KR101160158B1 - 레이저 리프트 오프 공정의 기판 분리장치 - Google Patents

레이저 리프트 오프 공정의 기판 분리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101160158B1
KR101160158B1 KR1020100050620A KR20100050620A KR101160158B1 KR 101160158 B1 KR101160158 B1 KR 101160158B1 KR 1020100050620 A KR1020100050620 A KR 1020100050620A KR 20100050620 A KR20100050620 A KR 20100050620A KR 101160158 B1 KR101160158 B1 KR 101160158B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
gallium nitride
based led
buffer layer
llo
Prior art date
Application number
KR1020100050620A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110131017A (ko
Inventor
박홍진
조윤채
서종현
임세환
선상필
Original Assignee
주식회사 엘티에스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘티에스 filed Critical 주식회사 엘티에스
Priority to KR1020100050620A priority Critical patent/KR101160158B1/ko
Publication of KR20110131017A publication Critical patent/KR20110131017A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101160158B1 publication Critical patent/KR101160158B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005Processes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005Processes
    • H01L33/0095Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/12Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

본 발명은 LLO공정에서 기판과 질화갈륨계 LED구조물을 자동으로 분리하는 LLO공정의 기판 분리장치에 관한 것으로, 기판과, 상기 기판상에 형성되는 버퍼층과, 상기 버퍼층상에 형성되는 질화갈륨계 LED구조물과, 상기 질화갈륨계 LED구조물의 표면에 형성된 다수의 구조지지층을 포함하는 LED소자에서 상기 기판을 분리하되, 상기 기판 상부에 레이저빔(Laser Beam)을 조사하여 상기 버퍼층을 용융하는 LLO(Laser Lift-off)공정에 의해 상기 기판을 상기 질화갈륨계 LED구조물로부터 분리하기 위한 LLO공정의 기판 분리장치에 있어서, 상기 기판과 구조지지층을 각각 상부와 하부로 진공흡착하는 진공척 및 상기 기판과 질화갈륨계 LED구조물 사이에 여러방향에서 공압을 가하여, 상기 기판과 질화갈륨계 LED구조물을 분리하면서 그 사이에 잔류된 상기 버퍼층을 제거하는 에어나이프(Air Knife)를 포함하여 이루어진다.

Description

레이저 리프트 오프 공정의 기판 분리장치{substrate detaching apparatus of LLO process}
본 발명은 LLO공정의 기판 분리장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 LLO공정에서 기판과 질화갈륨계 LED구조물을 자동으로 분리하는 LLO공정의 기판 분리장치에 관한 것이다.
종래 질화갈륨계 LED소자를 제조하는 방법으로는 보통 사파이어(Al2O3) 및 탄화규소(SiC)로 이루어진 기판위에 기판 제거를 위한 버퍼층을 형성하고, 상기 버퍼층 상에 질화갈륨계 LED구조물을 형성한 다음, 상기 질화갈륨계 LED구조물의 표면에 다수의 구조지지층을 형성하고, 상기 구조지지층의 상단을 가압하는 과정을 거치게 된다.
참고로, 상기 사파이어 기판의 경우 단위 칩의 사파이어두께는 80~100μm 정도이다. 그런데 사파이어는 부도체이기 때문에 n-전극 및 p-전극을 상층에 수평으로 형성함으로써 전류집중이 발생되고, 또한 양 전극을 수평으로 배열함에 따라 칩 사이즈를 축소하는데 한계가 있으며, 더구나 사파이어는 열전도율이 좋지 않기 때문에 고출력 구동 시 발생되는 열이 충분히 방출되지 못하게 됨으로써 소자 성능에 제약을 초래하였다.
또한, 사파이어 기판의 열전도 특성은 약 40W/mK 정도인데, 사파이어 기판의 두께가 약 80 미크론일 경우, 열 저항 값은 3.5℃/W 정도로 소자 시스템 전체의 열저항의 약 90%를 차지하게 된다. 사파이어의 이러한 특성은 특히 최근의 고밀도, 대전력 광원을 실현하기 위하여 대전류로 구동할 경우, 소자의 신뢰성을 저하시키는 주원인이 되어왔다. 
따라서, 상기 질화갈륨계 LED소자는 상기 사파이어 기판이 상부에 위치하도록 뒤집은 다음, 상기 사파이어 기판 상부에 레이저빔(Laser Beam)을 조사하여 상기 버퍼층을 용융하면서 사파이어 기판을 분리하는 LLO(Laser Lift-off) 추가적으로 공정을 거치게 된다.
통상적으로, 상기와 같은 LLO공정의 경우, 작업자의 손에 의한 수작업으로 이루어지고 있었다. 이 경우, 2인치, 4인치 웨이퍼 단위에서는 작업자가 손으로 로딩, 언로딩하고 기판과 질화갈륨계 LED구조물을 분리하는 동작까지도 수행가능하지만, 6인치 이상으로 면적이 확대되면서 신속정확하며 안정적인 웨이퍼 분리를 위해 기판과 질화갈륨계 LED구조물을 자동으로 분리하는 장치의 개발이 필요하다.
본 발명의 목적은 LED소자의 특성 저하를 방지하는 동시에 수직전극 구조의 장점을 유지함으로써 칩 크기를 축소하고, 기판의 실장 밀도를 높일 수 있는 LED소자를 제조하는 과정에서, 상기 기판과 질화갈륨계 LED구조물을 자동으로 분리하여 6인치 이상의 큰 면적의 웨이퍼 단위도 기판의 분리공정이 안정적이고 신속하게 이루어질 수 있어 LED소자의 불량 발생률을 현저히 감소시킬 수 있는 LLO공정의 기판 분리장치를 제공하는 데 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 기판과, 상기 기판상에 형성되는 버퍼층과, 상기 버퍼층상에 형성되는 질화갈륨계 LED구조물과, 상기 질화갈륨계 LED구조물의 표면에 형성된 구조지지층을 포함하는 LED소자에서, 상기 기판 상부에 레이저빔(Laser Beam)을 조사하여 상기 버퍼층을 용융하는 LLO(Laser Lift-off)공정에 의해 상기 기판을 상기 질화갈륨계 LED구조물로부터 분리하기 위한 LLO공정의 기판 분리장치에 있어서, 상기 기판과 상기 구조지지층을 각각 상부와 하부에서 진공흡착하는 진공척, 상기 진공척을 각각 상부와 하부로 승강시키는 승강부, 상기 기판과 상기 질화갈륨계 LED구조물 사이에 압축공기를 가하여, 상기 기판과 상기 질화갈륨계 LED구조물을 분리하면서, 그 사이에 잔류된 상기 버퍼층을 제거하는 에어나이프(Air Knife)를 포함하는 LLO공정의 기판 분리장치를 제공한다.
본 발명 LLO공정의 기판 분리장치에 따르면, LED소자의 특성 저하를 방지하는 동시에 수직전극 구조의 장점을 유지함으로써 칩 크기를 축소하고, 기판의 실장 밀도를 높일 수 있는 LED소자를 제조하는 과정에서, 상기 기판과 질화갈륨계 LED구조물을 자동으로 분리하여 6인치 이상의 큰 면적의 웨이퍼 단위도 기판의 분리공정이 안정적이고 신속하게 이루어질 수 있어 LED소자의 불량 발생률을 현저히 감소시킬 수 있는 유용한 효과가 있다.
도 1은 수직형 질화갈륨계 LED소자의 제조공정을 개략적으로 도시한 공정도,
도 2는 본 발명에 따른 LLO공정의 기판 분리장치의 단면도,
도 3은 본 발명 LLO공정의 기판 분리장치에 의해 기판이 분리되는 모습을 보인 단면도.
이하, 첨부된 도면에 따른 본 발명의 LLO공정의 기판 분리장치의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 수직형 질화갈륨계 LED소자의 제조공정을 개략적으로 도시한 공정도이고, 도 2는 본 발명에 따른 LLO공정의 기판 분리장치의 단면도이며, 도 3은 본 발명 LLO공정의 기판 분리장치에 의해 기판이 분리되는 모습을 보인 단면도이다.
상기 도 1 내지 도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명은 기판(10)과, 상기 기판(10) 상에 형성되는 버퍼층(20)과, 상기 버퍼층(20)상에 형성되는 질화갈륨계 LED구조물(30)과, 상기 질화갈륨계 LED구조물(30)의 표면에 형성된 다수의 구조지지층(40)을 포함하는 LED소자(1)에서 상기 기판(10)을 분리하되, 상기 기판(10) 상부에 레이저빔(Laser Beam)을 조사하여 상기 버퍼층(20)을 용융하는 LLO(Laser Lift-off)공정에 의해 상기 기판(10)을 상기 질화갈륨계 LED구조물(30)로부터 분리하기 위한 LLO공정의 기판 분리장치(100)에 관한 것으로, 진공척(110)과 에어나이프(120) 및 상기 진공척(110)을 각각 상부와 하부로 승강시키는 승강부(111)를 포함하여 구성된다.
먼저, 본 발명의 이해를 돕기위해 수직형 질화갈륨계 LED소자(1)의 제조공정을 간략히 설명한다.
참고로, 여기서 기판(10)은 보통 사파이어(Al2O3) 및 탄화규소(SiC) 등과 같은 공지의 다양한 기판소재로 이루어질 수 있으며, 본 발명에서는 특히 사파이어기판을 예시로 설명한다.
사파이어 기판(10) 상부에는 추후 상기 사파이어 기판(10)을 제거하기 위해 버퍼층(20)이 형성된다. 상기 버퍼층(20)의 표면에는 질화갈륨계 LED구조물(30)이 적층되는데, 상기 질화갈륨계 LED구조물(30)은 N형 질화갈륨층(31), 활성층(32) 및 P형 질화갈륨층(33), P형 전극층(34) 및 반사층(35)을 순차적으로 적층하여 형성된다.
또한, 상기 LED구조물(30)의 상부 표면에는 다수의 구조지지층(40)을 도전성접합층(36)을 이용하여 접합하고, 상기 각층이 고정되도록 구조지지층(40)의 상단을 가압한 다음 상기 사파이어 기판(10)이 상부에 위치하도록 뒤집는 공정을 추가로 거친다.
이후 상기 사파이어 기판(10)의 상부에 레이저빔(LB)을 조사하여 상기 버퍼층(20)을 용융하고 사파이어 기판(10)을 분리제거하는 LLO(Laser Lift-off)공정을 거치게 된다.
또한, LLO공정이 완료되면, 상기 N형 질화갈륨층(31) 표면에 요철을 형성하고, 요철된 표면에 N형 전극(50)을 형성하여 수직형 질화갈륨계 LED소자(1)의 제조공정이 완료된다.
이 과정에서, 사파이어 기판(10)을 분리제거하는 상기 LLO공정은 일반적으로 사파이어 기판(10)을 분리하는 작업이 거의 수작업으로 진행되지만, 본 발명에서는 상기 분리공정이 자동으로 이루어지도록 한다.
본 발명 LLO공정의 기판 분리장치(100)는 진공척(110)과 에어나이프(120)로 이루어지는데, 먼저 상기 진공척(110)은 상기 기판(10)과 구조지지층(40)을 각각 상부와 하부로 진공흡착하도록 구비된다.
상기 진공척(110)은 진공펌프와 연결되고, 상기 기판(10)과 구조지지층(40)의 노출면을 진공압을 이용하여 파지하며, 상기 기판(10)과 구조지지층(40)을 수작업으로 분리하였던 종래와는 달리 상기 진공척(110)을 이용하여 상기 기판(10)과 구조지지층(40)을 파지하여 분리함에 따라 상기 기판(10)과 구조지지층(40)은 보다 신속하고 정확하게 분리될 수 있으며 불량 발생률을 현저히 줄일 수 있다.
또 상기 승강부(111)는 상기 진공척(110)을 각각 상부와 하부로 승강시키기 위한 구성으로, 스프링, 리니어모터, 실린더, 솔레노이드를 비롯한 공지의 다양한 승강수단으로 마련될 수 있다.
상기와 같은 승강부(111)의 작용으로 상기 기판(10)과 구조지지층(40)을 공압에 의해 파지한 진공척(110)이 각각 상부와 하부로 상승 및 하강하면서 기판(10)과 구조지지층(40)사이가 이격되고 이 과정에서 상기 기판(10)이 분리되는 것이다.
여기서, 상기 승강부(111)는 기판(10) 또는 구조지지층(40) 중 어느 하나만 승강하도록 기판(10) 또는 구조지지층(40)을 파지하는 어느 하나의 진공척(110)에만 선택하여 설치할 수 있다.
에어나이프(120)는 상기 기판(10)과 질화갈륨계 LED구조물(30) 사이에 여러방향에서 공압을 가하여, 상기 기판(10)과 질화갈륨계 LED구조물(30)을 분리하면서 그 사이에 잔류된 상기 버퍼층(20)을 제거하도록 구비된다.
상기 에어나이프(120)는 기판(10)과 질화갈륨계 LED구조물(30) 사이에 슬릿 또는 노즐을 통해 압축공기를 방출함으로써, 기판(10)과 질화갈륨계 LED구조물(30) 사이에 잔존하는 버퍼층(20) 및 공정에서 유입된 먼지 등의 불순물을 제거한다.
참고로, 상기 버퍼층(20)은 공지의 다양한 소재가 쓰일 수 있지만, 본 발명에서는 용융점이 30℃인 버퍼층(20)을 예시로 설명한다.
상기와 같이 용융점이 30℃인 소재를 버퍼층(20)으로 사용할 경우 상기 기판(10)을 분리하는 공정이 진행되는 동안 상기 버퍼층(20)의 용융점인 30℃ 이상의 온도를 확보해 주기 위한 예열환경이 제공되야 하며, 버퍼층(20)의 소재에 따라 용융점이 달라질 수 있으므로, 버퍼층(20)의 소재와 대응하는 온도의 예열환경이 제공되어야 한다.
따라서, LLO공정이 진행되는 동안 버퍼층(20)이 용융되어 기판(10)과 질화갈륨계 LED구조물(30)의 분리가 용이하게 이루어지도록 LLO공정이 수행되는 주변의 온도를 30℃(바람직하게는 버퍼층의 용융점)이상으로 유지하거나, 기판(10)의 전체면적을 레이저 빔(LB)으로 반복하여 스캔해 줄 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시 예에 따르면, 상기 에어나이프(120)는 30℃이상(바람직하게는 버퍼층의 용융점)의 온도를 유지하도록 히터와 같은 발열수단을 구비한다.
LLO공정이 진행되는 과정에서 기판(10)과 질화갈륨계 LED구조물(30)을 분리하기 위한 버퍼층(20)의 분해가 완벽하게 진행될 수 있도록, 예열환경이 제공되야 한다.
이를 위해 LLO공정이 수행되는 동안 기판(10)과 질화갈륨계 LED구조물(30)사이에 공급되는 공압의 온도는 30℃(바람직하게는 버퍼층의 용융점) 이상을 유지해야하며, 따라서 에어나이프(120)는 노즐을 통해 분사되는 공기가 30℃ 이상으로 가열될 수 있도록 히터와 같은 발열수단을 구비한다.
본 발명의 바람직한 실시 예에 따르면, 상기 진공척(110) 및 에어나이프(120)는 30℃(바람직하게는 버퍼층의 용융점)이상의 온도를 확보할 수 있도록 열챔버(130) 내에 마련된다.
LLO공정이 진행되는 과정에서 기판(10)과 질화갈륨계 LED구조물(30)을 분리하기 위한 버퍼층(20)의 분해가 완벽하게 진행될 수 있도록, 용융점30℃ 이상을 확보해 주기 위한 온도환경이 제공되야 한다.
이를 위해 진공척(110) 및 에어나이프(120)가 열챔버(130) 내에 설치되고, LLO공정은 30℃이상의 온도가 확보된 열챔버(130) 내에서 진행된다.
본 발명의 바람직한 실시 예에 따르면, 상기 진공척(110)은 미세 기공이 균일하게 형성된 다공성 재질로 이루어진다.
일반적으로 LED소자(1)는 미세 소자의 형태를 취한다. 따라서, 일반적인 진공척으로 LED소자(1)를 파지할 경우 상기 LED소자(1)에 균일한 압력이 가해지지 않아 부분적인 파지가 이루어짐에 따라 일부 LED소자(1)는 흡착되지 않게 되고, 진공척의 유로 구멍에 LED소자(1)가 흡입될 우려가 있다.
따라서, 세라믹과 같이 미세 기공이 균일하게 형성된 다공성 재질로 진공척(110)을 형성하여 미세 소자의 형태의 LED소자(1)가 균일하게 압력을 받아 안정적으로 파지될 수 있도록 한다.
본 발명의 바람직한 실시 예에 따르면, 상기 구조지지층(40)은 노출면이 다이싱용 필름 프레임 캐리어에 고정된다.
다이싱용 필름 프레임 캐리어는 필름을 지지하는 필름 프레임, 필름 상에 배치된 반도체 웨이퍼를 견고히 보관하기 위한 중앙부 및 주연부로 이루어진다.
따라서, 다이싱공정을 비롯한 LED소자를 제조하는 전반적인 공정에서, LED소자(1)의 배치가 흐트지거나, 일부 LED소자(1)가 분실되지 않도록 하고 최종공정까지 그 형태를 유지하도록 한다.
본 발명의 바람직한 실시 예에 따르면, 상기 장치(100)는, 상기 기판(10)의 전체면적에 레이저 빔(LB)을 반복하여 조사하는 다이오드레이저 조사수단(140)을 추가로 구비한다.
상기 다이오드레이저 조사수단(140)을 추가로 구비하는 이유는 LLO공정을 진행하는 과정에서 상기 기판(10)과 질화갈륨계 LED구조물(30)의 분리가 용이하게 이루어지도록 하기 위함이다.
구체적으로 설명하면, LLO공정이 수행되는 동안 기판(10)의 전체면적을 레이저 라인빔(LB)으로 반복 스캔하여 30℃(바람직하게는 버퍼층의 용융점) 이상을 확보하므로서 버퍼층(20)의 분해가 완벽하게 진행될 수 있도록 하기 위함이다. 이는 기존에 LLO공정에서 기판(10)에 레이저를 조사하였던 레이저조사수단과 별도로 마련되는 것이다.
상기한 바와 같은 본 발명 LLO공정의 기판 분리장치(100)에 따르면, 상기 기판(10)과 질화갈륨계 LED구조물(30)을 자동으로 분리하여 큰 면적의 웨이퍼 단위도 기판(10)의 분리공정이 안정적이고 신속하게 이루어질 수 있도록 하는 장점이 있다.
본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시 예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.
1 : LED소자 10 : 기판
20 : 버퍼층 30 : 질화갈륨계 LED구조물
31 : N형 질화갈륨층 32 : 활성층
33 : P형 질화갈륨층 34 : P형전극층
35 : 반사층 36 : 도전성접합층
40 : 구조지지층 50 : N형 전극
LB : 레이저빔 100 : 기판 분리장치
110 : 진공척 111 : 승강부
120 : 에어나이프 130 : 열챔버
140 : 다이오드레이저 조사수단

















Claims (6)

  1. 기판과, 상기 기판상에 형성되는 버퍼층과, 상기 버퍼층상에 형성되는 질화갈륨계 LED구조물과, 상기 질화갈륨계 LED구조물의 표면에 형성된 구조지지층을 포함하는 LED소자에서, 상기 기판 상부에 레이저빔(Laser Beam)을 조사하여 상기 버퍼층을 용융하는 LLO(Laser Lift-off)공정에 의해 상기 기판을 상기 질화갈륨계 LED구조물로부터 분리하기 위한 LLO공정의 기판 분리장치에 있어서,
    상기 기판과 상기 구조지지층을 각각 상부와 하부에서 진공흡착하며, 미세 기공이 균일하게 형성된 다공성 재질로 이루어진 진공척;
    상기 진공척을 각각 상부와 하부로 승강시키는 승강부;
    상기 기판과 상기 질화갈륨계 LED구조물 사이에 압축공기를 가하여, 상기 기판과 상기 질화갈륨계 LED구조물을 분리하면서, 그 사이에 잔류된 상기 버퍼층을 제거하는 에어나이프(Air Knife);를 포함하는 것을 특징으로 하는 LLO공정의 기판 분리장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 에어나이프는 30℃ 이상 온도의 압축공기를 가하는 것을 특징으로 하는 LLO공정의 기판 분리장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 진공척 및 상기 에어나이프는 30℃ 이상의 온도를 확보할 수 있도록 열챔버 내에 마련된 것을 특징으로 하는 LLO공정의 기판 분리장치.
  4. 삭제
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 구조지지층은 노출면이 다이싱용 FFC(Film Frame Carrier)에 고정된 것을 특징으로 하는 LLO공정의 기판 분리장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 장치는, 상기 기판의 전체면적에 레이저 빔(LB)을 반복하여 조사하는 다이오드레이저 조사수단을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 LLO공정의 기판 분리장치.

KR1020100050620A 2010-05-28 2010-05-28 레이저 리프트 오프 공정의 기판 분리장치 KR101160158B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100050620A KR101160158B1 (ko) 2010-05-28 2010-05-28 레이저 리프트 오프 공정의 기판 분리장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100050620A KR101160158B1 (ko) 2010-05-28 2010-05-28 레이저 리프트 오프 공정의 기판 분리장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110131017A KR20110131017A (ko) 2011-12-06
KR101160158B1 true KR101160158B1 (ko) 2012-06-27

Family

ID=45499615

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100050620A KR101160158B1 (ko) 2010-05-28 2010-05-28 레이저 리프트 오프 공정의 기판 분리장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101160158B1 (ko)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102522461A (zh) * 2011-12-31 2012-06-27 苏州罗博特科自动化设备有限公司 光伏叠放硅片高速取片装置
KR101513593B1 (ko) * 2013-05-10 2015-04-20 (주) 나인테크 고형 박판 분리 장치
US9335574B2 (en) 2013-08-05 2016-05-10 Samsung Display Co., Ltd. Method for manufacturing liquid crystal display panel and laminate for the same
KR20200049946A (ko) 2018-10-29 2020-05-11 (주)하드램 마이크로 엘이디칩 제작용 마스크 및 마이크로 엘이디칩 제작 장치와 방법
KR102199350B1 (ko) 2019-07-23 2021-01-06 김윤호 라인빔 광학계 및 이를 포함하는 레이저 리프트 오프 장치
KR102291580B1 (ko) 2020-04-21 2021-08-20 (주)하드램 마이크로 엘이디칩 전사 방법
KR20210129993A (ko) 2020-04-21 2021-10-29 (주)하드램 마이크로 엘이디 제조 장치
KR20220112601A (ko) 2021-02-04 2022-08-11 (주)하드램 마이크로 엘이디 선택적 공기층 전사 프린트 장치
TWI776536B (zh) * 2021-06-02 2022-09-01 天虹科技股份有限公司 基板分離裝置

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102075994B1 (ko) 2014-03-25 2020-02-12 삼성전자주식회사 기판 분리 장치 및 기판 분리 시스템
KR102274314B1 (ko) * 2015-01-13 2021-07-07 주식회사 나인테크 고형 박판 분리 장치
CN106158691A (zh) * 2015-01-27 2016-11-23 精材科技股份有限公司 剥离装置及利用该装置剥离芯片封装体表面盖层的方法
JP6622661B2 (ja) * 2016-06-29 2019-12-18 東京応化工業株式会社 支持体分離装置、及び支持体分離方法
CN111778559B (zh) * 2020-08-17 2024-08-09 中国工程物理研究院总体工程研究所 石墨盘翻转式GaN单晶衬底激光预剥离集成腔
CN113838778B (zh) * 2021-09-03 2023-12-05 北京中科镭特电子有限公司 一种激光解键合装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001255668A (ja) * 2000-03-10 2001-09-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 湿式処理方法及び装置
KR20050016184A (ko) * 2003-08-08 2005-02-21 스미토모덴키고교가부시키가이샤 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR20070005984A (ko) * 2005-07-05 2007-01-11 엘지전자 주식회사 발광 다이오드 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001255668A (ja) * 2000-03-10 2001-09-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 湿式処理方法及び装置
KR20050016184A (ko) * 2003-08-08 2005-02-21 스미토모덴키고교가부시키가이샤 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR20070005984A (ko) * 2005-07-05 2007-01-11 엘지전자 주식회사 발광 다이오드 제조방법

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102522461A (zh) * 2011-12-31 2012-06-27 苏州罗博特科自动化设备有限公司 光伏叠放硅片高速取片装置
KR101513593B1 (ko) * 2013-05-10 2015-04-20 (주) 나인테크 고형 박판 분리 장치
US9335574B2 (en) 2013-08-05 2016-05-10 Samsung Display Co., Ltd. Method for manufacturing liquid crystal display panel and laminate for the same
KR20200049946A (ko) 2018-10-29 2020-05-11 (주)하드램 마이크로 엘이디칩 제작용 마스크 및 마이크로 엘이디칩 제작 장치와 방법
KR102199350B1 (ko) 2019-07-23 2021-01-06 김윤호 라인빔 광학계 및 이를 포함하는 레이저 리프트 오프 장치
KR102291580B1 (ko) 2020-04-21 2021-08-20 (주)하드램 마이크로 엘이디칩 전사 방법
KR20210129993A (ko) 2020-04-21 2021-10-29 (주)하드램 마이크로 엘이디 제조 장치
KR20220112601A (ko) 2021-02-04 2022-08-11 (주)하드램 마이크로 엘이디 선택적 공기층 전사 프린트 장치
TWI776536B (zh) * 2021-06-02 2022-09-01 天虹科技股份有限公司 基板分離裝置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110131017A (ko) 2011-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101160158B1 (ko) 레이저 리프트 오프 공정의 기판 분리장치
KR100959079B1 (ko) 열방출이 개선된 전면발광형 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법
JP4458116B2 (ja) エピタキシャル層成長用iii族窒化物半導体層貼り合わせ基板および半導体デバイス
KR100890467B1 (ko) 박막형 질화갈륨계 발광 다이오드 소자의 제조 방법
CN100346487C (zh) 发光元件
CN1929090A (zh) 氮化物半导体器件的制造方法及氮化物半导体器件
KR20150003359A (ko) GaN계 반도체 디바이스의 제조방법
CN1471735A (zh) 在ⅲ-v族氮化物半导体基板上制作产生辐射的半导体芯片的方法以及产生辐射的半导体芯片
CN110233129B (zh) 器件的移设方法
US20060289892A1 (en) Method for preparing light emitting diode device having heat dissipation rate enhancement
KR20060136293A (ko) 열방출이 개선된 전면발광형 발광다이오드 소자 및 이의제조방법
JP6322890B2 (ja) Iii族窒化物複合基板およびその製造方法、ならびにiii族窒化物半導体デバイスの製造方法
JP2009032970A (ja) 窒化物半導体素子の製造方法
KR102075994B1 (ko) 기판 분리 장치 및 기판 분리 시스템
CN107958839B (zh) 晶圆键合方法及其键合装置
KR20140058020A (ko) 발광 소자 및 그 제조 방법
WO2013154181A1 (ja) チップオンボード型のパッケージ基板を有する発光装置の製造方法
US20110024775A1 (en) Methods for and devices made using multiple stage growths
KR101811689B1 (ko) 반도체 발광소자 제조방법 및 이에 이용되는 페이스트 도포장치
JP2009252871A (ja) 半導体発光素子の製造方法および半導体発光素子の製造装置
KR100990635B1 (ko) 수직구조 발광다이오드 소자의 제조방법
KR101761858B1 (ko) 질화물계 반도체 소자의 기판 분리 방법
CN1770490A (zh) 半导体发光元件的制造方法
KR102658985B1 (ko) 본딩 헤드 및 이를 포함하는 다이 본딩 장치
JPWO2015140849A1 (ja) 紫外線発光素子の製造方法、紫外線発光素子

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150605

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160510

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee