TW592977B - Laminate - Google Patents

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TW592977B
TW592977B TW091106980A TW91106980A TW592977B TW 592977 B TW592977 B TW 592977B TW 091106980 A TW091106980 A TW 091106980A TW 91106980 A TW91106980 A TW 91106980A TW 592977 B TW592977 B TW 592977B
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vapor
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layer
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TW091106980A
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Noboru Sasaki
Shinichiro Tanizaki
Masayuki Ohashi
Hiroshi Suzuki
Masanobu Yoshinaga
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Toppan Printing Co Ltd
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Description

五、發明說明(1 ) 枝術領域 本發明係關於具有阻氣性之積層體,特別地,係關於使 用作爲食品或非食品及醫藥品等之包裝材料、及電子機器 相關元件之積層體。 背景技術 被使用作爲食PD或非食品及醫藥品等之包裝體、及電 子機器相關元件之薄膜,係爲了抑制內容物之變質,並 保持該等之功能或性質,而要求具備阻絕透過該材料之 氧氣、水蒸氣、其他使內容物變質之氣體的阻氣性等。 通常之阻氣程度之薄膜方面,於高分子中係可使用阻氣 性較優異之偏二氯乙烯樹脂之薄膜及塗佈其之積層薄膜 等。然而,在要求高度阻氣程度之情況下,由於使用如 此之薄膜並不足夠,不得不使用包含由鋁等金屬所構成 之金屬箔的積層薄膜。 含金屬箔之積層薄膜係具有不被溫度·濕度影響之高 度阻氣性,但是卻有使用後之廢棄時係必須處理作爲不 燃物、平均單位面積之重量變大、不能以金屬探測器來 檢查內容物等之許多問題。 因此,克服該等問題之包裝材料方面,如記載於例如 美國專利第3442686號、特公昭63 - 280 1 7號公報等,以 真空蒸鍍法或濺鍍法等,於塑膠薄膜上蒸鍍金屬氧化物 例如氧化矽、氧化鋁、及氧化鎂等之無機氧化物之蒸鍍 薄膜則已上市。如此之蒸鍍薄膜係得到以金屬箔等所不 592977 五、發明說明(2 ) 可得之透明性,再者因具有氧氣及水蒸氣等之阻氣性、 輕量’適合於作爲廢棄容易之包裝材料。 如此之蒸鍍薄膜’大致上不是以單一材料來使用作爲 包裝材料,例如一方面於蒸鍍薄膜表面上印刷加工文字 •繪晝等,一方面與其他薄膜等貼合,或者經由加工於 容器等之包裝體等之各式各樣之步驟來成爲包裝體而得 〇 因此’於使用上述之蒸鍍薄膜等來與密封薄膜貼合之 後’測定氧氣透過率或水蒸氣透過率等之阻氣性時,具 有聚合物阻氣性薄膜同等以上之阻氣性者,而不能達成 與金屬箔同樣之阻氣性。 如此一來,習知之蒸鍍薄膜係有量輕、容易廢棄、實 現透明性、亦可由金屬探測器來進行內容物之檢查等之 優點,然而卻有所謂不能得到與金屬箔同樣之高度阻氣 性之問題。 發明之-掲示 本發明之目的係以不使用金屬箔,而提供具有金屬范同 等之高度阻氣性之實用性高的積層體。 本發明之積層體,其特徵爲具備一由塑膠材料所構成之 基材,一設置於該基材上之第1蒸鍍薄膜層’一設置於該 第1蒸鍍薄膜層上之塗佈至少包含水溶性高分子之塗覆劑 而形成之阻氣性中間層,及一設置於該中間層上之第2蒸 鍍薄膜層。 592977 五、發明說明(3) 圖式簡單說明 第1圖係顯示表示本發明之積層體之第1範例的剖面圖 〇 第2圖係顯示表示本發明之積層體構造之第2範例的剖 面圖。 第3圖係顯示表示本發明之積層體構造之第3範例的剖 面圖。 第4圖係顯示表示本發明之積層體構造之第4範例的剖 面圖。 第5圖係顯示表示本發明之積層體構造之第5範例的剖 面圖。 第6圖係顯示表示本發明之積層體構造之第6範例的剖 面圖。 第7圖係顯示表示本發明之積層體構造之第7範例的剖 面圖。 第8圖係顯示表示本發明之積層體構造之第8範例的剖 面圖。 第9圖係顯示表示本發明之積層體構造之第9範例的剖 面圖。 第1 0圖係顯示表示本發明之積層體構造之第1 0範例的 剖面圖。 第1 1圖係顯示表示本發明之積層體構造之第1 1範例的 剖面圖。 592977 五、發明說明(4) 發明之最佳實施形態 本發明之積層體包括一由塑膠材料所構成之基材’一設 置於該基材上之第1蒸鍍薄膜層,一設置於該第1蒸鍍薄 膜層上之塗佈至少包含水溶性高分子之塗覆劑而形成之阻 氣性中間層,及一設置於該中間層上之第2蒸鍍薄膜層。 根據本發明,不使用金屬箔,並得到具有金屬箔同等之 優異阻氣性之實用性高的積層體。 於第1圖顯示表示本發明積層體之第1範例的剖面圖。 如圖示,該積層體1 0係於由塑膠材料所構成之基材1上 ,具有依次積層第1蒸鍍薄膜層2、阻氣性中間層3、及 第2蒸鍍薄膜層4之構造。 如此優異之阻氣性係於基材上使用形成單層之蒸鍍薄膜 層的構造、或於基材上使用重疊2層如此之蒸鍍薄膜所形 成之構造、或於設置於基材上之該2層重疊之蒸鍍薄膜層 上進一步形成與阻氣性中間層相同之阻氣性樹脂層之構造 所成。相對於此,本發明者等進行專心一志之硏究的結果 ,如本發明,已知於基材1上,設置於第1蒸鍍薄膜2與 第2蒸鍍薄膜4間所夾住阻氣性中間層3之構造是重要的 。因此’格外地降低氧氣透過率及水蒸氣透過率,得到具 有歷來不可得之金屬箔同等之阻氣性之實用性高的積層體 〇 本發明積層體之阻氣性係可由例如水蒸氣透過率、及氧 氣透過率來表示。 五、發明說明(5) 本發明之積層體係於例如使用墨康法、在4 0 °C溫度、 90%濕度之條件下測定之情況下,以具有〇.2(g/m2 · day) 以下之水蒸氣透過率爲佳。於該範圍則得到金屬箔同等之 咀氣性。水蒸氣透過率係以〇 〇1(g/m2*day)至〇1(g/m2 • d a y )爲特佳。 又,氧氣透過率係於例如3(TC溫度、70%濕度之條件下 ’以0 · 2以下(cm3/m2 · day · atm)爲佳。於該範圍則得到 金屬箔同等之阻氣性。而以0.01至O.KcmVW.day· a t m )爲特佳。 塑膠製基材方面,係考慮作爲包裝材料或電子機器元件 之適用性,可使用單一薄膜及各種積層薄膜。可使用例如 聚對苯二甲酸乙二酯(PET)及聚萘二甲酸乙二酯(PEN)等之 聚酯薄膜、聚乙烯或聚丙烯等之聚烯烴薄膜、聚苯乙烯、 聚醯胺薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚丙烯腈薄膜、聚醯亞胺薄 膜等作爲塑膠製基材之主要材料。 在要求透明性之情況下,係以透明之薄膜基材爲佳。 塑膠製基材係如具有機械強度或尺寸安定性者,以延伸 者或未延伸者均無妨。 通常,加工成薄膜狀來使用該等者。特別由耐熱性等之 觀點則以使用雙軸方向任意地延伸之聚對苯二甲酸乙二酯 薄膜或聚醯胺薄膜爲佳。 爲了使與蒸鍍薄膜層之密著性變好,亦可於塑膠製基材 表面上,進行電暈處理、低溫電漿處理、離子轟擊處理、 592977 五、發明說明(6) 藥品處理、溶劑處理等之前處理。 又’亦可於設置該基材之蒸鍍薄膜層的表面與反面的表 面上,使用熟知之各種添加劑或安定劑、例如帶電防止劑 、紫外線防止劑、可塑劑、及滑劑等。 塑膠製基材之厚度係考慮形成第1及第2蒸鍍薄膜層、 阻氣性中間層之情況的加工性,實用上來說,係以3至 200μιη爲佳,而以6至30μπι爲較佳。 又,如考慮量產性,則希望以可連續地形成前述各層而 成爲長尺寸之連續薄膜。 第1蒸鍍薄膜層及第2蒸鍍薄膜層係蒸鍍具有對於氧氣 、水蒸氣等之阻絕性的材料而得之層。可使用選自例如鋁 、銅、銀等之金屬、或釔钽氧化物、氧化鋁、氧化矽、氧 化鎂等之金屬氧化物之至少1種作爲該材料。 第1及第2蒸鍍薄膜層係可使用相同材料,亦可使用不 同之材料。 於第2及第3圖中,顯示表示本發明積層體之構造的第 2及第3範例之剖面圖。 在要求優異之透明性的情況下,以使用無機氧化物爲佳 〇 如第2圖所示,透明之積層體20係具有於透明之基材5 上’依次積層實質上由無機氧化物所形成之透明第1蒸鍍 薄膜層6、透明之阻氣性中間層7、及實質上由無機氧化 物所形成之透明第2蒸鍍薄膜層8的構造。 592977 五、發明說明(7 ) 在要求優異之透明性的情況下,於第1及第2蒸鍍薄膜 層方面,可使用釔鉅氧化物、氧化鋁、氧化矽、及氧化鎂 中之至少1種的無機氧化物。 又,在要求遮蔽性之情況下,可於第1及第2之蒸鍍薄 膜層之至少一面上使用金屬。 如第3圖所示,具有遮蔽性之積層體30係於基材9上 ,具有依次積層實質上由金屬所形成之第1蒸鍍薄膜層10 、阻氣性中間層1 1、及實質上由金屬所形成之第2蒸鍍薄 膜層1 2的構造。 金屬方面係可使用例如鋁、銅、及銀中至少1種之金屬 〇 又,使用金屬作爲蒸鍍薄膜層,則由於其導電性,可期 待帶電防止效果。 又,在使用例如鋁作爲金屬之情況下,得到電磁波遮蔽 性。 在要求優異之氧氣及水蒸氣透過性之情況下,係以於第 1及第2蒸鍍薄膜層中至少一面上,使用鋁、氧化鋁、氧 化矽、及氧化鎂爲佳。 第1及第2蒸鍍薄膜層之厚度雖因所使用之金屬、氧化 物之種類、蒸鍍薄膜之組成而異,但以5至300nm爲佳。 蒸鍍薄膜層係膜厚未滿5nm則不可得均勻的膜,有阻氣性 不足之傾向,而膜厚超過300nm,則不能保持足夠之彈性 ,由於拉伸等之外在因素,有產生龜裂之傾向。第1及第 592977 五、發明說明(8) 2蒸鍍薄膜層之較佳厚度爲10至150nm之範圍內。 以第1蒸鍍薄膜層之厚度爲10至40nm、第2蒸鍍薄膜 層之厚度爲10至40nm爲較佳。 又,即使在使用金屬之情況下,雖然因金屬之種類而異 ,以使該厚度爲5至30nm,而得到半透明性。 例如形成5至30nm之鋁層作爲第1及第2蒸鍍薄膜層 之至少一面,不但得到半透明性,而且得到電磁波之遮蔽 性、帶電防止效果及阻氣性。而以使鋁層之厚度爲5至 1 5nm來得到較良好之半透明性爲佳。 於第4圖顯示表示本發明積層體之構造的第4範例之剖 面圖。 如圖示,該積層體40係除了設置具有5至30nm膜厚之 實質上由例如鋁等之金屬所形成之半透明的第2蒸鍍薄膜 層,來取代透明之第2蒸鍍薄膜層8作爲第2蒸鍍層以外 ,具有與第2圖相同之構造。還有,如此半透明之鋁薄膜 蒸鍍層係可設置於第1及第2蒸鍍薄膜層中之至少一面上 〇 形成如此之蒸鍍薄膜層的方法方面,可使用通常之真空 蒸鍍法。又,其他形成方法方面,可使用濺鍍法或離子植 入法及電漿氣相成長法(CVD)等。考慮生產性則以真空蒸 鍍法爲佳。真空蒸鍍法之加熱手段方面係以電子射線加熱 方式或電阻加熱方式、及誘導加熱方式之任一種爲佳。 又,爲了提昇蒸鍍薄膜層與基材之密著性及蒸鍍薄膜層 -10- 592977 五、發明說明(9) 之緻密性,可使用電漿輔助法或離子射線輔助法來蒸鍍。 又爲了提昇透明性,可進行於蒸鍍時氧氣等吹入反應蒸鍍 〇 夾於第丨及第2蒸鍍薄膜層之阻氣性中間層,係塗佈至 少包含水溶性高分子成份之塗覆劑而形成。水溶性高分子 方面,舉例有聚乙烯醇、聚乙烯基吡咯烷酮、澱粉、甲基 纖維素、羧甲基纖維素、及褐藻酸鈉等。 特別地聚乙烯醇、以下簡稱PVA、係因阻氣性優異而佳 。其中所稱PVA —般係皂化聚醋酸乙烯酯而得者。PVA方 面係包含例如從殘存數十%醋酸基、所謂部分皂化PVA殘 存數%醋酸基之完全PVA,並無特別之限制。阻氣性中間 層係於塗佈包含水溶性高分子成份之塗覆劑於第1蒸鍍薄 膜層上之後,加熱、乾燥來形成而得。 上述塗覆劑係以主要包含水溶性高分子、i ) 1種以上金 屬烷氧物及其加水分解物及i i )氯化錫中至少1者、與水 或水-醇混合液爲更佳。即調製得到以水或水-醇混合溶液 溶解水溶性高分子及氯化錫之溶液、或者直接或預先加水 分解水溶液聚合物或金屬烷氧物並以水或水-醇混合溶液 溶解之溶液作爲塗覆劑。 於前述塗覆劑中好被使用之氯化錫係氯化亞錫(SnCl2) 、氯化錫(SnCl4)、或該等之混合物。又,可適當地使用 該等之氯化錫無水物及水合物。 再者,金屬烷氧物係以一般式M(OR)n表示之化合物。但 -11- 五、發明說明(1〇) 是通式中,Μ係選自Si、Ti、A1、及Zr等金屬,R係選自 CH3、及-C2H5等之烷基。具體來說,舉出有四乙氧基砂院 Si (OC3H6)4、三異丙氧烷基鋁A1 (0-2,-C3H7)3等。尤其’ 四乙氧基矽烷及三異丙氧烷基鋁係因加水分解後’在水性 溶劑中較爲安定而佳。 塗覆劑中,在無損其阻氣性之範圍中,必要時可加Λ異 氰酸酯化合物、矽烷偶合劑、或分散劑、安定劑、黏度調 整劑、著色劑等之公認的添加劑。 加於塗覆劑之異氰酸酯化合物方面,係以於該分子中具 有2個以上之異氰酸酯基者爲佳。該等之異氰酸酯化合物 方面,舉例有甲苯二異氰酸酯、三苯甲基三異氰酸酯、四 甲基苯二甲二異氰酸酯等之單體類、與該等之聚合物、衍 生物。 在塗覆劑之塗佈方法方面,可使用通常使用之浸漬法、 輥塗法、網式塗佈法、噴塗法、及凹版印刷法等之習知公 認的塗佈手段。 阻氣性中間層係以乾燥後之厚度在200〜600nm之範圍爲 佳。 相對於阻氣性中間層之1厚度之蒸鍍薄膜層(A層及C層) 之厚度比例以在0.005至0 · 25之範圍爲佳。 蒸鍍薄膜層之厚度比例較0 · 005低、或阻氣性中間層之 乾燥後厚度未滿200nm,則有得不到均勻之塗佈膜、阻氣 性不足的傾向,厚度比例超過0 · 25、或超過600nm,則有 -12- 592977 五、發明說明(11 ) 彈性不足、產生龜裂之傾向。 於本發明之積層體中,在塑膠基材與第1蒸鍍薄膜層之 間,可進一步設置底層。 於第5圖中,顯示表示本發明積層體之構造的第5範例 之剖面圖。 如圖所示,該積層體50係於基材1與第1蒸鍍薄膜層2 之間,除了進一步設置底層14之外,具有與第1圖相同 之構造。 設置底層14則可提高基材1與第1蒸鍍薄膜層2之間 的密著性,可防止煮沸殺菌或蒸餾殺菌後之蒸鍍薄膜層之 剝離發生。 可適用作爲底層者係由聚酯多醇或丙烯酸多醇、異氰酸 酯化合物、及矽烷偶合劑等所構成之組成物。 再者,詳細地說明有關於構造底層之組合物。 於本發明中所使用之丙烯酸多醇係於聚合丙烯酸衍生物 單體而得之聚合物化合物、或共聚合丙烯酸衍生物單體及 其他單體而得之聚合物化合物之後、於末端具有羥基者, 與之後所添加之異氰酸酯化合物之異氰酸酯基反應者。尤 其以使用單獨地聚合甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸羥乙酯 或甲基丙烯酸羥丙酯、甲基丙烯酸羥丁酯等之丙烯酸衍生 物單體者、或加入苯乙烯等之其他單體來共聚合之丙烯酸 多醇爲佳。又以考慮與異氰酸酯化合物之反應性與氫氧價 爲5〜200 (KOHmg/g)之間爲佳。 -13- 592977 五、發明說明(12 ) 於本發明中較佳使用之聚酯多醇係於以熟知之製造方法 由對苯二甲酸、間苯二甲酸、苯二甲酸、甲基苯二甲酸、 偏苯三酸、均苯四甲酸、己二酸、癸二酸、丁二酸、順式 丁稀二酸、反式丁稀二酸酸、四氫化鄰苯二甲酸、甲基四 氫化鄰苯二甲酸、六氫化鄰苯二甲酸及該等之反應性衍生 物的酸原料,與乙二醇、丙二醇、1,3 -丁二醇、1,4 -己二 醇、二甘醇、一縮二丙二醇、丨,4-環己二甲醇、季戊二醇 、對苯二甲酸雙羥乙酯、三羥甲基甲烷、三羥甲基丙烷、 丙三醇、季戊四醇等之醇原料而得之聚酯系樹脂的末端具 有2個以上羥基者、與之後添加之異氰酸酯化合物之異氰 酸酯基反應者。 於本發明所使用之上述異氰酸酯化合物係添加用來提高 以可與聚酯多醇或丙烯酸多醇反應之氨酯鍵結之與基材或 蒸鍍薄膜層的密著性者,主要作用爲交聯劑或硬化劑。 該等異氰酸酯化合物方面,係使用芳香族系之甲苯撐二 異氰酸酯(TDI )或二異氰酸二苯基甲烷(MDI )、脂肪族系之 苯二甲二異氰酸酯(XDI )或己撐二異氰酸酯(HMDI )、異佛 爾酮二異氰酸酯(IPDI )等之單體類、與該等之聚合物、衍 生物。該等係單獨地或作爲混合物來使用。 聚酯多醇或丙烯酸多醇與異氰酸酯化合物之配合比雖無 特別之限制,但有異氰酸酯過少則變成硬化不佳之情形’ 又其過多則有產生龜裂等、加工上的問題。因此,聚酯多 醇或丙烯酸多醇與異氰酸酯化合物之配合比係以由異氰酸 -14- 592977 五、發明說明(13) 酯化合物而來之異氰酸酯基爲相對於由聚酯多醇或丙烯酸 多醇而來之經基之50倍以下爲佳。以等量地配合異氰酸 酯基與羥基者爲特佳。混合方法係可使用熟知之方法而無 特別之限制。 又,於本發明所使用之矽烷偶合劑方面,可使用包含任 意之有機官能基之矽烷偶合劑,例如可使用選自乙基三甲 氧基5夕院、乙燒基三甲氧基砂院、7 -氯化丙基甲基二甲 氧基矽烷、r -氯化丙基三甲氧基矽烷、環氧丙氧丙基三 甲氧基矽烷、T -甲基丙烯醯氧基甲基二甲氧基矽烷等之 矽烷偶合劑及其加水分解物之1種或2種以上。 再者,該等之矽烷偶合劑之中,以具有與丙烯酸多醇之 羥基、聚酯多醇之羥基、及異氰酸至化合物之異氰酸酯基 之至少1種反應之官能基者爲特佳。 如此之矽烷偶合劑方面,可單獨地或2種混合地使用例 如如7-異氰酸酯丙基三乙氧基矽烷、r-異氰酸酯丙基三 曱氧基矽烷之包含異氰酸酯基者、如r -胺丙基三乙氧基 矽烷、r -胺丙基三甲氧基矽烷、N - θ -(胺乙基)-T -胺丙 基三乙氧基矽烷、r-苯胺丙基三甲氧基矽烷之包含胺基 者、再者如r -環氧丙氧丙基三甲氧基矽烷或Θ - (3,4 -環 氧環己基)乙基二甲氧基砍院等之包含環氧基者等。該等 之矽烷偶合劑係於存在於一端之有機官能基由聚酯多醇或 丙烯酸多醇與異氰酸酯化合物所構成之複合物中顯示相互 作用’或者,以使用包含與丙烯酸多醇之羥基、聚酯多醇 -15- 592977 五、發明說明(14 ) 之羥基、及異氰酸至化合物之異氰酸酯基之至少1種反應 之官能基之矽烷偶合劑而使其聚有共價鍵,可進一步形成 堅固之底層。發現因另端之醇基等之加水分解所形成之矽 醇基,因與金屬或無機氧化物表面之活性高的羥基之強的 相互作用而與蒸鍍薄膜層之高密著性,可得目的之物性。 因此,可使用同時加水反應上述矽烷偶合劑與金屬烷氧物 者。又,可使用氯基、乙醯氧基來取代上述矽烷偶合劑之 烷氧基。若加水分解該等之烷氧基、氯基、乙醯氧基等而 形成矽醇基者均可用於該複合物。 聚酯多醇或丙烯酸多醇與偶合劑之配合比係以重量比 1/1至100/1之範圍爲佳、而以2/1至50/1之範圍爲較佳 〇 溶解或稀釋溶液方面,若可溶解或稀釋則無特別之限制 ,可單獨地或任意地配合使用例如醋酸乙酯、醋酸丁酯等 之酯類;甲醇、乙醇、異丙醇等之醇類;甲基乙基酮等之 酮類;甲苯、二甲苯等之芳香族碳氫化合物類等。然而, 由於爲了加水分解矽烷偶合劑而使用鹽酸或醋酸等之水溶 液,而以使用任意混合作爲共溶劑之異丙醇等與爲極性溶 劑之醋酸乙酯之溶劑爲較佳。 又,於矽烷偶合劑之配合時爲了促進反應則可添加反應 觸媒。所添加之觸媒方面,由反應性及聚合安定性之觀點 係以氯化錫(SnCl2、SnCl4)、羥基氯化錫(SnOHCl、 Sn(OH)2Cl2)、錫烷氧化物等之錫化合物爲佳。該等之觸媒 -16- 592977 五、發明說明(15 ) 係可於配合時直接添加,又亦可溶於甲醇等之溶劑中來添 加。觸媒爲1時矽烷偶合劑之莫耳比係以10至1〇〇〇〇之 範圍爲佳。在該範圍外則得不到觸媒效果。該莫耳比係以 100至2000之範圍爲較佳。 用於形成底層之底層溶液的調液法方面,係製作以任意 之配合混合聚酯多醇或丙烯酸多醇、異氰酸酯化合物、及 矽烷偶合劑之複合溶液,將其塗佈於基材上而形成。該組 成溶液之製作法方面,係有於混合矽烷偶合劑與聚酯多醇 或丙烯酸多醇,並添加溶劑、稀釋劑來稀釋成任意之濃度 之後,與異氰酸酯化合物混合來製作複合溶液之方法;或 預先混合矽烷偶合劑於溶劑中,然後在添加溶劑、稀釋劑 來稀釋混合聚酯多醇或丙烯酸多醇者成爲任意之濃度後, 製作添加異氰酸酯化合物之複合溶劑的方法等。 於該底層溶液中於必要時亦可添加例如3級胺、咪唑衍 生物、羧酸之金屬氯化物、4級銨鹽、4級磷鹽等之硬化 促進劑、或酚系、硫磺系、磷酸鹽系等之抗氧化劑、勻塗 劑、流動調整劑、觸媒、交聯反應促進劑、塡充劑等。 底層之厚度係以於乾燥狀態下爲10〜2000nm之範圍爲佳 。厚度較1 Onm薄則有難以得到均勻之薄膜,密著性降低 之情況。又在厚度超過2000nm之情況下則有由於厚度而 於塗膜中不能保持彈性,因外在因素而於塗膜產生龜裂之 傾向。底層之厚度係以50〜500nm爲特佳。 底層之形成方法方面,可使用例如平版印刷法、凹槽輥 -17- 592977 五、發明說明(16 ) 印刷法、及絲網印刷法等之熟知的印刷方法、或輥塗、刀 _ '凹槽輥塗佈等之熟知的塗佈方式。相關之乾燥條件係 採用一般使用之條件。 於本發明中,係可於第2蒸鍍薄膜層之上進一步設置阻 氣性中間層。 於第6圖中,顯示表示本發明積層體之構造的第6範例 之剖面圖。 如圖所示,該積層體60係除了進一步於第2蒸鑛薄膜 層4之上設置阻氣性中間層1 5之外,具有與第1圖相同 之構造。 如第6圖所示,進一步設置阻氣性中間層1 5,則積層體 之阻氣性變得較良好,又耐後加工性亦較提昇。 該阻氣性樹脂層方面,係使用與上述之阻氣性中間層相 同之層,可由與該阻氣性中間層之形成方法相同來形成。 阻氣性樹脂層與阻氣性中間層之材質係同種類或不同種 類均可。 又,於本發明中,於第2蒸鍍層或上述阻氣性樹脂層上 ,可進一步設置印刷層。 於第7圖中,顯示表示本發明積層體之構造的第7範例 之剖面圖。 如圖所示,該積層體70係除了進一步於第1蒸鍍薄膜 層4之上設置印刷層1 6之外,具有與第1圖相同之構造 -18- 592977 五、發明說明(17 ) 印刷層1 6係爲了實用地使用作爲包裝袋等而形成。以 該印刷層1 6,於必要時,形成文字、圖案等之畫像而得。 印刷層係以於例如氨酯系、丙烯酸系、硝化纖維素系、 橡膠系等之自從前以來所使用之油墨黏結劑樹脂中,添加 例如各種顏料、體質顏料及可塑劑、乾燥劑、安定劑等之 添加劑等之油墨所構成。 印刷層之形成方法方面,係可使用例如平版印刷法、凹 槽輥印刷法、及絲網印刷法等之熟知的印刷方式、或輥塗 、刀塗、及凹槽輥塗佈等之熟知的塗佈方式。印刷層之膜 厚係於乾燥狀態,形成固體成份,以lOOnm〜2000nm爲佳 〇 再者,於本發明中,於第2蒸鍍薄膜層、上述阻氣性樹 脂層、或印刷層上,可任意地經由介存薄膜等來設置隔熱 層。 於第8圖中,顯示表示本發明積層體之構造的第8範例 之剖面圖。 如圖所示,該積層體80係除了於第2蒸鍍薄膜層4之 經由介存薄膜1 7來設置隔熱層1 8之外,具有與第1圖相 同之構造。 介存薄膜1 7係設置於隔熱層1 8之下。於第2蒸鍍薄膜 層4之外,針對積層體之構造,亦設置於上述阻氣性樹脂 層或印刷層上與隔熱層之間。設置介存薄膜1 7則可提高 例如包裝袋之破袋強度或刺穿強度。 -19- 592977 五、發明說明(18) 介存薄膜方面,由機械強度及熱安定性方面來看,係以 選自雙軸延伸耐綸薄膜、雙軸延伸聚對苯二甲酸乙二酯薄 膜、雙軸延伸聚丙烯薄膜中之一種爲佳。厚度係雖針對材 質或要求品質來決定,但實用上係以ΙΟμπι至30μηι之範圍 爲佳。積層方法方面,係可由使用2液硬化型氨酯系樹脂 等之接著劑來貼合之乾式積層法等之公認的方法來積層。 再者,隔熱層18係於形成包裝袋等之時設置作爲接著 層。 隔熱層之材料方面,係使用例如聚乙烯、聚丙烯、乙烯 -醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸共聚物、乙烯-甲 基丙烯酸酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯 共聚物及該等之金屬交聯物等之樹脂。隔熱層之厚度係雖 針對目的來決定,但實用上係以15〜200μπι之範圍爲佳。 隔熱層之形成方法方面,舉例有使用2液硬化型氨酯樹脂 等接著劑來貼合由上述樹脂所形成之薄膜的乾式積層法。 然而,並不限定於該方法,可由其他公認之方法來積層。 此外,於本發明中,於第2蒸鍍薄膜層上,可進一步積 層與第2蒸鍍薄膜層不同之第3蒸鍍薄膜層。 於第9圖中,顯示表示本發明積層體之構造的第9範例 之剖面圖。 如圖所示,關於第9範例之積層體90係除了於第2蒸 鍍薄膜層4上,具有與第2蒸鍍薄膜層4不同之第3蒸鍍 薄膜層19之外,具有與第1圖相同之構造。 -20- 592977 五、發明說明(19 ) 第3蒸鍍薄膜層19方面,係可使用與第1及第2蒸鍍 薄膜層相同之層。 示於第9圖之積層體90,係於第2蒸鍍薄膜層4上,以 設置與其不同之第3蒸鍍薄膜層1 9,得到較良好之阻氣性 〇 例如可使用無機氧化物作爲第1及第2蒸鍍薄膜層2、4 ,使用金屬例如鋁作爲第3蒸鍍薄膜層1 9。使用金屬作爲 蒸鍍薄膜層,則因其導電性,可期待帶電防止效果。在使 用鋁作爲金屬的情況係得到電磁波遮蔽性。又,在使用氧 化鋁、氧化矽、及氧化鎂中至少1種作爲無機氧化物、使 用鋁作爲金屬的情況下,得到較優異之氧氣及水蒸氣透過 性。再者,以使例如鋁之厚度變成5至30nm來得到半透 明性。 於上述之第1至第9範例中,基本上,顯示具有2層蒸 鍍薄膜層、與設置於該2層蒸鍍薄膜層間之1層阻氣性中 間層之構造及其應用範例。然而,本發明係不限定於該構 造者,具有3層以上之蒸鍍薄膜層與個別於該蒸鑛薄膜層 間設置平均1層阻氣性中間層之多層構造亦包含於本發明 〇 各蒸鍍薄膜層係相同亦可,亦可包含不同者。 於第10圖中,顯示表示本發明積層體之構造的第10範 例之剖面圖。 如圖所示,關於該積層體100係具有於第1至第3蒸鍍 -21 - 592977 五、發明說明(2〇) 薄膜層2、4、19之間,個別設置平均1層阻氣性中間層3 、20之多層構造。該多層構造係除了於第2蒸鍍薄膜層4 上經由阻氣性中間層20來設置第3蒸鍍薄膜層1 9,與第 1圖相同。 第3蒸鍍薄膜層19方面,係可使用與第1及第2蒸鍍 薄膜層2、4相同之層。 又,於第9圖之構造中,以進一步於例如由無機氧化層 所構成之第3蒸鍍薄膜層4與由金屬層例如鋁層所構成之 第3蒸鍍薄膜層1 9之間設置阻氣性中間層20,來得到具 有該多層構造之積層體之一範例。 還有,於第10範例中,必要時可組合上述第2至第9 範例之特徵部分。 以下,顯示實例並具體地說明本發明。 實例 實例1 預備12μπι厚度之雙軸延伸聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄 膜作爲塑膠製基材。以電子射線加熱方式載置該PET薄膜 於真空蒸鍍裝置內,並蒸發金屬鋁,導入氧氣於其中,於 PET薄膜之單面上,蒸鍍具有15nm之厚度的氧化鋁層,而 得到第1蒸鍍薄膜層。 其次,調製下述中間層塗覆劑1。 中間層塗覆劑1之調製 首先’添加89.6克(0.1N)鹽酸於10.4克四乙氧基矽烷 -22- 592977 五、發明說明(21 ) 中作爲1液,並攪拌30分鐘,且加水分解,調製以Si〇2 換算固體部份爲3重量%之加水分解溶液。 其次,以混合97重量%之以重量比爲90比10來混合 水與異丙醇之水-異丙醇溶液與3重量%之聚乙烯醇來作 爲2液。 以60比40之重量混合比來混合上述1液與2液,得到 中間層塗佈液1。 以凹槽輥塗佈法塗佈所得之中間層塗覆劑液1,然後, 於120°C乾燥1分鐘,形成具有500nm之厚度的阻氣性中 間層。 然後,以電子射線加熱方式載置形成第1蒸鍍薄膜層及 阻氣性中間層於蒸空蒸鍍裝置內,並蒸發金屬鋁,導入氧 氣於其中,同時蒸鍍具有15nm之厚度的氧化鋁層,形成 第2蒸鍍薄膜層,而得到透明之積層體。所得之積層體之 構造係與第2圖相同。 針對所得之積層體進行阻氣性、透明性、及環境適合性 之試驗。 阻氣性試驗 測定水蒸氣透過率(g / πι2 · d ay )作爲阻氣性之指標。水 蒸氣透過率係使用墨康法來測定,此時之測定條件爲40°C -90% RH。 透明性試驗 又,爲了確認透明性,觀察可由目視確認內容物。以〇 -23- 592977 五、發明說明(22 ) 記號表示能確認內容物者,以X記號表示不能者。 環境適合性試驗 又,爲了確認環境適合性,實施焚燒試驗,進行氯氣產 生之有無、是否殘留殘渣之確認。以〇_示適合性良好者 ,以X表示不良者。 又,總合地針對透明性、表示阻氣性之水蒸氣透過率、 環境適合性等來評估。 以〇表示透明性、阻氣性、及環境適合性等完全滿足的 情況,以X表示不完全滿足之情況。 該結果示於表1。 又,一倂於表1顯示第1蒸鍍薄膜層、阻氣性中間層、 及第2蒸鍍薄膜層之厚度比例。 實例2 除了以由電阻加熱方式之真空蒸鍍方式,蒸鍍具有約 3 0nm厚度之氧化矽層來取代氧化鋁作爲第2蒸鍍薄膜層之 外,與實例1相同地得到透明之積層體。 針對所得之積層體進行與實例1相同之試驗。該結果示 於表1。 實例3 除了以由電阻加熱方式之真空蒸鍍方式,蒸鍍具有約 20nm厚度之氧化矽層來取代氧化鋁作爲第1蒸鍍薄膜層之 外,與實例1相同地得到透明之積層體。 針對所得之積層體進行與實例1相同之試驗。該結果示 -24- 592977 五、發明說明(23 ) 於表1。 實例4 除了以由電子射線加熱方式之真空蒸鍍方式,蒸鍍具有 約15nm厚度之氧化鎂層作爲第1蒸鍍薄膜層之外,與實 例2相同地得到透明之積層體。 針對所得之積層體進行與實例1相同之試驗。該結果示 於表1。 比較例1 除了無設置第2蒸鍍薄膜層之外,與實例1相同地得到 透明之積層體。 針對所得之積層體進行與實例1相同之試驗。該結果示 於表1。 比較例2 除了於第1蒸鍍薄膜層上,蒸鍍第2蒸鑛薄膜層之後, 設置阻氣性中間層之外’與實例1相同地得到透明積層體 〇 針對所得之積層體進行與實例1相同之試驗。該結果示 於表1。 -25- 592977 五、發明說明(24 )
表1 水蒸氣透過率 透明性 環境適 厚度比例 總合評估 (g/m2 · day) 合性 厚度(nm) 比例 實例1 0.04 〇 〇 15/500/15 0.03/1/0.03 〇 實例2 0.03 〇 〇 15/500/30 0.03/1/0.06 〇 實例3 0.08 〇 〇 20/500/15 0.04/1/0.03 〇 實例4 0.07 〇 〇 15/500/30 0.03/1/0.06 〇 比較例1 1.3 〇 〇 15/500/- X 比較例2 0.4 〇 〇 15/15/500 . X 如由表1所得知,實例1至實例4之積層體係完全滿足 可直接透視內容物之透明性、隔絕對內容物造成影響之氣 體等而得之金屬箔同等的高度阻氣性、及環境適合性等者 相對於此,如比較例1,於基材上,使用僅設置單一蒸 鍍膜與阻氣性層之構造,則得知即使透明性良好,水蒸氣 透過率變得相當高,阻氣性變差。又,不設置阻氣性中間 層,於基材上,即使使用重疊雙層蒸鍍薄膜層,得知水蒸 氣透過率高,不可得金屬箔同等之阻氣性。 實例5 預備具有12μηι之厚度的雙軸延伸PET薄膜作爲塑膠製 基材。 其次,如以下來調製底層塗佈液。 底層塗佈液之製成 -26- 592977 五、發明說明(25 ) 預備醋酸乙酯作爲稀釋溶劑,相對於1重量份r -異氰 酸酯丙基三甲基矽烷,混合、攪拌1 〇重量份丙烯酸多醇 〇 其次,加入作爲異氰酸酯化合物之XDI與I PD I之7比3 混合物,成爲相對於丙烯酸多醇之羥基該異氰酸酯化合物 之異氰酸酯基爲等量,得到混合溶液。 調製以醋酸乙酯稀釋所得之混合溶液成爲固體部分爲2 重量%者作爲底層塗佈液。 於該PET薄膜之單面上,以凹槽輥塗佈來塗佈乾燥上述 之底層塗佈液,形成0 . 1 μΐΏ之底層。 其次,於形成底層之基材上,以與實例1相同地蒸鍍具 有15nm厚度之氧化鋁,形成第1蒸鍍薄膜層。 然後,以凹槽輥塗佈法塗佈與實例1相同之中間層塗覆 劑1,於120°C乾燥1分鐘,形成具有400nm厚度之阻氣 性中間層。 於阻氣性中間層上,與實例1相同地形成第2蒸鍍薄膜 層。 於第2蒸鍍薄膜層上,與上述阻氣性中間層相同地,形 成具有500nm厚度之阻氣性樹脂層。 預備1 5μπι厚度之雙軸延伸耐綸薄膜作爲在所得之阻氣 性樹脂層上之介存薄膜,以經由2液硬化型氨酯系接著劑 之積層法來積層之。再者,預備70μηι厚度之未延伸聚丙 烯薄膜作爲隔熱層,以經由2液硬化型氨酯系接著劑之積 -27- 592977 五、發明說明(27 ) 實例6 於實例1中’除了使用以電阻加熱方式之真空蒸鍍方式 ,蒸鍍具有約25nm厚度之氧化矽層來取代第2蒸鍍薄膜 層之外,與實例5相同地得到透明之積層體。 針對所得之積層體進行與實例5相同之試驗。該結果示 於表2。 比較例3 除了未設置阻氣性中間層之外,與實例5相同地得到透 明之積層體。 針對所得之積層體進行與實例5相同之試驗。該結果示 於表2。 實例7 除了未設置底層之外,與實例5相同地得到透明之積層 體。 針對所得之積層體進行與實例5相同之試驗。該結果示 於表2。 表2 氧氣透 (cm3/m2 · c 丨過率 ay · atm) 積層 (N/1 1強度 .5mm) 環境適 合性 總合 評估 蒸餾殺菌前 蒸餾殺菌後 蒸餾殺菌前 蒸餾殺菌後 實例5 0.01 0.05 420 410 〇 〇 實例6 0.03 0.10 400 390 〇 〇 比較例3 0.20 1.78 420 400 〇 X 實例7 0.02 0.10 390 150 〇 Δ 如由表2所得知,實例5、實例6之積層體係即使進行 -29- 592977 五、發明說明(28 ) 蒸餾殺菌,亦完全滿足透明性、隔絕對內容物造成影響之 氣體等之金屬箔同等的高度阻氣性、各種耐殺菌性、及環 境適合性等者。 然而,如比較例3,於基材上,在使用未設置阻氣性中 間層並重疊2層而形成蒸鍍薄膜層構造的情況下,得不到 金屬箔同等之高度阻氣性,如實例7,在設置底層之情況 下,已知有蒸餾殺菌後之積層強度變弱的傾向。 實例8 除了使阻氣性中間層之厚度變成400nm之外係與實例1 相同地得到積層體。 針對所得之積層體,測定水蒸氣透過率。 關於所得之測定値,評估水蒸氣透過率爲0.2以下之情 況爲〇、以上之情況爲X。 所得之結果示於下述表3。又,第1蒸鍍薄膜層、阻氣 性中間層、及第2蒸鍍薄膜層之厚度比例一倂示於表3。 實例9 除了使用以電阻加熱方式之真空蒸鍍方式,蒸鍍具有約 3 5 nm厚度之氧化矽作爲第2蒸鍍薄膜層之外,與實例8相 同地得到積層體。 針對所得之積層體進行與實例8相同地進行試驗、評估 。該結果同樣地示於下述表3。 實例10 除了使用以電子射線加熱方式之真空蒸鍍裝置,蒸發金 -30- 592977 五、發明說明(29 ) 屬鋁來蒸鍍40nm厚度的纟§外’與實例8相同地得到積層 體。 針對所得之積層體進行與實例8相同地進行試驗、評估 。該結果同樣地示於下述表3 ° 又,該積層體之表面電阻値爲45Ω / cm2。 實例11 除了設置與實例5相同之底層之外,與實例8相同地得 到積層體。 針對所得之積層體進行與實例8相同地進行試驗、評估 。該結果同樣地示於下述表3。 又,使用所得之積層體,與實例5相同地製作包裝材料 ,並進行蒸餾實驗。該結果示於下述表4。 實例12 除了使用具有15μιη厚度之雙軸延伸耐綸薄膜(ONY)作爲 基材之外,與實例1 1相同地得到積層體。 針對所得之積層體進行與實例1 1相同地進行試驗、評 估。該結果同樣地示於下述表3。 再者,於第2蒸鍍薄膜層上,經由2液硬化型氨酯系接 著劑以乾式積層法來積層作爲隔熱層之60μπι厚度的低密 度聚乙烯薄膜,來製作包裝材料。 使用所得之包裝材料來進行下述煮沸試驗。 煮沸試驗 使用該包裝材料來製作4邊爲密封部分之袋子,塡充 -31 - 592977 五、發明說明(3〇) 150克水作爲內容物。 然後進行90t -30分鐘之煮沸殺菌。 於30 °C - 70 % RH之條件測定煮沸前後之氧氣透過率 (cm3/m2 · day)。又,與實例5同樣地測定該積層強度。考 慮該氧氣透過率與積層強度,並進行總合評估。該評估結 果示於表5。 實例13 於第2蒸鍍薄膜層上,除了使用與阻氣性中間層相同之 塗覆劑來設置具有0 · 5μιτι厚度之阻氣性樹脂層之外,與實 例1 1相同地得到積層體。 針對所得之積層體進行與實例8相同地進行試驗、評估 。該結果同樣地示於下述表3。 又,使用所得之積層體,與實例5相同地製作包裝材料 ,並進行蒸餾試驗。該結果示下述表4。 實例1 4 除了蒸鍍l〇nm金屬鋁作爲第2蒸鍍薄膜層之外,與實 例1 0相同地得到積層體。 針對所得之積層體進行與實例8相同地進行試驗、評估 。該結果同樣地示於下述表3。 該積層體之表面電阻値爲50Q/cm2。又於500nm波長之 光線透過率爲40% 。 比較例4 除了未設置第2蒸鍍薄膜層之外,與實例8相同地得到 -32- 592977 五、發明說明(31 ) 積層體。 針對所得之積層體進行與實例8相同地進行試驗、評估 。該結果同樣地示於下述表3。 較例5 除了未設置第2蒸鍍薄膜層之外,與實例Π相同地得 到積層體。 針對所得之積層體進行與實例8相同地進行試驗、評估 。該結果同樣地示於下述表3。 又,使用所得之積層體,與實例5相同地製作包裝材料 ,並進行蒸餾試驗。該結果示下述表4。 比較例6 除了未設置第2蒸鍍薄膜層之外,與實例1 2相同地得 到積層體。 針對所得之積層體進行與實例8相同地進行試驗、評估 。該結果同樣地示於下述表3。 又,與實例1 2相同地進行煮沸試驗。該結果示表5。 實例15 除了阻氣性中間層爲50ηπι之外,與實例1 1相同地得到 積層體。 針對所得之積層體進行與實例8相同地進行試驗、評估 。該結果同樣地示於下述表3。 比較例7 除了第1蒸鍍薄膜層之厚度與第2蒸鍍薄膜層之厚度個 -33- 592977 五、發明說明(32 ) 別爲20nm,於第1蒸鍍薄膜層上,未設置阻氣性中間層地 直接蒸鍍第2蒸鍍薄膜層之外,與實例8相同地得到積層 體。 針對所得之積層體進行與實例8相同地進行試驗、評估 。該結果同樣地示於下述表3。 比較例8 除了使用以電阻加熱方式之真空蒸鍍方式,蒸鍍具有約 4 0 n m厚度之氧化砂作爲第2蒸鍍薄膜層之外,與比較例7 相同地得到積層體。 針對所得之積層體進行與實例8相同地進行試驗、評估 。該結果同樣地示於下述表3。 比較例9 除了與實例8之阻氣性中間層之形成方法相同地,於第 2蒸鍍薄膜層上設置阻氣性樹脂層之外,與比較例7相同 地得到積層體。 針對所得之積層體進行與實例8相同地進行試驗、評估 。該結果同樣地示於下述表3。 實例16 於與實例8相同地而得之積層體的第2蒸鍍薄膜層上, 與實例1 4相同地蒸鍍1 Onm金屬鋁而得到積層體。 針對所得之積層體進行與實例8相同地進行試驗、評估 。該結果同樣地示於下述表3。 該積層體之表面電阻値爲50 Ω / cm2。又於500 nm波長之 34- 592977 五、發明說明(33 ) 光線透過率爲40% 。 表3 水蒸氣透過率 厚度比例 總合評估 (g/m2· day) 厚度(nm) 比例 實例8 0.04 15/400/15 0.0375/1/0.0375 〇 實例9 0.03 15/400/35 0.0375/1/0.0875 〇 實例10 0.04 15/400/40 0.0375/1/0.1 〇 實例11 0.07 15/400/15 0.0375/1/0.0375 〇 實例12 0.12 15/400/15 0.0375/1/0.0375 〇 實例13 0.01 15/400/15 0.0375/1/0.0375 〇 實例14 0.15 15/400/10 0.0375/1/0.025 〇 比較例4 0.95 15/400/0 0.0375/1/0 X 比較例5 2.12 15/400/0 0.0375/1/0 X 比較例6 4.05 15/400/0 0.0375/1/0 X 實例15 0.47 15/50/15 0.3/1/0.3 Δ 比較例7 2.5 _ • X 比較例8 1.7 样 X 比較例9 1.1 • X 實例16 0.03 15/400/15 0.0375/1/0.0375 〇 如由上述表3所得知,關於實例8〜1 4及1 6係得到金屬 箔同等之高度阻氣性。於實例1 5係由於相對於第1及第2 蒸鍍薄膜層,阻氣性中間層之比例大,氧氣透過率比較於 實例8〜13稍微變高。 -35- 592977 五、發明說明(34 ) 相對於此,如比較例4至6,在蒸鍍薄膜層僅爲1層之 情況下得不到足夠之阻氣性。再者,如比較例7及8,即 使於基材上不使用中間層地使用重疊2層蒸鍍薄膜層而形 成之構造,如比較例9,即使使用於其上進一步形成阻氣 性樹脂層之構造,已知氧氣透過率不會降低,阻氣性不足
表4 氧氣透過率 (cm3/m2 · day · atm) 積層強度 (N/15mm) 總合 蒸餾殺菌前 蒸餾殺菌後 蒸餾殺菌前 蒸餾殺菌後 評估 實例11 0.13 0.56 420 410 〇 實例13 0.09 0.12 400 390 〇 比較例5 0.34 1.78 420 400 X 又,由上述表4,針對實例1 1及1 3,亦進行蒸餾殺菌 ,具有金屬箔同等之高度阻氣性及積層強度。 然而,如比較例5,未形成第2蒸鍍薄膜層而形成單一 蒸鍍薄膜層者,已知阻氣性不足。
表 5 _ __ 氧氣透 (cm3/m2 · d i過率 ay · atm) 積層強度 (N/15_) 總合 蒸餾殺菌前 蒸餾殺菌後 蒸餾殺菌前 蒸餾殺菌後 評估 實例12 0.19 0.75 1400 1100 〇 比較例6 0.37 2.98 1500 1200 X -36- 592977 五、發明說明(35 ) 關於實例1 2 ’雖然具有煮沸試驗前後均足夠之阻氣性及 積層強度,如比較例6 ’在未形成第2蒸鍍薄膜層、僅設 置單一蒸鍍薄膜層之情況下,已知氧氣透過率變得特別高 ,阻氣性變差。 產業上之利用可行性_ 本發明之積層體係由於未使用金屬箔地實現金屬箔同等 之優異阻氣性、煮沸殺菌或蒸餾殺菌後亦具有其阻氣性及 積層強度,可廣泛地利用於包裝領域、及電子機器元件領 域。 1件符號對照表 1 基 材 2 第 1 蒸 鍍 薄 膜 層 3 阻 氣 性 中 間 層 4 第 2 蒸 鑛 薄 膜 層 5 基 材 6 透 明 的 第 1 蒸 鍍 薄 膜 層 7 透 明 的 阻 氣 性 中 間 層 8 透 明 的 第 2 蒸 鍍 薄 膜 層 9 基 材 10 第 1 蒸 鍍 薄 膜 層 11 阻 氣 性 中 間 層 12 第 2 蒸 鍍 薄 膜 層 13 半 透 明 的 第 2 蒸 鍍 薄 膜層 -37- 592977 五、發明說明(36 ) 14 底層 15 阻氣性中間層 16 印刷層 17 介存薄膜 18 隔熱層 19 第3蒸鍍薄膜層 20 阻氣性中間層 10 積層體 20 透明的積層體 30 積層體 40 積層體 50 積層體 60 積層體 70 積層體 80 積層體 90 積層體 100 積層體 110 包裝材料 -38-

Claims (1)

  1. 六、申請專利範圍 v 第9 1 1 06980號「積層體」專利案 w (93年1月2日修正) 六申請專利範圍: 1 . 一種積層體,其包括一由塑膠材料所構成之基材,一設 置於該基材上之第1蒸鍍薄膜層,一塗佈至少包含水溶 性高分子之塗覆劑所形成之阻氣性中間層,及一設置於 該中間層上之第2蒸鍍薄膜層,其中該中間層與該第1 蒸鍍薄膜層之厚度比例,及該中間層與該第2蒸鍍薄膜 層之厚度比例,分別在1 / 0.005至1/0.25之範圍內, 且該第1及第2蒸鍍薄膜層係包含選自由鋁、銅、銀、 銦鉬氧化物、氧化鋁、氧化矽及氧化鎂所構成之群組中 至少1種。 2 .如申請專利範圍第1項之積層體,其中該中間層具有 200至600nm之厚度。 3 .如申請專利範圍第1項之積層體,其中該中間層係塗佈 主要包含水溶性高分子、與含有!)1種以上之金屬烷 氧化物及其加水分解物以及i i )氯化錫中至少一者之 水溶液及水-醇混合溶液之1種的塗覆劑而得之層。 4 .如申請專利範圍第3項之積層體,其中該金屬烷氧化物 係包含四乙氧基矽烷及三異丙氧基銨之至少1種。 5 .如申請專利範圍第1項之積層體,其中該水溶性高分子 爲聚乙烯醇。 6 .如申請專利範圍第1項之積層體,其中於該基材與第1 -1- 592977 六、申請專利範圍 蒸鍍薄膜層之間,更包含底層。 7 .如申請專利範圍第6項之積層體,其中該底層係包含丙 烯酸多醇及聚酯多醇之中1種、異氰酸酯化合物、與矽 烷偶合劑之複合物。 8 ·如申請專利範圍第7項之積層體,其中該矽烷偶合劑係 具有與丙烯酸多醇之羥基、聚酯多醇之羥基、及異氰酸 酯化合物之異氰酸酯基中至少1種反應之有機官能基。 9 .如申請專利範圍第8項之積層體,其中該有機官能基係 異氰酸酯基、環氧基及胺基中至少1種。 1 〇 ·如申請專利範圍第 7項之積層體,其中於該複合物中 添加有反應觸媒。 , 1 1 .如申請專利範圍第 1 0項之積層體,其中該反應觸媒爲 錫化合物。 1 2 .如申請專利範圍第 1 1項之積層體,其中該錫化合物爲 氯化錫、羥基氯化錫、錫烷氧化物。 1 3 .如申請專利範圍第1項之積層體,其中於該第2蒸鍍層 上,進一步具有塗佈至少包含水溶性高分子之塗覆劑而 形成之阻氣性被覆層。 1 4 ·如申請專利範圍第 1 3項之積層體,其中該中間層係塗 佈主要包含水溶性聚合物、與包含i) 1種以上之金屬 烷氧化物及其加水分解物以及i i )氯化錫中至少一者 之水溶液、及水·醇混合溶液之1種的塗覆劑而得之層 -2- 592977 六、 申請專利範圍 15 如 串 三主 δ円 專 利 範 圍 第 1 4項之積層體 ,其中該金 :屬 院 氧 化 物 係包含 四 乙 氧 基 矽烷及三異丙氧 基氨中至少 1 種 〇 16 如 串 Ξ主 δ円 專 利 範 圍 第 1 3項之積層體 ,其中該水 .溶 性 局 分 子 爲 聚 乙 烯 醇 〇 17 . 如 串 請 專 利 範 圍 第 1項之積層體, 其中該第1 及 第 2 蒸 鍍 薄 膜 層 爲 透 明 的 〇 18 如 串 B円 專 利 範 圍 第 1項之積層體, 其中該第1 及 第 2 蒸 鍍 薄 膜 層 至 少 有 — 層具有遮光性。 19 如 串 請 專 利 範 圍 第 1項之積層體, 其中於該第 2 蒸 鍍 層 上 設 置 熱 熔 融 性 樹 脂層。 20 ,如 串 Ξ主 δ円 專 利 範 圍 第 1 3項之積層體 ,其中於該 阻 氣 性 被 覆 層 上 設 置 熱 熔 融 性樹脂層。 21 , >如 甲 Ξ主 Ρ円 專 利 範 圍 第 1項之積層體, 其中於使用 墨 康 法 、 在 40〇C 溫 J 芰 90 %濕度條件下測定之情況 下 具 有 0 · 2( g/ m2 •day)以下之水蒸氣透過率。 22 , .如 甲 三主 δ円 專 利 範 圍 第 1項之積層體, 其中該第1 蒸 鍍 薄 膜 層 係 由 與 該 第 2 蒸 鑛薄膜層相異之材料所構成 〇 23 •如 串 請 專 利 範 圍 第 1項之積層體, 其中該第1 蒸 鍍 薄 膜 層 係 由 與 該 第 2 蒸 鍍薄膜層相同之: 材料所構成 〇 24 •如 串 請 專 利 範 圍 第 1項之積層體, 其中該第1 蒸 鍍 薄 膜 層 及 該 第 2 蒸 :鍵 :薄 膜層中至少一者 係實質上由 選 白 由 鋁 銅 及 銀 所 構 成之 群組之金屬蒸鍍+ 薄膜層所構, 成 〇 25 •如 串 請 專 利 範 圍 第 2 4項之積層體 ,其中該金 屬 菡 ^ \ \\ 鍍 薄 膜 層 係 具 有 5 至 1 5ηπι之厚度。 -3 - 592977 六、申請專利範圍 26 .如申請專利範圍第1項之積層體’其中該第1及第2蒸 鍍薄膜層係由包含選自由銦鉅氧化物、氧化鋁、氧化石夕 及氧化鎂所構成之群組中至少1種之透明層所構成。 27 .如申請專利範圍第1項之積層體,其中該第1及第2蒸 鍍薄膜層係包含選自由鋁、氧化鋁、氧化矽及氧化鎂所 構成之群組中至少1種。 2 8 ·如申請專利範圍第1項之積層體,其中於該第2蒸鍍薄 膜層上,更設置阻氣性中間層及第3蒸鍍薄膜層。 2 9 ·如申請專利範圍第1項之積層體,其中於該第2蒸鍍薄 膜層上,更設置第3蒸鍍薄膜層。 —4 ~
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