KR102219882B1 - 기판처리장치 및 방법 - Google Patents

기판처리장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102219882B1
KR102219882B1 KR1020130126980A KR20130126980A KR102219882B1 KR 102219882 B1 KR102219882 B1 KR 102219882B1 KR 1020130126980 A KR1020130126980 A KR 1020130126980A KR 20130126980 A KR20130126980 A KR 20130126980A KR 102219882 B1 KR102219882 B1 KR 102219882B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
drying
unit
atmosphere
processing
Prior art date
Application number
KR1020130126980A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150047204A (ko
Inventor
이준석
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020130126980A priority Critical patent/KR102219882B1/ko
Publication of KR20150047204A publication Critical patent/KR20150047204A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102219882B1 publication Critical patent/KR102219882B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02307Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Solid Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 기판을 건조 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판처리장치는 기판 상에 감광액을 공급하는 공정을 수행하는 액 처리 유닛, 상기 액 처리유닛에서 처리된 기판을 상압에서 건조시켜 상기 감광액에 포함된 용제를 증발시키는 상압건조유닛, 그리고 기판을 상기 액 처리유닛에서 상기 상압건조유닛로 반송시키는 반송유닛을 포함한다. 기판을 부상시키는 가스를 가열하여 기판을 상압분위기에서 1차 건조하므로, 추가적인 구성없이 건조효율을 향상시킬 수 있다.

Description

기판처리장치 및 방법{Apparatus and Method for treating substrate}
본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판을 건조 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
최근 영상 표시장치의 제조에는 액정 디스플레이소자(LCD) 및 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 소자 등이 사용되며, 이는 평판표시장치(FPD, Flat Panel Display)의 기판이 사용된다.
평판표시장치를 제작하는 과정으로는, 기판제작공정, 셀 제작공정, 모듈제작공정 등 많은 공정들이 진행되어야 한다. 특히, 기판제작공정에는 기판 상에 다양한 패턴들을 형성하기 위한 사진 공정이 진행된다. 도1은 일반적으로 사진공정을 진행하는 기판처리장치를 보여주는 도면이다. 도1을 참조하면, 사진공정은 기판 상에 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 도포공정, 도포공정에서 사용된 용제를 휘발시키기 위한 건조공정, 그리고 기판 상에 도포된 감광액을 베이크하는 베이크공정을 순차적으로 수행한다.
일반적으로 기판의 건조공정은 진공 분위기에서 수행된다. 이러한 진공 처리기술은 그 수행시간이 길수록 건조 효과가 향상된다. 그러나 대량의 기판을 처리해야 하는 경우, 건조공정은 신속히 진행되어야 하며 그 수행시간이 제한된다. 또한 진공분위기를 형성하는 챔버 내에는 건조 공정 시 발생되는 파티클로 인해 정기적인 메인터넌스(Maintenance)가 요구된다.
한국 공개 특허번호 제2009-0046719호
본 발명은 기판의 건조효과를 향상시킬 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예는 기판을 건조 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판처리장치는 기판 상에 감광액을 공급하는 공정을 수행하는 액 처리 유닛, 상기 액 처리유닛에서 처리된 기판을 상압에서 건조시켜 상기 감광액에 포함된 용제를 증발시키는 상압건조유닛, 그리고 기판을 상기 액 처리유닛에서 상기 상압건조유닛로 반송시키는 반송유닛을 포함한다.
상기 반송유닛은 상면에 부상홀들이 형성되는 스테이지 및 상기 부상홀에 부상 가스를 공급하여 기판을 상기 스테이지로부터 부상시키는 부상부재를 포함하고, 상기 상압건조유닛은 부상 가스를 가열시키는 가열부재를 포함할 수 있다. 상기 상압건조유닛은 상기 액 처리유닛에서 처리된 기판의 상면으로 건조가스를 분사하는 건조부재를 포함할 수 있다. 상기 반송유닛은 상면에 부상홀들이 형성되는 스테이지 및 상기 부상홀에 부상 가스를 공급하여 기판을 상기 스테이지로부터 부상시키는 부상부재를 포함하고, 상기 상압건조유닛은 부상 가스를 가열시키는 가열부재 및 상기 액 처리유닛에서 처리된 기판의 상면으로 건조가스를 분사하는 건조부재를 포함할 수 있다. 상기 상압건조유닛은 내부에 제1분위기가 형성되도록 제1처리공간을 제공하는 하우징을 더 포함할 수 있다. 상기 제1처리공간에는 상기 건조부재가 위치되고, 상기 가열부재에 의해 가열된 부상가스가 제공될 수 있다. 상기 건조부재는 가열된 부상용 가스를 공급하는 상기 부상홀과 대향되게 위치될 수 있다. 상기 상압건조유닛은 상기 제1처리공간을 배기시키는 배기부재를 더 포함하되, 상기 배기부재는 상기 처리공간에 배기압을 제공하는 펌프 및 상기 펌프 및 상기 하우징을 연결하는 배기라인을 포함할 수 있다. 상기 건조부재는 기판의 반송방향에 대해 상기 배기부재보다 상류에 위치될 수 있다. 상기 상압건조유닛에서 건조 처리된 기판을 진공 분위기에서 2 차 건조시키는 감압건조유닛을 더 포함할 수 있다.
또한 기판을 처리하는 방법으로는 기판 상에 처리액을 공급하는 처리액 공급단계 및 제1분위기에서 상기 기판에 가열가스를 공급하여 상기 기판을 1차 건조처리하는 제1건조단계를 포함한다.
상기 제1건조단계에는 상기 가열가스를 상기 기판의 양면 각각에 공급할 수 있다. 상기 제1건조단계는 하우징에 의해 형성된 처리공간에서 진행되되, 상기 처리공간에는 상기 기판의 반송방향을 따라 상기 가열가스의 기류가 형성될 수 있다. 1차 건조처리된 상기 기판을 제2분위기에서 2차 건조처리하는 제2건조단계를 더 포함하되, 상기 제1분위기는 상압 상태이고, 제2분위기는 진공 상태로 제공될 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 기판을 부상시키는 가스를 가열하여 기판을 상압분위기에서 건조하므로, 추가적인 구성없이 건조효율을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 기판은 상압 분위기에서 1차 건조되고, 진공압 분위기에서 2차 건조되므로, 건조효과를 향상시킬 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 상압건조유닛은 1차 건조처리 시 발생되는 공정부산물을 배기하므로, 감압건조유닛에서 발생되는 공정부산물을 줄일 수 있고, 감압건조유닛에 대한 유지보수가 용이하다.
도1은 일반적인 사진공정을 수행하는 기판처리장치를 보여주는 도면이다.
도2는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 도면이다.
도3은 도2의 도포유닛을 보여주는 사시도이다.
도4는 도2의 상압건조유닛을 보여주는 단면도이다.
도5는 도2의 감압건조유닛을 보여주는 단면도이다.
도6은 베이크유닛을 보여주는 단면도이다.
본 발명의 실시예는 여러가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
또한 본 발명의 실시예에는 사진공정에서 기판을 건조 처리하는 장치를 일 예로 설명한다. 그러나 본 실시예는 이에 한정되지 않고, 기판을 건조 처리하는 공정이라면, 다양하게 적용 가능하다.
또한 본 발명의 실시예에는 평판표시패널을 제조하기 위한 글래스(S)를 일 예로 들어 설명한다.
이하 도2 내지 도6을 참조하여 본 실시예를 상세히 설명한다.
도2는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 도면이다. 도2를 참조하면, 기판처리장치는 인덱스(100), 세정유닛(110), 복수 개의 베이크유닛(120), 액 처리유닛(200), 건조유닛(400), 버퍼유닛(130), 인터페이스(140), 노광유닛(180), 에지 노광기(150), 현상유닛(160), 그리고 검사유닛(170)을 포함한다. 각각의 처리유닛은 인라인 타입으로 배치되며, 인덱스(100), 세정유닛(110), 액 처리유닛(200), 건조유닛(400), 버퍼유닛(130), 인터페이스(140), 에지 노광기(150), 현상유닛(160), 그리고 검사유닛(170)은 순차적으로 배치된다. 복수 개의 베이크유닛들(120)은 액 처리유닛(200)의 전후, 그리고 현상유닛(160)의 전후에 각각 배치된다. 인터페이스(140)의 일측에는 노광유닛(180)이 배치된다.
본 실시예에는 반송유닛, 액 처리유닛(200), 건조유닛(300,400), 그리고 베이크유닛(120b)에 대해서만 설명하며, 이 밖에 처리유닛들은 대해서는 상세한 설명을 생략한다.
반송유닛은 기판(S)을 액 처리유닛(200), 건조유닛, 그리고 베이크유닛(120b)을 따라 순차적으로 반송한다. 예컨대, 액 처리유닛(200), 상압건조유닛(300), 감압건조유닛(400), 그리고 베이크유닛(120b)이 배열된 방향을 제1방향(12)으로 정의하고, 상부에서 바라볼 때 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)으로 정의한다.
반송유닛은 스테이지(210), 부상부재(213), 기판반송부재(220), 그리고 반송로봇(미도시)을 포함한다. 스테이지(210) 및 부상부재(213)는 액 처리유닛(200) 및 상압건조유닛(300)에 제공된다. 일 예에 의하면, 스테이지(210)는 액 처리유닛(200)에서 상압건조유닛(300)까지 연장되도록 제공될 수 있다. 선택적으로, 스테이지(210)는 액 처리유닛(200) 및 상압건조유닛(300)에 각각 위치되며, 기판을 인라인 방식으로 반송되도록 제공될 수 있다. 스테이지(210)는 대체로 직육면체 형상을 가지도록 제공된다. 스테이지(210)는 제1방향(12)에 평행한 길이방향을 가진다. 스테이지(210)의 상면에는 부상홀(212a) 및 흡인홀(212b)이 형성된다.
부상부재(213)는 부상가스 공급부재 및 감압부재를 포함한다. 부상가스 공급부재는 부상홀(212a)에 부상가스를 공급한다. 부상가스 공급부재는 제1부상가스 공급부(213a) 및 제2부상가스 공급부(213b)를 포함한다. 제1부상가스 공급부(213a)는 액 처리유닛(200)에 부상가스를 공급하고, 제2부상가스 공급부(213b)는 상압건조유닛(300)에 부상가스를 공급한다. 제1부상가스 공급부(213a) 및 제2부상가스 공급부(213b) 각각은 부상가스 공급라인(214) 및 부상가스 저장부(215)를 포함한다. 부상가스 저장부(215)에 제공된 부상가스는 부상가스 공급라인(214)을 통해 부상홀(212a)로 공급된다. 예컨대, 부상가스는 비활성 가스일 수 있다. 감압부재(미도시)는 흡인홀(212b)에 음압을 제공한다. 감압부재(미도시)는 흡인홀(212b)에 연결되는 펌프일 수 있다.
기판반송부재(220)는 제2방향(14)을 향하는 스테이지(210)의 양 측면에 설치된다. 기판반송부재(220)는 기판이동용 레일(222) 및 파지부재(224)를 포함한다. 기판이동용 레일(222)은 스테이지(210)의 양측 각각에서 제1방향(12)을 따라 길게 제공된다. 각각의 기판이동용 레일(222)에는 파지부재(224)가 설치된다. 파지부재(224)는 스테이지(210)로부터 부상된 상태의 기판(S)을 파지한다. 파지부재(224)는 기판이동용 레일(222)을 따라 제1방향(12)으로 이동 가능하도록 제공된다. 파지부재(224)는 부상된 기판(S)을 지지한 채로 기판(S)과 함께 제1방향(12)으로 이동 가능하다.
반송로봇은 상압건조유닛(300) 및 감압건조유닛(400), 그리고 감압건조유닛(400)과 베이크유닛(120b) 사이에 각각 배치된다. 반송로봇은 상압건조유닛(300)에서 건조처리된 기판(S)을 감압건조유닛(400)으로 반송하고, 감압건조유닛(400)에서 건조처리된 기판(S)을 베이크유닛(120b)으로 반송한다.
액 처리유닛(200)은 기판(S) 상에 도포막을 도포하는 도포유닛(200)으로 제공된다. 도포유닛(200)은 도포노즐(230) 및 노즐이동부재(220)를 포함한다. 도포노즐(230)은 파지부재(224)에 의해 부상된 상태로 반송되는 기판(S)에 처리액을 공급한다. 예컨대, 처리액은 포토레지스트와 같은 감광액일 수 있다. 도포노즐(230)은 제2방향(14)을 향하는 길이방향을 가진다. 도포노즐(230)의 저면에는 슬릿 형상의 분사구가 형성되며, 분사구의 길이방향은 제2방향(14)을 향하도록 제공된다. 도포노즐(230)의 분사구는 기판의 폭과 대응되거나 이보다 길게 제공될 수 있다.
노즐이동부재(220)는 지지대(242), 수직프레임(244), 가이드레일(246), 그리고 구동부(미도시)를 포함한다. 지지대(242)는 플레이트(210)의 상부에서 노즐(230)과 결합된다. 지지대(242)는 그 길이방향이 제2방향(14))을 향하도록 제공된다. 지지대(242)의 양단은 수직프레임(244)에 연결된다. 수직프레임(244)은 지지대(242)의 양단으로부터 아래로 연장되게 제공된다. 수직프레임(244)의 하단은 가이드레일(246)에 설치된다. 가이드레일(246)은 기판이동용 레일(222)의 양측에 각각 위치된다. 가이드레일(246)은 그 길이방향이 제1방향(12)을 향하도록 제공된다. 구동부는 수직프레임(244)을 가이드레일(246) 상에서 제1방향(12)으로 이동시킨다. 수직프레임(244)이 제1방향(12)으로 이동됨에 따라 지지대(242) 및 도포노즐(230)(230)은 제1방향(12)으로 함께 이동된다.
건조유닛(300,400)은 도포막이 도포된 기판(S)을 베이크 처리하기 전, 기판(S)을 건조 처리한다. 건조유닛(300,400)은 기판(S) 상에서 감광액 내에 포함되는 용제를 제거한다. 건조유닛(300,400)은 상압건조유닛(300) 및 감압건조유닛(400)을 포함한다.
상압건조유닛(300)은 상압 분위기에서 기판(S)을 1차 건조처리한다. 도4는 도2의 상압건조유닛을 보여주는 단면도이다. 도4를 참조하면, 상압건조유닛(300)은 하우징(310), 건조부재(320), 가열부재(330), 그리고 배기부재(340)를 포함한다. 하우징(310)은 내부에 제1분위기를 가지는 제1처리공간(316)을 제공한다. 하우징(310)은 스테이지(210)의 상부를 감싸도록 제공된다. 하우징(310)은 제1방향(12)을 향하는 양면이 개방되도록 제공된다. 개방된 양면 중 도포유닛(200)과 인접한 일면은 기판(S)이 반입되는 입구로 제공되고, 이와 반대편에 위치한 타면은 기판(S)이 반출되는 출구로 제공된다. 각각의 입구 및 출구에는 이를 개폐하는 도어(312,314)가 설치된다.
건조부재(320)는 제1처리공간(316)에 제공된 기판(S) 상에 건조가스를 분사한다. 건조부재(320)는 건조노즐(320)을 포함한다. 건조노즐(320)은 스테이지(210)의 상부에 위치된다. 건조노즐(320)은 그 길이방향이 제2방향(14)을 향하도록 제공된다. 건조노즐(320)의 저면에는 슬릿형상의 분사구가 형성된다. 건조노즐(320)의 분사구는 제2방향(14)을 향하는 길이방향을 가지도록 제공된다. 건조노즐(320)의 분사구는 그 길이가 기판(S)과 대응되거나 이보다 길게 제공된다. 건조노즐(320)의 분사구는 기판(S)의 반송방향으로 갈수록 하향 경사진 방향을 향하도록 제공된다. 일 예에 의하면, 건조노즐(320)은 제1처리공간(316)에서 하우징(310)의 입구와 인접한 영역에 위치될 수 있다.
가열부재(330)는 제1처리공간(316)에서 기판(S)을 부상시키기 위한 부상가스를 가열한다. 가열부재(330)는 제2부상가스 공급부(213b)의 부상가스를 가열한다. 가열부재(330)는 제2부상가스 공급부(213b)의 공급라인(214b)에 설치되어 부상홀(212a)로 공급되는 부상가스를 가열한다. 예컨대, 가열부재(330)는 히터일 수 있다. 가열된 부상가스는 기판(S)을 가열할 뿐만 아니라, 제1처리공간(316)을 외부보다 높은 온도로 유지시킨다.
배기부재(340)는 제1처리공간(316)에 발생된 공정부산물을 배기한다. 배기부재(340)는 배기라인(342) 및 펌프(344)를 포함한다. 배기라인(342)은 하우징(310) 및 펌프(344)를 서로 연결한다. 배기라인(342)은 하우징(310)의 상단에 설치된다. 펌프(344)로부터 제공된 배기압은 배기라인(342)을 통해 제1처리공간(316)으로 제공된다. 배기라인(342)은 하우징(310)의 출구와 인접한 영역에 설치된다.
상술한 실시예에 의하면, 건조노즐(320)은 기판(S)의 반송방향에 대해 배기부재(340)보다 상류에에 위치된다. 건조노즐(320)은 기판(S)의 반송방향으로 갈수록 하향 경사진 방향으로 건조가스를 분사하므로, 제1처리공간(316)에는 기판(S)의 반송방향을 따라 일정 기류가 형성될 수 있다. 이로 인해 기판(S)을 상압 건조 처리 시 얼룩이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
이와 달리, 배기부재(340)는 기판(S)의 반송방향에 대해 상류에 위치되고, 건조노즐(320)은 하류에 위치될 수 있다.
감압건조유닛(400)은 기판(S)을 감압 분위기에서 2차 건조처리하는 감압건조유닛(400)으로 제공된다. 감압건조유닛(400)은 1차 건조된 기판(S)을 제2분위기에서 2차 건조 처리한다. 일 예에 의하면, 제2분위기는 제1분위기에 비해 낮은 압력으로 제공될 수 있다. 제2분위기는 진공분위기일 수 있다.
도5는 도2의 감압건조유닛을 보여주는 단면도이다. 도5를 참조하면, 감압건조유닛(400)은 감압챔버(410), 감압부재(420), 플레이트(430)를 포함한다. 감압챔버(410)는 내부에 제2처리공간(416)을 제공한다. 감압챔버(410)의 저면 가장자리영역에는 배기홀(412)이 형성된다. 배기홀(412)은 감압부재(420)에 연결되며, 감압부재(420)로부터 제공된 진공압은 제2처리공간에 제공된다. 제2처리공간에 제공된 진공압은 제2처리공간(416)을 제2분위기로 전환시킨다. 플레이트(430)는 제2처리공간(416)에서 기판(S)을 지지한다. 스테이지(210)의 상면에는 복수 개의 핀홀들(432)이 형성된다. 핀홀들(432) 각각에는 리프트 핀들(440)이 설치된다. 리프트핀(440)은 그 상단이 핀홀(432)로부터 돌출되는 승강위치 및 핀홀(432)에 삽입되는 하강위치로 이동된다.
베이크유닛(120b)은 기판(S)을 열처리한다. 도5는 도2의 베이크유닛을 보여주는 단면도이다. 도5를 참조하면, 베이크유닛(120b)은 베이크챔버(510), 플레이트(520), 그리고 히터(530)를 포함한다. 베이크챔버(510)는 내부에 베이크 공간을 제공한다. 베이크챔버(510)의 저면에는 배기홀(512)이 형성되며, 배기홀(512)은 배기부재(550)와 연결된다. 배기부재(550)는 배기홀(512)을 통해 베이크 공간에 발생된 공정부산물을 배기한다. 플레이트(520)는 베이크챔버(510) 내에서 기판(S)을 지지한다. 플레이트(520)의 상면에는 복수의 흡착홀들(미도시) 및 핀홀들(522)이 형성된다. 흡착홀들(522)은 진공부재(미도시)에 연결되어 플레이트(520)에 놓인 기판(S)을 진공 흡착한다. 핀홀들(522) 각각에는 리프트핀(560)이 제공된다. 리프트핀(560)은 그 상단이 핀홀(522)로부터 돌출되는 승강위치 및 핀홀(522)에 삽입되는 하강위치로 이동된다. 플레이트(520)의 내부에는 히터(530)가 설치된다. 히터(530)는 플레이트(520)에 안착된 기판(S)을 열 처리한다.
다음은 상술한 기판처리장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법을 설명한다.
도포유닛(200)에 기판(S)이 반입되면, 기판(S)은 파지부재(224)에 의해 파지되고, 그 저면으로 부상가스 및 음압이 제공된다. 기판(S)은 제1방향(12)으로 반송되고, 도포노즐(230)은 기판(S) 상에 처리액을 공급하여 도포막을 형성한다. 도포공정이 완료되면, 기판(S)은 상압건조유닛(300)으로 반송된다. 하우징(310)의 입구가 개방되면, 기판(S)은 제1처리공간(316)으로 반입된다. 입구가 닫히면, 건조노즐(320)은 기판(S) 상에 건조가스를 공급한다. 이와 동시에 기판(S)의 저면으로 가열처리된 부상가스를 공급하여 기판(S)을 1차 건조처리한다. 1차 건조공정이 완료되면, 하우징(310)의 출구는 개방되고 기판(S)은 반송로봇(미도시)에 의해 감압건조유닛(400)으로 반송된다. 기판(S)이 플레이트(430)에 놓여지면, 제2처리공간(416)은 진공분위기로 전환되고, 기판(S)을 2차 건조 처리한다. 기판(S)의 2차 건조가 완료되면, 기판(S)은 반송로봇(미도시)에 의해 베이크 유닛(120b)으로 반송되어 열처리된다.
상술한 실시예에는 상압건조유닛(300)의 가열부재(330)가 부상가스를 가열처리하는 것으로 설명하였다. 그러나 가열부재(330)는 부상가스뿐만 아니라 건조노즐(320)로부터 분사되는 건조가스를 더 가열할 수 있다.
또한 도포유닛(200)에서 도포 처리된 기판(S)은 상압건조유닛(300) 및 감압건조유닛(400)에 의해 2 차 건조처리되고, 베이크유닛(120b)으로 반송되는 것으로 설명하였다. 그러나 기판(S)은 상압건조유닛(300)에 의해 1 차 건조처리되고, 이후 곧바로 베이크유닛(120b)으로 반송될 수 있다.
또한 기판(S)은 하우징(310)에 의해 형성된 제1처리공간(316)에서 1 차 건조처리되는 것으로 설명하였다. 그러나 하우징(310) 및 배기부재(340)는 제공되지 않고, 부상가스 및 건조가스에 의해 1차 건조처리될 수 있다.
또한 가열된 부상가스 없이 건조노즐(320)로부터 분사되는 건조가스만을 통해 기판(S)을 건조 처리할 수 있다.
또한 건조가스 없이 가열된 부상가스만을 통해 기판(S)을 건조 처리할 수 있다.
200: 액 처리 유닛 300: 상압건조유닛
320: 건조부재 330: 가열부재
340: 배기부재 400: 감압건조유닛

Claims (14)

  1. 기판 상에 감광액을 공급하는 공정을 수행하는 액 처리유닛과;
    상기 액 처리유닛에서 처리된 기판을 제1분위기에서 건조시켜 상기 감광액에 포함된 용제를 증발시키는 상압건조유닛과;
    상기 상압건조유닛에서 건조 처리된 기판을 제2분위기에서 2 차 건조시키는 감압건조유닛과;
    상기 기판을 상기 액 처리유닛에서 상기 상압건조유닛으로 반송시키거나 상기 상압건조유닛에서 상기 감압건조유닛으로 반송시키는 반송유닛을 포함하고,
    상기 반송유닛은,
    상면에 부상홀들이 형성되는 스테이지와;
    상기 부상홀에 부상 가스를 공급하여 기판을 상기 스테이지로부터 부상시키는 부상부재를 포함하고,
    상기 상압건조유닛은,
    내부에 상기 제1분위기가 형성되도록 제1처리공간을 제공하는 하우징과;
    상기 부상 가스를 가열시키는 가열부재와;
    상기 하우징 내에 위치되며 상기 액 처리유닛에서 처리된 기판의 상면으로 건조가스를 분사하는 건조부재를 포함하고,
    상기 제2분위기는 상기 제1분위기 보다 낮은 압력으로 제공되는 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1분위기는 상압 상태이고, 제2분위기는 진공 상태로 제공되는 기판처리장치.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제1항에 있어서,
    상기 건조부재는 가열된 부상용 가스를 공급하는 상기 부상홀과 대향되게 위치되는 기판처리장치.
  8. 제1항, 제2항 및 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 상압건조유닛은,
    상기 제1처리공간을 배기시키는 배기부재를 더 포함하되,
    상기 배기부재는
    상기 제1처리공간에 배기압을 제공하는 펌프와;
    상기 펌프 및 상기 하우징을 연결하는 배기라인을 포함하는 기판처리장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 건조부재는 기판의 반송방향에 대해 상기 배기부재보다 상류에 위치되는 기판처리장치.
  10. 삭제
  11. 제1항의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    기판 상에 처리액을 공급하는 처리액 공급단계와;
    상기 제1분위기에서 상기 기판에 가열된 가스를 공급하여 상기 기판을 1차 건조처리하는 제1건조단계와;
    1차 건조처리된 상기 기판을 상기 제2분위기에서 2차 건조처리하는 제2건조단계를 포함하고,
    상기 제1분위기는 상압 상태이고, 제2분위기는 진공 상태로 제공되는 기판처리방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1건조단계에는,
    상기 가열된 가스를 상기 기판의 양면 각각에 공급하는 기판처리방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제1건조단계는 하우징에 의해 형성된 처리공간에서 진행되되,
    상기 처리공간에는 상기 기판의 반송방향을 따라 상기 가열된 가스의 기류가 형성되는 기판처리방법.
  14. 삭제
KR1020130126980A 2013-10-24 2013-10-24 기판처리장치 및 방법 KR102219882B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130126980A KR102219882B1 (ko) 2013-10-24 2013-10-24 기판처리장치 및 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130126980A KR102219882B1 (ko) 2013-10-24 2013-10-24 기판처리장치 및 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150047204A KR20150047204A (ko) 2015-05-04
KR102219882B1 true KR102219882B1 (ko) 2021-02-24

Family

ID=53386296

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130126980A KR102219882B1 (ko) 2013-10-24 2013-10-24 기판처리장치 및 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102219882B1 (ko)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI234796B (en) * 2002-03-04 2005-06-21 Tokyo Electron Ltd Solution treatment method and solution treatment unit
JP4495752B2 (ja) 2007-11-06 2010-07-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び塗布装置
JP2011124342A (ja) * 2009-12-09 2011-06-23 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法及びこの基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150047204A (ko) 2015-05-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI294639B (en) Stage equipment and coating processing equipment
JP4554397B2 (ja) ステージ装置および塗布処理装置
JP4341978B2 (ja) 基板処理装置
JP4542577B2 (ja) 常圧乾燥装置及び基板処理装置及び基板処理方法
JP4384685B2 (ja) 常圧乾燥装置及び基板処理装置及び基板処理方法
KR101845090B1 (ko) 도포막 형성 장치 및 도포막 형성 방법
TWI388031B (zh) 處理系統
JP4743716B2 (ja) 基板処理装置
KR20150090943A (ko) 기판처리장치 및 방법
JP4384686B2 (ja) 常圧乾燥装置及び基板処理装置及び基板処理方法
JP5503057B2 (ja) 減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法
TWI311633B (en) Decompression drier
KR101558596B1 (ko) 감압 건조 장치 및 감압 건조 방법
KR101568050B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20080059519A (ko) 기판 처리 방법 및 레지스트 표면 처리 장치
KR102219882B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
JP4967013B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法及びこの基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP4859968B2 (ja) 減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法
JP2004179513A (ja) 基板保持装置及び基板処理装置
JP4327345B2 (ja) 液供給装置及び液供給方法
KR101432825B1 (ko) 기판처리장치
JP4589986B2 (ja) 基板加熱装置
JP5010019B2 (ja) ステージ
KR102322825B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102544865B1 (ko) 기판 가열 장치

Legal Events

Date Code Title Description
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant