
レジストを除去すべきところに結晶物が残り、その部分
がエッチング工程で膜残りとなり、最終的にショート不
良などのトラブルを発生する。また、排気により循環使
用する現像液の溶媒が蒸発することにより現像液濃度が
上昇し、現像速度が速くなり、所望の線幅のパターニン
グが得られず、結果として形成するトランジスタの特性
が所望のものと違ってしまうというトラブルが発生す
る。
【００１１】また、レジスト剥離装置であれば、基板３
に付着したレジスト成分が溶解している剥離液がエアナ
イフ６で分離除去される際に乾燥し固着することによ
り、本来レジストを除去すべきところに結晶物が残る。
その後の成膜工程で、ＳｉＮｘ等の絶縁膜、Ａｌ、Ｔ
ｉ、Ｍｏ、Ｔａ、ＩＴＯなどの導電膜を形成した場合、
その下地との密着性が損なわれ、剥がれなどが発生する
というトラブルを生じることになる。
に付着したレジスト成分が溶解している剥離液がエアナ
イフ６で分離除去される際に乾燥し固着することによ
り、本来レジストを除去すべきところに結晶物が残る。
その後の成膜工程で、ＳｉＮｘ等の絶縁膜、Ａｌ、Ｔ
ｉ、Ｍｏ、Ｔａ、ＩＴＯなどの導電膜を形成した場合、
その下地との密着性が損なわれ、剥がれなどが発生する
というトラブルを生じることになる。
【００１２】また、エッチング装置であれば、基板３に
付着したエッチング液がエアナイフ６で分離除去される
際に乾燥し固着することにより、本来除去すべきところ
に結晶物が残る。その後の成膜工程で、ＳｉＮｘ等の絶
縁膜、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｔａ、ＩＴＯなどの導電膜を
形成した場合、その下地との密着性が損なわれ、剥がれ
などが発生し、配線のショート不良などのトラブルを生
じることになる。
付着したエッチング液がエアナイフ６で分離除去される
際に乾燥し固着することにより、本来除去すべきところ
に結晶物が残る。その後の成膜工程で、ＳｉＮｘ等の絶
縁膜、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｔａ、ＩＴＯなどの導電膜を
形成した場合、その下地との密着性が損なわれ、剥がれ
などが発生し、配線のショート不良などのトラブルを生
じることになる。
【００１３】本発明は、上記従来の問題点に鑑み、基板
に付着した処理液をエアナイフで分離除去する際に処理
液が乾燥して結晶化するのを防止するとともに、処理室
の排気によって循環使用している処理液の濃度が上昇す
るのを防止し、パターニング不良を低減できる湿式処理
方法及び装置を提供することを目的としている。
に付着した処理液をエアナイフで分離除去する際に処理
液が乾燥して結晶化するのを防止するとともに、処理室
の排気によって循環使用している処理液の濃度が上昇す
るのを防止し、パターニング不良を低減できる湿式処理
方法及び装置を提供することを目的としている。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の湿式処理方法
は、基板に処理液を散布して処理を行った後、処理液の
溶媒ミストを含むエアや不活性ガスなどの気体を高圧化
し噴出する手段を用いて基板上の処理液を除去するもの
であり、基板上の処理液を分離除去する手段から気体と
ともに処理液溶媒がミスト状に噴出するので、基板上が
処理液溶媒の飽和蒸気圧に維持され、処理液が乾燥して
結晶化するのを確実に防止でき、処理液成分の結晶が基
板上に残ってパターニング不良が発生するのを低減で
き、また処理液を循環使用する場合に排気に伴って処理
液溶媒の蒸発分が排出される分が溶媒ミストの供給によ
って補われるので、処理液濃度を一定に保つことがで
き、基板の処理均一性を維持することができ、パターニ
ング不良を低減できる。
は、基板に処理液を散布して処理を行った後、処理液の
溶媒ミストを含むエアや不活性ガスなどの気体を高圧化
し噴出する手段を用いて基板上の処理液を除去するもの
であり、基板上の処理液を分離除去する手段から気体と
ともに処理液溶媒がミスト状に噴出するので、基板上が
処理液溶媒の飽和蒸気圧に維持され、処理液が乾燥して
結晶化するのを確実に防止でき、処理液成分の結晶が基
板上に残ってパターニング不良が発生するのを低減で
き、また処理液を循環使用する場合に排気に伴って処理
液溶媒の蒸発分が排出される分が溶媒ミストの供給によ
って補われるので、処理液濃度を一定に保つことがで
き、基板の処理均一性を維持することができ、パターニ
ング不良を低減できる。
【００１５】気体を高圧化し噴出する手段はエアナイフ
であることが好適である。
であることが好適である。
【００１６】上記処理液としては、金属薄膜等のパター
ニングに用いられるエッチング液や、現像液または剥離
液を用いることができる。
ニングに用いられるエッチング液や、現像液または剥離
液を用いることができる。
【００１７】また、本発明の湿式処理装置は、処理室内
に、基板を搬送経路に沿って搬送する搬送手段と、基板
の搬送経路の上部に配設された処理液の散布手段と、搬
送経路の終端部に配設され、基板に向けてエアや不活性
ガスなどの気体を高圧化し噴出させて処理液を基板から
分離除去する機構とを配設し、前記気体を高圧化し噴出
する機構にエアや不活性ガスなどの気体と処理液の溶媒
を供給する機構を設けたものであり、上記処理方法を実
施してその作用効果を奏することができる。
に、基板を搬送経路に沿って搬送する搬送手段と、基板
の搬送経路の上部に配設された処理液の散布手段と、搬
送経路の終端部に配設され、基板に向けてエアや不活性
ガスなどの気体を高圧化し噴出させて処理液を基板から
分離除去する機構とを配設し、前記気体を高圧化し噴出
する機構にエアや不活性ガスなどの気体と処理液の溶媒
を供給する機構を設けたものであり、上記処理方法を実
施してその作用効果を奏することができる。
【００１８】気体を高圧化し噴出する機構はエアナイフ
であることが好適である。
であることが好適である。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態の湿式
処理装置について、図１を参照して説明する。なお、図
２を参照して説明した従来例と同一の構成要素について
は、同一の参照符号を付して説明を省略し、相違点のみ
を説明する。
処理装置について、図１を参照して説明する。なお、図
２を参照して説明した従来例と同一の構成要素について
は、同一の参照符号を付して説明を省略し、相違点のみ
を説明する。
【００２０】本実施形態では、処理液を分離除去するた
めのエアナイフ６にエアを供給するエア供給配管１３に
処理液の溶媒を供給する溶媒供給配管１５を接続し、エ
アナイフ６に供給されるエアに処理液の溶媒をミスト状
に供給するように構成している。この処理液溶媒の供給
方法としては、ミスト状にした処理液溶媒をエア供給配
管１３に供給してもよいし、処理液溶媒をエア供給配管
１３に供給する際にミスト状となるように供給してもよ
い。また、処理液溶媒は、処理液（現像液、剥離液、エ
ッチング液）に含まれる溶媒の主成分と同一溶媒を用い
るのが効果的であり、例えば一般的によく知られる溶媒
としては水などがある。
めのエアナイフ６にエアを供給するエア供給配管１３に
処理液の溶媒を供給する溶媒供給配管１５を接続し、エ
アナイフ６に供給されるエアに処理液の溶媒をミスト状
に供給するように構成している。この処理液溶媒の供給
方法としては、ミスト状にした処理液溶媒をエア供給配
管１３に供給してもよいし、処理液溶媒をエア供給配管
１３に供給する際にミスト状となるように供給してもよ
い。また、処理液溶媒は、処理液（現像液、剥離液、エ
ッチング液）に含まれる溶媒の主成分と同一溶媒を用い
るのが効果的であり、例えば一般的によく知られる溶媒
としては水などがある。
【００２１】また、処理液溶媒を供給するタイミング
は、基板３上の処理液を基板３から分離除去するため、
エアナイフ６にエアを供給するタイミングと同時に行う
のが効果的である。
は、基板３上の処理液を基板３から分離除去するため、
エアナイフ６にエアを供給するタイミングと同時に行う
のが効果的である。
【００２２】このように本実施形態においては、基板３
上の処理液を分離除去するためにエアナイフ６から噴出
されるエアにミスト状の処理液溶媒が含まれているの
で、基板３上が処理液溶媒の飽和蒸気圧に維持され、処
理液が乾燥して結晶化するのを確実に防止できる。した
がって、処理液成分の結晶が基板３上に残ってパターニ
ング不良が発生するのを低減できる。
上の処理液を分離除去するためにエアナイフ６から噴出
されるエアにミスト状の処理液溶媒が含まれているの
で、基板３上が処理液溶媒の飽和蒸気圧に維持され、処
理液が乾燥して結晶化するのを確実に防止できる。した
がって、処理液成分の結晶が基板３上に残ってパターニ
ング不良が発生するのを低減できる。
【００２３】また、処理室１で処理液を循環使用する場
合に、排気口７からの排気に伴って処理液溶媒の蒸発分
が排出されるが、その分溶媒ミストの供給によって補わ
れるので、処理液濃度を一定に保つことができ、基板３
の処理均一性を維持することができ、パターニング不良
を低減できる。
合に、排気口７からの排気に伴って処理液溶媒の蒸発分
が排出されるが、その分溶媒ミストの供給によって補わ
れるので、処理液濃度を一定に保つことができ、基板３
の処理均一性を維持することができ、パターニング不良
を低減できる。
【００２４】例えば、トランジスタが形成されるアレイ
基板において、トランジスタ形成時のパターニング不良
を防止できてその歩留りを向上することができる。例え
ば、従来例では処理液の乾燥、固着により約１００箇所
のパターニング不良が発生していたが、本実施形態によ
ればハターニング不良を皆無にできるという効果が得ら
れた。
基板において、トランジスタ形成時のパターニング不良
を防止できてその歩留りを向上することができる。例え
ば、従来例では処理液の乾燥、固着により約１００箇所
のパターニング不良が発生していたが、本実施形態によ
ればハターニング不良を皆無にできるという効果が得ら
れた。
【００２５】また、エアナイフ６からエア噴出時に処理
液溶媒が補充されるので、処理液濃度を一定に保つこと
ができ、上記トランジスタ形成時のパターニング寸法の
変動を抑制することができる。例えば、従来例では処理
液濃度の上昇により徐々にパターニング寸法が変化する
という不具合が発生していたが、本実施形態によればパ
ターニング寸法変化を皆無にできるという効果が得られ
た。
液溶媒が補充されるので、処理液濃度を一定に保つこと
ができ、上記トランジスタ形成時のパターニング寸法の
変動を抑制することができる。例えば、従来例では処理
液濃度の上昇により徐々にパターニング寸法が変化する
という不具合が発生していたが、本実施形態によればパ
ターニング寸法変化を皆無にできるという効果が得られ
た。
【００２６】
【発明の効果】本発明の湿式処理方法及び装置によれ
ば、以上のように処理液の溶媒ミストを含むエアや不活
性ガスなどの気体を噴出するエアナイフを用いて基板上
の処理液を除去するようにしているので、エアナイフに
よる処理液の分離除去時に、基板上が処理液溶媒の飽和
蒸気圧に維持され、処理液が乾燥して結晶化するのを確
実に防止でき、処理液成分の結晶が基板上に残ってパタ
ーニング不良が発生するのを低減でき、また処理液を循
環使用する場合に、処理液溶媒が蒸発して排出された分
が溶媒ミストの供給によって補われ、処理液濃度を一定
に保つことができるので基板の処理均一性を維持するこ
とができ、パターニング不良の発生を低減できる。
ば、以上のように処理液の溶媒ミストを含むエアや不活
性ガスなどの気体を噴出するエアナイフを用いて基板上
の処理液を除去するようにしているので、エアナイフに
よる処理液の分離除去時に、基板上が処理液溶媒の飽和
蒸気圧に維持され、処理液が乾燥して結晶化するのを確
実に防止でき、処理液成分の結晶が基板上に残ってパタ
ーニング不良が発生するのを低減でき、また処理液を循
環使用する場合に、処理液溶媒が蒸発して排出された分
が溶媒ミストの供給によって補われ、処理液濃度を一定
に保つことができるので基板の処理均一性を維持するこ
とができ、パターニング不良の発生を低減できる。
【図１】本発明の一実施形態の湿式処理装置の概略構成
図である。
図である。
【図２】従来例の湿式処理装置の概略構成図である。
１ 処理室 ３ 基板 ４ 搬送コンベア（搬送手段） ５ 処理液ノズル ６ エアナイフ １３ エア供給配管 １５ 溶媒供給配管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４５ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６９Ｄ 21/306 ５７２Ｂ 21/306 Ｊ Ｆターム(参考） 2H096 AA25 AA27 GA21 GA60 HA19 LA02 4K057 WA01 WA11 WE02 WE04 WE08 WE14 WK01 WN01 5F043 BB27 CC12 EE36 EE40 5F046 LA11 MA10
Claims (6)
- 【請求項１】 基板に処理液を散布して処理を行った
後、処理液の溶媒ミストを含むエアや不活性ガスなどの
気体を高圧化し噴出する手段を用いて基板上の処理液を
除去することを特徴とする湿式処理方法。 - 【請求項２】 気体を高圧化し噴出する手段がエアナイ
フであることを特徴とする請求項１記載の湿式処理方
法。 - 【請求項３】 処理液は、金属薄膜等のパターニングに
用いられるエッチング液であることを特徴とする請求項
１記載の湿式処理方法。 - 【請求項４】 処理液は、現像液または剥離液であるこ
とを特徴とする請求項１記載の湿式処理方法。 - 【請求項５】 処理室内に、基板を搬送経路に沿って搬
送する搬送手段と、基板の搬送経路の上部に配設された
処理液の散布手段と、搬送経路の終端部に配設され、基
板に向けてエアや不活性ガスなどの気体を高圧化し噴出
させて処理液を基板から分離除去する機構とを配設し、
前記気体を高圧化し噴出する機構にエアや不活性ガスな
どの気体と処理液の溶媒を供給する機構を設けたことを
特徴とする湿式処理装置。 - 【請求項６】 気体を高圧化し噴出する機構はエアナイ
フであることを特徴とする請求項５記載の湿式処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000066673A JP2001255668A (ja) | 2000-03-10 | 2000-03-10 | 湿式処理方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000066673A JP2001255668A (ja) | 2000-03-10 | 2000-03-10 | 湿式処理方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001255668A true JP2001255668A (ja) | 2001-09-21 |
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ID=18585995
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000066673A Pending JP2001255668A (ja) | 2000-03-10 | 2000-03-10 | 湿式処理方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001255668A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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- 2000-03-10 JP JP2000066673A patent/JP2001255668A/ja active Pending
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