TW583433B

TW583433B - An electro-optical apparatus and a projection type apparatus

Info

Publication number: TW583433B
Application number: TW090124887A
Authority: TW
Inventors: Masao Murade; Kenya Ishii
Original assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1998-02-09
Filing date: 1999-01-21
Publication date: 2004-04-11
Also published as: CN1287208C; KR19990072286A; TW542932B; KR20030029589A; KR100485232B1; US20010015778A1; TWI250337B; US6480244B2; KR100460182B1; KR100506566B1; CN1515947A; KR20040065205A; US6249327B1; US6172721B1; CN100362404C; CN1233768A

Description

583433 A7 B7 五、發明説明（1 ) 發明所屬之技術領域 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係屬於藉由薄膜電晶體（以下，簡稱爲τ F T )驅動等的主動矩陣驅動方式的液晶面板以及使用此面板之電子機器的技術領域。先行技術經濟部智慧財產局員工消費合作社印製從前，於藉由開關元件之T F T控制被複數設爲矩陣狀的像素電極之主動矩陣驅動方式的液晶面板，如第1 6 圖所示，在T F T陣列基板上設有對應於縱橫分別被配列的多數掃描線3 a以及資料線6 a還有這些線的各交點，透過接觸孔8導電接續於多數的T F T 3 0 >以及該 TFT的像素電極9 a。各TFT3 0 /的構成，係將半導體層1 a的通道區域1 a > (第1 6圖走向爲左上右下的斜線部）藉由從掃描線3 a突出的閘極電極3 a /來控制，供給影像訊號的資料線6 a透過接觸孔5導電接續於半導體層1 a的源極區域，像素電極9 a被接續於半導體層1 a的汲極區域。特別是像素電極9 a，係設於供使構成T F T 3 0 /或資料線6 a以及掃描線3 a等配線的各種層或者該像素電極9 a相互絕緣的層間絕緣膜上，所以透過被開孔於層間絕緣膜的接觸孔8被接續於 T F T 3 0 >的汲極區域。發明所欲解決之課題然而，於液晶面板的技術領域，爲了獲得高解像度的本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -4 - 583433 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（2 ) 畫質，對於像素的高精細化的要求越來越強，同時像素間距的微細化也越來越加速。如此，爲了提高像素密度使可以顯示高精細的影像，以及爲了使液晶面板的尺寸小型化而如第1 6圖所示地使像素間距L縮小而進行微細化的話，成爲非開口區域的各種配線間的距離就變得更窄。此外，液晶面板的重要要素之一爲亮度，雖然可以提高對於影像顯示區域的像素開口區域的比率之像素開口率來實現，但是像素微細化的話，因爲資料線或掃描線等配線或者開關兀件之T F T區域成爲非開口區域的緣故，所以提高像素開口率有一定的限度。在此，即使像素微細化，也因爲爲了要提高像素開口率使得接續像素電極與T F T之用的接觸孔或資料線與掃描線的間隔也變窄。亦即，產生像素電極與各種配線的短路、而有產生致命像素缺陷的可能性〇此外，不僅僅是資料線或掃描線等配線寬度的細窄化而已，將開關元件的T F T 3 0 >微細化也很重要，半導體層1 a的源極區域與資料線6 a的接觸孔5，以及汲極區域與像素電極9 a的接觸孔8的尺寸分別有必要某求微細化。第1 7圖係沿著第1 6圖的D _ D /線的剖面圖，亦即顯示T F T 3 0 >的剖面圖，顯示開孔接觸孔8的工程。於第1 7圖（a )，在汲極區域1 e上形成閘極絕緣膜2或層間絕緣膜4及7之後，如第1 7圖（b )所示，藉由將光阻劑3 0 2從光遮罩3 0 3的方向曝光，在正型光阻劑的場合，被照射到光線的部份的光阻劑3 0 2感光 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 583433 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（3 ) ，光阻劑3 0 2被除去。然而，在這裡成爲問題的是，由於聞極電極3 a 所導致層間絕緣膜4與7的高低差。爲了謀求T F T 3 0 /的尺寸的微細化，在閘極電極3 a > 的附近開孔接觸孔8時，由於此高低差部使得在遮罩曝光產生光的亂反射，使得光阻劑產生向圖中的箭頭方向後退的不良情形。藉此，亦即光阻劑3 0 2被除去的圖案直徑較光遮罩3 0 3上的沒有遮光性鉻膜3 0 4的部份亦即接觸孔開孔用的圖案的直徑更大，而有接觸孔8的微細化變得困難的問題。進而，在液晶面板的技術領域還有顯示影像的高品質化或省能源化的要求，必須要有使用微透鏡的提高光利用效率的作法，第1 6圖所示的從前的像素那般透過光線的區域，係由形成於對向基板上的遮光膜2 2來規定的，以虛線包圍的內側是光線透過的區域。如上述的先行例，透光區域對於像素開口部的中心不是線對稱的場合，不能夠將微透鏡的效果發揮到最大限度，而無法充分提高入射光的利用效率。本發明係有鑑於上述的問題點，課題在於藉由使用比較簡單的構成，提供即使像素微細化也不會招致工程製造率或像素開口率降低的液晶面板以及具備該液晶面板的電子機器。供解決課題之手段申請專利範圍第1項所述之光電裝置，其特徵包 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) M規格（21〇x297公釐） -6 - 583433 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（4 ) 含：複數條資料線；掃描線，與該複數條資料線交叉；薄膜電晶體，與該資料線及掃描線連接；像素電極，連接於該薄膜電晶體；電容電極，沿著該掃描線延伸；缺口部，形成於該電容電極；以及接觸孔，位於該缺口，電性連接該薄膜電晶體的汲極區域與該像素電極。申請專利範圍第2項之光電裝置係如申請專利範圍第 1項所述之光電裝置，其中該薄膜電晶體的汲極區域具有與該電容電極重疊的區域。申請專利範圍第3項之光電裝置係如申請專利範圍第 1項所述之光電裝置，其中該掃描線與該電容電極係在同一層形成。申請專利範圍第4項之光電裝置係如申請專利範圍第 1項所述之光電裝置，其中具有形成於該掃插線，面對該電容電極的缺口部的缺口部。申請專利範圍第5項之光電裝置係如申請專利範圍第 4項所述之光電裝置，其中該電容電極的缺口部深度比該掃描線的缺口部深度還深。申請專利範圍第6項所述之投射裝置，其特徵包含：複數條資料線；掃描線，與該複數條資料線交叉； I---------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 583433 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（5 ) 薄膜電晶體，與該資料線及掃描線連接；像素電極，連接於該薄膜電晶體；電容電極，沿著該掃描線延伸；缺口部，形成於該電容電極；光電裝置，具備位於該缺口，電性連接該薄膜電晶體的汲極區域與該像素電極的接觸孔；光源，對該光電裝置照射照明光；以及投射光學系，投射來自該光電裝置的像。申請專利範圍第7項所述之光電裝置，其特徵包含：複數條資料線；掃描線，與該複數條資料線交叉；薄膜電晶體，與該資料線及掃描線連接；像素電極，連接於該開關元件；電容電極，沿著該掃描線延伸；缺口部，形成於該掃描線；以及接觸孔，位於該缺口，電性連接該薄膜電晶體的汲極區域與該像素電極。申請專利範圍第8項之光電裝置係如申請專利範圍第 7項所述之光電裝置，其中具有形成於該電容電極，面對該掃描線的缺口部的缺口部。申請專利範圍第9項所述之投射裝置，其特徵包含：複數條資料線；掃描線，與該複數條資料線交叉；薄膜電晶體，與該資料線及掃描線連接； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -8 - 583433 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（6 ) 像素電極，連接於該開關元件；電容電極，沿著該掃描線延伸；缺口部，形成於該掃描線；光電裝置，具備位於該缺口，電性連接該薄膜電晶體的汲極區域與該像素電極的接觸孔；光源，對該光電裝置照射照明光；以及投射光學系，投射來自該光電裝置的像。本發明的這種作用以及其他的優點可以由以下說明的實施形態來獲得證實。發明的實施形態以下，根據圖面說明本發明的實施形態。 (液晶面板的第1實施形態）關於液晶面板的第1實施形態的構成，根據第1圖至第3圖來說明。第1圖係構成液晶面板的影像顯示區域的被形成爲矩陣狀的複數像素之等價電路圖。第2圖係構成液晶面板的T F T陣列基板上的鄰接的複數像素群的平面圖，第3圖係第2圖之A — A /間的剖面圖。於第3圖，因爲將各層或各構件以可辨識程度的大小來顯示的緣故，所以各層或各構件其比例都有所差異。首先，根據本實施形態的構成液晶面板的像素顯示區域的被形成爲矩陣狀的複數像素，如第1圖所示，控制像素電極9 a之用的T F T 3 0被複數形成爲矩陣狀，供給 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X297公釐） -9- 583433 A7 B7 五、發明説明（7) 影像訊號的資料線6 a被導電接續於該T F T 3 0的源極。寫入資料線6 a的影像訊號依照S 1、S 2 ........ 5 η的順序依照線順序供給亦可，對於鄰接的複數資料線 6 a彼此以每一群的方式供給亦可。此外，於前述 T F T 3 0的閘極有掃描線3 a被導電接續，以指定的計時對掃描線3 1將掃描訊號脈衝地以G 1、G 2 ........ G m的順序以線順序的方式供給而構成。像素電極9 a，被導電接續於T F T 3 0的汲極，藉由將開關元件之 T F T 3 0僅在一定期間關閉其開關的方式，將來自資料線被供給的影像訊號以指定的計時寫入。透過像素電極 9 a被寫入液晶的指定位準的影像訊號在被形成於對向基板（後述）的對向電極（後述）之間被保持一定期間。液晶，藉由以被施加的電壓位準改變分子集團的配向或秩序，而調變光線可以顯示階調。如果是常白（normally white )模式的話，因應被施加的電壓使得入射光不能通過此液晶部分，如果是常黑（normally black)模式的話，因應被施加的電壓而使得入射光可以通過此液晶部分，而全體從液晶面板射出因應影像訊號的具有對比的光。此處，爲了防止被保持的影像訊號的洩漏，與被形成於像素電極 9 a與對向電極之間被形成的液晶電容並列地附加蓄積電容7 0。藉此，保持特性進而被改善，可以實現高對比的液晶面板。尙且，形成蓄積電容7 0的方法，也可以設供形成電容之用的配線的電容線3 b，當然也可以在與前段的掃描線3 a之間形成電容。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） .1 I------—丨 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 d 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -10- 583433 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（8 ) 其次，說明液晶面板的第1實施形態的構成。根據第1實施形態，構成液晶面板的影像顯示區域的像素的平面配置採用如第2圖所示的構成。亦即，設有被設爲矩陣狀的複數像素電極9 a、被複數配列於X方向分別沿著Y方向延伸的資料線6 a、及被複數配列於Y方向分別沿著X方向延伸的掃描線3 a。此處，在第S X個資料線6 a與掃描線3 a的交叉部形成構成T F T 3 0的半導體層1 a的通道區域1 a / (第2圖之向左上斜的斜線部 )，該T F T 3 0的源極區域於資料線下藉由接觸孔5電氣導通。此外，半導體層1 a的汲極區域，延伸設置直到相鄰的第S X i i條資料線6 a的附近，形成供對像素附加電容的第1蓄積電容電極1 f。第1蓄積電容電極1 f在與電容線3 b之間，形成將閘極絕緣膜作爲電介質膜的蓄積電容。電容線3 b沿著掃描線3 a於X方向延伸設置直到影像顯示區域的外側。進而，於自己那一段的資料線 6 a下也同樣地從半導體層1 a的汲極區域延伸形成第1 蓄積電容電極1 f的話，於所謂配線形成部之液晶面板的非透光區域，可以有效率地附加蓄積電容地緣故，所以供保持被寫入像素的電荷之用的能力提高，可以實現對比高的液晶面板。尙且，於第2圖，資料線6 a的第S X條與第 S X i i條的關係相反也不會有問題。此處，於掃描線3 a與電容線3 b的配線間設供接續半導體層1 a的汲極區域與像素電極9 a之用的接觸孔8 。這是藉由將由於接觸孔8的高低差形狀而導致產生液晶 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -11 - 583433 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（9 ) 的配向不良的區域，配合進入於在相鄰像素9 a間產生的橫方向電場所導致的液晶配向不良的相同區域，而可以在從前不得不遮光的區域有效果地設置接觸孔8。此外，接觸孔8的正下方，第2圖以粗線包圍的部分也可以設有作爲蝕刻停止膜的多結晶矽膜或鎢（W )、鈦（T i )、鉻 (C r )、鉬（Μ 〇 )、鉅（T a )等高融點金屬膜或者其合金膜的導電性的增高膜1 3 a亦可。這是爲了使在蝕刻工程開孔出供導帶接續半導體層1 a的汲極區域與像素電極9 a之用而設的接觸孔8時，即使貫穿半導體層1 a 也不會成爲致命的像素缺陷而設的，藉此，可以實現半導體層的薄膜化，具有可以形成改善電晶體的特性及對光的光電效果的影響很少的半導體層的優點。這個場合，增高膜1 3 a的至少一部份係以包圍接觸孔8的方式被形成.，進而增高膜1 3 a不重疊於掃描線3 a以及電容線3 b。接觸孔8與掃描線3 a以及電容線3 b的邊界很少的場合如第2圖所示，以使掃描線3 a以及電容線3 b不重疊於增高膜1 3 a的方式，沿著設有該導電膜的區域將掃描線 3 a與電容線3 b的至少一方使其二次元地低窪凹下亦可。進而藉由將接觸孔8設於相鄰的第S X條資料線6 a與第 S X ^ 1條資料線6 a之間的幾乎中心，即使像素微細化，也可以防止資料線6 a與像素電極9 a短路，可以大幅降低由於T F T 3 0的不良所導致的點缺陷與線缺陷等致命缺陷。 · 此外’在第1實施形態的液晶面板，藉由將T F T的 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -12- 583433 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（10) 至少通道區域1 a /及該通道區域1 a >與源極/汲極區域的接合部形成於資料線6 a的下方，可以使入射光不會直接照射於通道區域1 a >以及該通道區域1 a /與源極 /汲極區域的接合部。進而，以不照射於T F T 3 0的至少通道區域1 a /以及該通道區域1 a >與源極/汲極區域的接合部的方式在T F T 3 0的下方也透過層間絕緣膜設鎢（W )、鈦（T i )、鉻（C r )、鉬（Μ 〇 )、鉅 (T a )等高融點金屬膜或者其合金膜或多結晶矽膜等之遮光膜1 1 a (第2圖中向右上方斜的斜線部）。採用如此構成的話，藉由以偏光板反射透過像素開口部的光而照射T F T 3 0可以防止產生洩漏電流。這意味著即使爲了提高光利用效率而使強光入射，也可以防止由於半導體層的光電效果導致洩漏電流。特別是對於投影器用途的液晶面板特別有效。尙且，遮光膜1 1 a爲了防止T F T 3 0 的電晶體特性的劣化，預先供給接地電位等定電位亦可。此時，以接續被設於影像顯示區域的外側的周邊驅動電路的電源等定電位線的話，因爲不需要專用的外部輸入端子或者不需要拉引配線，所以可以謀求有效利用T F T陣列基板的空間。第3圖，係沿著第2圖的A — A >線的剖面，三次元地顯示TFT3 0以及蓄積電容7 0的構造。TFT3 0 具有L D D ( Lightly Doped Drain :低參雜汲極）構造，具備：掃描線3 a、藉由來自掃描線3 a的電場而被形成通道的半導體層1 a的通道區域1 a >、絕緣掃描線3 a (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇><297公釐） -13- 583433 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（11 ) 與半導體層1 a的閘極絕緣膜2、半導體層1 a的低濃度源極區域（源極側L D D區域）1 b以及低濃度汲極區域 (汲極側L D D區域）1 c、半導體層1 a的高濃度源極區域1 d以及高濃度汲極區域1 e。於高濃度源極區域 1 d有資料線6 a接續，於高濃度汲極區域1 e有複數像素電極9 a之中的對應的一個被接續。源極區域1 b及 1 d還有汲極區域1 c及1 e如後所述，對半導體層1 a 因應是否形成η型或者ρ型通道而藉由參雜η型或者ρ型用的參雜劑（dopant )來形成。η型通道TFT具有動作速度快的優點，多半被使用作爲像素的開關元件之 T F T 3 0。在本實施形態特別是資料線6 a (源極電極 )，係由鋁等金屬膜或者金屬矽酸鹽等的合金膜等遮光性薄膜所構成。此外，於掃描線3 a (閘極電極）、閘極絕緣膜2以及第1層間絕緣膜1 2上，被形成分別被形成通往高濃度源極區域1 d的接觸孔5以及通往高濃度汲極區域1 e的接觸孔8的第2層間絕緣膜4。透過通往此高濃度源極區域1 d的接觸孔5，資料線6 a (源及電極）被導電接續於高濃度源極區域1 d。進而，於資料線6 a ( 源極電極）以及第2層間絕緣膜4之上，形成被形成通往高濃度汲極區域1 e的接觸孔8的第3層間絕緣膜7。透過通往此高濃度汲極區域1 e的接觸孔8，像素電極9 a 導電接續於高濃度汲極區域1 e。前述的像素電極9 a，被設於如此被構成的第3層間絕緣膜7的上面。此處，於接觸孔8的正下方於半導體層1 a的高濃度汲極區域1 e (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -14 - 583433 A7 B7 五、發明説明（12) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製與該高濃度汲極區域1 e的下層設導電性的增高膜1 3 a 。藉此，在接觸孔8開孔時的鈾刻，即使貫穿半導體層 1 a的高濃度汲極區域1 e，也因爲藉由下層的增高膜 1 3 a導電接續的緣故，所以不會成爲致命的缺陷。此外，開孔出接觸孔8的區域，因爲以儘可能平坦化者較佳的緣故，所以掃描線3 a與電容線3 b以及增高膜1 3 a的膜厚以取得一致較佳。此外，如第2圖所是在掃描線3 a 與電容線3 b之間的空間延伸設置增高膜1 3 a，儘可能地形成平坦的區域。採用如此構成的話，於接觸孔8的周邊以及掃描線3 a與電容線3 b的配線間因爲在像素電極 9 a的下層的層間絕緣膜表面不會產生高低差的緣故，所以可以極力減少產生液晶的配向不良的區域。藉此，可以更提高像素開口率。此外，增高膜，也可以不是導電接續於汲極區域下，而是在汲極區域上與汲極區域導電接續的方式設置。如此的增高膜，如果藉由與資料線相同的材料同時形成的話，可以不增加工程數而形成增高膜。此外，在該場合，如果使資料線與掃描線或者電容線的幾乎成爲一致的膜厚的話，進而可以有效果地平坦化。 TFT3 0，較佳者係具有上述地LDD構造，但是不對低濃度源極區域1 b以及低濃度汲極區域1 c打入不純物離子而具有移位（offset )構造亦可，也可以將閘極電極3 a作爲遮罩打入不純物離子，自我整合地形成高濃度源極及汲極區域的自我校準型T F T。此外，於第3圖所示的T F T 3 0的構造，於本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210x297公釐） 15· 583433 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7_ __五、發明説明（13 ) T F T 3 0的高濃度源極區域1 d與高濃度汲極區域1 e 之間，以成爲串連電阻的方式設置2個透過閘極絕緣膜2 倍供給同一掃描訊號的閘極電極3 a ，作爲雙閘極（二閘極）構造的T F T亦可。藉此’ T F T 3 0的洩漏電流可以降低，可以實現高對比。此外’藉由雙閘極構造’可以具有冗長度性，不僅可以大幅降低像素缺陷’而且在高溫動作時也可以降低洩漏電流的緣故’所以可實現高對比的像質。又，當然在T F T的高濃度源極區域1 d與高濃度汲極1 e之間可以設置的閘極電極3 a的數目也可以在3 個以上。此處，一般而言，半導體層1 a的通道區域1 a >、低濃度源極區域1 b以及低濃度汲極區域1 c等多結晶矽層，當光線入射時由於多結晶矽具有的光電變換效果而產生了電流使得T F T 3 0的電晶體特性劣化，但是在本實施形態，以將掃描線3 a (閘極電極）從上側覆蓋的方式由鋁等遮光性金屬薄膜形成資料線6 a (源極電極）的緣故，至少可以有效果的防止對於半導體層1 a的通道區域 1 a >以及L D D區域1 b、1 c的入射光（亦即，在第 3圖中從上側來的光）。此外，如前所述，在T F T 3〇的下側，因爲設有遮光膜的緣故，至少可以有效果地防止對半導體層1 a的通道區域1 a /以及LDD區域1 b、 1 c的返回光（亦即在第3圖中從下側來的光）的入射。此外，如第1圖所示，在像素電極9 a分別設蓄積電容70。此蓄積電容70，更具體而言，係由：從半導體 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -16- 583433 A7 B7 五、發明説明（14) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 層1 a的高濃度汲極區域1 e所開始延伸設置的多結晶砂膜所構成的第1蓄積電容電極1 f、藉由與閘極絕緣膜2 同一工程所形成的電介質膜、藉由與掃描線3 a (閘極電極）同一工程所形成的電容線3 b (第2蓄積電容電極）、第2及第3層間絕緣膜4及7、還有透過第2及第3層間絕緣膜相對方向於電容線3 b的像素電極9 a的一部份等所構成的。如此設有蓄積電容7 〇的緣故，即使負荷比很小也可以進行高精細的顯示。電容線3 b (第2蓄積電容電極）如第2圖所示，於T F T陣列基板1 〇的面上被設爲幾乎平行於掃描線3 a (閘極電極）。進而，如本實施形態這般，藉由在第1蓄積電容電極1 f下透過第1層間絕緣膜1 2設遮光膜1 1 a，使第1層間絕緣膜1 2發揮作爲電介質膜的功能，可以謀求增大蓄積電容，藉此可以實現更高品質的畫質的液晶面板。 (液晶面板的製造過程）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製其次，參照第4圖至第7圖說明具有以上的構造的液晶面板的製造過程。又，第4圖至第6圖係各工程之 T F T陣列基板側的各層對應於第2圖的A — A —剖面而顯示的工程圖。此外，於第7圖係使T F T陣列基板側的各層封應於弟2圖的B - B 剖面而顯不的工程圖，顯示第6圖的（1 7 )開始的工程。又，於第4圖至第7圖，各層或各構件在圖面上是以可辨識程度的大小來顯示的緣故，所以各層或各構件的比例尺彼此有所不同。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -17- 583433 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（15) 首先’參照第4圖至第6圖，說明對應於第2圖的A 一 A >剖面的包含τ F T 3 〇的部分的製程。如第4圖的工程（1 )所示，準備石英基板、硬玻璃等T F T陣列基板1 〇。此處，較佳者爲以氮氣等非活性氣體環境而且在約9 0 0〜1 3 0 0°C的高溫進行退火處理，以使其在之後的高溫製程中T F T陣列基板1 0所產生的應變（strain )變少的方式進行前處理。亦即，以製程中的最高溫配合進行高溫處理，事前預先將T F T陣列基板1 0以相同溫度或者更高溫度預先熱處理。如此被處理的T F T陣列基板1 〇的全面，藉由濺鍍形成膜厚1 0 0 0〜5 Ο Ο 0A (埃）程度而較佳者爲 2〇Ο Ο A (埃）程度的鈦（τ i )、鉻（C r )、鎢（ W )、鉬（Μ 〇 )、鉅（T a )以及鉛（P d )等金屬或金屬矽酸鹽等的金屬合金膜之遮光膜1 1。又，在使不產生串音的程度的光量入射的用途上被使用的場合，沒有形成遮光膜1 1的必要。接著，如工程（2 )所示，在該被形成的遮光膜1 1 上藉由光蝕刻形成對應於遮光膜1 1 a的圖案的遮罩，藉由透過該遮罩對遮光膜1 1進行鈾刻，形成遮光膜1 1 a 。此時，遮光膜1 1 a可以形成爲島嶼狀，也可以沿著掃描線或資料線形成爲條紋狀。此外，如第2圖所示形成爲格子狀的話，可以謀求遮光膜1 1 a的低電阻化。其次，如工程（3 )所示，於遮光膜1 1 a之上，例如藉由常壓或者減壓CVD法等，使用TEOS氣體、 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -18- 583433 A7 B7 五、發明説明（16) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ΤΜ〇Ρ氣體等形成由NS G (不含硼或磷的矽酸鹽玻璃膜）、P S G (含有磷的矽酸鹽玻璃膜）、B S G (含有硼的矽酸鹽玻璃膜）、B P S G (含有磷與硼的矽酸鹽玻璃膜）等矽酸鹽玻璃膜、氮化矽膜或氧化矽膜等所構成的第1層間絕緣膜1 2。此第1層間絕緣膜1 2的膜厚’例如爲約8 0 〇〇〜1 5 0 〇〇 A ( ί矢）。接著，如工程（4 )所示，藉由減壓C V D或濺鍍，形成導電膜1 3。導電膜1 3，係由多結晶矽膜或鎢（W )、鈦（T i )、鉻（C r )、鉬（Μ 〇 )、鉅（T a ) 等高融點金屬膜，或者其合金膜所構成，導電膜1 3的膜厚，以成爲與後續工程形成的掃描線或電容線相同膜厚的方式形成較佳。關於此優點在稍後詳述。 J·. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製其次，如工程（5 )所示，藉由施以光蝕刻工程以及蝕刻工程等，在後續工程於像素電極9 a與半導體層1 a 的汲極區域的正下方殘留島嶼狀的增高膜1 3 a。又，增高膜1 3 a係以像素電極9 a與半導體層的汲極區域導電接續之用的接觸孔在蝕刻時即使貫穿該半導體層也不會成爲不良的方式敷設的緣故，所以敷設在供導電接續資料線 6 a與半導體層的源極區域之用的接觸孔5的正下方也不會有問題。其次，如工程（6 )所示，於增高膜1 3 a之上，以約4 5 0〜5 5 0 °C的溫度，較佳者爲5 0 0 °C之比較低溫的環境中，使用流量約4 0 〇〜6 0 0 c c /m i η的單矽烷氣體、二矽烷氣體等藉由減壓C V D (例如壓力爲本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇><297公董） -19- 583433 A7 B7 五、發明説明（17) (讀先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 0〜4 0 P a的C V D )，形成非結晶矽膜。其後，在氮氣環境中以約6 0 0〜7 0 0 °C施以1〜1 〇個小時，較佳者爲4〜6個小時的退火處理，藉此使多結晶矽膜1 固相成長至500〜2000A (埃）的厚度，較佳者爲 1 0 0 0A的厚度。此時，在製作η通道型TFT3 0的場合，藉由將銻（S b )、砷（A s )、磷（P )等V族元素的參雜劑微量地離子注入而參雜亦可。此外，在製作 p通道型TFT30的場合，藉由將硼（B)、鎵（Ga )、銦（I η )等ΠΙ族元素的參雜劑微量地離子注入而參雜亦可。又，不經由非結晶矽膜，而藉由減壓C V D法等直接形成多結晶矽膜1亦可。或者對藉由減壓C V D法堆積的多結晶矽膜打入矽離子使其一度非結晶化（非晶質化 )，其後藉由退火處理等使其再結晶形成多結晶膜1亦可。此外，藉由準分子雷射等雷射照射進行退火處理，使矽核固相成長亦可。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製其次，如工程（7 )所示，藉由光蝕刻工程、蝕刻工程等，形成指定圖案的島嶼狀半導體層1 a。此時，不僅僅成爲開關元件的通道區域以及源極/汲極區域而已，包括供改善像素的保持特性而附加電容之用的蓄積電容的單方電極的區域也一起形成。其次，如工程（8 )所示，藉由以約9 0 0〜 1 3 0 0 °C的溫度，較佳者爲1 〇〇 0 °C的溫度熱氧化半導體層1 a，形成約1 〇〇〜5 0 0 A (埃）的較薄的熱氧化膜，進而藉由減壓C V D法堆積約1 0 0〜本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X297公釐） -20- 583433 A 7 B7 五、發明説明（18) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 Ο Ο Ο A的較薄的高溫氧化砂膜（Η T〇膜）或氮化石夕膜，形成具多層構造的閘極絕緣膜2。結果，半導體層 la的厚度，成爲約200〜1 500Α (埃）的厚度，較佳者爲約3 0 0〜1 0 〇〇 A的厚度。藉由如此縮短高溫熱氧化的時間，特別是在使用8英吋程度的大型基板的場合，可以防止熱所導致的彎曲。但是藉由僅熱氧化多結晶矽層1，形成具有單一層構造的閘極絕緣膜2亦可。或者爲了實現閘極絕緣膜2的高耐壓化，使用氮化矽膜亦可。此外，以同一工程形成閘極絕緣膜2與蓄積電容的電介質膜。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製其次，如第5圖的工程（9 )所示，藉由減壓C V D 法堆積多結晶矽膜3之後，使磷（P )熱擴散，使多結晶矽膜導電化。又，使用在多結晶矽膜3成膜的同時導入磷離子的參雜矽膜亦可。如工程（1 0 )所示，藉由使用遮罩的光蝕刻工程、蝕刻工程，形成如第8圖所示的指定圖案的掃描線3 a (閘極電極）以及電容線3 b (第2蓄積電容電極）。掃描線3 a (閘極電極）的膜厚，例如爲約 1 0 0 0〜8 0 0 0 A。此時，藉由使與增高膜1 3 a的膜厚成爲幾乎相同的膜厚，可以使接觸孔的開孔形狀不會擴大。但是，也可以不僅由多結晶矽層，而由鎢或鉬等高融點金屬膜或者金屬矽酸鹽來形成亦可，或者是組合這些金屬膜或者金屬砂酸鹽膜與多結晶砂膜形成多層亦可。這個場合，將掃描線3 a (閘極電極），如第3圖所示配置作本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -21 - 583433 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（19) 爲對應覆蓋第2遮光膜2 2的區域的一部份或全部的遮光膜’可以藉由金屬膜或金屬矽酸鹽膜所具有的遮光性，而省略第2遮光膜2 2的一部份或者全部。在此場合，特別具有可以防止對向基板2 0與T F T陣列基板1 〇的貼合偏移導致像素的開口率降低的優點。其次，如工程（1 1 )所示，在TFT30爲具有 LDD構造的η通道型TFT的場合，於半導體層la，首先爲了形成低濃度源極區域1 b以及低濃度汲極區域 1 c，而將掃描線3 a (閘極電極）作爲擴散遮罩，將磷等V族元素的參雜劑3 0 0以低濃度（例如，將磷離子以 1〜3 X 1 0 1 3 / c m 2的劑量）參雜。藉此掃描線3 a (閘極電極）下的半導體層1 a成爲通道區域1 a —。此外，電容線3 b (第2蓄積電容電極）下的半導體層1 a 將閘極絕緣膜2作爲電介質層而成爲形成蓄積電容7 0的第1蓄積電容電極1 f。又，對形成第1蓄積電容電極 1 f的部分預先打入磷離子使其低電阻化亦可。其次，如工程（1 2 )所示，爲了形成高濃度源極區域1 d以及汲極區域1 e，以較掃描線3 a (閘極電極）更寬的遮罩將光阻劑層3 0 2形成於掃描線3 a (閘極電極）上之後，將同樣的磷等V族元素的參雜劑3 0 1以高濃度（例如磷離子以1〜3 X 1 0 1 5 / c m 2的劑量）參雜。此外，將T F T 3 0形成爲P通道型的場合，將η通道型的T F Τ 3 0的區域以光阻劑覆蓋保護，再度反覆工程（1 1 )以及（1 2 )。此時，於半導體層1 a ，爲了本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 22· 583433 A7 B7 五、發明説明（2〇) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 形成低濃度源極區域1 b以及低濃度汲極區域1 C還有高濃度源極區域1 d及高濃度汲極區域1 e，使用硼等m族元素參雜。成爲如此的L D D構造的場合，可得降低短路通道效果的優點。尙且，例如不進行低濃度的摻雜，而作爲移位構造的T F T亦可，將掃描線3 a (閘極電極）作爲遮罩，藉由使用磷離子、硼離子等的離子注入技術形成自我校準型的TFT亦可。並行於這些工程，可以將由η通道型T F T以及p通道型T F Τ所構成的具有互補型構造的周邊驅動電路形成於T F Τ陣列基板1 〇上的周邊部。如此，在本實施形態，在T F Τ 3 0形成時以同一工程，可以形成資料線驅動電路或掃描線驅動電路等周邊驅動電路’在製造上有利。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製其次，如工程（1 3 )所示，以覆蓋掃描線3 a (閘極電極）或電容線3 b (第2蓄積電容電極）的方式，例如使用減壓CVD法或者TEOS氣體等，形成由NSG 、P S G、B S G、B P S G等矽酸鹽玻璃所構成的第2 層間絕緣膜4。第2層間絕緣膜4的膜厚，因爲不附加配線間電容的緣故以較厚者較佳，以約5 0 0 0〜 1 5 0 0 0 A (埃）較佳。其次，如工程（1 4 )所示，爲了活性化高濃度源極區域1 d以及高濃度汲極區域1 e而進行2 0分鐘 1〇0 0 t的退火處理之後，對資料線3 1 (源及電極）將接觸孔5藉由反應性蝕刻、反應性離子束蝕刻等乾蝕刻來形成。此時，藉由反應性蝕刻、反應性離子束蝕刻之類本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -23- 583433 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（21) 的向異性蝕刻來開孔出接觸孔5的做法，具有可以將開孔形狀形成爲與遮罩幾乎相同的優點。但是組合乾蝕刻於溼式蝕刻來開孔的話，可以將接觸孔5形成爲推拔狀，所以可得防止配線接續時的斷線的優點。此外，將掃描線3 a (閘極電極）與未圖示的配線接續之用的接觸孔，也藉由與接觸孔5同樣的工程開孔於第 2層間絕緣膜4。其次如第6圖的工程（1 5 )所示，於第2層間絕緣膜4之上，藉由濺鍍處理等，堆積遮光性的鋁等低電阻金屬或金屬矽酸鹽等金屬含有膜6約1 0 0 0〜8 Ο Ο 0A (埃）的厚度，較佳者爲約3 Ο Ο Ο A。其次如工程（1 6 )所示，藉由光蝕刻工程、鈾刻工程等，形成資料線6 a (源極電極）。作爲蝕刻工程使用反應性蝕刻、反應性離子束蝕刻等乾式鈾刻來形成的話，可以抑制過度鈾刻，具有可以如遮罩尺寸高精度地圖案化的優點。其次如工程（1 7 )所示，以覆蓋住資料線6 a (源極電極）上的方式，例如使用常壓或者減壓C V D法或使用TEOS氣體等，形成由NSG、PSG、BSG、 B P S G等矽酸鹽玻璃膜、氮化矽膜或氧化矽膜等所構成的第3層間絕緣膜7。第3層間絕緣膜7的膜厚，以在資料線6 a與後續工程所形成的像素電極之間不被附加電容的方式形成爲較厚者較佳，約以5 0 0 0〜1 5 Ο Ο 0A 較佳。此外，由於配線或開關元件之T F T 3 0的高低差 ----------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 1·. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） -24- 583433 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ______B7____五、發明説明（22) ，使得液晶會產生配向不良’取代構成第3層間絕緣膜7 的矽酸鹽玻璃膜或者重疊於其上旋轉塗布有機膜或者 S 0 G ( Spin On Glass )，或者施以C Μ P處理而形成平坦的膜亦可。採用如此構成的話，可以極力降低液晶的配向不良的產生區域，即使像素微細化也可以實現高開口率〇其次如工程（1 8 )所示，將供導電接續像素電極 9 a與高濃度汲極區域1 e的接觸孔8，藉由反應性蝕刻、反應性離子束蝕刻等乾式触刻形成。此時，藉由反應性蝕刻、反應性離子束蝕刻之類的向異性蝕刻開孔出接觸孔 8的做法，具有可得與遮罩形狀幾乎相同的開孔形狀的優點。但是，組合乾式蝕刻與溼式蝕刻而開孔的話，因爲可以將接觸孔8形成爲推拔狀，所以可得防止配線接續時的斷線的優點。此外，於接觸孔8的開孔區域的正下方不僅敷設半導體層的汲極區域1 e，而且還敷設著導電膜之增高膜1 3 a，所以萬一貫穿半導體層也不會成爲致命的缺陷。進而藉由敷設增高膜1 3 a，半導體層1 a的通道區域1 a /可以薄膜化，所以可以提高元件的特性。其次，如工程（1 9 )所示，於第3層間絕緣膜7上，藉由濺鍍處理等，將I T 0膜等透明導電性薄膜9堆積約500〜2000A厚，進而如工程（20)所示，藉由光蝕刻工程、蝕刻工程等，形成像素電極9 a。尙且在將該液晶面板1 0 0使用於反射型液晶裝置的場合，由鋁等反射率高的不透明材料形成像素電極9 a亦可。在此場本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------^^衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 1· -25- 583433 A7 B7 五、發明説明（23) 合，形成第3層間絕緣膜7時有必要藉由C Μ P處理等平坦化，使像素電極9 a成爲鏡面狀。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著，於像素電極9 a上塗布聚醯亞胺系的配向膜的塗布液汁厚，以使具有指定的預傾斜角的方式在指定的方向施以摩擦處理等，形成第3圖所示的配向膜2 3。另一方面，關於第3圖所不的對向基板2 0，首先準備玻璃基板等，第2遮光膜2 2在例如將金屬鉻濺鍍之後，經過光蝕刻工程、蝕刻工程而被形成。此外，第2遮光膜除了鉻、鎳、鋁等金屬材料之外，也可以由將碳黑或者鈦分散於光阻劑的黑色樹脂等材料來形成。尙且，在 T F T陣列基板1 0上形成遮光膜的話，因爲在T F T陣列基板1 0上開口區域被規定的緣故，所以對向基板上的第2遮光膜2 2變成不再是必要的，T F T陣列基板1〇與對向基板2 0的貼合精度，可以忽視，實現透過率沒有不均勻的液晶面板。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製其後，藉爲對對向基板2 0全面進行濺鍍處理，形成對向電極2 1。進而，於對向電極2 1的全面塗布聚醯亞胺系的配向膜塗布液之後，以使具有指定的預傾斜角的方式在指定方向上施以摩擦處理而形成配向膜2 3。最後，如上述般被形成各層的T F T陣列基板1 〇與對向基板2 0，以使配向膜1 9以及2 2相對面的方式，藉由僅被混入指定量的具有指定直徑（例如1〜6 // m程度的直徑）的玻璃纖維或者玻璃珠等所構成的間隔材的密封才來貼合，藉由真空吸引等，於兩基板之間的空間抽吸本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -26- 583433 A7 B7 五、發明説明（24) 例如混合複數種類的絲狀液晶等而成的液晶，形成指定膜厚的液晶層5 0。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此處，針對開孔出被設於包挾在掃描線3 a以及電容線3 b的區域的接觸孔8的製造過程加以說明。又，第7 圖係沿著第2圖的B — B /線的剖面圖，第7圖的工程（ a )與前述第6圖的工程（1 7 ) —致。此外，針對第7 圖（a )〜（d )的工程與先行技術例之第1 7圖（a ) 〜（d )予以對比而說明。如第7圖的工程（a )所示，在本實施形態的液晶面板，藉由使掃描線3 a及電容線3 b與增高膜1 3 a的膜厚幾乎成爲一致，使得開孔出第3層間絕緣膜7的接觸孔 8的區域成爲平坦狀態。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製其次，如第7圖的工程（b )所示，使用光阻劑遮罩 3 0 3藉由步進曝光裝置等曝光。光阻劑3 0 2爲正型光阻劑的場合，光阻劑遮罩3 0 3上沒有遮光性鉻膜3 0 4 的部份（亦即透光的部份）被除去。第3層間絕緣膜7上的光阻劑3 0 2，因爲開孔接觸孔8的區域很平坦的緣故，曝光時沒有亂射反射，可以除去光阻劑遮罩3 0 3上的沒有遮光性鉻膜3 0 4的部份，亦即可以除去與接觸孔開孔用的圖案直徑同樣大小的光阻劑3 0 2。亦即，因爲沒有如先行技術例之第1 7圖（b )所示的那種光阻劑後退 ’所以可以開孔出如同設計値得接觸孔。藉此，即使像素微細化，也不會招致生產率的降低，可以實現高像素開口率的液晶面板。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -27- 583433 A7 B7 五、發明説明（25) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其次，如第7圖的工程（c )所示’將接觸孔8藉由反應性蝕刻、反應性離子束蝕刻等向異性的乾式鈾刻形成之，可以使接觸孔8的開孔直徑儘可能的不擴大。此外，即使爲了將接觸孔8的側壁形成推拔狀而施以溼式軸刻’ 也不會如從前那般出現光阻劑後退，所以不會增大開孔直徑可以開孔出微細的接觸孔。最後，如第7圖的工程（d )所示，設像素電極9 a 的話，可以形成T F T陣列基板的像素顯示區域的像素。 (液晶面板的第2實施形態）以下參照第8圖與第9圖說明根據本發明的液晶面板的第2實施形態。第8圖係構成液晶面板的T F T陣列基板上的鄰接的複數像素群的平面圖，第9圖係第8圖之C - C /剖面圖，顯示作爲像素的開關元件之T F T的構造。於第9圖，各層或各構件是以在圖面上可辨識程度的大小繪製的，所以各層或各構件的比例尺有所不同。又，於第8圖與第9圖，與第2圖至第7圖同樣的構成要素被賦予同樣的參考符號而省略其說明。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在第2實施形態，液晶面板的全體構成與顯示於第2 圖及第3圖的第1實施形態幾乎相同，如第8圖所示，只有未將遮光膜1 1 a /敷設於T F T 3 0的下方這一點有所不同。例如，直視型液晶面板這種不需要入射強光的用途所使用的液晶面板的場合，不需要敷設遮光膜1 1 a / 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -28- 583433 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（26) 亦即，如第9圖所示，不設遮光膜1 1 a >的場合， T F T陣列基板1 0的表面沒有突起，在被施以充分洗淨的場合，不需要形成第1層間絕緣膜1 2。藉此，形成遮光膜1 1 a >的工程與堆積第1層間絕緣膜1 2的工程可以削減。亦即，因爲可以削減第4圖的（1 )至（3 )的工程，所以在製造生產率或是成本面上非常有效果。此外，如第2實施形態那般將第3層間絕緣膜7自身或者於第3層間絕緣膜上施以C Μ P處理而形成有機膜等平坦化膜的話，在開孔接觸孔8時可以防止光飩刻工程之曝光時的亂反射，所以可以實現微細的接觸孔8。採用如此的構成的話，增高膜1 3 a的膜厚不需要與掃描線3 a 或電容線3 b的膜厚一致。 (液晶面板的第3實施形態）參照第1 0圖說明根據本發明的第3實施形態。第 1 0圖係從顯示構成液晶面板的T F T陣列基板上的鄰接的複數像素群的平面圖。在第3實施形態，液晶面板的全體構成與第2圖及第 3圖所示的第1實施形態幾乎相同，而在X方向的像素間距L較窄的場合之例。在本實施例間距L爲第1實施形態所示的像素間距L的3分之1，於對向基板上設彩色濾光片’以3個像素形成一個點的方式液晶面板的實施形態，可以僅用1枚搭載彩色濾光片的液晶面板作爲單板投影器或者筆記型電腦的顯示器。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ規格（210X297公釐） -29- 583433 A7 B7 五、發明説明（27) 如此，X方向的像素間距L變窄的話，因爲資料線 6 a間的距離變窄，所以透過資料線6 a與接觸孔8，像素電極9 a短路的可能性變高。以鋁膜形成資料線6 a的場合，特別顯著變高。這是因爲鋁膜的融點很低，以高溫處理第3層間絕緣膜不能構成成多孔的疏鬆（ρ 〇 r 〇 u s )狀。亦即，在開孔接觸孔8時蝕刻率變快。特別是因爲使開口部的側壁成爲推拔狀，所以進行溼式蝕刻的話接觸孔8 的第3層間絕緣膜7的開孔直徑有變大的傾向。此外不像從前那般設置作爲蝕刻停止膜的增高膜1 3 a的話，因爲僅靠乾式蝕刻的話半導體層1 a與層間絕緣膜的選擇比很低，所以有貫穿之虞，而變成不得不與溼式蝕刻並用，要形成較小的開孔徑是困難的。於第1 1圖顯示將接觸孔8設計爲2 # m的正方形，而資料線6 a的配線寬度爲5 // m的場合，像素間距l與不良率之間的關係圖。第1 1圖（a )係以從前的製程製作的液晶面板，第1 1圖（b )係本實施形態的製程所製作的液晶面板的結果。據此’在（a )之先行技術例，像素間距降低至2 0 // m以下的話，由於像素缺陷所導致的不良率急速增加，但是在本實施形態即使像素間距降至 1 Ο V m以下，由於像素缺陷所導致的不良率也沒有增加。亦即，使用本實施形態的液晶面板的話，即使像素微細化或者高開口率化，也少有資料線6 a或掃描線3 a或者電容線3 b與像素電極9 a之間的短路，而且因爲半導體層1 a的汲極區域與像素電極9 a的接觸孔8不會貫穿，本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂· d 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -30- 583433 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（28) 所以不會招致生產率的降低。此外，如第3實施例那般接觸孔8與資料線6 a的距離極端接近的場合，將增高膜1 3 a的膜厚設定爲與資料線6 a的膜厚幾乎相同，亦即使資料線6 a上的層間絕緣膜與開孔接觸孔8的區域幾乎成爲平坦的方式亦可。採用如此的構造，也可以抑制接觸孔8的開孔徑的擴大，此外可以緩和高低差的緣故，所以可以減少液晶的配向不良。進而，根據本實施形態的話，接觸孔8，因爲對於開口區域的中心線9 c (參照第2、8、1 0圖）開口於線對稱的位置，所以接觸孔8的周圍之像素電極9 a的高低差（參照第3圖）對於開口區域成爲線對稱。這在使用 T N液晶的場合特別發揮效果，液晶層5 0無論使用右旋的液晶或是使用左旋的液晶，由於反傾斜角等引起液晶的配向不良的容易度幾乎都變成相同。亦即，無論使用哪一方旋轉的液晶，都可以防患顯著發生配向不良的情形於未然，作爲液晶層5 0，可以採用右旋的液晶也可以採用左旋的液晶在實用上非常方便。如以上所說明的構成，根據本實施形態，與第1 6圖所示的先行技術例之透過被形成於各像素的角落的接觸孔 8使像素電極9 a接續於T F T的汲極的場合相比較，改善了光的利用效率。特別是在本實施形態的場合，開口區域，爲接近正方形的矩形，亦即具有旋轉對稱的平面形狀，所以圓形等光照射區域，對於該開口區域所佔的比率變高，改善了光的利用效率。尙且，當然也可以將開口區域 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -31 - 583433 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（29) 形成爲圓形、正十二角型、正八角型、正六角形、正方形等其他旋轉對稱的形狀。進而在本實施形態’如第2、8 、1 0圖所示，X方向的開口區域的寬度’藉由相鄰的2 條資料線6 a來規定，γ方向的開口區域的寬度藉由夾著開口區域的相鄰接的掃描線3 a以及電容線3 b來規定’ 藉由將接觸孔8開孔於沒有夾著開口區域的相鄰接的掃描線3 a以及電容線3 b之間的空間’可以有效地利用影像顯示區域的2次元空間。亦即，可以更有效率地擴大開口區域，使得光的利用效率大爲改善。 (液晶面板的構成）使用於本實施形態的液晶面板，因爲像素之開關元件之T F T 3 0，係多結晶矽（P — S i )形式的T F T，所以，形成T F T 3 0時以同一工程可以在T F T陣列基板1 0上行成供驅動像素之用的周邊驅動電路。參照第 1 2圖及第1 3圖說明如此的周邊驅動電路內藏型液晶面板1 0 0的全體構成。又，第1 2圖，係從對向基板之側來看T F T陣列基板與被形成於其上的各構成要素之平面圖，第1 3圖係包含對向基板顯示的第1 2圖的Η - Η / 剖面圖。於第1 2圖，在T F Τ陣列基板1 0上，設有供規定影像顯示區域之用的遮光性的周邊邊緣5 3，於其外側平行設有密封材5 2。於密封材5 2的外側區域，資料線驅動電路1 0 1以及實裝端子1 0 2沿著T F Τ陣列基板 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -32- 583433 A7 B7 五、發明説明（30 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1〇的一邊設置，掃描線驅動電路1 0 4，沿著鄰接於此邊的2個邊設置。進而，T F T陣列基板1 〇的剩下來的一邊上，設有供接續被設於影像顯示區域的兩側的掃描線驅動電路1 0 4之間的複數配線1 0 5。又，在掃描線的訊號延遲不成爲問題的場合，掃描線驅動電路1 0 4也可以僅形成於一邊。此外，將資料線驅動電路1 0 1設於影像顯示區域的兩側當然也可以。此外，於對向基板2 0的角落部的至少一處，設有供電氣導通T F T陣列基板1 0 與對向基板2 0之間的上下導通材1 0 6。接著，如第 1 3圖所示，具有與第1 2圖所示的密封材5 2幾乎相同的輪廓的對向基板2 0藉由該密封材5 2被固著於T F T 陣列基板1 0上。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製資料線驅動電路1 0 1以及掃描線驅動電路Γ 0 4，藉由配線分別導電接續於資料線6 a (源極電極）以及掃描線3 a (閘極電極）。於資料線驅動電路1 0 1，包含有根據時脈訊號將開始訊號依序轉送之用的移位暫存器電路，藉由從該資料線驅動電路1 0 1依序輸出的驅動訊號控制採樣電路，使從未圖示的顯示資訊處理電路即時被變換爲可顯示的形式的影像訊號透過採樣電路供給至資料線 6 a。此外，於掃描線驅動電路1 〇 4，包含有供根據時脈訊號將開始訊號依序轉送之用的移位暫存器電路，脈衝地配合依序對掃描線3 a傳送閘極電壓，資料線驅動電路 1 0 1將因應影像訊號的訊號電壓送往資料線6 a。接著，於對應資料線6 a以及掃描線3 a的交點的各像素部，本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -33- 583433 A7 B7 五、發明説明（31) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 設有液晶驅動用的T F T 3 0。尙且，採樣電路也可以形成於資料線驅動電路內，也可以形成於周邊邊緣5 3的區域。如此，藉由在從前爲無法利用的周邊邊緣5 3的區域上形成採樣電路，可以謀求空間的有效利用，可以實現資料線驅動電路1 0 1的小型化或高機能化。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製於第1 3圖，液晶層5 0，例如由混合一種或數種絲狀液晶的液晶構成。密封材5 2，係將2個基板1 0以及 2〇在其周邊貼合之用的例如由光硬化樹脂或者熱硬化性樹脂所構成的黏著劑，混入有使兩基板間的距離（基板間的間隔）成爲指定値之用的玻璃纖維或者玻璃珠等間隔材 (間隔件）。此外，對向基板2 0的面對液晶5 0之側，設有由第2遮光膜2 2以及透明導電膜之I T ◦膜所構成的對向電極2 1。又，雖然在第1 3圖並未圖示，·但是來自對向基板2 0的入射光入射之側以及T F T陣列基板 1 0的射出光的射出側，分別因應T N (扭曲絲狀）模式、S T N (超級扭曲絲狀）模式、D — S T N (雙S T N )模式等動作模式，或者常黑模式/常白模式的分別，在指疋的方向配置偏光fl吴、相位差膜、偏光板等。進而’於液晶面板1 0 0 ’由絲狀液晶構成作爲一例之液晶層5 0，但是使用將液晶作爲微小粒分散於高分子中的高分子分散型液晶的話，配向膜2 3、以及前述的偏光膜、偏光板變成不再需要，可以由於提高光的利用效率而得液晶面板的高亮度化或低耗電量化的優點。其他，可以將本貫施形知適用於各種液晶材料（液晶相）、動作模本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -34 - 583433 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（32) 式、驅動方法等。如此般本實施形態的液晶面板可以將驅動影像顯示區域之用的周邊驅動電路一體形成於T F T陣列基板1 0上，因爲不需要藉由膠帶實裝或者C〇G實裝而外加於周邊驅動電路，所以可以實現超小型的液晶面板。此外，可以大幅削減供驅動液晶面板的I C，在成本面上也有極大的優點。 (使用微透鏡的液晶面板）微透鏡2 0 0，例如藉由日本專利特開平 6 - 1 9 4 5 0 2號公報所揭示的製造方法來形成。第 1 4圖爲其一例，在對向基板2 0上形成感光性材料的膜之後，以使對應於成爲各透鏡的部份殘留下凸部的方式曝光圖案化之後，藉由感光性材料的熱變形以及表面張力，在對向基板2 0上形成具有平滑的各透鏡凸面之由感光性材料所構成的配列圖案，其後，將該感光性材料的配列作爲遮罩進行乾式蝕刻藉由將感光性材料的配列圖案雕刻於對向基板2 0，形成表面被雕爲平滑的各透鏡的凸面之微透鏡2 0 0。或者藉由傳統的所謂「熱變形法」形成微透鏡2 0 0亦可。於微透鏡2 0 0的表面全體，藉由黏著劑2 0 1貼附覆蓋玻璃2 0 2，於其上更依序形成第2遮光膜2 2、對向電極（共通電極）2 1以及配向膜2 3。這個場合，第 2遮光膜2 2，以各開口的中心重疊於各微透鏡2 0 0的透1¾中心2 0 0 a的方式沿者各微透鏡2 〇〇的境界設爲 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -35- 583433 A7 _B7___ 五、發明説明（33) 矩陣狀。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 於第1 4圖，對向電極2 1係橫跨對向基板2 0的全面被形成的。如此的對向電極2 1，係例如藉由濺鍍處理等將I TO膜堆積5 0 0〜2 Ο Ο 0A厚之後，藉由施以光鈾刻工程、蝕刻工程等而被形成。配向膜2 3，由聚醯亞胺系薄膜等有機薄膜所構成。如此的配向膜2 3 ’例如在塗布聚醯亞胺系的塗布液之後，以使具有指定的預傾斜角的方式在指定方向施以摩擦處理等而形成。第2遮光膜 2 2，設於相對方向於T F T 3 0的指定區域，如此的第 2遮光膜2 2，藉由使用鉻或鎳等金屬材料的濺鍍工程、光蝕刻工程以及鈾刻工程而形成，由分散碳黑或鈦至光阻劑的黑色樹脂等材料所構成。第2遮光膜2 2，除了對 TFT30的半導體層1 a遮光之外，具有提高對比、防止色材混合的功能。或者，如第1 5圖所示’例如將預先被形成各透鏡的凸面之透明板（微透鏡陣列）貼附於對向基板2 0的表面而構成的微透鏡2 0 0 /設於對向基板 2 〇亦可。進而，在對面於對向基板2 0的液晶層5 0之側的面上，貼附如此般的微透鏡亦可。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在本實施形態，特別如第2、8、1 0圖所示，像素電極9 a的開口區域，具有對於通過開口區域的幾乎中心點9 b的中心線9 c成線對稱的形狀。此外，接觸孔8，被開孔於對於開口區域的中心線9 b爲線對稱的位置。進而，微透鏡200 (或者200 /)在幾乎相對方向於中心點9 b的位置分別具有透鏡中心2 0 0 a。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -36- 583433 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（34) 根據本實施形態的話，光從對向基板2 0之側入射的話，藉由在相對方向於開口區域的幾乎中心點9 b (重心 )的位置上具有透鏡中心2 0 0 a (或者2 0 0 a /)的微透鏡2 0 0 (或者2 0 0 / )，此入射光以開口區域的幾乎中心點9 b爲中心被聚光於像素電極9 a上。亦即，藉由微透鏡200 (或200 /)聚光的光所形成的圓形 (或者略橢圓型或橢圓形）的光的照射區域被形成於開口區域內。此處，接觸孔8，被開孔於對於開口區域的中心線9 c爲線對稱的位置。因此，可以擴大位於各像素內的中央附近的線對稱的開口區域。接著，開口區域，噎爲對於通過其幾乎中心點9 b的中心線9 c爲線對稱的緣故，所以圓形等的光照射區域，於此線對稱的開口區域內被形成於線對稱的位置（圓形等的中心幾乎成爲與中心點9 b 重疊）。亦即，對於該開口區域之光照射區域所佔的比率變高，改善了光的利用效率。又，作爲微透鏡的聚光能力，只要光照射區域可以收容於開口區域內的程度的聚光即可，並不需要將光照射區域超過必要地縮小。又，在本實施形態，是以使用T F T驅動像素電極 9 a的方式構成的，但是使用T F T以外的元件例如 TFD (薄膜二極體：Thin Film Diode)等主動矩陣元件也是可能的，進而，將液晶面板構成爲被動矩陣型的液晶面板也是可能的。即使這樣的場合，只要採用以微透鏡將光聚光於像素電極上的構成，在本實施形態所說明的將開口區域做成線對稱或旋轉對稱，使透鏡中心相對方向於開 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -37- 583433 A7 ______B7 _ 五、發明説明（35) 孔區域的幾乎中心點的構成，在提高光的利用效率上與本實施形態的場合同樣有效。 ^^衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (電子機器）其次參照第1 8圖至第2 1圖說明具備以上詳細說明的本實施形態之液晶面板的電子機器之實施形態。首先於第1 8圖，顯示具備本實施形態的液晶面板的電子機器的槪略構成。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製於第1 8圖，電子機器，被構成爲具備：顯示資訊輸出源，1 0 0 0、顯示資訊處理電路1 0 0 2、驅動電路 1 0 0 4、液晶面板1 0 0、時脈產生電路1 0 0 8以及電源電路1 0 1 0。顯示資訊輸出源1 0 0 0，包含 R〇Μ (唯讀記憶體）、R A Μ (隨機存取記憶體）、光碟裝置等記憶體、使影像訊號同步而輸出的同步電路等，根據來自時脈產生電路1 0 0 8的時脈訊號，將指定格式的影像訊號等顯示資訊輸出至顯示資訊處理電路1 0 0 2 。顯示資訊處理電路1 0 0 2，被構成爲包含擴大/極性反轉電路、相展開電路、旋轉電路、伽碼補正電路、箝位電路等習知的各種處理電路，根據時脈訊號由被輸入的顯示資訊依序產生數位訊號，與時脈訊號C L Κ共同輸出至顯示驅動電路1 0 0 4。顯示驅動電路1 〇〇 4 ’驅動液晶面板1 0 0。電源電路1 0 1 0，對上述各電路供給指定電源。又，構成液晶面板1 0 0的T F Τ陣列基板之上，也可以搭載顯示驅動電路1 0 〇 4 ’也可以再搭載顯示本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -38- 583433 A7 _B7____ 五、發明説明（36) 資訊處理電路1 0 0 2。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 其次於第1 9圖至第2 1圖，分別顯示如此構成的電子機器的具體例。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製於第1 9圖’電子機器之一例的液晶投影益1 1 〇〇，係被構成爲準備3個包含上述的顯示驅動電路1 0 0 4 被搭載於T F T陣列基板上的液晶面板1 0 〇的液晶模組，分別作爲R G B用的液晶光閥1 0 0 R、1 0 〇 G以及 1 0 0 B使用的投影器。在液晶投影器1 1 〇〇 ’由金屬鹵化物等白色光源的燈泡1 1 0 2發出投射光時’藉由3 枚反射鏡1 1 0 6以及2枚二色性反射鏡1 1 〇 8分爲對應於R G B三原色的光成份R、G、B ’分別被導向封應各色的光閥1 0 0 R、1 0 0 G以及1 Ο Ο B。此時’特別是藍色光，爲了防止由於過長的光徑所造成的光損失’ 設有由包含入射透鏡1 1 2 2、中繼透鏡1 1 2 3、射出透鏡1 1 2 4的中繼透鏡系所構成的導光手段1 1 2 1而被導引。接著，藉由各光閥100R、100G以及 1 Ο Ο B分別被調變的對應於3原色的光成份，藉由二色性稜鏡1 1 1 2再度合成之後，透過投影透鏡1 1 1 4投射到螢幕1 1 2 0成爲彩色影像。再本實施形態，將前述的遮光膜預先設於T F T的下側的話，根據來自該液晶面板1 0 0的投射光的藉由液晶投影器內的投影光學系所造成之反射光、投影光通過時來自T F T陣列基板表面的反射光，從其他的液晶面板 1 0 0射出後貫穿二色性透鏡1 1 1 2而來的投影光的一本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -39- 583433 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（37) 部份（R光以及G光的一部份），作爲返回光而從T F T 陣列基板之側入射，也可以充分對像素電極的開關用 T F T等通道區域進行遮光。因此，將適於小型化的棱鏡用於投影光學系也不需要再各液晶面板的T F T陣列基板與棱鏡之間，貼附防止返回光的A R薄膜，或者在偏光板施以A R覆膜處理，在構造的小型化以及簡易化上非常有利。此外，藉由配合構成3枚光閥1 0 0 R、1 0 0 G、 1 Ο Ο B的各個液晶面板的明視方向，可以抑制顏色不均的產生或對比的降低。在此作爲液晶使用T N液晶的場合，僅有光閥1 0 0 G以外其他的光閥1 〇〇 R以及 1〇0 G的液晶的明視方向必須要對影像顯示區域左右反轉。此處，如果使用具備本實施形態的液晶面板的光閥的化，無論T N液晶是左旋或者是右旋，因爲像素的開口形狀左右幾乎相同，所以即使產生液晶的配向不良，也被認識爲相同。藉此，將液晶旋轉方向不同的光閥1 〇〇 G與 1 0 0 R以及1 Ο Ο B藉由稜鏡等合成時，因爲在顯示影像不會招致顏色不均勻或者對比降低，所以可以實現高品質的液晶投影器。於第2 0圖，電子機器之其他例之對應多媒體的膝上型個人電腦（P C ) 1 2 0 0，具有：上述液晶面板於上外蓋內，進而具備收容C P U、記憶體、數據機等同時被組入鍵盤1 2 0 2的本體部1 2 0 4。此外，如第2 1圖所示，在未搭載驅動電路1 〇〇 4 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -40 - 583433 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（38) 或顯示資訊處理電路1 0 0 2的液晶面板1 0 0的場合，含有驅動電路1 0 0 4或顯示資訊處理電路1 0 0 2的 I C 1 3 2 4被實裝於聚醯亞胺膠帶1 3 2 2上的 T C P 1 3 2 0上，透過被設於T F T陣列基板1 0的周邊部的向異性導電薄膜物理地而且導電地接續，可以生產、販賣、使用作爲電子機器用之液晶裝置。除了以上參照第1 9圖至第2 1圖所說明的電子機器之外，如第1 8圖所示的電子機器之例還可以舉出：液晶電視、觀景窗型或者直視監視器型的攝影機、汽車導航裝置、電子記事本、電子計算機、文書處理機、工程工作站 (E W S )、行動電話、電視電話、P〇S終端、具備觸控式面板的裝置等等。如以上所說明的，根據本實形態，藉由使用比較簡單的構成，可以實現即使像素微細化也不會招致工程生產率降低或者像素開口率降低的液晶面板以及具備該液晶面板的各種電子機器。發明的效果根據本發明的液晶面板，因爲在供接續開關元件之 T F T的汲極區域與像素電極之用的層間絕緣膜上開孔的接觸孔下形成增高膜，所以可以使層間絕緣膜的表面平坦化。亦即，可以緩和被形成接觸孔的區域的高低差。亦即，可以防止液晶的配向不良，同時在光蝕刻工程將光阻劑遮罩曝光時，可以抑制接觸孔的開孔形成尺寸不會變寬。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -41 - 583433 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ____B7____五、發明説明（39) 根據本發明的液晶面板，因爲將供接續開關元件之 T F T的汲極區域與像素電極之用的層間絕緣膜上開孔的接觸孔的形成位置，開孔於供給影像訊號至對應的像素電極之用的資料線、與該資料線與相鄰資料線之間的幾乎中心位置，可以防止資料線與像素電極的短路，即使像素微細化也不會招致工程製造率或像素開口率的降低。圖面之簡單說明第1圖係構成液晶面板的影像顯示區域的像素部之等價電路圖。第2圖係從對向基板之側來看根據本發明的液晶面板的第1實施形態之T F T陣列基板上的鄰接的複數像素群的平面圖。第3圖係包含對向基板的第2圖之A—A/剖面圖。第4圖係將液晶面板的實施形態的製造工程針對第3 圖所示的部分依序顯示的工程圖（其一）。第5圖係將液晶面板的實施形態的製造工程針對第3 圖所示的部分依序顯示的工程圖（其二）。第6圖係將液晶面板的實施形態的製造工程針對第3 圖所示的部分依序顯示的工程圖（其三）。第7圖係將液晶面板的實施形態的製造工程沿著第2 圖的B — B /剖面，針對第6圖的（1 7 )至（2 0 )步驟所示的工程更加詳細的依序顯示的工程圖。第8圖係從對向基板之側來看根據本發明的液晶面板 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -42- 583433 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（4〇) 的第2實施形態之T F T陣列基板上的鄰接的複數像素群的平面圖。第9圖係包含對向基板的第8圖之C一C/剖面圖。第1 0圖係從對向基板之側來看根據本發明的液晶面板的第3實施形態之T F T陣列基板上的鄰接的複數像素群的平面圖。第1 1圖係顯示根據本發明的液晶面板的實施形態之液晶面板與從前的液晶面板在像素間距上的液晶面板的像素缺陷不良率之圖。第1 2圖係顯示根據本發明的液晶面板的全體構成之平面圖。第1 3圖係第1 2圖的Η — Η /剖面圖。第1 4圖係被形成微透鏡之一例的像素部之對向基板的擴大剖面圖。第1 5圖係被形成微透鏡之另一例的像素部之對向基板的擴大剖面圖。第1 6圖係從對向基板之側來看從前的液晶面板之 T F Τ陣列基板上的鄰接的複數像素群的平面圖。第1 7圖係將液晶面板的實施形態的製造工程沿著第 1 6圖的D — D /剖面，針對第6圖的（1 7 )至（2〇 )步驟所示的工程更加詳細的依序顯示的工程圖。第1 8圖係顯示根據本發明的電子機器的實施形態之槪略構成的方塊圖。第1 9圖係顯示電子機器之一例的液晶投影器的剖面 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -43- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 583433 A7 __ B7 五、發明説明（41) 圖。第2 0圖係顯示電子機器之另一例的個人電腦的正面圖。 Τ")

第2 1圖係顯示電子機器之一例的使用τ c p U 裝置之立體圖。主要元件符號說明 la 半導體膜 1 a ^ 通道區域 lb 低濃度源極區域 1 c 低濃度汲極區域

Id 高濃度源極區域 1 e 高濃度汲極區域 2 閘極絕緣膜 3 多結晶矽膜 3 a 掃描線（閘極電極） 3a" 聞極電極 3 b 電容線 4 第2層間絕緣膜 5 接觸孔 6 金屬含有膜 6 a 資料線（源極電極） 7 第3層間絕緣膜 8 接觸孔 (請先閲讀背面之注意事項存填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -44 - 583433 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（42) 9 a 像素電極 9 b ，9 c 中心線 10 T F T陣列基板 11a 遮光膜 1 2 第1層間絕緣膜 13 導電膜 13a 增高膜 19 配向膜 2 0 對向基板 2 1 對向電極 2 2 第2遮光膜 2 3 配向膜 3 0 TFT 3 1 資料線 5 0 液晶層 5 2 密封材 53 周邊邊緣 70 蓄積電容 1〇〇R ， 1〇〇G ， 1 0〇B ··液晶光閥 10 0 周邊電路驅動內藏型液晶面板 101 資料線驅動電路 104 掃描線驅動電路 1〇5 配線 1 0 6 上下導通材 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -45- 583433 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（43) 2〇〇、2〇〇> 微透鏡 2〇〇a 、 2〇〇a > 透鏡中心 201 黏著劑 302 光阻劑層 3 0 3 光阻劑遮罩 304 遮光性鉻膜 1000 顯示資訊輸出源 1002 顯示資訊處理電路 1004 驅動電路 1〇0 8時脈產生電路 1010 電源電路 1120 螢幕 1121 導光手段 1122 入射透鏡 112 3 中繼透鏡 1200 膝上型個人電腦 1202 鍵盤 1204 本體部 1 3 2 0 TCP 1322 聚醯亞胺膠帶 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -46-

Claims

583433 A8 B8 C8 D8 __ _ 六、申請專利範圍 1、一種光電裝置，其特徵包含：複數條資料線； (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 掃描線，與該複數條資料線交叉；薄膜電晶體，與該資料線及掃描線連接；像素電極，連接於該薄膜電晶體；電容電極，沿著該掃描線延伸；缺口部，形成於該電容電極；以及接觸孔，位於該缺口，電性連接該薄膜電晶體的汲極區域與該像素電極。 2、如申請專利範圍第1項所述之光電裝置，其中該薄膜電晶體的汲極區域具有與該電容電極重疊的區域。 3、如申請專利範圍第1項所述之光電裝置，其中該掃描線與該電容電極係在同一層形成。 4、如申請專利範圍第1項所述之光電裝置，其中具有形成於該掃描線，面對該電容電極的缺口部的缺口部。 5、如申請專利範圍第4項所述之光電裝置，其中該電容電極的缺口部深度比該掃描線的缺口部深度還深。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6、一種投射裝置，其特徵包含：複數條資料線；掃描線，與該複數條資料線交叉；薄膜電晶體，與該資料線及掃描線’連接；像素電極，連接於該薄膜電晶體；電容電極，沿著該掃描線延伸；缺口部，形成於該電容電極；本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 47 583433 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 AS Β8 C8 D8々、申請專利範圍光電裝置，具備位於該缺口，電性連接該薄膜電晶體的汲極區域與該像素電極的接觸孔；光源，對該光電裝置照射照明光；以及投射光學系，投射來自該光電裝置的像。 7、一種光電裝置，其特徵包含：複數條資料線；掃描線，與該複數條資料線交叉；薄膜電晶體，與該資料線及掃描線連接；像素電極，連接於該開關元件；電容電極，沿著該掃描線延伸；缺口部，形成於該掃描線；以及接觸孔，位於該缺口，電性連接該薄膜電晶體的汲極區域與該像素電極。 8、如申請專利範圍第7項所述之光電裝置，其中具有形成於該電容電極，面對該掃描線的缺口部的缺口部。 9、一種投射裝置，其特徵包含：複數條資料線；掃描線，與該複數條資料線交叉；薄膜電晶體，與該資料線及掃描線連接；像素電極，連接於該開關元件；電容電極，沿著該掃描線延伸；缺口部，形成於該掃描線；光電裝置，具備位於該缺口，電性連接該薄膜電晶體的汲極區域與該像素電極的接觸孔； (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂争· 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公釐） 583433 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍光源，對該光電裝置照射照明光；以及投射光學系，投射來自該光電裝置的像。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公釐）